武汉理工大学模电课件模电复习(1)解析

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2014
电子技术精品课程--模拟电子技术基础
一、 考核要求 重点考核模拟电路所涉及到的有关概念、基本分析、计算 方法。考核分三个层次要求: ◆掌握:要求学习者能够熟练运用的基本理论和基本分析方 法。 ◆理解:要求学习者能够明确认识的基本概念和基本理论。 ◆了解:定性知道的一些概念。 二、 试题题型 ◆客观题:主要涉及本课程的一些基本概念、特点、重要定 义、结论等。 ◆计算题:运用计算求解电路的指标参数的综合题。 ◆作图题:分析,画出电路图或波形图。 分析题:分析电路的结构、工作原理、功能。 ◆设计题:设计求解的综合题。
电子技术精品课程--模拟电子技术基础
N型半导体——掺入五价杂质元素(如磷)的半导体。自由电子 是多数载流子,它主要由杂质原子提供;空穴是 少数载流子, 由热激发产生。 P型半导体——掺入三价杂质元素(如硼)的半导体。空穴是多 数载流子,它主要由杂质提供;自由电子是少数 2014 载流子, 由热激发产生。
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•直流稳压电源:(结构、分析、经验关系式)变压、整流、滤波、稳压
电子技术精品课程--模拟电子技术基础
1 半导体基础知识
1、了解半导体的导电特性。 2、理解本征半导体(N型和P型)的特性, 理解杂质半导体(N型和P型)的特性, 3、正确理解和掌握PN结的单向导电性。
2014
电子技术精品课程--模拟电子技术基础
2014
电子技术精品课程--模拟电子技术基础
重点掌握:基本概念、基本电路、基本方 法 器件:二极管, BJT三极管,场效应三极管,理想运放
电路:
•基本放大电路:(静态、动态分析、计算,特点)共射(共源)、 共集(共漏)、共基(共栅);
•功率放大电路:(概念、典型计算)乙类/甲乙类双电源互补对称(OCL)、
总成绩=平时成绩20%+期末考试成绩60%+期中测验20% 平时成绩为作业、考勤、期中小考、网上习题或课后小电 路设计的考评成绩。 期末考试方法采用闭卷考试,参照课程组原制定的考试大 纲执行。期末考试内容由教学内容和教学学时决定,内容涵盖 所有教学内容,各教学内容所占分值多少,由教学学时决定, 教学学时较多的,考试时所占分值较高。 期末考试题型包含客观题、计算题、作图题、分析题、设 计题等。
iD/mA 1.0
0.5 iD=– IS 1.0 D/V
– 1.0
– 0.5
0
0.5
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电子技术精品课程--模拟电子技术基础
2 半导体基础知识及二极管
1、掌握普通二极管的理想模型、恒压降模型、特性和应 用,掌握波形绘制。
2、掌握稳压二极管的特性和应用,掌握波形绘制。
3、掌握发光二极管的特性wenku.baidu.com应用。
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2 半导体基础知识及二极管
二极管的特性:单向导电性
1. 理想模型 2. 恒压降模型
适用于 电源大
适用于电 源较小
vD=0.7V/0.2V
正偏导通vD=0; 反偏截止
稳压二极管(齐纳二极管) 稳压条件:工作于反向击穿区(即反偏电压模 值大于稳压管的Vz值),且 IZmin< IZ < IZmax
2 半导体基础知识及二极管
PN结--P型和N型半导体结合面离子薄层形成的空间电荷区。 其中由于缺少多子又称耗尽层;还称势垒区。 PN结的特性--单向导电性
正偏(P区电位高于N区电位)时,呈现低电阻,多子形成大 的正向扩散电流;
反偏(P区电位低于N区电位)时,呈现高电阻,少子形成很 小的反向漂移电流 (反向饱和电流)。
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电子技术精品课程--模拟电子技术基础
2 半导体基础知识及二极管
二极管/稳压管电路分析方法:
1)确定模型; 2)画出模型等效电路; 3)假设理想二极管(稳压管)断开,分析二极管/稳压管的阳极、 阴极端电位,判断偏置状态; • 二极管:V+>=V_,正偏导通;V+<V_,反偏截止。
• 稳压管:V+>=V_,正偏导通;V+<V_且反偏电压模值小于Vz,
甲乙类单电源互补功率(OTL) •差分放大电路:(概念、分析、计算)双入(单入)双出、双入(单入)单出;
•恒流源:(认识、作用)镜像、缓冲镜像、比例、微电流、多路
•反馈:(判断分类、特点、深度负反馈下近似计算) • 线性运算放大电路:(分析计算)比例、加、减、积分、微分 •有源滤波放大电路:(特点)低通、高通、带通、带阻 •电压比较器:(分析、计算、画图、应用)单限、滞回、窗口 •信号产生电路:(分析、计算、判断)RC正弦波振荡电路
反偏截止;V+<V_且反偏电压模值大于Vz,反向击穿,稳压。 4)根据要求具体求解;
二极管/稳压管的应用: 整流、限幅、稳压、开关电路、保护
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3 双极型三极管及其放大电路
1、掌握双极型三极管的输入和输出特性、电流分配关系, 理解双极型三极管的工作原理。 2、掌握放大的概念与本质,放大的条件。 3、熟练掌握四种典型三极管放大电路静态工作点的估算方 法和用简化的h参数等效电路分析放大电路的电压放大倍数Av、 输入电阻Ri、输出电阻Ro的方法,掌握rbe的近似估算公式。 4、正确理解利用图解法分析放大电路的静态工作点和动态 工作波形绘制情况。 5、正确理解温度变化对三极管参数的影响,掌握射极偏置 电路工作点稳定的工作原理。 6、掌握多级放大电路的工作原理、特点和电压放大倍数的 计算方法。一般了解各种耦合方式(直接耦合、阻容耦合、变压 器耦合)的特点。 7、理解和掌握频率响应的概念,了解含有一个时间常数的 单管共射放大电路频率响应。 8、正确理解上限频率fH、下限频率fL、通频带BW、频率失 2014 电子技术精品课程 --模拟电子技术基础 真、波特图的意义和掌握波特图的画法。。
2 半导体基础知识及二极管
本征半导体—化学成分纯净的、结构完整的半导体晶体 (硅、锗) 。 电子空穴对——由热激发而产生的自由电子和空穴对。 本征半导体中电子空穴数量相等,室温下数量少
自由运动的带电粒子
半导体中有2种载流子--电子和空穴,空穴可视为带正电的 离子,所带电量与电子相等,符号相反;空穴的移 动方向与电子的相反,表示了电流的方向 杂质半导体————掺入杂质的本征半导体
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