电子材料导论复习

第一章
1、电子材料的重要性;电子材料对元器件的促进
2、根据物理性质：导电，电阻，半导体，超导体，电介质，光电子，磁性，敏感电子材料
3、电子材料的影响因素
4、同构晶体、同形晶体、固溶体、相变（分类-位移型、重构型）、缺陷的分类-电缺陷、几何缺陷
5、分类（热致性液晶，溶致性液晶）、结构（向列相、胆甾相、近晶相）；表面原子的排列方式（弛豫，重构，超结构）；表面成分（偏析，耗尽，平衡偏析，非平衡偏析）；相界分类第二、三章
1、厚膜导电材料：玻璃键合、氧化物键合，混合型，
2、电阻产生的原因（纯金属，合金材料，薄膜电阻材料，合成型电阻材料，半导体电阻材料）、电阻温度系数
3、线绕电阻材料、薄膜电阻材料、厚膜电阻材料
第四章
1、1986年LaBaCuO，35k，1987年，YBaCuO.90K，液氦到液氮温度
2、迈斯纳效应、约瑟夫森效应；临界温度（Tc）-测量方法：电阻法，磁化率方法；相干长度、平均自由程、同位素效应，能隙，BCS理论
第五章
1、本征激发：半导体在热激发下产生自由电子和空穴的现象称为本征激发。

N型半导体：在纯净的硅晶体中掺入五价元素（如磷），使之取代晶格中硅原子的位置，就形成了N型半导体。

P型半导体：在纯净的硅晶体中掺入三价元素（如硼），使之取代晶格中硅原子的位置，形成P型半导体。

施主杂质，受主杂质，多子，少子
2、P-N结（形成，接触势垒伏安特性-单向导电、整流）
3、半导体的光吸收（本征吸收，激子吸收，自由载流子吸收，杂质吸收，晶格振动吸收）半导体的光电导（光电导率，定态光电导及弛豫过程，光谱分布，复合和陷阱作用，杂质光电导），半导体的光伏效应
4、半导体的霍尔效应（霍尔系数，霍尔角，霍尔迁移率）
5、半导体的热电效应(塞贝克效应，珀耳帖效应，汤姆逊效应)
6、元素半导体晶体（硅，锗）；化合物半导体及固溶体半导体（GaAs，InSb）
第六章
1、电偶极矩；极化强度；电极化的微观机制（电子云位移极化、离子位移极化、偶极子极化）
2、铁电材料的特点（自发极化，随外加电场改向，电场撤去仍保留部分极化）；顺电相；电畴；电滞回线
3、典型BaTiO3铁电性-1、钙钛矿结构；极化的形成（居里温度，四种铁电性晶系，三个极化轴；介电常数的温度特性-居里外斯定律；介电常数的居里点的突变；各向异性；热滞现象；改姓-移峰效应，压峰效应（展宽效应）
4、压电效应（正压电效应、逆压电效应）；两元系（PbTiO3-PbZrO3）掺杂改性
5、压电陶瓷性能表征（预极化、影响因素-温度、极化时间、极化电场大小）
6、热释电效应、产生机理
第七章
1、光电效应的定义、光电子
2、半导体发光机制-发光机理；辐射性复合（电子与空穴碰撞复合、通过杂质能级复合、激子复合）；非辐射性复合（阶段性放出声子，俄歇过程，表面复合）
3、激光产生原理-（受激吸收跃迁，受激辐射跃迁（同频率，同方向，同位相，同偏振方向），自发性辐射跃迁，粒子数翻转，激光器组成；激光的特点-单色性、方向性、相干性
4、光导纤维的原理（全反射、受光角、数值孔径，光损耗）；光导纤维的损耗（吸收损耗、散射损耗和辐射损耗）；光导纤维的色散（模式色散，材料色散、波导色散和极化色散）
第八章
1、磁矩，磁偶极子；磁畴；磁化机制
2、磁性的分类-抗磁性（特点，磁化率为负值）、顺磁性（居里定律，居里外斯定律）、铁磁性（磁畴，畴壁，自发磁化，饱和磁化强度与饱、磁感应强度与温度的关系、曲线）、反铁磁性（奈尔温度对应最高的磁化率）、亚铁磁性；材料磁性的来源（电子轨道磁矩、电子自旋磁矩、原子核磁矩）
3、磁滞回线（概念、剩磁、矫顽力；软磁材料、硬磁材料、半硬磁材料）；铁氧体；磁记录用薄膜永磁材料磁记录原理；写操作、读操作；
4、铁电性与铁磁性的区别
正负电荷中心的相对移动、原子轨道的取向；非对称性晶体结构、具有非饱和磁性
电子壳层；居里点的转变对应了结构相变，熵的增加、居里点意味着电子磁矩取
向的改变，即交换作用的破坏。

5、磁晶各向异性（定义，产生的原因）；磁致伸缩（定义，磁致伸缩产生的原因）；巨磁阻效应
6、软瓷与永磁材料的代表。

7、稳定性处理：人工时效处理；交流退磁处理；磁接触处理；温度循环稳定处理
8、旋磁性；磁致伸缩；磁共振；
9、法拉第旋转效应、科顿-莫顿效应、克尔效应、塞曼效应
10、技术磁化的两种机制：畴壁的迁移磁化（壁移磁化）；磁畴的旋转磁化（畴转磁化）
第九章
1、敏感电子材料的分类（按照功能）-力敏、光敏、磁敏、热敏、湿敏、气敏等；敏感电子材料的技术要求。

2、电阻应变效应；热敏电阻材料及分类；物理磁阻效应；几何磁阻效应。