N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管SVF4N60D(F)(T)(K)(M)(MJ)说明书_1.2-L
SVF2N60M(F)(T)(D)说明书
版本号：1.1 2010.10.21 共10页 第1页
SVF2N60M/F/T/D 说明书
极限参数(除非特殊说明，TC=25°C)
参数名称
漏源电压 栅源电压 漏极电流 漏极脉冲电流 耗散功率(TC=25°C)
- 大于 25°C 每摄氏度减少 单脉冲雪崩能量(注 1) 工作结温 贮存温度
VDS=25V，VGS=0V， f=1.0MHz
VDD=300V，ID=2.0A， RG=25Ω
(注 2，3)
VDS=480V，ID=2.0A，
VGS=10V
(注 2，3)
最小值 600 --2.0 ------------
典型值 ----3.7
250.1 35.7 1.1 9.2 23.4 15.3 20.1 5.67 1.74 1.99
杭州士兰微电子股份有限公司
版本号：1.Βιβλιοθήκη 2010.10.21 共10页 第7页
封装外形图 （续）
TO-220F-3L(1)
SVF2N60M/F/T/D 说明书
单位: mm
TO-220F-3L(2)
单位: mm
杭州士兰微电子股份有限公司
版本号：1.1 2010.10.21 共10页 第8页
封装外形图 （续）
TO-252-2L
SVF2N60M/F/T/D 说明书
单位: mm
声明： • •
•
士兰保留说明书的更改权，恕不另行通知！客户在下单前应获取最新版本资料，并验证相关信息是否完 整和最新。 任何半导体产品特定条件下都有一定的失效或发生故障的可能，买方有责任在使用 Silan 产品进行系统 设计和整机制造时遵守安全标准并采取安全措施，以避免潜在失败风险可能造成人身伤害或财产损失情 况的发生！ 产品提升永无止境，我公司将竭诚为客户提供更优秀的产品！
SVF2N60
此区域工作受限于RDS(ON)
100µs 1ms 10ms
DC
注：
1.TC=25°C 2.Tj=150°C 3.单个信号
101
102
103
漏源电压 - VDS(V)
漏电流 - ID(A)
杭州士兰微电子股份有限公司
漏电流 - ID(A)
漏源导通电阻（标准化） – RDS(on)（Ω）
包装形式 料管 料管 袋装 料管 料管 料管 编带
杭州士兰微电子股份有限公司
版本号：1.4 2011.11.16 共11页 第1页
SVF2N60M/MJ/N/F/T/D 说明书
极限参数(除非特殊说明，TC=25°C)
参数名称
符号
漏源电压
VDS
栅源电压
VGS
2.0
1.3
8.0
35
30
44
0.28
0.24
0.35
115 -55～+150 -55～+150
SVF2N 单位 60F V V
A
A
23
W
0.18 W/°C
mJ
°C
°C
热阻特性
参数名称
芯片对管壳热阻 芯片对环境的热阻
符号
RθJC RθJA
SVF2N60M/D SVF2N60MJ
3.7
3.57
110
110
SVF2N60M/MJ/N/F/T/D 说明书
2A、600V N沟道增强型场效应管
描述
SVF2N60M/MJ/N/F/T/D N沟道增强型高压功率MOS场效应 晶体管采用士兰微电子的F-CellTM平面高压VDMOS 工艺技术制 造。先进的工艺及条状的原胞设计结构使得该产品具有较低的导 通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。
N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管SVD4N60D(F)(FG)(T)说明书_1.4-L
SVD4N60D/F(G)/T 说明书4A、600V N沟道增强型场效应管描述SVD4N60D/F(G)/T N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体 管采用士兰微电子的S-RinTM平面高压VDMOS 工艺技术制造。
先进的工艺及条状的原胞设计结构使得该产品具有较低的导通电 阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。
该产品可广泛应用于 AC-DC 开关电源，DC-DC 电源转换 器，高压 H 桥 PWM 马达驱动。
特点∗ ∗ ∗ ∗ ∗4A，600V，RDS(on)（典型值）=2.0 Ω@VGS=10V 低栅极电荷量 低反向传输电容 开关速度快 提升了 dv/dt 能力命名规则产品规格分类产 品 名 称 SVD4N60T SVD4N60F SVD4N60FG SVD4N60D SVD4N60DTR 封装形式 TO-220-3L TO-220F-3L TO-220F-3L TO-252-2L TO-252-2L 打印名称 SVD4N60T SVD4N60F SVD4N60FG SVD4N60D SVD4N60D 材料 无铅 无铅 无卤 无铅 无铅 包装 料管 料管 料管 料管 编带版本号：1.42011.09.01 共9页 第1页SVD4N60D/F(G)/T 说明书极限参数(除非特殊说明，TC=25°C)参数名称 漏源电压 栅源电压 漏极电流 漏极脉冲电流 耗散功率（TC=25°C） - 大于 25°C 每摄氏度减少 单脉冲雪崩能量（注 1） 工作结温范围 贮存温度范围 TC=25°C TC=100°C 符号 VDS VGS ID IDM PD EAS TJ Tstg 100 0.8 参数范围 SVD4N60T SVD4N60F(G) 600 ±30 4.0 2.5 16 33 0.26 276 -55～+150 -55～+150 77 0.62 SVD4N60D 单位 V V A A W W/°C mJ °C °C热阻特性参数名称 芯片对管壳热阻 芯片对环境的热阻 符号 RθJC RθJA 参数范围 SVD4N60T 1.25 62.5 SVD4N60F(G) 3.85 120 SVD4N60D 1.61 110 单位 °C/W °C/W关键特性参数(除非特殊说明，TC=25°C)参 数 漏源击穿电压 漏源漏电流 栅源漏电流 栅极开启电压 导通电阻 输入电容 输出电容 反向传输电容 开启延迟时间 开启上升时间 关断延迟时间 关断下降时间 栅极电荷量 栅极-源极电荷量 栅极-漏极电荷量 符号 BVDSSB测试条件 VGS=0V，ID=250µA VDS=600V，VGS=0V VGS=±30V，VDS=0V VGS= VDS，ID=250µA VGS=10V， ID=2A VDS=25V，VGS=0V， f=1.0MHZ VDD=300V，ID=4A， RG=25Ω (注 2，3) VDS=480V，ID=4A， VGS=10V (注 2，3)最小值 600 --2.0 ------------典型值 ----2.0 672 66 4.7 27 19 160 22 19.8 4 7.2最大值 -10 ±100 4.0 2.4 -----------单位 V µA nA V ΩIDSS IGSS VGS(th) RDS(on) Ciss Coss Crss td(on) tr td(off) tf Qg Qgs QgdpFnsnC版本号：1.42011.09.01 共9页 第2页SVD4N60D/F(G)/T 说明书源-漏二极管特性参数参 源极电流 源极脉冲电流 源-漏二极管压降 反向恢复时间 反向恢复电荷 注： 1. 2. 3. L=30mH，IAS=3.81A，VDD=175V，RG=25Ω，开始温度 TJ=25°C； 脉冲测试： 脉冲宽度≤300μs，占空比≤2%； 基本上不受工作温度的影响。
常用N沟道mos管参数
常用N沟道mos管参数N沟道MOS管是一种常用的金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），它具有许多优良的特性，广泛应用于电子设备和电路中。
以下是一些常用的N沟道MOS管参数的介绍。
1. 阈值电压（Vth）：阈值电压是指当栅极电压超过一定值时，MOS管开始导通的电压。
对于N沟道MOS管，阈值电压通常为负值，一般在-1V至-5V之间。
2. 最大漏电流（Idss）：最大漏电流是指当栅极电压为零时，N沟道MOS管漏极电流的最大值。
它表示了当MOS管处于关闭状态时的最大漏电流水平，一般为几微安到几毫安。
3. 饱和漏源电压（VDSsat）：饱和漏源电压是指当MOS管处于饱和区时，漏源间的电压。
在饱和区，MOS管的漏源电压会接近其最小可能值，一般为几十毫伏到几百毫伏。
4. 上升沟道电阻（Rdson）：上升沟道电阻是指在N沟道MOS管处于饱和区时，漏源之间的电阻。
它表示了MOS管饱和状态下导通时的电阻水平，一般为几十毫欧到几百毫欧。
5. 峰值漏源电流（Idp）：峰值漏源电流是指在N沟道MOS管导通时，漏极电流的最大值。
它表示了MOS管能够承受的最大电流水平，一般为几安到几十安。
6. 开启时间（ton）和关闭时间（toff）：开启时间是指MOS管从关断状态到完全导通所需的时间，关闭时间是指MOS管从导通状态到完全关断所需的时间。
它们是描述MOS管开关速度的重要参数，一般为几十纳秒到几百纳秒。
7. 电源电压（Vdd）：电源电压是指N沟道MOS管工作时的电源供应电压。
它决定了MOS管工作的电压范围，一般为几伏到几十伏。
8. 输入电容（Ciss）：输入电容是指N沟道MOS管的输入端（栅极）与输出端（漏极）之间的电容。
它影响着MOS管的输入和输出特性，一般为几皮法到几十皮法。
9. 漏源电容（Coss）：漏源电容是指N沟道MOS管的漏极与源极之间的电容。
它影响着MOS管的开关速度和功耗，一般为几皮法到几十皮法。
10.载流能力：载流能力是指N沟道MOS管能够承受的最大电流负载。
士兰微电子 SVF7N65CF D MJ K T 说明书
7A、650V N沟道增强型场效应管SVF7N65CF/D/MJ/K/T N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管采用士兰微电子F-Cell TM平面高压VDMOS 工艺技术制造。
先进的工艺及元胞结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。
该产品可广泛应用于AC-DC开关电源，DC-DC电源转换器，高压H桥PWM马达驱动。
特点♦7A，650V，R DS(on)(典型值)=1.1 @V GS=10V♦低栅极电荷量♦低反向传输电容♦开关速度快♦提升了dv/dt 能力产品规格分类极限参数(除非特殊说明，T C=25︒C)热阻特性电性参数(除非特殊说明，T C=25︒C)源-漏二极管特性参数注：1. L=30mH，I AS=5.0A，V DD=100V，R G=25Ω，开始温度T J=25︒C；2. 脉冲测试：脉冲宽度≤300μs，占空比≤2%；3. 基本上不受工作温度的影响。
典型特性曲线图 1. 输出特性图2. 传输特性漏极电流 – I D (A )漏源电压 – V DS (V)漏极电流– I D (A )0.1110栅源电压– V GS (V)0.8410漏源导通电阻 – R D S (O N )(Ω)漏极电流– I D (A)图3. 导通电阻 vs. 漏极电流、栅极电压0.110100反向漏极电流 – I D R (A )漏源电压– V SD (V)图 4. 体二极管压降 vs. 源极电流、温度1.61000.111000.1101001101280.91.01.11.21.31.41.5图5. 电容特性图6. 电荷量特性电容(p F )0.1110100漏源电压 – V DS (V)栅源电压– V G S (V )总栅极电荷 – Q g (nC)020040080010006001200140016000051015246810122025典型特性曲线（续）图9-1. 最大安全工作区域(SVF7N65CF)漏极电流 - I D (A )10-210-1100101010103漏源电压 - V DS (V)1011020.80.91.11.0-100-50050100200漏源击穿电压 – B V D S S （标准化）结温 – T J (°C)图7. 击穿电压vs.温度特性漏源导通电阻– R D S (O N )（标准化）图8. 导通电阻vs.温度特性结温 – TJ (°C)1.21500.00.52.01.53.01.02.5图9-2. 最大安全工作区域(SVF7N65CD)漏极电流 - ID (A )10-210-110010101102103漏源电压 - V DS (V)101102图9-4. 最大安全工作区域(SVF7N65CK)漏极电流 - ID (A )10-210-110010101102103漏源电压 - V DS (V)101102图9-3. 最大安全工作区域(SVF7N65CMJ)漏极电流 - ID (A )10-210-1100101010103漏源电压 - V DS (V)101102典型特性曲线（续）漏极电流 - I D (A )壳温 – T C (°C)图 10. 最大漏极电流vs. 壳温25507510012515002468713510-210-1100101010103101102图9-5. 最大安全工作区域(SVF7N65CT)漏极电流 - I D (A )漏源电压 - V DS (V)典型测试电路12VV DSV GS10V电荷量栅极电荷量测试电路及波形图开关时间测试电路及波形图V DSV GS10%90%E AS 测试电路及波形图V DDLBV DSS I ASV DD封装外形图封装外形图(续)封装外形图(续)声明：♦士兰保留说明书的更改权，恕不另行通知！客户在下单前应获取最新版本资料，并验证相关信息是否完整和最新。
SVF4N60D(F)(T)(M)说明书_1.1-L
SVF4N60D/F/T/M 说明书4A、600V N沟道增强型场效应管描述SVF4N60D/F/T/M N 沟道增强型高压功率 MOS 场效应晶体 管采用士兰微电子的 F-CellTM 平面高压 VDMOS 工艺技术制造。
先进的工艺及条状的原胞设计结构使得该产品具有较低的导通电 阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。
该产品可广泛应用于 AC-DC 开关电源，DC-DC 电源转换 器，高压 H 桥 PWM 马达驱动。
特点∗ ∗ ∗ ∗ ∗4A，600V，RDS(on)（典型值）=2.0 Ω@VGS=10V 低栅极电荷量 低反向传输电容 开关速度快 提升了 dv/dt 能力命名规则产品规格分类产 品 名 称 SVF4N60T SVF4N60F SVF4N60D SVF4N60DTR SVF4N60M SVF4N60M 封装形式 TO-220-3L TO-220F-3L TO-252-2L TO-252-2L TO-251-3L TO-251D-3L 打印名称 SVF4N60T SVF4N60F SVF4N60D SVF4N60D SVF4N60M SVF4N60M 材料 无铅 无铅 无铅 无铅 无铅 无铅 包装 料管 料管 料管 编带 料管 料管杭州士兰微电子股份有限公司版本号：1.12011.08.26 共10页 第1页SVF4N60D/F/T/M 说明书极限参数(除非特殊说明，TC=25°C)参 数 名称 漏源电压 栅源电压 漏极电流 漏极脉冲电流 耗散功率（TC=25°C） - 大于 25°C 每摄氏度减少 单脉冲雪崩能量（注 1） 工作结温范围 贮存温度范围 TC=25°C TC=100°C 符号 VDS VGS ID IDM PD EAS TJ Tstg 100 0.8 参数范围 SVF4N60T SVF4N60F 600 ±30 4.0 2.5 16 33 0.26 217 -55～+150 -55～+150 77 0.62 SVF4N60D/M 单位 V V A A W W/°C mJ °C °C热阻特性参数名称 芯片对管壳热阻 芯片对环境的热阻 符号 RθJC RθJA 参数范围 SVF4N60T 1.25 62.5 SVF4N60F 3.85 120 SVF4N60D/M 1.61 110 单位 °C/W °C/W关键特性参数(除非特殊说明，TC=25°C)参数名称 漏源击穿电压 漏源漏电流 栅源漏电流 栅极开启电压 导通电阻 输入电容 输出电容 反向传输电容 开启延迟时间 开启上升时间 关断延迟时间 关断下降时间 栅极电荷量 栅极-源极电荷量 栅极-漏极电荷量 符号 BVDSS IDSS IGSS VGS(th) RDS(on) Ciss Coss Crss td(on) tr td(off) tf Qg Qgs Qgd VDS=480V，ID=4A， VGS=10V (注 2，3) (注 2，3) 测试条件 VGS=0V，ID=250µA VDS=600V，VGS=0V VGS=±30V，VDS=0V VGS= VDS，ID=250µA VGS=10V， ID=2A VDS=25V，VGS=0V， f=1.0MHZ VDD=300V，ID=4A， RG=25Ω 最小值 600 --2.0 -----------典型值 ----2.0 461 57 1.47 15.7 37.3 19.1 19.3 8.16 2.63 3.01 最大值 -1.0 ±100 4.0 2.4 ----------nC ns pF 单位 V µA nA V Ω杭州士兰微电子股份有限公司版本号：1.12011.08.26 共10页 第2页SVF4N60D/F/T/M 说明书源-漏二极管特性参数参 数 名 称 源极电流 源极脉冲电流 源-漏二极管压降 反向恢复时间 反向恢复电荷 注： 1. 2. 3. L=30mH，IAS=3.45A，VDD=155V，RG=25Ω，开始温度 TJ=25°C； 脉冲测试： 脉冲宽度≤300μs，占空比≤2%； 基本上不受工作温度的影响。
增强型场效应晶体管
Qgs
栅－漏电荷 Gate-Drain charge
Qgd
ID=50A VGS =10V （note 4，5）
JCS50N06H
- 40 90 ns - 100 210 ns - 90 190 ns - 80 170 ns - 34 45 nC - 7 - nC - 17 - nC
漏－源二极管特性及最大额定值 Drain-Source Diode Characteristics and Maximum Ratings
TJ=25℃ 4：脉冲测试：脉冲宽度≤300μs,占空比≤2％ 5：基本与工作温度无关
Notes: 1：Pulse width limited by maximum junction
temperature 2：L=0.4mH, IAS=50A, VDD=25V, RG=25 Ω,Starting
TJ=25℃ 3：ISD ≤50A,di/dt ≤300A/μs,VDD≤BVDSS, Starting
IGSSR
VDS=0V, VGS =-30V
-
- -100 nA
VGS(th)
VDS = VGS , ID=250μA
2.0 - 4.0 V
Static Drain-Source
RDS(ON)
On-Resistance
正向跨导
Forward Transconductance
gfs
动态特性 Dynamic Characteristics
- 50 - ns - 80 - μC
项目 Parameter
符号
最大 Max
单位
SymbolJCS50N06RH/VHJCS50N06CHJCS50N06FH Unit
士兰微SVF18N50F T PN FJ 说明书
漏极电流 - ID(A)
漏极电流 - ID(A)
漏源导通电阻 – RDS(ON)（标准化）
图8. 导通电阻vs.温度特性 3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0.0 -100 -50
注： 1. VGS=10V 2. ID=9.0A
0 50 100 150 200
结温 – TJ(°C)
图9-2. 最大安全工作区域(SVF18N50T) 102
产品提升永无止境，我公司将竭诚为客户提供更优秀的产品！
产品名称： SVF18N50F/T/PN/FJ 版 权： 杭州士兰微电子股份有限公司
文档类型： 说明书 公司主页： http: //
版 本： 2.1 修改记录：
1. 增加 TO-220FJ-3L 封装信息 2. 根据李敏意见优化参数 版 本： 2.0 修改记录： 1. 修改 TO-220-3L 封装信息 版 本： 1.9 修改记录： 1. 修改 TO-220F-3L 封装信息 版 本： 1.8 修改记录： 1. 修改热阻特性 版 本： 1.7 修改记录： 1. 修改产品规格分类 版 本： 1.6 修改记录： 1. 修改 MOS 管符号的示意图 版 本： 1.5 修改记录： 1. 修改“典型特性曲线” 版 本： 1.4 修改记录： 1. 修改 Trr 和 Qrr 的值 版 本： 1.4 修改记录： 1. 修改“典型特性曲线” 版 本： 1.2 修改记录： 1. 增加 TO-220-3L 封装 版 本： 1.1 修改记录：
100µs 1ms
101
10ms
DC
100
此区域工作受限于RDS(ON)
10-1
注：
1.TC=25°C
2.Tj=150°C
增强型场效应晶体管
IGSSR
VDS=0V, VGS =-30V
-
- -100 nA
VGS(th)
VDS = VGS , ID=250μA
2.0 - 4.0 V
Static Drain-Source
RDS(ON)
On-Resistance
正向跨导
Forward Transconductance
gfs
动态特性 Dynamic Characteristics
雪崩电流(注 1)
Avalanche Current（note 1）
IAR
重复雪崩能量（注 1） Repetitive Avalanche Energy（note EAR 1）
60 50 31.7
200* ±20
927
50
12
V
50*
A
31.7*
A
A
V
mJ
A
mJ
二极管反向恢复最大电压变化速率
(注 3)
N 沟道增强型场效应晶体管
R
N-CHANNEL MOSFET
JCS50N06H
主要参数 MAIN CHARACTERISTICS
封装 Package
ID
50 A
VDSS
60 V
Rdson（@Vgs=10V） 23 mΩ
Qg
34 nc
用途
z 高频开关电源 z UPS 电源
APPLICATIONS z High frequency switch
引线最高焊接温度 Maximum Lead Temperature for TL Soldering Purposes
*漏极电流由最高结温限制 *Drain current limited by maximum junction temperature
增强型、耗尽型MOS场效应管的原理
栅源电压 VGS 的控制作用：当 VGS=0 V 时，漏源之间相当两个背靠背的二极管，在 D、 S 之间加上电压不会在 D、S 间形成电流。 当栅极加有电压时，当 VGS>VGS(th)时( VGS(th) 称为开启电压)，由于此时的栅极电压已 经比较强，在靠近栅极下方的 P 型半导体表层中聚集较多的电子，可以形成沟道，将漏 极和源极沟通。如果此时加有漏源电压，就可以形成漏极电流 ID。在栅极下方形成的导 电沟道中的电子，因与 P 型半导体的载流子空穴极性相反，故称为反型层。随着 VGS 的继续增加，ID 将不断增加。在 VGS=0V 时 ID=0，只有当 VGS>VGS(th)后才会出现漏极
增强型、耗尽型 MOS 场效应管的工作原理及作用
场效应管(MOSFET)是一种外形与普通晶体管相似，但控制特性不同的半导体器件。它的 输入电阻可高达 1015W，且工艺简单，十分适用于大规模及超大规模集成电路，根据其 导电方式的不同，而分为增强型和耗尽型两种。 由于 P 沟道与 N 沟道的工作原理大致相同，仅在导电载流子与供电电压极性上有所区别， 因此本文主要以介绍 N 沟道 MOS 场效应管为主。 增强型场效应管 所谓增强型是指：当 VGS=0 时管子是呈截止状态，加上正确的 VGS 后，多数载流子被 吸引到栅极，从而“增强”了该区域的载流子，形成导电沟道。 常用的增强型场效应管型号：10n60、4N60F
Hale Waihona Puke 图 4：(a) 结构示意图
(b) 转移特性曲线
N 沟道耗尽型 MOSFET 的结构和转移特性曲线
(2)P 沟道耗尽型 MOS 场效应管原理及作用介绍
P 沟道 MOSFET 的工作原理与 N 沟道 MOSFET 完全相同，只不过导电的载流子不同，供 电电压极性不同而已。这如同双极型三极管有 NPN 型和 PNP 型一样。
SVF5N60原厂授权代理规格书
符号 BVB DSS IDSS IGSS VGS(th) RDS(on) Ciss Coss Crss td(on)
tr td(off)
tf Qg Qgs Qgd
测试条件 VGS=0V， ID=250µA VDS=600V，VGS=0V VGS=±30V，VDS=0V VGS= VDS，ID=250µA VGS=10V，ID=2.5A
2.6
2.4
2.2
2.0
1.8
注：TJ=25°C
1.6
0
2
4
6
8
10
漏极电流 – ID(A)
电容(pF)
1200 1000
图5. 电容特性
Ciss=Cgs+Cgd(Cds=shorted) Coss=Cds+Cgd Crss=Cgd
800
600 400 200
0 0.1
Ciss Coss Crss
注：
参数名称
漏源电压 栅源电压
漏极电流 漏极浪涌电流
TC=25°C TC=100°C
耗散功率（TC=25°C） - 大于 25°C 每摄氏度减少
单脉冲雪崩能量（注 1）
工作结温范围
贮存温度范围
符号
VDS VGS ID IDM PD EAS TJ Tstg
参数范围
SVF5N60T/D/MJ
SVF5N60F
600
±30
5
3.1
20
120
40
0.96
0.32
242 -55～+150 -55～+150
单位
V V
A
A W W/°C mJ °C °C
热阻特性
参数名称
n沟道增强型功率mosfet的工作原理
n沟道增强型功率mosfet的工作原理n沟道增强型功率MOSFET的工作原理1. 什么是MOSFETMOSFET（金属-氧化物-半导体场效应晶体管）是一种主要应用于电力和电子领域的晶体管。
它是一种双极型晶体管的替代品，具有更高的工作速度和更低的功耗。
其中，n沟道增强型MOSFET是MOSFET的一种常见类型。
2. n沟道增强型MOSFET的结构n沟道增强型MOSFET由三个主要部分组成：栅极（Gate）、漏极（Drain）和源极（Source）。
栅极与源极之间有一个绝缘层，通常是一层氧化物，这层绝缘层上面覆盖了金属层。
3. 工作原理n沟道增强型MOSFET的工作原理可以分为两个阶段：导通和截止。
导通状态•当栅极施加正向电压时，栅极下方的绝缘层上形成一个正电荷层。
•此时，正电荷层和栅极之间的电场引起了n沟道中的自由电子向漏极的移动。
•随着电子的移动，漏极与源极之间形成导电路径，从而使MOSFET 处于导通状态。
截止状态•当栅极施加负向电压或者不施加电压时，栅极下方的绝缘层没有正电荷层，并且没有电场引起电子的移动。
•此时，n沟道中没有自由电子从源极到漏极，导致MOSFET处于截止状态。
4. 特性与应用n沟道增强型MOSFET具有以下特性：•高导通能力：在导通状态下，由于n沟道中的电子数量较多，可承载相对较大的电流。
•低导通电阻：导通状态下，n沟道的导通电阻很低，从而减小了功耗和热量产生。
•控制灵活：通过调节栅极电压，可以实现对MOSFET的导通与截止的控制。
由于上述特性，n沟道增强型MOSFET在电力电子和集成电路中有广泛的应用，如功率放大器、开关电源、电机控制和电压调节等领域。
结论n沟道增强型MOSFET作为一种重要的功率器件，其工作原理基于栅极电压的调节。
通过栅极正向电压的施加，能够导致n沟道中的自由电子移动，从而使MOSFET处于导通状态。
这种器件的特性和应用使其成为电力和电子领域不可或缺的一部分。
n沟道增强型mos管和n沟道耗尽型mos管
n沟道增强型MOS管和n沟道耗尽型MOS管概述MOS管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）是一种常见的场效应晶体管，常用于集成电路和功率放大器等电子设备中。
根据沟道类型的不同，MOS管可以分为增强型和耗尽型两种，其中n沟道增强型MOS管和n沟道耗尽型MOS管是两种常见的n沟道型MOS管。
本文将详细介绍n沟道增强型MOS管和n沟道耗尽型MOS管的特点、工作原理以及应用领域，以帮助读者更好地理解和应用这两种器件。
n沟道增强型MOS管特点n沟道增强型MOS管（n-Channel Enhancement-mode MOSFET）是一种需要外加电压来控制导电性的器件。
其特点包括：1.导通状态：在无控制电压作用下，n沟道增强型MOS管处于截止状态，不导电。
2.控制电压：通过施加正向电压（通常为正电压），使得沟道区域形成导电通道，从而实现导通。
3.高输入阻抗：n沟道增强型MOS管具有较高的输入阻抗，能够减小输入信号的损失。
工作原理n沟道增强型MOS管的工作原理可以分为以下几个步骤：1.截止状态：当没有控制电压施加在栅极上时，n沟道增强型MOS管的栅极-源极之间的电势差不足以形成导电通道，器件处于截止状态，不导电。
2.施加控制电压：当施加正向电压到栅极上时，栅极-源极之间的电势差增大，超过了临界电压（即阈值电压），导致沟道区域形成导电通道。
3.导通状态：当形成导电通道后，n沟道增强型MOS管处于导通状态，电流可以从漏极流向源极，实现导电。
应用领域n沟道增强型MOS管在电子领域有广泛的应用，包括但不限于以下几个方面：1.逻辑电路：n沟道增强型MOS管可以用于构建各种逻辑门电路，如与门、或门、非门等。
2.开关电路：由于n沟道增强型MOS管具有较高的输入阻抗和低的开关损耗，因此常用于开关电路的设计中。
3.放大电路：通过合理的电路设计和调整控制电压，n沟道增强型MOS管可以用作信号放大器，放大输入信号的幅度。
n沟道耗尽型mos管与p沟道增强型mos 电源开关
n沟道耗尽型MOS管与p沟道增强型MOS电源开关1. 介绍MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）是一种常用的功率开关器件。
其中，n沟道耗尽型MOS管和p沟道增强型MOS管分别代表着不同的工作原理和特性。
本文将对这两种MOS管进行深入剖析，并探讨它们在电源开关中的应用。
2. n沟道耗尽型MOS管n沟道耗尽型MOS管又称为n沟道MOSFET，是一种场效应晶体管。
它的主要特点是当栅极施加的电压为0时，n沟道MOSFET处于导通状态。
而且，其导通电阻随着栅极电压的增加而减小。
这意味着n沟道MOSFET可以在较低的栅极-源极电压下实现较大的导通电流。
3. p沟道增强型MOS管p沟道增强型MOS管是另一种常见的MOSFET器件。
与n沟道MOSFET不同的是，p沟道MOSFET需要在栅极-源极间施加正电压以实现导通。
在零栅极电压下，p沟道MOSFET处于截止状态。
另外，与n沟道MOSFET相比，p沟道MOSFET的导通特性更适合用于低功率应用。
4. 两者在电源开关中的应用在电源开关电路中，n沟道MOSFET通常用于高侧开关，而p沟道MOSFET则常用于低侧开关。
这是因为n沟道MOSFET的导通特性使得其更适合处理高电压，而p沟道MOSFET则更适合低电压应用。
通过合理搭配n沟道MOSFET和p沟道MOSFET，可以实现高效率、低损耗的电源开关设计。
5. 个人观点和总结就我个人而言，我更倾向于在电源开关电路中使用n沟道MOSFET。
因为在大部分应用中，我更关注高压、大电流的处理能力。
当然，对于某些特定的低功率应用，p沟道MOSFET也有其独特的优势。
在实际设计中，我们应根据具体的应用场景和要求来选择合适的MOSFET器件。
n沟道耗尽型MOS管和p沟道增强型MOS电源开关在电子电路设计中有着广泛的应用。
了解它们的特性和特点，对于合理选择和应用MOSFET器件至关重要。
希望本文对您有所启发，并对MOSFET器件有更深入的理解。
n沟道增强型功率mosfet的工作原理
n沟道增强型功率MOSFET的工作原理一、介绍在现代电子设备中，功率MOSFET广泛应用于功率放大器、开关电源、调光器等电路中。
n沟道增强型功率MOSFET是其中一种常见的类型。
本文将深入探讨n沟道增强型功率MOSFET的工作原理、结构和特性。
二、基本结构n沟道增强型功率MOSFET由源极(S)，漏极(D)，栅极(G)和基底(B)组成。
栅极与源极之间存在一薄氧化层，称为栅极氧化层，用于隔离栅极与沟道之间的电荷。
栅极还与沟道之间通过栅极电压(VGS)控制沟道中的电流。
沟道连接源极和漏极，并对电流的流动提供导电通道。
三、工作原理当栅极电压为零时，n沟道增强型功率MOSFET处于关闭状态。
当栅极电压为正时，沟道中的自由电子被栅极电场吸引，形成导电通道，电流从源极流向漏极。
这种情况下的传导模式称为增强模式。
四、工作区域n沟道增强型功率MOSFET可根据不同的工作电压和电流范围，分为三个工作区域：截止区、线性区和饱和区。
4.1 截止区当栅极电压低于临界电压时，MOSFET处于截止区。
此时沟道中没有导电通道，漏极电流几乎为零。
4.2 线性区当栅极电压超过临界电压，但小于阈值电压时，MOSFET处于线性区。
此时电流随着栅极电压的增加而增加，但仍然保持线性关系。
4.3 饱和区当栅极电压高于阈值电压时，MOSFET处于饱和区。
在饱和区，MOSFET的电流基本上不再随栅极电压的增加而增加，而是受漏极电压和载流子浓度等因素的影响。
五、特性参数5.1 阈值电压（Vth）阈值电压是指当栅极电压达到一定值时，沟道中开始形成导电通道的电压。
阈值电压的大小决定了MOSFET的导通特性。
5.2 漏极电流（ID）漏极电流是指从源极流向漏极的电流。
在增强模式下，漏极电流受栅极电压和沟道电阻的影响。
5.3 开关时间开关时间是指从一个工作区域切换到另一个工作区域所需要的时间。
开关时间的快慢决定了MOSFET在开关电源等应用中的性能。
5.4 On-Resistance（Rds(on)）On-Resistance表示MOSFET导通状态时的沟道电阻。
60n06场效应管参数
60n06场效应管参数
60N06是一种常用的场效应管型号，它是一种N沟道增强型MOSFET （Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）。
以下是60N06的一些常见参数：
- 主要参数：
- Vds（漏源电压）：60V
- Id（漏极电流）：60A
- Vgs（栅源电压）：±20V
- Rds(on)（导通电阻）：0.022Ω（Vgs = 10V）
- 其他参数：
- Ciss（输入电容）：6000pF（Vds = 25V，Vgs = 0V）
- Coss（输出电容）：1500pF（Vds = 25V，Vgs = 0V）
- Crss（反向传输电容）：250pF（Vds = 25V，Vgs = 0V）
- Qg（栅极充电总量）：78nC（Vds = 50V，Vgs = 10V，Id = 30A）
- Qgs（栅源电荷）：17nC（Vds = 50V，Vgs = 10V，Id = 30A）
- Qgd（栅-漏电荷）：33nC（Vds = 50V，Vgs = 10V，Id = 30A）
这些参数描述了60N06场效应管的基本特性，如电压容限、电流容限、导通电阻等。
这些参数对于电路设计和使用60N06场效应管进行功率控制等应用非常重要。
需要注意的是，具体的参数在不同厂家和批次中可能会有些许差异，因此在使用时最好参考相关的规格书或数据表。
n沟道增强型绝缘栅场效应晶体管
n沟道增强型绝缘栅场效应晶体管下载提示：该文档是本店铺精心编制而成的，希望大家下载后，能够帮助大家解决实际问题。
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N沟道增强型MOS管的工作原理
/slzlly/blog/item/dc861508f1bfe935e8248853.htmlMOS管工作原理（转）2008-07-12 07:06双极型晶体管把输入端电流的微小变化放大后，在输出端输出一个大的电流变化。
双极型晶体管的增益就（beta）。
另一种晶体管，叫做场效应管（FET），把输入电压的变化转化为输出电流的变化。
分别为电流控制器增益等于它的跨导(transconductance)gm，定义为输出电流的变化和输入电压变化之比。
场效应管的名字也来源于它的输入端栅（称为gate），通过投影一个电场在一个绝缘层（氧化物SIO2)上来实上没有电流流过这个绝缘体（只是一个电容的作用），所以FET管的GATE电流非常小（电容的电流损耗）。
最硅来作为GATE极下的绝缘体。
这种晶体管称为金属氧化物半导体(MOS)晶体管，或,金属氧化物半导体场效应管（semicondutor field effect transistor）。
因为MOS管更小更省电，所以他们已经在很多应用场合取代了双极首先考察一个更简单的器件－MOS电容－能更好的理解MOS管。
这个器件有两个电极，一个是金属，另一个是他们之间由一薄层二氧化硅分隔开（图1.22A）。
金属极就是GATE，而半导体端就是backgate或者body or bul 的绝缘氧化层称为gate dielectric。
图示中的器件有一个轻掺杂P型硅做成的backgate。
这个MOS 电容的电特gate接不同的电压来说明。
图1.22A中的MOS电容的GATE电位是0V。
金属GATE和半导体BACKGATE在WORK FUN 上）上的差异在电介质（氧化层的上下）上产生了一个小电场。
图示的器件中，这个电场使金属极带轻微的正电的空穴多，电子少，故需要从别处"抢来"电子，所以氧化物处电子少了，故GATE极带正电），P型硅负电位（相硅中底层的电子吸引到表面来，它同时把空穴排斥出表面。
n沟道增强型场效应晶体管
n沟道增强型场效应晶体管1. 什么是n沟道增强型场效应晶体管？好啦，今天咱们来聊聊n沟道增强型场效应晶体管，听起来有点复杂，但其实它就像是一位默默无闻的幕后英雄，关键时刻总能帮我们解决问题。
简单来说，这种晶体管是电子设备里的开关，控制着电流的流动。
你可以把它想象成家里的水龙头，打开就有水流出来，关上就没水了。
n沟道增强型场效应晶体管的“n”代表的是电子，没错，就是咱们常说的电子流。
这种晶体管的特别之处在于，当你给它施加一个正电压时，它就像一条大鱼突然被放进水里，活跃起来，电流也就随之流动。
简直就像是给它喝了红牛，一下子充满了活力。
1.1 工作原理说到工作原理，这玩意儿其实有点深，但咱们还是试着把它说得简单点。
首先，它的结构里有一个绝缘层，这就像是一个隔离带，阻止电流自由流动。
当你往它的门（叫做栅极）上施加一个电压时，绝缘层下方的电子被吸引过来，形成一个导电通道。
这样一来，电流就能顺畅地流过，就像是走进了畅通无阻的高速公路。
1.2 特点那么，n沟道增强型场效应晶体管有什么特点呢？首先，它的开关速度非常快，反应得就像是“见光死”的苍蝇，动不动就能切换状态。
这种特性让它在高频应用中尤其受欢迎，适合用在各种电子设备里，比如计算机、手机，还有汽车电子，简直是无处不在。
另外，它的输入阻抗高，这意味着它对电源的需求相对较低，可以节省不少能源。
就像你不需要每天花很多时间去清理一个懒汉，但懒汉又能帮你搬家一样，既省心又省力。
2. 应用领域2.1 计算机说到应用领域，咱们不得不提计算机。
在这儿，n沟道增强型场效应晶体管被广泛用于各种逻辑电路。
比如说，处理器（CPU）里的逻辑门，都是靠它们在默默地运作。
想象一下，如果没有这些小家伙，计算机估计就要变得像老古董一样，动不动就卡壳，真是可怕呀。
2.2 通信设备而在通信设备方面，n沟道增强型场效应晶体管也是一颗不可或缺的明星。
它帮助传输信号，就像信鸽一样，快速而稳定，确保信息在不同设备间流畅传递。
富满电子8205SS N沟道功率MOS场效应用管说明书
特性（OFF）
参数
符号
漏源击穿电压
BVDSS
栅源短路时漏极电流
IDSS
漏极短路时截止栅电流
IGSS
特性（ON）
栅极阈值电压
VGS（TH）
漏源电阻
RDS（ON）
漏源二极管特性及最大额定值
漏源二极管正向电压
VSD
栅极输入电阻
RG
测试条件 VGS=0V, IDS=250uA VDS=16V, VGS=0V VGS=±8V, VDS=0V
Sour ce 2
绝对最大额定值（TA=25℃，除非另有说明。）
参数 漏源电压 栅源电压 漏极电流 漏极脉冲电流 存储温度 工作结温
符号 VDS VGS ID IDM TSTG TJ
值 20 ±8 5 16 -55 to +150 -55 to +150
单位 V V A A ℃ ℃
电特性（TA=25℃，除非另有说明。）
--
2.5
-- Ω
第1页共1页
Version 1.0
深圳市富满电子集团股份有限公司
SHEN ZHEN FINE MAD ELECTRONICS GROUP CO., LTD.
8205SS (文件编号：S&CIC1478)
N 沟道功率 MOS 场效应用管
Drain
G1 D G2 654
G at e1
Gate 2
123 S1 D S2
SOT23-6
Sour ce 1
最小 20 ---
典型 ----
最大 -S=VGS, IDS=250uA VGS=4.5V, ID=3A VGS=2.5V, ID=2A
0.45 ---
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SVF4N60D/F/T/K/M/MJ 说明书4A、600V N沟道增强型场效应管描述SVF4N60D/F/T/K/M/MJ N沟道增强型高压功率MOS场效应 晶体管采用士兰微电子的F-CellTM平面高压VDMOS 工艺技术制 造。
先进的工艺及条状的原胞设计结构使得该产品具有较低的导 通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。
该产品可广泛应用于 AC-DC 开关电源，DC-DC 电源转换 器，高压 H 桥 PWM 马达驱动。
特点∗ ∗ ∗ ∗ ∗4A，600V，RDS(on)（典型值）=2.0 Ω@VGS=10V 低栅极电荷量 低反向传输电容 开关速度快 提升了 dv/dt 能力命名规则产品规格分类产 品 名 称 SVF4N60T SVF4N60F SVF4N60K SVF4N60D SVF4N60DTR SVF4N60MJ SVF4N60M 封装形式 TO-220-3L TO-220F-3L TO-262-3L TO-252-2L TO-252-2L TO-251J-3L TO-251D-3L 打印名称 SVF4N60T SVF4N60F SVF4N60K SVF4N60D SVF4N60D SVF4N60MJ SVF4N60M 材料 无铅 无铅 无铅 无铅 无铅 无铅 无铅 包装 料管 料管 料管 料管 编带 料管 料管版本号：1.22012.01.18 共11页 第1页SVF4N60D/F/T/K/M/MJ 说明书极限参数(除非特殊说明，TC=25°C)参数范围 参 数 名称 符号 SVF4N 60T 漏源电压 栅源电压 漏极电流 漏极脉冲电流 耗散功率（TC=25°C） - 大于 25°C 每摄氏度减少 单脉冲雪崩能量（注 1） 工作结温范围 贮存温度范围 TC=25°C TC=100°C VDS VGS ID IDM PD EAS TJ Tstg 100 0.8 33 0.26 SVF4N 60F SVF4N 60D/M 600 ±30 4.0 2.5 16 77 0.62 217 -55～+150 -55～+150 86 0.69 95 0.76 SVF4N 60MJ SVF4N 60K V V A A W W/°C mJ °C °C 单位热阻特性参数名称 芯片对管壳热阻 芯片对环境的热阻 符号 RθJC RθJA 参数范围 SVF4N60T 1.25 62.5 SVF4N60F 3.85 120 SVF4N60D/M 1.61 110 SVF4N60MJ 1.45 110 SVF4N60K 1.32 62.5 单位 °C/W °C/W关键特性参数(除非特殊说明，TC=25°C)参数名称 漏源击穿电压 漏源漏电流 栅源漏电流 栅极开启电压 导通电阻 输入电容 输出电容 反向传输电容 开启延迟时间 开启上升时间 关断延迟时间 关断下降时间 栅极电荷量 栅极-源极电荷量 栅极-漏极电荷量 符号 BVDSSB测试条件 VGS=0V，ID=250µA VDS=600V，VGS=0V VGS=±30V，VDS=0V VGS= VDS，ID=250µA VGS=10V， ID=2A VDS=25V，VGS=0V， f=1.0MHZ VDD=300V，ID=4A， RG=25Ω (注 2，3) VDS=480V，ID=4A， VGS=10V (注 2，3)最小值 600 --2.0 ------------典型值 ----2.0 449.7 57 2.0 15.7 37.3 19.1 19.3 8.16 2.63 3.01最大值 -1.0 ±100 4.0 2.4 -----------单位 V µA nA V ΩIDSS IGSS VGS(th) RDS(on) Ciss Coss Crss td(on) tr td(off) tf Qg Qgs QgdpFnsnC版本号：1.22012.01.18 共11页 第2页SVF4N60D/F/T/K/M/MJ 说明书源-漏二极管特性参数参 数 名 称 源极电流 源极脉冲电流 源-漏二极管压降 反向恢复时间 反向恢复电荷 注： 1. 2. 3. L=30mH，IAS=3.45A，VDD=155V，RG=25Ω，开始温度 TJ=25°C； 脉冲测试： 脉冲宽度≤300μs，占空比≤2%； 基本上不受工作温度的影响。
符 号 IS ISM VSD Trr Qrr 测试条件 MOS 管中源极、漏极构成的 反偏 P-N 结 IS=4.0A，VGS=0V IS=4.0A，VGS=0V， dIF/dt=100A/µs (注 2) 最小值 -----典型值 ---190 0.53 最大值 4.0 16 1.4 --单位 A V ns µC典型特性曲线版本号：1.22012.01.18 共11页 第3页SVF4N60D/F/T/K/M/MJ 说明书典型特性曲线（续）版本号：1.22012.01.18 共11页 第4页SVF4N60D/F/T/K/M/MJ 说明书典型特性曲线（续）图9-3. 最大安全工作区域(SVF4N60D/M) 102此区域工作受限于RDS(ON)图9-4. 最大安全工作区域(SVF4N60MJ) 102此区域工作受限于RDS(ON)101 漏极电流 - ID(A)1ms 10ms100µs101 漏极电流 - ID(A)1ms 10ms100µs100DC100DC10-1注： 1.TC=25°C 2.Tj=150°C 3.单个脉冲10-1注： 1.TC=25°C 2.Tj=150°C 3.单个脉冲10-2 10010110210310-2 100101102103漏源电压 - VDS(V)漏源电压 - VDS(V)图9-5. 最大安全工作区域(SVF4N60K) 102此区域工作受限于RDS(ON)图 10. 最大漏电流vs. 壳温 4101 漏极电流 - ID(A)1ms 10ms0100µs3 漏电流 - ID(A) 10310DC210-1注： 1.TC=25°C 2.Tj=150°C 3.单个脉冲110-2 1001011020255075100125150漏源电压 - VDS(V)壳温 – TC(°C)版本号：1.22012.01.18 共11页 第5页SVF4N60D/F/T/K/M/MJ 说明书典型测试电路栅极电荷量测试电路及波形图与待测器件 参数一致 50KΩ 12V 200nF 300nFVGS VDS10VQgQgsQgdVGS待测器件 3mA电荷量开关时间测试电路及波形图VDS VGS VDD RG待测器件 10%RLVDS90%10VVGStd(on)tr tontd(off)tf toffEAS测试电路及波形图L EAS =VDS ID RG待测器件BVDSS 1 2 2 LIAS BVDSS - VDDBVDSS IAS10V tpVDD VDDID(t) VDS(t)tp Time版本号：1.22012.01.18 共11页 第6页SVF4N60D/F/T/K/M/MJ 说明书封装外形图TO-220F-3L(1) 单位: mmTO-220F-3L(2)单位: mm版本号：1.22012.01.18 共11页 第7页SVF4N60D/F/T/K/M/MJ 说明书封装外形图（续）TO-252-2L 单位: mm6.60±0.3 5.10～5.46 0.45～0.652.30±0.20Eject pin（note1）0.0～0.1272.30 TYP 0.76±0.10 0.45～0.65该位置分有顶针孔和无顶针孔两种情况。
TO-220-3L单位: mm版本号：1.22012.01.18 共11页 第8页SVF4N60D/F/T/K/M/MJ 说明书封装外形图（续）TO-251J-3L 单位: mmTO-251D-3L单位: mm版本号：1.22012.01.18 共11页 第9页SVF4N60D/F/T/K/M/MJ 说明书封装外形图（续）TO-262-3L 单位: mm声明： • ••士兰保留说明书的更改权，恕不另行通知！客户在下单前应获取最新版本资料，并验证相关信息是否完 整和最新。
任何半导体产品特定条件下都有一定的失效或发生故障的可能，买方有责任在使用 Silan 产品进行系统 设计和整机制造时遵守安全标准并采取安全措施，以避免潜在失败风险可能造成人身伤害或财产损失情 况的发生！ 产品提升永无止境，我公司将竭诚为客户提供更优秀的产品！版本号：1.22012.01.18 共11页 第10页SVF4N60D/F/T/K/M/MJ 说明书版本号：1.2 2012.01.18共11页 第11页 附：修改记录： 日 期 版本号 描 述页 码 2010.12.13 1.0 原版2011.08.26 1.1 增加TO-251-3L 和TO-251D-3L 封装2012.01.18 1.2增加TO-251J-3L 和TO-262-3L 封装；删除TO-251-3L 封装。