发射组件TOSA常用参数及测试方法
光通信模块、组件TOSA_ROSA公司内部培训资料
光组件的结构
v TOSA、ROSA光组件产品示意图:
TOSA插拔式
ROSA插拔式
TOSA带尾纤
ROSA带尾纤
光组件的结构
v BOSA光组件产品示意图:
LC BOSA插拔式
SC BOSA插拔式
BOSA带尾纤
光组件的结构
v Triplex OSA光组件产品示意图:
Tri-OSA
光组件的结构
v 插拔式单纤双向光组件爆炸图:
光组件的物料介绍
v 45度滤光片Filter:T13-R14-R15-45D
光组件的物料介绍
v 0度滤光片Filter: R13-T14-R15-0D
光组件的物料介绍
v 光隔离器Isolator
光组件的物料介绍
v 适配器Receptacle
光组件的物料介绍
v 尾纤Pigtail
v 各种连接头
工艺流程
v PIN-TIA耦合:接收端光路对准,耦合完后一般使用紫外胶 预估定; v 点胶固定:对接收端进行固定; v 高低温冲击:检测焊接和接收端的可靠性; v 测试:性能测试,有LIV测试(检测发射端性能)、光谱测 试、回损测试、接收端灵敏度测试和高低温性能测试等; v 包装:出货前包装,以便于运输和储存; v 入库检验:由品质部对产品进行外观和性能抽检。
工艺流程
材料准备 组装 发射耦合/点焊 返点
点胶固定
PIN-TIA耦合
焊点检查
高低温冲击
测试
包装
入库检查
BOSA的基本工艺流程
入库
工艺流程
v 物料准备:金属件需要超声清洗; v 组装:波片组装,receptacle 组装,LD组装,插芯组装 等; v 发射耦合/点焊:耦合就是发射光路对准,点焊就是利用激光 焊接机对相接的2个金属件进行焊接; v 返点:点焊之时,会对相接的2个金属件造成相对位移,这 大多是由于点焊时激光会有一个冲击力作用于焊接点上所造 成的,因此需要在相对位置进行返点,把相对的位移返点回 来; v 焊点检查:焊点的质量会影响到产品的外观及可靠性,因此 必须检查;
TOSA基本结构与工艺原理
TOSA基本结构与工艺原理TOSA(Transmitter Optical Sub-Assembly)是一种光发射器件,它通常用于光纤通信中的光发送功能。
TOSA的基本结构主要包括激光器、调制器、光学耦合器和连接器等关键组件。
下面将详细介绍TOSA的基本结构与工艺原理。
1.激光器激光器是TOSA的核心组件,它能够将直流电信号转换为光信号。
常用的激光器类型有半导体激光器和纤维激光器。
在TOSA中,半导体激光器是最常用的光源,它由P-N结构的半导体材料构成,通过外加电压激发电子和空穴重新组合,产生光子。
激光器通常需要进行温度控制,以确保其稳定性和性能。
2.调制器调制器是用于将电信号转换为光信号的关键部件。
珠宝可以分为直接调制器和外调制器两种类型。
直接调制器直接在光源中修改光的属性,而外调制器通过在光源前添加电光调制器来控制光的强度或相位。
在TOSA 中,调制器通常使用直接调制器,它的工作原理是通过改变电压来改变光的强度,实现光信号的调制。
3.光学耦合器光学耦合器用于将激光器产生的光束耦合到光纤中,以实现光信号的传输。
光学耦合器通常由透镜、波导和光纤连接器等构成。
在TOSA中,透镜用于聚焦光束,波导用于将光束引导到光纤中,光纤连接器则用于将光纤与TOSA的光学系统连接。
4.连接器连接器用于将TOSA与其他光纤通信设备相连,以实现光信号的传输。
常用的连接器类型有SC、FC和LC等。
连接器通常由金属套筒和陶瓷套管等构成,通过精确的机械对位和光学连接来保证光信号的传输质量。
TOSA的制造工艺原理主要包括光学元件制备、精确对位和器件封装等步骤。
1.光学元件制备在TOSA制造过程中,需要制备激光器、调制器、透镜和波导等光学元件。
制备光学元件通常涉及材料选择、器件设计和工艺参数的优化等方面。
材料选择过程中,需要考虑元件的特性需求和制造成本等因素。
器件设计过程中,需要根据具体要求确定器件的尺寸、结构和参数等。
工艺参数的优化涉及到制备过程中的温度、压力和时间等因素,以确保元件的成形和性能。
发射组件TOSA常用参数及测试方法
发射组件TOSA常用参数发射组件TOSA内部原理图LD-PD+保护二极管LD+PD-常用参数1 正向电压V F指激光器工作在一定前向驱动电流的条件下(一般为Ith+20mA)对应的正向电压值包括激光器的带隙电压V BG及等效串联电阻的压降I*R L。
下图为。
在高速应用条件下,激光器的寄生电感一般也要考虑。
图1 激光器的简化等效电路WTD的LD一般为~V F参数对光模块的影响:激光器高速率低电压直流耦合驱动产生的电压净空问题图2 激光器的DC耦合驱动电路OUT-及OUT+回路轮流导通,当OUT+灌入调制电流时:V LOW=V CC-V F-V L-I MOD*R D其中V CC为电源电压, 这里为I MOD为调制电流,设为60mAV L为激光器寄生电感(一般为1~2nH)引起的交变电流的压降,可近似计算为V L=H*ΔI/Δt , 若在s条件下工作,上升沿时间20%~80%为80ps ,则得出V L为若R D=20Ω,I MOD*R D=显然这时V LOW 很小,而事实上驱动器的输出级工作在放大状态,V LOW一般大于,所以在这种情况下发射眼图上升沿时间变缓,眼开度降低2 阈值电流(Ith)指激光器由自发辐射转换到受激辐射状态时的正向电流值,它与激光器的材料和结构相关。
对于LD而言,Ith越小越好一般在25℃时VCSEL-LD ,Ith=1~2mAFP-LD,Ith=5~10mADFB-LD,Ith=5~20mAIth随温度的升高而增加,关系式为Ith=I0 e T/T0 I0为25℃时的阈值电流,T0为特征温度,表示激光器对温度敏感的程度对于WTD的长波长激光器,T0为50~80K Ith参数对光模块的影响:图3 激光器的P-I曲线目前模块较多的采用DC耦合方式,偏置电流IBAIS约等于Ith,随着温度的升高,模块的APC电路将自动增加IBAIS,补偿Ith的变化。
由于模块驱动芯片一般能够提供60mA的IBAIS,所以通常情况下外购或自制激光器的Ith指标能够达到模块使用要求。
发射组件TOSA常用全参数及测试方法
发射组件TOSA常用全参数及测试方法TOSA的常用全参数包括功率、中心波长、光谱宽度、调制带宽等。
1.功率参数:TOSA的输出功率是衡量其性能的重要指标之一、常用于描述输出功率的参数有平均功率和峰值功率。
平均功率是指在所测试的时间段内,TOSA输出功率的平均值。
峰值功率是指TOSA输出功率的最大值。
2.中心波长:TOSA的中心波长是指光信号的主导波长。
中心波长的选择与光纤的传输特性以及光接收器的工作波长相关。
3.光谱宽度:TOSA的光谱宽度是指光信号所占据的频带宽度。
通常使用3dB带宽来表示光谱宽度,即当光信号的功率降低到峰值功率的一半时对应的频率范围。
4.调制带宽:TOSA的调制带宽是指其能够支持的最高调制速率。
调制带宽决定了TOSA的响应速度和传输容量。
测试方法方面,对TOSA的全参数进行测试主要有以下几种方法:1.功率测试:使用光功率计来测量TOSA的输出功率。
测试时需要将光功率计的接收头与TOSA的输出端相连,并记录输出功率的数值。
2.中心波长测试:使用光谱仪来测量TOSA的发射波长。
将TOSA的输出光信号输入到光谱仪中,光谱仪会将光信号的频谱分解,并可以得到发射波长的准确数值。
3.光谱宽度测试:同样使用光谱仪来测量TOSA的光谱宽度。
通过光谱仪的分析,可以得到信号的频带宽度。
4.调制带宽测试:调制带宽的测试需要配备高速采样仪或者示波器。
将TOSA的输出信号输入到高速采样仪或示波器中,然后通过对输出信号进行人工或软件分析,就可以获得调制带宽的数值。
在测试TOSA全参数时,需要注意测试仪器的精度和灵敏度,以确保测试结果的准确性。
同时,测试过程中需要注意避免光纤连接的影响,保证光信号传输的稳定性。
以上是对发射组件TOSA常用全参数及测试方法的介绍。
通过对TOSA 进行全参数测试,可以评估其性能是否符合要求,并为光通信系统的设计和优化提供有价值的参考。
TOSAROSA基本知识
TOSA ROSA基本认识什么是TO SATOSA是一种光发射器件,其功能是把电信号转换为光信号半导体激光器LD分类•半导体激光器1>法布里■珀罗型激光器F-P LD2、分布反馈激光器DFB LD3、分布B「agg反射型激光器DBR LD4、量子阱激光器QWLD5、垂直腔面发射激光器VCSEL半导体激光器LD•:•激光器被视为20世纪的三大发明(还有半导体和原子能)之一,特别是半导体激光器LD倍受重视。
❖光纤通信中最常用的光源是半导体激光器LD 和发光二极管LEDo♦主要差别:住发光二极管输出非相干光;住半导体激光器输出相干光。
发光二极管LED•:•对于光纤通信系统,如果使用多模光纤且信息比特率在100〜200Mb/s以下,同时只要求几十微瓦的输入光功率,那么LED是可选用的最佳光源。
•比起半导体激光器,因为LED不需要热稳定和光稳定电路,所以LED的驱动电路相对简单,另外其制作成本低、产量高。
发光二极管LED•LED的主要工作原理对应光的自发发射过程, 因而是一种非相干光源。
•LED发射光的谱线较宽、方向性较差,本身的响应速度又较慢,所以只适用于速率较低的通信系统。
•:•在高速、大容量的光纤通信系统中主要采用半导体激光器作光源。
半导体激光器LD❖半导体激光器的优点:尺寸小,耦合效率高,响应速度快,波长和尺寸与光纤尺寸适配,可直接调制,相干性好。
❖按结构分类:F-P LD、DFB LD、DBR LD、QW LD、VCSEL❖按性能分类:低阈值LD、超高速LD、动态单模LD、大功率LD❖按波长分类:光接收管芯可分为:850nm和"00T650nm通用;激光器管芯可分为:850nm, 1310nm,1490nm, 1550nm以及CWDM管芯;半导体激光器的工作特性♦激光器件的绝对最大额定值:住光输出功率(P。
和Pf):从一个未损伤器件可辐射出的最大连续光输出功率。
P。
是从器件端面输出的光功率,Pf是从带有尾纤器件输出的光功率。
发射组件TOSA常用参数及测试方法
发射组件TOSA常用参数发射组件TOSA内部原理图LD-PD+保护二极管LD+PD-常用参数1 正向电压V F指激光器工作在一定前向驱动电流的条件下(一般为Ith+20mA)对应的正向电压值包括激光器的带隙电压V BG及等效串联电阻的压降I*R L。
下图为。
在高速应用条件下,激光器的寄生电感一般也要考虑。
图1 激光器的简化等效电路WTD的LD一般为1.2 ~ 1.6VV F参数对光模块的影响:激光器高速率低电压直流耦合驱动产生的电压净空问题图2 激光器的DC耦合驱动电路OUT-及OUT+回路轮流导通,当OUT+灌入调制电流时:V LOW=V CC-V F-V L-I MOD*R D其中V CC为电源电压, 这里为3.3VI MOD为调制电流,设为60mAV L为激光器寄生电感(一般为1~2nH)引起的交变电流的压降,可近似计算为V L=H*ΔI/Δt , 若在2.5Gb/s条件下工作,上升沿时间20%~80%为80ps ,则得出V L为0.7V若R D=20Ω,I MOD*R D=1.2V显然这时V LOW 很小,而事实上驱动器的输出级工作在放大状态,V LOW一般大于0.7V,所以在这种情况下发射眼图上升沿时间变缓,眼开度降低2 阈值电流(Ith)指激光器由自发辐射转换到受激辐射状态时的正向电流值,它与激光器的材料和结构相关。
对于LD而言,Ith越小越好一般在25℃时VCSEL-LD ,Ith=1~2mAFP-LD,Ith=5~10mADFB-LD,Ith=5~20mAIth随温度的升高而增加,关系式为Ith=I0 e T/T0 I0为25℃时的阈值电流,T0为特征温度,表示激光器对温度敏感的程度对于WTD的长波长激光器,T0为50~80KIth参数对光模块的影响:图3 激光器的P-I曲线目前模块较多的采用DC耦合方式,偏置电流IBAIS约等于Ith,随着温度的升高,模块的APC电路将自动增加IBAIS,补偿Ith的变化。
发射组件TOSA常用参数及测试方法
发射组件TOSA常用参数发射组件TOSA内部原理图LD-PD+保护二极管LD+PD-常用参数1 正向电压V F指激光器工作在一定前向驱动电流的条件下(一般为Ith+20mA)对应的正向电压值包括激光器的带隙电压V BG及等效串联电阻的压降I*R L。
下图为。
在高速应用条件下,激光器的寄生电感一般也要考虑。
图1 激光器的简化等效电路WTD的LD一般为1.2 ~ 1.6VV F参数对光模块的影响:激光器高速率低电压直流耦合驱动产生的电压净空问题图2 激光器的DC耦合驱动电路OUT-及OUT+回路轮流导通,当OUT+灌入调制电流时:V LOW=V CC-V F-V L-I MOD*R D其中V CC为电源电压, 这里为3.3VI MOD为调制电流,设为60mAV L为激光器寄生电感(一般为1~2nH)引起的交变电流的压降,可近似计算为V L=H*ΔI/Δt , 若在2.5Gb/s条件下工作,上升沿时间20%~80%为80ps ,则得出V L为0.7V若R D=20Ω,I MOD*R D=1.2V显然这时V LOW 很小,而事实上驱动器的输出级工作在放大状态,V LOW一般大于0.7V,所以在这种情况下发射眼图上升沿时间变缓,眼开度降低2 阈值电流(Ith)指激光器由自发辐射转换到受激辐射状态时的正向电流值,它与激光器的材料和结构相关。
对于LD而言,Ith越小越好一般在25℃时VCSEL-LD ,Ith=1~2mAFP-LD,Ith=5~10mADFB-LD,Ith=5~20mAIth随温度的升高而增加,关系式为Ith=I0 e T/T0 I0为25℃时的阈值电流,T0为特征温度,表示激光器对温度敏感的程度对于WTD的长波长激光器,T0为50~80KIth参数对光模块的影响:图3 激光器的P-I曲线目前模块较多的采用DC耦合方式,偏置电流IBAIS约等于Ith,随着温度的升高,模块的APC电路将自动增加IBAIS,补偿Ith的变化。
发射组件TOSA常用参数及测试方法
发射组件TOSA常用参数发射组件TOSA内部原理图LD-PD+保护二极管LD+PD-常用参数1 正向电压V F指激光器工作在一定前向驱动电流的条件下(一般为Ith+20mA)对应的正向电压值包括激光器的带隙电压V BG及等效串联电阻的压降I*R L。
下图为。
在高速应用条件下,激光器的寄生电感一般也要考虑。
图1 激光器的简化等效电路WTD的LD一般为1、2 ~ 1、6VV F参数对光模块的影响:激光器高速率低电压直流耦合驱动产生的电压净空问题图2 激光器的DC耦合驱动电路OUT-及OUT+回路轮流导通,当OUT+灌入调制电流时:V LOW=V CC-V F-V L-I MOD*R D其中V CC为电源电压, 这里为3、3VI MOD为调制电流,设为60mAV L为激光器寄生电感(一般为1~2nH)引起的交变电流的压降,可近似计算为V L=H*ΔI/Δt , 若在2、5Gb/s条件下工作,上升沿时间20%~80%为80ps ,则得出V L为0、7V若R D=20Ω,I MOD*R D=1、2V显然这时V LOW 很小,而事实上驱动器的输出级工作在放大状态,V LOW一般大于0、7V,所以在这种情况下发射眼图上升沿时间变缓,眼开度降低2 阈值电流(Ith)指激光器由自发辐射转换到受激辐射状态时的正向电流值,它与激光器的材料与结构相关。
对于LD而言,Ith越小越好一般在25℃时VCSEL-LD ,Ith=1~2mAFP-LD, Ith=5~10mADFB-LD, Ith=5~20mAIth随温度的升高而增加,关系式为Ith=I0 e T/T0 I0为25℃时的阈值电流,T0为特征温度,表示激光器对温度敏感的程度对于WTD的长波长激光器,T0为50~80KIth参数对光模块的影响:图3 激光器的P-I曲线目前模块较多的采用DC耦合方式,偏置电流IBAIS约等于Ith,随着温度的升高,模块的APC电路将自动增加IBAIS,补偿Ith的变化。
发射组件TOSA常用全参数及测试方法
发射组件TOSA常用全参数及测试方法发射组件TOSA(Transmitter Optical Subassembly)是光纤通信中的重要组件之一,负责将电信号转换为光信号并通过光纤进行传输。
它通常由激光二极管、调制器和凸透镜等部分组成。
为了确保TOSA的性能和稳定性,需要进行一系列的全参数测试。
一、光电性能测试1.光功率测试:通过光功率计测量TOSA输出端的光功率,包括平均功率、峰值功率和脉冲宽度等参数。
2.光谱测试:使用光谱分析仪来测量TOSA的光频谱分布,以保证工作频率的准确性和稳定性。
3.光平衡测试:通过光功率计在不同波长下测试TOSA输出端的光平衡度,以衡量不同通道间的光功率分布差异。
二、电性能测试1.驱动电流测试:测量TOSA所需的工作电流范围,以保证其在合适的电流下工作。
2.驱动电压测试:检测TOSA所需的工作电压范围,以确保驱动电压的稳定性和适应性。
3.工作温度测试:通过恒温槽等设备测试TOSA在不同温度下的性能,以评估其在不同环境条件下的工作可靠性。
三、可靠性测试1.发射功率漂移测试:将TOSA在一定时间内进行工作,并测量其输出功率的变化,以评估其长期稳定性。
2.垂直耐振动测试:通过振动台等设备对TOSA进行垂直方向的振动测试,以评估其对振动环境的抗扰能力。
3.工作寿命测试:将TOSA在预定条件下进行长时间工作,以评估其在一定寿命内的性能和可靠性。
四、相关认证测试1.符合标准测试:TOSA需要符合特定的标准要求,如ITU-TG.957等,需要进行相应的测试以确保其符合规定的工作要求。
2.兼容性测试:将TOSA与其他光模块、光器件等进行配对测试,评估其在真实应用环境中的兼容性和互操作性。
总结起来,TOSA的全参数测试主要包括光电性能测试、电性能测试、可靠性测试和相关认证测试。
通过这些测试,可以确保TOSA的输出功率、工作稳定性、可靠性和兼容性等性能指标满足要求,为光纤通信系统的正常运行提供保障。
发射组件TOSA常用全参数及测试方法
发射组件TOSA 常用参数发射组件TOSA 内部原理图LD+PD-LD-PD+保护二极管常用参数 1 正向电压V F指激光器工作在一定前向驱动电流的条件下(一般为Ith+20mA )对应的正向电压值 包括激光器的带隙电压V BG 及等效串联电阻的压降I*R L 。
下图为。
在高速应用条件下,激光器的寄生电感一般也要考虑。
图1 激光器的简化等效电路WTD 的LD 一般为1.2 ~ 1.6VV F 参数对光模块的影响:激光器高速率低电压直流耦合驱动产生的电压净空问题图2 激光器的DC耦合驱动电路OUT-及OUT+回路轮流导通,当OUT+灌入调制电流时:V LOW=V CC-V F-V L-I MOD*R D其中V CC为电源电压, 这里为3.3VI MOD为调制电流,设为60mAV L为激光器寄生电感(一般为1~2nH)引起的交变电流的压降,可近似计算为V L=H*ΔI/Δt , 若在2.5Gb/s条件下工作,上升沿时间20%~80%为80ps ,则得出V L为0.7V若R D=20Ω,I MOD*R D=1.2V显然这时V LOW 很小,而事实上驱动器的输出级工作在放大状态,V LOW一般大于0.7V,所以在这种情况下发射眼图上升沿时间变缓,眼开度降低2 阈值电流(Ith)指激光器由自发辐射转换到受激辐射状态时的正向电流值,它与激光器的材料和结构相关。
对于LD而言,Ith越小越好一般在25℃时VCSEL-LD ,Ith=1~2mAFP-LD,Ith=5~10mADFB-LD,Ith=5~20mAIth随温度的升高而增加,关系式为Ith=I0 e T/T0 I0为25℃时的阈值电流,T0为特征温度,表示激光器对温度敏感的程度对于WTD的长波长激光器,T0为50~80KIth参数对光模块的影响:图3 激光器的P-I曲线目前模块较多的采用DC耦合方式,偏置电流IBAIS约等于Ith,随着温度的升高,模块的APC电路将自动增加IBAIS,补偿Ith的变化。
TOSA_ROSA知识简介
OSA工艺
插芯APC角度,3D尺寸
插芯与TO耦合端一般为APC面,与跳线耦合端为PC面: APC 角度(APC Angle),APC的角度一般为8度 。 PC是Physical Contact的缩写,表明其对接端面是物理接触,即端面呈 凸面拱型球面结构。
OSA工艺
ROSA封装结构
主要有塑封结构和金属结构
OSA工艺
TOSA封装结构
基本构件: LD TO-Can; 封焊管体(Housing); 陶瓷插芯(Fiber Stub); 陶瓷套筒(Sleeve); 适配器(Receptacle) ;
调节环(Ring);
插针组件(Receptacle); 问题二: 如图是什么产品结构图? 与我司常规TOSA产品有哪些差异性?
BOSA制作工艺
BOSA为单纤双向,同时有发射(TOSA)和接收(ROSA) ,除了相关的工 艺外,还需注意以下问题: 管体封焊:LD TO封焊时,需要注意管脚与封焊管体的相 对位置。 粘贴膜片:膜片粘在激光器管体上面(0度膜片也有粘在 探测器管体里),注意膜片方向和胶水用量及位置。 方形外套焊接:一般管体与方形外套来料时是一一搭配好 的,因此一般要求焊接方形外套时,与出厂时一致。 激光器耦合焊接: 探测器耦合焊接/胶粘: 贴标签,测试,温循:
TO工艺
PD-TO封装结构
PD管芯:光信号转换为电信号; 陶瓷片:载体; TIA: Transimpedance Amplifier 跨阻放大器: PD生成的光电流输入到TIA,TIA将电流放大后转换 成电压信号,再经差分放大器实现双路输出。 电容:滤波作用,过滤噪声信号。 TO帽子:高帽、矮帽、平窗帽、光面、毛面、镀膜。
TOSA: Transmitting Optical Sub-Assembly, 光发射组件 ROSA: Receiving Optical Sub-Assembly, 光接收组件 BOSA: Bi-Directional Optical Sub-Assembly, 光发射接收组件 LD: Laser Diode, 激光二极管 PD: Photo-Diode, 光电二极管 FP: Fabry-Perot, 法布里-珀罗激光二极管 DFB: Distributed Feedback Laser, 分布反馈式激光二极管 VCSEL: Vertical Cavity Surface Emitting Laser, 垂直腔面发射激光器 PIN: Positive Intrinsic Negative, 同质PN结光电二极管 APD: Avalanche Photo-Diode, 雪崩光电二极管 TIA: Transimpedance Amplifier, 跨阻放大器 TO-can: A kind of package method for active component OLT: Optical Line Termination光线路终端 ONU: Optical Network Unit光网络单元 SDH: Synchronous Digital Hierarchy, 同步数字体系 SONET: Synchronous Optical Network, 光同步网络 GBE: Gigabit Ethernet, 千兆以太网
SFP,TOSA,BOSA,光纤,Rosa,光模块,GB_Link光通信模块基础培训教材
常规光纤损耗随波长变化曲线图
损
耗
dB/km5
多
4
模
光
3
纤
(
2
1
O波段 E波段 S C L U OH-
850~900nm
) 900
波长不同,损耗不同
1200 1300 1400 1500 1600
1380nm附近由于氢氧根粒子吸收,光纤损耗急剧加大,俗称水峰
ITU-T将单模光纤在1260nm以上的频带划分了O、E、S、C、L、U几个波段
TOSA 生产工艺流程
领料
金属件清洗 组装
压配
耦合
端面清洗
功率调整
初测
温循
激光打标
终测
目检焊点 外观目检
每款TOSA的生产至少需要15道工 序,1000pcs/3天,其中温循工序占用16小时.
激光焊接 品检 入库
BOSA 生产工艺流程
领料
端面清洗 接收耦合 终测发射
金属件清洗 组装
功率调整 接收初测
色散:G.653的零色散波长在1550nm附近,在 1525-1575nm范围内,最大色散系数是
3.5ps/nm-km,在1550nm窗口,特别是在
C_band,色散位移光纤的色散系数太小或可能
为零;
非零色散位移光纤
SDH/DWDM系 衰减:1310nm波段:ITU-T无规定。1550nm波
(NZDSF),将色散零点 统均可,但更适 段:<0.35dB/km,目前一般在0.19-0.25dB/km。
G.655
的位置从1550nm附近移开 合DWDM系统的 色散:当1530nm <λ< 1565nn,0.1ps/nm-km <
TOSAROSA基本知识
TOSA测试性能
TOSA主要性能参数 1.阈值电流Ith;激光二极管开始振荡的正向电流 2.工作电流Iop和工作电压Vop; 3.斜效率η;输出激光光功率的改变量与泵浦激光光功率改变量的比
值 4.峰值波长λ;光谱辐射功率最大的值所对应的波长 5.谱宽△;峰值发射波长的辐射功率的1/2所对应两波长的间隔 6.监视电流Im;是指在规定的LD输出功率时,在给定的光电二极管
PIN-TIA分类
按结构分: 1、PIN 2、PINTAI 3、APD 4、APDTIA
PIN-TIA 封装结构剖面图
1、管座(Header) 2、跨阻放大器(TIA) 3、载体(Submount) 4、光电二极管(PD) 5、电容 6、管帽(Cap) 7、球面透镜
PIN-TIA 封装结构剖面图
境; 3、耐热性好,化学性能稳定,抗温度循环冲
击; 4、可焊性好,工艺性好,有拉力强度; 5、符合标准,系列化,成本低适合批量生产;
SC-TOSA
SC-TOSA
1、SC金属组件装配所需物料:
开口陶瓷套筒
金属件 插芯
SC-TOSA
SC-LD金属组件:
SC-TOSA
SC-TOSA所需物料:
过渡环 SC-LD金属组件:
比起半导体激光器,因为LED不需要热稳定 和光稳定电路,所以LED的驱动电路相对简 单,另外其制作成本低、产量高。
发光二极管LED
LED的主要工作原理对应光的自发发射过程, 因而是一种非相干光源。
LED发射光的谱线较宽、方向性较差,本身 的响应速度又较慢,所以只适用于速率较低 的通信系统。
在高速、大容量的光纤通信系统中主要采用 半导体激光器作光源。
ROSA 耦合测试原理
反向电压时的光电二极管的光电流 7.输出功率Po;在阀值电流以上所加正向电流达到规定的调制电流
850nm VCSEL-TOSA及其在高速通信中的应用
850nm VCSEL-TOSA及其在高速通信中的应用丁国庆;孟海杰;胡长飞【摘要】高速、大数据容量传输和处理是光通信中的热点.10 Gbit/s 850 nm VCSEL-TOSA(垂直腔面发射激光器—传输光组件)是以太网和大数据处理中心所用的高速、短波长关键组件.文章介绍了实用化组件结构、芯片特点、技术指标及相关标准;报道了10 Gbit/s 850 nm VCSEL管芯高温加速寿命试验条件和结果;讨论了组件结构、工艺和环境温度变化对其性能的影响,指出了10 Gbit/s 850 nm VCSEL-TOSA在短途以太网和大数据收发、处理中心中的应用.【期刊名称】《光通信研究》【年(卷),期】2013(000)004【总页数】4页(P49-52)【关键词】大数据;850 nm垂直腔面发射激光器—传输光组件;实用化;可靠性;高温加速寿命试验【作者】丁国庆;孟海杰;胡长飞【作者单位】武汉华工正源光子技术有限公司,湖北武汉430223;武汉华工正源光子技术有限公司,湖北武汉430223;武汉华工正源光子技术有限公司,湖北武汉430223【正文语种】中文【中图分类】TN2530 引言随着视频和高速数据业务的不断发展,大数据容量传输、存储和处理的时代即将到来。
所谓大数据,是指无法在容许的时间内用常规软件工具对其内容进行抓取、管理和处理的数据集合,且大数据规模是不断变化的。
当前这种单一数据集的大小在几十TB和数PB之间。
现在有越来越多的网络终端,其收发数据的存储与管理不在终端完成,而是转移到数据中心去完成。
以云计算为标志的数据中心将是今后发展的重点之一。
对于短途、高速光网络(又称高速光以太网),国际上2010年6月正式发布了40 G/100 G以太网标准——IEEE 802.3ba[1],这里说的40 G/100 G, 不是单信道40 Gbit/s或100 Gbit/s,而是4个并行的10 Gbit/s 或10个并行的10 Gbit/s (或4个25 Gbit/s)。
tosa生产工艺流程
tosa生产工艺流程TOSA(Transmitter Optical Sub-Assembly)是一种用于光通信中的光发射器组件,通常用于产生高速光脉冲信号。
它由激光二极管、调制器、光分束器、孔径耦合器等组成。
下面是TOSA的生产工艺流程。
第一步:芯片制备TOSA制作的第一步是芯片制备。
通常采用III-V族化合物半导体材料,如GaAs(砷化镓)或InP(磷化铟)。
这些材料具有较好的光电特性,能够产生高质量的激光器。
芯片制备主要包括表面制备、外延生长、光刻、沉积、刻蚀和导线形成等步骤。
第二步:芯片测试芯片制备完成后,需要进行各种测试以确保其质量。
这些测试包括光电特性测试(如电流-电压特性、光功率-电流特性、光谱特性等)和产量测试(如寿命测试和可靠性测试等)。
通过这些测试,可以筛选出较好的芯片用于下一步的封装工艺。
第三步:芯片封装TOSA的芯片制备完成后,需要进行封装工艺。
封装工艺主要包括芯片粘接、封装盒选型、封装盒粘接、纤维对准和波导耦合等步骤。
其中,纤维对准和波导耦合是非常关键的步骤,它决定了TOSA的光输出效果。
第四步:封装测试封装完成后,需要对TOSA进行各项测试。
这些测试包括光功率测试、光谱测试、波长调节测试和光学性能测试等。
通过这些测试,可以判断TOSA的质量是否达到要求。
第五步:组装和测试TOSA的组装包括焊接、装配和测试等步骤。
焊接主要是焊接TOSA与其他光通信器件(如接收器、调制器等)的连接,确保其正常工作。
装配是将TOSA和其他组件组装成最终的产品。
装配完成后,需要进行各种测试来评估TOSA的性能。
这些测试包括电学测试、光学测试和环境测试等。
第六步:质量控制质量控制是整个生产工艺流程中非常重要的一步,它确保TOSA的质量符合要求。
质量控制主要包括原材料的采购和检验、生产过程的监控和控制、成品的测试和检验、不良品的处理等。
通过质量控制,可以减少不良品的产生,提高产品的合格率。
总结:TOSA的生产工艺流程主要包括芯片制备、芯片测试、芯片封装、封装测试、组装和测试以及质量控制等步骤。
tosa的指标
tosa的指标(原创实用版)目录1.TOSA 的定义和背景2.TOSA 的指标体系3.TOSA 指标的具体内容4.TOSA 指标的应用和意义正文1.TOSA 的定义和背景TOSA(Technology of Surface Activation,表面活性技术)是一种用于提高材料表面活性的技术,主要通过表面修饰、改性和调控等手段,赋予材料表面新的功能和性能。
在材料科学、化学、生物学等领域具有广泛的应用。
2.TOSA 的指标体系TOSA 的指标体系主要包括以下几个方面:(1)表面形貌:包括表面粗糙度、表面形貌参数等,用于描述材料表面的微观结构特征。
(2)表面化学:包括表面元素组成、表面官能团、表面电荷等,用于描述材料表面的化学组成和性质。
(3)表面功能:包括表面亲水性、表面疏水性、表面黏附性等,用于描述材料表面的功能性能。
(4)表面生物活性:包括表面细胞毒性、表面抗菌性、表面生物相容性等,用于描述材料表面在生物环境中的性能。
3.TOSA 指标的具体内容(1)表面形貌指标:表面粗糙度、表面形貌参数等可以通过原子力显微镜(AFM)、扫描电子显微镜(SEM)等表征手段进行检测。
(2)表面化学指标:表面元素组成可以通过 X 射线光电子能谱(XPS)等手段进行检测;表面官能团可以通过红外光谱(IR)等手段进行检测;表面电荷可以通过库仑力显微镜(CFM)等手段进行检测。
(3)表面功能指标:表面亲水性可以通过接触角测量仪进行检测;表面疏水性可以通过水滴角测量仪进行检测;表面黏附性可以通过拉伸测试、剥离测试等手段进行检测。
(4)表面生物活性指标:表面细胞毒性可以通过细胞毒性实验进行检测;表面抗菌性可以通过抗菌实验进行检测;表面生物相容性可以通过生物相容性实验进行检测。
4.TOSA 指标的应用和意义TOSA 指标的应用主要体现在以下几个方面:(1)优化材料表面性能:通过调控 TOSA 指标,可以实现对材料表面性能的优化,提高其在实际应用中的效果。
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发射组件T O S A常用参数及测试方法内部编号:(YUUT-TBBY-MMUT-URRUY-UOOY-DBUYI-0128)发射组件TOSA常用参数发射组件TOSA内部原理图常用参数1 正向电压VF指激光器工作在一定前向驱动电流的条件下(一般为Ith+20mA)对应的正向电压值包括激光器的带隙电压VBG 及等效串联电阻的压降I*RL。
下图为。
在高速应用条件下,激光器的寄生电感一般也要考虑。
图1 激光器的简化等效电路WTD的LD一般为1.2 ~ 1.6VVF参数对光模块的影响:激光器高速率低电压直流耦合驱动产生的电压净空问题图2 激光器的DC耦合驱动电路OUT-及OUT+回路轮流导通,当OUT+灌入调制电流时:VLOW =VCC-VF-VL-IMOD*RD其中VCC为电源电压, 这里为3.3VIMOD为调制电流,设为60mAVL为激光器寄生电感(一般为1~2nH)引起的交变电流的压降,可近似计算为VL=H*ΔI/Δt , 若在2.5Gb/s条件下工作,上升沿时间20%~80%为80ps ,则得出VL为0.7V若R D =20Ω,I MOD *R D =1.2V显然这时V LOW 很小,而事实上驱动器的输出级工作在放大状态,V LOW 一般大于 0.7V ,所以在这种情况下发射眼图上升沿时间变缓,眼开度降低 2 阈值电流(Ith )指激光器由自发辐射转换到受激辐射状态时的正向电流值,它与激光器的材料和结构 相关。
对于LD 而言,Ith 越小越好 一般在25℃时VCSEL-LD ,Ith=1~2mA FP-LD , Ith=5~10mA DFB-LD , Ith=5~20mAIth 随温度的升高而增加,关系式为Ith=I 0 e T/T0 I 0为25℃时的阈值电流,T 0为特征温度,表示激光器对温度敏感的程度对于WTD 的长波长激光器,T 0为50~80K Ith 参数对光模块的影响:图3 激光器的P-I 曲线目前模块较多的采用DC 耦合方式,偏置电流IBAIS 约等于Ith ,随着温度的升高,模块的APC 电路将自动增加IBAIS ,补偿Ith 的变化。
由于模块驱动芯片一般能够提供60mA 的IBAIS ,所以通常情况下外购或自制激光器的Ith 指标能够达到模块使用要求。
3 P-I曲线(P-I)指激光器总的输出光功率P与注入电流I的关系曲线,如图3所示曲线的拐点是阈值电流(1)曲线的斜率是激光器电光转换效率SE(mW/mA),它是激光器的量子效率与器件耦合效率的乘积。
量子效率η=hc/λe = hf/eh为普朗克常数,C为光速,f为频率,e为单位电子的电荷WTD自制管芯的量子效率一般为30~50%,耦合效率为20~30% SE参数对模块的影响:SE直接反映激光器的功率大小激光器功率通常是指在Ith+14mA(或Ith+20mA)直流电流的条件下测得的输出功率模块输出平均光功率是指在IBAIS +1/2 IMOD驱动电流的条件下对应的功率。
由于IBAIS ≈Ith,则如果1/2 IMOD=14mA ,则模块功率与器件功率基本是一致的。
这里有一点需要注意的是,由于器件测试时测试光纤是自由状态,而器件安装在模块外壳中时连接器的限位导致光路耦合到光纤时的效率往往不一致,这样最终结果存在差别。
(2)P-I曲线的线性度实际P-I曲线是一条曲线,而不是直线,如图4图4 P-I 曲线的线性度P-I 曲线的线性度测试的简单方法:可以通过曲线对应的10%及额定光功率点的直线与实际曲线偏离的最大变化来表示,即 功率线性度=(P2-P1)/P2 ×100%线性度参数对模块的影响:只要曲线上点的斜率大于0,一般不会影响模块使用但其消极影响有:a 将会对激光器的工作点的计算产生偏差b 将引起模块消光比的温度补偿的误差。
解释如下: 因为目前模块消光比的温度补偿方法大致有4种(不考虑双环控制):1)在调制电流设置端加热敏电阻2)芯片带有温度补偿电路,可设置温度补偿的起始点及变化斜率3)K 因子补偿,在ΔI MOD =K ΔI BIAS , 因为激光器SE 的温度特性有如下特点,在25℃到60℃,SE 变化不大,但从60℃到85℃,却变化较大,所以单纯设置一个补偿斜率不能够进行有效补偿,而阈值的温度变化快慢与SE 比较接近,因此K 因子补偿能够较好解决补偿斜率变化的问题额定光功率P 10%P 04)Look-up Table 查找表方式,往往根据几个典型温度点精确设置I BIAS 及I MOD以上4种方法均是以激光器具有良好的线性度为前提的。
(3)拐点指P-I 曲线上的扭转点,如图5图5 P-I 曲线的拐点拐点处P=f(I)存在多值函数,若驱动电流正好在拐点处,由于这时电流对应多个光功率, APC 电路无法保证光功率的稳定,导致模块在每个功率范围内跳变。
(4)最大饱和光功率IP图6 最大饱和光功率示意图最大饱和光功率指激光器所能输出的最大的光功率(P-I 曲线最大跌落处对应的光功率) 参数对模块的影响:模块高温下功率下降,人为调整光功率设置,也达不到满足要求的功率值,这就是激光器在高温下饱和功率低于所需功率引起的(排除驱动电流饱和因素)。
还有一种影响往往被忽视:若模块能够提供如图所示的I BIAS +I MOD 电流,则模块能够输出的最大光功率就为P A ,因为若以P S 为P 1,根据下面2个等式:P A =(P 1+ P 0)/2 Ext.r =10 lg P 1/ P 0模块要求的消光比Ext.r 是一个的确定值,所以模块所能输出的最大光功率就可以确定。
通常在高温时,需要考虑激光器的饱和光功率指标。
可能有这样的情况,模块在调测时,可以调到所需的光功率,但无任怎样增加调P 1IP P A P 0饱和光功率BIASMOD制电流,均不能调到要求的消光比,如果能够确定驱动电流没有饱和,则可以确定是激光器过早饱和的缘故。
)4 背光电流(Im指激光器在规定的光输出功率时,在给定一定背光探测器反向电压时输出的光电流。
一般TOSA要给出在Ith+14mA或Ith+20mA时背光电流测试值,通常以μA表示。
参数对模块的影响:模块的APC环路是以背光电流为采样点的,一般具有APC 功能的驱动芯片MD引脚规定了输入电流的范围,如MAX3735为18~1500μA,即要求激光器的背光电流也在一定范围内。
由于过小的背光电流,会导致APC 环路过于灵敏,增加不稳定性,所以通常我们要求TOSA在额定功率点的背光不小于100μA 。
多个TOSA的背光电流一致性不好,会导致模块在调整光功率时,设置电阻偏差太大,增加批量生产的难度。
5 跟踪误差(TE)对TOSA而言,跟踪误差指的是在两个不同温度条件下的光纤输出功率的比值,它是度量器件耦合效率稳定性的参数,单位为dB。
测试方法;恒定背光电流(如200μA),先测量25℃时的光纤输出功率,再测量在两个极值(如-20℃和+85℃)时的光纤输出功率,则TE=10 lg (P@+85℃/ P@+25℃)及 TE=10 lg (P@-25℃/ P@+25℃)一般要求|TE|≤1.5dB参数对模块的影响:跟踪误差是影响模块输出光功率稳定性的重要指标。
模块在高低温输出光功率发生变化,通常是由于跟踪误差引起的(若激光器在高温下没有过早饱和)。
6 SE 温度变化率图7 SE 温度变化示意图SE 温度变化率=SE@85℃/ SE@25℃,这里包括量子效率及耦合效率的变化。
一般要求大于0.5。
因为跟踪误差已经规范了耦合效率的变化率,通常在这里只考虑量子效率的变化。
参数对模块的影响:事实上,此参数间接规定了高温下的SE模块的温度补偿电路将在高温时增加调制电流,以保持消光比的稳定,但值得注意的是,模块在高温时的电流供给能力,一般与常温差别不大,以MAX3735为例,为10 mA ~60 mA, 再加上RC 补偿网络的分流,芯片最大能够提供的调制电流为60 mA ×80%(视RC 参数而定),约48 mA ,模块电流供给能力的限制将制约了高温SE 参数。
每种模块由于采用的驱动芯片、耦合方IP85℃式、输出端串联电阻及RC 补偿网络的不同,调制电流的实际供给能力有所不同,可以对其进行理论预估和实际测量。
7 等效串联电阻R指激光器工作在一定电流处时dV/dI 的值图8 激光器V-I 曲线示意图等效串联电阻越小越好,长波长激光器等效串联电阻一般为4~6Ω 等效串联电阻将影响激光器的3dB 带宽及工作时的管压降参数对模块的影响:3dB 带宽将影响模块发射眼图的质量;管压降变大将增加激光器低电压驱动的难度。
8 3dB 带宽(截止频率)指激光器的幅频特性中最大幅度下降3dB 所对应的频率电压00.5 1.0 1.5 2.0 2 4 6注入电流I串联电阻8图9 激光器3dB 带宽示意图 对于应用于数字通信的激光器而言,激光器的3dB 带宽必须大于线路比特速率的1.4倍参数对模块的影响:3dB 带宽将直接影响模块发射眼图的质量,带宽过大,常会引起激光器在调制过程中的驰豫振荡现象,即眼图的振铃现象。
带宽过小,会导致眼图的上升沿及下降沿的时间变慢,眼开度下降。
9 相对强度噪声(RIN )由于谐振腔内载流子和光子密度的量子起伏,导致输出光波中存在固有的量子噪声,这种量子噪声用相对强度噪声来度量,即在一定的频率范围内,光强度脉动的均方根与平均光强度平方之比,公式为RIN=(δP )2/ P 2 ,我们要求RIN 小于-120dB/Hz随着工作电流的增加,RIN 将减小参数对模块的影响:RIN 将影响模块发射眼图的抖动指标。
10 波长λ激光器的波长有三种表示方法:峰值波长、中心波长、平均波长峰值波长:光谱中若干发射模式中最大强度的光谱波长中心波长:在光谱中,连接50%最大幅度值线段的中点对应的波长Hdλc=ΣEi λi/ Eλi 表示第i个峰值的波长,Ei表示第i个峰值的能量,E为所有峰值的能量。
平均波长:指所有模式的加权平均值,将幅度大于峰值2%的模式均计算在内。
λmean=Σλn Pn/ ΣPnλn表示第n个峰值的波长, Pn表示第n个波长的功率其中中心波长用得最多,对于DFB-LD,中心波长与峰值波长值几乎相同;对于FP-LD,一般用中心波长或平均波长表示激光器得工作波长。
一般WTD的激光器中心波长随着温度增加将以0.5nm/℃的速度变长参数对模块的影响:因为不同波长对应的光纤衰耗及色散系数不一样,所以模块不同的传输距离对工作波长要求就不一样。
对各种速率及传输距离下对波长的要求在G.957中都做了严格规定。
11光谱宽度Δλ对于FP-LD,一般用3dB谱宽的均方根RMS来表示Δλ= [Σai (λi–λm)2/Σai]1/2λm =Σaiλi/ Σaiλi 为第i个光谱成分的波长,ai为第i个光谱成分的相对强度。