用正电子湮没技术研究硼在Ni_3Al中的存在形式
正电子湮灭
正电子湮灭正电子湮灭仪正电子湮没技术（PAT）是一项相对较新的核物理技术。
它利用凝聚态物质中正电子的湮没辐射来揭示物质的微观结构、电子动量分布和缺陷状态等信息，从而提供一种非破坏性的研究方法，受到人们的青睐。
目前正电子湮没技术已进入固体物理、半导体物理、金属物理、原子物理、表面物理、超导物理、生物学、化学和医学等诸多领域。
特别是在材料科学研究中，正电子在微缺陷和相变研究中发挥着越来越重要的作用。
正电子湮灭技术的发展概况正电子湮没是一种核技术，可以研究气体、液体和固体（晶体或非晶），因此研究领域非常广泛。
由于正电子主要与物质中的活跃电子相互作用，因此获得的信息能更好地反映物质的电子结构和化学环境的变化。
它提供了比光谱、质谱、核磁共振和电子自旋共振更多的信息。
该技术不仅需要亚纳秒电子技术，而且设备和数据处理简单，易于建立和掌握。
此谱法的缺点是，各种物质的谱数据可能相类似，因而特征性差些。
另外，至目前为止，这方面工作还是处在探索和建立规律的阶段，有待完善理论工作以指导应用。
正电子湮没技术的基本原理一种研究物质微观结构的方法。
正电子是电子的反粒子,两者除电荷符号相反外,其他性质（静止质量、电荷的电量、自旋）都相同。
正电子进入物质在短时间内迅速慢化到热能区,同周围媒质中的电子相遇而湮没,全部质量(对应的能量为2mec2)转变成电磁辐射──湮没γ光子。
50年代以来对低能正电子同物质相互作用的研究，表明正电子湮没特性同媒质中正电子―电子系统的状态、媒质的电子密度和电子动量有密切关系。
随着亚纳秒核电子学技术、高分辨率角关联测量技术以及高能量分辨率半导体探测器的发展，可以对正电子的湮没特性进行精细的测量，从而使正电子湮没方法的研究和应用得到迅速发展。
现在，正电子湮没技术已成为一种研究物质微观结构的新手段。
正电子的性质1928年dirac在求解相对论性的电子运动的dirac方程时预言正电子的存在，1932年andersan在威尔逊云室研究宇宙射线时发现了正电子。
正电子湮没技术基本原理
正电子湮没技术基本原理在20世纪30年代发现了正电子，40年代起人们把它应用于固体物理研究，60年代末又将它广泛应用于材料科学，80年代又把它应用于表层和表面研究。
正电子湮没谱学实验技术主要有三种：多普勒能谱、寿命谱和角关联（其装置分别简称为多普勒仪、寿命谱仪和角关联装置）。
PAT之所以能得到迅速的发展是由于它具有许多独特的优点：（1）PAT研究是样品中原子尺度缺陷，这些缺少原子的缺陷在X衍射、电镜中研究颇为困难。
（2）PAT对样品的温度几乎是没有限制，如可以跨越材料的熔点或凝固点，而信息又是通过贯穿能力很强的γ射线携带出来的，因此易于对样品作高低温的动态原位测量，即一面升降温一面测量，或在测量时施加电场、真空、磁场、高气压等特殊环境。
（3）它对样品材料种类没有什么限制，可以是固、液或气，可以是金属、半导体、高分子或绝缘体，可以是多、单晶、液晶或非晶等，总而言之，凡是与材料电子密度及电子的动量有关的问题，理论上都可用PAT来研究。
（4)室温测量下的PAT的制样方法简便易行，仪器也不太复杂，使它容易得到推广。
2.2正电子和正电子湮没2.2.1物理量上表列出了正电子与电子的一些物理属性。
2.2.2正电子湮没正电子遇到物质中的电子时会发生湮没，这时正电子、电子的质量全都转变为γ光子的能量，湮没时主要发射2个γ光子，称为2γ湮没或双光子湮没。
22，对于实验室，用的最多是放射性同位素源，而其中最广泛使用的是Na22相对于其他正电子源有几个优点：①其半衰期长达2.6a；②正电子产率高达Na90%； 在发射正电子的同时，还会伴随发射一个能量约为1.28MeV 的γ光子。
它的衰变方程为：ν++→+*+e Ne Na 2222 （1） )28.1(2222MeV Ne Ne γ+→* （2） 第（1）个方程衰变后的几个皮秒内，第（2）方程便衰变了。
一般从放射源发射出的正电子能量大约在几百千电子伏特到几兆电子伏特之间，正电子进入物质后，大约在s 1210-量级内动量降至kT 量级（室温下约为0.025eV ）。
正电子湮没寿命谱在材料科学中的应用
正电子湮没寿命谱在材料科学中的应用正电子湮没寿命谱（positron annihilation lifetime spectroscopy, PALS）是一种研究物质内部空位和微观结构的非破坏性表征技术。
它利用正电子和负电子之间的湮灭过程，探测材料中正电子的寿命特性，得到关于材料空位和缺陷的信息。
在材料科学研究中，正电子湮没寿命谱具有广泛的应用，如材料缺陷诊断、微观结构表征、材料性能研究等领域。
一、正电子湮没寿命谱的基础原理正电子湮没寿命谱是基于正电子和负电子相遇时发生湮灭的过程实现的。
正电子是带正电荷的电子的反粒子，具有很高的动能和易于运动的特点。
正电子湮灭就是指正电子和负电子相遇后消失的过程，同时会产生两个γ光子。
当正电子在物质中的能量足够低，处于几电子伏特的水平时，它将与材料中的电子形成一个束缚态，这个过程我们称之为电子-正电子对的形成。
那么，正电子在被材料中活跃的空位捕获后形成类似原子态的寿命，寿命结束时，正电子和电子相遇发生湮灭。
正电子和负电子相遇的湮灭过程，释放出了两次能量相等, 频率为511 KeV 的γ射线，这些γ射线的能量被用来确定正电子和负电子的湮灭位置。
二、正电子湮没寿命谱在材料缺陷诊断中的应用在材料科学中，正电子湮没寿命谱有广泛的应用，应用最为广泛的领域之一是材料缺陷诊断。
材料中的缺陷局限在空间结构中，可以通过正电子湮没寿命谱进行精确的检测和表征。
考虑到正电子的动能和大小，只有当正电子可以和空位相遇时，才能发生湮灭。
因此，正电子湮没寿命谱可以检测材料中的空位和缺陷。
如材料中的空穴、氢气包裹和晶粒边界等，都可以通过正电子湮没寿命谱进行检测。
正电子湮没寿命谱可以测试材料的缺陷密度，缺陷类型和缺陷深度等信息。
对于材料的缺陷诊断，正电子湮没寿命谱具有很高的检测灵敏度。
三、正电子湮没寿命谱在材料微观结构表征中的应用除了材料的缺陷诊断，正电子湮没寿命谱还可以用于材料的微观结构表征。
正电子湮没寿命谱可以测量材料的密度、晶体结构和晶粒尺寸等参数，从而了解材料的物理性质。
正电子湮灭 实验报告 xxx
正电子在物质中的湮灭寿命姓名：xxx 学号：xxxxxxxxxxxxx实验目的：1. 了解正电子寿命测量的的基本原理；2. 初步掌握正电子寿命测量方法；3. 了解正电子在物质中湮灭的物理过程4. 了解多道时间谱仪的工作原理，初步掌握多道时间谱仪的使用方法；5. 初步掌握使用计算机解谱的数学方法。
实验内容：1. 对谱仪进行时间刻度；2. 测定谱仪的分辨时间；3. 测量正电子在给定样品中的平均湮灭寿命。
实验原理：1. 正电子在物质中的湮灭寿命正电子是电子的反粒子，许多属性和电子对称。
正电子与电子质量相等，带单位正电荷，自旋为1/2h ，磁矩与电子磁矩大小相等，但方向相反。
正电子与电子相遇就会发生湮灭反应，湮灭的主要方式有三种：单光子湮灭，双光子湮灭以及三光子湮灭。
但发射单个光子或三个光子的湮灭过程，但几率极小，湮没过程中发射的γ光子，通常称为湮没辐射。
从正电子的湮没特性可知有自由态湮没和捕获态湮没两种：正电子在完整晶格中的湮没往往是自由湮没，一旦介质中出现缺陷，那么就会出现捕获湮没过程。
一般常见金属及合金中，以自由态湮没方式湮没的正电子寿命，简称自由态正电子寿命f τ,在100--250ps ，少数几咱碱金属的f τ值超过300ps ；捕获态正电子寿命d τ比相同介质的自由态正电子寿命f τ长，且随缺陷的线度增长而增长；不同种类的缺陷有不同的d τ值。
根据Dirac 理论，发生双光子湮灭的几率为20eR πr cn ∝，其中c 是光速，r0为电子经典半径，e n 为物质的局域电子密度。
所以正电子的湮灭寿命1e n τ∝，当物质结构的发生变化（例如产生空位缺陷，辐射损伤，形变等）将导致物质局域电子密度e n 变化，正电子湮灭寿命也随之发生改变。
因此，人们可以通过正电子寿命变化来探视物质结构变化，这是正电子技术应用的一个重要方面。
2. 测量正电子寿命的实验原理实验中用的正电子一般来自放射性同位素的β+衰变，能发射正电子的放射性同位素有Na 22、Co 58、Cu 64、Ge 68等，常用的β+源是Na 22源，它放出的正电子最大动能为0.545MeV ，半衰期2.6年。
正电子湮没技术
正电子湮没技术什么是正电子湮没技术？正电子湮没技术是一种用于研究材料结构和性质的重要实验手段，它利用正电子（也称作反电子）与电子相遇并湮灭的现象，通过观察湮没产生的γ射线和湮没产物的运动信息，来获取有关材料的相关信息。
正电子湮没的基本原理正电子是带有正电荷的电子，它与电子相遇后会发生湮灭现象。
在湮灭过程中，正电子和电子的质量全部转换为能量，直接以γ射线的形式释放出来。
正电子湮没技术利用γ射线的特性，通过测量γ射线的能谱和湮没产物的动量信息，来研究材料的物理和化学性质。
正电子湮没技术的应用正电子湮没技术在材料科学和物理学的研究中有着广泛的应用。
材料表面和界面研究正电子湮没技术可以用来研究材料的表面和界面性质。
通过测量湮没产生的γ射线能谱和湮没产物的动量信息，可以确定材料表面的电子态密度和表面缺陷的分布情况。
这对于了解材料的物理和化学性质，以及表面缺陷对材料性能的影响具有重要的意义。
密封材料研究正电子湮没技术可以用来研究密封材料的性能。
密封材料在各种工程应用中起着关键的作用，因此了解其性能和结构非常重要。
正电子湮没技术可以通过测量材料中正电子的湮没行为，来获取关于材料母体结构和密封性能的信息。
纳米材料研究正电子湮没技术在纳米材料研究中有着重要的应用。
纳米材料具有独特的物理和化学性质，其性能受到尺寸效应和界面效应的影响。
正电子湮没技术可以用来研究纳米材料的电子态密度分布、表面缺陷、界面结构等相关信息，进而揭示纳米材料的特殊性质和性能。
正电子湮没实验的步骤正电子湮没实验通常包括以下几个步骤：1.正电子产生：通过激光或者放射性同位素的衰变，产生正电子。
2.正电子注入材料：将产生的正电子注入到待研究的材料中。
3.正电子湮没：正电子与材料中的电子相遇并湮灭，在湮灭过程中产生γ射线。
4.γ射线测量：通过γ射线探测器测量湮没产生的γ射线的能谱。
5.动量分辨：通过动量分辨设备测量湮没产物的动量信息。
6.数据分析：对测量到的能谱和动量信息进行分析，提取材料的相关性质。
正电子湮没
正电子湮没技术基本原理陈志权自从1930年由英国物理学家P. Dirac从理论上预言了正电子的存在，以及1932年美国物理学家C.D. Anderson在宇宙射线中发现了正电子的存在以后[1]，正电子湮没谱学(Positron Annihilation Spectroscopy，PAS)首先在固体物理中得到了应用，并在六十年代后期得到了飞速发展。
它已在材料科学，特别是缺陷研究和相变研究中发挥了重大的作用。
正电子是电子的反粒子，除所带电荷与电子相等，符号相反之外，其它特性均与电子相同。
正电子进入物质后遇到电子会发生湮没，同时放射两个或三个湮没γ光子。
用核谱学方法探测这些湮没辐射光子，可以得到有关物质微观结构的信息[2]。
利用正电子湮没谱学研究材料具有许多优点。
它提供了一种非破坏性的探测手段，因为信息是由穿透材料湮没辐射所带出的。
它不需要特殊的样品制备。
另外，在某些应用中，它还可以做原位研究，如在升温过程中的化学反应动力学过程等等。
实验证明，正电子湮没谱学是研究金属、半导体、高温超导体、高聚物等材料中的微观结构、电荷密度分布、电子动量密度分布极为灵敏的工具[3-4]。
一、正电子在固体中的热化、扩散和捕获现象常规正电子源通常是具有β+衰变的放射性同位素，如22Na、64Cu等。
从放射源中发射出来的正电子(E<1MeV)进入固体材料后，首先将在约1ps内通过与物质中原子的各种非弹性散射作用（如电子电离、等离子体激发、正电子--电子碰撞、正电子--声子相互作用等元激发过程）迅速损失能量并慢化至热能(∼0.025eV)[5]。
其在材料中的深度分布近似满足下面的指数关系[6-7]:式中ρ为固体的密度，E max为入射正电子的最大能量。
对于最常用的正电子源22Na，其E max=0.545MeV，因此正电子在固体中的注入深度约为100µm左右，所以由正电子湮没所得到的是材料的体态信息。
热化后的正电子将在体内作扩散运动，其扩散长度为∼100nm，在扩散过程中如果遇到电子会与之发生湮没，放出两个或三个γ光子。
正电子湮没技术测量冷却方式对Zr在Ni_3Al中扩散行为的影响
第28卷 第12期 核 技 术 V ol. 28, No.12 2005年12月 NUCLEAR TECHNIQUES December 2005国家自然科学基金项目（No.59895152）资助第一作者：郭建亭，男，1938年出生，1962年毕业于北京钢铁学院，材料学，研究员 收稿日期：2004-04-13，修回日期：2004-06-03正电子湮没技术测量冷却方式对Zr 在Ni 3Al 中扩散行为的影响郭建亭 李玉芳 熊良钺（中国科学院金属研究所高温合金研究部 沈阳 110016）摘要 测量了在Ni 3Al(Zr)合金经高温均匀化处理后，在空冷和水冷条件下的正电子寿命谱。
结果表明，Ni 3Al(Zr)合金经高温均匀化后，随即进行空冷时，随着Zr 含量的增加，正电子在合金中的寿命谱特征参数降低，捕获率K 降低。
表明Zr 原子扩散到晶界，并在晶界偏聚。
而合金经高温均匀化后水冷时，合金的正电子寿命谱特征参数随着Zr 含量的增加几乎没有变化。
由于冷却速度较快，Zr 原子来不及扩散到晶界上，而以固溶方式存在于Ni 3Al 基体中。
关键词 正电子湮没，Ni 3Al ，Zr ，水冷，空冷，扩散 中图分类号 0571.1, TG111.6, TG146.1+5富含Ni 的多晶Ni 3Al 中加入微量的硼，可以显著改善合金的在室温下的塑性，并使断裂方式由沿晶变为穿晶[1—4]。
一般认为，硼原子偏聚到晶界上，抑制了Ni 3Al 合金的环境脆性[5]。
添加适量的Zr 不但能提高亚化学计量比Ni 3Al 合金的塑性，而且能提高过化学计量比（x (Al)≥25%）Ni 3Al 合金的室温塑性[6]。
研究发现，在富Ni 和富Al 的Ni 3Al 合金中，Zr 都能偏聚到晶界[7,8]。
Zr 的塑化作用与其在晶界的偏聚有关[8]。
因此，Zr 在晶界的偏聚量的多少将对Ni 3Al 合金的力学性能产生很大的影响。
对不同的热处理工艺，Zr 原子在Ni 3Al 晶界处的偏聚量不同。
化学竞赛无机化学绝密课件硼族元素
化学竞赛无机化学绝密课件硼族元素摘要：本文主要介绍了化学竞赛中无机化学部分的重要知识点——硼族元素。
通过对硼族元素的概述、性质、化合物以及应用等方面的详细讲解，旨在帮助参赛者更好地掌握这一部分内容，提高化学竞赛成绩。
一、硼族元素概述硼族元素位于元素周期表的第二族，包括硼（B）、铝（Al）、镓（Ga）、铟（In）和铍（Tl）等元素。
硼族元素在自然界中分布广泛，其中硼和铝是地壳中含量较多的元素。
硼族元素在化学性质上具有一定的相似性，但在物理性质和应用方面存在较大差异。
二、硼族元素的性质1.电子结构：硼族元素的原子结构中，最外层电子数为3个，因此它们在化学反应中容易失去3个电子，形成+3价离子。
2.金属性和非金属性：从上到下，硼族元素的金属性逐渐增强，非金属性逐渐减弱。
硼和铝具有较强的非金属性，而铟和铍的金属性较强。
3.离子半径：硼族元素的离子半径随着原子序数的增加而增大，这是因为原子核对最外层电子的吸引力逐渐减弱。
4.电负性：硼族元素的电负性随着原子序数的增加而减小，这是因为原子核对最外层电子的吸引力逐渐减弱。
三、硼族元素的化合物1.氧化物：硼族元素与氧元素形成的氧化物具有多种类型，如硼酸、氧化铝、氧化镓等。
这些氧化物在工业、医药等领域具有广泛的应用。
2.硼化物：硼族元素与金属元素形成的硼化物具有高熔点、高硬度和良好的导电性等特点，如碳化硼、氮化硼等。
3.氢化物：硼族元素与氢元素形成的氢化物在有机合成中具有重要应用，如硼氢化钠、硼氢化铝等。
4.硼酸盐：硼酸盐是一类重要的无机化合物，如硼砂、硼酸铝等。
它们在玻璃、陶瓷、洗涤剂等领域具有广泛应用。
四、硼族元素的应用1.金属铝：铝是硼族元素中应用最广泛的元素，广泛应用于建筑、交通、包装、电力等领域。
铝具有良好的导电性、导热性和轻质等特点，是国民经济的重要支柱产业。
2.硼化合物：硼化合物在农业、医药、化工等领域具有重要应用。
如硼酸用作植物生长调节剂，硼氢化钠在有机合成中作为还原剂等。
正电子湮没技术
息有利于现场测量特点，在固体物理、材料科学及 物理冶金和化学等领域得到了越来越广泛旳应用。
正电子发展历史
❖ 1939年狄拉克从理论上预言正电子旳存在 ❖ 1932年安德森，1933年Blackett和Occhian Line从试验上观察到正电子
旳存在
1 d
2 d
I1
f
1
2 2
f d f d
I2
1 2
f
d
（9）
低缺陷浓度近似
❖ 当缺陷浓度很低时，和都很小，由式（4） 和（7）可近似求得如下成果：
❖ 热化后旳正电子处于正电子导带带底旳基态， 即非局域旳布洛赫态，并服从玻尔兹曼分布：
f
(E , T
)
(m
kBT
)3 2
exp(
E
kBT )
正电子在固体物质中旳捕获
❖ 在热扩散阶段，正电子波函数可能会与晶格 中旳点阵缺陷交迭。因为不具有带正电原子 实旳点阵空位是正电子旳吸引中心，假如吸 引势足够强，正电子波函数会局域到缺陷处 形成局域态或称作正电子捕获态，直到与缺 陷处旳电子湮没为止。
❖ 空位型缺陷涉及： 空位 刃型位错 空位团 微孔洞等。
空位
刃位错点阵示意图
堆垛层错缺陷
晶粒间界
缺陷旳表达符号
点缺陷名称
点缺陷所带有效电荷
×
中性
·
正电荷
’ 负电荷
缺陷在晶体中所占的格位
❖ 点缺陷名称：空位缺陷用V，杂质缺陷则用该杂 质旳元素符号表达，电子缺陷用e表达，空穴缺陷 用h表达。
❖ 缺陷符号旳右下角旳符号标志着缺陷在晶体中所 占旳位置：用被取代旳原子旳元素符号表达缺陷 是处于该原子所在旳点阵格位上；用字母i表达缺 陷是处于晶格点阵旳间隙位置。
金属间化合物ni_3al反相畴界能及层错能的改进分析型嵌入原子法计算
金属间化合物ni_3al反相畴界能及层错能的改进分析型嵌入原子法计算反相畴界能和层错能是金属间化合物Ni_3Al的重要物理性质，通过嵌入原子法进行计算可以提供关键的理论信息。
本文将详细介绍如何使用嵌入原子法计算Ni_3Al的反相畴界能和层错能，并探讨如何改进这种计算方法以提高计算精度。
首先，嵌入原子法是一种计算固体金属结构及性质的常用方法之一、它基于密度泛函理论（DFT），采用周期性边界条件，并假设金属原子相互作用通过嵌入原子势有效描述。
具体而言，嵌入原子法将金属晶格中的每个原子嵌入到一个无限大的电子气中，通过优化电子密度来计算材料的总能量。
在计算Ni_3Al的反相畴界能时，首先需要建立一个包含反相畴界的模型。
一种常用的方法是使用slab模型，其中Ni_3Al晶格平面上的原子在模型中被排列成不同的顺序，使得两边的排列方式不同。
然后，对此模型进行几何优化和电子结构计算，计算得到不同原子排列方式下的总能量。
反相畴界能可以通过计算两侧金属原子排列方式不同的总能量差来得到。
在计算Ni_3Al的层错能时，同样需要建立一个包含层错的模型。
一种常用的方法是使用supercell模型，其中Ni_3Al晶格中有一个或多个层被错位一定的距离，并保持其他层不变。
然后，对此模型进行几何优化和电子结构计算，计算得到不同层错位程度下的总能量。
层错能可以通过计算错位层和未错位层之间的总能量差来得到。
然而，使用传统的嵌入原子法计算Ni_3Al的反相畴界能和层错能存在一些局限性和精度问题。
首先，传统嵌入原子法可能会忽略材料间的相互作用，从而导致计算结果与实验结果存在差异。
其次，嵌入原子法对电子结构的约化表示可能会引入额外的误差。
此外，模型的选择和约束条件的设置也可能会影响计算结果的准确性。
为了改进嵌入原子法计算Ni_3Al的反相畴界能和层错能的精度，可以采取以下几种策略。
首先，采用更高级的计算方法，如密度泛函理论的更高级别的近似或量子蒙特卡罗模拟等，以提高计算的准确性和可靠性。
第二章：正电子湮没谱学
• 图2.1
22 11
Na
的衰变图
第二章：正电子湮没谱学 2、正电子湮没谱学的基本原理 2．2 正电子源
• 正电子源可为固态、液态或气态，大都使使用固 态。
• 固态使用时一般又有三种方式：
• 第一种方式是把所制备的放射性同位素(如22NaCl) 水溶液滴在一片极薄[每乎方厘米几毫克重]而致密 的膜(也称衬底—substrate)上，如镍箔、Mylar膜 等，蒸发干燥后，再覆盖同样的薄膜，四周封接， 成为夹心(sandwiched)源。测量时把两片试样夹 于源的两侧。它的优点是更换试样方便，不玷污 试样，缺点是正电子湮没谱线中有源的衬底膜成 分的贡献；
第二章：正电子湮没谱学 2、正电子湮没谱学的基本原理 2．3正电子湮没过程
• 其湮没截面比是：
3 2
1 137
1 2
4
• 此处
1
137
是精细结构常数。
第二章：正电子湮没谱学 2、正电子湮没谱学的基本原理 2．3正电子湮没过程
• 正电子湮没过程中的主要事件是双光子辐 射。文献中绝大部分工作均采用双辐射的 正电子湮没。本文的以下介绍除特别指出 外，全部指的双辐射的正电子湮没。
第二章：正电子湮没谱学 2、正电子湮没谱学的基本原理 2．3正电子湮没过程
• 正电子与电子的湮没辐射是一个相对论过 程，遵循电荷、自旋、能量、动量守恒和 选择定则，一个正电子进入介质后，通过 与离子、电子的非弹性散射等相互作用， 在极短的时间内就几乎失去其全部动能， 成为与分子热运动相平衡的热化正电子 (thermolized positron)，然后以T量级的动 能在介质中扩散、迁移，直到与一个电子 相遇而湮没辐射出光子。
第二章：正电子湮没谱学 2、正电子湮没谱学的基本原理 2．2 正电子源
金属氢化物的正电子湮没研究
金属氢化物的正电子湮没研究近年来，金属氢化物正电子湮没一直受到科学家们的极大关注，因为它不仅是重要的物理化学问题，而且还涉及到宇宙中的众多逸品。
正电子湮没是金属氢化物的一种重要特性，其中电子束分子可以被完全湮没，而湮没的能量将释放出来，从而影响金属氢化物的性质。
这种现象都是出现在大量催化反应中，所以研究金属氢化物正电子湮没非常重要。
正电子湮没是指金属氢化物中电子被完全湮没到集质子层中，释放出湮没能量的过程。
电子在氢原子核中湮没时，形成中空的团簇，由于团簇结构，金属氢化物的性质会有所变化，如热力学性质、电学性质、光学性质等。
如果能控制正电子湮没过程，就可以实现金属氢化物的调控。
正电子湮没对金属氢化物的性质具有重要作用，因此，研究金属氢化物正电子湮没可以为金属氢材料及研究相关催化反应提供重要技术支持。
近年来，科学家们通过改变电子自旋和多样的内核环境来控制正电子湮没，改变金属氢材料的性质。
令人激动的是，科学家们发现，金属氢化物的正电子湮没速率随着多样的内核环境的改变而发生显著的变化。
此外，科学家们还在研究金属氢化物的正电子湮没中，电子跃迁能改变金属氢化物的结构和性质。
电子跃迁是指在金属氢化物中，电子由低能量态移动到高能量态发生的过程，因此，金属氢化物的结构和性质会有所变化。
科学家们发现，电子跃迁的速率直接影响金属氢化物的性质，从而提高催化效果。
最后，金属氢化物正电子湮没在许多反应过程中起着重要作用，研究金属氢化物正电子湮没确实是一项重要的任务。
因此，研究者们应该努力探索金属氢化物正电子湮没的机理，以更好地控制金属氢化物的性质，并取得更大的成功。
综上，金属氢化物正电子湮没一直受到科学家们的极大关注，它涉及到重要的物理化学问题，也参与了宇宙中的众多逸品的分解。
正电子湮没是金属氢化物的一种重要特性，是指金属氢化物中电子被完全湮没到集质子层中，释放出湮没能量的过程。
电子跃迁也是影响金属氢化物的结构和性质的重要因素，研究者们应该努力探索金属氢化物正电子湮没的机理，以获得良好的控制效果。
硼对Ni3Al基IC6合金凝固过程影响的研究
硼对Ni3Al基IC6合金凝固过程影响的研究汪小平;郑运荣;肖程波;王蓓蕾;韩雅芳【期刊名称】《航空材料学报》【年(卷),期】2000(020)002【摘要】以等温凝固试验为基本手段,研究了四种不同B含量(wt%)(无B,0.02B,0.04B,0.07B) IC6合金的凝固行为,明确了B含量对IC6合金凝固过程的影响.研究结果表明,B含量对合金液相线、次生γ′的析出次序与析出温度影响不大,但能使合金固相线显著下降(从而使合金的凝固范围变宽);同时,B含量的增加还促进了合金中低熔点相M3B2的析出并使合金枝晶间的液池在很宽的温度范围内保持连通.此外,经等温凝固分析,高硼(0.07wt%)IC6合金理论上具有最佳可铸性.【总页数】7页(P21-27)【作者】汪小平;郑运荣;肖程波;王蓓蕾;韩雅芳【作者单位】北京航空材料研究院,北京,100095;北京航空材料研究院,北京,100095;北京航空材料研究院,北京,100095;北京航空材料研究院,北京,100095;北京航空材料研究院,北京,100095【正文语种】中文【中图分类】TG132.3【相关文献】1.Ni3Al基合金IC6的NiCrAlY(Si)包覆型涂层研究 [J], 韩雅芳;纪燕玲;廖鸿2.适用于Ni3Al基合金IC6的NiCoCrAlY涂层研究 [J], 李树索;肖程波;宋尽霞;韩雅芳3.Ni3Al基IC6返回料合金的显微组织与力学性能 [J], 宋尽霞;肖清云;臧川;肖程波;李树索;韩雅芳4.Ni3Al基合金IC6与变形合金GH3030间真空钎焊接头的组织与力学性能 [J], 王玉叶;李树索;于静静;韩雅芳5.Ni3Al基合金IC6及MCrAlY包覆涂层的抗腐蚀性能 [J], 李树索;韩雅芳;肖程波;宋尽霞因版权原因，仅展示原文概要，查看原文内容请购买。
Ni_3Al合金中硼原子的占位
Ni_3Al合金中硼原子的占位
李卫民;陈滨;吕维洁;张迎九
【期刊名称】《中国有色金属学报》
【年(卷),期】1998(8)A01
【摘要】采用特征晶体模型计算了Ｎｉ３Ａｌ合金中的Ｎｉ和Ａｌ原子的半径。
依据特征晶体模型理论和从硬球模型所得到的不同间隙的间隙半径方程，计算了不同间隙的间隙半径、间隙能和固溶度。
计算结果表明：硼原子趋向于占据６个Ｎｉ原子所围成的间隙。
【总页数】7页(P94-100)
【关键词】Ni3Al合金;间隙半径;特征晶体模型;硼原子
【作者】李卫民;陈滨;吕维洁;张迎九
【作者单位】广东工业大学材料科学与工程系;长沙日立汽车电器有限公司;上海交通大学金属基复合材料国家重点实验室;清华大学材料科学与工程系
【正文语种】中文
【中图分类】TG146.15;TG111.3
【相关文献】
1.Ti-35Nb合金中原子占位对β→ω相变的影响 [J], 孙锦辉;陈冷;孟利;王玉会
2.Ni3Al合金中硼原子的占位 [J], 李卫民
3.电感耦合等离子体原子发射光谱法测定镍硼合金中硼 [J], 安中庆; 方海燕; 范兴祥; 周娅; 赵德平; 刘英波
4.Ni_3Al合金硼原子占位及晶界偏聚 [J], 李卫民;张迎九;唐仁正;谢佑卿
5.新铜试剂-铜(Ⅰ)-四氟合硼离子缔合萃取-火焰原子吸收光谱法间接测定柑桔园土壤中全硼 [J], 陆建军;龚琦;韦小玲;张树青
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正电子湮灭
正电子湮灭技术正电子湮没技术(Positron Annihilation Technique-PAT)是一门把核物理和核技术应用于固体物理与材料科学研究的新技术，近20多年来该技术得到了迅速发展。
正电子湮没技术包括多种实验方法，其中最常用的主要有3种，即正电子湮没寿命谱测量、2γ湮没角关联和湮没能量的Doppler展宽。
简言之，正电子湮没技术是通过入射正电子与材料中电子结合湮没来反映材料中微结构状态与缺陷信息的。
与其他现代研究方法相比，正电子湮没技术具有许多独特的优点。
首先，它对样品的种类几乎没有什么限制，可以是金属、半导体，或是绝缘体、化合物、高分子材料；可以是单晶、多晶、纳米晶、非晶态或液晶，只要是与材料的电子密度、电子动量密度有关的问题，原则上都可以用正电子湮没的方法进行研究。
第二，它所研究的样品一般不需要特殊制备，其制样方法简便易行。
另外，正电子湮没技术对材料中原子尺度的缺陷和各种相变非常灵敏。
如今正电子湮没技术作为一种新型的应用核分析技术，已广泛应用于材料科学、物理、化学、生物、医学、天文等领域，本文仅就正电子湮没技术在测试领域研究中的一些基本应用(原理)作一介绍。
正电子湮没无损测试技术是一种研究物质微观结构的方法，一种先进的材料微观结构－自由体积的探测和表征技术，可用于固体物理晶体缺陷与材料相结构与相结构转变的研究，目前已成为一种研究物质微观结构、缺陷、疲劳等的新技术与手段。
检测实施过程中，放射源作用材料时会产生带有正电荷的、尺寸与电子相当的质点，这种正电子可以被纳米大小的缺陷吸引而与电子相撞击。
在正负电子撞击过程中，两种质点湮没，从而放出一种伽玛射线。
伽玛射线能谱显示出一种清晰可辨的有关材料中的缺陷大小、数量以及型别的特征。
显然，这些特征可以标识最早阶段的损伤，即裂纹尚未出现的损伤；同时可以在不分解产品的情况下定量地评估其剩余寿命，笔者对该技术的原理及其应用进行了介绍。
正电子湮没无损测试所采用的正电子源最初来自于放射源的β＋源，通过放射源的作用在材料中产生正电子。
正电子湮没谱研究Nb在TiAl合金中的掺杂效应
正电子湮没谱研究Nb在TiAl合金中的掺杂效应
张兰芝;王宝义;王丹妮;魏龙;林均品;王文俊
【期刊名称】《金属学报》
【年(卷),期】2007(43)3
【摘要】利用正电子湮没寿命谱(PALS)和符合Doppler展宽(CDB)技术研究了Ti_(51)Al_(49)合金中Nb的掺杂效应．结果表明:低含量掺杂时,Nb原子主要偏聚在合金晶界处,提高了晶界位置的自由电子密度,有利于改善合金的室温韧性;而较高含量的Nb掺杂时,由于形成了新的晶体结构,合金基体及晶界处的自由电子密度减少,导致合金的脆性增加．
【总页数】4页(P269-272)
【关键词】正电子湮没寿命;二维符合Doppler;TiAl合金
【作者】张兰芝;王宝义;王丹妮;魏龙;林均品;王文俊
【作者单位】中国科学院高能物理研究所核分析技术重点实验室;北京科技大学新金属材料国家重点实验室
【正文语种】中文
【中图分类】TG146.2;O571.33
【相关文献】
1.用正电子湮没技术研究Zr和Nb在TiAl合金中的行为 [J], 黄宇阳;吴伟明;邓文;钟夏平;熊良钺;曹名洲;龙期威
2.碘掺杂聚乙炔的正电子湮没谱和结构缺陷转变 [J], 陈洗;黄敬明
3.用正电子湮没技术研究Cr和Nb对TiAl合金中缺陷和d-d电子相互作用的影响[J], 祝莹莹;邓文;孙顺平;江海峰;黄宇阳;曹名洲;熊良钺
4.钆掺杂巨磁阻材料Sr_2FeMoO_6正电子湮没谱 [J], 路庆凤;胡艳春;张星;徐勇光;张芹;李喜贵
5.掺V和Ag的TiAl合金中缺陷和电子密度的正电子湮没研究(英文) [J], 邓文;祝莹莹;周银娥;黄宇阳;曹名洲;熊良钺
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掺硼Ni_3Al-Fe合金中的马氏体转变
掺硼Ni_3Al-Fe合金中的马氏体转变
金头男;孔祥炎
【期刊名称】《中南矿冶学院学报》
【年(卷),期】1991(22)5
【摘要】利用透射电子显微技术测定了掺硼加铁Ni_3Al合金中NiAl(β相)与
Ni_3Al(γ′相)之间的取向关系,NiAl马氏体的晶体结构。
分析了马氏体亚结构,其中孪晶马氏体的孪生关系为{111}〈112〉_(fct)或{101}〈101〉_(bct);另一类亚结构出现0(1/2)(1/2)超反射,说明加铁NiAl金属间化合物在淬火过程中所形成的马氏体可以进一步有序化。
【总页数】6页(P545-550)
【关键词】Ni3-Al-Fe;合金;掺硼;马氏体
【作者】金头男;孔祥炎
【作者单位】中南矿冶学院材料系;中南矿冶学院测试分析中心
【正文语种】中文
【中图分类】TG146
【相关文献】
1.利用电镜研究经过时效的Ti—5lat%Ni形状记忆合金中的预马氏体和马氏体转变[J], 陶正兴
2.Cu-Al-Co系合金中的马氏体转变 [J], N．P．希勃列;H．H．柯瓦尔;党守洁（译）
3.掺硼N3Al—Fe合金中的马氏体转变 [J], 金头男;孔祥炎
4.Au-Cu-Al合金中的马氏体转变 [J], 顾一嘉;金明江;金学军
5.γ-MnFe基合金中反铁磁转变和fcc fct马氏体相变 [J], 鲁萍;张骥华;徐祖耀因版权原因，仅展示原文概要，查看原文内容请购买。