ROM、RAM、Flash memory的区别(表格版)
RAM或ROM_和FLASH存储的区别总结
储存器IC：RAM随机储存器ROM只读储存器一、RAM(Random Access Memory，随机存取存储器)RAM的特点是：电脑开机时，操作系统和应用程序的所有正在运行的数据和程序都会放置其中，并且随时可以对存放在里面的数据进行修改和存取。
它的工作需要由持续的电力提供，一旦系统断电，存放在里面的所有数据和程序都会自动清空掉，并且再也无法恢复。
根据组成元件的不同，RAM内存又分为以下十八种：01.DRAM（Dynamic RAM，动态随机存取存储器）这是最普通的RAM，一个电子管与一个电容器组成一个位存储单元，DRAM将每个内存位作为一个电荷保存在位存储单元中，用电容的充放电来做储存动作，但因电容本身有漏电问题，因此必须每几微秒就要刷新一次，否则数据会丢失。
存取时间和放电时间一致，约为2~4ms。
因为成本比较便宜，通常都用作计算机内的主存储器。
02.SRAM（Static RAM，静态随机存取存储器）静态，指的是内存里面的数据可以长驻其中而不需要随时进行存取。
每6颗电子管组成一个位存储单元，因为没有电容器，因此无须不断充电即可正常运作，因此它可以比一般的动态随机处理内存处理速度更快更稳定，往往用来做高速缓存。
03.VRAM（Video RAM，视频内存）它的主要功能是将显卡的视频数据输出到数模转换器中，有效降低绘图显示芯片的工作负担。
它采用双数据口设计，其中一个数据口是并行式的数据输出入口，另一个是串行式的数据输出口。
多用于高级显卡中的高档内存。
04.FPM DRAM（Fast Page Mode DRAM，快速页切换模式动态随机存取存储器）改良版的DRAM，大多数为72Pin或30Pin的模块。
传统的DRAM在存取一个BIT的数据时，必须送出行地址和列地址各一次才能读写数据。
而FRM DRAM 在触发了行地址后，如果CPU需要的地址在同一行内，则可以连续输出列地址而不必再输出行地址了。
由于一般的程序和数据在内存中排列的地址是连续的，这种情况下输出行地址后连续输出列地址就可以得到所需要的数据。
ROM,PROM,EPROM,EEPROM及FLASH存储器的区别
ROM,PROM,EPROM,EEPROM及FLASH存储器的区别在微机的发展初期，BIOS都存放在ROM（Read Only Memory，只读存储器）中。
ROM内部的资料是在ROM的制造⼯序中，在⼯⼚⾥⽤特殊的⽅法被烧录进去的，其中的内容只能读不能改，⼀旦烧录进去，⽤ 户只能验证写⼊的资料是否正确，不能再作任何修改。
如果发现资料有任何错误，则只有舍弃不⽤，重新订做⼀份。
ROM是在⽣产线上⽣产的，由于成本⾼，⼀般 只⽤在⼤批量应⽤的场合。
由于ROM制造和升级的不便，后来⼈们发明了PROM（Programmable ROM，可编程ROM）。
最初从⼯⼚中制作完成的PROM内部并没有资料，⽤户可以⽤专⽤的编程器将⾃⼰的资料写⼊，但是这种机会只有⼀次，⼀旦写⼊后也 ⽆法修改，若是出了错误，已写⼊的芯⽚只能报废。
PROM的特性和ROM相同，但是其成本⽐ROM⾼，⽽且写⼊资料的速度⽐ROM的量产速度要慢，⼀般只 适⽤于少量需求的场合或是ROM量产前的验证。
EPROM（Erasable Programmable ROM，可擦除可编程ROM）芯⽚可重复擦除和写⼊，解决了PROM芯⽚只能写⼊⼀次的弊端。
EPROM芯⽚有⼀个很明显的特征，在其正⾯的陶瓷封装上，开有⼀个玻璃窗⼝，透过该窗⼝，可以看到其内部的集成电路，紫外线透过该孔照射内部芯⽚就可以擦除其内的数据，完成芯⽚擦除的操作要⽤到EPROM擦除器。
EPROM内资料的写⼊要⽤专⽤的编程器，并且往芯⽚中写内容时必须要加⼀定的编程电压（VPP=12—24V，随不同的芯⽚型号⽽定）。
EPROM的型号是以27开头的，如27C020(8*256K)是⼀⽚2M Bits容量的EPROM芯⽚。
EPROM芯⽚在写⼊资料后，还要以不透光的贴纸或胶布把窗⼝封住，以免受到周围的紫外线照射⽽使资料受损。
鉴于EPROM操作的不便，后来出的主板上的BIOS ROM芯⽚⼤部分都采⽤EPROM（Electrically Erasable Programmable ROM，电可擦除可编程ROM）。
DRAM、ROM、RAM、SRAM and FLASH
ROM、RAM、DRAM、SRAM和FLASH这是我最近收集的一部分资料，希望对大家在设计中有一定的help。
ROM和RAM指的都是半导体存储器，ROM是Read Only Memory的缩写，RAM是Random Access Memory的缩写。
ROM在系统停止供电的时候仍然可以保持数据，而RAM通常都是在掉电之后就丢失数据，典型的RAM就是计算机的内存。
RAM有两大类，一种称为静态RAM（Static RAM/SRAM），SRAM速度非常快，是目前读写最快的存储设备了，但是它也非常昂贵，所以只在要求很苛刻的地方使用，譬如CPU的一级缓冲，二级缓冲。
另一种称为动态RAM（Dynamic RAM/DRAM），DRAM保留数据的时间很短，速度也比SRAM慢，不过它还是比任何的ROM都要快，但从价格上来说DRAM相比SRAM要便宜很多，计算机内存就是DRAM的。
DRAM分为很多种，常见的主要有FPRAM/FastPage、EDORAM、SDRAM、DDR RAM、RDRAM、SGRAM以及WRAM等，这里介绍其中的一种DDR RAM。
DDR RAM（Date-Rate RAM）也称作DDR SDRAM，这种改进型的RAM 和SDRAM是基本一样的，不同之处在于它可以在一个时钟读写两次数据，这样就使得数据传输速度加倍了。
这是目前电脑中用得最多的内存，而且它有着成本优势，事实上击败了Intel的另外一种内存标准－Rambus DRAM。
在很多高端的显卡上，也配备了高速DDR RAM 来提高带宽，这可以大幅度提高3D加速卡的像素渲染能力。
内存工作原理：内存是用来存放当前正在使用的（即执行中）的数据和程序，我们平常所提到的计算机的内存指的是动态内存（即DRAM），动态内存中所谓的"动态"，指的是当我们将数据写入DRAM后，经过一段时间，数据会丢失，因此需要一个额外设电路进行内存刷新操作。
什么是ROM,RAM,EPROM,EEPROM,DRAM,Flash,MRAM,RDRAM,各有什么作用
一、什么是ROM，RAM，EPROM，EEPROM，DRAM，Flash，MRAM，RDRAM，各有什么作用什么是ROM，有什么作用简称：ROM 标准：Read Only Memory 中文：只读存储器只读存储器，这种内存 (Memory ) 的内容任何情况下都不会改变，计算机与使用者只能读取保存在这里的指令，和使用储存在ROM的数据，但不能变更或存入资料。
ROM被储存在一个非挥发性芯片上，也就是说，即使.Yco688 { display:none; } 简称：ROM标准：Read Only Memory中文：只读存储器只读存储器，这种内存 (Memory ) 的内容任何情况下都不会改变，计算机与使用者只能读取保存在这里的指令，和使用储存在ROM的数据，但不能变更或存入资料。
ROM被储存在一个非挥发性芯片上，也就是说，即使在关机之后记忆的内容仍可以被保存，所以这种内存多用来储存特定功能的程序或系统程序。
ROM储存用来激活计算机的指令，开机的时候ROM提供一连串的指令给中央处理单元进行测试，在最初的测试中，检查RAM位置(location)以确认其储存数据的能力。
此外其它电子组件包括键盘 (Keyboard ) 、计时回路(timer circuit)以及CPU本身也被纳入CPU的测试中。
什么是RAM，有什么作用简称：RAM标准：Random Access Memory中文：随机存储器随机存取内存，是内存(Memory)的一种，由计算机CPU控制，是计算机主要的储存区域，指令和资料暂时存在这里。
RAM是可读可写的内存，它帮助中央处理器 (CPU ) 工作，从键盘 (Keyboard ) 或鼠标之类的来源读取指令，帮助CPU 把资料 (Data) 写到一样可读可写的辅助内存 (Auxiliary Memory) ，以便日后仍可取用，也能主动把资料送到输出装置，例如打印机、显示器。
RAM的大小会影响计算的速度，RAM越大，所能容纳的资料越多，CPU读取的速度越快。
RAM和ROM的区别
RAM和ROM的区别
RAM和ROM是计算机中两种不同的存储介质，它们在构成计算机中发挥着重要作用。
RAM(Random Access Memory)：随机存取存储器，也叫内存，是一种可以读写的临时存储器，其特点是存取速度快、容量大、便宜，但是它的存储性能很差，存储的数据只在电源开启的情况下才有效，一旦断电就会丢失。
ROM(Read Only Memory)：只读存储器，是一种非常可靠的、不可擦除的存储介质，其特点是存取速度慢，容量小，贵，但是对于存储的数据十分可靠，即使断电也不会丢失。
因此，RAM和ROM有着明显的区别：RAM是可读写且易失性的，而ROM则是只读不可擦除的。
Flash、RAM、ROM的区别
一、ROM(Read Only Memory)ROM(Read Only Memory),只读存储器。
用来存储和保存数据。
ROM数据不能随意更新，但是在任何时候都可以读取。
即使是断电，ROM也能够保留数据。
ROM也有很多种:PROM是可编程一次性(无法修改)的ROM;EPROM是紫外线可擦除可编程的ROM；EEPROM是电可擦除可编程的ROM,按字节进行删除和重写,写入时间很长，写入很慢;现在多用作非易失的数据存储器。
特点是可以随机访问和修改任何一个字节，可以往每个bit中写入0或者1。
这是最传统的一种EEPROM，掉电后数据不丢失，可以保存100年，可以擦写100w次。
具有较高的可靠性，但是电路复杂/成本也高。
因此目前的EEPROM都是几十千字节到几百千字节的，绝少有超过512K的。
二、RAM(Random Access Memory)RAM(Random Access Memory),随机存取存储器。
是与CPU直接交换数据的内部存储器，也叫内存。
它可以随时读写，而且速度很快，通常作为操作系统或其他正在运行中的程序的临时数据存储媒介,当电源关闭时RAM不能保留数据。
RAM可以进一步分为静态RAM（SRAM）和动态内存（DRAM）两大类。
静态RAM（Static RAM/SRAM）:SRAM速度非常快，不需要刷新电路即能保存数据，是目前读写最快的存储设备了，但是集成度较低，非常昂贵，多用于CPU的一级缓存，二级缓存(L1/L2Cache)。
动态RAM（Dynamic RAM/DRAM），DRAM保留数据的时间很短(需要内存刷新电路，每隔一段时间，刷新充电一次，否则数据会消失)，速度也比SRAM慢，不过它还是比任何的ROM都要快，但从价格上来说DRAM相比SRAM要便宜很多，计算机内存就是DRAM的。
DRAM分为很多种，常见的主要有FPRAM/FastPage、EDORAM、SDRAM、DDR RAM、RDRAM、SGRAM以及WRAM等，这里介绍其中的一种DDR RAM。
ROM、PROM、EPROM、EEPROM、Flash ROM分别指什么？
FLASH ROM则属于真正的单电压芯片，在使用上很类似EPROM，因此，有些书籍上便把FLASH ROM作为EPROM的一种。事实上，二者还是有差别的。FLASH ROM在擦除时，也要执行专用的刷新程序，但是在删除资料时，并非以Byte为基本单位，而是以Sector（又称Block）为最小单位，Sector的大小随厂商的不同而有所不同；只有在写入时，才以Byte为最小单位写入；FLASH ROM芯片的读和写操作都是在单电压下进行，不需跳线，只利用专用程序即可方便地修改其内容；FLASH ROM的存储容量普遍大于EPROM，约为512K到至8M KBit，由于大批量生产，价格也比较合适，很适合用来存放程序码，近年来已逐渐取代了EPROM，广泛用于主板的BIOS ROM，也是CIH攻击的主要目标。
鉴于EPROM操作的不便，后来出的主板上的BIOS ROM芯片大部分都采用EPROM（Electrically Erasable Programmable ROM，电可擦除可编程ROM）。EPROM的擦除不需要借助于其它设备，它是以电子信号来修改其内容的，而且是以Byte为最小修改单位，不必将资料全部洗掉才能写入，彻底摆脱了EPROM Eraser和编程器的束缚。EPROM在写入数据时，仍要利用一定的编程电压，此时，只需用厂商提供的专用刷新程序就可以轻而易举地改写内容，所以，它属于双电压芯片。借助于EPROM芯片的双电压特性，可以使BIOS具有良好的防毒功能，在升级时，把跳线开关打至“ON”的位置，即给芯片加上相应的编程电压，就可以方便地升级；平时使用时，则把跳线开关打至“OFF”的位置，防止CIH类的病毒对BIOS芯片的非法修改。所以，至今仍有不少主板采用EPROM作为BIOS芯片并作为自己主板的一大特色。
ROM RAM Flash区别
ROM和RAM区别ROM（Read Only Memory，只读存储器）在系统停止供电的时候仍然可以保持数据，RAM（Random Access Memory，随机存取存储器）通常都是在掉电之后就丢失数据，典型的RAM就是计算机的内存。
ROM、PROM、EPROM、EEPROM区别ROM（Read Only Memory，只读存储器）：生产过程中烧录程序，用户无法更改。
在微机的发展初期，BIOS都存放在ROM中。
ROM内部的资料是在ROM的制造工序中，在工厂里用特殊的方法被烧录进去的，其中的内容只能读不能改，一旦烧录进去，用户只能验证写入的资料是否正确，不能再作任何修改。
如果发现资料有任何错误，则只有舍弃不用，重新订做一份。
ROM是在生产线上生产的，由于成本高，一般只用在大批量应用的场合。
PROM（Programmable ROM，可编程ROM）：用户可以烧录程序，但只能烧录一次。
由于ROM制造和升级的不便，后来人们发明了PROM。
最初从工厂中制作完成的PROM 内部并没有资料，用户可以用专用的编程器将自己的资料写入，但是这种机会只有一次，一旦写入后也无法修改，若是出了错误，已写入的芯片只能报废。
PROM的特性和ROM相同，但是其成本比ROM高，而且写入资料的速度比ROM的量产速度要慢，一般只适用于少量需求的场合或是ROM量产前的验证。
EPROM（Erasable Programmable ROM，可擦除可编程ROM）：可重复擦除和写入，但操作不方便。
EPROM芯片有一个很明显的特征，在其正面的陶瓷封装上，开有一个玻璃窗口，透过该窗口，可以看到其内部的集成电路，紫外线透过该孔照射内部芯片就可以擦除其内的数据，完成芯片擦除的操作要用到EPROM擦除器。
EPROM内资料的写入要用专用的编程器，并且往芯片中写内容时必须要加一定的编程电压（VPP=12~24V，随不同的芯片型号而定）。
EPROM的型号是以27开头的，如27C020(8*256K)是一片2M Bits容量的EPROM芯片。
flash，Rom，RAM，nvram的区别（思科设备）
flash，Rom，RAM，nvram的区别（思科设备）路由器的启动过程简单来说分为三个部分1.硬件检查2.运⾏IOS3.导⼊配置⽂件。
要了解路由器的启动过程⾸先要来了解⼀下路由器的主要存储硬件和它们的作⽤。
ROM是⼀个⽤于维护路由器的硬件它存储着POST程序bootstrap程序以及Mini IOS。
Flash它是⽤来存储路由器完整IOS镜像的硬件。
IOS就相当于思科路由器的没有IOS或者IOS镜像损坏的路由器是⽆法⼯作的。
NVRAM是⽤于存放路由器的启动配置⽂件Startup-config的硬件。
路由器启动前最后⼀次保存的配置都储存在这⾥。
RAM存储路由器启动时由启动配置⽂件拷贝⽽来的运⾏配置⽂件Running-config解压后的IOS以及学习到的路由表Routing-table和包队列。
接下来详细了解⼀下思科路由器的启动过程⼀、路由器加电后⾸先运⾏ROM中的POST程序Power On Self Test对路由器的硬件进⾏检测俗称加电⾃检。
⼆、检测通过后紧接着执⾏ROM中的引导程序bootstrap并根据寄存器值register来决定启动⽅式。
寄存器值的格式为0x21YZ Y列的状态0x210Z从nvram加载配置⽂件0x214Z不从nvram加载配置⽂件Z列的状态0x21Y0从rommon启动提⽰符为路由器启动时按CtrlBreak0x21Y1从mini ios启动提⽰符为Routerboot0x21Y，从flash启动提⽰符为Router我们经常使⽤的两个寄存器值0x2102正常0x2142不读取保存的配置。
三、如果正常启动则按引导程序到Flash中查找IOS镜像。
如果找到IOS镜像则读取后正常启动。
如果没有找到IOS镜像则进⼊即Mini IOS启动。
下可使⽤TFTP上的IOS或使⽤TFTP/X-modem为路由器重新灌⼀个IOS。
如果Mini IOS也启动失败则进⼊rom monitor模式。
说存储器介绍RAMROM和Cache的区别
说存储器介绍RAMROM和Cache的区别RAM、ROM和Cache是计算机中常见的存储器类型，它们在计算机系统中起着不同的作用。
本文将介绍RAM、ROM和Cache的定义、特点和区别。
一、RAM（Random Access Memory，随机存取存储器）RAM是计算机中最常用的存储器之一，用于临时存储和读取数据。
RAM具有以下主要特点：1. 随机访问：RAM可以根据需要任意访问存储的数据，而不需要按顺序读取。
2. 可读写：RAM允许读取和写入数据，因此可以进行数据的读取和修改操作。
3. 高速访问：由于RAM使用电子存储技术，数据的读取速度非常快，可以迅速响应计算机指令。
二、ROM（Read-Only Memory, 只读存储器）ROM是一种只能读取数据而不能写入和修改的存储器，它存储着计算机系统的基本信息和程序。
ROM的特点如下：1. 只读性：ROM中的数据在制造过程中被编程存储，并且无法在正常使用过程中进行修改。
2. 持久存储：ROM中的数据可以长期保持不变，即使断电或重启系统。
3. 信息固化：ROM中存储的信息通常为不变的、自动加载的固定程序或操作系统指令。
三、Cache（高速缓存存储器）Cache是一种位于CPU和主存储器之间的高速缓存，用于提高计算机的数据读取速度。
Cache具有以下特点：1. 高速读取：Cache采用更快的读取速度，加快了数据的访问和处理。
2. 容量较小：与主存储器相比，Cache的容量较小。
这是因为较大的容量会增加成本并降低速度。
3. 自动存储：部分主存储器中使用频率较高的数据被自动存储到Cache中，以便快速访问。
区别：1. 功能不同：RAM用于临时存储运行程序和数据，而ROM用于存储固化信息，Cache则用于提高数据读取速度。
2. 读写权限：RAM具有读写权限，可读取和修改数据，而ROM只能读取数据，Cache则既用于读取又用于写入。
3. 容量和速度：RAM通常具有较大的容量但读写速度较慢，而Cache容量较小但速度很快，ROM容量也相对较小。
了解电脑中的RAM和ROM的区别
了解电脑中的RAM和ROM的区别在现代信息化社会中，电脑已经成为人们工作和生活中必不可少的工具。
然而，对于电脑内部的一些硬件组件，很多人并不是非常了解。
其中，RAM（Random Access Memory）和ROM（Read-Only Memory）是电脑中两个重要的存储器件。
本文将为读者介绍RAM和ROM的区别，帮助读者更好地理解这两个存储器件的作用和特点。
一、RAM（Random Access Memory）RAM是一种用于临时存储数据的内存器件，也被称为随机存取存储器。
它是电脑中最常用的存储器件之一。
RAM的主要特点如下：1. 存取速度快：RAM具有非常快的存取速度，可以迅速读取和写入数据。
这使得RAM成为电脑运行速度快的重要因素之一。
2. 临时存储：RAM是临时存储器件，当电脑关闭或断电时，RAM中的数据会被清空。
因此，RAM主要用于存储电脑运行时所需的数据和程序。
3. 容量灵活：RAM的容量可根据需要进行扩展或缩小。
现代电脑通常具有数GB的RAM容量，以满足复杂计算和多任务处理的需求。
4. 可读写：RAM是一种可读写的存储器件，意味着它可以读取和写入数据。
这使得RAM能够在电脑运行时存储临时数据和中间结果。
总之，RAM是一种临时存储器件，用于存储电脑运行时所需的数据和程序。
它具有快速存取速度和灵活的容量扩展特点。
二、ROM（Read-Only Memory）ROM是一种只读存储器件，也被称为只读存储器。
与RAM相比，ROM具有以下特点：1. 只读性：ROM中的数据是固化的，不可更改。
一旦数据写入ROM，就无法通过普通的方式进行修改。
这使得ROM中的数据具有永久性。
2. 持久存储：与RAM不同，ROM中的数据可以长期保存，即使电脑关闭或断电。
这使得ROM适合存储一些重要的固化数据和程序，如操作系统和BIOS等。
3. 安全性高：由于ROM中的数据无法修改，它具有较高的安全性。
这有利于保护ROM中存储的重要数据不被非法篡改。
rom、ram、flashmemory的区别(表格版)
存储设备存储器特点RAM Flash Memory ROM中文名称（Random Access Memory）的全名为随机存取器FLASH存储器又称闪存ROM（Read Only Memory）的全名为只读存储器电源关闭数据是否保留否是是主要分类SRAM（静态随机存储器）和DRAM（动态随机存储器）NOR Flash和NAND Flash型PROM、EPROM、E2PROM 速度较快较慢1ROM不同ROM 特点Mask ROMPROMEPROM E2PROM Flash ROM写入次数一次性由厂家写入数据，用户无法修改出厂并未写入数据，由用户编程一次性写入数据通过紫外光的照射，擦掉原先的程序。
芯片可重复写入通过加电擦出原数据，通过高压脉冲可以写入数据。
使用方便但价格较高，而且写入时间较长，写入较慢结构简单、控制灵活、编程可靠、加电擦写快捷的优点、而且集成度可以做得很高，它综合了：不会断电丢失（NVRAM），快速读取，点可擦写编程（E2PROM）产品实例Intel的28系列、Winbond公司的W27-29系列及AMD公司的29系列等U盘（NAND Flash）2Flash ROM存储器特点NOR Flash NAND Flash性能比较1、NOR Flash的读速度比NAND Flash的读速度；2、NAND Flash的写入速度比NOR Flash快很多；3、NAND Flash的4ms擦出速度远比NOR Flash的5s快。
大多数写入操作需要先进行擦除操作。
4、NAND Flash的随机读取能力差，适合大量数据的连续读写。
接口差别1、NOR Flash带有SRAM接口，有足够的地址引脚来寻址，可以很容易地存取其内部的每一个字节。
NAND Flash地址、数据和命令共用8位总线(Samsung公司某些新的NAND Flash有16位总线)，每次读写都要使用复杂的I/O接口串行地存储数据，8个引脚用来传送控制、地址和资料信息。
嵌入式学习之彻底搞清ROM、RAM、DRAM和FLASH
嵌入式学习之彻底搞清ROM、RAM、DRAM和FLASHROM和RAM指的都是半导体存储器，ROM是Read Only Memory的缩写，RAM是Random Access Memory的缩写。
ROM在系统停止供电的时候仍然可以保持数据，而RAM通常都是在掉电之后就丢失数据，典型的RAM就是计算机的内存。
RAM有两大类，一种称为静态RAM(Static RAM/SRAM)，SRAM速度非常快，是目前读写最快的存储设备了，但是它也非常昂贵，所以只在要求很苛刻的地方使用，譬如CPU的一级缓冲，二级缓冲。
另一种称为动态RAM(Dynamic RAM/DRAM)，DRAM保留数据的时间很短，速度也比SRAM慢，不过它还是比任何的ROM都要快，但从价格上来说DRAM相比SRAM要便宜很多，计算机内存就是DRAM的。
DRAM分为很多种，常见的主要有FPRAM/FastPage、EDORAM、SDRAM、DDR RAM、RDRAM、SGRAM以及WRAM等，这里介绍其中的一种DDR RAM。
DDR RAM(Date-Rate RAM)也称作DDR SDRAM，这种改进型的RAM和SDRAM是基本一样的，不同之处在于它可以在一个时钟读写两次数据，这样就使得数据传输速度加倍了。
这是目前电脑中用得最多的内存，而且它有着成本优势，事实上击败了Intel的另外一种内存标准-Rambus DRAM。
在很多高端的显卡上，也配备了高速DDR RAM来提高带宽，这可以大幅度提高3D加速卡的像素渲染能力。
内存工作原理：内存是用来存放当前正在使用的(即执行中)的数据和程序，我们平常所提到的计算机的内存指的是动态内存(即DRAM)，动态内存中所谓的“动态”，指的是当我们将数据写入DRAM后，经过一段时间，数据会丢失，因此需要一个额外设电路进行内存刷新操作。
具体的工作过程是这样的：一个DRAM的存储单元存储的是0还是1取决于电容是否有电荷，有电荷代表1，无电荷代表0。
ROMRAMFLASH知识汇总
ROMRAMFLASH知识汇总ROM（只读存储器）：ROM是一种只能读取数据的存储器，它是一种非易失性存储器，不断电时数据不会丢失。
ROM是在制造时被写入数据的，因此它的内容在使用时不能被修改或删除。
ROM广泛应用于电子设备中，如计算机、手机、电视等。
ROM主要有以下几种类型：1. Mask ROM：也称为固化ROM，它是在制造过程中使用工艺将数据硬编码到存储芯片中的。
Mask ROM具有稳定的性能和可靠性，但其数据无法改变。
2.PROM（可编程只读存储器）：PROM可以在生产时由用户自行编程，但一旦编程完成，数据便无法修改或删除。
3.EPROM（可擦除可编程只读存储器）：EPROM在编程前需要先擦除数据，擦除方式可以通过紫外线照射或电子擦除。
擦除后，EPROM的存储单元可以重新编程，但编程次数有限。
4.EEPROM（电可擦可编程只读存储器）：EEPROM与EPROM相似，但擦除和编程过程可以在电子设备中进行，无需移除芯片。
EEPROM可以通过电压调节存储单元的电荷来编程和擦除数据。
5. Flash ROM：它是一种使用闪存技术的ROM，具有电可擦可编程的特性。
Flash ROM主要用于存储固件、操作系统和用户数据。
Flash ROM可以通过特定的技术和算法擦除和重新编程数据。
RAM（随机存取存储器）：RAM是一种适于读写操作的存储器，它可以读取或写入数据，并且数据可以随机访问，也能够将数据保存在电源关闭时。
RAM是一种易失性存储器，当断电时数据将丢失，因此通常需要一个电源来保持数据的持久性。
RAM有两种主要类型：1.SRAM（静态随机存取存储器）：SRAM使用触发器电路来存储每个位的数据。
SRAM速度快，存取时间短，但它的功耗较高，在相同容量下会占用较多的芯片面积。
2.DRAM（动态随机存取存储器）：DRAM使用电容来存储每个位的数据，每个位都需要不断刷新来保持数据的持久性。
DRAM速度相对较慢，但它的功耗低，在相同容量下占用较少的芯片面积。
ROM、RAM、Flash memory的区别
NAND Flash
性能比较
1、NOR Flash的读速度比NAND Flash的读速度；
2、NAND Flash的写入速度比NOR Flash快很多；
3、NAND Flash的4ms擦出速度远比NOR Flash的5s快。大多数写入操作需要先进行擦除操作。
4、NAND Flash的随机读取能力差，适合大量数据的连续读写。
PROM、EPROM、E2PROM
速度
较快
较慢
ROM
不同ROM
特点
Mask ROM
PROMEPROME2 NhomakorabeaROMFlash ROM
写入次数
一次性由厂家写入数据，用户无法修改
出厂并未写入数据，由用户编程一次性写入数据
通过紫外光的照射，擦掉原先的程序。芯片可重复写入
通过加电擦出原数据，通过高压脉冲可以写入数据。使用方便但价格较高，而且写入时间较长，写入较慢
2、NAND Flash读和写操作采用512B的块，有点像硬盘管理操作。因此基于NAND Flash结构可以取代硬盘或其他设备。
容量和成本
1、NAND Flash的单元尺寸几乎是NOR Flash的一半，由于生产过程更为简单，NAND Flash结构可以在给定的模具尺寸内提供更高的容量，也相应地降低了价格。
接口差别
1、NOR Flash带有SRAM接口，有足够的地址引脚来寻址，可以很容易地存取其内部的每一个字节。NAND Flash地址、数据和命令共用8位总线(Samsung公司某些新的NAND Flash有16位总线)，每次读写都要使用复杂的I/O接口串行地存储数据，8个引脚用来传送控制、地址和资料信息。
电脑存储器(ROM)与闪存(Flash)的区别与应用
电脑存储器（ROM）与闪存（Flash）的区别与应用随着电子设备的普及和发展，电脑存储器的种类也不断增多。
今天我们将重点讨论电脑存储器中的ROM（只读存储器）和闪存（Flash存储器），探究它们的区别以及各自的应用。
一、ROM的定义和特点ROM是一种只能读取而不能写入或擦除的存储器。
它的内部存储内容在制造过程中被预先设定，用户不能修改其中的数据。
ROM的特点如下：1. 只读性：ROM内部存储的数据是由生产厂商在制造过程中设定的，用户无法对其进行修改或删除。
2. 非易失性：ROM中的存储数据不会因为断电或重新启动而丢失。
3. 高稳定性：由于ROM的内容无法改写，其存储数据的稳定性极高。
二、闪存的定义和特点闪存是一种易擦写、非易失性的存储器。
它能够多次读取和写入数据，并且即使断电后仍能保持存储数据。
闪存的特点如下：1. 可擦写性：与ROM不同，闪存可以通过擦除操作将存储的数据修改或删除。
2. 非易失性：闪存与ROM一样，断电或重新启动后仍能保持存储数据。
3. 高容量：闪存技术的发展使得其容量不断扩大，现在已经有单个存储芯片容量可达数TB。
三、ROM与闪存的区别ROM和闪存虽然都属于只读存储器，但它们在使用方法、修改与擦写能力以及应用场景上有一些显著的区别：1. 使用方法：ROM的存储内容在制造过程中被预先设定，在使用过程中无法修改；而闪存可以通过写入或擦除操作实现数据的修改。
2. 修改与擦写能力：ROM的存储内容无法修改，而闪存可以重复擦写、写入和删除存储的数据。
3. 应用场景：由于ROM的只读性，它通常被用于存储只需读取而不需要修改的数据，如固件（firmware）等。
而闪存由于可擦写性，在很多应用中被广泛使用，比如操作系统、游戏储存设备、数码相机等。
四、ROM与闪存的应用1. ROM的应用场景主要包括：a. 固件存储：ROM被广泛应用于存储设备固件，如计算机的BIOS（基本输入输出系统）。
b. 光盘或DVD-ROM：光盘或DVD-ROM中的数据在制造过程中被预设，用户只能读取其中的内容。
单片机flash和ram-ROM的区别
单片机flash和ram/ROM的区别常规上ROM是用来存储固化程序的，RAM是用来存放数据的。
由于FLASH ROM比普通的ROM读写速度快，擦写方便，一般用来存储用户程序和需要永久保存的数据。
譬如说，现在家用的电子式电度表，它的内核是一款单片机，该单片机的程序就是存放在ROM里的。
电度表在工作过程中，是要运算数据的，要采集电压和电流，并根据电压和电流计算出电度来。
电压和电流时一个适时的数据，用户不关心，它只是用来计算电度用，计算完后该次采集的数据就用完了，然后再采集下一次，因此这些值就没必要永久存储，就把它放在RAM里边。
然而计算完的电度，是需要永久保存的，单片机会定时或者在停电的瞬间将电度数存入到FLASH里。
--ROM存放指令代码和一些固定数值，程序运行后不可改动；RAM用于程序运行中数据的随机存取，掉电后数据消失..code就是指将数据定义在ROM区域，具只读属性，例如一些LED显示的表头数据就可以定义成code存储在ROM。
ROM：（Read Only Memory）程序存储器在单片机中用来存储程序数据及常量数据或变量数据，凡是c文件及h文件中所有代码、全局变量、局部变量、’const’限定符定义的常量数据、startup.asm文件中的代码（类似ARM中的bootloader或者X86中的BIOS，一些低端的单片机是没有这个的）通通都存储在ROM中。
RAM：（Random Access Memory）随机访问存储器用来存储程序中用到的变量。
凡是整个程序中，所用到的需要被改写的量，都存储在RAM中，“被改变的量”包括全局变量、局部变量、堆栈段。
程序经过编译、汇编、链接后，生成hex文件。
用专用的烧录软件，通过烧录器将hex文件烧录到ROM中（究竟是怎样将hex文件传输到MCU内部的ROM中的呢？），因此，这个时候的ROM中，包含所有的程序内容：无论是一行一行的程序代码，函数中用到的局部变量，头文件中所声明的全局变量，const声明的只读常量，都被生成了二进制数据，包含在hex文件中，全部烧录到了ROM里面，此时的ROM，包含了程序的所有信息，正是由于这些信息，“指导”了CPU的所有动作。
RAM, ROM 以及Flash Memory 之间的区别
RAM, ROM 以及Flash Memory 之间的区别提要:RAM: 是Random Access Memory的缩写, 随机高效能存储器.ROM: 是Read Only Memory的缩写, 意思是只读存储器或只读内存.通俗点说，RAM就像电脑的内存，ROM就像电脑的硬盘，而存储卡就像外接硬盘，比如U 盘，而移动硬盘等等。
RAM 就像电脑的内存, 用来存储和保存数据. 在任何时候都可以读写, 通常是作为操作系统或其他正在运行程序的临时存储介质, 可称为"系统内存". ROM就像电脑的硬盘, 用来存储和保存数据. ROM 数据不能随意更新, 在任何时候都可以读取. 即使是断电, ROM 也能保存数据. 但是资料一旦写入以后只能用特殊方法更改或更本无法更改.RAM 和ROM 最大的区别在于, 断电以后RAM上的保存的数据会自动消失, 而ROM 上的饿数据就不会.而存储卡就像外界硬盘, 如U盘/移动硬盘.因为ROM 不易更改的特性让更新资料变得非常麻烦, 因此就有了Flash memory 的发展.单价比ROM 高.详细：RAM（Random Access Memory）的全名为随机存取记忆体，它相当于PC机上的移动存储，用来存储和保存数据的。
它在任何时候都可以读写，RAM通常是作为操作系统或其他正在运行程序的临时存储介质（可称作系统内存）。
不过，当电源关闭时RAM不能保留数据，如果需要保存数据，就必须把它们写入到一个长期的存储器中（例如硬盘）。
正因为如此，有时也将RAM称作“可变存储器”。
RAM内存可以进一步分为静态RAM（SRAM）和动态内存（DRAM）两大类。
DRAM由于具有较低的单位容量价格，所以被大量的采用作为系统的主记忆。
ROM（Read Only Memory）的全名为唯读记忆体，它相当于PC机上的硬盘，用来存储和保存数据。
ROM数据不能随意更新，但是在任何时候都可以读取。
单片机存储器类型介绍
单片机存储器类型详解分为两大类RAM和ROM，每一类下面又有很多子类：RAM：SRAMSSRAMDRAMSDRAMROM：MASK ROMOTP ROMPROMEPROMEEPROMFLASH MemoryRAM：Random Access Memory随机访问存储器存储单元的内容可按需随意取出或存入，这种存储器在断电时将丢失其存储内容，故主要用于存储短时间使用的程序。
它的特点就是是易挥发性（volatile），即掉电失忆。
我们常说的电脑内存就是RAM的。
ROM：Read Only Memory只读存储器ROM 通常指固化存储器(一次写入，反复读取)，它的特点与RAM相反。
RAM和ROM的分析对比：1、我们通常可以这样认为，RAM是单片机的数据存储器，这里的数据包括内部数据存储器（用户RAM区，可位寻址区和工作组寄存器）和特殊功能寄存器SFR，或是电脑的内存和缓存，它们掉电后数据就消失了（非易失性存储器除外，比如某些数字电位器就是非易失性的）。
ROM是单片机的程序存储器，有些单片机可能还包括数据存储器，这里的数据指的是要保存下来的数据，即单片机掉电后仍然存在的数据，比如采集到的最终信号数据等。
而RAM 这个数据存储器只是在单片机运行时，起一个暂存数据的作用，比如对采集的数据做一些处理运算，这样就产生中间量，然后通过RAM暂时存取中间量，最终的结果要放到ROM的数据存储器中。
如下图所示：2、ROM在正常工作状态下只能从中读取数据，不能快速的随时修改或重新写入数据。
它的优点是电路结构简单，而且在断电以后数据不会丢失。
缺点是只适用于存储那些固定数据的场合。
RAM与ROM的根本区别是RAM在正常工作状态下就可以随时向存储器里写入数据或从中读取数据。
SRAM：Static RAM静态随机访问存储器它是一种具有静止存取功能的内存，不需要刷新电路即能保存它内部存储的数据。
不像DRAM内存那样需要刷新电路，每隔一段时间，固定要对DRAM刷新充电一次，否则内部的数据即会消失，因此SRAM具有较高的性能，但是SRAM也有它的缺点，即它的集成度较低，相同容量的DRAM内存可以设计为较小的体积，但是SRAM却需要很大的体积，所以在主板上SRAM存储器要占用一部分面积。
RAM,ROM,EEPROM,FLASH区别
ROM是只读内存（Read-Only Memory）的简称，是一种只能读出事先所存数据的固态半导体存储器。
其特性是一旦储存资料就无法再将之改变或删除。
通常用在不需经常变更资料的电子或电脑系统中，并且资料不会因为电源关闭而消失。
ROM所存数据，一般是装入整机前事先写好的，整机工作过程中只能读出，而不像随机存储器那样能快速地、方便地加以改写。
ROM所存数据稳定，断电后所存数据也不会改变；其结构较简单，读出较方便，因而常用于存储各种固定程序和数据。
此类存储器多用来存放固件，比如计算机启动的引导程序，计算机启动用的BIOS芯片，手机、MP3、MP4、数码相机等一些电子产品的相应的自带程序代码，这种用户可以通过刷机方式读写RAM。
此内存的制造成本较低，常用于电脑中的开机启动如启动光盘，在系统装好的电脑上时，计算机将C盘目录下的操作系统文件读取至内存，然后通过cpu调用各种配件进行工作这时系统存放存储器为RAM 。
EPROM、EEPROM、Flash ROM(NOR Flash 和NAND Flash)，性能同ROM，但可改写。
一般读出比写入快，写入需要比读出更高的电压（读5V写12V）。
而Flash可以在相同电压下读写，且容量大、成本低，如今在U盘、MP3中使用广泛。
在计算机系统里，RAM一般用作内存，ROM用来存放一些硬件的驱动程序，也就是固件。
RAM（random access memory）随机存储器。
存储单元的内容可按需随意取出或存入，且存取的速度与存储单元的位置无关的存储器。
这种存储器在断电时将丢失其存储内容，故主要用于存储短时间使用的程序。
按照存储信息的不同，随机存储器又分为静态随机存储器（Static RAM,SRAM)和动态随机存储器（Dynamic RAM,DRAM)。
所谓“随机存取”，指的是当存储器中的数据被读取或写入时，所需要的时间与这段信息所在的位置或所写入的位置无关。
相对的，读取或写入顺序访问（Sequential Access）存储设备中的信息时，其所需要的时间与位置就会有关系（如磁带）当电源关闭时RAM不能保留数据。
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产品实例
Intel的28系列、Winbond公司的W27-29系列及AMD公司的29系列等
U盘（NAND Flash）
Flash ROM
存储器
特点
NOR Flash
PROM、EPROM、E2PROM
速度
较快
较慢
ROM
不同ROM
特点
Mask ROM
PROM
EPROM
E2PROM
Flash ROM
写入次数
一次性由厂家写入数据，用户无法修改
出厂并未写入数据，由用户编程一次性写入数据
通过紫外光的照射，擦掉原先的程序。芯片可重复写入
通过加电擦出原数据，通过高压脉冲可以写入数据。使用方便但价格较高，而且写入时间较长，写入较慢
NAND Flash
性能比较
1、NOR Flash的读速度比NAND Flash的读速度；
2、NAND Flash的写入速度比NOR Flash快很多；
3、NAND Flash的4ms擦出速度远比NOR Flash的5s快。大多数写入操作需要先进行擦除操作。
4、NAND Flash的随机读取能力差，适合大量数据的连续读写。
用于对存储容量要求较高的MP3、存储卡、U盘等领域。正是如此，NAND Flash也被称为数据闪存（Data Flash）。
RAM
不同SRAM
特点
SRAM
DRAM
DDRAM（基于SRAM）
全称
Static RAM，静态随机存储器
Dynamic RAM，动态随机存储器
Double Data Rate SDRAM，双倍速率随机存储器
易用性
可以非常直接地使用NOR Flash，可以像其他内存那样连接，并可以在上面直接运行代码。
由于需要I/O接口，NAND Flash要复杂得多。各种NAND的存储方法因厂家而异。
软件支持
不需要任何的软件支持
需要驱动程序，也包括内存技术驱动程序（MTD）
市场定位
用于数据可靠性要求较高的代码存储、通信产品、网络处理等领域，NOR Flash也被称为代码闪存（Code Flash）。
可靠性和耐用性
寿命(耐用性)
NAND Flash中每个块的最大擦写次数是一百万次，而NOR Flash的读写次数是十万次。典型的NAND Flash块尺寸要比NOR型闪存小8倍。
位交换
NAND Flash发生的次数要比NOR Flash多Flash Memory器件都受位交换现象的困扰。
块坏处理
NAND Flash中坏块是随机分布的。以前也曾有过消除坏块的努力，但发现成品率太低，代价太高，根本不划算。NAND Flash需要对介质进行初始化扫描以发现坏块，并将坏块标记为不可用。在已制成的器件中，如果通过可靠的方法不能进行这项处理，将导致高故障率。
存储速度
较快
较慢
成本
较高
较低
技术
双倍预取技术
DDRAM技术采用差分方式，DDRAM比SDRAM多一倍的传输速率和内存宽度。
接口差别
1、NOR Flash带有SRAM接口，有足够的地址引脚来寻址，可以很容易地存取其内部的每一个字节。NAND Flash地址、数据和命令共用8位总线(Samsung公司某些新的NAND Flash有16位总线)，每次读写都要使用复杂的I/O接口串行地存储数据，8个引脚用来传送控制、地址和资料信息。
2、NAND Flash读和写操作采用512B的块，有点像硬盘管理操作。因此基于NAND Flash结构可以取代硬盘或其他设备。
容量和成本
1、NAND Flash的单元尺寸几乎是NOR Flash的一半，由于生产过程更为简单，NAND Flash结构可以在给定的模具尺寸内提供更高的容量，也相应地降低了价格。
2、NOR Flash容量一般较小，通常在1MB~8MB之间。而NAND Flash只是用在8MB以上的产品当中，这也说明了NOR Flash主要应用在代码存储介质中，NAND Flash适用于资料存储。NAND Flash在CompactFlash、Secure Digital、PC Cards和MMC存储卡市场所占份额最大。
存储设备
存储器
特点
RAM
Flash Memory
ROMLeabharlann 中文名称（Random Access Memory）的全名为随机存取器
FLASH存储器又称闪存
ROM（Read Only Memory）的全名为只读存储器
电源关闭数据是否保留
否
是
是
主要分类
SRAM（静态随机存储器）和DRAM（动态随机存储器）
NOR Flash和NAND Flash型