C6726+Flash+Boot调试笔记

前几日调试TMS320C6726片外Flash启动，网上借鉴了很多方法，受益很多，现在也总结下我们的调试步骤，希望给初学者以帮助。

1.Flash操作采用的Flash芯片是SST39LF200,是128K*16位，硬件连接采用的是EMIF（TMS320C672x DSP External emory Interface (EMIF)）手册上的接法，EM_BA[1]接A[0]。

高4位地址用GPIO来控制。

这里就需要注意：Flash芯片的偏移地址要*2才与DSP芯片上的偏移地址相对应。

其中，EM_A[11:0]给出的是32位字地址的最低有效位，EM_BA[1:0]给出半字(16bit)和字节(8bit)信号，或者给出EM_A[23:22]信号，这取决于A1CR中的数据线宽度配置。

这里数据线宽度为16bit，所以EM_BA[1:0]给出半字和字节信号。

（参看EMIF手册）例如，Flash芯片上的偏移地址0x5555与DSP芯片上的0x9000AAAA 相对应，因此，有以下定义（这两个地址在对Flash操作时要用到）：Uint16 *Flash_Add5555 = (Uint16 *)0x9000AAAA;Uint16 *Flash_Add2AAA = (Uint16 *)0x90005554;剩下的就是flash的erase 和program了，写入相应的关键字就行了，这个不难。

2.flash启动2.1 两个重要的参数（参看手册Using the TMS320C672x Bootloader）：1. The first 8-bits on the flash device gives information about the data bits (8/16) that can beaccessed from the parallel flash simultaneously.2. The first 1024 bytes of data are copied from the FLASH memory into the first 1kBytes ofTMS320C672xx internal memory. The bootloader sets the program counter to 0x10000004 (offset of 0x4 in internal memory) and execution of code begins at this address.所以：1.需要在flash的第一个空间里写入0x0001，表示16位2.具体函数代码从flash的第3个空间开始，即0x22.2 程序小于1KB，如果程序小于1Kb，则不需要second boot。

有些文档里面提及烧写要经过.out---.hex---.bin的过程，我们在用这个方法时，卡在了.bin文件的生成上。

后来借鉴了网友的经验：将存放程序的RAM 空间上的数据，直接写入到flash中。

(参看/view/5dd6cc62caaedd3383c4d354.html)例如，一个简单用GPIO口控制LED闪烁的程序#pragma CODE_SECTION(Myboot,".MYBOOT");void Myboot(void){int i;*(unsigned int *)(0xF0000010) = 0x086225bd;//配置EMIF，因为要用到EMIF从flash读数据，//PLLC就偷懒没配置了*(unsigned int *)(0x44000010) = 0x04000000;//配置mcaspa PFUCN*(unsigned int *)(0x44000014) = 0x04000000;//配置mcaspa PDIR*(unsigned int *)(0x44000018) = 0x00000000;//LOOP1:{for(i=0;i<60000;i++)*(unsigned int *)(0x44000018) = 0x04000000;for(i=0;i<60000;i++)*(unsigned int *)(0x44000018) = 0;//}goto LOOP1;}在cmd文件里：MYBOOTLOADER: origin = 0x10030DA0 length = 0x0400.MYBOOT: load = MYBOOTLOADER在main函数里，调用flash烧写操作，将这段代码烧到flash中（先得擦除，并program 0x00，0x01空间）Uint16 * SecondBootRAMStart = (Uint16 *)0x10030DA0; // SecondBootRAMStart即为Myboot//函数开始的RAM地址，从cmd查的，这里为0x10030DA0for(FlashChipAddr=2;FlashChipAddr<(0x200);FlashChipAddr++){SrcData = *(SecondBootRAMStart);FlashWriteWord(FlashChipAddr,SrcData);SecondBootRAMStart++;}这样就烧写成功了。

断电，上电，程序可以运行。

在此，要注意的是手册《TMS320C672X系列浮点DSP的EMIF研究与应用.pdf》说明：二级Bootloader代码要用汇编写，因为c环境还未建立起来。

这里，myboot函数用的是c语言写的，也能运行，但是最好用简单的c。

例如，本来我们用的不是LOOP1 和goto LOOP1，而是一个while(1),结果烧进去，运行不对。

2.3程序大于1KB根据手册《TMS320C672X系列浮点DSP的EMIF研究与应用.pdf》：“系统上电或复位时，DSP 内部固化的启动代码会自动将位于FIash地址空问(Ox90000000～Ox9FFFFFFF)开头的1 KB代码传输到RAM存储空间，这就是一次引导”，所以大于1Kb，就要采用二次load了。

主要的步骤也就是：(1)编写second bootloader，并将其烧写至flash的0x9000 0000 ---0x9000 0400中（即flash芯片的0x0000-0x200上，并且0x0要写入参数和0x01要保留，所以是从0x2开始写程序的）（2).将RAM工程的程序代码烧写到0x9000 0400--end（即flash芯片0x200--end）secondbootloader其中：secondbootloader程序主要是实现程序从flash到RAM的搬移，搬移完后，再附加跳转指令，跳转到c_int00。

这样程序就会从c_int00出开始执行了。

#pragma CODE_SECTION(SecondBootloader,".MYBOOT");#define RAM_CODE_START_ADDR 0x10000D94// .map 8-bit#define RAM_CODE_LEN 0x2f000 // .map 8-bitvoid SecondBootloader(void){Uint32 i=0,ChipAddr=0,j;Uint32 Boot2StartAddr=0x90000400;Uint32 RAMStartAddr = RAM_CODE_START_ADDR;//.mapUint32 Length = RAM_CODE_LEN;//.map 8 bit*(Uint32 *)(0xF0000010) = 0x086225bd;//EMIF 16-bit*(Uint32 *)(0x44000010) = 0x0000000F;//addr 12-15*(Uint32 *)(0x44000014) = 0x0400000F;//addr 12-15for(i=0;i<Length/2+1;i++){ChipAddr = (Boot2StartAddr-0x90000000)>>1;//得到flash芯片的偏移地址*(Uint32 *)(0x44000018)=( ( (ChipAddr>>16)&0x01 ) +( (ChipAddr>>14)&0x02 ) +( (ChipAddr>>12)&0x04 ) +( (ChipAddr>>10)&0x08 ));//GPIO口控制高位地址线*(Uint16 *)(RAMStartAddr) = *(Uint16 *)(Boot2StartAddr) ;//flash到RAM的搬移Boot2StartAddr+=2;//RAM空间8位的，但一次取16位，所以+2RAMStartAddr+=2;}//跳转指令，最好用汇编写asm(" MVKL .S2 0x100187c0,b0");// .mapasm(" MVKH .S2 0x100187c0,b0");asm(" b .S2 b0");asm(" nop 5");}几个重要参数：RAMStartAddr，Length，0x100187c0均是从要被烧写的RAM工程的map、cmd文件获得。

打开RAM工程，打开.map文件，其中RAM_CODE_LEN最好是RAM的length，而不是used的，以下图为例，虽然显示的used是2e302，但是如果你在cmd文件中将RAM的length 改成2e302，那么编译报错：空间不够。

如果代码占的空间小，并且不想烧写那么多没有用到的，那么可以减小RAM空间的length，编译不出错就行，这样RAM_CODE_LEN可以仍然取length，而非used.●将RAM程序的保存通过CCS3.3的file-data-save，将RAM工程的程序数据导出来.dat格式（可以选择integer 类型，并且注意每个长度是32位的，所以保存的文件长度是length/4）●下面就开始烧写了：打开flashBurn工程// STEP.1: init EMIF & address bus:12-15InitMcasp();InitEMIF();// STEP.2: erase flash//-----FlashChipErase();// STEP.3: programe 0x0001 to the first byte of flash: 16-bit boot modeFlashWriteWord(0,0x01);FlashWriteWord(1,0x00);//STEP.4: programe Secnod bootloader to 0x9000 0004 -- 0x9000 0400(chip addr:0x2 --0x200)for(FlashChipAddr=2;FlashChipAddr<(0x200);FlashChipAddr++){SrcData = *(SecondBootRAMStart);FlashWriteWord(FlashChipAddr,SrcData);SecondBootRAMStart++;}//STEP.5: programe RAM code to 0x9000 0400 -- end(chip addr:0x200 -- end)fp = fopen("c:\\LEDTEMP.dat","r");// file format: 32-bit int // 读取RAM工程的代码 if(fp == NULL){printf("open file error\n");return;}FileCurLocation = 0;FlashChipAddr = BOOT2_FLASH_START_ADDR;while((feof(fp)==0) ){fscanf(fp,"%d",&FileData);// read 32-bit from .dat fileFlashWriteWord(FlashChipAddr,FileData&0xffff);// write low 16-bit to flashFlashChipAddr++;FlashWriteWord(FlashChipAddr,(FileData>>16)&0x0000ffff );// write high 16-bit to flashFlashChipAddr++;if(FlashChipAddr >= (FlashChipLen - 0x200) ){printf("error: RAM code is too long\n");break;}FileCurLocation ++;if( ( FileCurLocation == (Uint16)(CurPercent * RAM_CODE_LEN*0.25) ) ){printf("Flash Burn:%d percent completed.\n",(Uint16)(CurPercent*100));//打印烧写进度CurPercent+=0.2;}}fclose(fp);printf("Flash Burn:%d percent completed.\n",100);存在的问题：如果RAM工程的程序太长，通过文件fp读取.dat的方式会很慢，（烧个程序烧了10+min），所以可以这样做：打开flashBurn工程，运行到烧写的地方，然后将RAM工程的.dat文件通过file-data-load，load到RAM空间，这样就可以像烧写secondbootloader那样，从RAM空间读取数据，写入到flash。