SST39VF1601简介
基恩士离子风机
离子平衡控制方式
约 2 sec
约 0.7 sec
±5 V
±10 V
0.8 m/s
3.5 m/s
3.1 m3/min
0.005 ppm 以下
NPN 集电极开路与无线电通讯压力节点信号
NPN 电极开路 100 mA（40 V 以下）
24 VDC ±10% 1.2 A 以下 0 至 +50˚C
35 至 65%（避免凝结水滴） 约 620g
应用示例
电池组检查 工程
HDD 生产线
小型电动机内置 静电消除
元件工程中的 省空间 静电消除
精密操作的 高精度 静电消除
基板静电消除
3
SJ-M040
在需要避免污垢、附着物的场所，方便地消除静电
附带气压枪的静电消除器
安装 SJ-MG01 时 SJ-M400 系列
附带脉冲气体功能的高压气体清洁
电磁信号控制功能使间歇性持续释放最大强度为 0.7 MPa 的离子流成为可能。 对吸附在表面不易去除的粉尘施加振动，不但可以达到除尘的目的，而且采用 间歇性空气供给比持续空气供给降低约 50％ 空气耗量。
电压输入方式
输入电压 限定输出电压
控制离子平衡方式
离子平衡
最大空气压力
连接管
控制输入
输入触发器
控制输出
警报 离子水平／状况警报
主要功能
特定规格 耐环境性 重量
电源电压 消耗电流 使用时的周围温度 使用时的周围湿度 静电消除器的头部 控制器部分
1. 设置距离 150 mm。无清洁空气时
SJ-M400 SJ-M040 脉冲 AC 方式 ±5.5 kV
❙ 传统产品（AC 方式）
生成离子 +
艾雷斯科技工控产品
产品 5：ACS-4051VE
产品名 称： 产品型 号： 产品类 别：
ACS-4051VE
ACS-4051VE 嵌入式 PC104 板 卡系列
驱动下载
产品特点
● 网络接口：集成 1 个 INTEL 82562ET 和 1 个 82559ER（可选） ● 10/100M 自适应以太网控制器，RJ-45 接口
产品 3：ACS-6599
产品名 称： 产品型 号： 产品类 别：
ACS-6599 ACS-6599 网安主板
驱动下载
产品特点
采用 Intel？ E7520 +6300ESB 芯片组 >支持 双 Intel？Xeon？ 64 位处理器 >具备 8DDR2 内存扩展插槽，最大支持 16GB DDR2 400 的双通道内存架构 >具有 8 个 PCI-Express 接口的 Intel 82571EB 千兆位以太网接口 >一个 PCI_E X8 插槽 >一个 PCI_X 插槽 >一个 PCI 扩展槽 >多种存储介质选择：2 个串行 ATA（ＳＡＴＡ）通道，２个ＩＤＥ通道，1 个 Compact Flash （CF）卡插槽, 2 个 SCSI 接口 >支持 1-255 秒软件可编程看门狗计时器 性能参数: 优势: 处理器/高速缓存： 采用 socket604 mPGA 封装的至强处理器。 支持 1-2 颗英特尔？ 至强？ 处理器, 至强 64 位处理器具备 2MB 大容量二级缓存，支持超 线程 (HT) 技术、英特尔？ 64 位内存扩展技术 1 和英特尔增强型 SpeedStep？ 技术 2 可 与支持 64 位的操作系统和应用程序兼容；用较低的运作成本降低了功耗。 系统的前端总线 800M，运行频率为 2.8G-3.2G 的英特尔？ 至强 64 位处理器。 板载设备： 芯片组：Intel？ E7520 北桥芯片组，Intel？6300ESB 南桥芯片组 网络 板载显卡：ATI RAGE XL 显卡，板载 8M 显存 网络：采用 4 个 Intel？82571EB 芯片的 PCI-Express 千兆位以太网控制器 韧体芯片: SST49LF004A 4M bit Flash 芯片 超级 I/O: Winbond W83627 芯片;
EKMH160VSN393MR50T中文资料(Nippon Chemi-Con)中文数据手册「EasyDatasheet - 矽搜」
1 电容类型.
字段1.
铝电解电容器（极地）.
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KMH系列
标准电压等级 - 四合山
Rated
电压
(WVDC)
电容
(µF )
全球
零件号
†
标称
表壳尺寸* D L ( mm )
6.3伏特
8电 压 浪 涌
12,000 15,000 18,000 22,000 27,000 33,000 18,000 22,000 27,000 33,000 39,000 47,000 22,000 27,000 33,000 39,000 47,000 56,000 68,000 33,000 39,000 47,000 56,000 68,000 82,000 120,000 180,000 56,000 68,000 82,000 100,000 150,000 180,000 220,000
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KMH系列
尺寸图 - 四合山
四合山
类型 VSN与 VNN Ø 22~ Ø 35
Pb-free PVC Sleeve D1
See Pin Detail
** Vent
L2
PC board pin-out
10 2-2x
工程公告3月7日
类型 VRD Ø 35
Pb-free PVC Sleeve
1.16
1.30
10kHz 1.08 1.19 1.45 1.41
100kHz 1.08 1.20 1.50 1.43
下面规格应满足,当电容器后恢复到20℃ 它们进行直流电压2000小时在105℃施加额定纹波电流. 直流电压和峰值AC电压总和不得超过电容器全额定电压.
U-boot-1.1.4 在FS2410开发板上的移植详解(For Nor Flash)
环境：u-boot-1.1.4FC3NorFlash SST39VF1601toolchains Arm-linux-uclibc-u-boot-1.1.4版本中带有移植好的SMDK2410源代码，使用SMDK2410的配置生成的u-boot.bin烧写到FS2410开发板中，已经可以运行和驱动CS8900网卡芯片，但是Flash驱动不同，故环境变量的保存无法实现。
本文档主要论述Flash 驱动的修改和环境变量保存的实现。
解压u-boot-1.1.4源码包make smdk2410_config修改主Makefile在export CROSS_COMPILE上一行加上CROSS_COMPILE = arm-linux-uclibc-make此时会出现一个错误：cc1: error: invalid option `abi=apcs-gnu'修改/cpu/arm920t/下的config.mk:将PLATFORM_CPPFLAGS +=$(call cc-option,-mapcs-32,-mabi=apcs-gnu)改成：PLATFORM_CPPFLAGS +=$(call cc-option,-mapcs-32,$(call cc-option,-mabi=apcs-gnu),)再次make这次可以完全编译成功，主目录下生成u-boot.bin，使用Flash Programmer 主目录下带的BinToS19.exe将u-boot.bin转化为u-boot.s19格式使用Flash Programmer烧写到FS2410可以看到下列启动画面从启动画面可以看到，Flash的大小显示的是错误的，并且反复开机都有bad crc出现。
测试savenev命令显示可以保存环境变量，但是开机后环境变量还是默认值。
上述问题是由于SMDK2410开发板所使用的Flash与FS2410的不同而造成，故下面我们来改写它的flash.c文件。
SST39VF400芯片简介
SST39VF400
芯片简介
一.概述 概述
SST39VF400是256K×16bit的CMOS多功能 是 × 的 多功能 Flash器件 编程和擦除需要 器件,编程和擦除需要 电压.典型的 器件 编程和擦除需要2.7~3.6V电压 典型的 电压 数据读取时间为70ns(VF400-70系列 或 90ns 系列) 数据读取时间为 系列 (VF400-90系列 扇区擦除和块擦除时间为 系列);扇区擦除和块擦除时间为 系列 扇区擦除和块擦除时间为18ms; 片擦除时间为70ms;逐字编程时间 写入一个字 逐字编程时间(写入一个字 片擦除时间为 逐字编程时间 写入一个字) 并且擦写时间固定,与芯片的擦写次数无 为14us.并且擦写时间固定 与芯片的擦写次数无 并且擦写时间固定 该器件可以支持一万次的擦/写 数据可以保持 关.该器件可以支持一万次的擦 写,数据可以保持 该器件可以支持一万次的擦 100年以上 年以上. 年以上
ቤተ መጻሕፍቲ ባይዱ
二.引脚结构及连接 引脚结构及连接
右图为该芯片的TSOP封装图 封装图. 右图为该芯片的 封装图 /CE:片选端 片选端 /OE:输出允许端 输出允许端 /WE:写使能端 写使能端 NC:不连接 不连接 VSS:接地 接地 VDD:电源 电源(2.6~3.7V电压 输入 电压)输入 电源 电压 A17~A0:18个地址输入引脚 用于提供存储单元地址 在扇 个地址输入引脚.用于提供存储单元地址 个地址输入引脚 用于提供存储单元地址.在扇 区擦除操作中A17~A11用来选择扇区;在块擦除操作 区擦除操作中 用来选择扇区 在块擦除操作 用来选择块. 中,A17~A15用来选择块 DQ15~DQ0:数据输入 输出引脚 在读过程中输出数据 写过 数据输入/输出引脚 在读过程中输出数据,写过 数据输入 输出引脚.在读过程中输出数据 程中接收数据,当 为高电平时,输出为高阻态 程中接收数据 当/OE或/CE为高电平时 输出为高阻态 或 为高电平时 输出为高阻态.
第一章 ARM实验板硬件结构与开发环境
6
U15
ADC2
15
RP3
5
JP1 JP2 J1
16
S1
VIN2 VIN1
S2
S3
S4
S5
S6
S7
S8
4
S9 S10 S11 S12 S13 S14 S15 S16 Key
1. 电源插座 2. 外部电压测试端口 3. 按键区域（17个按键） 4. RS232接口 5. 4位数码管 6. 触摸屏接口 7. 液晶屏接口 8. 液晶屏亮度调节旋钮 9. 8个LED灯 10.核心板插座 11.喇叭接口 12.LED灯外部测试端口 13.蜂鸣器 14.电位器区域 15.AD采样源设置跳线 16.外部端口连接区域
DA
RS485
Count
ADC1
1
PWM
RP4 123
RP1
RP2
1
2
3
RS232
二、开发环境
ADS集成开发环境，其成熟版本为ADS1.2。支持软件调试及JTAG硬 件仿真调试，支持汇编、C和C++源程序，具有编译效率高，系统库功 能强等特点。
ADS1.2集成开发环境的组成
名称 代码生成工具 集成开发环境 调试器 指令模拟器 ARM开发包 ARM应用库 描述 ARM汇编器，ARM的C、C＋＋编译器， Thumb的C、C＋＋编译器，ARM连接器 Code Warrior IDE AXD，ADW/ADU，armsd ARMulator 一些底层的程序例子，使用程序 C、C＋＋函数库等 使用方法 由Code Warrior IDE调用 工程管理，编译链接 仿真调试 由AXD调用 由Code Warrior IDE调用 用户程序使用
用NOR Flash建立VxWorks TrueFFS文件系统
用NOR Flash建立VxWorks TrueFFS文件系统邵富杰;徐云宽【摘要】This paper describes the method to establish the TrueFFS file system of embedded real-time operating system VxWorks, takingSST39VF1601 NOR Flash as an example. Firstly, DOS file system is configured, including the TrueFFS core component and the translation layer according to the technology used by SST39VF1601. Secondly, MTD layer and Socket layer Drivers are written. Lastly, the VxWorks DOS file system is mounted on a TrueFFS Flash drive, and simple test is carried out.%详细说明了嵌入式系统中常用的NOR Flash存储器建立Vxworks TrueFFS文件系统的方法。
首先配置完整的DOS文件系统支持，包含核心TrueFFS组件和翻译层组件；然后编写MTD层和Socket层驱动程序；最后在TrueFFS的NOR Flash驱动上挂接VxWorksDOS文件系统，并进行了简单的测试。
【期刊名称】《单片机与嵌入式系统应用》【年(卷),期】2012(012)004【总页数】4页(P19-21,28)【关键词】VxWorks;TrueFFS;Flash;MTD层;Socket层【作者】邵富杰;徐云宽【作者单位】北京跟踪与通信技术研究所,100094;北京跟踪与通信技术研究所,100094【正文语种】中文【中图分类】TP316.2引言VxWorks是美国Wind River公司于1983年开发的高模块化、高性能的32位嵌入式实时多任务操作系统，以其良好的可靠性和卓越的实时性而被广泛应用在通信、军事、航空、航天等高精尖技术及实时性要求极高的领域中，如弹道制导、飞机导航等［1］。
详解u-boot
详解u-boot⼀、u-boot-1.1.4在yl2410上的移植过程：1. 例⾏准备3.2.1 修改Makefile[uboot@localhost uboot]#vi Makefile#为crane2410建⽴编译项yl2410_config : unconfig@./mkconfig $(@:_config=) arm arm920t yl2410 NULL s3c24x0各项的意思如下:arm: CPU的架构(ARCH)arm920t: CPU的类型(CPU)，其对应于cpu/arm920t⼦⽬录。
yl2410: 开发板的型号(BOARD)，对应于board/yl2410⽬录。
NULL: 开发者/或经销商(vender)。
s3c24x0: ⽚上系统(SOC)。
3.2.2 在board⼦⽬录中建⽴yl2410#cp rf board/smdk2410 board/yl2410#cd board/yl2410#mv smdk2410.c yl2410.c3.2.3 在include/configs/中建⽴配置头⽂件#cd ../..#cp include/configs/smdk2410.h include/configs/yl2410.h3.2.4 指定交叉编译⼯具的路径#vi ~/.bashrcexport PATH=/usr/local/arm/2.95.3/bin:$PATH3.2.5 测试编译能否成功#make yl2410_config /*产⽣include/config.mk*/#make1. 在make的过程中，出现：cc1: invalid option `abi=apcs-gnu'解决⽅法：出错的⽂件是/cpu/s3c44b0/下的config.mk:将PLATFORM_CPPFLAGS +=$(call cc-option,-mapcs-32,-mabi=apcs-gnu)改成：PLATFORM_CPPFLAGS +=$(call cc-option,-mapcs-32,$(call cc-option,-mabi=apcs-gnu),) 2. 修改了第⼀个错误后，继续make，出现了如下的报错：make[1]: *** No rule to make target `hello_world.srec', needed by `all'. Stop.make[1]: Leaving directory `/home/mort/src/targa/u-boot/u-boot-TOT/examples'make: *** [examples] Error 2解决⽅法：修改examples/Makefile把126⾏和129⾏改为：%.srec: %.o%.bin: %.o继续make3. 出现crane2410.a needed by smdk2410.o解决⽅法：修改board/crane2410/Makefile将28⾏的OBJS := smdk2410.o flash.o改为OBJS := crane2410.o flash.o继续make获得u-boot4. 初步调试，主要是在sdram上调试要打开CONFIG_SKIP_LOWLEVEL_INIT即可看到打印信息5. 读写NorFlash（SST39VF1601）在include/configs/yl2410.h添加#ifdef CONFIG_SST_39VF1601#define PHYS_FLASH_SIZE 0x00200000 /* 2MB */#define CFG_MAX_FLASH_SECT (35) /* max number of sectors on one chip */#define CFG_ENV_ADDR (CFG_FLASH_BASE + 0x1F0000) /* addr of environment */ #endif 修改board/yl2410/flash.c 参考board/dave/common/flash.c#elif defined(CONFIG_SST_39VF1601)(SST_MANUFACT & FLASH_VENDMASK) |(SST_ID_xF1601 & FLASH_TYPEMASK);在int flash_erase (flash_info_t * info, int s_first, int s_last)#if defined(CONFIG_SST_39VF1601) /* Ali + */*addr = CMD_ERASE_BLOCK;#else*addr = CMD_ERASE_CONFIRM;#endif在volatile static int write_hword (flash_info_t * info, ulong dest, ushort data)#if defined(CONFIG_SST_39VF1601) /* Ali + */MEM_FLASH_ADDR1 = CMD_PROGRAM;#elseMEM_FLASH_ADDR1 = CMD_UNLOCK_BYPASS;*addr = CMD_PROGRAM;#endif即可正确操作flash，其中monitor_flash_len(_bss_start - _armboot_start）和环境参数保存区是受保护的，标⽰为(RO)6. 从norflash启动打开选项CONFIG_S3C2410_NOR_BOOT编译⽣成u-boot.binLoadb 0x32000000 115200 (set baud rate to 115200,download u-boot to 0x32000000 by Kermit protocol)Cp.b 0x32000000 0 0x20000 (u-boot write to norflash)重启，OK7. 如要看到调试信息在include/configs/yl2410.h添加#define DEBUG8. 打ping命令时，输出“*** ERROR: `ethaddr' not set”，板上⽹卡CS8900本⾝没有固化MAC地址，⾃⼰在include/configs/yl2410.h设定⼀个，或者运⾏时设定环境参数，接下来使⽤ping和tftp都正常9. ⽀持nandflash读写在include/configs/yl2410.h添加CFG_CMD_NAND编译，在cmd_nand.c产⽣很多错误，原因是yl2410根本就没有nandflash的驱动⽀持，如：NAND_DISABLE_CE()NAND_ENABLE_CE()NAND_WAIT_READY（）WRITE_NAND_COMMAND()WRITE_NAND_COMMANDW()WRITE_NAND_ADDRESS()WRITE_NAND()这些函数的实现都很简单，参考at91rm9200dk.h，对nand的驱动⽀持全部添加在include/configs/yl2410.h加载运⾏，nand write 0x32000000 0x20000 0x200 (向nand flash写512字节)，报错，nand_write_page : Failed write verify，应该是sector(page)没擦除，nand erase 0x20000 0x200，出错，提⽰边界没对齐，查得资料获知，erase单位是⼀个block(16k)，program单位是⼀个sector(512B)，按要求先擦除后写⼊，正确10. ⽀持nandflash启动在cpu/arm920t/start.S添加对nandflash重定位的⽀持，在board/yl2410/nand_boot.c添加对nandflash的初始化和读取操作，在nandflash启动时被start.s调⽤，注意nand_boot.c的所有代码以及被调⽤的代码不能超出4k，因为按nandflash启动模式，开始只有4k的运⾏空间。
SJJ1601云密码机技术白皮书-201711
S J J1601云密码机技术白皮书V2.5北京三未信安科技发展有限公司2017年11月版权声明欢迎使用三未信安密码产品Copyright (c) 2017 sansec版权所有本文档由北京三未信安科技发展有限公司编写，仅用于用户和合作伙伴参阅。
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北京三未信安科技发展有限公司2017 年11 月目录版权声明 (1)1概述 (4)2产品特性 (5)2.1产品特点 (5)2.2产品优势 (5)3产品功能 (6)3.1产品架构 (6)3.2主要功能 (6)4技术参数 (8)4.1硬件指标 (8)4.2性能指标 (9)5依据标准 (10)6产品资质 (11)7典型应用 (11)7.1典型部署 (11)7.2云端数据保护应用 (13)7.3云端身份认证应用 (14)7.4云端金融应用 (15)7.5SSL通信加速及密钥保护应用 (16)附录A 公司简介 (17)附录B 联系方式 (18)北京总部 (18)上海分公司 (18)济南研发中心 (18)1概述随着云计算技术的普及与发展，越来越多的传统应用开始向云端迁移，借助云计算特有的高可靠性、高伸缩性，实现数据集中管理及高效的资源利用，可有效降低应用系统维护成本，为用户提供更优质的服务。
但是，云端迁移同样也带来许多问题，信息安全问题尤其突出。
当前，许多传统应用系统已通过集成密码机、签名服务器等硬件密码设备，为业务应用提供信息安全保障。
当这些传统的密码设备随着应用系统向云端迁移时，会产生一系列问题，这些问题有来自于应用提供商的，也有来自于云服务提供商的。
u-boot-flash移植
Mini2440 NOR FLASH 驱动移植一：硬件连接2440的开发板采用了SST39VF1601，SST39VF160是由SST公司推出的容量为1MB×16bit 的CMOS多用途flash。
原理图如下pin 的定义如下：问题一：cpu mini2440对NOR FLASH的寻址范围是多大？二：NOR FLASH工作原理FLASH的编程原理都是只能将1写为0，而不能将0写为1.所以在FLASH编程之前，必须将对应的块擦除，而擦除的过程就是把所有位都写为1的过程，块内的所有字节变为0Xff。
对FALSH进行的最基本操作由读操作，写操作，和擦除操作。
以下将详细介绍，所有的都是参考sst39vf1601 datasheet读操作：datasheet p2 read用/CE和/OE信号线控制的。
当两者都为低时，处理器就可以从SST39VF160的输出口读取数据。
/CE是SST39VF160的片选线，当/CE为高，芯片未被选中，/OE是输出使能信号线，当/CE和/OE中的某一个为高时，SST39VF160的数据线为高阻态。
时序如下：写操作: datasheet p2在写入之前，扇区中如果有数据（0），则必须首先进行充分地擦除。
写操作分三步进行。
第1步，送出“软件数据保护”的3字节；第2步，送出地址和数据；第3步，内部写入处理阶段，这个阶段在第4个/WE或/CE的上升沿时被初始化。
被初始化后，内部写入处理将在10us时间内完成。
在内部写入阶段，任何指令将被忽略。
除了Data# plling(轮询) 和Toggle Bit(翻转位)写操作flowcharts如图所示：擦除操作：SST39VF1601 支持两种擦除方式：sectro-Erase(扇区擦除)、block-Erase(块擦除)sector 2Kword,即一个sector的大小是4KB;block 32Kword,即一个block的大小是64KB;问题二：若按照sector 擦除，共有多少sector? 若按照block 擦除，共有多少block?扇区擦除操作通过执行6字节的指令序列来进行，这个指令序列中包括扇区擦除指令（30h）和扇区地址（SA）。
SST39VF1601简介
1、产品描述(PRODUCT DESCRIPTION)SST39VF160x/320x/640x设备提供了7 us的Word-program时间。
这些设备用Toggle Bit或者Data# Polling来表明编程操作的完成。
为了保护inadvertent write，它们有偏上硬件和Software Data Protection机制。
2、设备操作(Device Operation)命令被用来发起设备的存储器操作功能。
通过标准的微处理器写序列，命令被写到设备中。
通过asserting WE# low同时保持CE#为低，一条命令被写到设备中。
地址总线最后在WE#或者CE#上升沿的时候被占用。
而数据总线首先在WE#或者CE#上升沿的时候占用。
SST39VF160x/320x/640x也有一种Auto Low Power模式，这种模式在一次有效的读操作访问数据以后让设备进入一种standby模式。
它把IDD活动读电流（active read current）从典型的9mA 减小到典型的3uA。
Auto Low Power模式减少典型的IDD活动度电流到2mA/mHZ的读周期时间。
设备通过任何的被用来发起另一个读周期的地址转换或者控制信号转换退出auto low power模式，这是不花费时间的。
注意在开机后CE#一直稳定在低电平的时候，设备不会进入auto-low power模式，知道第一次地址转换或者CE#被转换为高电平。
3、读操作(Read)SST39VF160x/320x/640x的读操作被CE#和OE#控制。
系统为了从输出获得数据，这两者必须都为低电平。
CE#被用来作为设备选择。
当CE#为高时，芯片取消选择，只有standby电源被消耗。
OE#是输出控制，被用来从输出管脚gate数据。
当CE#或者OE#为高电平的时候，数据总线处于高impedance状态。
4、字编程操作(Word-Program Operation)SST39VF160x/320x/640x以字为单位编程。
SST39VF1601
These specifications are subject to change without notice.
Featuring high performance Word-Program, the SST39VF160x/320x/640x devices provide a typical WordProgram time of 7 µsec. These devices use Toggle Bit or Data# Polling to indicate the completion of Program operation. To protect against inadvertent write, they have on-chip hardware and Software Data Protection schemes. Designed, manufactured, and tested for a wide spectrum of applications, these devices are offered with a guaranteed typical endurance of 100,000 cycles. Data retention is rated at greater than 100 years.
The SuperFlash technology provides fixed Erase and Program times, independent of the number of Erase/Program cycles that have occurred. Therefore the system software or hardware does not have to be modified or de-rated as is necessary with alternative flash technologies, whose Erase and Program times increase with accumulated Erase/Program cycles.
LC光纤跳线IECEN61300标准要求
2.2.1 检测条件................................................................................................................... 3 2.2.2 端面几何形状 3D 检测结果..................................................................................... 4 2.3 插入损耗测试 (IEC 61300-3-4 方法 B).............................................................................. 4 2.3.1 测试方法................................................................................................................... 5 2.3.2 插入损耗测试结果................................................................................................... 5 2.4 回波损耗(IEC 61300-3-6)..................................................................................................... 7 2.4.1 测试示意图............................................................................................................... 7 2.5 机械振动试验(IEC 61300-2-1/GR-326)............................................................................... 8 2.5.1 机械振动测试示意图............................................................................................... 8 2.5.2 试验结果................................................................................................................... 9 2.6 插拔耐久性(IEC 61300-2-2/GR326)................................................................................... 10 2.6.1 测试图..................................................................................................................... 10 2.6.2 试验结果................................................................................................................. 10 2.7 光缆直拉试验(GR-326)......................................................................................................... 12 2.7.1 试验方法................................................................................................................. 12 2.7.2 试验结果................................................................................................................. 12 2.8 耦合机构抗拉强度 (IEC 61300-2-6)................................................................................. 13 2.8.1 试验方法................................................................................................................. 13 2.8.2 试验结果................................................................................................................. 14 2.9 机械冲击 (IEC 61300-2-12)............................................................................................... 15 2.9.1 试验方法................................................................................................................. 15 2.9.2 试验结果................................................................................................................. 16 2.10 扭转试验 (IEC 61300-2-5)............................................................................................. 16 2.10.1 试验方法............................................................................................................... 16 2.10.2 试验结果............................................................................................................... 17 2.11 侧向静负载（侧拉） (IEC 61300-2-42)......................................................................... 18 2.11.1 试验方法............................................................................................................... 18 2.11.2 试验结果............................................................................................................... 19 2.12 光器件应力缓释抗弯性能实验(IEC 61300-2-44)........................................................... 20 2.12.1 试验方法............................................................................................................... 20 2.12.2 试验结果............................................................................................................... 21
赫斯曼交换机产品介绍
产品型号－ OPENRAIL系列
1设计 2端口数量 3端口类型 4工作温度及涂层 5供电要求 6认证要求 7软件功能版本 8配置类型 9OEM类型 10软件发布号
RS30 08 00 M2 S2 S D A E H C 02.0
14
RS30 － 08 02 T1 O6 S D A P H C 01.0
• 9 ports • 17 ports • 25 ports
3FX / 6TX 3FX / 14TX 3FX / 22TX
e.g.：RS20-0900MMM2SDAE
7
4个光纤接口的千兆交换机
2 个千兆光口 2 个百兆光口 6/14/22 ports
1000BaseFX SFP插槽方式(LC型连接器） 100BaseFX SFP插槽方式(LC型连接器) 10/100 TX
通用技术参数： 最大光口数量
RS20-0800xx RS30-0802xx
RS20-1600xx RS20-2400xx RS30-1602xx RS30-2402xx
2 x 100MBit/s 多模、单模、 各种 类型连接器， RS30-- 2 x 1000MBit/s SFP-slot only
赫斯曼工业以太网交换机产品说明
1
赫斯曼交换机的特性
外形 设计区分 端口数量 端口带宽类型 端口介质类型 端口连接器 温度范围 保护土层(PCB) 供电类型 认证要求
软件版本
增加客户定制的特性
外形尺寸大小？ 机架式(MACH,LION系列)/一体化(RS系列)/模块化(MS系列) 能提供或支持的最大端口数量 10GE,GE 或 FE 双绞线，多模光纤，单模光纤及长距离光纤等 RJ45，M12，MTRJ，SC，LC，ST 标准 0℃ -> +60℃，或扩展 -40℃ -> +70℃ 标准，或带保护涂层（防止SO2，H2S...） 12/24/48VDC，24 VAC …… 标准 cUL 508 cUL1604 class 1 DIV2 扩展增加 German LIoyd，铁路标准 EN 50121-4 和 EN 50155，ATEX 100a Zone 2，Substation IEC 61850 标准版（提供普遍的诊断、交换和相关冗余功能） 增强版（除具备增强版的所有功能以外，还带有更多安全和 冗余功能） 例如软件配置，OEM 版本，软件版本等
BIOS芯片型号-不同公司对换表
BIOS芯片型号-不同公司对换表ST的Flash和多家供应商的Flash型号相对应，如果您已经使用下表中的某个型号，您完全可以在意法半导体公司的清单中查找到对应型号。
有关STM全部Flash器件的详细介绍，请参照“ST Flash存储器选型对照表”。
有关表中的型号，有些可以pin-to-pin兼容，有些是容量兼容，客户在代换是请注意查阅相关的器件手册。
产品结构ST AMD Atmel Hyundai Intel Micron SST5V512Kx8M29F512B AM29F512AT49F512AT29C512---SST39F5121M M29F010B AM29F010B AT29C010AAT49F010AT49HF010AAT49F001-28F01028F001BX-SST39SF0102M M29F002B AM29F002B AT29C020AT49F020AT49F002HY29F002T/C28F02028F002BCMT28F002B5SST39SF0204M M29F040B AM29F004,AM29F040AT29C040AT49F040HY29F040HY29F040A28F004B528F004S5MT28F004B5SST39SF0408M M29080A AM29F080AT49F008AT49F080HY29F080T/C28F008S5MT28F008B5SST39SF080Q16M M29F016B AM29F016,AM29F017AT29F1614AT49F1614T-28F016S5MT28F016S5SST39SF016Q5V1Mx8/x16M29F100BM29F102B-AT29C1024AT49F102AAT49F1045----2M M29F200B AM29F200AT49F2048-28F200B5MT28F200B5-4M M29F400B AM29F400AT49F4096A HY29F400T/G28F400B5MT28F400B5SST39VF400Q 8M M29F800A AM29F800AT49F8192HY29F800T/G28F800S5MT28F800B5SST39VF800Q16M M29F160B AM29F160AT49F1604AT49F1604T-28F160S5-SST39VF160Q 3V512Kx8M29W512B-AT49BV512AT29LV512---SST39VF512SST39LH512SST29LE512SST29VE5121M M29W010B AM29LV010AM29LV001AT29BV010AAT49BV010---SST39VF010SST39LH010AT49HBV010 AT49BV001SST29LE010 SST29VE0102M M29W002BM29W022BAM29LV002AT29BV020AT29LV020AT49BV020AT49BV002AT49LV020AT49LV002--MT28F002B3SST39VF020SST39LH020SST29LE020SST29VE0204M M29W040BM29W004BAM29LV040AM29LV004AT29BV040AAT29LV040AAT49BV040AT49LV040-28F004S328F004B3MT28F004B3SST39VF040SST39LH040SST28LF040SST28VF0408M M29W008A AM29LV081AM29LV081AT49BV080AT49LV080-28F008S328F008B3MT28F008B3SST39VF080Q16M M29W116B AM29LV017AM29LV116--28F016S328F016B3MT28F016S3SST39VF016Q3V512Kx8/x16-------1M M29W102B-AT29LV1204---SST39VF100A SST39LH100A2M M29W200B AM29LV200AT29BV2048AT49LV2048--MT28F200B3SST39VF200ASST39LH200A4M M29W400B AM29LV400AT49BV4096AAT49LV4096A-28F400B3MT28F400B3SST39VF400ASST39VF400SST39LH400A8M M29W800A AM29LV800AT49BV8192AT49LV8192-28F800F328F800C328F800B3MT28F800B3SST39VF800ASST39VF800SST39LH800A16M M29W160B AM29LV160--28F160S328F160B328F160C328F1602C328F1604C3MT28F162M3SST39VF160SST39LH160意法公司存储芯片型号及封装意法（M）半导体存储芯片的型号、结构、速度和封装等。
网御神州产品线介绍
目录
网神SecGate3600防火墙、UTM、IPSEC-VPN 网神SecSIS3600安全隔离与信息交换系统 网神SecIPS3600入侵防御系统 网神SecIDS3600入侵检测系统 网神SecAV3600防毒墙 网神SecSSL3600安全接入网关 网神SecWAF3600应用防火墙 网神SecSSM3600服务器安全加固与管理系统 网神SecFox-SNI安全网络监控 网神SecFox-NBA行为审计 网神SecFox-LAS日志审计
全线多核
追求功能的大而全
最高支持12个核 性能得不到保障
网神UTM：更加高效
网神UTM SecOSII操作系统
保障基本功能全面高效，对防 火墙的性能，IPS的性能，杀毒 的性能具有针对性的优化
目前UTM受到的质疑： 对于威胁防护的精细 化不够
网神UTM：更加精细：
国内首位取得多核操 作系统的安全厂商
内端机 6个千兆以太网接口 外端机 6个千兆以太网接口
2
50000小时
内端机 4个千兆以太网接口+2个SFP 外端机 4个千兆以太网接口+2个SFP
4
USB
4
4
4
4
4
机箱
1U
2U
2U
2U
2.5U
液晶面板
无
无
有
有
无
电源
单电源
单/冗余电源 单/冗余电源 单/冗余电源
单/冗余电源
网闸产品功能简介
文 件 交 换 模 块
网神IPS产品特殊型号分析
H2000
该型号为非标准型号，因此没有在型号全景中列出，标配16个网口，可扩 展为24个接口或者是16个千兆口加两个万兆接口可用于某些特殊情况下如： 性能要求较高，对手规格尤其是接口要求高，我们无法应对等情况。
MITSUBISHI ELECTRIC MGF1601B 说明书
Publication Date : Apr., 2011< High-power GaAs FET (small signal gain stage) > MGF1601BS to X BAND / 0.15Wnon - matchedDESCRIPTIONThe MGF1601B, medium-power GaAs FET with an N-channelSchottky gate, is designed for use in S to X band amplifiers and oscillators. The hermetically sealed metalceramic package assures minimum parasitic lasses, and has a configuration suitable formicrostrip circuits.FEATURES∙ High linear power gainGlp=8.0dB @f=8GHz∙ High P1dBP1dB=21.8dBm(TYP .) @f=8GHzAPPLICATION∙ S to X Band medium-power amplifiers and oscillatorsQUALITY∙ GGRECOMMENDED BIAS CONDITION∙ VDS=6V,Id=100mA Refer to Bias ProcedureAbsolute maximum ratings (Ta=25︒C) Symbol Parameter Ratings Unit V GDO Gate to drain breakdown voltage -8 V V GSO Gate to source breakdown voltage-8 V I D Drain current 250 mA I GR Reverse gate current -0.6 mA I GF Forward gate current 1.5 mA P T Total power dissipation 1.2 W Tch Cannel temperature 175 ︒CTstg Storage temperature -65 to +175︒CElectrical characteristics (Ta=25︒C)Symbol ParameterTest conditions Limits UnitMin. Typ. Max. V (BR)GDOGate to drain breakdown voltage Ig =200μA -8 - - V V (BR)GSOGate to source breakdown voltage Ig =200μA -8 - - V IG SSGate to source leakage current V DS =0V,V GS =-3V - - 20 μA I DSSSaturated drain current V DS =3V,V GS =0V 150 200 250 mA V GS(off)Gate to source cut-off voltage V DS =3V,I D =100μA -1.5 - -4.5 V gmTransconductance V DS =3V,I D =100mA 70 90 - mS G LPLinear Power Gain V DS =6V,I D =100mA,f=8GHz 6 8 - dB P1dBOutput power at 1dB gain compression V DS =6V,I D =100mA,f=8GHz 20.8 21.8 - dBm R th(ch-c) Thermal resistance *1 ΔVf method - - 125 ℃/W *1:Channel to ambientMGF1601B TYPICAL CHARACTERISTICS (Ta=25 C)MGF1601B S PARAMETERS(Ta=25 C,VD=6V,ID=100mA)© 2011 MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION. ALL RIGHTS RESERVED.。
ICR-1601路由器使用指南与安全说明书
observing local restrictions concerning the use of radio-based devices while working with explosive material for example, at petrol filling stations, or in chemical plants. • While using the router close to personal medical devices, such as cardiac pacemakers or hearing aids, proceed with heightened caution. • Operating the router too close to TV sets, radio receivers, personal computers, or telephones can cause interference. • It is recommended that you create a copy or backup of the important settings stored in the memory of the router.
Configuration
1. Configuring the Device Using the Web Browser
You can access the router for status monitoring, configuration, and administration after entering the IP address of the router into the web interface. The default IP address is 192.168.1.1 (netmask 255.255.255.0). Configuration access is allowed for the user "admin" with the initial password "admin". Attention, it is necessary to use HTTPS protocol for secure communication over a network! For a detailed description and examples of the router configurations, see the Configuration Manual.
wisLink工业交换机说明书V
电源：
输入电压 连接 最大功耗
DC220V/110V(自适应) 接线端子 3W
第 1 页 共3页
wisLink W-100 工业交换机装置技术说明书（V1.0）过载电流Leabharlann 护 反向电压输入保护机械特性：
包装及防护等级 尺寸
工作环境：
工作温度 工作相对湿度
抗干扰特性：
抗干扰性能 绝缘耐压标准
支持，最大可承受 2.5 A 支持
抗干扰性能 绝缘耐压标准
10M-14880 pps、100M-148800pps、1000M-1488000pps 4.8Gbps 存储转发 全双工 IEEE802.3x，半双工背压式 8 K、自动学习 < 5ms
v100第一章wislinkw100工业交换机技术说明书第二章wislinkw1600工业交换机技术说明书第三章wislinkw1601工业交换机技术说明书第四章wislinkw1700工业交换机技术说明书第五章wislinkw802工业环网交换机技术说明书第六章wislinkw802m工业环网交换机技术说明书第七章wislinkw802g工业交换机技术说明书第八章wislinkw200光电转换器技术和使用说明书第九章wislinkw2000工业以太网交换机技术说明书第十章wislinkw2400工业交换机技术说明书wislinkw100工业交换机技术说明书版本
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本公司有权对本说明书的内容进行定期变更，恕不另行通知。变更内容将会补充 到新版本的说明书中。
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wisLink W-1600 在设计中考虑工业场合的应用需求和习惯，采用交直流供电方式，直流供电 让交换机和工业设备采用相同的电压输入，增加了可靠性，减少了施工复杂性。采用网线后出线的 方式，使得网线的布置整洁、美观；同时为了方便巡视，wisLink W-1600 前面板设置了显示各个网 口工作状态的灯，使得交换机的工作状态一目了然。由于 wisLink W-1600 针对工业用户，我们在设 计上严格按照 IEC-1613、IEC61000-6-5 以及 IEC61850-3 的标准，以满足工业现场的抗电磁干扰的 需求。在交换性能上，wisLink W-1600 完全满足 RFC2899 规定的交换性能要求。
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1、产品描述(PRODUCT DESCRIPTION)
SST39VF160x/320x/640x设备提供了7 us的Word-program时间。
这些设备用Toggle Bit或者Data# Polling来表明编程操作的完成。
为了保护inadvertent write，它们有偏上硬件和Software Data Protection机制。
2、设备操作(Device Operation)
命令被用来发起设备的存储器操作功能。
通过标准的微处理器写序列，命令被写到设备中。
通过asserting WE# low同时保持CE#为低，一条命令被写到设备中。
地址总线最后在WE#或者CE#上升沿的时候被占用。
而数据总线首先在WE#或者CE#上升沿的时候占用。
SST39VF160x/320x/640x也有一种Auto Low Power模式，这种模式在一次有效的读操作访问数据以后让设备进入一种standby模式。
它把IDD活动读电流（active read current）从典型的9mA 减小到典型的3uA。
Auto Low Power模式减少典型的IDD活动度电流到2mA/mHZ的读周期时间。
设备通过任何的被用来发起另一个读周期的地址转换或者控制信号转换退出auto low power模式，这是不花费时间的。
注意在开机后CE#一直稳定在低电平的时候，设备不会进入auto-low power模式，知道第一次地址转换或者CE#被转换为高电平。
3、读操作(Read)
SST39VF160x/320x/640x的读操作被CE#和OE#控制。
系统为了从输出获得数据，这两者必须都为低电平。
CE#被用来作为设备选择。
当CE#为高时，芯片取消选择，只有standby电源被消耗。
OE#是输出控制，被用来从输出管脚gate数据。
当CE#或者OE#为高电平的时候，数据总线处于高impedance状态。
4、字编程操作(Word-Program Operation)
SST39VF160x/320x/640x以字为单位编程。
编程前，字所在的sector 必须完全被擦除。
编程操作可以分为三步。
第一步是用于软件数据保护(Software Data Protection)的三字节的装载序列。
第二部是装载字地址和字数据。
在字编程操作过程中，地址在CE#或者WE#的下降沿被latch，这最后发生。
数据在CE#或者WE#的上升沿被latch，这首先发生。
第三步是内部编程操作，它在第四个WE#或者CE#的上升沿发起，这首先发生。
编程操作一旦发生，会在10us
内完成。
在编程过程中，只有对Data# Polling和Toggle Bit的读是有效的。
在内部编程操作过程中，host可以自由的执行额外的任务。
在内部编程过程中，任何发起的命令都被忽略。
在命令执行时，WP#应始终保持低或高。
5、Sector/Block-Erase Operation
擦除操作允许系统以sector或者block为单位进行。
SST39VF160x/320x/640x提供sector-erase模式和block-erase模式。
sector架构基于统一的2K字的sector尺寸。
Block-erase模式基于统一的32K字的block尺寸。
Sector-erase操作通过执行
一条六字节的命令序列发起，sector-erase命令(30H)和sector 地址(SA)在最后一次总线周期中。
Block-erase操作通过执行一条刘子杰的命令序列发起，block-erase命令(50H)和blcok地址(BA)在最后一次总线周期中。
sector或者block地址在第六个WE#脉冲的下降沿被latch，而命令(30H或50H)在第六个WE#脉冲的上升沿被latch。
内部擦除操作在第六个WE#脉冲后开始。
擦除操作的结束可以用Data# polling或者Toggle Bit的方法来决定。
在sector-(block-)擦除操作的过程中，任何声明的命令都会被忽略。
当WP#为低时，对写保护的块的sector(block-)擦除操作都会被忽略。
在命令执行过程中，WP#应该一直保持为高或低。
6、擦除挂起/擦除恢复命令（Erase-Suspend/Erase-Resume Commands）
擦除挂起操作可以临时挂起一次sector-或者block-erase操作。
这样允许数据能够从存储单元读出，或者把数据写入任何没有执行执行挂起操作的sector/block。
操作通过声明一个字节的命令序列(Erase-Suspend command (B0H))来执行。
设备在擦除挂起操作声明后20us内自动进入读模式。
有效数据可以从任何不被擦除挂起的sector或者block中读出。
对被擦除挂起的sectors或者blocks 内的地址单元的读会输出DQ2 toggling和DQ6 at "1"。
在擦除挂起模式里，对被擦除挂起的sector或block以外的sector或block 的字编程操作是允许的。
为了恢复被挂起的sector-erase或者block-erase操作，系统必须声明擦除恢复命令。
擦出恢复命令通过在最后一个字节序列的任何地址声明一个字节的擦除恢复命令(30H)来执行。
7、芯片擦除操作(Chip-Erase Operation)
SST39VF160x/320x/640x提供了一个芯片擦除操作，这个操作允许用户把整个存储阵列擦除为状态“1”。
当设备必须快速擦除时这很有用。
芯片擦除操作被通过执行一个六字节的命令序列来发起。
芯片擦除命令(10H)在最后一个字节序列的地址5555H处。
这个擦除命令开始于第六个WE#或CE#的的上升沿，这首先发生。
在芯片擦除操作过程中，唯一有效的读是toggle bit或者Data# polling。
在芯片擦除操作过程中，任何命令的声明都会被忽略。
当WP#是低电平时，任何芯片擦除的尝试都会被忽略。
在这个命令执行过程中，WP#应该稳定的保持为高电平或者低电平。
8、写操作状态保护(Write Operation Status Detection)
SST39VF160x/320x/640x提供了两种软件方式来检测一次写(编程或者擦除)周期的完成，这是为了优化系统的写周期时间。
软件检测包括两个状态位：Data# Polling(DQ7)和Toggle Bit(DQ6)。
写结束检测模式在WE#的上升沿之后使能，这个WE#的上升沿发起内部编程或者擦除操作。
Nonvolatile write的真正完成和系统是异步发生的；因此，一次Data# polling或者Toggle bit读可能和写周期同时完成。
如果这
发生的话，系统可能得到一个错误的结果，即有效数据可能和DQ7或者DQ6冲突。
为了防止各种各样的rejection,如果一次错误结果出现的话，软件例程应该包括一个循环。
这个循环额外再读被访问的单元两次。
如果这两次读都是有效的，那么设备就已经完成了写周期，要不然，rejection就是有效的。
8、Data# Polling (DQ7)
当SST39VF160x/320x/640x在内部编程操作时，任何对DQ7的读尝试都会产生真正数据的complement。
一旦编程操作完成，DQ7会产程真正的数据。
注意即使紧跟在内部写操作完成后DQ7也许有有效的数据，但是剩余的数据输出仍然可能是无效的：在整个数据总线上有效的数据会再1us的间隔后出现在随后接下来的读周期中。
在内部擦除操作过程中，尝试读DQ7会产生‘0’。
一旦内部擦除操作完成了，DQ7会产生‘1’。
对编程操作来说，在WE#（或者CE#）脉冲的上升沿之后，Data# Polling是有效的。
对于
secto-,block-或者chip-erase,在第六个WE#（或者CE#）脉冲的上升沿之后，Data# Polling是有效的。
9、Toggle Bits (DQ6 and DQ2)
在内部编程或者擦除操作过程中，任何读DQ6的尝试都会产生变化的1和0，也就是在1和0之间toggle。
当内部编程或者擦除操作完成时，DQ6会停止toggle。
设备然后准备下一个操作。
对于sector-,block,或者chip-erase操作来说,在第六个WE#(或者
CE#)脉冲的上升沿之后，toggle bit(DQ6)是有效的。
如果对一个
擦除挂起的sector/block尝试读操作，DQ6会被设置为“1”。
如果对一个非处于擦除挂起模式的sector/block发起编程操作，DQ6会toggle。
一个额外的Toggle bit在DQ2上是可用的，它能被用在in conjunction with DQ6，用来检查是否一个特殊的sector正在被擦除或者擦除挂起。
Toggle bit(DQ2)在写操作的最后一个WE#(或者CE#)脉冲的上升沿之后是有效的。