IGBT驱动芯片的驱动能力计算

IGBT驱动芯片的驱动能力计算

顾恩伟

上方能源

2012年10月17日

概要：一个可靠稳定的IGBT驱动电路设计需要IGBT门端损耗与驱动电路的驱动能力相匹配。

关键词：IGBT，驱动能力

1.IGBT门端参数计算

P g=fQ g∆V

I gmax=V R g

I gavg=fQ g

其中，f开关频率、Q g为IGBT门端电荷量、V为正或负驱动电压值、R g为门电阻。

例：IGBT（FZ1600R12KE3）门端电荷量Q g为15.4uC，驱动器的驱动电压为+15V与-5V，R g为2Ω，开关平率为7KHz，计算门端参数:

P g=7k∗15.4u∗20=2.156W

I gmax+=15

2

=7.5A

I gmax−=−5

2

=−2.5A

I gavg=7k∗15.4u=108mA

2.驱动器驱动参数

●VLA500：

I gmax+为12A

I gmax−为-12A

I gavg为210mA

●HCLP316J

P o为400mW

I gmax+为2.5A

I gmax−为-2.5A

I gavg为20mA

3.驱动参数与IGBT参数比较

驱动参数需要大于IGBT门端参数，所以VLA500可以驱动 FZ1600R12KE3，而HCLP-316J 不行。