电力电子技术教案之电力电子器件

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电力电子技术第二章电力电子器件课件

电力电子技术第二章电力电子器件课件

2.2.3 晶闸管基本特性
1. 晶闸管静态伏安特性
图2.4 晶闸管的伏安特性
2.2.3 晶闸管基本特性
1) 正向伏安特性 晶闸管在门极开路(IG=0)的情况下,在阳极与阴极间施加 一定的正向阳极电压,器件也仍处于正向阻断状态,只有 很小的正向漏电流流过。 外加的阳极正向电压在其转折电压以下时,只要在门极注 入适当的电流(一般为毫安级),器件也会立即进入正向导 通状态 。
图2.5 晶闸管门极伏安特性
2.2.3 晶闸管基本特性
2. 晶闸管动态特性 1) 晶闸管开通过程
第一阶段:延迟阶段。所需时间为延迟时间td。从门极 电流iG阶跃时刻开始,到阳极电流iA上升到稳态电流的 10%所需的时间。在这一期间,晶闸管的正向压降略有 减小。 第二阶段:上升阶段。此阶段所需时间为上升时间tr。 阳极电流从稳态值的10%上升到90%所需的时间。在该 阶段,伴随着阳极电流迅速增加,器件两端的压降uAK 也迅速下降。 第三阶段:扩散阶段。所需时间为扩散时间tex。它是阳 极电流上升到90%之后载流子在整个芯片面积上分布的 过程,最终使iA上升到100%稳态值,器件压降达到稳 定值。
2.2.3 晶闸管基本特性
4) 断态电压临界上升率du/dt 因此过高的du/dt,会产生对J2结过大的充 电电流,可能造成晶闸管的误导通。
图2.8 位移电流产生示意图
2.2.3 晶闸管基本特性
5) 晶闸管的动态损耗 晶闸管在低频运行时,由于主要工作于稳定阻断 或导通状态,其开、关过程时间相对较短,该阶 段产生的损耗可以忽略。该阶段的损耗主要是由 通态压降与阳极电流,以及阻断电压和断态漏电 流产生的静态损耗。这种损耗是晶闸管低频运行 时结温升高的主要因素。 然而,晶闸管在高频运行时,晶闸管开关过程时 间占了很大成分,开关过程中晶闸管的压降和电 流值都较大,产生的损耗更是不容忽略的,这部 分损耗称作动态损耗。

电力电子技术教案

电力电子技术教案

第 1 次课 3 学时授课时间06.2.22 教案完成时间06.2.15 第一章电力电子器件 1.1 1.2 1.3 (包括绪论)课题(章节)教学目的与要求:通过该部分内容学习,使学生明白什么是电力电子技术? 电力电子技术的应用领域是什么? 电力电子技术与自动化专业、电子信息工程专业之间的的关系是什么?通过前三节的学习,学生应了解电力二极管、晶闸管等电力电子器件的基本结构、工作原理、主要参数、应用场合等。

教学重点、难点:器件的动态过程的波形的理解、器件的灵活应用是本次教学的重点和难点。

教学方法及师生互动设计:启发式,帮助学生回忆已学过的“电子技术基础”的相关知识,进而更好地理解“电力电子技术”知识,使学生建立知识的联想链。

课堂练习、作业:1、电力电子器件与信息电子器件的区别表现在哪些方面?2、试述在变频空调器中,哪些属于自动化技术,哪些属于电力电子技术?本次课堂教学内容小结介绍了电力电子技术背景知识、发展趋势。

介绍了电力二极管、晶闸管工作原理、基本特性和主要参数。

本次课堂教学达到预期目的,不少学生通过听讲表现出对电力电子技术课程的兴趣,课堂提问效果较好。

学好该课程需要较好的电子技术、电路方面的基础知识。

第 1 页第 2 次课 3 学时授课时间06.3.1 教案完成时间06.2.23 第一章电力电子器件 1.4 1.5 1.6课题(章节)教学目的与要求:通过该部分内容学习,使学生理解典型的全控型电力电子器件的工作原理、主要参数工程应用情况。

充分了解电力电子器件的驱动方式。

对其它新型器件也有所了解。

教学重点、难点:重点介绍晶闸管、IGBT、电力MOSFET三种应用最为广泛的器件的工作原理及其主要参数和工程应用。

教学方法及师生互动设计:以实际生活中见到的的实例,启发学生对于晶闸管、IGBT、电力MOSFET等器件的应用的理解。

如:调光台灯、风扇无极调速、电磁炉等。

课堂练习、作业:1、P42. 1.22、说出所知道的电力电子器件的名称及其应用场合、工作原理。

《电力电子技术》第2章 电力电子器件

《电力电子技术》第2章 电力电子器件
电力电子器件是基础 电能进行变换和控制是核心
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上节课内容回顾
• 二、电力电子器件
1、概念:是指可直接用于处理电能的主电路中,实现 电能的变换或控制的电子器件。
2、特性:大功率、开关特性、驱动电路、损耗大,加散热
3、组成:主电路、控制电路、检测电路。。。。
4、分类:
1)控制程度:不控器件、半控器件、全控器件
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2.1.3 电力电子器件的分类
■按照载流子参与导电的情况 ◆单极型器件 ☞由一种载流子参与导电。 ◆双极型器件 ☞由电子和空穴两种载流子参与导电。 ◆复合型器件 ☞由单极型器件和双极型器件集成混合而成, 也称混合型器件。
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2.1.4 本章内容和学习要点
■本章内容 ◆按照不可控器件、半控型器件、典型全控型器件和其 它新型器件的顺序,分别介绍各种电力电子器件的工作 原理、基本特性、主要参数以及选择和使用中应注意的 一些问题。
检测

电路

保护

电路

驱动ቤተ መጻሕፍቲ ባይዱ
电路
V1 LR
V2
主电路
电气隔离
图2-1 电力电子器件在实际应用中的系统组成
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2.1.3 电力电子器件的分类
■按照能够被控制电路信号所控制的程度 ◆半控型器件 ☞主要是指晶闸管(Thyristor)及其大部分派生器件。 ☞器件的关断完全是由其在主电路中承受的电压和电 流决定的。 ◆全控型器件 ☞目前最常用的是 IGBT和Power MOSFET。 ☞通过控制信号既可以控制其导通,又可以控制其关 断。 ◆不可控器件 ☞电力二极管(Power Diode) ☞不能用控制信号来控制其通断。
■学习要点 ◆最重要的是掌握其基本特性。 ◆掌握电力电子器件的型号命名法,以及其参数和特性 曲线的使用方法。 ◆了解电力电子器件的半导体物理结构和基本工作原理。 ◆了解某些主电路中对其它电路元件的特殊要求。

电力电子技术教案(完整版)全文编辑修改

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VT1、VD2导通
VT1、VD1导通
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二、工作原理
3、当u2为负半周且控制角为α 时,触发VT2导通,负载电流 id经VT2、VD1流通,电感由 释放能量变成储存能量,负 载端电压ud=uba=-u2。
4、 u2电压由负变正过零时,电 感由储存能量变为释放能量, 产生上负下正的自感电动势, 维持电流流通,VT2将继续到 通,同时VD1关断、VD2导通, 负载端电压为0。
负载性质: 电阻性 电感性 反电势性
4
第2章:单相可控整流电路
用晶闸管组成的可控整流电路,可以很方便地把交流 电变成大小可调的直流电,且具有体积小、重量轻、效率 高以及控制灵敏等优点。
§2-1 单相可控整流电路 §2-2 三相可控整流电路
§2-3 带平衡电抗器的双反星型可控整流电路
§2-4 整流电路的换相压降与外特性
晶闸管承受的最大电压为 6U2 。
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§2-2-3 :三相桥式半控整流电路
一、阻性负载: a <=60º,负载端电压波形 连续
Ud 1.17U 21 cosa
VT1 VT3 VT5
当α〉60°时,负载端电压波形断续 VD4 VD6 VD2
Ud 1.17U 21 cosa
二、电感性负载: 与单相半控桥式整流电路一样,桥内二极管有续流作用,因
qT qD 180
VT2、VD1导通
VT2、VD2导通
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结论
1.晶闸管在触发时刻换 流,二极管在电源电 压过零时刻换流。
2.对于单向半控桥感性 负载,负载端的电压 波形如右图。
根据波形得
Ud=0.9U2(1+cosα)/2
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结论
3.单相半控桥感性负载, 负载端电压波形与阻 性负载完全相同,即 单相半控桥感性负载 本身具有续流作用。

电力电子技术-电力电子器件的原理与特性

电力电子技术-电力电子器件的原理与特性
Vo RL
IR
Vo
VS +
-
IZ
DZ
RL
(a)整流
(b)续流
(c)限幅
(d)钳位
图2.6 二极管的整流、续流、限幅、钳位和稳压应用
(e)稳压
本章内容
2.3 晶闸管(SCR)
2. 3 晶闸管
一、名称 ➢晶闸管 (Thyristor) ➢可控硅
(SCR)
二、外形与符号 ➢螺栓式结构 (<200A) ➢平板式结构 (>200A)
• N型半导体: 掺入微量5价元素(磷、锑、鉮等)
自由电子为多数载流子,空穴为少数载流子。 • P型半导体:
掺入微量3价元素(硼、镓、铟等) 空穴为多数载流子,自由电子为少数载流子。
半导体基础知识
器件原理
• PN结(异型半导体接触现象) • (1)扩散运动(多数载流子)
自由电子由 N区 向 P区 空 穴由 P区 向 N区 (2)漂移运动(少数载流子) 与扩散运动相反
三、SCR的工作原理(续)
(2)按晶体管原理可得:
IA
2 I G I CBO1 I CBO2 1 ( 1 2 )
其中: α1、α2分别是晶 体管T1、T2的共基极电 流增益; ICBO1、ICBO2分 别是晶体管T1、T2的共 基极漏电流。
❖双极型器件:有两种载流子参与导电,如二 极管、 晶闸管、GTO、GTR、IGCT、SITH等。
❖复合型器件:由MOSFET与晶体管、晶闸管复 合而成,如IGBT、IPM、MCT等。
➢ 按门极驱动信号的种类(电流、电压)分类: ❖电流控制型器件 如晶闸管、GTO、GTR、 IGCT、SITH等
❖电压控制型器件 如MOSFET、IGBT、IPM、 SIT、MCT等

教案电力电子技术功率变换与电力电子器件

教案电力电子技术功率变换与电力电子器件

教案电力电子技术功率变换与电力电子器件教案:电力电子技术——功率变换与电力电子器件一、引言电力电子技术在现代社会中发挥着重要作用,它涉及到功率变换和电力电子器件的应用。

功率变换是将电能以不同的形式输出,满足各种电气设备的工作需求。

而电力电子器件则是实现功率变换的关键。

本教案将介绍功率变换的基本原理、分类以及常见的电力电子器件。

二、功率变换的基本原理功率变换是指将输入电能以不同的形式输出,利用电力电子器件实现电能的加工和控制。

功率变换的基本原理是将输入电能转换为所需的输出电能,并通过控制电力电子器件的导通与关断,实现输出电压、电流的调节。

常见的功率变换方法包括直流和交流功率变换。

1. 直流功率变换直流功率变换是将交流电能通过整流器转换成直流电能,再通过逆变器将直流电能转换为交流电能。

整流器使用二极管或晶闸管等器件,将交流电能转换为单向的直流电能。

逆变器则将直流电能通过开关管等器件,按照一定的规律转换为交流电能。

2. 交流功率变换交流功率变换是将交流电能通过直接改变电压、电流的形式实现输出的调节。

常见的交流功率变换方法包括变压器变换、自耦变压器变换、电容变压器变换等。

三、电力电子器件电力电子器件是实现功率变换的关键组成部分,其性能和可靠性直接影响到功率变换效果。

常见的电力电子器件包括晶闸管、二极管、可控硅、场效应管等。

1. 晶闸管晶闸管是一种具有控制特性的四层PN结管,通过控制其门极电流,可以实现导通和关断。

晶闸管具有耐大电流、耐高压、工作可靠等特点,广泛应用于各种电力变换和控制系统中。

2. 二极管二极管是用于整流器中的无功功率器件,其特点是导通电压低、反向击穿电压高、反向恢复速度快等。

常见的二极管有硅二极管和肖特基二极管,用于不同的应用场合。

3. 可控硅可控硅是一种用于高功率电子开关和调功电路中的半导体器件,具有双向导电特性。

可控硅通过控制其门极电流和触发方式,实现导通和关断,用于交流电力调节和控制。

电力电子技术第2章电力电子器件

电力电子技术第2章电力电子器件
◆结电容影响PN结的工作频率,特别是在高速开 关的状态下,可能使其单向导电性变差,甚至不能 工作。
2.2 不可控器件 -- 电力二极管
■电力二极管的静态特性
◆主要是指其伏安特性。 ◆正向电压大到一定值(门槛电压UTO ),正向 电流才开始明显增加,处于稳定导通状态。与IF对 应的电力二极管两端的电压即为其正向电压降UF。 ◆承受反向电压时,只有少子引起的微小而数值 恒定的反向漏电流。
理、基本特性、主要参数以及选择和使用中应注 意的一些问题。
2.1 电力电子器件概述
■电力电子器件的概念 在电气设备或电力系统中,直接承担电能
的变换或控制任务的电路称为主电路(Main Power Circuit)。电力电子器件(Power Electronic Device)是指主电路中、可直接用于 处理电能的、实现电能变换或者控制的电子器 件。
空间电荷建立的电场成为内电场或自建电场, 其方向是阻碍扩散运动进行的。
2.2 不可控器件 -- 电力二极管
■PN结的形成
◆多子的扩散运动和少子的漂移运动 另一方面,内电场又吸引对方区域内的少子向
本区运动,成为本方的多子,这就是所谓的漂移运 动。
扩散运动和漂移运动既相互联系又是一对矛盾, 最终达到动态平衡,正、负空间电荷量达到稳定值, 形成一个稳定的由空间电荷构成的范围,称为空间 电荷区。
2.2 不可控器件 -- 电力二极管
■电力二极管的静态特性
I IF
O U TO U F U
2.2 不可控器件 -- 电力二极管
■电力二极管的动态特性
◆由于结电容的存在,电力二极管在零偏、正偏 和反偏这三种状态之间转换时必然经历一个过渡过 程。所以其电压—电流特性是随时间变化的,这就 是电力二极管的动态特性,并且往往专指反映通态 和断态之间转换过程的开关特性。

电力电子技术电子教案第四章 全控型电力电子器件-PPT精品文档

电力电子技术电子教案第四章 全控型电力电子器件-PPT精品文档

《电力电子技术》
二、GTO的特性与主要参数
1.GTO的开关特性
图4-3 GTO在开通和关断过程中电流的波形
《电力电子技术》
2.GTO的主要参数
GTO的基本参数与普通晶闸管大多相同。
1) 反向重复峰值电压URRM: ① 不规定URRM值。 ② URRM值很低。 ③ URRM略低于UDRM。 ④ URRM = UDRM。 ⑤ URRM略大于UDRM。 2)最大可关断阳极电流IATO:GTO的最大阳极电流受发热和饱和深度两个 因素限制。阳极电流过大,内部晶体管饱和深度加深,使门极关断失效。 所以GTO必须规定一个最大可关断阳极电流,也就是GTO的铭牌电流。 3)关断增益βoff 最大可关断阳极电流IATO与门极负脉冲电流最大值IGM 之比称为电流关断增益βoff。即
off
I ATO I GM
《电力电子技术》
三、GTO的驱动与保护
1.GTO门极驱动电路 对门极驱动电路的要求: 1)正向触发电流iG。由于GTO是多元集成结构, 为了使内部并联的GTO元开通一致性好,故要求GTO 门极正向驱动电流的前沿必须有足够的幅度和陡度, 正脉冲的后沿陡度应平缓。 2)反向关断电流﹣iG。为了缩短关断时间与减 少关断损耗,要求关断门极电流前沿尽可能陡,而 且持续时间要超过GTO的尾部时间。还要求关断门极 电流脉冲的后沿陡度应尽量小。
饱和电流,其值由外电路决定。
《电力电子技术》
(2)动态特性
图4-8
GTR共发射极接法的输出特性
图4-9
GTR开关特性
பைடு நூலகம்
《电力电子技术》
2.GTR的参数
(1)最高工作电压 ①BUCBO:射极开路时,集-基极间的反向击穿电压。 ②BUCEO:基极开路时,集-射极之间的击穿电压。 ③BUCER:GTR的射极和基极之间接有电阻R。 ④BUCES:发射极和基极短路,集-射极之间的击穿电压。 ⑤ BUCEX:发射结反向偏置时,集 - 射极之间的击穿电 压。其中BUCBO > BUCES > BUCES> BUCER> BUCEO,实际 使用时,为确保安全,最高工作电压要比BUCEO低得多。 (2)集电极最大允许电流ICM (3)集电极最大允许耗散功率PCM (4)最高工作结温TJM

电力电子技术(第4版)第4讲 电力电子器件讲解

电力电子技术(第4版)第4讲 电力电子器件讲解
GTR和MOSFET复合,结合二者的优点。 1986年投入市场,是中小功率电力电子设备的主导器件。 继续提高电压和电流容量,以期再取代GTO的地位。
电力电子技术
第1章: 电力电子器件
⑴IGBT的结构和工作原理
①三端器件:栅极G、集电极C和发射极E
发射极 栅极
E
G
N+ P N+
N+ P N+
J3 J2
电力电子技术
第1章: 电力电子器件
⑵IGBT的基本特性
①IGBT的静态特性
IC
输出特性
IC
有源区
•分 为 三 个 区 域 : 正向阻断区、有 源区和饱和区。
饱 和 区
URM 反向阻断区
O UGE(th)
UGE
O
正向阻断区
a)
b)
转UG移E间特的性关—系—(I开C与启电
图1.24 IGBT的转移特性和输出特性 a) 转移特性 b) 输出特性
压UGE(th))
UGE增加 UGE(th) UFM UCE
电力电子技术
第1章: 电力电子器件
② IGBT的动态特性
U GE 90% U GEM
U GEM
IGBT的开通过程 与MOSFET的相似
10% U GEM
0 IC 90% I CM
t d(on)
I CM tr
t d(off)
t tf
开通延迟时间td(on)
电力电子技术
第1章: 电力电子器件
③电力MOSFET的工作原理
截止:漏源极间加正电源,栅 源极间电压为零。
–P 基 区 与 N 漂 移 区 之 间 形 成
的PN结J1反偏,漏源极之间

电力电子技术电子教案

电力电子技术电子教案

第一次课内容 绪 论▪ 1.电力电子技术的发展概况 ▪ (1)电力电子技术的定义 ▪ (2)电力半导体器件▪ 第一阶段是以整流管、晶闸管为代表的发展阶段; ▪ 第二阶段是以GTO 、GTR 等全控型器件为代表的发展阶段; ▪ 第三阶段是以功率MOSFET 、IGBT 等电压型全控器件为代表的发展阶段;▪ 第四阶段是以SPIC 、HVIC 等功率集成电路为代表的发展阶段,目前正处在发展初期。

▪ (3)电力半导体变流技术▪ 第一阶段是电子管、离子管(闸流管、汞弧整流器、高压汞弧阀)的发展与应用阶段,此时的变流技术属于整流变换,只是变流技术的一小部分。

▪ 第二阶段是硅整流管、晶闸管的发展与应用阶段,主要指晶闸管的应用阶段。

这一时期,随着整流管特别是晶闸管制造水平的不断提高,半导体变流技术所涉及的应用领域不断扩展. ▪ 第三阶段是全控型电力半导体器件的发展与应用阶段,是半导体电力变流器向高频化发展的阶段,也是变流装置的控制方式由移相控制向时间比率控制发展的阶段。

▪ 第三阶段的发展是随着全控型器件的发展而逐渐展开的。

时至µçÁ¦µç×Ó¼Êõµç×ÓѧµçÁ¦Ñ§¿ØÖÆÀíÂÛÁ¬Ðø¡¢ÀëÉ¢µç·¡¢Æ÷¼þ¾²Ö¹Æ÷¡¢Ðýתµç»ú今日,晶闸管应用领域的绝大部分已经或即将被功率集成器件所取代。

电工电子应用技术 电力电子器件教案1

电工电子应用技术 电力电子器件教案1

单元十三电力电子技术基础(教案)注:表格内黑体字格式为(黑体,小四号,1.25倍行距,居中)比硅整流元件更为可贵的可控性,它只有导通和关断两种状态。

1.晶闸管结构:晶闸管从结构上分为螺旋式和平板式。

它们具有三个电极,分别为阳极A 、阴极K 和控制极G 。

容量大的晶闸管一般采用平板式,容量小的晶闸管与大功率二极管外形相似,只是比二极管多了一个控制极。

晶闸管是PNPN 四层三端器件,共有三个PN 结。

分析原理时,可以把它看作是由一个PNP 管和一个NPN 管所组成,其等效图解如图13-1-2(a)所示,图13-1-2(b)为晶闸管的电路符号。

a ) 螺栓型b )平板型c )符号图13-1-1 晶闸管管芯及电路符号表示2.晶闸管的工作原理:当阳极A 加上正向电压时,BG 1和BG 2管均处于放大状态。

此时,如果从控制极G 输入一个正向触发信号,BG 2便有基流I b2流过,经BG2放大,其集电极电流I c2=β2I b2。

因为BG 2的集电极直接与BG 1的基极相连,所以I b1=I c2,于是BG1的发射极电流I e1=(1+β1)I b1 β1β2I b2。

这个电流又流回到BG 2的基极,形成正反馈,使I b2不断增大,结果两个管子的电流剧增,可控硅使饱和导通。

这个导通在极短时间内完成的,一般不超过几微妙,称为触发导通过程。

sd图13-1-2 单向可控硅结构示意图、等效电路及其符号(a)(b)由于BG 1和BG 2所构成的正反馈作用,所以一旦可控硅导通后,即使控制极G的电流消失了,可控硅仍然能够维持导通状态,由于触发信号只起触发作用,没有关断功能,所以单向可控硅是不可通过改变控制极G 的电压关断的。

晶闸管导通时,A 与K 极间的正向压降一般约为0.6V~1.2V ,当应该注意的是,如果因外电路负载电阻值的增加而使晶闸管的阳极电流I A 降到某一数值时,就不能再维持正反馈过程,晶闸管不导通,呈正向阻断状态。

电力电子器件-教案

电力电子器件-教案

电力电子器件-教案章节一:电力电子器件概述1.1 教学目标:了解电力电子器件的基本概念和作用掌握电力电子器件的分类和特点了解电力电子器件的应用领域1.2 教学内容:电力电子器件的定义和作用电力电子器件的分类:二极管、晶闸管、GTO、IGBT等电力电子器件的特点:导通特性、阻断特性、开关特性等电力电子器件的应用领域:电力系统、交通运输、工业控制等1.3 教学方法:讲授法:讲解电力电子器件的基本概念和作用案例分析法:分析电力电子器件在实际应用中的例子章节二:晶闸管及其应用2.1 教学目标:了解晶闸管的结构和工作原理掌握晶闸管的参数和特性了解晶闸管的应用领域2.2 教学内容:晶闸管的结构:PN结、阳极、阴极、门极等晶闸管的工作原理:正向阻断、反向阻断、门极触发等晶闸管的参数:正向电流、反向电流、阻断电压、通态电阻等晶闸管的特性:开关特性、导通特性、阻断特性等晶闸管的应用领域:电力系统、交通运输、工业控制等2.3 教学方法:讲授法:讲解晶闸管的结构和工作原理实验演示法:观察晶闸管的导通和阻断特性章节三:GTO及其应用3.1 教学目标:了解GTO的结构和工作原理掌握GTO的参数和特性了解GTO的应用领域3.2 教学内容:GTO的结构:PN结、阳极、阴极、门极等GTO的工作原理:正向阻断、反向阻断、门极触发等GTO的参数:正向电流、反向电流、阻断电压、通态电阻等GTO的特性:开关特性、导通特性、阻断特性等GTO的应用领域:电力系统、交通运输、工业控制等3.3 教学方法:讲授法:讲解GTO的结构和工作原理实验演示法:观察GTO的导通和阻断特性章节四:IGBT及其应用4.1 教学目标:了解IGBT的结构和工作原理掌握IGBT的参数和特性了解IGBT的应用领域4.2 教学内容:IGBT的结构:MOSFET、双极型晶体管等IGBT的工作原理:开关特性、导通特性、阻断特性等IGBT的参数:正向电流、反向电流、阻断电压、通态电阻等IGBT的特性:开关特性、导通特性、阻断特性等IGBT的应用领域:电力系统、交通运输、工业控制等4.3 教学方法:讲授法:讲解IGBT的结构和工作原理实验演示法:观察IGBT的导通和阻断特性章节五:电力电子器件的驱动和保护5.1 教学目标:了解电力电子器件的驱动电路设计原则掌握电力电子器件的驱动电路和保护电路设计方法了解电力电子器件的故障处理和保护措施5.2 教学内容:电力电子器件的驱动电路设计原则:驱动信号的产生、驱动电路的稳定性等电力电子器件的驱动电路设计方法:光耦合驱动、电压驱动、电流驱动等电力电子器件的保护电路设计方法:过压保护、过流保护、短路保护等电力电子器件的故障处理和保护措施:故障检测、故障隔离、故障恢复等5.3 教学方法:讲授法:讲解电力电子器件的驱动和保护电路设计原则和方法案例分析法:分析电力电子器件的故障处理和保护措施的实际例子章节六:电力电子器件的散热与封装6.1 教学目标:了解电力电子器件散热的重要性掌握电力电子器件散热设计的方法了解电力电子器件的封装技术6.2 教学内容:电力电子器件散热的意义:热特性、热阻、热膨胀等电力电子器件散热设计方法:风冷散热、水冷散热、热管散热等电力电子器件的封装技术:塑料封装、陶瓷封装、金属封装等散热材料和封装材料的选择:导热性能、绝缘性能、机械性能等6.3 教学方法:讲授法:讲解电力电子器件散热的重要性和封装技术案例分析法:分析不同散热和封装技术的实际应用例子章节七:电力电子器件的故障与维护7.1 教学目标:了解电力电子器件的常见故障类型掌握电力电子器件故障诊断与维护的方法了解电力电子器件的寿命延长措施7.2 教学内容:电力电子器件的故障类型:过热、过流、短路、开路等电力电子器件故障诊断方法:视觉检查、声音判断、数据分析等电力电子器件的维护方法:清洁、冷却系统检查、电路检测等电力电子器件的寿命延长措施:正确使用、避免过载、定期维护等7.3 教学方法:讲授法:讲解电力电子器件的故障类型和维护方法实验演示法:演示电力电子器件的故障诊断与维护过程章节八:电力电子器件在电力系统中的应用8.1 教学目标:了解电力电子器件在电力系统中的重要作用掌握电力电子器件在电力系统中的应用案例了解电力电子器件在电力系统中的未来发展趋势8.2 教学内容:电力电子器件在电力系统中的应用:变频调速、无功补偿、电力电子变压器等电力电子器件在电力系统中的应用案例分析:具体案例分析、效益评估等电力电子器件在电力系统中的未来发展趋势:技术革新、市场需求等8.3 教学方法:讲授法:讲解电力电子器件在电力系统中的重要作用和应用案例案例分析法:分析电力电子器件在电力系统中的应用案例章节九:电力电子器件在交通运输领域的应用9.1 教学目标:了解电力电子器件在交通运输领域的应用掌握电力电子器件在交通运输领域的主要应用案例了解电力电子器件在交通运输领域的未来发展趋势9.2 教学内容:电力电子器件在交通运输领域的应用:电动汽车、轨道交通、港口设备等电力电子器件在交通运输领域的主要应用案例分析:案例解析、效益评估等电力电子器件在交通运输领域的未来发展趋势:技术创新、市场需求等9.3 教学方法:讲授法:讲解电力电子器件在交通运输领域的应用和未来发展趋势案例分析法:分析电力电子器件在交通运输领域的主要应用案例章节十:电力电子器件在工业控制领域的应用10.1 教学目标:了解电力电子器件在工业控制领域的应用掌握电力电子器件在工业控制领域的主要应用案例了解电力电子器件在工业控制领域的未来发展趋势10.2 教学内容:电力电子器件在工业控制领域的应用:机器控制、自动化生产线、工业电源等电力电子器件在工业控制领域的主要应用案例分析:案例解析、效益评估等电力电子器件在工业控制领域的未来发展趋势:技术创新、市场需求等10.3 教学方法:讲授法:讲解电力电子器件在工业控制领域的应用和未来发展趋势案例分析法:分析电力电子器件在工业控制领域的主要应用案例重点和难点解析本教案中,需要重点关注的环节包括:1. 电力电子器件的基本概念和作用:理解电力电子器件的定义以及其在现代电力系统中的关键作用。

第1章 电力电子器件54120

第1章 电力电子器件54120
➢ 器件一般有三个端子(或称极或管角),其中两个联 结在主电路中,而第三端被称为控制端(或控制极)。 器件通断是通过在其控制端和一个主电路端子之间加 一定的信号来控制的,这个主电路端子是驱动电路和 主电路的公共端,一般是主电路电流流出器件的端子。
PENEC
第1章第13页
西安交通大学电力电子与新能源技术研究中心(PENEC)制作
1.1 电力电子器件概述
➢ 1.1.1 电力电子器件的概念和特征
➢主电路(main power circuit)——电气设 备或电力系统中,直接承担电能的变换或 控制任务的电路
➢电 力 电 子 器 件 ( power electronic device)——可直接用于处理电能的主电 路中,实现电能的变换或控制的电子器件
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1.1.3 电力电子器件的分类
(2) 全控型器件——通过控制信号既可控制其 导通又可控制其关断,又称自关断器件
➢ 绝 缘 栅 双 极 晶 体 管 ( Insulated-Gate Bipolar Transistor——IGBT)
➢ 电力场效应晶体管(Power MOSFET,简称为 电力MOSFET)
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第1章第9页
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1.1.1 电力电子器件的概念和特征
➢ 阻断时器件上有微小的断态漏电流流过,形成断 态损耗
➢ 在器件开通或关断的转换过程中产生开通损耗和 关断损耗,总称开关损耗
➢ 对某些器件来讲,驱动电路向其注入的功率也是 造成器件发热的原因之一
第1章第20页
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电力电子技术基础课件:电力电子器件

电力电子技术基础课件:电力电子器件

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2.1 电力电子器件概述
3、电力电子器件的分类
2)按照控制信号的性质分:
电流驱动型:SCR、GTO、GTR; 电压驱动型:MOSFET、IGBT。
3)按照控制信号的信号波形分:
脉冲触发型
电平控制型
4)按照器件内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况分:
单极型器件
双极型器件
复合型器件 11
思考:晶闸管的出现带来了电气工程领域的哪些变化?
对人类生活社会产生了哪些影响?
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2.3半控型电力电子器件-晶闸管
1、晶闸管的结构
晶闸管为“三端四层”结构。
“三端”指外部有三个极:阳极A,阴极K,门极G;
“四层”指内部有“四层三个PN结”,即四层半 导体P1、N1、P2、N2形成三个PN结。
不论阳极和阴极间施加什么样的电压,总 有PN结被反向偏置,SCR不会导通。
电路3:阳极与阴极之间经指示灯与负电源相连, 门极接负电源,指示灯不亮;
电路4:阳极与阴极之间经指示灯与负电源相连, 门极接正电源,指示灯不亮。
由电路3和电路4知,当晶闸管阳极和阴 极之间施加负电压时,无论门极施加什么样的 电压,晶闸管不会导通。
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2.3半控型电力电子器件-晶闸管
2、晶闸管的开通与关断条件
电力二极管的主要参数有额定电压、额定电流、结温、管压降等。 1)额定电压
能够反复施加在二极管上,二极管不会被击穿的最高反向 重复峰值电压URRM。
在使用时,额定电压一般取二极管在电路中可能承受的最 高反向电压,并增加一定的安全裕量,如下式:
式中 (2~3)——电压安全裕量;UDM——二极管承受的最大峰值电压。19
那么晶闸管怎么能关断呢?
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电力电子器件课程设计

电力电子器件课程设计

电力电子器件课程设计一、课程目标知识目标:1. 学生能够理解并掌握电力电子器件的基本概念、分类和工作原理;2. 学生能够掌握常用电力电子器件的特性和应用范围;3. 学生能够了解电力电子器件在电力系统和电力变换中的应用。

技能目标:1. 学生能够运用所学知识分析和解决实际电路中电力电子器件的选择和应用问题;2. 学生能够运用相关软件或工具进行电力电子器件的仿真和测试;3. 学生能够设计简单的电力电子电路,并进行性能分析和优化。

情感态度价值观目标:1. 培养学生对电力电子器件的兴趣,激发学习热情,提高主动探究精神;2. 培养学生具备良好的团队合作意识,学会与他人共同分析和解决问题;3. 增强学生的环保意识,认识到电力电子器件在节能减排方面的重要性。

课程性质:本课程为电力电子技术领域的基础课程,旨在帮助学生建立电力电子器件的基本知识体系,提高实际应用能力。

学生特点:学生具备一定的电子电路基础知识,对电力电子器件有一定了解,但实际应用和创新能力有待提高。

教学要求:注重理论与实践相结合,强调知识的应用和创新能力培养,采用案例分析、实验操作等多种教学手段,提高学生的综合素养。

通过本课程的学习,使学生能够达到上述课程目标,为后续相关课程和实际工作打下坚实基础。

二、教学内容1. 电力电子器件概述- 基本概念与分类- 发展历程与应用领域2. 常用电力电子器件- 二极管、晶体管、晶闸管特性及工作原理- 电力MOSFET、IGBT的结构与特性- 器件在不同应用场合的选择3. 电力电子器件的应用- 电力变换装置- 电力控制电路- 电力电子器件在新能源领域的应用4. 电力电子器件的驱动与保护- 驱动电路的设计- 保护电路的原理与实现5. 电力电子器件的仿真与测试- 仿真软件的应用- 实验操作与性能测试6. 电力电子器件的选型与设计- 选型依据与原则- 简单电路设计与性能分析教学内容依据课程目标,按照科学性和系统性原则进行组织。

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最重要的是掌握其基本特性。
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1.1 电力电子器件概述
1.1.1 电力电子器件的概念和特征
1.1.2 应用电力电子器件的系统组成 1.1.3 电力电子器件的分类
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1.1
电力电子器件概述
1.1.1 电力电子器件的概念和特征
电力电子器件(power electronic device) — — 可直接用于处理电能的主电路中,实现电能 的变换或控制的电子器件; 主电路( main power circuit ) —— 电气设备 或电力系统中,直接承担电能的变换或控制任 务的电路。 广义上分为两类: 电真空器件 (汞弧整流器、闸流管等电真空 器件) 半导体器件 (采用的主要材料仍然是硅)
电力电子器件的保护
电力电子器件的串联和并联使用(自学) 小结
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本章内容和学习要点

掌握各种器件(电力二极管、晶闸管、 IGBT 和 POWER MOSFET )的工作原理、基本特性、 主要参数以及选择和使用中应注意的一些问题; 掌握电力电子器件的驱动、保护方法和了解串、 并联使用; 了解电力电子器件的型号命名法,以及其参数和 特性曲线的使用方法,这是在实际中正确应用电 力电子器件的两个基本要求;
号,通过驱动电路去控制主电路中电力电 子器件的通或断,来完成整个系统的功能;
检测电路:电压传感器PT、电流传感器CT; 电气隔离:通过光、磁等来传递信号;
保护电路:过压保护、过流保护;
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电 力 电 子 装 置 结 构 图 ( 正 面 内 部 )
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电 力 电 子 装 置 结 构 图 ( 背 面 内 部 )
按照器件内部电子和空穴两种载流子参 与导电的情况分为三类:
1)
2)
单极型器件
双极型器件
由一种载流子参与导电的器件 由电子和空穴两种载流子参与导电的器件
3)
复合型器件
由单极型器件和双极型器件集成混合而成 的器件
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1.2 不可控器件—电力二极管
1.2.1
1.2.2 1.2.3 1.2.4
PN结与电力二极管的工作原理
导通时器件上有一定的通态压降,形成通态损耗 。
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1.1.1 电力电子器件的概念和特征

阻断时器件上有微小的断态漏电流流过,形成断 态损耗; 在器件开通或关断的转换过程中产生开通损耗和 关断损耗,总称开关损耗; 通常电力电子器件的断态漏电流极小,因而通态 损耗是器件功率损耗的主要成因;



器件开关频率较高时,开关损耗会随之增大而可 能成为器件功率损耗的主要因素;
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电力电子装置结构图(控制部分)
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电力电子装置结构图(主回路部分)
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电力电子装置结构图(驱动与保护部分)
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电力电子装置结构图(变压器部分)
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开关磁阻电动机(SRM)定子、转子结构图
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6/4极SRM剖面示意图
8/6极SRM剖面示意图
SRM磁场变化示意图
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SRM控制系统原理图
SRM控制系统结构图
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SRM控制系统主电路结构图
SRM控制系统主电路通断过程图
SRM运行中振动示意图
21
SRM运行示意图
22
1.1.3 电力电子器件的分类
按照器件能够被控制电路信号所控制的 程度,分为以下三类:
1) 半控型器件
通过控制信号可以控制其导通而不能控制其关断。 器件的关断由其在主电路中承受的电压和电流决定
作电路分析时,为简单往往用理想开关来代替。
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1.1.1 电力电子器件的概念和特征
(3) 实用中,电力电子器件往往需要由信息电 子电路来控制。
在主电路和控制电路之间,需要一定的中间电路对 控制电路的信号进行放大,这就是电力电子器件的 驱动电路。
(4)为保证不致于因损耗产生的热量导致器件温 度过高而损坏,不仅在器件封装上讲究散热 设计,在其工作时一般都要安装散热器。
晶闸管(Thyristor)及其大部分派生器件
2) 全控型器件

通过控制信号既可控制其导通又可控制其关断, 电力场效应晶体管(电力MOSFET) 又称自关断器件。
门极可关断晶闸管(GTO)
绝 缘 栅 双 极 晶 体 管 ( Insulated-Gate Bipolar Transistor——IGBT)
3) 不可控器件
电力二极管(Power Diode) 不能用控制信号来控制其通断 , 因此也就不需要驱 只有两个端子,器件的通和断是由其在主电路中承受的 动电路。 电压和电 流决定的。 23
按照驱动电路加在器件控制端和公共 端之间信号的性质,分为两类:
1) 2) 电流驱动型 电压驱动型
通过从控制端注入或者抽出电流来实现 导通或者关断的控制 仅通过在控制端和公共端之间施加一定的 电压信号就可实现导通或者关断的控制
(2) 电力电子器件一般都工作在开关状态
导通时(通态)阻抗很小,接近于短路,管压降接 近于零,而电流由外电路决定。 阻断时(断态)阻抗很大,接近于断路,电流几乎 为零,而管子两端电压由外电路决定。 电力电子器件的动态特性(也就是开关特性)和参 数,也是电力电子器件特性很重要的方面,有些时 候甚至上升为第一位的重要问题。
电力二极管的基本特性 电力二极管的主要参数 电力二极管的主要类型
《电力电子技术》 电子教案
第1章 电力电子器件
第1章 电力电子器件(4学时)
1.1 电力电子器件概述
1.2
1.3 1.4 1.5 1.6
不可控器件——电力二极管
半控型器件——晶闸管 典型全控型器件 (POWER MOSFET、IGBT) 其他新型电力电子器件 (自学) 电力电子器件的驱动
1.7
1.8
5
1.1.1 电力电子器件的概念和特征
同处理信息的电子器件相比,电力电子
器件的一般特征:
(1) 能处理电功率的大小,即承受电压和 电流 的能力是最重要的参数。
其处理电功率的能力小至毫瓦(mW)级, 大至兆瓦( GW )级 , 大多都远大于处理信 息的电子器件。
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1.1.1 电力电子器件的概念和特征
对某些器件来讲,驱动电路向其注入的功率也是 造的系统组成
电力电子系统:由控制电路、驱动电路和 以电力电子器件为核心的主电路组成

图1-1 电力电子器件在实际应用中的系统组成
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1.1.2 应用电力电子器件的系统组成
控制电路:按系统的工作要求形成控制信
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