聚碳硅烷低温烧结碳化硅泡沫陶瓷的制备

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作者简 介 ： 赵秋实（９５ ， １８ 一）现就读于贵州大学理学院０ 级电路与 ９
系统 ， 究 方 向为 电子 系统 设 计 及 自动 化 研
图 ７ 仿 真 结 果
一
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［］ ４ 江思敏． Ｈ Ｌ Ｖ Ｄ 数字 电路及 系统设计 ｌ ． Ｍ］ 机械 工业 出版社 ， ０ ２ ６ ０
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［］ ５ 高有 堂． Ｄ Ｅ Ａ技术及应用 实践［ 清华大学 出 ＭＪ ． 版社 ， ０ ２ ６年 ０
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ａｄＰ ｙｉｓ２０ ，５（ ）： ４ —４ ｎ ｈｓ ．Ｏ２７ ２ ２ １２５ ｃ
基 金项 目 ： Ｉ 贵州省教 育厅 自然科 学基金 重点项 目２ ９０３ ）贵 阳 ０ （０６ ， ０
碳化硅泡沫 陶瓷的发展始于 ２ 世 纪 ７ 年代。作为 ０ ０
一
烧结制备出 ＳＣ泡沫陶瓷。 ｉ
种内部结构中有很多孔隙的新型无机非金属过滤材料，
碳化硅泡沫陶瓷具有重量轻 、 强度高 、 耐高温 、 耐腐蚀 、 再 生简单 、 使用寿命长及 良好 的过滤吸 附性等优点。在冶 金、 化工 、 环保 、 能源 、 物等 领 域 具 有 广 泛 的 应用 前 生
市科 学技 术计 划项 目２０ 第 １ ０ ５ Ｏ９ — ５ 号。
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图６ ＨＤ 编 码 器 的 顶 层设 计 原 理 图 Ｂ３
［］ ２ 曹志刚． 现代通信原理【 ． Ｍ］ 清华大学出版社 ， ０ 年 ２ ８ ０ ［］ ３ 汉泽 西， 孙燕妮． 于 Ｆ Ｇ 基 Ｐ Ａ的 ｔ Ｂ ｌ ３编译码 ｆ ］ 电子科技 ，（ Ｄ Ｊ． ２ 聊
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ｔ ｓＪ ． ｏ ｐ ｓｅ Ｐ ｒ Ａ １ ９３ ４ ４ １ １ ｉ ［］ Ｃ ｍ ｏｉｓ ａ — ．９ ， ｅ ｔ ｔ ９ ０（ ）： １－ ７ ４ ［２ 许云书 ， １］ 宋永才． 电子柬 辐照 聚碳硅 烷热 解合 成 Ｓ ｉ Ｃ陶瓷材 料 ［ ］辐射研究与辐射工艺学报 ， ９ ， （ ） １ Ｊ． １ ８１ １ ： ９ ６ ４ －
１９ ３ （２ ２０７２０２ ９９， １ ）： ５ － ６ ７
作者简介 ： 陈璐（９３ ， ， Ｊ １８ 一）女 贵 大学材料与冶金工程学院硕士研 ＇ ｌ
究生在 读。
刘卫 （９６一） 女 ， 授 ， 士 ， 究 方 向 ： 驱 体 法 制 备 １６ ， 教 硕 研 先
碳 化硅 泡 沫 陶 瓷 。
旦 ［— ］ １３
尿 ０
１ 实验 过程
１１主 要原料 ．
碳化 硅微 粉 （ ．） 聚碳 硅烷 （ Ｃ ， Ｗ０３ ； Ｐ Ｓ 国防科 技 大 学 ，
长沙 ）有机溶剂 四氢呋喃（ Ｈ ， ； Ｔ Ｆ 分析纯 ， 纯度 ＞ ９０ ９． ％，
传统 的碳化硅泡沫陶瓷制备工艺复杂， 其主要 以碳 化硅粉体与流变剂 、 剂体系、 粘结 烧结 助剂等共 制成浆 昆
料， 进而与有机泡沫模版浸渍 ， 最后经干燥 、 排除有机物等 工序烧成得到碳化硅泡沫 陶瓷。由于碳化硅属于共价键 很强的化合物 ， 扩散系数小， 自 导致碳化硅泡沫陶瓷 的烧
天津市科密欧化学试剂开发 中心 ） 作为 Ｐ Ｓ的溶剂。 Ｃ
１２泡沫陶瓷浆料的制备 ． 将聚碳硅烷 陶瓷先驱体和平均粒度为 ０３Ｉｎ的碳 ． ｒ ｘ 化硅微粉溶 于四氢呋喃溶液 中， Ｐ Ｓ含量介于 ５～ ０ 使 Ｃ ２ ％之间 ， 固相含量介于 １ ４ ％之间。 ０～ ０
出碳化硅 泡沫陶瓷。运用扫描 电镜研究 了固相 含量、 聚碳硅烷含 量对碳化硅 泡沫陶瓷 的微观形貌的影响。
关键词 ： 聚碳硅烷
碳化硅 泡沫陶瓷
低温烧成 电子扫描 电镜 文章编号 ：Ｏ２— ８６ ２ Ｈ）６￣ ００— ３ ｌ０ ６８ （ｏ ０ － ６ ０ ０
中图分类号 ：Ｑ ５ Ｔ ００
文献标识码 ： Ａ
Ｐｒ ｐ ｒ ｔｏ ｆＳｌ ｏ ｒ ｉ ｅＦｏ ｍ ｒ ｍ ｉ ｔＬｏ Ｔｅ ｐ ｒ ｔ ｒ ｔ ｅ ａ ａｉ ｎ ｏ ｉｉ ｎ Ｃａ ｂ ｄ ａ Ｃｅ ａ ｃａ ｗ ｍ ｅ ａ ｕ ｅ ｗｉｈ ＰＣＳ ｃ
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聚碳 硅 烷 低 温 烧 结碳 化 硅 泡 沫 陶瓷 的制 备 木
陈璐 ， 阳 刘 卫 黎 ，
（． 州大学 材料与冶金 工程 学院， １贵 贵州 贵 阳 ５（２ ； 贵 州师 范大学 材料与建筑 工程 学院 ， 州 贵阳 ５０１） ５ ５２ ￣ ． 贵 ５０４
摘要 ： 采用聚碳硅烷 （ ｏ ｃｒｏｉｎ ，Ｃ ） Ｐ ｌ ａｂｓａ ｅＰ ｓ 陶瓷先驱 体作 为粘结剂 ，ｉ ｙ ｌ ＳＣ微粉作 骨料 ， 在惰性 气氛 中 １ ０ ￣ ０Ｃ下低温烧结制备 ０
［０ Ｍ ｔ ｅ ｓＳ Ｅ ｉｓ ｇｅ Ｍ Ｊ Ｆ ｌ ｓ ＿ ｆ ｃ ｏ Ｐｅｐｒｌ ｉ １ ］ ａ ｈｗ ， ｄ ｉ ｎｈ ， ｏ ｅ Ｊ ｆ ｔ ｆ ｒ ｙ ｙ ｓ ｔ ｒｉ ｋ Ｍ ＿Ｅ ｅ — ｏ ｓ
Ｈｅ ｔ Ｆ ｅ ｔ ｌｎ ｎ ｔ ｅ Ｐ ｅ ａ ａ ｉ ｎ ｏ ｉ ｃ ｎ Ｃａ ｂ ｄ ｏ Ａ ｏ ｙ ａ ｒ ａ ｎ ｅ ｔｏ ｈ ｒ ｐ ｒ ｔ ｆ Ｓ ｌ ｏ ｒ ｉ ｅ ｆ ｍ Ｐ ｌ— ｏ ｉ ｒ
１３浸渍 工艺 ．
结温度较高， 即使在加入烧结助剂的情况下其烧成温度也 高于 ｌ ０ ０℃ ， ６ 而烧结助剂的引入也不利于制备 ＳＣ物质 ｉ
量比相近的碳化硅泡沫陶瓷。过高的烧结温度会生成大 量的方石英相 ， 从而在 以后的冷却过程 中出现微裂纹 ， 影
响材 料 的强度 。
选择具有三维网状结构和连通孑 道的高弹性聚氨酯 Ｌ 海绵作模板 ， 按要求制成 一定形状的试样 ， 然后放人配制 好的Ｓ ｉ Ｃ陶瓷浆料中反复按压 ， 使陶瓷浆料比较均匀地涂
解转化为碳化硅陶瓷的重 要前驱体。Ｐ Ｓ用于制备碳 化 Ｃ 硅网眼多孑 陶瓷 、 Ｌ 碳化硅陶瓷 。 。 和碳 化硅纤维¨ 的 研究非常多 ， 已取得 了 良好 的进展。但 Ｐ Ｓ用 于制备 并 Ｃ
将干燥后的泡沫体放入烘箱升温至 １ ￣ 保温 ４ｈ ９ Ｃ， ０ 。 进行空气不熔化处理 ， Ｐ Ｓ充分交联 以便得到较高 的 使 Ｃ 陶瓷产率。
编码器的具体方案， 并通过仿真软件 Ｑ ｉ ｕ Ｉ进行仿真 ， ｕ ｔｓ Ｉ ｎ 并且得到了正确的仿真结 果。文 中设 汁的编码器集成度
高 、 度快 、 速 可移植 性 强 ， 得 Ｈ Ｂ 编 码在 很 多复 杂 的环 使 Ｄ３ 境 中能够得 到更 广泛 的应用 。
参考文献
［］ １ 樊昌信 ， 曹丽娜． 通信原理 ［ ． Ｍ］国防工业 出版社 ， ０ ２ ７年 ０
Ｐ ｌｍｅ — ｅ ｖ ｄ Ｍａｒｘ：Ｐ ｏ ｅ ｓｎ ｏ ｙ ｒ ｄ ｒ ｅ ｔｉ ｉ ｒ ｃ ｓ ｉ ｇ．Ｍａ ｒ Ｆ ｒ ｔ ｎ ａ ｄ Ｐ ｏ ｅ － ｔｉ ｏ ｍａ ｉ ｎ ｒ ｐ ｒ ｘ ｏ
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采用 Ｋ Ｋ ２０Ｂ型扫描电镜 （ Ｙ Ｙ８０ 中国） 分析烧成位 存 ，以 序 ４结 真 果 在 现 中 用 移 寄 器所 时 仿 。 延 结中 存 呈 语
一
。
本 文通 过硬件 描 述语 言 Ｖ Ｄ Ｈ Ｂ Ｈ Ｉ对 Ｄ ３编码 器 进 行 建 模和 设计 ， 出 Ｊ 种 在一 块 可编 程 芯 片上 实 现 Ｈ Ｂ 提 ， 一 Ｄ３
覆 在海 绵体 的三 维 网状 骨架 结 构 上 。在 室温 下 自然 干燥
近几十年来发展起来 的用聚合物裂解制造陶瓷材料
２ ， ４ｈ 使有机溶剂挥发 。
１４干燥 烧结 工艺 ．
的方法大大降低 了陶瓷材料的烧结温度问题 。聚合物先 驱体 ， 如聚碳硅烷（ Ｃ ）聚硅氮烷等 ， ＰＳ 、 作为制备陶瓷材料 的前驱体近年来引起人们极大的兴趣 ， 中聚碳硅烷是裂 其
将不 熔化 处 理 的 泡 沫体 置 于 管 式 热处 理 炉 内 ， 氮 在
气气氛下进行烧结。以一定的速率升温到 １ ０￣ 保温２ ０Ｃ， Ｏ ｈ 自然冷却得到黑色 ＳＣ陶瓷泡沫块体。 ， ｉ
１５显 微结 构分 析 ．
碳化硅泡沫陶瓷的研究很少。 本工作拟采用聚碳硅烷 （ｏ ｃｒｏｉｎ ，Ｃ ） Ｐｌ ａ ｓａｅＰ Ｓ 做为陶 ｙ ｂ ｌ 瓷先驱体 ， Ｃ微粉作骨料 ， Ｓ ｉ 在惰性气氛中 １ ０ ￣下低温 ０ ０ Ｃ
收稿 日期 ： １ — — ２ ２ １ ６ ２ ０
（ 上接 第 ６ ｌ页）
［］ ６ 曹大力， 麦开华 ， 马雷等． 碳化硅质 泡沫陶瓷过滤 器的研制 ［ ］铸 Ｊ．
造 ，０８， （ ）２４２７ ２０ ５ ３ ：９－９ ７
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