QFD在PECVD镀膜设备中的应用

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PECVD镀膜设备

PECVD镀膜设备

等离子体增强化学气相沉积(plasma enhanced chemical vapordeposi-tion,PECVD),也称等离子体化学相沉积(PCVD),是将低压气体放电形成的等离子体应用于化学气相沉积的一项具有发展前途的新技术。

一、概述:PECVD磁控生产线是大型平面快速制备硅类膜连续生产设备、增强等离子化学沉积连续生产镀膜设备,采用射频PECVD化学气相沉积技术,沉积速率快,成膜质量好,可镀制氧化物薄膜、氮化物薄膜、氧氮化物薄膜、无定型硅薄膜和碳化硅薄膜等薄膜种类。

二、真空室尺寸和技术指标:大产品尺寸:1000×800(尺寸可根据客户要求订做)1、极限压强:5×10-4pa2、生产节拍:3-5分钟。

(根据生产工艺而定)。

三、组成和系统:1、PECVD磁控生产线由八个室组成,分别为:过渡室—加热室—镀膜四室—冷却室—过渡室。

是借助微波或射频等使含有薄膜组成原子的气体电脑,在局部形成等离子体,而等离子化学活 性很强,很容易发生反应,在基篇上沉积出所期望的薄膜。

为了使化学反应能在较低的温度下进行,利用了等离子体的活性来促进反应,因而这种CVD称为等离子 体增强化学气相沉积(PECVD)。

实践机理:是借助微波或射频等使含有薄膜组成原子的气体,在局部形成等离子体,而等离子体化学活性很强,很容易发生反应,在基片上沉积出所期望的薄膜。

优点:基本温度低;沉积速度快;成膜质量好,针孔较少,不易龟裂。

PECVD技术中等离子体的性质等离子体增强化学气相沉积(PECVD)或等离子体铺助化学气相沉积(PACVD)是依靠等离子体中电子的动能去激活气相的化学反应。

由于等离子体是离子、电子、中性原子和分子的集合体,因此大量的能量存储在等离子体的内能之中。

等离子体分为热等离子体和冷等离字体。

PECVD系统中是冷等离子体,它是通过低压气体放电而形成的。

这种在几百帕以下的低气压下放电所生产的等离子体是一种非平衡的气体等离子体。

PECVD设备的主要用途设备的主要用途设备的主要用途设备的主要用途

PECVD设备的主要用途设备的主要用途设备的主要用途设备的主要用途

PECVD设备的主要用途1.2.1 利用等离子体聚合法可以容易地形成与光的波长同等程度的膜厚。

这样厚度的膜与光发生各种作用,具有光学功能性。

即:具有吸收、透射、反射、折射、偏光等作用。

由于这种性质的存在,低温沉积Si3N4减反射膜,以提高太阳能电池的光电转换效率。

1.2.2 用于集成光电子器件介质SiYNX膜的制备,如半导体集成电路的衬底绝缘膜、多层布线间绝缘膜以及表面纯化膜的生长。

1.2.3 在电子材料当中可制成无针孔的均一膜、网状膜、硬化膜、耐磨膜等。

1.2.4 在半导体工艺中不仅用于成膜,而且用于刻蚀,也是一个较为理想的设备,它可刻0.3µm以下的线条.等离子体化学气相沉积 plasma chemical vapor deposition简称PCVD.是一种用等离子体激活反应气体,促进在基体表面或近表面空间进行化学反应,生成固态膜的技术。

等离子体化学气相沉积技术的基本原理是在高频或直流电场作用下,源气体电离形成等离子体,利用低温等离子体作为能量源,通入适量的反应气体,利用等离子体放电,使反应气体激活并实现化学气相沉积的技术。

PCVD与传统CVD技术的区别在于等离子体含有大量的高能量电子,这些电子可以提供化学气相沉积过程中所需要的激活能,从而改变了反应体系的能量供给方式。

由于等离子体中的电子温度高达10000K,电子与气相分子的碰撞可以促进反应气体分子的化学键断裂和重新组合,生成活性更高的化学基团,同时整个反应体系却保持较低的温度。

这一特点使得原来需要在高温下进行的CVD过程得以在低温下进行。

等离子体概论—物质存在的状态都是与一定数值的结合能相对应。

通常把固态称为第一态,当分子的平均动能超过分子在晶体中的结合能时,晶体结构就被破坏而转化成液体(第二态)或直接转化为气体(第三态);当液体中分子平均动能超过范德华力键结合能时,第二态就转化为第三态;气体在一定条件下受到高能激发,发生电离,部分外层电子脱离原子核,形成电子、正离子和中性粒子混合组成的一种集合体形态,从而形成了物质第四态——等离子体。

pecvd镀膜要点总结

pecvd镀膜要点总结

pecvd镀膜要点总结PECVD镀膜是一种常用的薄膜制备技术,它具有广泛的应用领域。

本文将从PECVD镀膜的原理、设备、工艺参数和应用等方面进行讨论,以便更好地理解PECVD镀膜技术。

一、PECVD镀膜的原理PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition)镀膜技术是利用等离子体的作用,在较低的温度下将气相中的化学物质沉积到基底表面上,形成一层薄膜。

其原理是通过电离气体形成等离子体,然后将预先选择的气体通过等离子体激活,使其发生化学反应并沉积在基底表面上,最终形成所需的薄膜。

PECVD镀膜技术可以实现对不同材料的薄膜制备,如氮化硅、氧化硅、氮化硼等。

二、PECVD镀膜的设备PECVD镀膜设备主要由真空系统、气体供给系统、电源系统和控制系统等组成。

真空系统用于提供良好的真空环境,以保证反应的进行;气体供给系统用于将所需的气体输送到反应室中;电源系统则提供能量激活气体,产生等离子体;控制系统用于监控和调节各个参数,确保镀膜过程的稳定性和一致性。

三、PECVD镀膜的工艺参数PECVD镀膜的工艺参数包括沉积温度、沉积压力、气体流量、功率密度等。

沉积温度是指反应室内的温度,它会影响薄膜的结晶性、致密性和机械性能等。

沉积压力是指反应室内的气压,它对等离子体的形成和薄膜的成分有重要影响。

气体流量是指输入到反应室中的气体量,它决定了反应物的浓度和速率。

功率密度是指等离子体中的功率密度,它对等离子体的激活和反应速率有影响。

四、PECVD镀膜的应用PECVD镀膜技术在各个领域都有广泛的应用。

在微电子领域,PECVD镀膜被用于制备薄膜晶体管(TFT)和光学薄膜等。

在太阳能电池领域,PECVD镀膜技术可以用于制备硅薄膜太阳能电池。

在显示器和光学器件领域,PECVD镀膜技术可以制备透明导电膜和抗反射膜等。

此外,PECVD镀膜技术还广泛应用于防腐蚀涂层、功能涂层和生物医学领域等。

PECVD镀膜技术简述

PECVD镀膜技术简述
薄膜纯净度
PECVD在反应过程中,利用辉光放电产生的等离子体对薄膜进行轰击, 有效降低了杂质和气体分子的沾污,提高了薄膜的纯净度。
03
薄膜附着力
由于PECVD技术中基材温度较低,避免了高温引起的基材变形和薄膜
附着力下降的问题,使得薄膜与基材之间具有更好的附着力。
生产效率
沉积速率
PECVD技术具有较高的沉积速率,能 够大幅缩短生产周期,提高生产效率。
自动化程度
批量生产能力
由于PECVD技术适用于大面积基材的 镀膜,因此在大规模生产中具有显著 的优势,能够满足大规模、高效的生 产需求。
PECVD设备通常采用自动化控制,能 够实现连续稳定生产,减少了人工干 预和操作时间。
适用材料
玻璃基材
PECVD技术适用于各种玻璃基材, 如浮法玻璃、导电玻璃、石英玻 璃等。
塑料基材
随着材料科学的发展,越来越多的 塑料材料被开发出来,而PECVD 技术也能够在一些特定的塑料基材 上进行镀膜。
其他材料
除了玻璃和塑料外,PECVD技术还 可以在陶瓷、金属等材料上进行镀 膜,具有广泛的适用性。
环保性
清洁生产
PECVD技术中使用的反应气体在反 应过程中被完全消耗,生成物为无害 的固体或气体,不会对环境造成污染 。
06
PECVD镀膜技术应用案 例
玻璃镀膜
总结词
利用PECVD技术在玻璃表面沉积功能膜 层,提高玻璃的物理和化学性能。
VS
详细描述
玻璃镀膜广泛应用于建筑、汽车、家电等 领域,通过PECVD技术,可以在玻璃表 面形成均匀、致密的膜层,提高玻璃的隔 热、防紫外线、防眩光等性能,同时还能 增强玻璃的耐候性和抗划伤性。
设备维护与清洁

QFD在PECVD镀膜设备中的应用

QFD在PECVD镀膜设备中的应用

方法应用于 P C E VD镀膜设备开发过程 , 并形成一种新的 P CV 镀膜设 备设计方法, E D 此方法就是针对 太阳能设备 市场构建顾客需求与产品技 术特征 的关联矩 阵 , 而将顾客 需求转化为具体的设计要求 。为产品开发提供指导 ; 结合 W 公 司 I I E新产品开发 的实际情景 ,设计 从 还 NLN I LN N I E新产品的技 术特征 目标水平. 步表 明该方法有助 于提 高产 品开发效率 。 初
1 D国内外理论研究现状 . QF
Q D是一种先 进的设计技术方法 是用 多层次分析方式 。 F 将顾客 需求 转化 为产品开发设计 过程 中可以测量控 制的工程特征 . 该方法 以 市场为导 向. 以顾客需求为依 据 . 在开发 阶段就对产 品的功能质量提 供保障。 Q D的优点是根据顾客对产 品的要求来设计新 产品 .利用 Q D F F 提供 的方法分析 顾客需求 . 将顾 客需求转 化为技术特 征 . 从而开发 和 生产出满足顾客需求的产品 F . D还提倡 在产品设 计时考 虑各种设计 Q 生产工作的交叉进行 . 因此使用 QF D有 助于缩 短产品开发周期 . 适应 产品更新换代越来越快 的要求目 当前 . F Q D方法 已经在企业 广泛地使用 . D不仅应 用于制造业 QF 中, 也应用于服务业 、 建筑业 、 软件 业等领域 中 , 在汽车 、 用电器 、 家 服 装、 建筑 工程 、 软件开 发等领域 中都 有成功应用 Q D的报道 F 。但至 此 .质量功能展开这一工具尚未系统应 用到我 国 P C D镀膜设备 的 EV 制造当中。因此 , 针对 P C D镀膜设备开发 中存在 的问题 . EV 改进新产 品开发模式 , 以具备可行性 、 成熟性 、 有效 性的 Q D方法为基础 , F 构建 顾 客需求 转化路径 . 将模糊 的顾客需求信 息转化为清晰的顾客需求信 息. 将清晰 的顾 客需 求信息转化 为产品技 术特征要求 . 引新产 品开 指 发 的具体 工作 , 增强新 产品开发的导向性 、 性 , 系统 支持新产 品的成功 开发 , 形成符合 市场需求 的新产 品 . 具有重要意义 。 11QF . D基本构成 质量J H Q是具体实现 Q D方法 的工具 .  ̄(O ) F 它是一种直观 的矩 阵 框架 表达方 式 , 通过信 息输入 与输 出 , 实现需求转化 。 以产 品规划质量

PECVD原理及设备结构

PECVD原理及设备结构
可靠性。
在半导体工业中,PECVD技术 还有着广阔的发展前景,尤其是 在新型半导体材料和器件的研发
和生产中。
06
结论
研究成果总结
• PECVD设备结构:PECVD设备主要由进气系统、反应室、电极、冷却系统和控制系统等组成。进气系统主要由进气阀 、进气管道、气体分布板等组成,作用是引入反应气体和氮气等。反应室是PECVD设备的主要部分,由石英管、加热器 和反应室外壳等组成,是薄膜沉积的主要场所。电极由阳极和阴极组成,作用是放电产生等离子体。冷却系统主要由冷 却水循环系统、热交换器等组成,作用是控制反应室温度,保证薄膜沉积的稳定性和均匀性。控制系统主要由电源、温 度控制器、压力控制器等组成,作用是控制设备的运行状态和工艺参数。
01
02
03
高压电源
为PECVD设备提供高电 压电源,一般采用直流电 源,电压范围为几千伏至 几万伏。
电流电源
为PECVD设备提供电流 电源,一般采用脉冲电源 或直流电源。
电源线
连接电源和PECVD设备 ,一般采用高压电缆或光 纤传输。
进样系统
气体供应系统
提供反应气体和载气,一 般采用钢瓶或液态气体供 应系统。
反应气体流量
反应气体流量是控制薄膜厚度和成分的关键参数。流量增加会导致薄膜生长速率增加,但 过高的流量可能导致薄膜成分不均匀或产生缺陷。因此,需要根据工艺要求和薄膜特性选 择合适的流量。
沉积温度
沉积温度对薄膜的结构和性质具有重要影响。在较低的温度下,薄膜可能会包含更多的缺 陷或非晶结构,而在较高的温度下,薄膜可能会变得更加致密和结晶。因此,需要根据薄 膜特性和工艺要求选择合适的沉积温度。
工艺过程监控
在PECVD工艺中,需要对工艺过程进行实时监控以确保薄膜的质量和性能。监控的参数可以包括反应 气体浓度、压力、温度、射频功率等。通过对这些参数的监控和分析,可以及时调整工艺条件并优化 工艺流程,提高薄膜的质量和性能。

pecvd认证标准

pecvd认证标准

pecvd认证标准
PECVD(等离子增强化学气相沉积)真空镀膜设备的认证标准可能涉及多
个方面,具体标准可能因应用领域和设备类型而异。

一般来说,认证标准可能包括以下几个方面:
1. 设备性能:设备的性能参数应符合应用要求,包括沉积速率、薄膜厚度、均匀性、附着强度等。

2. 设备安全性:设备应符合安全标准,如防爆、防电击、防火等。

3. 设备可靠性:设备应具备高可靠性,能够稳定运行并保证生产效率。

4. 设备环保性:设备应符合环保要求,如减少废气、废液、噪声等方面的排放。

5. 设备可维护性:设备的结构和设计应便于维护和保养,降低维修成本。

6. 设备外观:设备的外观应整洁美观,符合工业设计的要求。

此外,对于PECVD真空镀膜设备,可能还有一些特定的认证标准,例如设
备的材料、结构设计、电气性能、气路系统等方面的标准。

具体的认证标准可以参考相关行业协会或认证机构的规定,以确保设备符合相关要求和标准。

pecvd镀膜工作原理

pecvd镀膜工作原理

pecvd镀膜工作原理PECVD镀膜工作原理。

PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition)是一种利用等离子体增强化学气相沉积技术来进行薄膜制备的方法。

在PECVD过程中,通过将化学气相沉积(CVD)与等离子体技术相结合,可以实现更高的沉积速率、更低的沉积温度和更好的薄膜质量。

本文将介绍PECVD镀膜的工作原理及其相关内容。

1. 等离子体的产生。

在PECVD过程中,等离子体的产生是至关重要的。

等离子体是由气体在电场作用下发生电离而形成的,它具有高能量和活性,可以促进反应物的分解和化学反应的进行。

通常,通过在反应室中加入高频交变电场或直流电场,使气体电离形成等离子体。

2. 化学气相沉积。

在等离子体的作用下,反应气体中的前驱物质被激活并分解,形成活性的离子和自由基。

这些活性物种在表面沉积,形成薄膜。

同时,表面上的化学反应也会继续进行,形成所需的化合物薄膜。

这一过程称为化学气相沉积。

3. 薄膜的特性调控。

在PECVD过程中,薄膜的特性可以通过调控等离子体的能量、反应气体的流量和压强、沉积温度等参数来实现。

通过调节这些参数,可以控制薄膜的成分、结构和性能,从而满足不同应用的需求。

4. 应用领域。

PECVD镀膜技术在微电子、光电子、光伏、显示器件、传感器等领域有着广泛的应用。

例如,在太阳能电池领域,PECVD可以用于制备硅薄膜太阳能电池的透明导电氧化锌薄膜、氮掺杂氢化非晶硅薄膜等;在平板显示器件领域,PECVD 可以用于制备多层膜、抗反射膜、导电膜等。

5. 发展趋势。

随着科学技术的不断发展,PECVD技术也在不断完善和创新。

未来,随着对薄膜材料性能要求的不断提高,对PECVD技术的要求也将更加严格。

因此,如何进一步提高薄膜的均匀性、致密性、结晶度和透明度,以及降低薄膜的残余应力和缺陷密度,将是PECVD技术发展的重点和热点。

总结。

通过对PECVD镀膜工作原理的介绍,我们可以看到,PECVD技术是一种重要的薄膜制备技术,具有很高的应用价值和发展前景。

PECVD的原理

PECVD的原理

PECVD的原理PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition)是一种重要的薄膜沉积技术,基于低温等离子体增强化学气相沉积原理,用于在固体表面沉积无机或有机薄膜。

该技术具有非常广泛的应用领域,包括光电子器件、显示器、太阳能电池等。

1.气体供应与混合:在PECVD系统中,需要提供沉积材料的气体。

这些气体可以是单独的化合物,也可以是多个气体组合而成的混合物。

气体被送入反应室,并通过控制阀门进行混合,以实现所需的化学反应。

2.等离子体产生:将反应室内的气体加入高频电场中,产生等离子体。

这通常是通过引入高频电源,在两个电极之间建立电场来实现的。

等离子体是由电场激发气体分子而形成的带电粒子集合体,其能量高于常规热平衡气体。

等离子体的产生可以通过射频、微波或直流电源等方式实现。

3.化学反应:等离子体激活了气态前驱体分子,导致各种化学反应的发生。

通常,气态前驱体分子和激活的离子之间发生碰撞并发生吸附、反应或解离。

这些反应会导致所需的沉积物生成在基板表面上。

4.薄膜沉积:化学反应产生的反应物沉积在基板表面,形成所需的薄膜。

基板表面的形貌、化学组成以及薄膜的均匀性可以通过调整气体流量、流量比例、反应温度以及衬底表面预处理等参数来控制。

尽管PECVD的基本原理是相似的,但实际的PECVD系统可能会有很大的变化。

这包括反应室的几何形状和大小、等离子体激发机制、气体供应和混合方式以及薄膜生长的条件等。

然而,PECVD也存在一些局限性。

等离子体会引入较高能量的粒子,可能引起基板损伤或界面异质性。

此外,由于化学反应的复杂性,薄膜的质量和均匀性可能受到影响。

因此,在实际应用中,还需要进一步优化PECVD工艺参数和研究薄膜的结构与性能之间的关系。

总的来说,PECVD是一种重要的薄膜沉积技术,通过等离子体激发气体分子,实现化学反应并在基板表面沉积薄膜。

该技术在光电子器件、显示器和太阳能电池等领域具有广泛的应用前景。

pecvd镀膜工作原理

pecvd镀膜工作原理

pecvd镀膜工作原理PECVD镀膜工作原理。

PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition)是一种利用等离子体增强化学气相沉积技术来进行薄膜沉积的方法。

它是一种常用的薄膜制备技术,广泛应用于半导体、光电子、显示器件等领域。

本文将介绍PECVD镀膜的工作原理及其相关知识。

1. 等离子体激发。

PECVD镀膜的第一步是通过外加能量激发气体产生等离子体。

通常采用射频电源或微波电源来提供能量,使得气体分子发生电离,产生带电的离子和自由电子。

这些带电粒子在外加电场的作用下加速运动,形成等离子体。

2. 沉积前驱体。

在等离子体激发的同时,需要将沉积薄膜的前驱体气体引入反应室中。

这些前驱体气体可以是有机化合物、无机气体或金属有机化合物等。

这些气体在等离子体的作用下发生化学反应,生成沉积薄膜的物质。

3. 表面反应。

在等离子体的作用下,前驱体气体分子发生离子化、激发、解离等反应,生成活性物种,如自由基、离子等。

这些活性物种在表面吸附并发生化学反应,最终形成均匀致密的薄膜。

4. 控制沉积速率。

在PECVD镀膜过程中,需要对反应条件进行精确控制,以实现所需的沉积速率和薄膜性能。

通常通过控制反应室内的气体流量、压力、温度和等离子体功率等参数来实现对沉积速率的控制。

5. 薄膜性能调控。

通过调节PECVD镀膜的工艺参数,如沉积温度、沉积时间、气体比例等,可以实现对薄膜性能的调控。

例如,可以调节薄膜的折射率、硬度、粗糙度等性能,以满足不同应用的需求。

6. 应用领域。

PECVD镀膜技术广泛应用于太阳能电池、平板显示器、光学涂层、防腐蚀涂层等领域。

通过优化工艺参数和薄膜性能,可以实现对不同应用领域的需求。

总结。

通过上述介绍,我们了解了PECVD镀膜的工作原理及其在薄膜制备中的重要性。

PECVD镀膜技术具有沉积速率快、薄膜致密、成本低等优点,是一种重要的薄膜制备技术,对于推动半导体、光电子等领域的发展具有重要意义。

PECVD的工作原理

PECVD的工作原理

PECVD的工作原理PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition)是一种利用等离子体增强的化学气相沉积技术,用于在薄膜制备过程中沉积高质量的非晶硅、氮化硅、氧化硅等材料。

本文将详细介绍PECVD的工作原理,包括反应机理、设备构成、工作过程和应用领域。

一、反应机理:PECVD利用等离子体的激活作用,将气相中的前驱物分解并沉积在基底表面,形成所需的薄膜。

等离子体是通过加入辉光放电或射频电场来激活气体的,这样可以提高反应速率和薄膜质量。

二、设备构成:PECVD系统主要由气体供给系统、真空系统、电源系统、等离子体激发系统和基底加热系统组成。

1. 气体供给系统:用于提供反应所需的气体,包括前驱物气体和稀释气体。

前驱物气体通常是有机气体,如硅烷、氨气等;稀释气体用于控制反应的浓度和速率。

2. 真空系统:用于将反应室抽成高真空状态,以消除气体中的杂质和水分,保证反应的纯净性。

3. 电源系统:用于产生辉光放电或射频电场,激活气体形成等离子体。

辉光放电是通过高电压放电产生的,射频电场则是通过射频发生器产生的。

4. 等离子体激发系统:用于激活气体,使其分解成反应所需的活性物种。

常用的激发方法有辉光放电和射频电场。

5. 基底加热系统:用于加热基底,使其达到反应所需的温度。

温度的控制对于薄膜的质量和均匀性非常重要。

三、工作过程:PECVD的工作过程主要包括气体供给、气体激发、沉积反应和薄膜生长。

1. 气体供给:前驱物气体和稀释气体通过气体供给系统进入反应室。

气体的流量和比例需要根据所需的薄膜性质进行调节。

2. 气体激发:通过电源系统产生的辉光放电或射频电场激活气体,形成等离子体。

等离子体中的电子和离子具有高能量,可以激发气体分子的化学反应。

3. 沉积反应:激活的气体分子在基底表面发生化学反应,生成所需的薄膜。

反应的具体机理取决于前驱物气体的化学性质和反应条件。

4. 薄膜生长:沉积的薄膜在基底表面逐渐增长,形成均匀的薄膜。

等离子体增强化学气相沉积(PECVD)在薄膜制备中的应用综述(精)

等离子体增强化学气相沉积(PECVD)在薄膜制备中的应用综述(精)

等离子体增强化学气相沉积技术(PECVD)在薄膜制备中的应用综述摘要:本文综述了现今利用等离子体技术增强化学气相沉积(CVD)制备薄膜的原理、工艺设备现状和发展。

关键词:等离子体;化学气相沉积;薄膜;一、等离子体概论——基本概念、性质和产生物质存在的状态都是与一定数值的结合能相对应。

通常把固态称为第一态,当分子的平均动能超过分子在晶体中的结合能时,晶体结构就被破坏而转化成液体(第二态)或直接转化为气体(第三态);当液体中分子平均动能超过范德华力键结合能时,第二态就转化为第三态;气体在一定条件下受到高能激发,发生电离,部分外层电子脱离原子核,形成电子、正离子和中性粒子混合组成的一种集合体形态,从而形成了物质第四态——等离子体。

只要绝对温度不为零,任何气体中总存在有少量的分子和原子电离,并非任何的电离气体都是等离子体。

严格地说,只有当带电粒子密度足够大,能够达到其建立的空间电荷足以限制其自身运动时,带电粒子才会对体系性质产生显著的影响,换言之,这样密度的电离气体才能够转变成等离子体。

此外,等离子体的存在还有空间和时间限度,如果电离气体的空间尺度L下限不满足等离子体存在的L>>lD(德拜长度lD)的条件,或者电离气体的存在的时间下限不满足t>>tp (等离子体的振荡周期tp)条件,这样的电离气体都不能算作等离子体。

在组成上等离子体是带电粒子和中性粒子(原子、分子、微粒等)的集合体,是一种导电流体,等离子体的运动会受到电磁场的影响和支配。

其性质宏观上呈现准中性(quasineutrality),即其正负粒子数目基本相当,系统宏观呈中性,但是在小尺度上则体现电磁性;其次,具有集体效应,即等离子体中的带电粒子之间存在库仑力。

体内运动的粒子产生磁场,会对系统内的其他粒子产生影响。

描述等离子体的参量有粒子数密度n和温度T 。

通常用ne、ni 和ng 来表示等离子体内的电子密度、粒子密度和中性粒子密度。

pecvd镀膜要点总结

pecvd镀膜要点总结

pecvd镀膜要点总结PECVD镀膜是一种常见的薄膜制备技术,具有宽广的应用前景。

本文将从基本原理、工艺流程、特点与优势等方面对PECVD镀膜进行总结。

一、基本原理PECVD镀膜是利用等离子体中的活性物种对基底表面进行化学反应,形成所需薄膜的过程。

它主要包括两个步骤:气相反应和表面反应。

在气相反应中,通过高频电场或微波等能量激发,将反应气体转化为等离子体状态。

而在表面反应中,等离子体中的活性物种与基底表面发生化学反应,并形成薄膜。

二、工艺流程PECVD镀膜的工艺流程主要包括以下几个步骤:1. 清洗基底:将待镀膜的基底进行清洗,去除表面的污染物和氧化物。

2. 预处理:通过加热或气氛控制等方式,使基底表面具备良好的反应性。

3. 镀膜:将反应气体引入反应室,产生等离子体,并使活性物种与基底表面反应,形成薄膜。

4. 后处理:对薄膜进行退火、淀积等处理,提高其结晶度和致密性。

5. 检测与分析:对薄膜进行物理、化学和结构等方面的测试与分析,以评估其性能。

三、特点与优势1. 多功能性:PECVD镀膜可以制备多种材料的薄膜,如氧化物、氮化物、硅化物等,具有广泛的应用领域。

2. 高质量:由于等离子体辐射的高能量和活性物种的选择性,PECVD镀膜可以获得致密、均匀、纯净的薄膜。

3. 低温制备:相对于其他镀膜技术,PECVD镀膜所需的温度较低,可以在室温或较低的温度下进行,避免了对基底材料的热损伤。

4. 高生长速率:PECVD镀膜的生长速率较快,可以在短时间内获得较厚的薄膜。

5. 沉积均匀性:通过调节反应气体的流量和压力等参数,可以实现对薄膜沉积均匀性的控制,满足不同应用的需求。

PECVD镀膜是一种重要的薄膜制备技术,其基本原理是利用等离子体中的活性物种对基底表面进行化学反应,形成所需薄膜。

其工艺流程包括清洗基底、预处理、镀膜、后处理和检测与分析等步骤。

PECVD镀膜具有多功能性、高质量、低温制备、高生长速率和沉积均匀性等特点与优势,因此在微电子、光电子、光伏等领域得到广泛应用。

PECVD镀膜设备

PECVD镀膜设备

PECVD镀膜设备PECVD (Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition)是一种通过在低压下使用等离子体来沉积薄膜的技术。

PECVD镀膜设备结合了化学气相沉积(CVD)和物理气相沉积(PVD)技术的优点,可在较低的温度下制备优质的薄膜。

PECVD镀膜设备的工作原理是将气体引入真空室中,在等离子体的作用下,气体分解成离子和自由基,并沉积在衬底表面上形成薄膜。

反应气体通过电极引入真空室,并在电场的作用下形成等离子体。

等离子体中的电子被加热并激发,产生高能量且高活性的粒子,如离子和自由基。

这些粒子可以与反应气体发生化学反应,并在衬底表面沉积成薄膜。

PECVD镀膜设备具有许多优点。

首先,PECVD可以在相对较低的温度下进行镀膜,以避免对衬底的热损伤。

这对于具有较低熔点和热敏感性的材料是非常重要的。

其次,PECVD可以制备多种类型的薄膜,如氧化物、氮化物、硅酸盐等。

这些薄膜具有不同的物理和化学特性,满足各种特定应用的需求。

PECVD还可以实现薄膜的选择性沉积,通过调整反应气体成分来控制薄膜的成分和性质。

在PECVD镀膜设备中,反应气体的选择和比例起着至关重要的作用。

常用的反应气体包括硅源气体(如二甲基硅烷、三甲基硅烷等)、氮源气体(如氨气、含氮有机化合物等)和辅助气体(如氢气、氧气等)。

反应气体的比例可以通过控制气体流量来调节,以达到所期望的薄膜成分和性质。

设备中还包括真空系统、电源和控制系统等组件,以确保设备的正常运行和薄膜的质量控制。

PECVD镀膜设备广泛应用于微电子、光电子、显示器、太阳能电池等领域。

例如,在微电子领域,PECVD可以用于制备硅氧化物薄膜,用作绝缘层和通道隔离。

在光电子领域,PECVD可以制备氮化硅薄膜,用作光波导层和反射层。

在太阳能电池领域,PECVD可以制备氨基硅薄膜,用作抗反射层。

总之,PECVD镀膜设备是一种高效、灵活和可靠的薄膜制备技术。

pecvd镀膜工作原理

pecvd镀膜工作原理

pecvd镀膜工作原理
PECVD镀膜工作原理是基于等离子体增强化学气相沉积(PECVD)技术。

PECVD是一种利用等离子体体系中激活的化学物种进行化学气相反应的方法。

其主要原理如下:
1. 气体供给:首先,需要准备镀膜所需的气体混合物,例如硅氨烷(SiH4)和二甲基甲硅烷((CH3)2SiH2)等先驱体。

这些气体在所谓的反应室中被加热和预混。

2. 等离子体生成:通过电源提供的高频电场,使反应室中的气体形成等离子体。

高频电场使电子获得足够的能量,从而撞击气体分子并电离气体产生正离子和自由电子。

这些带电粒子构成了等离子体。

3. 化学反应:在等离子体的作用下,气体分子被激发和激活,产生化学反应。

例如,硅氨烷分子中的氢原子可被激发,使其与低电离能的气体分子(例如氢气)反应,生成二氢化硅(SiH2)等反应产物。

4. 沉积过程:由于等离子体反应所产生的反应物具有较高的活性,它们会在基底表面发生沉积反应。

基底表面的化学反应将使反应产物在表面上沉积形成薄膜。

5. 控制过程:通过控制反应室内的等离子体激活程度、温度、气体流量等参数,可以调节反应的速率和薄膜的成分、性质。

这些参数的优化可以实现所需的镀膜效果。

通过这种原理,PECVD技术可以制备多种类型的薄膜,如氮化硅膜、二氧化硅膜、氨化硅膜等。

这些薄膜广泛应用于集成电路、光学涂层、太阳能电池等领域。

QFD在PECVD镀膜设备中的应用

QFD在PECVD镀膜设备中的应用

QFD在PECVD镀膜设备中的应用【摘要】PECVD镀膜设备作为太阳能电池生产设备中的关键设备,PECVD 产品技术特征是满足硅片镀膜需求的重要因素。

本文将QFD方法应用于PECVD 镀膜设备开发过程,并形成一种新的PECVD镀膜设备设计方法,此方法就是针对太阳能设备市场构建顾客需求与产品技术特征的关联矩阵,从而将顾客需求转化为具体的设计要求。

为产品开发提供指导;还结合W公司INLINE新产品开发的实际情景,设计INLINE新产品的技术特征目标水平,初步表明该方法有助于提高产品开发效率。

【关键词】PECVD镀膜设备;质量功能展开;产品开发;技术特征0.引言在市场竞争日益激烈的当今社会,全球性的经济风暴,欧债危机的经济环境下,产品市场由原来的以卖方为主导的市场正逐渐转变成以买方为主导的市场。

由于国际市场竞争的加剧,企业为了生存应加快产品的创新力度,提高产品开发的生命周期,使得企业能够占领更广阔的市场。

产品的设计开发是一个复杂的过程,同时要满足来自顾客和制造两个方面的要求。

新产品的设计开发应以顾客满意为最终目标。

我国传统的产品设计开发过程,从新产品策划开始,经历可行性研究、初步设计研制、实验、最终产品设计、试制、生产转移、使用八个阶段,研制过程中主观因素较多,不利于新产品的研制,而且开发周期长,产品竞争力差。

将QFD (Quality Function Deployment质量功能展开)引入新产品的设计中,将可以提高产品的质量,提高产品在国际市场的竞争力。

当前,PECVD设备设计开发中,并没有将顾客需求转化成为可清晰指导产品设计的信息,对产品技术特性设计的指导性不强,造成产品设计随意性较大,设计循环次数过多,开发周期过长,设计出来的新产品没能达到最佳的顾客满意水平。

本文针对目标市场的顾客需求,运用QFD进行分解,构建顾客需求与技术特征的关联矩阵,从而将顾客需求转化为产品技术要求。

1.QFD国内外理论研究现状QFD是一种先进的设计技术方法。

PECVD的工作原理

PECVD的工作原理

PECVD的工作原理PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition)是一种利用等离子体增强化学气相沉积技术制备薄膜的方法。

它通过在低压条件下,将气体引入到等离子体中,使气体分子发生离解和激发,从而产生活性物种,最后在基底表面形成所需的薄膜。

PECVD的工作原理可以分为以下几个步骤:1. 气体供给:将所需的气体通过供气系统输入到PECVD反应室中。

常用的气体包括硅源气体(如二甲基硅烷、三甲基硅烷等)、氨气、氮气等。

2. 等离子体产生:在反应室中加入高频电源或微波电源,产生高频电场或微波电场,使气体分子发生电离和激发,形成等离子体。

等离子体中的电子和离子具有较高的能量,可以激发气体分子的化学反应。

3. 活性物种生成:等离子体中的电子和离子与气体分子发生碰撞,使气体分子发生离解和激发。

激发的气体分子可以形成活性物种,如自由基、离子等。

这些活性物种具有较高的反应活性,可以与基底表面反应。

4. 薄膜沉积:活性物种通过扩散或漂移到基底表面,并与基底表面上的化学官能团发生反应,形成薄膜。

反应过程中,可以通过控制反应温度、气体流量、压力等参数,调节薄膜的成分、结构和性质。

5. 薄膜生长控制:通过控制PECVD反应的时间,可以控制薄膜的厚度。

同时,可以通过调节反应条件和气体配比,实现对薄膜成分和结构的控制。

例如,可以通过引入掺杂气体,将掺杂元素引入薄膜中,改变薄膜的导电性、光学性质等。

6. 薄膜质量检测:制备完薄膜后,可以通过一系列的测试手段对薄膜进行质量检测。

常用的测试方法包括表面形貌观察、薄膜厚度测量、成分分析、结构分析等。

PECVD的工作原理基于等离子体的产生和活性物种的生成,通过控制反应条件和气体配比,可以实现对薄膜成分、结构和性质的调控。

这种技术在半导体、光电子、涂层等领域具有广泛的应用前景。

例如,在半导体工业中,PECVD被广泛应用于制备硅氧化物薄膜、氮化硅薄膜等,用于制备MOSFET器件的绝缘层和通道控制层。

pecvd镀膜工作原理

pecvd镀膜工作原理

pecvd镀膜工作原理
pecvd镀膜工作原理
PECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition)镀膜技术是一种温和的、低温的、无毒的、低成本的表面处理方法,它可以在室温下快速、有效地制备出高质量的薄膜材料,其中包括氧化物、硅氢化物和硅氮化物等。

PECVD镀膜工作原理是,将溶剂、气体和其他化学物质放入PECVD装置中,并通过电极产生等离子体,使其热化,从而产生一种由离子、电子和分子组成的“混合态”分子云。

在这种混合态分子云中,分子和离子彼此碰撞,使原材料的分子结构发生变化,从而产生新的物质,即薄膜材料。

此外,PECVD还可以控制原料分子的尺寸和形状,并可以将薄膜放置在多种表面上,从而使表面具有抗腐蚀、抗磨损和耐热等功能。

由于PECVD技术的灵活性,已用于制备多种薄膜,包括氧化物、硅氢化物和硅氮化物等。

另外,PECVD还可以将多种材料融合在一起,从而实现多层膜的制备,并可以调节膜的厚度、抗磨损性、抗腐蚀性和绝缘性等性能。

总的来说,PECVD技术是一种高效、灵活的表面处理方法,可以快速、低成本地制备出高质量的薄膜材料,为工业应用和医学研究提供了广泛的应用。

pecvd镀膜工作总结

pecvd镀膜工作总结

pecvd镀膜工作总结
PECVD镀膜工作总结。

近年来,PECVD镀膜技术在各个领域得到了广泛的应用,特别是在半导体、
光电子、光伏等行业中,其作用日益凸显。

作为一种无污染、高效率的薄膜制备技术,PECVD镀膜在提高材料表面性能、改善材料特性、增强材料功能等方面发挥
着重要作用。

在实际的PECVD镀膜工作中,我们首先需要准备好所需的薄膜材料和基片,
然后将其放置在PECVD反应室中。

接下来,通过加热和加电等方式,使反应室中
的气体发生等离子体,从而激发气体分子之间的化学反应,最终在基片表面形成所需的薄膜。

在实际的工作中,我们需要注意以下几点:
首先,要掌握好PECVD镀膜的工艺参数,包括气体流量、压力、温度、功率等,这些参数的选择将直接影响到薄膜的性能和质量。

其次,要做好反应室的清洁和维护工作,保证其内部的环境干净和稳定,以确
保薄膜的均匀性和稳定性。

最后,要加强对薄膜性能的测试和分析工作,及时发现和解决薄膜中可能存在
的问题,确保其符合工程要求。

总的来说,PECVD镀膜工作需要我们具备扎实的理论基础和丰富的实践经验,只有这样才能够保证薄膜的质量和稳定性。

随着科技的不断发展,相信PECVD镀
膜技术在未来会有更广阔的应用前景,也期待着更多的科研人员和工程师能够加入到这一领域,共同推动其发展。

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QFD在PECVD镀膜设备中的应用【摘要】pecvd镀膜设备作为太阳能电池生产设备中的关键设备,pecvd产品技术特征是满足硅片镀膜需求的重要因素。

本文将qfd 方法应用于pecvd镀膜设备开发过程,并形成一种新的pecvd镀膜设备设计方法,此方法就是针对太阳能设备市场构建顾客需求与产品技术特征的关联矩阵,从而将顾客需求转化为具体的设计要求。

为产品开发提供指导;还结合w公司inline新产品开发的实际情景,设计inline新产品的技术特征目标水平,初步表明该方法有助于提高产品开发效率。

【关键词】pecvd镀膜设备;质量功能展开;产品开发;技术特征0.引言在市场竞争日益激烈的当今社会,全球性的经济风暴,欧债危机的经济环境下,产品市场由原来的以卖方为主导的市场正逐渐转变成以买方为主导的市场。

由于国际市场竞争的加剧,企业为了生存应加快产品的创新力度,提高产品开发的生命周期,使得企业能够占领更广阔的市场。

产品的设计开发是一个复杂的过程,同时要满足来自顾客和制造两个方面的要求。

新产品的设计开发应以顾客满意为最终目标。

我国传统的产品设计开发过程,从新产品策划开始,经历可行性研究、初步设计研制、实验、最终产品设计、试制、生产转移、使用八个阶段,研制过程中主观因素较多,不利于新产品的研制,而且开发周期长,产品竞争力差。

将qfd(quality function deployment质量功能展开)引入新产品的设计中,将可以提高产品的质量,提高产品在国际市场的竞争力。

当前,pecvd设备设计开发中,并没有将顾客需求转化成为可清晰指导产品设计的信息,对产品技术特性设计的指导性不强,造成产品设计随意性较大,设计循环次数过多,开发周期过长,设计出来的新产品没能达到最佳的顾客满意水平。

本文针对目标市场的顾客需求,运用qfd进行分解,构建顾客需求与技术特征的关联矩阵,从而将顾客需求转化为产品技术要求。

1.qfd国内外理论研究现状qfd是一种先进的设计技术方法。

是用多层次分析方式,将顾客需求转化为产品开发设计过程中可以测量控制的工程特征,该方法以市场为导向,以顾客需求为依据,在开发阶段就对产品的功能质量提供保障。

qfd的优点是根据顾客对产品的要求来设计新产品,利用qfd提供的方法分析顾客需求,将顾客需求转化为技术特征,从而开发和生产出满足顾客需求的产品。

qfd还提倡在产品设计时考虑各种设计生产工作的交叉进行,因此使用qfd有助于缩短产品开发周期,适应产品更新换代越来越快的要求。

当前,qfd方法已经在企业广泛地使用,qfd不仅应用于制造业中,也应用于服务业、建筑业、软件业等领域中,在汽车、家用电器、服装、建筑工程、软件开发等领域中都有成功应用qfd的报道。

但至此,质量功能展开这一工具尚未系统应用到我国pecvd镀膜设备的制造当中。

因此,针对pecvd镀膜设备开发中存在的问题,改进新产品开发模式,以具备可行性、成熟性、有效性的qfd方法为基础,构建顾客需求转化路径,将模糊的顾客需求信息转化为清晰的顾客需求信息,将清晰的顾客需求信息转化为产品技术特征要求,指引新产品开发的具体工作,增强新产品开发的导向性、系统性,支持新产品的成功开发,形成符合市场需求的新产品,具有重要意义。

1.1 qfd基本构成质量屋(hoq)是具体实现qfd方法的工具,它是一种直观的矩阵框架表达方式,通过信息输入与输出,实现需求转化。

以产品规划质量屋为例,质量屋的左墙就是顾客需求,质量屋天花板就是技术措施,得到了顾客需求和相关措施就可以构建产品设计质量屋,并进行质量功能展开的运算。

质量屋为qfd这一方法运用提供了有效的框架。

1.2 qfd与ahp的结合层次分析法(the analytic hierarchy process)简称ahp, ahp 的目的,就是将复杂的问题系统化,由不同的层面给予层级分解,并透过量化的方法,建立层次结构模型,通过建立两两比较矩阵加以综合评估,以提供决策者选择适当的方案。

对于决策者而言,层次结构有利于对事物的了解,进行各方案的评估,以决定各方案的优势顺位,从而找出适当的方案。

因此,在qfd发展过程中,与ahp 形成了紧密结合的关系,为分析顾客需求权重以及各要素相互关系提供了适用的方法。

2.pecvd设备顾客需求分析2.1 pecvd设备顾客需求层次结构通过询问调查的方式以及面谈调查方式,获取大量顾客需求信息。

了解到顾客对pecvd镀膜腔体的需求现状、以及工艺腔体维护和故障等信息。

结合顾客需求调查结果,针对设备使用的太阳能电池生产商,进行需求整理归纳。

首先,对pecvd镀膜设备使用者需求的第二层次进行分析,这部分主要由w公司顾客需求调查项目的研究成果得出。

通过在设备使用者调查中给出“购买、使用pecvd镀膜设备的考虑因素有哪些”等问题,进行面谈与定性调查,重点挖掘顾客的显性需求与潜在需求,并对顾客的模糊表述进行整理,结合相关专家的评价,分析出第二层次需求项,分别为低成本、安全性、设备可靠性、产量高、用户体验五项需求。

然后,继续对需求项进行明晰,第二层顾客需求项属于较为模糊的需求表达方式,每项包括内容较多,根据这五个需求项的分类,结合专家评估,再将每个需求项分解为多个细分需求项,形成第三层需求项。

2.2顾客需求权重计算在完成顾客需求层次结构以后,还需分析其顾客需求权重。

本研究综合运用了企业市场研究项目成果信息以及专家的经验判断。

该项市场研究项目针对使用镀膜设备的光伏太阳能生产厂家,在光伏行业内对不同规模的光伏生产商需求进行了综合的分析。

本论文组织了4位直接参与该项目的专家,按照本文构建的顾客需求层次结构进行评价,确定光伏太阳能生产商的顾客需求权重。

顾客需求权重分析采取ahp方法,得出pecvd镀膜设备顾客需求权重。

评价采用两两对比的评分方法,根据专家对两个需求项之间重要度的主观感知进行评分。

pecvd设备研发顾客需求重要度判断群决策结果如下。

3.pecvd镀膜设备技术特性分析通过将以顾客语言表达的需求转换成技术语言的技术特性,可以使抽象的顾客需要进行具体的产品化。

技术特性是指成为评价对象的特性、性能,是关于顾客真正需求的代用特性。

如果对象商品是硬件商品或专业技术比较成熟,那么抽出的技术特性无论是量还是质一般都比较理想。

具体技术特征见图3。

3.1 pecvd镀膜设备技术特征pecvd镀膜设备作为太阳能电池生产设备中的关键设备,提高电池片转换效率的关键设备,是影响电池片的外观的重要因素,太阳能电池生产商对它的需求是不可或缺的。

但是什么样的pecvd是太阳能电池生产商所需要的呢,怎么的镀膜效果是太阳能电池生产商所满意的呢?其中的重要因素就是pecvd镀膜设备的技术特性:元件的稳定性、自动化上下舟、易损件数量减少、重要部件负荷程度等技术特征。

随着太阳能电池工艺技术的不断发展,对pecvd镀膜设备的品质要求的不断的提升,越来越关注镀膜出来的硅片的成膜厚度、成膜的均匀性、成膜的致密性等镀膜的质量特征,还有一个不可忽视的重要因素是设备的安全性。

近年来,光伏行业迅速崛起,高速发展,设备的需求量很大,国外的太阳能装备的价格贵,整套太阳能的装备的投入太大,而且购买的设备工艺都是嵌入式的,不利于国内太阳能工艺的发展。

国内太阳能装备刚刚起步,国内开发太阳能装备有很大的空间,可以研发适应工艺修改的新型太阳能电池装备。

国内的pecvd镀膜设备还在起步阶段,pecvd镀膜设备在光伏行业是必不可少的。

设计开发新型pecvd镀膜设备,主要考虑设备的物理要素、机能要素、时间要素、经济要素、生产要素等,目前市场上管式pecvd与板式pecvd的占有量比较高,顾客对pecvd镀膜设备的要求比较高,要求能达到国际先进水平。

3.2确定pecvd镀膜设备技术特征结构根据pecvd镀膜设备现状与发展方向,结合pecvd镀膜设备本身的特征,对pecvd镀膜设备技术特征结构进行筛选,剔除明显不重要的因素,剔除重复的因素,将相近的特征归类,结合专家评价,确定pecvd镀膜设备技术特征结构。

3.3分析顾客需求项与技术特征之间的关联度pecvd镀膜设备顾客需求与设备技术特征之间呈相关性,如人力成本这个需求项,就与自动化上下舟、自动插片、自动选片、硬件模块标准化等形成关联。

在顾客需求和技术特征都确定下来之后,接下来要配置两者的相关矩阵。

采用1-3-9的数字标度来表示顾客需求与技术特征之间的相关程度,用1表示影响弱,用3表示影响中,用9表示影响强。

pecvd镀膜设备产品规划质量屋矩阵中的数字由电气设计、机械设计、工艺等相关部门的人员通过小组讨论的方式确定的,完整关系矩阵见图4 pecvd镀膜设备产品规划质量屋。

●表示特征间存在较强的正相关关系○表示特+征间存在较弱的正相关关系+表示特征间存在较弱的负相关关系#表示特征间存在较强的负相关关系图4 pecvd镀膜设备产品规划质量屋当完成顾客需求和技术特征之间的关系矩阵后,对图4进行整体性、合理性、一致性检验。

关系矩阵中关系的填充率超过10%以上,属于合理范围,说明技术特征基本覆盖顾客需求。

关系矩阵没有空行或空列存在,说明没有多余的技术特征或不需补充新的技术特征。

列出的技术特征与顾客需求的关系表征合理,表示列出的技术特征可基本满足顾客需求。

经过深入检查,图4通过检验,确定为pecvd镀膜设备技术特征与顾客需求的关联关系。

3.4确定技术特征重要度技术特征重要度是通过相关矩阵运算得到的,运算的主要依据是顾客需求重要度和顾客需求与技术特征之间相关程度。

例如“腔体尺寸”技术特征重要度为:技术特征相对权重如图4所示,排列前八项技术特征相对权重之和为42.9%,是重要的技术特征,会影响产品的竞争力。

4.新产品开发的产品竞争性分析在具体新产品开发的场景中,在主要考虑产品技术特征重要度的同时,还要结合竞争形势因素进行平衡取舍。

通过与竞争者在技术特征方面的比较,并考虑技术特征关键程度,明确产品技术特征设计的目标水平。

首先,结合专家评估,得出企业原有产品以及其他两个竞争产品的各项技术特征水平,并根据式(3),计算这三个产品的产品竞争能力值,公司新产品的得分为0.87,排在首位,表明产品的技术特性具有较强的竞争力,具体竞争力分析见图4 pecvd镀膜设备产品规划质量屋。

式(3)中,zi为第i个产品的产品竞争力能力值,tj为第j项技术特征相对权重,hij为第i个产品、第j项属性项评测分值。

5.结论本文运用qfd方法,得出了一种产品技术特征设计方法,就是将pecvd镀膜设备顾客需求转化为技术特征设计的具体要求。

本文将该方法应用于新产品开发当中,根据w公司inline 新产品开发的实际情景,结合产品技术特征竞争性分析,设计inline新产品的产品技术目标水平。

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