光电材料研究现状
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研究内容及主要指标： 1) 光电集成芯片技术 (1)速率在2.5Gb/s以上的长波长单片集成
光发射机芯片及模块关键技术(A类) (2) 高速 Si基单片集成光接收机芯片及模
块关键技术(A类) 2) 基于平面集成光波导技术的OADM芯片
及模块关键技术(A类) 3) 平面光波导器件的自动化耦合封装关键技
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2、人工晶体和全固态激光器技术
研究目标：研究探索新型人工晶体材料与应用技 术，突破人工晶体的产业化关键技术，研制大功率全 固态激光器，解决产业化关键技术问题。
研究内容及主要指标： 1) 新型深紫外非线性光学晶体材料和全固态激光 器(A类); 2) 面向光子/声子应用的人工微结构晶体材料与器 件 (A类); 3) 研究开发瓦级红、蓝全固态激光器产业化技术 (B类)，高损伤阈值光学镀膜关键技术(B类)，基于全 固态激光器的全色显示技术(A类); 4) 研究开发大功率半导体激光器阵列光纤耦合模 块产业化技术(B类); 5) Yb系列激光晶体技术(A类)。
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4、 光电子材料与器件产业化质量控制技术(A类)
研究目标：发展人工晶体与全固态激光器、 GaN基材料及器件表征评价技术，解决产业化 质量控制关键技术。
研究内容：重点研究人工晶体与全固态激 光器、GaN基材料及器件质量监测新方法与新 技术，相关产品测试条件与数据标准化研究。
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5、光电子材料与器件的微观结构设计与性能预 测研究(A类)
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3、新型半导体材料与光电子器件技术
研究目标：重点研究自组装半导体量子点、 ZnO晶体和低维量子结构、窄禁带氮化物等新 型半导体材料及光电子器件技术。
研究内容及主要指标： 1) 研究ZnO晶体、低维量子结构材料技术， 研制短波长光电子器件 (A类) 2) 自组装量子点激光器技术 (A类) 3) Ⅲ-Ⅴ族窄禁带氮化物材料及器件技术(A 类) 4) 光泵浦外腔式面发射半导体激光器(A类)
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3) 可协变(Compliant)衬底关键技术(A类) 4) 衬底材料制备与加工技术(B类) 重点研究开发外延用蓝宝石、GaN、SiC等 衬底材料的高标抛光产业化技术（Epi-ready 级）；大尺寸（>2"）蓝宝石衬底材料制备技术 和产业化关键技术。蓝宝石基GaN器件芯片切割 技术。 5) 用于平板显示的光电子基础材料与关键 设备技术(A类) 大面积(对角线>14″)的定向排列碳纳米管或 纳米棒薄膜生长的关键技术; 等离子体平板显示 用的新型高效荧光粉的关键技术。
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本项目分解为七个研究方向：
第三代宽禁带半导体外延材料生长和器件技术研究； 130lm/W半导体白光照明集成技术研究； 100lm/W功率型LED 制造技术开发； MOCVD装备核心技术及关键原材料产业化技术开发； 半导体照明重大应用技术开发； 半导体照明规模化系统集成技术研究； 半导体照明产业技术标准、评价体系与专利战略研究。 此次发布的课题申请指南经费预算为22000万元。
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Leabharlann Baidu
研究内容及主要指标： (1) 速率在10Gb/s以上的高速光探测器组
件(PIN-TIA) 目标产品和规模化生产技术，直 接调制DFB-LD目标产品和规模化生产技术， 光转发器(Transponder)目标产品和规模化生产 技术；(均为B类，要求企业负责并有配套投入)
(2) 40通道、0.8nm间隔EDFA动态增益均 衡关键技术(A类)；
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（二）通信用光电子材料、器件与集成技术
1、集成光电子芯片和模块技术
研究目标：突破并掌握用于光电集成 (OEIC)、光子集成(PIC)与微光电机械(MOEMS) 方面的材料和芯片的关键工艺技术，以典型器 件的研制带动研究开发工艺平台的建设和完善， 探索集成光电子系统设计和工艺制造协调发展 的途径，促进芯片、模块和组件的产业化。
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“十·五”863项目申请指南
（一）新型光电子材料及相关基础材料、关键设备和 特种光电子器件 1、光电子基础材料、生长源和关键设备 研究目标：突破新型生长源关键制备技术，掌握 相关的检测技术；突破半导体光电子器件的基础材料 制备技术，实现产业化。 研究内容及主要指标： 1) 高纯四氯化硅(4N)的纯化技术和规模化生产技 术(B类，要求企业负责并有配套投入) 2) 高纯(6N)三甲基铟规模化生产技术(B类，要求 企业负责并有配套投入)
研究目标：提出光电子新材料、新器件的 构思，为原始创新提供理论概念与设计
研究内容：针对光电子技术的发展需求， 结合本主题的研制任务，采用建立分析模型、 进行计算机模拟，在不同尺度（从原子、分子 到纳米、介观及宏观）范围内，阐明材料性能 与微观结构的关系，以利性能、结构及工艺的 优化。解释材料制备实验中的新现象和问题， 预测新结构、新性能，预报新效应，以利材料 研制的创新。低维量子结构材料新型表征评价 技术和设备。
术(B类) 4) 基于微光电机械(MOEMS)芯片技术的8′8
以上阵列光开关关键技术(A类) 5) 光电子芯片与集成系统(Integrated System)
的无生产线设计技术研究(A类)
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2、 通信光电子关键器件技术
研究目标：针对干线高速通信系统 和密集波分复用系统、全光网络以及光 接入网系统的需要，重点进行一批技术 含量高、市场前景广阔的目标产品和单 元技术的研究开发，迅速促进相应产品 系列的形成和规模化生产，显著提高我 国通信光电子关键器件产业的综合竞争 能力。
光电材料的研究现状与未来
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“十一·五”863项目重大项 目
“十一·五 ”国家高技术研究发展计划（863计划）新材料 技术领域重大项目“半导体照明工程”2006年度课题申请 指南
研究开发高效节能、长寿命的半导体照明产品是《国家中长期科 学和技术发展规划纲要（2006-2020年）》工业节能优先主题的重要内 容。“半导体照明工程”项目在“十一五”的战略目标是：通过自主 创新，突破白光照明部分核心专利，解决半导体照明市场急需的产业 化关键技术，建立完善的技术创新体系与特色产业集群，完善半导体 照明产业链，形成我国具有国际竞争力的半导体照明新兴产业。
研究内容及主要指标： 1) 光电集成芯片技术 (1)速率在2.5Gb/s以上的长波长单片集成
光发射机芯片及模块关键技术(A类) (2) 高速 Si基单片集成光接收机芯片及模
块关键技术(A类) 2) 基于平面集成光波导技术的OADM芯片
及模块关键技术(A类) 3) 平面光波导器件的自动化耦合封装关键技
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2、人工晶体和全固态激光器技术
研究目标：研究探索新型人工晶体材料与应用技 术，突破人工晶体的产业化关键技术，研制大功率全 固态激光器，解决产业化关键技术问题。
研究内容及主要指标： 1) 新型深紫外非线性光学晶体材料和全固态激光 器(A类); 2) 面向光子/声子应用的人工微结构晶体材料与器 件 (A类); 3) 研究开发瓦级红、蓝全固态激光器产业化技术 (B类)，高损伤阈值光学镀膜关键技术(B类)，基于全 固态激光器的全色显示技术(A类); 4) 研究开发大功率半导体激光器阵列光纤耦合模 块产业化技术(B类); 5) Yb系列激光晶体技术(A类)。
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4、 光电子材料与器件产业化质量控制技术(A类)
研究目标：发展人工晶体与全固态激光器、 GaN基材料及器件表征评价技术，解决产业化 质量控制关键技术。
研究内容：重点研究人工晶体与全固态激 光器、GaN基材料及器件质量监测新方法与新 技术，相关产品测试条件与数据标准化研究。
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5、光电子材料与器件的微观结构设计与性能预 测研究(A类)
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3、新型半导体材料与光电子器件技术
研究目标：重点研究自组装半导体量子点、 ZnO晶体和低维量子结构、窄禁带氮化物等新 型半导体材料及光电子器件技术。
研究内容及主要指标： 1) 研究ZnO晶体、低维量子结构材料技术， 研制短波长光电子器件 (A类) 2) 自组装量子点激光器技术 (A类) 3) Ⅲ-Ⅴ族窄禁带氮化物材料及器件技术(A 类) 4) 光泵浦外腔式面发射半导体激光器(A类)
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3) 可协变(Compliant)衬底关键技术(A类) 4) 衬底材料制备与加工技术(B类) 重点研究开发外延用蓝宝石、GaN、SiC等 衬底材料的高标抛光产业化技术（Epi-ready 级）；大尺寸（>2"）蓝宝石衬底材料制备技术 和产业化关键技术。蓝宝石基GaN器件芯片切割 技术。 5) 用于平板显示的光电子基础材料与关键 设备技术(A类) 大面积(对角线>14″)的定向排列碳纳米管或 纳米棒薄膜生长的关键技术; 等离子体平板显示 用的新型高效荧光粉的关键技术。
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本项目分解为七个研究方向：
第三代宽禁带半导体外延材料生长和器件技术研究； 130lm/W半导体白光照明集成技术研究； 100lm/W功率型LED 制造技术开发； MOCVD装备核心技术及关键原材料产业化技术开发； 半导体照明重大应用技术开发； 半导体照明规模化系统集成技术研究； 半导体照明产业技术标准、评价体系与专利战略研究。 此次发布的课题申请指南经费预算为22000万元。
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Leabharlann Baidu
研究内容及主要指标： (1) 速率在10Gb/s以上的高速光探测器组
件(PIN-TIA) 目标产品和规模化生产技术，直 接调制DFB-LD目标产品和规模化生产技术， 光转发器(Transponder)目标产品和规模化生产 技术；(均为B类，要求企业负责并有配套投入)
(2) 40通道、0.8nm间隔EDFA动态增益均 衡关键技术(A类)；
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（二）通信用光电子材料、器件与集成技术
1、集成光电子芯片和模块技术
研究目标：突破并掌握用于光电集成 (OEIC)、光子集成(PIC)与微光电机械(MOEMS) 方面的材料和芯片的关键工艺技术，以典型器 件的研制带动研究开发工艺平台的建设和完善， 探索集成光电子系统设计和工艺制造协调发展 的途径，促进芯片、模块和组件的产业化。
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“十·五”863项目申请指南
（一）新型光电子材料及相关基础材料、关键设备和 特种光电子器件 1、光电子基础材料、生长源和关键设备 研究目标：突破新型生长源关键制备技术，掌握 相关的检测技术；突破半导体光电子器件的基础材料 制备技术，实现产业化。 研究内容及主要指标： 1) 高纯四氯化硅(4N)的纯化技术和规模化生产技 术(B类，要求企业负责并有配套投入) 2) 高纯(6N)三甲基铟规模化生产技术(B类，要求 企业负责并有配套投入)
研究目标：提出光电子新材料、新器件的 构思，为原始创新提供理论概念与设计
研究内容：针对光电子技术的发展需求， 结合本主题的研制任务，采用建立分析模型、 进行计算机模拟，在不同尺度（从原子、分子 到纳米、介观及宏观）范围内，阐明材料性能 与微观结构的关系，以利性能、结构及工艺的 优化。解释材料制备实验中的新现象和问题， 预测新结构、新性能，预报新效应，以利材料 研制的创新。低维量子结构材料新型表征评价 技术和设备。
术(B类) 4) 基于微光电机械(MOEMS)芯片技术的8′8
以上阵列光开关关键技术(A类) 5) 光电子芯片与集成系统(Integrated System)
的无生产线设计技术研究(A类)
11
2、 通信光电子关键器件技术
研究目标：针对干线高速通信系统 和密集波分复用系统、全光网络以及光 接入网系统的需要，重点进行一批技术 含量高、市场前景广阔的目标产品和单 元技术的研究开发，迅速促进相应产品 系列的形成和规模化生产，显著提高我 国通信光电子关键器件产业的综合竞争 能力。
光电材料的研究现状与未来
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“十一·五”863项目重大项 目
“十一·五 ”国家高技术研究发展计划（863计划）新材料 技术领域重大项目“半导体照明工程”2006年度课题申请 指南
研究开发高效节能、长寿命的半导体照明产品是《国家中长期科 学和技术发展规划纲要（2006-2020年）》工业节能优先主题的重要内 容。“半导体照明工程”项目在“十一五”的战略目标是：通过自主 创新，突破白光照明部分核心专利，解决半导体照明市场急需的产业 化关键技术，建立完善的技术创新体系与特色产业集群，完善半导体 照明产业链，形成我国具有国际竞争力的半导体照明新兴产业。