可控硅知识
可控硅的主要参数
可控硅的主要参数可控硅（SCR）是一种常见的半导体器件，也被称为双向可控整流二极管（thyristor）或晶闸管。
它是一种电子开关，可控硅具有多种主要参数，这些参数对于合理选用和应用可控硅是非常重要的。
本文将介绍可控硅的主要参数，包括阈值电压、额定电流、最大可承受电压、触发电流和反向触发电压。
1.阈值电压（VBO）：阈值电压是指在可控硅关闭状态下，当施加的压差超过该电压时，可控硅将开始导通。
阈值电压是可控硅能否实现可控的重要参数。
2.额定电流（IT）：额定电流是指可控硅能够长时间承受的最大电流。
超过额定电流的电流将会引起可控硅的过热和损坏，因此在使用可控硅时应确保电流不超过额定电流。
3.最大可承受电压（VDRM）：最大可承受电压是指在关闭状态下，可控硅可以承受的最高电压。
当施加的电压超过最大可承受电压时，可控硅可能损坏。
4.触发电流（IGT）：触发电流是指在可控硅导通之前需要施加的触发电流。
触发电流是可控硅实现可控的重要参数。
5.反向触发电压（VDRM）：反向触发电压是指可控硅在关闭状态下能承受的最高反向电压。
超过该电压，可控硅可能开始导通，导致不可预计的行为。
除了上述主要参数外，可控硅还有一些其他的重要参数，如触发时间（tQ）、关断时间（tQ）、导通压降（VF）和静态工作点等。
这些参数需要根据具体的应用需求来选择和考虑。
总之，可控硅的主要参数包括阈值电压、额定电流、最大可承受电压、触发电流和反向触发电压等。
掌握这些参数对于正确选择和应用可控硅至关重要。
通过详细了解可控硅的参数，可以更好地设计和使用可控硅，以满足各种不同的电气控制需求。
什么是可控硅
什么是可控硅一、概述可控硅（SCR，Silicon-Controlled Rectifier）是一种电子器件，也称为双向晶闸管（TRIAC，Triode for alternating current）。
它属于功率半导体器件，可以进行电流的正反向控制，具有经济、可靠、范围广等优点，在诸多工业应用领域得到广泛应用。
二、组成可控硅由四个PN结组成，也就是说，它是一种四层半导体器件。
PN结是指正负电荷聚集形成的界面，由P型半导体和N型半导体构成。
可控硅的四个PN结分别为：•P型半导体•N型半导体•P型半导体•N型半导体这四个PN结相互连接而成，形成双向电流通道。
三、工作原理可控硅有两个电极，即控制电极和主电极。
当控制电极加上触发电压时，可控硅就会导通，电流开始在主电极上流动；当控制电极断电时，可控硅停止导通，电流中断。
具体来说，当控制电极加上触发电压时，可控硅的P1-N1结区域中的电子和瞬间发生注入效应，导致P1-N1结区域中的电流瞬间增大；这个过程称为开启。
当控制电极电压下降到触发电压以下时，可控硅将自动保持导通状态，即使控制电极断电也不会中断电流。
反之，当控制电极断电时，可控硅的P1-N1结区域中的电子将被P1端的空穴重新吸收，导致电流瞬间中断；这个过程称为关断。
可控硅的关断需要用反向电压来实现，即控制电极与主电极之间分别加上正、负电压，这样才能断开电流通道。
四、应用可控硅在工业控制领域应用广泛，可以用于：•电动机控制•加热控制•电源控制•充电器控制•交流电调节•灯光调节•家用电器等电子产品控制同时，可控硅的使用也存在一些限制：•工作稳定性较差，容易出现温度漂移，需要考虑散热设计。
•受限于电压和电流范围，在一些高压、高电流场合中无法使用。
五、总结可控硅作为一种高性价比、可靠、范围广的功率半导体器件，在现代工业生产中扮演着极为重要的角色。
通过控制电压和电流的开启和关断，可控硅可以实现多种电子系统和工业设备的精确控制。
可控硅知识
可控硅知识一、可控硅的概念和结构？晶闸管又叫可控硅(Silicon Controlled Rectifier, SCR)。
自从20世纪50年代问世以来已经发展成了一个大的家族，它的主要成员有单向晶闸管、双向晶闸管、光控晶闸管、逆导晶闸管、可关断晶闸管、快速晶闸管，等等。
今天大家使用的是单向晶闸管，也就是人们常说的普通晶闸管，它是由四层半导体材料组成的，有三个PN结，对外有三个电极〔图2(a)〕：第一层P型半导体引出的电极叫阳极A，第三层P型半导体引出的电极叫控制极G，第四层N型半导体引出的电极叫阴极K。
从晶闸管的电路符号〔图2(b)〕可以看到，它和二极管一样是一种单方向导电的器件，关键是多了一个控制极G，这就使它具有与二极管完全不同的工作特性。
可控硅二、晶闸管的主要工作特性为了能够直观地认识晶闸管的工作特性，大家先看这块示教板(图3)。
晶闸管VS与小灯泡EL串联起来，通过开关S接在直流电源上。
注意阳极A是接电源的正极，阴极K接电源的负极，控制极G通过按钮开关SB接在3V直流电源的正极(这里使用的是KP5型晶闸管，若采用KP1型，应接在1.5V直流电源的正极)。
晶闸管与电源的这种连接方式叫做正向连接，也就是说，给晶闸管阳极和控制极所加的都是正向电压。
现在我们合上电源开关S，小灯泡不亮，说明晶闸管没有导通；再按一下按钮开关SB，给控制极输入一个触发电压，小灯泡亮了，说明晶闸管导通了。
这个演示实验给了我们什么启发呢?可控硅这个实验告诉我们，要使晶闸管导通，一是在它的阳极A与阴极K之间外加正向电压，二是在它的控制极G与阴极K之间输入一个正向触发电压。
晶闸管导通后，松开按钮开关，去掉触发电压，仍然维持导通状态。
晶闸管的特点：是“一触即发”。
但是，如果阳极或控制极外加的是反向电压，晶闸管就不能导通。
控制极的作用是通过外加正向触发脉冲使晶闸管导通，却不能使它关断。
那么，用什么方法才能使导通的晶闸管关断呢?使导通的晶闸管关断，可以断开阳极电源(图3中的开关S)或使阳极电流小于维持导通的最小值(称为维持电流)。
可控硅(SCR)知识
可控硅（SCR）知识可控硅（SCR）国际通用名称为Thyyistoy，中文简称晶闸管。
它能在高电压、大电流条件下工作，具有耐压高、容量大、体积小等优点，它是大功率开关型半导体器件，广泛应用在电力、电子线路中。
1.可控硅的特性。
可控硅分单向可控硅、双向可控硅。
单向可控硅有阳极A、阴极K、控制极G 三个引出脚。
双向可控硅有第一阳极A1（T1），第二阳极A2（T2）、控制极G 三个引出脚。
只有当单向可控硅阳极A 与阴极K 之间加有正向电压，同时控制极G 与阴极间加上所需的正向触发电压时，方可被触发导通。
此时A、K 间呈低阻导通状态，阳极A 与阴极K 间压降约1V。
单向可控硅导通后，控制器G 即使失去触发电压，只要阳极A 和阴极K 之间仍保持正向电压，单向可控硅继续处于低阻导通状态。
只有把阳极A 电压拆除或阳极A、阴极K 间电压极性发生改变（交流过零）时，单向可控硅才由低阻导通状态转换为高阻截止状态。
单向可控硅一旦截止，即使阳极A 和阴极K 间又重新加上正向电压，仍需在控制极G 和阴极K 间有重新加上正向触发电压方可导通。
单向可控硅的导通与截止状态相当于开关的闭合与断开状态，用它可制成无触点开关。
双向可控硅第一阳极A1 与第二阳极A2 间，无论所加电压极性是正向还是反向，只要控制极G 和第一阳极A1 间加有正负极性不同的触发电压，就可触发导通呈低阻状态。
此时A1、A2 间压降也约为1V。
双向可控硅一旦导通，即使失去触发电压，也能继续保持导通状态。
只有当第一阳极A1、第二阳极A2 电流减小，小于维持电流或A1、A2 间当电压极性改变且没有触发电压时，双向可控硅才截断，此时只有重新加触发电压方可导通。
2.单向可控硅的检测。
万用表选电阻R*1Ω挡，用红、黑两表笔分别测任意两引脚间正反向电阻直至找出读数为数十欧姆的一对引脚，此时黑表笔的引脚为控制极G，红表笔的引脚为阴极。
可控硅的工作原理与种类
可控硅的工作原理与种类可控硅（Silicon Controlled Rectifier，SCR）是一种用于控制大电流的半导体元件，广泛应用于电力电子领域。
其工作原理是基于PN结的特性，通过控制正向偏置电压和触发电流，实现对电流的控制。
可控硅由四个PN结组成，即两个正向接触的P区，中间夹着两个N区。
当P 区加上正向电压，N区加上反向电压时，PN结呈现出正向偏置特性，此时NPNPN结构的形成使电流能够通过。
但当P区加上负向电压，N区加上正向电压时，PN结的反向耐压特性生效，电流无法通过。
在可控硅导通之前，需要通过一个触发电流（Gate Current）来激活。
当触发电流Igt满足一定标准时，从低阻态（OFF态）向高阻态（ON态）切换，并开始导通电流，从而实现对电流的控制。
在可控硅中，还存在一个关键参数叫做触发电压（Gate Voltage）。
当触发电流通过后，正向电压达到一定值时，才能够激活并导通，这就是触发电压的作用。
触发电压的值取决于具体的可控硅型号与工作条件。
可控硅根据不同的工作状态和应用特性，可分为以下几种类型：1. 静态门极控制型可控硅（SGCR）静态门极控制型可控硅是最常见的一种可控硅类型。
当触发电流通过后，硅片的移动电荷会改变PN结的导电特性，从而实现硅片的导通。
通过改变触发信号来控制触发电流，可以实现对电流的调控。
2. 双向晶闸管（Thyristor）双向晶闸管是一种具有双向导通能力的可控硅。
与普通的单向可控硅不同，双向晶闸管可以实现两个方向上的导通和关断。
这种特性使其适用于交流电源的控制。
3. 光控硅（Light Controlled SCR，LSCR）光控硅是一种通过光控制触发电流的可控硅。
光控硅内部嵌入了一个光敏元件，当光敏元件受到光照时，产生电流以激活SCR。
通过改变光照强度和光敏元件的特性，可以实现对电流的控制。
4. 可控硅二极管（SCR-Diodes）可控硅二极管是一种由多个可控硅串联而成的电子元件。
可控硅基本知识
可控硅的工作原理及基本特性1、工作原理可控硅是P1N1P2N2四层三端结构元件，共有三个PN结，分析原理时，可以把它看作由一个PNP管和一个NPN管所组成，其等效图解如图1所示图1 可控硅等效图解图当阳极A加上正向电压时，BG1和BG2管均处于放大状态。
此时，如果从控制极G输入一个正向触发信号，BG2便有基流ib2流过，经BG2放大，其集电极电流ic2=β2ib2。
因为BG2的集电极直接与BG1的基极相连，所以ib1=ic2。
此时，电流ic2再经BG1放大，于是BG1的集电极电流 ic1=β1ib1=β1β2ib2。
这个电流又流回到BG2的基极，表成正反馈，使ib2不断增大，如此正向馈循环的结果，两个管子的电流剧增，可控硅使饱和导通。
由于BG1和BG2所构成的正反馈作用，所以一旦可控硅导通后，即使控制极G的电流消失了，可控硅仍然能够维持导通状态，由于触发信号只起触发作用，没有关断功能，所以这种可控硅是不可关断的。
由于可控硅只有导通和关断两种工作状态，所以它具有开关特性，这种特性需要一定的条件才能转化，此条件见表1表1 可控硅导通和关断条件状态条件说明从关断到导通 1、阳极电位高于是阴极电位2、控制极有足够的正向电压和电流两者缺一不可维持导通 1、阳极电位高于阴极电位2、阳极电流大于维持电流两者缺一不可从导通到关断 1、阳极电位低于阴极电位2、阳极电流小于维持电流任一条件即可2、基本伏安特性可控硅的基本伏安特性见图2图2 可控硅基本伏安特性（1）反向特性当控制极开路，阳极加上反向电压时（见图3），J2结正偏，但J1、J2结反偏。
此时只能流过很小的反向饱和电流，当电压进一步提高到J1结的雪崩击穿电压后，接差J3结也击穿，电流迅速增加，图3的特性开始弯曲，如特性OR段所示，弯曲处的电压URO叫“反向转折电压”。
此时，可控硅会发生永久性反向击穿。
图3 阳极加反向电压（2）正向特性当控制极开路，阳极上加上正向电压时（见图4），J1、J3结正偏，但J2结反偏，这与普通PN结的反向特性相似，也只能流过很小电流，这叫正向阻断状态，当电压增加，图3的特性发生了弯曲，如特性OA段所示，弯曲处的是UBO叫：正向转折电压图4 阳极加正向电压由于电压升高到J2结的雪崩击穿电压后，J2结发生雪崩倍增效应，在结区产生大量的电子和空穴，电子时入N1区，空穴时入P2区。
可控硅参数说明
可控硅参数说明可控硅是一种常见的半导体器件，也被称为晶闸管。
它具有可控性强、效率高、性能稳定等优点，在电力控制和电子控制领域得到广泛应用。
下面是对可控硅参数的详细说明：1.最大额定电压（VRRM）：可控硅能够承受的最大电压。
超过这个额定电压时，可控硅可能会出现击穿现象，导致失效或损坏。
2.最大平均整流电流（IOAV）：在特定条件下，可控硅能够持续稳定工作的最大平均电流。
该参数与可控硅的热稳定性和功率特性有关。
3.最大重复峰值反向电压（VRSM）：可控硅能够承受的最大峰值电压。
超过这个峰值电压时，可控硅可能会出现击穿现象，导致失效或损坏。
4.最大峰值水平电流（IPP）：可控硅在极端工作条件下能够承受的瞬时峰值电流。
该参数与可控硅的电流承载能力和热稳定性有关。
5.最大正向门极触发电流（IFGT）：为了激活可控硅，需要施加正向的门极触发电流。
该参数表示可控硅的最大门极触发电流。
6.最大正向临界触发电流（IFRM）：当可控硅被正向触发时，电流开始流过器件，达到临界触发电流的值。
该参数表示可控硅的最大正向临界触发电流。
7.最大漏极电流（IRM）：未施加触发电流时，可控硅漏极的泄露电流。
该参数表示可控硅的泄露电流水平。
8.最大导通电压降（VTM）：在可控硅正向导通状态下，器件两端的电压降。
该参数对于功耗和电压稳定性非常重要。
9.最大反向漏电流（IRRM）：在可控硅反向电压下，漏极的最大反向泄露电流。
该参数表示可控硅的漏路电流水平。
10. 最大引出电阻（Rth）：可控硅的热阻值，表示器件在工作过程中产生的热量与温度之间的关系。
较小的热阻值有利于可控硅的散热和长时间稳定工作。
以上是对可控硅参数的详细说明，这些参数在可控硅的选择和应用中非常重要。
在使用可控硅时，需要根据具体的应用需求和工作环境来选择合适的可控硅型号和参数。
bta20可控硅参数
bta20可控硅参数摘要：一、可控硅概述二、可控硅的分类与性能三、可控硅的参数四、可控硅的应用五、总结正文：一、可控硅概述可控硅（Silicon Controlled Rectifier，简称SCR）是一种四层三端的半导体器件，具有电压控制的开关特性。
它有阳极（Anode，A）、阴极（Cathode，K）和控制极（Gate，G）三个端子。
可控硅主要用于交流电路中的整流、交直流转换、逆变等，可以实现对电压、电流的控制，从而控制电气设备的功率输出。
二、可控硅的分类与性能1.按结构分类：可分为单相可控硅、三相可控硅。
2.按电压等级分类：可分为低压可控硅（小于600V）、中压可控硅（600V-3000V）和高压可控硅（大于3000V）。
3.按电流等级分类：可分为小功率可控硅（小于100A）、中功率可控硅（100A-1000A）和大功率可控硅（大于1000A）。
4.可控硅的性能：可控硅具有高耐压、高电流、低功耗、长寿命、高可靠性等特点。
三、可控硅的参数1.正向阻断电压：可控硅导通时，需要施加的最低电压，使得可控硅正常导通。
2.正向峰值电流：可控硅可以承受的最大正向电流。
3.反向耐压：可控硅所能承受的最高反向电压。
4.控制灵敏度：可控硅控制极电压变化与阳极电流之间的关系。
5.开关速度：可控硅从导通到阻断，或从阻断到导通的时间。
四、可控硅的应用1.电源电路：可控硅广泛应用于交流电源、直流电源、变压器等领域，实现电源的整流、逆变等功能。
2.工业控制：可控硅用于工业控制系统中，实现对电机、加热设备等电气设备的控制。
3.家电领域：可控硅应用于电视机、洗衣机、空调等家用电器中，实现电源转换、电机控制等功能。
4.通信设备：可控硅在通信设备中用于电源管理、信号处理等模块。
五、总结可控硅作为一种重要的半导体器件，在电子电路中具有广泛的应用。
了解可控硅的分类、性能和参数，对我们分析和应用可控硅具有重要意义。
在实际应用中，根据电路需求选择合适参数的可控硅，可以确保电气设备的稳定运行。
可控硅名词解释
可控硅名词解释可控硅又称为晶闸管，晶闸管是硅晶体闸流管的简称。
可控硅是大功率变流器件，利用其整流可控特性可方便地对大功率电源进行控制和变换。
它具有体积小、重量轻、耐压高、容量大，使用维护简单、控制灵敏等优点，所以在生产上得到了广泛应用。
一、可控硅的用途1、可控整流把交流电变换为大小可调的直流电称为可控整流。
例如，直流电动机调压、调速，电解、电镀电源均可采用可控整流供电。
2、有源逆变有源逆变是指把直流电变换成与电网同频率的交流电，并将电能返送给交流电源。
例如，高压输电工程将三相交流电先变换成高压直流电，再进行远距离输送，到达目的地后，再利用有源逆变技术把直流电变换成与当地电网同频率的交流电供给用户。
3、交流调压交流调压是指把不变的交流电压变换成大小可调的交流电压。
例如，用于灯光控制、温度控制及交流电动机的调压、调速。
4、变频器把某一频率的交流电变换成另一频率交流电的设备称为变频器。
例如，可控硅中频电源、不间断电源(UPS)、异步电动机变频调速中均含有变频器。
5、无触点功率开关用可控硅可组成无触点功率开关，取代接触器、继电器，用于操作频繁的场合。
例如，可用于控制电动机正反转和防爆、防火的场合。
二、可控硅的结构可控硅是用硅材料制成的半导体器件，它有3种结构形式：螺栓式、平板式和塑料封装式。
三、可控硅的工作原理上图所示的电路做实验说明。
可控硅与灯泡串联经开关S1接到电源Ea上，门极与阴极经开关S2接到电源Eg上。
开关S1、S2皆为双掷开关，可有正、零、反3种位置。
1、电源Ea的正极接阳极A、负极接阴极K，称可控硅承受正向阳极电压。
2、电源Ea的负极接阳极A、正极接阴极K，称可控硅承受反向阳极电压。
3、电源Eg的正极接门极G、负极接阴极K，称可控硅承受正向门极电压。
4、电源Eg的负极接门极G、正极接阴极K，称可控硅承受反向门极电压。
可控硅的主要参数
可控硅的主要参数
可控硅是一种由硅原料制成的，它可以按照设定的电压参数调节电流的元件。
这一特性使得可控硅在电力调节、恒流电源、电源供电、变压器补偿器等方面有着广泛应用，其优质性能得到应用者的认可。
一、结构
可控硅由两种主要结构组成：硅片和电子控制部件。
硅片由锆钨耦合结构，其结构决定了电路的功率调节能力。
电子控制部件是由一些简单的电路元件组成，它们可以控制电路中的电流强度，从而控制电流的大小。
二、工作原理
可控硅的工作原理是将一个恒定的电压输入到硅晶体中，然后使用电子控制元件控制电流的强度，从而调节电流的大小。
电路中的电流与电源电压之间存在着一定的关系，增加电源电压会增加电流的强度，减少电源电压会减少电流的强度。
三、主要参数
1.电压电流特性：可控硅的电压-电流特性曲线是其工作参数，其工作范围可以根据用户的要求来确定。
2.要求的操作电压：在进行工作评估时，要求的操作电压对可控硅的工作性能具有重要影响。
3.热特性：可控硅在工作时会发热，应注意使可控硅在工作状态下不会造成过热破坏。
4.噪声特性：可控硅在工作过程中可能会发生噪声，这可能会影响电路的性能。
可控硅的结构及工作原理、主要技术参数及可控硅的种类
可控硅一、可控硅的结构及工作原理可控硅是一种新型的半导体器件，它具有体积小、重量轻、效率高、操作维护方便等许多显著优点，应用日益广泛。
主要用于整流、逆变、调压、开关四个方面。
1、可控硅结构可控硅是在晶体管基础上发展起来的一种大功率半导体器件，它具有三个PN结的四层结构，如图7—1最外的P层和N层引出两个电极，分别称为阳极A和阴极K，由中间的P 层引出控制极G。
AGGK图7—1 可控硅结构和符号2、可控硅的工作原理根据可控硅结构将其分成两个晶体管，一个是PNP型管T1，另一个是NPN型管T2，如图7—2。
图7—2 可控硅工作原理可控硅导通必须同时具备的外部条件：1）可控硅的阳极电路加正向电压E A；2）控制极电路加适当的正向电压E B（实际工作中，控制极加正触发脉冲信号）。
设晶体管T1和T2的电流放大系数为β1和β2。
当阳极连接电源E A的正极，控制极也接在电源E G的正极，参见图1—17（C）。
晶体管T2发射结处于正向偏置，E G产生的控制电流I G，I G也就是T2的基极电流I B2 ，此时，T2的集电极电流I C2 = β2 I G。
而I C2又PNPN是晶体管T1的基极电流，此时，T1的集电极电流I C1=β1I C2 =β1β2 I G。
此电流又流进T2的基极，经过再一次放大。
这样循环下去，形成强烈的正反馈，使两个晶体管很快达到饱和导通。
导通后，其压降很小，约1V左右。
可控硅一旦导通，这时即使撤掉电源E G，可控硅仍能继续保持导通状态。
若要关断可控硅，一是使流过阳极电流减小到使之不能维持正反馈过程，另一个是断开阳极电源，再者是在阳极与阴极之间加一个反向电压，这三种方法都可以关断可控硅。
二、可控硅的主要技术参数1、正向重复峰值电压UFRM在控制极开路，可控硅阳极加正向电压，但是可控硅在不导通的条件下，可以重复加在可控硅两端的正向峰值电压，称为正向重复峰值电压。
按规定此电压为正向转折电压的80%。
可控硅工作原理及参数详解
可控硅工作原理及参数详解可控硅（Silicon-Controlled Rectifier, SCR）是一种半导体器件，由四层P-N结构组成，具有三个电极：阳极（Anode）、阴极（Cathode）和门极（Gate）。
可控硅的工作原理如下：当阳极与阴极之间的电压达到一定的电压（称为激励电压），并且在门极上施加一个正脉冲电压时，P-N结上就会有电流通过，使得可控硅导通。
此时，可控硅的状态称为导通状态。
当阳极阴极之间的电压低于激励电压，或者在门极上施加的脉冲电压为零，或者阳极阴极之间的电流下降到可控硅的保持电流以下时，可控硅会进入截止状态。
可控硅具有以下几个重要的参数：1.阻断电压（VBO）：阻断电压是指可控硅在截止状态下能够承受的最高电压。
超过这个电压，可控硅就会击穿，产生电弧。
2.保持电流（IH）：保持电流是指可控硅在导通状态下必须保持的最小电流。
保持电流以下，可控硅会自动进入截止状态。
3.阻止电流（IDRM）：阻止电流是指可控硅在截止状态下流过的最大电流。
超过这个电流，可控硅可能会被损坏。
4.导通电压降（VF）：导通电压降是指当可控硅处于导通状态时，阳极与阴极之间的电压降低。
5.死区时间（tQ）：死区时间是指可控硅在接收到门极脉冲后，需要经过的一段时间才能将晶体管从截止状态切换到导通状态。
6.触发电流（IGT）：触发电流是指施加在门极上的脉冲电流，将可控硅从截止状态切换到导通状态的最小电流。
7.可控硅的响应时间：可控硅的响应时间是指从接收到触发信号到开始导通的时间。
可控硅的应用范围广泛，常见的应用包括交流电控制、瞬态电压抑制、开关电源和电机驱动等领域。
可控硅知识点总结
可控硅知识点总结一、可控硅的基本原理1. 可控硅的结构可控硅由四层P-N结构组成，其中包括一个门极、一个阳极和一个阴极。
在无外加电压的情况下，可控硅处于高阻态，不导通。
当给门极施加一个正脉冲，可控硅就会导通。
当导通后，再给门极加一个负脉冲，可控硅仍在导通状态。
只有当可控硅的阳极电流降到零时，它才会恢复到高阻态。
2. 可控硅的触发方式可控硅有两种触发方式：电压触发和电流触发。
电压触发是指在管子上的门偏置电压随着门极电流而变化，当管子上门极电流增加到一定值时，管子就导通了。
电流触发是指管子的门极没有电压，以一定的电流偏置管子，当外加电流增大到一定值时，管子导通。
3. 可控硅的保持电流可控硅导通后，在继续放大触发电流时，在两极没有电压的条件下，管子会保持导通。
只有当阳阳极或阴极电流小于一定值时，管子才能关断。
这一点和二极管是不同的，二极管只要电流一减小，就关断。
二、可控硅的结构特点1. 由于可控硅为四层P-N-P-N结，无论是阻态还是导通状态都相当于引入了一个完整的PNPN结构，可形象地看作两个晶体三极管反并联，并且两个三极管共享一个发射区。
2. 可控硅的触发特性好，只需很小的功率即可对其进行触发，因此特别适用于大功率系统。
同时，可控硅的闭合速度很快，传导损耗小，导通电压降也小。
3. 可控硅在导通状态时，是一个单向导电器件，在阻态时则是一个双向封锁电压的器件。
4. 可控硅的温度稳定性好，一般情况下在温度变化范围内，其电气性能几乎不变。
5. 可控硅的电流承受能力、耐压能力和耐冲击能力都很强，因此适用于各种复杂的工况。
三、可控硅的工作特性1. 可控硅的导通和关断特性可控硅的导通和关断特性是指在不同条件下，可控硅的导通和关断状态的变化规律。
主要包括可控硅的触发电压、导通电流、关断电流等参数。
2. 可控硅的温度特性随着温度的升高，可控硅的导通和关断特性会发生变化。
一般情况下，可控硅的触发电压会随着温度的升高而降低，而导通电流和关断电流则会随着温度的升高而增加。
可控硅基础知识
1、阳极电位低于阴极电位 任一条 2、阳极电流小于维持电流 件即可
单向可控硅电参数
序号
参数
1 额定通态峰值电流
2 额定通态平均电流
3 不重复通态浪涌电流
4 断态重复峰值电压
5 反向重复峰值电压
6 断态重复平均电流
7 反向重复平均电流
单向可控硅等效结构
单向可控硅晶体管模型
单向可控硅平面和纵向结构
K G
K G
玻璃ቤተ መጻሕፍቲ ባይዱ化
玻璃钝化
可控硅工作原理-导通
• 栅极悬空时，BG1和BG2 截止,没有电流流过负载 电阻RL。
• 栅极输入一个正脉冲电压 时,BG2道通，VCE(BG2)下 降，VBE(BG1)升高。
• 正反馈过程使BG1和BG2 进入饱和道通状态。
8 通态平均电压
9 控制极触发电流
10 控制极触发电压
符号
IT(RMS) IT(AV) IT(TSM) VDRM VRRM IDRM IRRM VTM IGT VGT
单向可控硅电参数
序号
11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
参数
门极（触发极）峰值电流 门极（触发极）峰值电压 门极（触发极）反向峰值电压 门极（触发极）峰值功耗 门极（触发极）平均功耗 断态电压换向变化率 通态电流换向变化率 控制极触发导通时间 维持电流 关闭电流
可控硅—十条黄金规则
规则1. 为了导通闸流管（或双向可控硅），必须有门极电流≧IGT ，直至负载电 流达到≧IL 。这条件必须满足，并按可能遇到的最低温度考虑。 规则2. 要断开（切换）闸流管（或双向可控硅），负载电流必须<IH, 并维持足够 长的时间，使能回复至截止状态。在可能的最高运行温度下必须满足上述 条件。 规则3. 设计双向可控硅触发电路时，只要有可能，就要避开3+象限（WT2-，+）。 规则4. 为减少杂波吸收，门极连线长度降至最低。返回线直接连至MT1（或阴 极）。若用硬线，用螺旋双线或屏蔽线。门极和MT1 间加电阻1kΩ或更小。 高频旁路电容和门极间串接电阻。另一解决办法，选用H 系列低灵敏度双 向可控硅。 规则5. 若dVD/dt 或dVCOM/dt 可能引起问题，在MT1 和MT2 间加入RC 缓冲电路。 若高dICOM/dt 可能引起问题，加入一几mH 的电感和负载串联。另一种解 决办法，采用Hi-Com 双向可控硅。
可控硅（晶闸管）基础知识
可控硅（晶闸管）基础知识可控硅（晶闸管）基础知识可控硅符号：可控硅也称作晶闸管，它是由PNPN四层半导体构成的元件，有三个电极，阳极A，阴极K和控制极G。
可控硅在电路中能够实现交流电的无触点控制，以小电流控制大电流，并且不象继电器那样控制时有火花产生，而且动作快、寿命长、可靠性好。
在调速、调光、调压、调温以及其他各种控制电路中都有它的身影。
可控硅分为单向的和双向的，符号也不同。
单向可控硅有三个PN结，由最外层的P极和N极引出两个电极，分别称为阳极和阴极，由中间的P极引出一个控制极。
单向可控硅有其独特的特性：当阳极接反向电压，或者阳极接正向电压但控制极不加电压时，它都不导通，而阳极和控制极同时接正向电压时，它就会变成导通状态。
一旦导通，控制电压便失去了对它的控制作用，不论有没有控制电压，也不论控制电压的极性如何，将一直处于导通状态。
要想关断，只有把阳极电压降低到某一临界值或者反向。
双向可控硅的引脚多数是按T1、T2、G的顺序从左至右排列（电极引脚向下，面对有字符的一面时）。
加在控制极G上的触发脉冲的大小或时间改变时，就能改变其导通电流的大小。
与单向可控硅的区别是，双向可控硅G极上触发脉冲的极性改变时，其导通方向就随着极性的变化而改变，从而能够控制交流电负载。
而单向可控硅经触发后只能从阳极向阴极单方向导通，所以可控硅有单双向之分。
电子制作中常用可控硅，单向的有MCR－100等，双向的有TLC336等。
可以查看:世界可控硅参数大全 ,这是TLC336的样子：向强电冲击的先锋—可控硅可控硅是可控硅整流元件的简称，是一种具有三个PN 结的四层结构的大功率半导体器件。
实际上，可控硅的功用不仅是整流，它还可以用作无触点开关以快速接通或切断电路，实现将直流电变成交流电的逆变，将一种频率的交流电变成另一种频率的交流电，等等。
可控硅和其它半导体器件一样，其有体积小、效率高、稳定性好、工作可靠等优点。
它的出现，使半导体技术从弱电领域进入了强电领域，成为工业、农业、交通运输、军事科研以至商业、民用电器等方面争相采用的元件。
可控硅使用方法
可控硅使用方法可控硅（SCR）是一种常用的电子器件，常用于电力电子和电路控制领域。
它具有高温度、高电压和高电流的特点，能够在电路中起到开关的作用。
本文将介绍可控硅的使用方法和注意事项。
一、可控硅的基本结构和原理可控硅是由四层半导体材料构成的，其中有三个PN结。
它的主要原理是在一个PNP结和一个NPN结之间加入一个PN结，形成一个PNP-NPN结构。
当PN结处于正向偏置时，可控硅处于导通状态；当PN结处于反向偏置时，可控硅处于截止状态。
二、可控硅的使用方法1. 正确连接：在使用可控硅前，请确保连接正确。
一般来说，可控硅的阳极连接到正极，阴极连接到负极，控制极连接到控制信号源。
连接错误可能导致可控硅无法正常工作或损坏。
2. 控制信号：可控硅的导通和截止状态是通过控制信号来实现的。
当控制信号为高电平时，可控硅导通；当控制信号为低电平时，可控硅截止。
因此，正确设置控制信号是使用可控硅的关键。
3. 保护电路：在使用可控硅时，应该考虑保护电路。
可控硅的工作电压和电流较高，如果没有适当的保护措施，可能会受到电压浪涌或过电流的影响，从而损坏可控硅。
常见的保护电路包括过压保护电路、过流保护电路等。
4. 散热措施：可控硅在工作过程中会产生一定的热量，因此需要适当的散热措施。
可以通过散热片、散热器等方式将热量迅速散发出去，以保证可控硅的正常工作和寿命。
5. 规避干扰：可控硅在工作时可能会受到外部干扰，例如电磁干扰、温度变化等。
为了保证可控硅的稳定工作，应该采取相应的措施来规避这些干扰。
三、可控硅的注意事项1. 工作环境：可控硅应该在干燥、无腐蚀性气体和无尘的环境中使用，以避免可控硅的损坏和故障。
2. 温度控制：可控硅的工作温度应控制在允许范围内，过高的温度会引起可控硅的老化和性能下降。
3. 绝缘保护：可控硅的外壳应该与其他导体保持良好的绝缘，以防止电气漏电和触电事故的发生。
4. 防止反向电压：可控硅在工作时应避免受到反向电压，否则可能会损坏可控硅。
可控硅种类用途
可控硅种类用途可控硅是一种常用的电子器件，具有广泛的应用。
根据其不同的种类和特性，可控硅在各个领域都有着重要的作用。
本文将介绍几种常见的可控硅种类及其用途。
一、普通可控硅普通可控硅是最常见的一种可控硅，也被称为双向可控硅(BTSCR)。
它具有单个PN结的结构，具有双向导通特性。
普通可控硅广泛应用于交流电控制、电压调节、电能变换等领域。
例如，在家用电器中，可控硅可以用于调节灯光亮度、调节电机速度等。
二、门极可控硅门极可控硅(IGCT)是一种功率电子器件，具有大功率和高速开关特性。
它结合了可控硅和普通晶闸管的优点，具有低导通压降、高阻断电压和高开关速度的特点。
门极可控硅广泛应用于电力电子领域，如电力变换、电机驱动、电网稳定等。
同时，门极可控硅还可以用于电力系统的故障保护和短路限流。
三、光控可控硅光控可控硅是一种通过光控信号来控制的可控硅。
它具有快速开关速度和高可靠性的特点。
光控可控硅广泛应用于光控开关、光控调光器、光控电动工具等领域。
例如，在照明系统中，光控可控硅可以根据外界光照强度自动调节灯光的亮度。
四、触发可控硅触发可控硅是一种通过外部触发信号来控制的可控硅。
它具有触发灵敏、响应速度快的特点。
触发可控硅广泛应用于电子开关、电力控制、电能变换等领域。
例如，在电力系统中，触发可控硅可以用于电力传输、电力稳定和电力调节。
五、浮动触发可控硅浮动触发可控硅是一种可控硅的特殊形式，具有浮动触发电路的特点。
它可以实现对电流和电压的控制，具有灵活性和可靠性。
浮动触发可控硅广泛应用于电力调节、电力控制和电力保护等领域。
例如，在电力系统中，浮动触发可控硅可以用于电力传输、电力稳定和电力调节。
六、双向可控硅双向可控硅(BTSCR)是一种具有双向导通特性的可控硅。
它可以在正向和反向两个方向上导通电流。
双向可控硅广泛应用于电能变换、电力调节和电力控制等领域。
例如，在电力系统中，双向可控硅可以用于电力传输、电力稳定和电力调节。
可控硅的使用方法大全
可控硅的使用方法大全可控硅是一种电子元件，常用于电路中进行开关控制和调制。
以下是可控硅的使用方法的详细介绍。
一、可控硅的结构和工作原理：可控硅由四个半导体材料层交替形成。
正负极端称为阳极（A）和阴极（K），在阳极上有一个晶闸管结（G）。
可控硅的工作原理是通过给晶闸管结加正向电压，让它的势垒变小，形成导电通道，从而控制电流的流动。
二、可控硅的特点：1.可控硅具有可靠的开关能力和较低的电压下降。
2.具有电流调节范围广、控制方便、寿命长等优点。
3.可控硅适用于大功率的交流电控制，例如调光、电机启动、电炉温控等。
三、可控硅的基本参数：1.额定电压（VDRM）：晶闸管稳定工作的最大电压。
2.额定电流（IDRM）：晶闸管最大稳定电流。
3.触发电流（IGT）：晶闸管开通的最小电流。
4.持续电流（ID）：晶闸管可以承受的最大电流。
5.导通压降（VFM）：晶闸管导通时的正向电压降。
6.关断电压（VRM）：晶闸管切断时的电压。
四、可控硅的触发方式：1.正向电压触发：通过在控制极加正向电压以达到触发的目的。
2.电流触发：通过在控制极加控制电流以达到触发的目的。
3.光电触发：通过光电耦合器产生的光信号触发，用于绝缘高压干系进行控制。
4.外部触发：通过外部信号触发，例如电脉冲触发、磁场触发等。
五、可控硅的使用方法：1.选择合适的可控硅：根据具体的应用场景，选择合适的可控硅型号和参数，以满足电流、电压要求。
2.安装可控硅：将可控硅正确焊接或插入电路板中。
3.连接可控硅：根据电路要求，正确连接可控硅的阳极、阴极和控制极，以及外部触发方式的相关连接。
4.电路测试：将已连接的电路连接到电源和负载，并通过合适的设备进行测试，确保电路工作正常。
5.触发方式控制：根据所选的触发方式，进行相应的控制操作，例如提供正向电压、控制电流或进行外部触发。
6.监控和保护：根据需要，监控可控硅和电路的工作状态，例如电压、电流、温度等，采取相应的保护措施，以确保电路和可控硅的安全运行。
可控硅的结构和工作原理
可控硅的结构和工作原理可控硅（Silicon Controlled Rectifier，SCR）是一种具有控制能力的半导体器件，主要用于电能控制和电能转换领域。
它是由PNP结构和PN结构组成的，可以实现对电流的控制和电压的开关。
一、可控硅的结构```A┌─┐G├─┼─┤K└─┘```二、可控硅的工作原理可控硅在工作时可以处于两种状态：导通和关断状态。
其工作原理如下：1.关断状态：当可控硅没有控制信号施加时，处于关断状态，此时主结两侧的电压为反向偏置（即由阳极到阴极的方向），主结上会出现一个很小的反向漏电流。
2.导通状态：当可控硅的控制极施加一个触发信号时，主结两侧的电压变为正向偏置（即由阴极到阳极的方向）。
主结上的正向漏电流增大，可控硅会进入导通状态。
导通状态可以再分为三个阶段：（1）发火阶段：当控制极施加一个正的触发脉冲信号时，可控硅的主结两侧电压达到了导通临界电压（即触发电压），主结开始导通，此时可控硅出现一个较大的正向电流。
（2）继续导通阶段：一旦可控硅在发火阶段导通，即使控制信号消失，主结两侧的电压也会继续维持正向偏置，可控硅将继续导通下去。
（3）关断阶段：当可控硅的主结两侧的电流下降到低于其持续耐受电流（即电流绝对值下降到一个安全值）时，可控硅会自动进入关断状态，开始准备下一次导通。
另外，可控硅的导通状态还可以通过变压器的辅助磁场进行调整和控制。
通过改变辅助磁场的大小和方向，可以改变可控硅的导通时间和导通电流。
总结起来，可控硅的工作原理主要包括发火、继续导通和关断三个阶段，其中控制信号的触发是进入导通状态的关键。
通过控制信号的使能和禁止，可以实现对电能的控制和电能转换。
在实际应用中，可控硅广泛用于交流电控制、电机控制和电能调节等领域。
可控硅基础知识
可控硅基础知识可控硅又叫晶闸管，由四层构成，共有三个PN 结，如下图①,在分析时，可以看成②，而②是一个PNP 三极管和一个NPN 三极管，也即是图③。
从图③可以看出,当AK 两端加上正向电压时，G 极加上触发信号，NPN 三极管导通，其集电极有较大电流I1，NPN 三极管的集电极电压降低，也即是PNP 三极管的基极电压降低，于是PNP 三极管也导通，于是有I2从PNP 三极管的集电极流过，这个电流流向NPN 三极管的基极。
即是这是没有了G 极触发信号，仍然有电流从AK 两端流过。
可控硅的导通和关断条件： 状态条件 说明从关断到导通 1.A 、K 两端上下向电压，也即阳极电压高于阴极电压 2.G 极必须有足够的触发电压和电流二个条件同时满足维持导通1、阳极电压高于阴极电压2、阳极电流大于维持电流二个条件同时满足从导通到关断1、阳极电压低于阴极电压2、阳极电流小于维持电流 任一条件即可 其伏安特性曲线如下：从图中可以看出，当控制极未加电压时，也就是IG1=0时，虽然可控硅的阳级和阴极之间加有正向电压，但由于N1和P2反向偏置，因此只有很小的漏电流流过。
这上电流称为正向漏电流。
此时可控硅处于正向阻断状态，特性曲线靠近横轴。
随着正向电压的不断增加，当达到某一定值时（UBO）时，漏电流突然增大，可控硅由阻断状态突然导通。
可控硅导通后，可以流过很大的电流，而它本身的管压降只有1V左右，此时的特性曲线靠近纵轴，如AB段。
可控硅由阻断状态转为导通状态所对应的电压称为正向转折电压UBO。
可控硅导通以后，如果减小阳极电压，阳极电流也随之减小。
当阳极电流小于维持电流IH时，可控硅又从导通状态转为阻断状态。
需要说的是，控制极开路，阳极电压高于正向转折电压UBO时，可控硅会导通，但这样很容易造成可控硅的不可恢复性击穿，使元件损坏，正常工作时应注避免。
当在控制极加上电压UG时，控制极产生控制电流IG，可控硅会在较低的正向阳极电压下导通。
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可控硅知识的问与答
一、可控硅的概念和结构？
晶闸管又叫可控硅。
自从20世纪50年代问世以来已经发展成了一个大的家族，它的主要成员有单向晶闸管、双向晶闸管、光控晶闸管、逆导晶闸管、可关断晶闸管、快速晶闸管，等等。
今天大家使用的是单向晶闸管，也就是人们常说的普通晶闸管，它是由四层半导体材料组成的，有三个PN结，对外有三个电极〔图2(a)〕：第一层P型半导体引出的电极叫阳极A，第三层P型半导体引出的电极叫控制极G，第四层N型半导体引出的电极叫阴极K。
从晶闸管的电路符号〔图2(b)〕可以看到，它和二极管一样是一种单方向导电的器件，关键是多了一个控制极G，这就使它具有与二极管完全不同的工作特性。
图2
二、晶闸管的主要工作特性
为了能够直观地认识晶闸管的工作特性，大家先看这块示教板(图3)。
晶闸管VS与小灯泡EL串联起来，通过开关S接在直流电源上。
注意阳极A是接电源的正极，阴极K接电源的负极，控制极G 通过按钮开关SB接在3V直流电源的正极(这里使用的是KP5型晶闸管，若采用KP1型，应接在1.5V 直流电源的正极)。
晶闸管与电源的这种连接方式叫做正向连接，也就是说，给晶闸管阳极和控制极所加的都是正向电压。
现在我们合上电源开关S，小灯泡不亮，说明晶闸管没有导通；再按一下按钮开关SB，给控制极输入一个触发电压，小灯泡亮了，说明晶闸管导通了。
这个演示实验给了我们什么启发呢?
图3
这个实验告诉我们，要使晶闸管导通，一是在它的阳极A与阴极K之间外加正向电压，二是在它的控制极G与阴极K之间输入一个正向触发电压。
晶闸管导通后，松开按钮开关，去掉触发电压，仍然维持导通状态。
晶闸管的特点： 是“一触即发”。
但是，如果阳极或控制极外加的是反向电压，晶闸管就不能导通。
控制极的作用是通过外加正向触发脉冲使晶闸管导通，却不能使它关断。
那么，用什么方法才能使导通的晶闸管关断呢?使导通的晶闸管关断，可以断开阳极电源(图3中的开关S)或使阳极电流小于维持导通的最小值(称为维持电流)。
如果晶闸管阳极和阴极之间外加的是交流电压或脉动直流电压，那么，在电压过零时，晶闸管会自行关断。
三、用万用表可以区分晶闸管的三个电极吗?怎样测试晶闸管的好坏呢?
普通晶闸管的三个电极可以用万用表欧姆挡R×100挡位来测。
大家知道，晶闸管G、K之间是一个PN结〔图2(a)〕，相当于一个二极管，G为正极、K为负极，所以，按照测试二极管的方法，找出三个极中的两个极，测它的正、反向电阻，电阻小时，万用表黑表笔接的是控制极G，红表笔接的是阴极K，剩下的一个就是阳极A了。
测试晶闸管的好坏，可以用刚才演示用的示教板电路(图3)。
接通电源开关S，按一下按钮开关SB，灯泡发光就是好的，不发光就是坏的
四、晶闸管在电路中的主要用途是什么?
普通晶闸管最基本的用途就是可控整流。
大家熟悉的二极管整流电路属于不可控整流电路。
如果把二极管换成晶闸管，就可以构成可控整流电路。
现在我画一个最简单的单相半波可控整流电路〔图4(a)〕。
在正弦交流电压U2的正半周期间，如果VS的控制极没有输入触发脉冲Ug，VS仍然不能导通，只有在U2处于正半周，在控制极外加触发脉冲Ug时，晶闸管被触发导通。
现在，画出它的波形图〔图4(c)及(d)〕，可以看到，只有在触发脉冲Ug到来时，负载RL上才有电压UL输出(波形图上阴影部分)。
Ug到来得早，晶闸管导通的时间就早；Ug到来得晚，晶闸管导通的时间就晚。
通过改变控制极上触发脉冲Ug到来的时间，就可以调节负载上输出电压的平均值UL(阴影部分的面积大小)。
在电工技术中，常把交流电的半个周期定为180°，称为电角度。
这样，在U2的每个正半周，从零值开始到触发脉冲到来瞬间所经历的电角度称为控制角α；在每个正半周内晶闸管导通的电角度叫导通角θ。
很明显，α和θ都是用来表示晶闸管在承受正向电压的半个周期的导通或阻断范围的。
通过改变控制角α或导通角θ，改变负载上脉冲直流电压的平均值UL，实现了可控整流。
五、在桥式整流电路中，把二极管都换成晶闸管是不是就成了可控整流电路了呢?
在桥式整流电路中，只需要把两个二极管换成晶闸管就能构成全波可控整流电路了。
现在画出电路图和波形图(图5)，就能看明白了。
六、晶闸管控制极所需的触发脉冲是怎么产生的呢?
晶闸管触发电路的形式很多，常用的有阻容移相桥触发电路、单结晶体管触发电路、晶体三极管触发电路、利用小晶闸管触发大晶闸管的触发电路，等等。
今天大家制作的调压器，采用的是单结晶体管触发电路。
七、什么是单结晶体管?它有什么特殊性能呢?
单结晶体管又叫双基极二极管，是由一个PN结和三个电极构成的半导体器件(图6)。
我们先画出它的结构示意图〔图7(a)〕。
在一块N型硅片两端，制作两个电极，分别叫做第一基极B1和第二基极B2；硅片的另一侧靠近B2处制作了一个PN结，相当于一只二极管，在P区引出的电极叫发射极E。
为了分析方便，可以把B1、B2之间的N型区域等效为一个纯电阻RBB，称为基区电阻，并可看作是
两个电阻RB2、RB1的串联〔图7(b)〕。
值得注意的是RB1的阻值会随发射极电流IE的变化而改变，具有可变电阻的特性。
如果在两个基极B2、B1之间加上一个直流电压UBB，则A点的电压UA为：若发射极电压UE<UA，二极管VD截止；当UE大于单结晶体管的峰点电压UP(UP=UD＋UA)时，二极管VD 导通，发射极电流IE注入RB1，使RB1的阻值急剧变小，E点电位UE随之下降，出现了IE增大UE 反而降低的现象，称为负阻效应。
发射极电流IE继续增加，发射极电压UE不断下降，当UE下降到谷点电压UV以下时，单结晶体管就进入截止状态。
八、怎样利用单结晶体管组成晶闸管触发电路呢?
单结晶体管组成的触发脉冲产生电路在今天大家制作的调压器中已经具体应用了。
为了说明它的工作原理，我们单独画出单结晶体管张弛振荡器的电路(图8)。
它是由单结晶体管和RC充放电电路组成的。
合上电源开关S后，电源UBB经电位器RP向电容器C充电，电容器上的电压UC按指数规律上升。
当UC上升到单结晶体管的峰点电压UP时，单结晶体管突然导通，基区电阻RB1急剧减小，电容器C通过PN结向电阻R1迅速放电，使R1两端电压Ug发生一个正跳变，形成陡峭的脉冲前沿〔图8(b)〕。
随着电容器C的放电，UE按指数规律下降，直到低于谷点电压UV时单结晶体管截止。
这样，在R1两端输出的是尖顶触发脉冲。
此时，电源UBB又开始给电容器C充电，进入第二个充放电过程。
这样周而复始，电路中进行着周期性的振荡。
调节RP可以改变振荡周期。
九、在可控整流电路的波形图中，发现晶闸管承受正向电压的每半个周期内，发出第一个触发脉冲的时刻都相同，也就是控制角α和导通角θ都相等，那么，单结晶体管张弛振荡器怎样才能与交流电源准确地配合以实现有效的控制呢?
为了实现整流电路输出电压“可控”，必须使晶闸管承受正向电压的每半个周期内，触发电路发出第一个触发脉冲的时刻都相同，这种相互配合的工作方式，称为触发脉冲与电源同步。
怎样才能做到同步呢?大家再看调压器的电路图(图1)。
请注意，在这里单结晶体管张弛振荡器的电源是取自桥式整流电路输出的全波脉冲直流电压。
在晶闸管没有导通时，张弛振荡器的电容器C
被电源充电，UC按指数规律上升到峰点电压UP时，单结晶体管VT导通，在VS导通期间，负载RL 上有交流电压和电流，与此同时，导通的VS两端电压降很小，迫使张弛振荡器停止工作。
当交流电压过零瞬间，晶闸管VS被迫关断，张弛振荡器得电，又开始给电容器C充电，重复以上过程。
这样，每次交流电压过零后，张弛振荡器发出第一个触发脉冲的时刻都相同，这个时刻取决于RP的阻值和C的电容量。
调节RP的阻值，就可以改变电容器C的充电时间，也就改变了第一个Ug发出的时刻，相应地改变了晶闸管的控制角，使负载RL上输出电压的平均值发生变化，达到调压的目的。
双向晶闸管的T1和T2不能互换。
否则会损坏管子和相关的控制电路。