半导体三极管及基本放大电路 很清晰
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半导体三极管极其基本放大电路
调试方法与步骤
01
频率特性的调试
02
使用扫频仪测量放大电路的频率响应。
根据测量结果调整电路参数，优化频率特性。
03
优化措施与技巧
01 选择合适的元件
02
使用高质量的电阻、电容和电感，确保电路性能稳定
。
03 选择合适的三极管，以满足电路需求。
优化措施与技巧
合理布局与布线
1
2
优化元件布局，减小寄生参数的影响。
输出电阻越小，说明电路的带 负载能力越强，能够驱动更多 的负载。
通频带和最高频率响应
通频带是指放大电路能够正 常放大的信号频率范围。
最高频率响应是指放大电路能 够正常放大的最高信号频率。
通频带越宽，说明电路能够 处理的信号频率范围越广。
最高频率响应越高，说明电路能 够处理的最高信号频率越高。
05 半导体三极管放大电路的 调试与优化
3
合理布线，减小信号传输过程中的损失。
优化措施与技巧
01
参数匹配
02
确保输入和输出阻抗匹配，减小信号反射。
03
调整偏置电阻，优化静态工作点。
优化措施与技巧
温度稳定性考虑 选择具有良好温度特性的元件。 在三极管附近安装散热片，降低温度对性能的影响。
06 基本放大电路的应用实例
音频信号放大
音频信号放大是基本放大电路的重要应用之一。通过 使用三极管，可以将微弱的音频信号进行放大，使其
两个PN结
集电极与基极之间的集电 结和基极与发射极之间的 发射结。
半导体材料
通常采用硅或锗作为主要 材料。
半导体三极管的工作原理
电流放大作用
通过控制基极电流来改变集电极 和发射极之间的电流，实现电流 的放大。
半导体三极管及放大电路
ICQ≈IEQ
I BQ I CQ β
（5）集射极电压：
UCEQ VCC ICQ RC IEQ RE VCC ICQ (RC RE )
3．动态分析
(1) 电压放大倍数
未加旁路电容时
Au
uo βRL ' ui rbe （ 1 β）RE
若加旁路电容，则RE被虚线短接
4．功率管的技术指标与使用
功率管的技术指标有集电极最大允许功耗PCM、最大耐压U(BR)CEO和最大集电极 电流ICM，为确保其安全工作，使用时功率管应满足下列条件： (1) 功率管集电极的最大允许功耗 PCM≥PV1(max) = 0.2Po(max) （4.36） (2) 功率管的最大耐压 U(BR)CEO≥2VCC （4.37） 这是由于一只管子饱和导通时，另一只管子承受的最大反向电压为2VCC。 (3) 功率管的最大集电极电流 ICM≥VCC/RL 由于功放管工作在大电流状态，且温度较高，属易损件，因此，在实际 电路中常加保护措施，以防止功放管因过压过流和过损耗而损坏，同时 需加装散热器。
（4）基极电源VBB
（5）基极电阻RB（基极偏置电阻） （6）耦合电容C1和C2 （7）负载电阻RL
2．放大电路的习惯画法
图4.8 单电源共发射极放大电路
图4.9 习惯画法
4.3.2 共发射极放大电路的静态分析 1．静态工作点
静态时，电路中晶体管的 IB、、IC、UCE的数值可用晶体管特 性曲线上的一个确定的点表示，习惯上称它为静态工作点，用Q 表示。
4.3.5
微变等效电路分析法
微变等效电路是指在输入信号变化量较小时，可将晶体管进行适当 的近似处理，把晶体管放大电路，等效为线性电路。
uBE rbe iB
半导体三极管及放大电路基础
输出特性曲线上的过损耗区和击穿区
半导体三极管的型号
国家标准对半导体三极管的命名如下:
3 D G 110 B
同一型号中的不同规格
同种器件型号的序号
器件的种类
材料 三极管
第二位：A锗PNP管、B锗NPN管、 C硅PNP管、D硅NPN管
第三位：X低频小功率管、D低频大功率管、 G高频小功率管、A高频大功率管、K开关管
很小的基极电流IB，就可以控制较大的集电极电 流IC，从而实现了放大作用。
三极管的电流关系
共发射极接法：发射极作为公共端； 共集电极接法：集电极作为公共端； 共基极接法：基极作为公共端。
各极电流之间的关系式
: 共基极电流传输系数。
因ICBO较IC小，所I 以E
IC I E ICBO
当ICBO和ICEO很小时， , , 可以不加区分。
②特征频率fT
三极管的值不仅与工作电流有关，而且与工作频率有关。 由于结电容的影响，当信号频率增加时，三极管的将会下降。 当下降到1时所对应的频率称为特征频率，用fT表示。
三.极限参数
①集电极最大允许电流ICM
三极管集电极最大允许电流ICM。当IC＞ICM时，管子性能将 显著下降，甚至会损坏三极管。
饱和电流，即输出特性曲线IB=0那条曲线所对应
1.共发射极交流电流放大系数 =IC/IBvCE=const
在输出特性曲线上求β
在放大区 值基本不变，
通过垂直于X 轴的直线 由IC/IB求得。
2.共基极交流电流放大系数α
α =IC/IE VCB=const
又因 1则，IC≈IE
：共发射极电流放大系数。 >>1
IC I B ICEO
半导体三极管的型号
国家标准对半导体三极管的命名如下:
3 D G 110 B
同一型号中的不同规格
同种器件型号的序号
器件的种类
材料 三极管
第二位：A锗PNP管、B锗NPN管、 C硅PNP管、D硅NPN管
第三位：X低频小功率管、D低频大功率管、 G高频小功率管、A高频大功率管、K开关管
很小的基极电流IB，就可以控制较大的集电极电 流IC，从而实现了放大作用。
三极管的电流关系
共发射极接法：发射极作为公共端； 共集电极接法：集电极作为公共端； 共基极接法：基极作为公共端。
各极电流之间的关系式
: 共基极电流传输系数。
因ICBO较IC小，所I 以E
IC I E ICBO
当ICBO和ICEO很小时， , , 可以不加区分。
②特征频率fT
三极管的值不仅与工作电流有关，而且与工作频率有关。 由于结电容的影响，当信号频率增加时，三极管的将会下降。 当下降到1时所对应的频率称为特征频率，用fT表示。
三.极限参数
①集电极最大允许电流ICM
三极管集电极最大允许电流ICM。当IC＞ICM时，管子性能将 显著下降，甚至会损坏三极管。
饱和电流，即输出特性曲线IB=0那条曲线所对应
1.共发射极交流电流放大系数 =IC/IBvCE=const
在输出特性曲线上求β
在放大区 值基本不变，
通过垂直于X 轴的直线 由IC/IB求得。
2.共基极交流电流放大系数α
α =IC/IE VCB=const
又因 1则，IC≈IE
：共发射极电流放大系数。 >>1
IC I B ICEO
三极管及其放大电路
第2章 半导体三极管及其基本放大电路
2.1.3 .BJT的特性曲线
BJT的特性曲线是指各电极电压与电流之间 的关系曲线，它是BJT内部载流子运动的外部 表现。
工程上最常用的是BJT的输入特性和输出特 性曲线。
第2章 半导体三极管及其基本放大电路
以共射放大电路为例：
输入特性：iBf vBEvCE 常 数 输出特性： iCf vCEiB常数
第2章 半导体三极管及其基本放大电路
输出特性曲线可以划分为三个区域： 饱和区——iC受vCE控制的区域，该区域内vCE的 数值较小。此时Je正偏，Jc正偏
iC /mA
25℃
=80μA =60μA =40μA
=20μA
vCE /V
第2章 半导体三极管及其基本放大电路
饱和区——iC受vCE显著控制的区域，该区域内vCE的数值较 小。此时Je正偏，Jc正偏。
电压增益2＝ 0lgAV dB 电流增益2＝ 0lgAI dB
由于功率与电压（或电流）的平方成比例， 因此功率增益表示为：
功率增益＝10lgAP
【 AP
Po 】 Pi
第2章 半导体三极管及其基本放大电路
2.2.2
+
VS
-
R
＝
i
Vi I i
输入电阻Ri
I i
Io
+
+
Rs Vi
放大电路 Ri (放大器)
2.3 共射基本放大电路
共射基本放大电路组成
放大的外部条件
输入回 路
输出回 路
两个回路 正确的直流偏置
ui为小信号 ui和VBB串接 RB为基极偏置电阻
RC为集电极偏置电
阻
第2章 半导体三极管及其基本放大电路
CHAP03半导体三极管及放大电路基础PPT课件
共射极放大电路
四川大学生物医学工程中心
13
3.1.3 BJTห้องสมุดไป่ตู้特性曲线
1. 输入特性曲线
(3) 输入特性曲线的三个部分
①死区 ②非线性区 ③线性区
四川大学生物医学工程中心
14
3.1.3 BJT的特性曲线
2. 输出特性曲线 iC=f(vCE) iB=const
输出特性曲线的三个区域:
饱制截和的止区区区：域：，iCi明C该接显区近受域于v内C零E，控
压无关。一般 = 0.90.99
载流子的传输过程
四川大学生物医学工程中心
7
2. 电流分配关系
又设 1
根据 且令
IE=IB+ IC
IC= InC+ ICBO
InC
IE
ICEO= (1+ ) ICBO （穿透电流）
则 IC ICEO
IB
当
IC
ICEO 时，
IC IB
是另一个电流放大系数，同样，它也只与管
IE +iE
图 03.1.06 共射极放大电路
vO = -iC• RL = -0.98 V，
电压放大倍数
AV
vO 0.98V v 20mV 四川大学I生物医学工程中心
49
11
3.1.2 BJT的电流分配与放大原理
综上所述，三极管的放大作用，主要是依 靠它的发射极电流能够通过基区传输，然后到 达集电极而实现的。
三极管符号
四川大学生物医学工程中心
3
结构特点：
• 发射区的掺杂浓度最高； • 集电区掺杂浓度低于发射区，且面积大； • 基区很薄，一般在几个微米至几十个微米，且
掺杂浓度最低。
半导体三极管及基本放大电路教案
教学章节第2章半导体三极管及基本放大电路2.1 双极型三极管课型理论课对象教学目标1.掌握：双极型三极管的电流分配方程和输入、输出曲线（截止区、放大区、饱和区的特点）；2.理解：双极型三极管的放大条件和放大原理，三极管的直流参数和交流参数；3.了解：双极型三极管的结构和电路符号，特殊三极管。
教学重点1.双极型三极管的电流分配方程；2.双极型三极管的输入、输出曲线（截止区、放大区、饱和区）；3.双极型三极管的放大条件和放大原理；4.三极管的直流参数和交流参数。
教学难点1.双极型三极管的放大原理；2.双极型三极管输入、输出曲线（截止区、放大区、饱和区）。
教学方法多媒体教学，讨论教学课时2学时教学内容2.1 双极型三极管半导体三极管有两大类型，一是双极型三极管，二是单极型场效应管。
由于它有空穴和自由电子两种载流子参与导电，故称为双极型。
本讲讨论双极型半导体三极管，通常用BJT表示，以下简称三极管。
双极型三极管可以分为如下几种类型：（1）按结构分——NPN管和PNP管（2）按功率大小分——大、中、小功率管（3）按材料分——硅管和锗管（4）按频率分——高频管和低频管2.1.1 三极管的结构和符号通过工艺的方法,把两个二极管背靠背的连接起来级组成了三极管。
按PN结的组合方式有PNP型和NPN型，它们的结构示意图和符号图分别为：如图2.1所示。
（a）NPN管的结构及符号（b）PNP管的结构及符号图2.1 三极管的结构示意图和符号不管是什麽样的三极管，它们均包含三个区：发射区，基区，集电区，同时相应的引出三个电极：发射极，基极，集电极。
同时又在两两交界区形成PN结，分别是发射结和集电结。
双极型晶体管的常见外形如图2.2所示。
图2.2 三极管的外型和管脚排列2.1.2 三极管的电流分配与放大原理（这一问题是重点）1.三极管的结构特点（1）基区很薄，且掺杂浓度很低；（2）发射区掺杂浓度远大于基区和集电区掺杂浓度；（3）集电结的结面积很大。
半导体三极管及其基本放大电路
3.Ri、Ro和 的计算
图 8.17 微变等效电路
01
因为 其中 放大倍数
02
(8.11)
1ห้องสมุดไป่ตู้
式中的负号表示输出电压与输入电压反相。从式中可看出, 提高电压放大倍数一种有效的办法是增大负载电阻RL′。 输入电阻 输出电阻
2
(8.12)
3
(8.13)
例 8.1在图8.18所示的共射极基本放大电路中，已知β=80，RB=282 kΩ，RC=RL=1.5 kΩ，VCC=12 V。试求Q点和 、Ri、Ro的值。若Ui=10 mV，Uo为多少？
04
02
03
分析表8.1的实验测试数据，可得到以下结论：
三极管各电极电流的关系满足 且IB很小，IC≈IE。
IC与IB的比值基本保持不变，其大小由三极管的内部结构决定，定义该比值为共射极电路的直流电流放大倍数，用β表示，即 (8.2)
(8.1)
式(8.2)表明，当三极管工作在放大状态时，集电极电流始终是基极电流的β倍。 IC与IB的变化量ΔIC与ΔIB的比值也基本保持不变，定义该比值为共射极电路的交流电流放大倍数，用β表示，即 (8.3)
第8章 半导体三极管及其基本放大电路 半导体三极管 基本放大电路分析 静态工作点的稳定与分压式偏置电路 共集电极放大电路 共基极基本放大电路 多级放大器 场效应晶体管及其放大电路 习题8
8.1.1 半导体三极管的结构和符号
半导体三极管又称晶体三极管，简称三极管，它是放大电路中的核心器件, 其外型如图8.1所示，其结构和符号如图8.2所示。
图 8.3 三极管的三种组态
01.
共射极; (b) 共基极; (c) 共集极
02.
按图8.4所示的实验电路，可通过改变RB来改变基极电流IB，集电极电流IC和发射极电流IE也随之变化，测试结果如表8.1所示。
图 8.17 微变等效电路
01
因为 其中 放大倍数
02
(8.11)
1ห้องสมุดไป่ตู้
式中的负号表示输出电压与输入电压反相。从式中可看出, 提高电压放大倍数一种有效的办法是增大负载电阻RL′。 输入电阻 输出电阻
2
(8.12)
3
(8.13)
例 8.1在图8.18所示的共射极基本放大电路中，已知β=80，RB=282 kΩ，RC=RL=1.5 kΩ，VCC=12 V。试求Q点和 、Ri、Ro的值。若Ui=10 mV，Uo为多少？
04
02
03
分析表8.1的实验测试数据，可得到以下结论：
三极管各电极电流的关系满足 且IB很小，IC≈IE。
IC与IB的比值基本保持不变，其大小由三极管的内部结构决定，定义该比值为共射极电路的直流电流放大倍数，用β表示，即 (8.2)
(8.1)
式(8.2)表明，当三极管工作在放大状态时，集电极电流始终是基极电流的β倍。 IC与IB的变化量ΔIC与ΔIB的比值也基本保持不变，定义该比值为共射极电路的交流电流放大倍数，用β表示，即 (8.3)
第8章 半导体三极管及其基本放大电路 半导体三极管 基本放大电路分析 静态工作点的稳定与分压式偏置电路 共集电极放大电路 共基极基本放大电路 多级放大器 场效应晶体管及其放大电路 习题8
8.1.1 半导体三极管的结构和符号
半导体三极管又称晶体三极管，简称三极管，它是放大电路中的核心器件, 其外型如图8.1所示，其结构和符号如图8.2所示。
图 8.3 三极管的三种组态
01.
共射极; (b) 共基极; (c) 共集极
02.
按图8.4所示的实验电路，可通过改变RB来改变基极电流IB，集电极电流IC和发射极电流IE也随之变化，测试结果如表8.1所示。
半导体三极管及放大电路
发射区： 掺杂浓度较高
二、晶体管电流分配及放大原理
以NPN型晶体管为例，共射极连接
外部电路连接特点：
试验电路
（1）VB﹥VE，发射结加 正向电压（正向偏置）
（2）VC﹥VB，EC﹥EB ， RB
集电结加反向电压（反向
偏置）
EB
IC
IB
mA
μA 3DG6
RC
IE
mA
EC
试验电路旳测量数据
IB/mA 0 0.02 0.04 0.06 0.08 0.10
U CC
VB与晶体管旳参数无关
射极电流
IE
VE RE
VB
UBE RE
取VB>>UBE，则
IC
IE
VE RE
VB RE
IC不受温度影响
（2）静态工作点 直流通路
集电极电流
IC
IE
VE RE
VB RE
基极电流
IB
IC
集-射极电压
UCE UCC IC RC I E RE UCC IC (RC RE )
使用单电源旳电路
4、工作原理
设置合适静态工作点旳必要性 信号失真
放大 电路 分析
静态分析：放大电路没有输入信号时
旳工作状态
动态分析：有输入信号时旳工作状态。
二、放大电路旳静态分析
1、画直流通路 2、静态分析
1、画直流通路 直流通路是在直流电源作用下 直流电流流经旳通路
画直流通路旳原则是： （1）电容相当于开路， 电感线圈相当于短路（ 忽视线圈电阻）；
EC担负着能量控制作用（放 大作用）。 EB和RB给晶体管发射结 提供合适旳正向偏置电压 UBE和偏置电流IB。 EC和RC给晶体管提供合适旳管压UCE，使UCE>UBE，以 确保管子集电结反向偏置。
二、晶体管电流分配及放大原理
以NPN型晶体管为例，共射极连接
外部电路连接特点：
试验电路
（1）VB﹥VE，发射结加 正向电压（正向偏置）
（2）VC﹥VB，EC﹥EB ， RB
集电结加反向电压（反向
偏置）
EB
IC
IB
mA
μA 3DG6
RC
IE
mA
EC
试验电路旳测量数据
IB/mA 0 0.02 0.04 0.06 0.08 0.10
U CC
VB与晶体管旳参数无关
射极电流
IE
VE RE
VB
UBE RE
取VB>>UBE，则
IC
IE
VE RE
VB RE
IC不受温度影响
（2）静态工作点 直流通路
集电极电流
IC
IE
VE RE
VB RE
基极电流
IB
IC
集-射极电压
UCE UCC IC RC I E RE UCC IC (RC RE )
使用单电源旳电路
4、工作原理
设置合适静态工作点旳必要性 信号失真
放大 电路 分析
静态分析：放大电路没有输入信号时
旳工作状态
动态分析：有输入信号时旳工作状态。
二、放大电路旳静态分析
1、画直流通路 2、静态分析
1、画直流通路 直流通路是在直流电源作用下 直流电流流经旳通路
画直流通路旳原则是： （1）电容相当于开路， 电感线圈相当于短路（ 忽视线圈电阻）；
EC担负着能量控制作用（放 大作用）。 EB和RB给晶体管发射结 提供合适旳正向偏置电压 UBE和偏置电流IB。 EC和RC给晶体管提供合适旳管压UCE，使UCE>UBE，以 确保管子集电结反向偏置。
半导体三极管及放大电路PPT精品课件
截止区
图3－20
饱和区： 输出特性的上升和弯曲部分
动态：当放大电路输入信号后（vi0）， 电路中各处的电压、电流处于变动 状态，这时电路处于动态工作情况， 简称动态。
1. 估算法确定静态工作点
见图3－14(b)
IB
V CC V BE Rb
VBE：硅管约为0.7V。 锗管约为0.2V。
Rb
300k
Rc 4k Cb2
Cb1 IB
c IC
vi
e
12V
BJT的放大作用，按电流分配实现，称 之为电流控制元件；
电流放大系数
共基电路： 共射电路：
IC 1
IE
IC
IB
三、BJT的特性曲线（共射连接）
iC
iB
N
P
N
vCE
vBE
图3－8
1. 输入特性曲线
iB f (vBE ) vCE 常数
iB(mA)
vCE=0V VCE 1V
80
25 C
60
40
满足放大的外部条件。
b. 下面推导IC和IB的关系
IE = IB + IC
I C αI E I CBO
代入
IC αI B αI C ICBO
整理 式得
IC
α 1
IB
I CBO
1
令 α 1
则 I C I B (1 ) I CBO
令 I CEO (1 ) I CBO
ICEO：基极开路，c流到e的电流，称穿透电流
4k
图3－18 (a)
ib
+ vi Rb
ic +
Rc RL v0
图3－18 (b)
半导体三级管与基本放大电路
方式 2 ib
b
e
T1 T2 ic
c
e ib b
ic c
复合管构成方式很多。不论哪种等效方式，等效 后晶体管的性能均如下确定：
1 2 {
晶体管的类型由复合管中的第一支管子决定。
§2.2 场效应晶体管
场效应管与双极型晶体管不同，它 是多子导电，输入阻抗高，温度稳定 性好。
场效应管有两种: 结型场效应管JFET 绝缘栅型场效应管MOS
集电结正偏，
3
IB>IC，UCE称80为A 饱和区。
60A
2
40A
1
20A
IB=0
3 6 9 12 UCE(V)
IC(mA ) 4 3
2
此1区00域A中 :
I,UB=B80E0<,ICA死=I区CEO 电压60，A称为 截止40区A。
1
20A
IB=0
3 6 9 12 UCE(V)
（3）主要参数 1.电流放大倍数
基区空
穴向发
射区的
扩散可
B
忽略。
进入PR区B的电子
少部分与基区的
空穴复E合B ，形成
电流IBE ，多数 扩散到集电结。
C
N
P
IBE
N
E IE
发射结正 偏，发射 区电子不 断向基区
扩 成E散 发c ， 电结反偏， 有少子形成的
反向电流ICBO。B
RB
EB
IC=ICE+ICBOICE C
号放大成较大的信号。这里所讲的主要是电 压放大电路。
电压放大电路可以用有输入口和输出口 的四端网络表示，如图。
ui
Au
uo
放大电路的性能指标
半导体三极管及基本放大电路
IC≈0， 故三极管呈现出高电阻，c、e之间相当于断路， 截
止状态的三极管相当于一个断开的开关。
3. 饱和状态 当发射结、集电结都处于正向偏置时，三极管处于饱
和状态。当集电极外接电阻RC 阻值很大，或者基极电流IB
较大时就会出现这种情况。 在输出特性曲线上，饱和区确切范围不易明显地划出， 它大致在曲线族的左侧，UCE 较小的区域（UCE ＜UBE ）， 见图 8- 6。 当三极管处于饱和状态时，尽管增大基极电流IB的值， 集电极电流IC却基本保持不变，此时三极管失去了放大作 用。饱和时三极管c与e间的电压记作UCES ，称为饱和压降。
6
IC /mA
U CE≥1
IB /A
60 40 20 0
4 2 0
0.4
0.8 U BE /V
8
(b)
(c)
图 8 -5三极管特性的测试 （a） 测试电路; （b） 输入特性曲线; （c） 输出特性曲线
2. 输出特性曲线 当三极管基极电流IB 为定值时，集电极电流IC与集射
极之间的电压UCE的关系，称为三极管的输出特性。这一关 系可表示为
IC IB
或 IC= IB
(8 -2)
ΔIB=0.02-0.01=0.01mA 而集电极电流的变化量为 ΔIC=2.03-1.04=0.99 mA 这种用基极电流的微小变化来使集电极电流作较大变 化的控制作用，就叫做三极管的电流放大作用。我们把集 电极电流变化量ΔIC和基极电流变化量ΔIB的比值，叫做三 极管交流放大系数, 用β表示, 即 β=ΔIC/ΔIB。 在工程计算时可认为 ≈β。
坏。 因此，对集电极耗散功率要有限制。集电结最大允
许承受的功率叫集电极最大允许功耗。使用时应保证： UCE·IC＜PCM。
第2章半导体三极管及其放大电路
若考虑集电结反向饱和电流ICBO的影响，各 极电流关系为： IC=（1+ β ）ICBO=ICEO （称 为集电结穿透电流），则：
IC=IB+（1+ β ）ICBO=IB+ICEO
2020/4/28
2.1.3 三极管的电流分配关系 和电流放大作用
2020/4/28
ICEO的形成
2.1.3 三极管的电流分配关系 和电流放大作用
Po Pi
2020/4/28
2.2.1概述
工程上常用增益来衡量放大能 力，单位是分贝（dB）。定义为：
电压增益Au (dB)： Au=20 lg Uo dB
Ui
电流增益Ai (dB)： Ai= 20 lg Io dB
Ii
功率增益Ap(dB)：Ap= 10lg Po dB
Pi
2020/4/28
2.2.1概述
β=△IB/△IC ②恒流性特性，即iB一定时，iC基本不随 uCE变化。
2020/4/28
2.1.4 三极管的伏安特性曲线
二、输出特性曲线
iCf uCEIB常数
21
2020/4/28
2.1.4 三极管的伏安特性曲线
（2）截止区 工作条件：发射结反偏，集电结反偏。 工作特点： ①基极电流iB=0，集电极电流iC很小， 此时iC=ICEO≈0。 ②集电极和发射极之间电阻很大， 相当 于开关断开。
放大电路 连接框图
2.2.1概述
三.放大电路的性能指标 1.放大倍数
放大倍数是衡量放大电路放大信 号能力的重要指标，通常用“A”表示 。
定义为放大电路输出量与输入量之比 ，常用3种形式表示：
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2.2.1概述
电压放大倍数Au：A u
IC=IB+（1+ β ）ICBO=IB+ICEO
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2.1.3 三极管的电流分配关系 和电流放大作用
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ICEO的形成
2.1.3 三极管的电流分配关系 和电流放大作用
Po Pi
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2.2.1概述
工程上常用增益来衡量放大能 力，单位是分贝（dB）。定义为：
电压增益Au (dB)： Au=20 lg Uo dB
Ui
电流增益Ai (dB)： Ai= 20 lg Io dB
Ii
功率增益Ap(dB)：Ap= 10lg Po dB
Pi
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2.2.1概述
β=△IB/△IC ②恒流性特性，即iB一定时，iC基本不随 uCE变化。
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2.1.4 三极管的伏安特性曲线
二、输出特性曲线
iCf uCEIB常数
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2.1.4 三极管的伏安特性曲线
（2）截止区 工作条件：发射结反偏，集电结反偏。 工作特点： ①基极电流iB=0，集电极电流iC很小， 此时iC=ICEO≈0。 ②集电极和发射极之间电阻很大， 相当 于开关断开。
放大电路 连接框图
2.2.1概述
三.放大电路的性能指标 1.放大倍数
放大倍数是衡量放大电路放大信 号能力的重要指标，通常用“A”表示 。
定义为放大电路输出量与输入量之比 ，常用3种形式表示：
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2.2.1概述
电压放大倍数Au：A u
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