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MOSFET选型

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MOSFET选型注意事项及应用实例

MOSFET选型注意事项及应用实例

MOSFET选型注意事项及应用实例MOSFET的选型基础MOSFET有两大类型：N沟道和P沟道。

在功率系统中，MOSFET可被看成电气开关。

当在N沟道MOSFET的栅极和源极间加上正电压时，其开关导通。

导通时，电流可经开关从漏极流向源极。

漏极和源极之间存在一个内阻，称为导通电阻RDS(ON)。

必须清楚MOSFET的栅极是个高阻抗端，因此，总是要在栅极加上一个电压。

如果栅极为悬空，器件将不能按设计意图工作，并可能在不恰当的时刻导通或关闭，导致系统产生潜在的功率损耗。

当源极和栅极间的电压为零时，开关关闭，而电流停止通过器件。

虽然这时器件已经关闭，但仍然有微小电流存在，这称之为漏电流，即IDSS。

作为电气系统中的基本部件，工程师如何根据参数做出正确选择呢？本文将讨论如何通过四步来选择正确的MOSFET。

1）沟道的选择。

为设计选择正确器件的第一步是决定采用N沟道还是P沟道MOSFET。

在典型的功率应用中，当一个MOSFET接地，而负载连接到干线电压上时，该MOSFET就构成了低压侧开关。

在低压侧开关中，应采用N 沟道MOSFET，这是出于对关闭或导通器件所需电压的考虑。

当MOSFET连接到总线及负载接地时，就要用高压侧开关。

通常会在这个拓扑中采用P沟道MOSFET，这也是出于对电压驱动的考虑。

2）电压和电流的选择。

额定电压越大，器件的成本就越高。

根据实践经验，额定电压应当大于干线电压或总线电压。

这样才能提供足够的保护，使MOSFET不会失效。

就选择MOSFET而言，必须确定漏极至源极间可能承受的最大电压，即最大VDS。

设计工程师需要考虑的其他安全因素包括由开关电子设备(如电机或变压器)诱发的电压瞬变。

不同应用的额定电压也有所不同；通常，便携式设备为20V、FPGA电源为20～30V、85～220V AC 应用为450～600V。

在连续导通模式下，MOSFET处于稳态，此时电流连续通过器件。

脉冲尖峰是指有大量电涌(或尖峰电流)流过器件。

mosfet驱动变压器 选型原则

mosfet驱动变压器 选型原则

mosfet驱动变压器选型原则全文共四篇示例，供读者参考第一篇示例：我们需要了解MOSFET驱动变压器的基本特性。

MOSFET驱动变压器是一种能够将输入信号转换成高电压输出信号的器件，通常用于驱动功率MOSFET开关。

在选型时，需要考虑的主要特性包括输入电压范围、输出电压范围、输出功率、响应速度、过载能力等。

我们需要考虑MOSFET驱动变压器的工作环境和应用场景。

不同的工作环境和应用场景对MOSFET驱动变压器的要求也不同。

在高温环境下工作的MOSFET驱动变压器需要具有较高的工作温度范围和稳定性；在大功率应用场景下，需要选择功率较大的MOSFET驱动变压器。

我们还需要考虑MOSFET驱动变压器的安全性和可靠性。

选用的MOSFET驱动变压器需要具有较好的过载保护功能，以防止电路受到过大的电流或电压冲击而损坏。

MOSFET驱动变压器的可靠性也是一个非常重要的选型考量因素，只有具有较高可靠性的器件才能够保证电路的稳定运行。

我们还需要考虑MOSFET驱动变压器的封装类型和引脚排列。

不同的封装类型和引脚排列对于电路的设计和布局也有一定的影响，因此在选型时需要根据实际需求选择合适的封装类型和引脚排列。

第二篇示例：MOSFET驱动变压器是一种常用的电路组件，用于实现电力转换和控制功能。

在选择适合的MOSFET驱动器时，需要考虑一系列参数和原则，以确保电路的性能和稳定性。

本文将介绍关于MOSFET驱动变压器选型的原则与注意事项。

选型时需要考虑MOSFET驱动变压器的输入电压范围。

不同应用场景下，输入电压的波动范围会有所不同，因此选择输入电压范围适当的MOSFET驱动器至关重要。

在选型时，需要确保MOSFET驱动器的输入电压范围能够覆盖实际应用中的工作电压范围，以避免出现电路无法正常工作的情况。

输出负载能力也是选择MOSFET驱动变压器的关键因素之一。

根据实际需求和应用场景，需要选择具有足够输出电流和功率的MOSFET驱动器，以确保可以驱动所需的负载，并且在工作过程中能够保持稳定性和可靠性。

mosfet管的选型

mosfet管的选型

mosfet管的选型MOSFET管的选型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）是一种常用的电子元件，广泛应用于各种电路中。

在选择MOSFET管时，我们需要考虑多个因素，以确保电路的性能和稳定性。

本文将介绍一些关键的选型要点和常见的MOSFET参数，帮助读者更好地进行选型决策。

我们需要了解MOSFET的基本工作原理和结构。

MOSFET由源极（S）、漏极（D）和栅极（G）组成。

通过在栅极施加电压，可以控制漏极和源极之间的电流。

MOSFET有两种类型：N沟道MOSFET（N-MOSFET）和P沟道MOSFET（P-MOSFET），其区别在于电荷载流子类型的不同。

在选型过程中，第一个要考虑的因素是MOSFET的工作电压（Vds）。

这是指MOSFET能够承受的最大漏极-源极电压。

选择合适的工作电压范围是至关重要的，以确保MOSFET在实际应用中不会受到过电压的损坏。

第二个要考虑的因素是MOSFET的最大漏极电流（Id）。

这是指MOSFET能够承受的最大漏极电流。

根据实际应用需求，我们需要选择合适的最大漏极电流，以确保MOSFET能够正常工作，并不会因为过大的电流而发生故障。

除了工作电压和最大漏极电流，还有一些其他重要的参数需要考虑。

其中之一是阈值电压（Vth），它是指在栅极和源极之间的电压，MOSFET开始导通的最低电压。

阈值电压的选择将直接影响MOSFET 的导通特性和工作状态。

我们还需要考虑MOSFET的导通电阻（Rds(on)）。

导通电阻是指当MOSFET导通时，漏极和源极之间的电压降。

较低的导通电阻将导致更高的效率和更小的功耗，因此在一些高性能应用中，选择具有较低导通电阻的MOSFET是非常重要的。

除了这些参数，还有一些其他因素也需要考虑，例如开关速度、温度特性、封装类型和价格等。

这些因素根据实际应用需求和预算来决定。

为了确保选型的准确性，我们可以参考厂商提供的数据手册和应用指南。

这些资料通常包含详细的参数表、性能曲线和应用电路，可以帮助我们更好地了解和评估不同型号的MOSFET。

我的MOSFET选型手册

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一MOS选型
NMOS的特性，Vgs大于一定的值就会导通，适合用于源极接地时的情况（低端驱动），只要栅极电压达到4V或10V就可以了。

如下图是NMOS开关电路。

PMOS的特性，Vgs小于一定的值就会导通，适合用于源极接VCC时的情况（高端驱动）。

虽然PMOS可以很方便地用作高端驱动，但由于导通电阻大，价格贵，替换种类少等原因，在高端驱动中，通常还是使用NMOS。

PMOS常用型号：IRFR9024N，NTD25P03L；
二需要注意的参数：
1，开启电压Vth：GS之间的电压只有达到Vth时MOS管才会导通。

2，源极和漏极电流ID：其范围应满足后级电路的需求，不能太小。

3，饱和漏电流IDss：当Vgs=0V时ID的值，越小越好，太大电池耗电。

4，导通电阻Rds：导通后DS间的电阻，越小越好。

5，DS间最大耐压VDSS/Vbr：被控制的电压值不能大于VDSS，否则管子会烧毁。

上表是NTD25P03L在不同条件下导通电阻的值，电压和电流值越大Rds越小。

Din-Tek半导体MOSFET产品选型表

Din-Tek半导体MOSFET产品选型表

尚晶(SunKing-Group)科技股份有限公司是日本Din-Tek（DT）半导体大中华区授权唯一独家分销商，主营Din-Tek半导体全系列产品：DIODES(二极管)产品，有肖特基二极管，快恢复二极管，超快恢复二极管，稳压二极管，整流二极管等；HallSenor(霍尔)产品，有普通霍尔传感器，风扇马达驱动霍尔传感器等；Power management(电源管理)产品，有AC/DC Converter，DC/DC Converter，LDO等；MOSFET（MOS管）产品，结构类型有：N-MOS，P-MOS，双N-MOS，双P-MOS，N+P MOS；封装形式有：SOT-23，TSOP-6，TO-92，SOT-89，SOT-223，TO-251，TO-252，TSSOP-8，SOP-8，TO-220，TO-263，DFN系列；电压范围：8V~750V；广泛应用于：资讯/通讯/工业电子/家用电器/电力电子等行业。

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33 24 5.2DTS2312 SOT-23 Single-N 20 8 1.2 45 33 3.8DTS3400A SOT-23-3 Single-N 30 20 1.2 33 24 6DTS3400 SOT-23-3 Single-N 30 20 1.2 58 4DTS3402 SOT-23 Single-N 30 20 1.2 73 58 3.6DTS4500 SOT-23 Single-N 40 20 1.2 55 40 3.6DTS6400 SOT23-3 Single-N 60 20 1.8 36 26 4.5DTS6504 SOT-23-6 Single-N 30 20 1.2 40 30 6DTS6410 SOT-23 Single-N 60 20 1 89 78 3DTS2300 SOT-23 Single-N 20 8 0.8 38 24 4.5DTC2058 SOT-89 Single-N 20 12 0.6 45 33 6.8DTC3058 SOT-89 Single-N 30 20 0.6 45 33 6.8DTE2312 TO-92 Single-N 20 12 0.6 28 22 4.8DTL9604 TO-220 Single-N 60 20 1 28 22 55DTL9826 TO-220 Single-N 100 20 2 43 32 65DTP0403 TO-220 Single-N 30 20 1.5 4.4 3.8 98DTP4N60 TO-220 Single-N 600 30 2 2200 4DTP75N80 TO-220 Single-N 80 25 3.5 8.8 75DTB3055 SOT-223 Single-N 30 20 1.5 38 25 7DTB6035 SOT-223 Single-N 60 20 1 40 28 7DTL15N03 TO-251 Single-N 30 20 1.2 16.5 13.5 15DTL40N03 TO-251 Single-N 30 20 1 10 7 40DTL2N60 TO-251 Single-N 600 20 2 3900 2DTU40N06 TO-252 Single-N 60 20 2 27 16 40DTU30N02 TO-252 Single-N 20 12 0.6 33 24 30DTU40N03 TO-252 Single-N 30 20 1 28 22 40DTU50N03 TO-252 Single-N 30 20 1.5 6.4 4.1 50DTU70N03 TO-252 Single-N 30 20 1.5 6.3 5 70DTU90N03 TO-252 Single-N 30 20 1.8 4.1 3 90DTU40N10 TO-252 Single-N 100 20 2 45 33 40DTU15N10 TO-252 Single-N 100 20 2 100 15DTU09N03 TO-252 Single-N 30 20 1.5 6.3 5.1 55DTU06N03 TO-252 Single-N 30 20 1.2 5.9 4.1 60DTU2N60 TO-252 Single-N 600 30 2 4400 2DTW2070 TO-263 Single-N 200 20 1.5 90 20DTK0403 TO-263 Single-N 30 20 2 4.4 3.8 98DTU20N20 TO-252 Single-N 200 20 2 80 20DTU50N06 TO-252 Single-N 60 20 2 31 26 50DTP80N10 TO-220 Single-N 100 20 2 5 110DTS2012 SOT323-3 Single-N 20 12 1 60 49 45 4DTP4N65 TO-220 Single-N 650 30 3 2900 4DTP4N65F TO-220F Single-N 650 30 3 2900 4DTU4N65 TO-252 Single-N 650 30 3 2900 4DTL4N65 TO-251 Single-N 650 30 3 2900 4DTU60N02 TO-252 Single-N 20 12 0.8 7.8 5.1 60DTS3406 SOT-23 Single-N 30 20 1.2 33 24 4.8DTP7N65 TO-220 Single-N 650 20 2 1300 7DTU3055 TO-252 Single-N 30 20 1.5 45 58 15DTS1004 SOT-23 Single-N 100 20 1.2 150 1202.3DTC9058SOT-89Single-N100201.7139 126 3.1DTP4N70SJ TO-220 Single-N 700 20 3 1200 4DTP16N65SJ TO-247 Single-N 650 20 3 145 16DTP38N65SJ TO-247 Single-N 650 20 3 416 38DTS2318 SOT-23 Single-N 20 20 0.5 10.5 9.5 12DTS2050 SOT-723 Single-N 20 12 0.6 521 286 0.63DTS2N7002SOT-23Single-N 60 20 1 4 2 0.3DTP4503 TO-220 Single-N 45 25 1.9 3.5 2.4 100DTQ6302DFN5x6Single-N30201.52.22.7100二．单P 型MOSFET ：SOT-23：DTS2301（替代APM2301/AO3413/STS2309等），DTS3401（替代AO3401等），DTS2305，DTS2315，DTS3407； SOP-8：DTM9435（替代APM9435/AO9435/CEM9435等），DTM4435（替代STM4435，SI4435，AO4435等），DTM4407（替代AO4407等），DTM4415，DTM4425，DTM4435；P/NPackage ConfigurationBV (V) VGS (V) Vt (V) RDS(ON) Max (Typ)(m Ω)_Vg_2.5v RDS(ON) Max (Typ)(m Ω)_Vg_4.5vRDS(ON) Max (Typ)(m Ω)_Vg_10vID (A)Data sheetDTM9435 SOP-8 Single-P -30 20 -1.5 60 45 -5.8DTM4435 SOP-8 Single-P -30 20 -1.5 22 16 -8DTM4425 SOP-8 Single-P -30 20 -1.5 10.5 8.8 -15DTM4831SOP-8 Single-P -20 12 -1 65 -8DTM4407 SOP-8 Single-P -30 20 -1.5 18 12.5 -11.2DTM4415 SOP-8 Single-P -30 20 -1.5 12.8 9.2 -13.5DTP9531 PPak Single-P -30 20 -1.5 9.2 7.8 -26DTS2301 SOT-23 Single-P -20 12 -1 95 68 -3.8DTS2305 SOT-23 Single-P -20 12 -16850 -5DTS2301S SOT-23Single-P-20 12 -1.1 130 105 -3DTS2301A SOT-23-3 Single-P -20 12 -1.1 90 65 -4.5DTS3401 SOT-23Single-P-30 20 -1.2 130 88 -2.7DTS3401A SOT-23-3 Single-P -30 20 -1.5 70 53 -5.6DTS4501 SOT-23 Single-P -40 20 -1.5 110 83 -3.6DTS6503 SOT23-6 Single-P -30 20 -1.8 66 53 -5.1DTS7001 SOT-23Single-P-60 20 -1.8 5000 4000 -0.13DTS6401 SOT-23-3 Single-P -60 20 -1.8 48 40 -5.2DTU40P06 TO-252Single-P-60 20 -2 45 36 -40DTS3407 SOT-23-3 Single-P -30 20 -0.854 46 -5.6DTS2315SOT-23-3 Single-P-2012-0.7 90 65-4.5DTC2059 SOT-89 Single-P -20 12 -1.2 90 75 -6.6DTC3059 SOT-89 Single-P -30 20 -1.5 75 60 -7.6DTE2311TO-92 Single-P -20 12 -1 72 45 -4.2DTL9503 TO-220 Single-P -30 20 -1.5 16 13 -80DTP3006 TO-220 Single-P -60 20 -1.8 85 60 -30DTP6006 TO-220 Single-P -60 20 -1.8 28 20 -60DTL15P03TO-251Single-P -30 20 -1.5 70 43 -15DTU15P03 TO-252 Single-P -30 20 -1.5 70 43 15DTU40P06TO-252Single-P -60 20 -2 45 36 -40DTU80P03 TO-252 Single-P -30 20 -1.5 9 8 -80DTU40P06 TO-252 Single-P -60 20 -2 45 36 -40DTU15P10 TO-252 Single-P -100 20 -2300 260-15DTS2011 SOT-323 Single-P -20 8 -0.8 100 85 -3.1DTS3411 SOT-23 Single-P -30 20 -1.5 72 59 -4DTL19P10TO-251Single-P-100 20-2160120-19DTU19P10 TO-252 Single-P -100 20 -2 210 195 -19DTM9425 SOP-8 Single-P 20 12 -1 50 40 -6.6DTL50P03 TO-251 Single-P -30 25 -1.2 15 10 -50DTS3419 SOT-23L Single-P -20 8 -1 41 32 -5.9DTU50P03 TO-252 Single-P -30 20 -1.2 22 16 -50DTU80P03 TO-252 Single-P -30 20 -18 9 -80DTS2319 SOT-23 Single-P -20 -12 0.6 26 18 -6DTM4015 SOP-8 Single-P -40 -20 -1.7 13.2 9.4 -18DTU60P04 TO-252 Single-P -40 -20 -1.518 12 -60DTQ2115 DFN2x2 Single-P -12 8 -0.9 26 21 -14.5DTQ2221 DFN2x2 Single-P -20 12 -13828 -12DTQ3115 DFN3x3 Single-P -12 8 -0.9 19 15 -14.5DTQ3221 DFN3x3 Single-P -20 12 -13224 -12DTQ2115 DFN2x2 Single-P -12 8 -0.9 26 21 -14.5DTQ2221 DFN2x2 Single-P -20 12 -13828 -12DTQ3115 DFN3x3 Single-P -12 8 -0.9 27 21 -14.5DTQ3221DFN3x3Single-P-2012-13828-12三．双N 型MOSFET ：TSOP-6：DTS8205（替代STM8205等,电池保护板专用），DTS5440（电池保护板专用）TSSOP-8：DTM8205（替代APM8205/STM8205/CEM8205等），DTM8201SOP-8：DTM9926（替代APM9926/STM9926/CEM9926等），DTM9936（替代APM9945，AO4828等），DTM4946（替代STM6930A等）；DTM4936，DTM4926P/N Package Configuration BV(V)VGS(V)Vt(V)RDS(ON) Max(Typ)(mΩ)_Vg_2.5vRDS(ON) Max(Typ)(mΩ)_Vg_4.5vRDS(ON) Max(Typ)(mΩ)_Vg_10vID(A)DatasheetDTS5440 SOT-23-6 Dual-N 20 12 0.8 28 22 4.8DTM9936 SOP-8 Dual-N 20 12 0.6 20 14 7DTM9926 SOP-8 Dual-N 20 12 0.6 30 22 6.6DTM4946 SOP-8 Dual-N 60 20 1 40 35 7DTM4936 SOP-8 Dual-N 30 20 1.2 33 26 6.8DTM4830 SOP-8 Dual-N 80 30 3.5 75 3.5DTM4926 SOP-8 Dual-N 30 20 1.5 12 8 8DTM8201 TSSOP-8 Dual-N 20 12 0.6 20 17 6.5DTM8205 TSSOP-8 Dual-N 20 8 1 40 22 6.6DTS8205 SOT23-6 Dual-N 20 12 0.6 40 22 4.6DTS5440 TSOP-6 Dual-N 20 12 1.2 28 22 4.8DTS2212 SOT323-6 Dual-N 20 8 0.4 225 198 1.3DTM8002 TSSOP-8 Dual-N 20 12 0.6 7 5.5 11四．双P型MOSFET：TSOP-6：DTS5441SOP-8：DTM4953（替代APM4953，CEM4953，A04801等），DTM4953BDY（LED屏专用），DTM4925P/N Package Configuration BV(V)VGS(V)Vt(V)RDS(ON) Max(Typ)(mΩ)_Vg_2.5vRDS(ON) Max(Typ)(mΩ)_Vg_4.5vRDS(ON) Max(Typ)(mΩ)_Vg_10vID(A)DatasheetDTM4925 SOP-8 Dual-P -20 12 -1.5 33 24 -8 DTM4953 SOP-8 Dual-P -30 20 -1.5 78 46 -5.4 DTM4953BDY SOP-8 Dual-P -30 20 -1.5 45 32 -6.6DTS5441 TSOP-6 Dual-P -20 -12 -1.2 90 65 -4五．N+PMOSFTSOP-8: DTM4606(替代AO4606)，DTM4616，DTM9906P/N Package Configuration BV(V)VGS(V)Vt(V)RDS(ON) Max(Typ)(mΩ)_Vg_2.5vRDS(ON) Max(Typ)(mΩ)_Vg_4.5vRDS(ON) Max(Typ)(mΩ)_Vg_10vID(A)DatasheetDTS3606N SOT-23-6 N+P 30 20 1.5 36 24 3.7DTM4606P SOP-8 N+P -30 20 -1.5 58 48 -6DTM4616N SOP-8 N+P 30 20 1.5 36 34 6.7DTM9906N SOP-8 N+P 60 20 1.8 31 28 5.3 DTM9906P SOP-8 N+P -60 20 -1.8 70 60 -4.9DTM4606BDYN SOP-8 N+P 30 20 1.5 24 18 7DTM4606BDYP SOP-8 N+P -30 20 -1.5 40 36 -6.9DTM4606N SOP-8 N+P 30 20 1.5 36 24 6.7DTM4616P SOP-8 N+P -30 20 -1.5 36 24 -7DTS3606P SOT-23-6 N+P -30 20 -1.5 83 69 -3 六．DFN封装系列（特别推介）P/N Package Configuration BV(V)VGS(V)Vt(V)RDS(ON) Max(Typ)(mΩ)_Vg_2.5vRDS(ON) Max(Typ)(mΩ)_Vg_4.5vRDS(ON) Max(Typ)(mΩ)_Vg_10vID(A)DatasheetDTQ2115 DFN2x2 Single-P -12 8 -0.9 26 21 -14.5DTQ2221 DFN2x2 Single-P -20 12 -1 38 28 -12 DTQ3115 DFN3x3 Single-P -12 8 -0.9 19 15 -14.5DTQ3221 DFN3x3 Single-P -20 12 -1 32 24 -12DTQ6302 DFN5x6 Single-N 30 20 1.5 2.2 2.7 100七．TO-252系列P/N Package Configuration BV(V)VGS(V)Vt(V)RDS(ON) Max(Typ)(mΩ)_Vg_2.5vRDS(ON) Max(Typ)(mΩ)_Vg_4.5vRDS(ON) Max(Typ)(mΩ)_Vg_10vID(A)DTU1N60 TO-252 Single-N 600 20 2 7Ω 1.4 DTU40N06 TO-252 Single-N 60 20 1.8 28 20 40 DTU30N02 TO-252 Single-N 20 12 0.65 33 24 30 DTU40N03 TO-252 Single-N 30 20 1.6 28 22 40 DTU50N03 TO-252 Single-N 30 20 1.5 6.4 4.1 50 DTU70N03 TO-252 Single-N 30 20 1.5 6.3 5 70 DTU90N03 TO-252 Single-N 30 20 1.8 4.1 3 90 DTU40N10 TO-252 Single-N 100 20 2 45 33 40 DTU15N10 TO-252 Single-N 100 20 2 115 95 15 DTU09N03 TO-252 Single-N 30 20 1.5 10.1 7 55 DTU06N03 TO-252 Single-N 30 20 1.5 5.9 4.1 60 DTU2N60 TO-252 Single-N 600 30 3.6 3900 2 DTU15P03 TO-252 Single-P -30 20 -1.5 70 43 15 DTU80P03 TO-252 Single-P -30 20 -1 9 8 -80 DTU80P03 TO-252 Single-P -30 20 -1.5 9 8 -80 DTU40P06 TO-252 Single-P -60 20 -2 45 36 -40 DTU16N25 TO-252 Single-N 250 20 2 165 16 DTU15P10 TO-252 Single-P -100 20 -2 300 260 -15 DTU19P10 TO-252 Single-P -100 20 -2 210 195 -19 DTU20N20 TO-252 Single-N 200 20 2 80 20DTU50P03 TO-252 Single-P -30 20 -1.2 22 16 -50 DTU4N65 TO-252 Single-N 650 30 3 2900 4 DTU60N02 TO-252 Single-N 20 12 0.8 7.8 5.1 60 DTU3055 TO-252 Single-N 30 20 1.5 45 58 15 DTU60P04 TO-252 Single-P -40 -20 -1.5 18 12 -60八．TO-220系列（广泛应用于逆变器，UPS，LED照明，开关电源等行业）P/N Package Configuration BV(V)VGS(V)Vt(V)RDS(ON) Max(Typ)(mΩ)_Vg_2.5vRDS(ON) Max(Typ)(mΩ)_Vg_4.5vRDS(ON) Max(Typ)(mΩ)_Vg_10vID(A)DatasheetDTP1N60 TO-220 Single-N 600 20 2 7Ω 1.4DTL9604 TO-220 Single-N 60 20 1 28 22 55DTL9826 TO-220 Single-N 100 20 2 43 32 65DTP0403 TO-220 Single-N 30 20 1.5 4.4 3.8 98DTP4N60 TO-220 Single-N 600 30 2 2200 4DTP75N80 TO-220 Single-N 80 25 3.5 8.8 75DTL9503 TO-220 Single-P -30 20 -1.5 16 13 -80DTP3006 TO-220 Single-P -60 20 -1.8 85 60 -30DTP6006 TO-220 Single-P -60 20 -1.8 28 20 -60 DTP4503 TO-220 Single-N 45 25 1.9 3.5 2.4 100 DTP80N10 TO-220 Single-N 100 20 2 5 110DTP4N65 TO-220 Single-N 650 30 3 2900 4DTP4N65F TO-220F Single-N 650 30 3 2900 4DTP7N65 TO-220 Single-N 650 20 2 1300 7DTP16N65SJ TO-247 Single-N 650 20 3 145 16DTP38N65SJ TO-247 Single-N 650 20 3 416 38。

常见MOSFET和二极管选型

常见MOSFET和二极管选型

. 常用MOS管选型参考IRFU020 50V 15A 42W * * NmOS场效应IRFPG42 1000V 4A 150W * * NmOS场效应IRFPF40 900V 4.7A 150W * * NmOS场效应IRFP9240 200V 12A 150W * * PmOS场效应IRFP9140 100V 19A 150W * * PmOS场效应IRFP460 500V 20A 250W * * NmOS场效应IRFP450 500V 14A 180W * * NmOS场效应IRFP440 500V 8A 150W * * NmOS场效应IRFP353 350V 14A 180W * * NmOS场效应IRFP350 400V 16A 180W * * NmOS场效应IRFP340 400V 10A 150W * * NmOS场效应IRFP250 200V 33A 180W * * NmOS场效应IRFP240 200V 19A 150W * * NmOS场效应IRFP150 100V 40A 180W * * NmOS场效应IRFP140 100V 30A 150W * * NmOS场效应IRFP054 60V 65A 180W * * NmOS场效应IRFI744 400V 4A 32W * * NmOS场效应IRFI730 400V 4A 32W * * NmOS场效应IRFD9120 100V 1A 1W * * NmOS场效应IRFD123 80V 1.1A 1W * * NmOS场效应IRFD120 100V 1.3A 1W * * NmOS场效应IRFD113 60V 0.8A 1W * * NmOS场效应IRFBE30 800V 2.8A 75W * * NmOS场效应IRFBC40 600V 6.2A 125W * * NmOS场效应IRFBC30 600V 3.6A 74W * * NmOS场效应IRFBC20 600V 2.5A 50W * * NmOS场效应IRFS9630 200V 6.5A 75W * * PmOS场效应IRF9630 200V 6.5A 75W * * PmOS场效应IRF9610 200V 1A 20W * * PmOS场效应IRF9541 60V 19A 125W * * PmOS场效应IRF9531 60V 12A 75W * * PmOS场效应IRF9530 100V 12A 75W * * PmOS场效应IRF840 500V 8A 125W * * NmOS场效应IRF830 500V 4.5A 75W * * NmOS场效应IRF740 400V 10A 125W * * NmOS场效应IRF730 400V 5.5A 75W * * NmOS场效应IRF720 400V 3.3A 50W * * NmOS场效应IRF640 200V 18A 125W * * NmOS场效应IRF630 200V 9A 75W * * NmOS场效应IRF610 200V 3.3A 43W * * NmOS场效应IRF541 80V 28A 150W * * NmOS场效应IRF540 100V 28A 150W * * NmOS场效应IRF530 100V 14A 79W * * NmOS场效应IRF440 500V 8A 125W * * NmOS场效应IRF230 200V 9A 79W * * NmOS场效应IRF130 100V 14A 79W * * NmOS场效应BUZ20 100V 12A 75W * * NmOS场效应BUZ11A 50V 25A 75W * * NmOS场效应BS170 60V 0.3A 0.63W * * NmOS场效应2N7000 K30A K334C快恢复塑封整流二极管序号型号IF VRRM VF Trr 封装A V V μs(1)快恢复塑封整流二极管1 1F1-1F7 1A 50-1000V 1.3 0.15-0.5 R-12 FR10-FR60 1A-6A 50-1000V 1.3 0.15-0.53 1N4933-1N4937 1A 50-600V 1.2 0.2 DO-414 1N4942-1N4948 1A 200-1000V 1.3 0.15-0.5 DO-415 BA157-BA159 1A 400-1000V 1.3 0.15-0.25 DO-416 MR850-MR858 3A 100-800V 1.3 0.2 DO-201AD7 EU1-EU2 0.25A-1A 100-1000V 1.3 0.4 DO-418 20DF1-20DF10 2A 100-1000V 1.3 0.2 DO-159 30DF1-30DF10 3A 100-1000V 1.3 0.2 DO-201AD10 RU1-RU4 0.25A-3A 100-1000V 1.3 0.411 ERA22-02~10 0.5A 200-1000V 1.3 0.4 R-113 ERB43-02~10 0.5A 200-1000V 1.3 0.4 DO-4114 ERB44-02~10 1A 200-1000V 1.3 0.4 DO-1515 ERC18-02~10 1.2A 200-1000V 1.3 0.4 DO-1516 ERD28-02~10 1.5A 200-1000V 1.3 0.4 DO-201AD17 ERD29-02~10 2.5A 200-1000V 1.3 0.4 DO-201AD18 ERD32-02~10 3A 200-1000V 1.3 0.4 DO-201AD19 ERD09-13~15 3A 1300-1500V 1.5 0.6 R-5(2)SK、2CG系列快恢复整流二极管1 SK1-02~30 1.5A 200-3000V 1.3-4 0.5-1 DO-152 SK2-02~30 1A 200-3000V 1.3-4 0.5-1 DO-413 SK3-02~30 2A 200-3000V 1.3-4 0.5-1 DO-154 SK4-02~30 0.5A 300-3000V 1.3-4 0.5-1 DO-415 2CG04-2CG30 0.2A 300-3000V 1.3-4 0.5-1 DO-41 (3)快恢复塑封阻尼二极管1 2CN1-2CN1C 1A 200-1200V 1.32 DO-412 2CN2D-2CN2M 0.5A 200-1000V 1.3 2 DO-413 2CN3D-2CN3M 1A 200-1000V 1.3 6 DO-414 2CN4D-2CN4M 1.5A 200-1000V 1.3 0.8 DO-155 2CN5D-2CN5M 1.5A 200-1000V 1 1 DO-156 2CN6D-2CN6M 1A 200-1000V 1.3 6 DO-417 2CN12D-2CN12M 3A 200-1000V 1.3 1 DO-201AD9 TVR4J-TVR4N 1.2A 600-1000V 1.2 20 DO-15超高频塑封二极管1 ERA34-10 0.1A 1000V 3 0.15 R-12 ERA32-02~10 1A 200-1000V 1.3 0.1 DO-413 ERB32-02~10 1.2A 200-1000V 1.3 0.1 DO-154 ERC30-02~10 1.5A 200-1000V 1.3 0.1 DO-155 ERC32-02~10 3A 200-1000V 1.3 0.1 DO-201AD6 EG01E-EG01C 0.5A 200-1000V 2 0.1 DO-417 EG1E-EG1C 1A 200-1000V 1.8 0.1 DO-418 RG10Z-RG10C 1.2A 200-1000V 2 0.1 DO-159 RG2Z-RG2C 1.5A 200-1000V 1.8 0.1 DO-1510 RG4Z-RG4C 3A 200-1000V 2 0.1 D0-201AD超快恢复塑封二极管序号型号IF VRRM VF Trr 封装A V V ns(1)超快恢复塑封二极管3 EGP10-EGP50 1-5A 50-200V 1.1 354 ERC38~04-ERC38~10 1A 400-1000V 1.7 50 DO-416 RL3-RL3C 3A 400-1000V 1.7 50 DO-201AD7 1H1-1H8 1A 50-1000V 1.1-1.7 50-75 R-18 HER10-HER60 1-6A 50-1000V 1.1-1.7 50-759 HER80-HER160 8-6A 50-1000V 1.1-1.7 50-75 TO-22010 UF10-UF60 1-6A 50-1000V 1.1-1.7 50-7511 EL1Z-EL1 1.5A 200-350V 1.3 50 DO-15(2)MUR超快恢复整流二极管1 MUR120-MUR1120 1A 200-1200V 0.95-1.5 35-50 DO-412 MUR420-MUR4120 4A 200-1200V 0.95-1.6 35-75 DO-201AD3 MUR820-MUR8120 8A 200-1200V 1.3-2.1 35-75 TO-220AC4 MUR1020-MUR10120 10A 200-1200V 1.3-2.1 35-75 TO-220AC5 MUR1520-MUR15120 15A 200-1200V 1.3-2.1 35-75 TO-220AC6 MUR2020-MUR20120 20A 200-1200V 1.3-2.1 35-75 TO-220AB7 MUR3020-MUR30120 30A 200-1200V 1.3-2.1 35-75 TO-247AD8 MUR6020-MUR60120 60A 200-1200V 1.3-2.1 35-75 TO-247AD (3)RHRP、RHRG超快恢复二极管1 RHRP820-RHRP8120 8A 200-1200V 2.1-3.2 35-70 TO-220AC2 RHRP1520-RHRP15120 15A 200-1200V 2.1-3.2 40-75 TO-220AC3 RHRP3020-RHRP30120 30A 200-1200V 2.1-3.2 45-75 TO-220AC4 RHRG3020-RHRG30120 30A 200-1200V 2.1-3.2 45-75 TO-247AC5 RHRG5020-RHRG50120 50A 200-1200V 2.1-3.2 50-100 TO-247AC6 RHRG6020-RHRG60120 60A 200-1200V 2.1-3.2 45-75 TO-247AD (4)BYV29~79、BYT28~79超快恢复二极管1 BYW29-100~200 8A 100-200V 1.1 25 TO-220AC2 BYV29-300~500 9A 300-500V 1.25 60 TO-220AC3 BYQ28-100~200 10A 100-200V 1.1 20 TO-220AB4 BYT28-300~500 10A 300-500V 1.4 60 TO-220AB5 BYV79-100~200 14A 100-200V 1.3 30 TO-220AC6 BYT79-300~500 14A 300-500V 1.4 60 TO-220AC7 BYV32-100~200 20A 100-200V 1.1 25 TO-220AB8 BYV34-300~500 20A 300-500V 1.1 60 TO-220AB9 BYV42-100~200 30A 100-200V 1.1 28 TO-220AB10 BYV44-300~500 30A 300-500V 1.25 60 TO-220AB肖特基整流二极管序号型号IF VRRM VF 封装A V V(1)肖特基塑封整流二极管1 1N5817-1N5819 1A 20-40V 0.45-0.6 DO-412 1N5820-1N5822 3A 20-40V 0.45-0.6 DO-201AD3 SRT12-SRT100 1A 20-100V 0.55-0.85 R-14 SR10-SR50 1-5A 20-100V 0.55-0.855 SB120-SB1B0 1A 20-100V 0.55-0.85 DO-416 SB220-SB2B0 2A 20-100V 0.55-0.85 DO-157 SB320-SB3B0 3A 20-100V 0.55-0.85 DO-201AD8 SB520-SB5B0 5A 20-100V 0.55-0.85 D0-201AD9 ERA81-002~009 1A 20-90V 0.55-0.9 DO-4110 ERB81-002~009 2A 20-90V 0.55-0.9 DO-1511 ERC81-002~009 3A 20-90V 0.55-0.9 DO201AD12 EK03-EK09 1A 20-90V 0.55-0.81 DO-4113 EK13-EK19 1.5A 20-90V 0.55-0.81 DO-1514 EK33-EK39 2A 20-90V 0.55-0.81 DO-1515 EK43-EK49 3A 20-90V 0.55-0.81 DO-201AD(2)MBR、PBYR系列大电流肖特基整流二极管1 MBR1020-MBR1060 10A 20-60V 0.57-0.8 TO-220AC2 MBR1620-MBR1660 16A 20-60V 0.57-0.8 TO-220AC3 MBR2020CT-2060CT 20A 20-60V 0.57-0.8 TO-220AB4 MBR2520CT-2560CT 25A 20-60V 0.57-0.8 TO-220AB5 MBR3020PT-3060PT 30A 20-60V 0.57-0.8 TO-247AD6 MBR4020PT-4060PT 40A 20-60V 0.57-0.8 TO-247AD7 MBR6020PT-6060PT 60A 20-60V 0.57-0.8 TO-247AD8 PBYR735-745 7A 20-45V 0.56-0.66 TO-220AC9 PBYR1020-1060 10A 20-60V 0.56-0.77 TO-220AC10 PBYR1635-1660 16A 20-60V 0.56-0.77 TO-220AC11 PBYR2020CT-2045CT 20A 20-45V 0.56-0.65 TO-220AB12 PBYR3035PT-3060PT 30A 20-60V 0.56-0.77 TO-247AD 玻球快恢复二极管、玻钝芯片塑封二极管序号型号IF VRRM VF Trr 封装A V V ns(1)BYV、BYT、BYM、BYW玻球快恢复二极管1 BYV26A-BYV26E 1A 200-1000V 1.5 0.03 DO-204AP2 BYV12-BYV16 1.5A 100-1000V 1.5 0.3 DO-204AP3 BYV96A-BYV96E 1.5A 100-1000V 1.5 0.3 DO-204AP4 BYV27-50~200 2A 50-200V 1.1 0.025 DO-204AP5 BYV28-50~200 3.5A 50-200V 1.1 0.03 G36 BYT52A-BYT52M 1A 50-1000V 1.3 0.2 DO-204AP7 BYT54A-BYT54M 1.25A 50-1000V 1.5 0.1 DO-204AP8 BYT53A-BYT53M 1.5A 50-1000V 1.1 0.05 DO-204AP9 BYT56A-BYT56M 3A 200-1000V 1.4 0.1 G310 BYM26A-BYM26M 2.3A 200-1000V 1.5 0.03 G311 BYM36A-BYM36M 3A 200-1000V 1.1 0.15 G312 BYW32-BYW38 2A 200-1000V 1.1 0.2 DO-204AP13 BYW52-BYW56 2A 200-1000V 1.1 4 DO-204AP14 BYW72-BYW76 3A 200-600V 1.1 0.2 G315 BYW96A-BYW96E 3A 200-1000V 1.5 0.2 G316 BY228 3A 1500V 1.5 20 G3(2)GP、RGP系列玻钝芯片塑封二极管18 RGP01-10~RGP01-20 0.1A 1000-2000V 2 0.2-0.5 DO-4119 RGP05-10~RGP05-20 0.5A 1000-2000V 2 0.2-0.5 DO-4120 RGP10-RGP60 1-6A 50-2000V 1.3 0.15-0.5PD、TR、PR系列【高压】塑封二极管1 PD0112-PD0160 0.1A 1200-6000V 1.2-5 DO-412 PD0312-PD0360 0.3A 1200-6000V 1.2-5 DO-153 PD0512-PD0560 0.5A 1200-6000V 1.2-5 DO-154 PD112-PD130 1A 1200-3000V 1.2-4 DO-155 PD1512-PD1530 1.5A 1200-3000V 1.2-4 DO-156 PD212-PD220 2A 1200-2000V 1.2-2.5 DO-201AD7 PD312-PD320 3A 1200-2000V 1.2-2.5 DO-201AD8 PD612-PD620 6A 1200-2000V 1.2-2.5 R-69 TR0112-TR0160 0.1A 1200-6000V 1.5-8 0.5-0.8 DO-4110 TR0312-TR0360 0.3A 1200-6000V 1.5-8 0.5-0.8 DO-1511 TR0512-TR0560 0.5A 1200-6000V 1.5-8 0.5-0.8 DO-1512 TR112-TR130 1A 1200-3000V 1.5-6 0.5-0.8 DO-1513 TR1512-TR1530 1.5A 1200-3000V 1.5-6 0.5-0.8 DO-1514 TR212-TR220 2A 1200-2000V 1.5-2.7 0.5-0.8 DO-201AD15 TR312-TR320 3A 1200-2000V 1.5-2.7 0.5-0.7 DO-201AD16 TR612-TR620 6A 1200-2000V 1.5-2.7 0.5-0.8 R-617 PR01-PR1 0.1-1A 1200-3000V 1.5-4 0.1-0.5 DO-1519 RU4D-RP3F 1.5A-2A 1300-1500V 1.5 0.3 DO-201AD稳压二极管序号型号名称PZM VZW V1 BZX55 稳0.5W 2.4V-47V2 1N5985B~1N6031B 0.5W 2.4V-200V3 1N4728~1N4764 压1W 3.3V-100V4 1N5911B~1N5956B 1.5W 2.7V-200V5 2CW37-2.4~36 二0.5W 2.4V-36V6 2CW51-2CW68 0.25W 3V-28.5V7 2CW101-2CW121 极1W 3V-37.5V8 2DW50-2DW64 1W 41V-190V9 2DW80-2DW190 管3W 41V-190V10 2DW110-2DW151 10W 4.3V-470V11 2DW170-2DW202 50W 4.3V-200V12 2DW230-2DW236 【温度wd】补偿0.2W 5.8V-6.6V 稳压二极管高速开关二极管序号型号IC VRM Trr 封装mA V ns1 1N4148 150 100V 4 DO-352 1N4149-1N4154 150 35-100V 2--4 DO-353 1N4446-1N4454 150 40-100V 1--4 DO-354 1N914 75 100V 4 DO-355 BAV17-BAV21 250 25-250V 50 DO-356 BAW75-BAW76 300 35-75V 4 DO-357 2CK70-2CK79 10-280 20-60V 3--10 DO-358 2CK80-2CK85 10-300 20-60V 5--10 DO-359 1S1553-1S1555 100 70-35V 3 DO-3510 1S2471-1S2473 130-110 90-40V 3 DO-35塑封整流二极管序号型号IF VRRM VF 封装A V V1 1A1-1A7 1A 50-1000V 1.1 R-12 1N4001-1N4007 1A 50-1000V 1.1 DO-413 1N5391-1N5399 1.5A 50-1000V 1.1 DO-154 2A01-2A07 2A 50-1000V 1 DO-155 1N5400-1N5408 3A 50-1000V 0.95 DO-201AD6 6A05-6A10 6A 50-1000V 0.95 R-67 TS750-TS758 6A 50-800V 1.25 R-68 RL10-RL60 1A-6A 50-1000V 19 2CZ81-2CZ87 0.05A-3A 50-1000V 1 DO-4111 2DZ14-2DZ15 0.5A-1A 200-1000V 1 DO-4112 2DP3-2DP5 0.3A-1A 200-1000V 1 DO-4113 BYW27 1A 200-1300V 1 DO-4114 DR202-DR210 2A 200-1000V 1 DO-1515 BY251-BY254 3A 200-800V 1.1 DO-201AD16 BY550-200~1000 5A 200-1000V 1.1 R-517 PX10A02-PX10A13 10A 200-1300V 1.1 PX18 PX12A02-PX12A13 12A 200-1300V 1.1 PX19 PX15A02-PX15A13 15A 200-1300V 1.1 PX20 ERA15-02~13 1A 200-1300V 1 R-121 ERB12-02~13 1A 200-1300V 1 DO-1522 ERC05-02~13 1.2A 200-1300V 1 DO-1523 ERC04-02~13 1.5A 200-1300V 1 DO-1524 ERD03-02~13 3A 200-1300V 1 DO-201AD25 EM1-EM2 1A-1.2A 200-1000V 0.97 DO-1526 RM1Z-RM1C 1A 200-1000V 0.95 DO-1527 RM2Z-RM2C 1.2A 200-1000V 0.95 DO-1528 RM11Z-RM11C 1.5A 200-1000V 0.95 DO-1529 RM3Z-RM3C 2.5A 200-1000V 0.97 DO-201AD30 RM4Z-RM4C 3A 200-1000V 0.97 DO-201AD 快恢复塑封整流二极管序号型号IF VRRM VF Trr 封装A V V μs(1)快恢复塑封整流二极管1 1F1-1F7 1A 50-1000V 1.3 0.15-0.5 R-12 FR10-FR60 1A-6A 50-1000V 1.3 0.15-0.53 1N4933-1N4937 1A 50-600V 1.2 0.2 DO-414 1N4942-1N4948 1A 200-1000V 1.3 0.15-0.5 DO-415 BA157-BA159 1A 400-1000V 1.3 0.15-0.25 DO-416 MR850-MR858 3A 100-800V 1.3 0.2 DO-201AD7 EU1-EU2 0.25A-1A 100-1000V 1.3 0.4 DO-418 20DF1-20DF10 2A 100-1000V 1.3 0.2 DO-159 30DF1-30DF10 3A 100-1000V 1.3 0.2 DO-201AD10 RU1-RU4 0.25A-3A 100-1000V 1.3 0.411 ERA22-02~10 0.5A 200-1000V 1.3 0.4 R-112 ERA18-02~10 0.8A 200-1000V 1.3 0.4 R-113 ERB43-02~10 0.5A 200-1000V 1.3 0.4 DO-4114 ERB44-02~10 1A 200-1000V 1.3 0.4 DO-1515 ERC18-02~10 1.2A 200-1000V 1.3 0.4 DO-1516 ERD28-02~10 1.5A 200-1000V 1.3 0.4 DO-201AD17 ERD29-02~10 2.5A 200-1000V 1.3 0.4 DO-201AD18 ERD32-02~10 3A 200-1000V 1.3 0.4 DO-201AD19 ERD09-13~15 3A 1300-1500V 1.5 0.6 R-5(2)SK、2CG系列快恢复整流二极管1 SK1-02~30 1.5A 200-3000V 1.3-4 0.5-1 DO-152 SK2-02~30 1A 200-3000V 1.3-4 0.5-1 DO-413 SK3-02~30 2A 200-3000V 1.3-4 0.5-1 DO-154 SK4-02~30 0.5A 300-3000V 1.3-4 0.5-1 DO-415 2CG04-2CG30 0.2A 300-3000V 1.3-4 0.5-1 DO-41 (3)快恢复塑封阻尼二极管1 2CN1-2CN1C 1A 200-1200V 1.32 DO-412 2CN2D-2CN2M 0.5A 200-1000V 1.3 2 DO-413 2CN3D-2CN3M 1A 200-1000V 1.3 6 DO-414 2CN4D-2CN4M 1.5A 200-1000V 1.3 0.8 DO-155 2CN5D-2CN5M 1.5A 200-1000V 1 1 DO-156 2CN6D-2CN6M 1A 200-1000V 1.3 6 DO-417 2CN12D-2CN12M 3A 200-1000V 1.3 1 DO-201AD8 RH1Z-RH1C 0.6A 200-1000V 1.3 4 DO-419 TVR4J-TVR4N 1.2A 600-1000V 1.2 20 DO-15欢迎下载，谢谢观看！资料仅供参考学习。

MOS管选型指南

MOS管选型指南

MOS管选型指南MOSFET，即金属氧化物半导体场效应晶体管，是一种常用的功率开关器件。

其结构简单，能够在低电压下工作，并具有高开关速度和低开关损耗等优点。

因此，MOSFET广泛应用于电力电子、汽车电子、工业控制和通信设备等领域。

在选择MOSFET时，需要考虑以下几个方面：1.电压与电流要求：首先，需要确定所需工作电压和电流范围。

根据应用的不同，MOSFET的电压和电流要求可能有所不同。

例如，电力电子领域通常需要承受较高的电压和电流，而通信设备领域则可能对电压和电流有较严格的限制。

2.耗散功率：MOSFET的耗散功率也是选择的重要考虑因素之一、当MOSFET处于导通状态时，其内部会产生一定的功耗，这会导致器件发热。

当功耗过大时，需要采取散热措施或选择功耗较低的器件。

3.开关速度：开关速度是指MOSFET从导通到截止（或相反）的时间。

一般来说，开关速度较快的MOSFET能够更快地响应控制信号，实现高频开关。

对于一些高频开关电路，如无线通信设备中的射频开关，开关速度要求较高。

4.RDS(ON)：RDS(ON)是MOSFET的导通电阻。

导通电阻越小，MOSFET的开关损耗就越小，并且能够更好地导通高电流。

因此，在选择MOSFET 时，需要根据应用的要求选择合适的RDS(ON)。

5.均衡特性：MOSFET的均衡特性是指在不同工况下，如温度、电压和电流等，其关键参数是否保持稳定。

一些高可靠性应用，如航空航天和军事领域，对器件的均衡特性要求较高。

6.可靠性：MOSFET的可靠性与其设计、制造和封装质量有关。

在选择MOSFET时，建议选择来自知名厂商的产品，并确保符合行业标准和认证要求。

此外，了解厂商的质量控制和售后服务也是必要的。

7.价格和供应链：价格和供应链也是考虑因素之一、选择合理的价格范围，并确保能够获得稳定的供应，以避免因材料短缺或停产等问题导致生产或维修困难。

总之，选型MOSFET需要综合考虑电压和电流要求、耗散功率、开关速度、RDS(ON)、均衡特性、可靠性、价格和供应链等因素。

mosfet 选型注意事项

mosfet 选型注意事项

mosfet 选型注意事项
MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）是一种常用的功率开关器件，选型时需要考虑以下几个注意事项：
1. 额定电压（Vds）：根据实际工作电压要求选择合适的MOSFET。

额定电压应略大于实际工作电压，以确保稳定性和可靠性。

2. 最大漏极电流（Id）：根据应用中的最大负载电流需求选择MOSFET。

确保所选器件的最大漏极电流能够满足工作条件下的要求。

3. 开关速度（开关时间和关断时间）：开关速度与开关特性有关，一般由电荷注入和排除时间决定。

根据应用的频率和需求，选择合适的开关速度。

高频应用通常需要更快的开关速度。

4. 导通电阻（Rds(on)）：导通电阻是指MOSFET在导通状态下的电阻，直接影响功耗和效率。

较低的导通电阻意味着更小的功耗和更高的效率，因此选择较低的导通电阻更为理想。

5. 耐压能力：MOSFET的耐压能力决定了其在高压环境下的可靠性和稳定性。

根据实际工作电压需求选择合适的耐压能力。

6. 温度特性：MOSFET在高温环境下会产生热量，因此需要考虑器件的温度特性以及散热措施。

确保所选MOSFET
具有良好的温度特性，并能够在实际工作条件下稳定工作。

7. 附加特性：根据应用需求，可能还需要考虑其他附加特性，如阻尼比、静态工作点等。

根据具体应用场景，选择适合的附加特性。

最后，为了确保选型准确，建议参考器件的数据手册和规格书，以获得更详细和专业的信息。

MOSFET选型参考文档

MOSFET选型参考文档

MOSFET选型参考文档最大额定参数，所有数值取得条件(Ta=25℃)VDSS 最大漏-源电压在栅源短接，漏-源额定电压(VDSS)是指漏-源未发生雪崩击穿前所能施加的最大电压。

根据温度的不同，实际雪崩击穿电压可能低于额定VDSS。

关于V(BR)DSS的详细描述请参见静电学特性.VGS 最大栅源电压VGS额定电压是栅源两极间可以施加的最大电压。

设定该额定电压的主要目的是防止电压过高导致的栅氧化层损伤。

实际栅氧化层可承受的电压远高于额定电压，但是会随制造工艺的不同而改变，因此保持VGS在额定电压以内可以保证应用的可靠性。

ID - 连续漏电流ID定义为芯片在最大额定结温TJ(max)下，管表面温度在25℃或者更高温度下，可允许的最大连续直流电流。

该参数为结与管壳之间额定热阻RθJC和管壳温度的函数：ID中并不包含开关损耗，并且实际使用时保持管表面温度在25℃（Tcase）也很难。

因此，硬开关应用中实际开关电流通常小于ID 额定值@ TC = 25℃的一半，通常在1/3～1/4。

补充，如果采用热阻JA的话可以估算出特定温度下的ID，这个值更有现实意义。

IDM -脉冲漏极电流该参数反映了器件可以处理的脉冲电流的高低，脉冲电流要远高于连续的直流电流。

定义IDM的目的在于：线的欧姆区。

对于一定的栅-源电压，MOSFET导通后，存在最大的漏极电流。

如图所示，对于给定的一个栅-源电压，如果工作点位于线性区域内，漏极电流的增大会提高漏-源电压，由此增大导通损耗。

长时间工作在大功率之下，将导致器件失效。

因此，在典型栅极驱动电压下，需要将额定IDM设定在区域之下。

区域的分界点在Vgs和曲线相交点。

因此需要设定电流密度上限，防止芯片温度过高而烧毁。

这本质上是为了防止过高电流流经封装引线，因为在某些情况下，整个芯片上最“薄弱的连接”不是芯片，而是封装引线。

考虑到热效应对于IDM的限制，温度的升高依赖于脉冲宽度，脉冲间的时间间隔，散热状况，RDS(on)以及脉冲电流的波形和幅度。

mosfet驱动变压器 选型原则

mosfet驱动变压器 选型原则

mosfet驱动变压器选型原则全文共四篇示例，供读者参考第一篇示例：MOSFET驱动变压器是现代电子设备中常见的元器件之一，它主要用于控制电力的变换和传输。

在选择合适的MOSFET驱动变压器时，有一些重要的选型原则需要考虑，以确保电路稳定可靠、性能优良。

本文将详细介绍MOSFET驱动变压器的选型原则，帮助读者更好地了解和选择适合自己需求的变压器。

一、电路需求分析在选择MOSFET驱动变压器之前，首先需要对电路的需求进行充分的分析。

包括输出功率、输入电压、输出电压、频率等参数的需求。

通过分析电路的需求，可以确定所需要的变压器的性能指标，为后续的选型提供依据。

二、工作环境考虑MOSFET驱动变压器在工作时会受到温度、湿度等环境因素的影响，因此需要考虑工作环境对变压器的影响。

一般来说，工作环境温度越高，变压器的功率损耗越大，因此需要选择适合高温环境下工作的变压器。

三、电压容忍度在选择MOSFET驱动变压器时，还需要考虑其电压容忍度。

即变压器能够承受的最大电压。

需要根据电路输入输出的电压范围来选择合适的变压器，以避免电压过高导致变压器损坏。

四、响应速度MOSFET驱动变压器的响应速度对电路的稳定性和性能有很大影响，因此在选型时需要考虑变压器的响应速度。

一般来说，响应速度越快，电路的响应时间越短，但也可能导致电路的不稳定性。

五、脉冲宽度调制脉冲宽度调制（PWM）是现代电子设备中常用的调制技术，能够有效控制电路输出功率。

在选择MOSFET驱动变压器时，需要考虑其支持PWM技术的能力，以确保电路正常工作。

六、尺寸和重量还需要考虑MOSFET驱动变压器的尺寸和重量。

一般来说，尺寸越小、重量越轻的变压器在实际应用中更加方便，能够节省空间和降低成本。

选择MOSFET驱动变压器的选型原则包括电路需求分析、工作环境考虑、电压容忍度、响应速度、脉冲宽度调制以及尺寸和重量等方面。

通过综合考虑这些因素，可以选择出适合自己需求的MOSFET驱动变压器，确保电路的稳定性、性能和可靠性。

桥式拓扑结构功率MOSFET驱动电路设计

桥式拓扑结构功率MOSFET驱动电路设计

桥式拓扑结构功率MOSFET驱动电路设计一、引言桥式拓扑结构功率MOSFET驱动电路广泛应用于电机驱动、变换器和逆变器等领域。

它通过驱动四个功率MOSFET管来控制电流的流向和大小，实现对电机的驱动和控制。

本文将详细介绍桥式拓扑结构功率MOSFET驱动电路的设计过程和相关优化方法。

二、功率MOSFET选型在设计功率MOSFET驱动电路之前，首先需要选择适合的功率MOSFET。

功率MOSFET一般有P沟道MOSFET和N沟道MOSFET两种类型，其工作原理和特性有所不同。

选型时需要考虑电压、电流和功率等因素，并根据具体应用要求选择合适的型号。

三、桥式拓扑结构设计1.电源电压选择(1)单端驱动电路设计：单端驱动电路设计简单，成本低，适用于一般应用。

其原理是通过单个驱动信号来控制四个功率MOSFET管的开关状态。

单端驱动电路一般采用光耦隔离器、门极驱动器等元件来实现。

(2)差分驱动电路设计：差分驱动电路设计复杂，成本较高，但可以提供更好的电流响应和抗干扰能力。

其原理是通过两个驱动信号，分别控制上半桥和下半桥的功率MOSFET管。

差分驱动电路一般采用差分信号放大器、反相器等元件来实现。

3.控制电路设计控制电路用于产生驱动信号，并控制功率MOSFET管的开关状态。

常用的控制方法有PWM控制、频率控制等。

(1)PWM控制：PWM控制是最常用的控制方法，通过改变PWM信号的占空比来调节输出功率。

PWM控制电路一般包括比较器、计数器、参考电压源等元件。

(2)频率控制：频率控制是改变开关频率来调节输出功率的一种方法。

频率控制电路需要设计一个可调的频率源，并与PWM控制结合使用。

四、优化方法为了提高桥式拓扑结构功率MOSFET驱动电路的性能，还可以采取一些优化方法，如减小开关损耗、提高效率等。

1.减小开关损耗：开关损耗主要包括导通损耗和关断损耗。

导通损耗可以通过选择低导通电阻的功率MOSFET来减小；关断损耗可以通过采用恢复二极管等元件来减小。

ao半导体mosfet场效应管参数选型表

ao半导体mosfet场效应管参数选型表

英文回答：When considering parameters for an AO semiconductor MOSFET field-effect transistor, it is imperative to take into account several critical factors. The primary parameter of concern is the drain-source voltage (VDS) rating, which denotes the maximum voltage that can be sustained between the drain and source terminals without inducing damage to the MOSFET. It is essential to opt for a MOSFET with a VDS rating that surpasses the maximum anticipated voltage in the given application.在考虑AO半导体MOSFET场效应晶体管的参数时，必须考虑几个关键因素。

关注的主要参数是排水源电压（VDS）的评级，它表示排水源和源终端之间可以维持的最大电压，而不会对MOSFET造成损害。

必须选择一个具有超过特定应用中最大预期电压的VDS评级的MOSFET。

Another important thing to check when choosing a MOSFET is the drain current (ID) rating. This rating tells you the maximum continuous current the MOSFET can handle without getting too hot. You want to make sure the ID rating is higher than the maximum current your application will use. Another importantthing to look at is the on-state resistance (RDS(on)). This tells you how much resistance the MOSFET has when it's fully turned on. The lower the RDS(on) value, the better because it meansthe MOSFET is more efficient.另一个在选择MOSFET时需要检查的重要问题是排水流（ID）的评级。

MOS管选型注重的参数

MOS管选型注重的参数

MOS管选型注重的参数
1、负载电流IL --它直接决定于MOSFET的输出能力；
2、输入-输出电压--它受MOSFET负载占空比能力限制；
3、开关频率FS--参数影响MOSFET开关瞬间的耗散功率；
4、MOS管最大允许工作温度--这要满足系统指定的可靠性目标。

MOSFET广泛使用在模拟电路与数字电路中，和我们的生活密不可分。

MOSFET的优势在于：首先驱动电路比较简单。

MOSFET需要的驱动电流比BJT则小得多，而且通常可以直接由CMOS或者集电极开路TTL驱动电路驱动；其次MOSFET的开关速度比较迅速，能够以较高的速度工作，因为没有电荷存储效应；另外MOSFET没有二次击穿失效机理，它在温度越高时往往耐力越强，而且发生热击穿的可能性越低，还可以在较宽的温度范围内提供较好的性能。

MOSFET已经得到了大量应用，在消费电子、工业产品、机电设备、智能手机以及其他便携式数码电子产品中随处可见。

功率MOSFET选型第一步：P管,还是N管

功率MOSFET选型第一步：P管,还是N管

功率MOSFET有二种类型：N沟通和P沟道，在系统设计的过程中，选择N管还是P管，要针对实际的应用具体来选择。

下面先讨论这二种沟道的功率MOSFET的特征，然后再论述选择的原则。

1、N沟通和P沟道功率MOSFET结构图1列出这二种沟道功率MOSFET的结构，都是沟槽型Trench结构。

从结构上来看，衬底都是漏极D，但半导体的类型不同：N沟道的漏极是N型半导体，P沟道的漏极是P型半导体。

当N沟道的功率MOSFET的G极、S极加上正向电压后，在G极的下面的P型体区，就会形成一个非常薄的反型层N型，这样D极的N、反型层N、S极的N，就会形成导通的路径。

图1：N沟道(左）、P沟道MOSFET结构P沟道的工作原理和N沟道类似，从上面导通过程可以看到：功率MOSFET是单极性器，N沟道的功率MOSFET只有电子导电，P沟道的功率MOSFET只有空穴导电。

硅半导体中，由于热能的存在，电子和空穴，统称为载流子，在晶格中不停的运动，与晶格的其它原子发生碰撞，使它们的运动发生偏转、减速或加速。

电子和空穴二次碰撞间移动的距离称为平均自由程，通常用二次晶格碰撞的平均时间tc表示。

另外，电子和空穴，在电场的作用下，沿着特征的方向产生运动，这种运动称为载流子的漂移。

载流子由于电场的作用在晶格中平均移动的速度称为漂移速度。

载流子的漂移速度和电场成正比，比例系数称为迁移率u。

vn = -un evp = up e图2：空穴和电子的迁移率迁移率和tc成正比，由于空穴的有效质量比较大，因此在同样的掺杂浓度下，空穴的迁移率远小于电子，这意味着：同样的晶元面积，P沟道的功率MOSFET的导通电阻也远大于N沟道的功率MOSFET。

2、N沟通和P沟道功率MOSFET驱动N沟道的功率MOSFET连接方式：电源输入正极连接到D极，由S极输出；驱动电压的正加在G极，驱动电压的负加在S极。

P沟道的功率MOSFET连接方式：电源输入正极连接到S极，由D极输出；驱动电压的正加在S极，驱动电压的负加在G极。

10步法则教你MOSFET选型

10步法则教你MOSFET选型

10步法则教你MOSFET选型俗话说“人无远虑必有近忧”，对于电子设计工程师，在项目开始之前，器件选型之初，就要做好充分考虑，选择最适合自己需要的器件，才能保证项目的成功。

功率MOSFET恐怕是工程师们最常用的器件之一了，但你知道吗？关于MOSFET的器件选型要考虑方方面面的因素，小到选N型还是P 型、封装类型，大到MOSFET的耐压、导通电阻等，不同的应用需求千变万化，下面这篇文章总结了MOSFET器件选型的10步法则，相信看完你会大有收获。

1、功率MOSFET选型第一步：P管，还是N管？功率MOSFET有两种类型：N沟道和P沟道，在系统设计的过程中选择N管还是P管，要针对实际的应用具体来选择，N沟道MOSFET选择的型号多，成本低；P沟道MOSFET选择的型号较少，成本高。

如果功率MOSFET的S极连接端的电压不是系统的参考地，N沟道就需要浮地供电电源驱动、变压器驱动或自举驱动，驱动电路复杂；P沟道可以直接驱动，驱动简单。

需要考虑N沟道和P沟道的应用主要有：（1）笔记本电脑、台式机和服务器等使用的给CPU和系统散热的风扇，打印机进纸系统电机驱动，吸尘器、空气净化器、电风扇等白家电的电机控制电路，这些系统使用全桥电路结构，每个桥臂上管可以使用P管，也可以使用N管。

（2）通信系统48V输入系统的热插拨MOSFET放在高端，可以使用P管，也可以使用N管。

（3）笔记本电脑输入回路串联的、起防反接和负载开关作用的二个背靠背的功率MOSFET，使用N沟道需要控制芯片内部集成驱动的充电泵，使用P沟道可以直接驱动。

2、选取封装类型功率MOSFET的沟道类型确定后，第二步就要确定封装，封装选取原则有：（1）温升和热设计是选取封装最基本的要求不同的封装尺寸具有不同的热阻和耗散功率，除了考虑系统的散热条件和环境温度，如是否有风冷、散热器的形状和大小限制、环境是否封闭等因素，基本原则就是在保证功率MOSFET的温升和系统效率的前提下，选取参数和封装更通用的功率MOSFET。

buck电路中关于二极管和mosfet的选型思路

buck电路中关于二极管和mosfet的选型思路

buck电路中关于二极管和mosfet的选型思路Buck电路是一种常见的DC-DC转换器，主要用于将高电压降压为低电压的应用，如手机充电器、计算机电源等。

在设计Buck电路时，合适的二极管和MOSFET选型是非常重要的，本文将介绍选型的思路。

1. 二极管选型在Buck电路中，二极管主要用于反向电流的传导，因此选型时需要考虑承受反向电压的能力、导通电压降和反向恢复时间等参数。

常用的二极管有快恢复二极管、超快恢复二极管和肖特基二极管等。

快恢复二极管具有快速恢复时间和低反向电流，适用于输入电压高的应用。

超快恢复二极管具有更短的恢复时间，但导通电压降较大。

肖特基二极管则具有快速恢复时间和低导通电压降，但承受反向电压能力较低。

通常情况下，可以先根据应用要求确定承受最大反向电压和反向恢复时间等参数，再选择合适的二极管型号。

2. MOSFET选型MOSFET是Buck电路中的关键元器件，主要用于开关管的控制，因此选型时需要考虑导通电阻、开关速度和耐压能力等参数。

常用的MOSFET有N沟道和P沟道两种，其中N沟道MOSFET应用更为广泛。

在选型时，需要考虑最大工作电压、最大工作电流、导通电阻和开关速度等因素。

较低的导通电阻能够减少开关损耗，提高转换效率，但同时也会加大MOSFET的功耗，产生热量，因此需要权衡选择。

而较快的开关速度可以减少开关过程中的功耗，提高转换效率，但可能会产生较高的压降和电磁干扰。

一般情况下，可以使用官方提供的数据手册确定MOSFET的最大工作电压、最大工作电流和导通电阻等参数，并计算出MOSFET的功耗和热量等参数，再综合考虑选择合适的MOSFET型号。

请注意，在选型时，还需要考虑Buck电路的控制方式、输出电压和输出电流等参数，并根据它们选择合适的二极管和MOSFET。

同时，也需要考虑成本、可靠性和稳定性等方面因素，综合选择合适的元器件。

最后，选型完成后要进行模拟和实验验证，确保电路的性能和稳定性。

电力电子技术中的开关器件选型与应用

电力电子技术中的开关器件选型与应用

电力电子技术中的开关器件选型与应用在电力电子技术领域，开关器件是一类重要的元件，用于控制电流的通断状态，实现电能的有效转换和控制。

合理选型和应用开关器件对电力电子系统的稳定性和效能至关重要。

本文将介绍几种常见的开关器件，并探讨它们的选型和应用。

一、晶闸管（Thyristor）晶闸管是一种双向导电的开关器件，具有高电流和高耐压能力。

它通常用于高功率变频器、变压器和整流器等电力电子系统中。

在选型时，需要考虑晶闸管的耐压能力、导通电流和耗散功率等参数。

此外，还需注意触发电流的大小和触发方式的选择，以确保系统的可靠性。

二、功率MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor）功率MOSFET是一种常用的开关器件，具有高效率和快速开关速度。

它在电源开关、转换器和电机驱动等领域被广泛应用。

在选型时，需要考虑MOSFET的额定电流、耐压能力和导通电阻等参数。

此外，还需注意漏极电流的大小和静态工作点的选取，以确保系统的稳定性和效率。

三、IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）IGBT是一种高压高速开关器件，融合了MOSFET和晶闸管的优点。

它具有低导通电阻、高断电耐压和快速开关速度，适用于高频开关电源和电动机控制等领域。

在选型时，需要考虑IGBT的额定电流、耐压能力和开关速度等参数。

此外，还需注意控制电压的大小和驱动电路的设计，以确保系统的可靠性和性能。

四、SiC MOSFET（Silicon Carbide Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor）SiC MOSFET是一种新型的功率半导体器件，具有更低的导通电阻和开关损耗。

它在高温和高频环境下表现出色，被广泛应用于电力电子系统和电动车的驱动控制。

在选型时，需要考虑SiC MOSFET的额定电流、耐压能力和热特性等参数。

MOSFET的选型

MOSFET的选型

Poff_on=
fs
×∫
V (t) Tx DS(off_on)
×
I (t) D(off_on)S
×
dt
实际计算中主要有两种假设 — 图 (A) 那种假设认为 V (t) DS(off_on) 的开始下降与 I (t) DS(off_on) 的逐渐上升同时发 生；图 (B) 那种假设认为 V (t) DS(off_on) 的下降是从 I (t) DS(off_on) 上升到最大值后才开始。图 (C) 是 FLYBACK 架 构路中一 MOSFET 实际测试到的波形，其更接近于 (A) 类 假设。针对这两种假设延伸出两种计算公式：
建议初选之基本步骤：
下面详细解释其中各参数选择之原则及注意事项。 1 ）电压应力：
在电源电路应用中，往往首先考虑漏源电压 VDS 的选择。在此上的基本原则为 MOSFET 实际工作环境中的最大峰值漏源极间的电压不大于器件规格书中标称漏源击穿电压的 90% 。即：
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VDS_peak ≤ 90% * V(BR)DSS
SW 04-3-01 V1.01
注：一般地， V(BR)DSS 具有正温度系数。故应取设备最低工作温度条件下之 V(BR)DSS 值作 为参考。
2） 漏极电流：
其次考虑漏极电流的选择。基本原则为 MOSFET 实际工作环境中的最大周期漏极电流 不大于规格书中标称最大漏源电流的 90% ；漏极脉冲电流峰值不大于规格书中标称漏极 脉冲电流峰值的 90% 即： ID_max ≤ 90% * I D
6） 耗散功率约束：
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Semiconductors

常用高压MOSFET型号

常用高压MOSFET型号

场效应管分类型号简介封装DISCRETEMOS FET 2N7000 60V,0.115A TO-92 DISCRETEMOS FET 2N7002 60V,0.2A SOT-23 DISCRETEMOS FET IRF510A 100V,5.6A TO-220 DISCRETEMOS FET IRF520A 100V,9.2A TO-220 DISCRETEMOS FET IRF530A 100V,14A TO-220 DISCRETEMOS FET IRF540A 100V,28A TO-220 DISCRETEMOS FET IRF610A 200V,3.3A TO-220 DISCRETEMOS FET IRF620A 200V,5A TO-220 DISCRETEMOS FET IRF630A 200V,9A TO-220 DISCRETEMOS FET IRF634A 250V,8.1A TO-220 DISCRETEMOS FET IRF640A 200V,18A TO-220 DISCRETEMOS FET IRF644A 250V,14A TO-220 DISCRETEMOS FET IRF650A 200V,28A TO-220 DISCRETEMOS FET IRF654A 250V,21A TO-220 DISCRETEMOS FET IRF720A 400V,3.3A TO-220 DISCRETEMOS FET IRF730A 400V,5.5A TO-220 DISCRETEMOS FET IRF740A 400V,10A TO-220 DISCRETEMOS FET IRF750A 400V,15A TO-220 DISCRETEMOS FET IRF820A 500V,2.5A TO-220 DISCRETEMOS FET IRF830A 500V,4.5A TO-220 DISCRETEMOS FET IRF840A 500V,8A TO-220 DISCRETEMOS FET IRF9520 TO-220 DISCRETEMOS FET IRF9540 TO-220 DISCRETEMOS FET IRF9610 TO-220 DISCRETEMOS FET IRF9620 TO-220 DISCRETEMOS FET IRFP150A 100V,43A TO-3P DISCRETEMOS FET IRFP250A 200V,32A TO-3P DISCRETEMOS FET IRFP450A 500V,14A TO-3P DISCRETEMOS FET IRFR024A 60V,15A D-PAK DISCRETEMOS FET IRFR120A 100V,8.4A D-PAK DISCRETEMOS FET IRFR214A 250V,2.2A D-PAK DISCRETEMOS FET IRFR220A 200V,4.6A D-PAK DISCRETEMOS FET IRFR224A 250V,3.8A D-PAK DISCRETEMOS FET IRFR310A 400V,1.7A D-PAK DISCRETEMOS FET IRFR9020TF D-PAK DISCRETEMOS FET IRFS540A 100V,17A TO-220F DISCRETEMOS FET IRFS630A 200V,6.5A TO-220F DISCRETEMOS FET IRFS634A 250V,5.8A TO-220F DISCRETEMOS FET IRFS640A 200V,9.8A TO-220F DISCRETEMOS FET IRFS644A 250V,7.9A TO-220F DISCRETEMOS FET IRFS730A 400V,3.9A TO-220F DISCRETEMOS FET IRFS740A 400V,5.7A TO-220F DISCRETEMOS FET IRFS830A 500V,3.1A TO-220F DISCRETEDISCRETEMOS FET IRFS9Z34 -60V,12A TO-220F DISCRETEMOS FET IRFSZ24A 60V,14A TO-220F DISCRETEMOS FET IRFSZ34A 60V,20A TO-220F DISCRETEMOS FET IRFU110A 100V,4.7A I-PAK DISCRETEMOS FET IRFU120A 100V,8.4A I-PAK DISCRETEMOS FET IRFU220A 200V,4.6A I-PAK DISCRETEMOS FET IRFU230A 200V,7.5A I-PAK DISCRETEMOS FET IRFU410A 500V I-PAK DISCRETEMOS FET IRFU420A 500V,2.3A I-PAK DISCRETEMOS FET IRFZ20A TO-220 DISCRETEMOS FET IRFZ24A 60V,17A TO-220 DISCRETEMOS FET IRFZ30 TO-220DISCRETEMOS FET IRFZ34A 60V,30A TO-220 DISCRETEMOS FET IRFZ40 TO-220DISCRETEMOS FET IRFZ44A 60V,50A TO-220 DISCRETEMOS FET IRLS530A 100V,10.7A,Logic TO-220F DISCRETEMOS FET IRLSZ14A 60V,8A,Logic TO-220F DISCRETEMOS FET IRLZ24A 60V,17A,Logic TO-220 DISCRETEMOS FET IRLZ44A 60V,50A,Logic TO-220 DISCRETEMOS FET SFP36N03 30V,36A TO-220 DISCRETEMOS FET SFP65N06 60V,65A TO-220 DISCRETEDISCRETEMOS FET SFP9634 -250V,5A TO-220 DISCRETEMOS FET SFP9644 -250V,8.6A TO-220 DISCRETEMOS FET SFP9Z34 -60V,18A TO-220 DISCRETEMOS FET SFR9214 -250V,1.53A D-PAK DISCRETEMOS FET SFR9224 -250V,2.5A D-PAK DISCRETEMOS FET SFR9310 -400V,1.5A D-PAK DISCRETEMOS FET SFS9630 -200V,4.4A TO-220F DISCRETEMOS FET SFS9634 -250V,3.4A TO-220F DISCRETEMOS FET SFU9220 -200V,3.1A I-PAK DISCRETEMOS FET SSD2002 25V N/P Dual 8SOP DISCRETEMOS FET SSD2019 20V P-ch Dual 8SOP DISCRETEMOS FET SSD2101 30V N-ch Single 8SOP DISCRETEMOS FET SSH10N80A 800V,10A TO-3P DISCRETEMOS FET SSH10N90A 900V,10A TO-3P DISCRETEMOS FET SSH5N90A 900V,5A TO-3P DISCRETEMOS FET SSH60N10 TO-3P DISCRETEMOS FET SSH6N80A 800V,6A TO-3P DISCRETEMOS FET SSH70N10A 100V,70A TO-3P DISCRETEMOS FET SSH7N90A 900V,7A TO-3P DISCRETEMOS FET SSH9N80A 800V,9A TO-3P DISCRETEMOS FET SSP10N60A 600V,9A TO-220 DISCRETEDISCRETEMOS FET SSP2N90A 900V,2A TO-220 DISCRETEMOS FET SSP35N03 30V,35A TO-220 DISCRETEMOS FET SSP3N90A 900V,3A TO-220 DISCRETEMOS FET SSP4N60A 600V,4A TO-220 DISCRETEMOS FET SSP4N60AS 600V,4A TO-220 DISCRETEMOS FET SSP4N90AS 900V,4.5A TO-220 DISCRETEMOS FET SSP5N90A 900V,5A TO-220 DISCRETEMOS FET SSP60N06 60V,60A TO-220 DISCRETEMOS FET SSP6N60A 600V,6A TO-220 DISCRETEMOS FET SSP70N10A 100V,55A TO-220 DISCRETEMOS FET SSP7N60A 600V,7A TO-220 DISCRETEMOS FET SSP7N80A 800V,7A TO-220 DISCRETEMOS FET SSP80N06A 60V,80A TO-220 DISCRETEMOS FET SSR1N60A 600V,0.9A D-PAK DISCRETEMOS FET SSR2N60A 600V,1.8A D-PAK DISCRETEMOS FET SSR3055A 60V,8A D-PAK DISCRETEMOS FET SSS10N60A 600V,5.1A TO-220F DISCRETEMOS FET SSS2N60A 600V,1.3A TO-220F DISCRETEMOS FET SSS3N80A 800V,2A TO-220F DISCRETEMOS FET SSS3N90A 900V,2A TO-220F DISCRETEMOS FET SSS4N60A 600V,3.5A TO-220(F/P) DISCRETEMOS FET SSS4N60AS 600V,2.3A TO-220(F/P) DISCRETEMOS FET SSS4N60AS 600V,2.3A TO-220F DISCRETEMOS FET SSS4N90AS 900V,2.8A TO-220F DISCRETEMOS FET SSS5N80A 800V,3A TO-220F DISCRETEMOS FET SSS6N60A 600V, TO-220(F/P)。

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MOS基本知识介绍
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3. MOSFET 的工作原理 MOSFET的工作原理
使增强型N沟道MOSFET工作，要在G、S之间加正电压VGS及在D、S之间加正电压VDS，则产 生正向工作电流ID。改变VGS的电压可控制工作电流ID。如图3所示（上面↑）。 若先不接VGS(即VGS＝0)，在D与S极之间加一正电压VDS，漏极D与衬底之间的PN结处于 反向，因此漏源之间不能导电。如果在栅极G与源极S之间加一电压VGS。此时可以将栅极 与衬底看作电容器的两个极板，而氧化物绝缘层作为电容器的介质。当加上VGS时，在绝 缘层和栅极界面上感应出正电荷，而在绝缘层和P型衬底界面上感应出负电荷(如图3)。 这层感应的负电荷和P型衬底中的多数载流子(空穴)的极性相反，所以称为“反型层”，这 反型层有可能将漏与源的两N型区连接起来形成导电沟道。当VGS电压太低时，感应出来 的负电荷较少，它将被P型衬底中的空穴中和，因此在这种情况时，漏源之间仍然无电流 ID。当VGS增加到一定值时，其感应的负电荷把两个分离的N区沟通形成N沟道，这个临界 电压称为开启电压(或称阈值电压、门限电压)，用符号VT表示(一般规定在ID＝10uA时的 VGS作为VT)。当VGS继续增大，负电荷增加，导电沟道扩大，电阻降低，ID也随之增加， 并且呈较好线性关系，如图4所示。此曲线称为转换特性。因此在一定范围内可以认为， 改变VGS来控制漏源之间的电阻，达到控制ID的作用。 由于这种结构在VGS＝0时，ID＝0，称这种MOSFET为增强型。另一类MOSFET，在VGS＝0 时也有一定的ID(称为IDSS)，这种MOSFET称为耗尽型。它的结构如图5所示，它的转移特 性如图6所示。VP为夹断电压ID。
2. MOSFET 的结构 MOSFET的结构
图1是典型平面N沟道增强型MOSFET的剖面图。它用一块P型硅半导体材料作衬底(图la)，在其 面上扩散了两个N型区(图lb)，再在上面覆盖一层二氧化硅(SiQ2)绝缘层(图lc)，最后在N 区上方用腐蚀的方法做成两个孔，用金属化的方法分别在绝缘层上及两个孔内做成三个电 极：G(栅极)、S(源极)及D(漏极)，如图1d所示。 从图1中可以看出栅极G与漏极D及源极S是绝缘的，D与S之间有两个PN结。一般情况下， 衬底与源极在内部连接在一起。 图1是N沟道增强型MOSFET的基本结构图。为了改善某些参数的特性，如提高工作电流、 提高工作电压、降低导通电阻、提高开关特性等有不同的结构及工艺，构成所谓VMOS、 DMOS、TMOS等结构。 图2是一种N沟道增强型功率MOSFET的结构图。
如何读懂并理解MOSFET的Datasheet
MGP 的功率 MOS 数据说明书包含的信息 (以MC2450 为例） MGP的功率 的功率MOS MOS数据说明书包含的信息 数据说明书包含的信息( MC2450为例） 快速参考数据（最重要的是漏源电压VDS和开启状态下的漏源阻抗RDS(ON).VDS是器件在断开状态下漏 极和源极所能承受的最大电压。RDS(ON)是器件在给定栅极电压以及25的接温这两个条件下最大的 开启阻抗（RDS(ON)由温度决定）这两个参数可以说明器件最关键的性能。 极限值（这个表格式值器件可以在此范围内运行但是不能超出这个值，一旦超出将会对器件发生损坏） 静态性能（这个部分的参数描述击穿电压，开启电压，泄漏电流。开启阻抗的特性） 动态性能（包括跨导，电容以及转换时间） 反向二极管极限值及特性（反向二极管是垂直结构的功率MOSFET固有的） 图形数据
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6. MOSFET 的选取 MOSFET的选取
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MOS选取主要分为以下几个步骤： 第一步：选用N沟道还是P-沟道 NMOS栅极低电平时关闭，高电平时开启，PMOS恰好相反；相同电流和电压定额的MOS，一 般PMOS导通电阻比NMOS大，开关速度也比NMOS慢，所以开关电路中用NMOS一般只有常开的 总线里才用PMOS. 第二步：确定额定电压和电流 要确保DS两端最大电压不能超过其额定电压BVDSS，这个最大电压要从整个工作温度范围 内去考量，还要包括其他电子设备诱发的电压瞬变和突起。同时最大电流包括尖峰电流都 不能超过MOSFET的额定电流。 第三步：确定热要求 选择MOS还要考虑系统的散热要求，采用最坏情况的计算结果，以保证系统不会失效。
MOS基本知识介绍
4. MOS 的基本参数 MOS的基本参数
): 又称为阀值电压， 是指加的栅源电压能使漏极开始有电流或者关断MOSFET时停止流 VGS(th VGS(th): 过电流时的电压， 栅一源电压超过此值时， 漏极电流由小到大显著增加。 VGS(th)是负温度 系数， 这就意味着当温度上升时，MOSFET将会在比较低的栅源电压下开启。 VGS(th)于Gate Oxide的厚度成正比， 与P-body掺杂浓度的平方成正比。 :是指在特定的温度和栅源短接情况下， 流过漏极电流达到一个特定值时的漏源电压。 BVdss BVdss: 这种情况下的漏源电压为雪崩击穿电压。当漏一源电压VDS超过BVdss时， 漏一源极之间雪崩 效应激增。BVdss为正温度系数， 结温每升高10C, BVdss约增大1%. RDS(on ): 是指MOS在完全导通状态时， 漏源间的总电阻。他是影响最大额定电流和功耗的主 RDS(on): 要参数。 IDSS: 零栅压漏极电流， 是指栅源电压为零时， 在特定的漏源电压下漏源之间泄露电流， 泄露电流随着温度的增加而增大， IDSS在室温和高温下都有规定。漏电流造成的功耗可以用 IDSS乘以漏源之间的电压计算， 通常这部分功耗可以忽略不计。
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MOS基本知识介绍
MOSFET 1. 什么是 什么是MOSFET
金属-氧化层-半导体-场效晶体管，简称全氧半场效晶体管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）是一种可以广泛使用在类比电路与数位电路的场效 晶体管（field-effect transistor）。MOSFET依照其“通道”的极性不同，可分为n-type 与p-type的MOSFET，通常又称为NMOSFET与PMOSFET。
MOSFET production introduction
Prepared by: Analog team
WW29’2010
Agenda:
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基本知识介绍 MOSFET MOSFET基本知识介绍 1. 什么是MOSFET 2. MOSFET的结构 3. MOSFET的工作原理 4. MOS的基本参数 5. MOSFET的优缺点 6. MOSFET的选取 MOSFET 的Datasheet 如何读懂并理解 如何读懂并理解MOSFET MOSFET的
MOS基本知识介绍
5. MOSFET 的优点。 MOSFET的优点。
1,功率MOSFET的驱动电路比较简单。 2,MOSFET的开关速度比较迅速，MOSFET是一种多数载流子器件，能够以较高的速度工作， 因为没电荷存储效应。 3,MOSFET没有二次击穿失效机理，它在温度越高时往往耐力越强，而且发生热击穿的可能 性越低。它们还可以在较宽的温度范围内提供较好的性能。 4,MOSFET具有并行工作能允许并行电路配置。而且还有一个好处是，MOSFET的漏电极和源极之间形成的 寄生二极管可以充当箝位二极管，在电感性负载开关中特别有用。
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