行政院国家科学委员会补助专题研究计画作业要点
行政院国家科学委员会补助专题研究计画助理人员约用注意事项
行政院國家科學委員會補助專題研究計畫助理人員約用注意事項九十四年四月二十七日本會第四九八次主管會報修正通過一、專題研究計畫助理人員之約用,依本注意事項辦理。
二、專題研究計畫助理人員之約用,應由計畫主持人循執行機構行政程序簽報核准後約用之;辦理經費核銷時,應檢附核准約用之相關資料。
三、專題研究計畫助理人員分下列三類:(一)專任助理人員:指執行機構約用之編制外全時間從事專題研究計畫工作人員。
分為高中(職)畢業、五專(二專)畢業、三專畢業、學士及碩士等五級。
但在職或在學人員不得擔任專任助理人員。
(二)兼任助理人員:指執行機構約用之以部分時間從事專題研究計畫工作人員,分為下列三級:1.講師、助教級助理人員(或相當級職者):執行機構或執行機構以外之機構編制內人員,確為計畫所需者。
2.研究生助理人員:與計畫性質相關之博士班或碩士班研究生。
3.大專學生:與計畫性質相關之大學部或專科部之學生。
(三)臨時工:指臨時僱用之工作人員,已擔任本會專題研究計畫專任或兼任助理人員者,不得再擔任臨時工。
四、工作酬金:(一)專任或兼任助理人員之工作酬金,由執行機構依本會補助專題研究計畫助理人員工作酬金支給標準表之標準核實支給。
自九十四年八月一日起,專任助理人員之工作酬金依執行機構訂定之標準核實支給;兼任助理人員之工作酬金依本會補助專題研究計畫兼任助理人員工作酬金支給標準表之標準核實支給。
1.專任助理人員參與本計畫前已取得之相關工作經歷年資得併計提敍酬金。
2.兼任助理人員每月支領工作酬金之總額,不得超過本會規定之最高標準。
3.研究生助理人員為新生,於計畫執行期間始註冊入學者,其尚未註冊前之工作酬金,得以同級研究生名義按月給付獎助金或研究助學金。
(二)臨時工按日或按時支給臨時工資,由執行機構按工作性質核實支給。
(三)專任助理人員之人事費得按工作酬金核列至多一個半月數額之年終工作獎金準備金。
有關年終工作獎金之發放,依行政院規定辦理。
行政院国家科学委员会补助延揽大陆地区科技人士作业要点
行政院國家科學委員會補助延攬大陸地區科技人士作業要點八十六年四月十七日第三三三次主管會報通過八十八年二月十一日第三七四次主管會報修訂通過九十年五月二十三日第四一五次主管會報修訂通過一、行政院國家科學委員會(以下簡稱本會)為促進兩岸科技人才交流與合作,補助公私立專科以上學校或經本會認可之學術研究機關(構)或國家實驗室(以下簡稱延攬機構)延攬大陸地區或由大陸地區前往第三地區之科技人士(以下簡稱大陸地區科技人士)來臺參與科技研究計畫或擔任特殊領域教學,特訂定本要點。
二、依本要點補助延攬之大陸地區科技人士,分下列三類:研究講座:須為未滿七十歲之國際知名學者專家,以其學識及特殊技術經驗指導或擔任研究計畫之諮詢顧問或特殊領域教學者。
但年滿七十歲而情形及專長特殊者,應提出具體理由,並經專案審查。
研究講座之資格須符合下列條件之一:現任或曾任大學教授或研究機構之研究員,最近三年內有研究成果發表,為國際所推崇者。
在學術上有崇高地位為國際知名,而為臺灣地區所無者。
在應用科學或技術或科技研發工作有特殊成就,並曾擔任同等質量工作有年者。
客座人員:須為未滿六十五歲之大陸地區或由大陸地區前往第三地區之學者專家或六十五歲以上未滿七十歲具有特殊技術之專家,以其學識及特殊技術經驗,全時擔任科技研究計畫或特殊領域教學者。
但年滿七十歲以上而情形及專長特殊者,應提出具體理由,並經專案審查。
客座人員之類別及資格條件如下:客座教授(客座研究員):曾任大學教授或研究機構之研究員,最近三年內曾發表有價值之研究成果者。
客座副教授(客座副研究員):曾任大學副教授或研究機構之副研究員,最近三年內曾發表有價值之研究成果者。
客座助理教授(客座助研究員):曾任大學助理教授或研究機構之助研究員,最近三年內曾發表有價值之研究成果者。
客座專家,須符合下列規定之一:獲得博士學位後,繼續執行專門職業或於研究機構從事研究工作四年以上著有成績者。
未獲有博士學位,但具有特殊技術,為臺灣地區所少見者。
行政院国家科学委员会专题研究计画期末报告
行政長官處理政治委任官員涉及行政長官處理政治委任官員涉及潛在利益衝突和接受利益及款待個案的指引潛在利益衝突和接受利益及款待個案的指引(二零一三年八月)目錄目錄章節頁數一 引言 2二 處理政治委任官員涉及潛在利益衝突個案3 - 5的指引三 考慮政治委任官員就以私人身分索取或接6 - 7受利益提出的特別許可申請的指引四 考慮政治委任官員就以公職身分索取或接8 - 9受利益提出的特別許可申請的指引五 處理接受款待的指引 10 附錄 政治委任官員接受利益劃一批准 111引言第一章::引言第一章1.1 《政治委任制度官員守則》(《守則》)第五章載述防止政治委任官員利益衝突的規定。
1.2 一般而言,行政長官在處理政治委任官員涉及利益衝突的事宜時,包括依據《守則》考慮政治委任官員就索取或接受利益1提出的特別許可申請時,會參考現行公務員事務局通告所訂的指引。
本文件載述有關的一般指引,以供參閱。
1.3 在本文件中,凡提述行政長官,即指包括獲行政長官授權的任何人士。
1.4 行政長官就政治委任官員接受利益給予的劃一批准載於附錄,以供參閱。
1一如《守則》第5.10段所載,《守則》第五章中“利益”的涵義,與《防止賄賂條例》(第201章)所下的定義相同。
該條例(第2(1)條)對“利益”作出廣泛的定義,涵蓋饋贈(包括金錢饋贈)、貸款、旅程、受僱工作、合約、服務及優待等,但不包括“款待”,即指供應食物或飲品(即膳食)和任何附帶的款待。
第二章第二章::處理政治委任官員涉及潛在利益衝突個案的指引出現利益衝突的情況2.1 利益衝突是指政治委任官員的“私人利益”2與政府的利益或該官員的公務互相牴觸或有所衝突。
“私人利益”不但包括金錢利益,亦包括官員與親屬或友好的聯繫,或其他交往或效忠,當中儘管不涉及經濟利益,但可左右官員在執行職務時所作的判斷,或令人有理由相信會影響其判斷。
2.2 如可能出現利益衝突的情況,政治委任官員應向行政長官報告。
行政院国家科学委员会补助产学合作研究计画作业要点
行政院國家科學委員會補助產學合作研究計畫作業要點公告事項行政院國家科學委員會補助產學合作研究計畫作業要點(以下簡稱本產學合作計畫要點)之訂定重點及相關配套作業摘敘如次:一、本產學合作計畫要點之訂定重點如次:(一)立法目的:本產學合作計畫要點係整併原有的大產學、小產學及數位產學相關補助要點,並建構產業需求導向之產學合作模式,以整合運用研發資源,發揮大學及研究機構之研發力量,以期能透過產學的團隊合作與相互回饋的機制,提升國內科技研發的競爭力。
(第一點)(二)產學計畫類型:本產學合作計畫要點訂立先導型產學合作研究計畫(簡稱先導型)、開發型產學合作研究計畫(簡稱開發型)、技術及知識應用型(簡稱應用型)等三種產學合作計畫之補助模式。
(第一點至第二點)(三)申請期間、申請方式:本產學合作計畫要點之明定申請期限全面採用線上申請方式,申請期間依計畫類型予以受理。
(第四點至第六點)(四)審查重點:本產學合作計畫要點之將研發成果管理及運用相關規範之制定納入配套,明定新產學合作計畫申請本會補助總經費每年超過新台幣五百萬元或全程總經費超過一千萬元者,其研發成果管理規劃亦納入審查範圍。
(第三點、第十點)(五)補助規範:本產學合作計畫要點寬列研究經費補助項目、申請作為出資比、研究經費補助額度及上限之規定。
(第七點至第八點)(六)相關技術移轉、先期技術移轉之規定:本產學合作計畫要點依計畫類型規範先導型、開發型、應用型等產學合作計畫之技術移轉或先期技術移轉授權條件。
(第十四點、第十五點、第十六點)(七)研發成果之歸屬:本產學合作計畫要點明定產學合作計畫所獲得之研發成果之歸屬認定,及單一合作企業配合款(不含先期技術移轉授權金)超過計畫總經費之50%者,相關研發成果之歸屬(研發成果共有之原則、計畫執行機構與合作企業商議約定書等)。
(第十九點)(八)報告之繳交方式:本產學合作計畫原則上公開精簡報告、完整報告不予公開等規範及繳交方式。
行政院国家科学委员会补助专题研究计划作业要点
行政院国家科学委员会补助专题研究计划作业要点状态:有效发布日期:2005-05-18生效日期:2005-05-18发布部门:台湾发布文号:台会综二字第0940036292号一、行政院国家科学委员会(以下简称本会)为补助大专院校及学术研究机构执行科学技术研究工作,以提升我国科技研发水准,特订定本要点。
二、申请机构(即执行机构):(一)公私立大专院校及公立研究机构。
(二)经本会认可之财团法人学术研究机构。
三、计划主持人(申请人)及共同主持人之资格:(一)申请机构编制内按月支给待遇之专任教学、研究人员,具有专门学识与研究经验,且有具体研究成绩,并具备下列资格之一者:1.助理教授级以上人员。
2.具博士学位之专任教学或研究人员。
3.担任讲师职务四年以上,并有著作发表于国内外著名学术期刊或专利技术报告专书者。
4.研究机构副研究员、技正或相当副研究员资格以上人员。
5.于教学医院担任主治医师二年以上或获硕士学位从事研究工作四年以上,并有著作发表于国内外著名学术期刊之医药相关人员。
具有前项计划主持人资格,且依相关规定被借调之人员,得由原任职机构提出申请。
(二)已退休之教学、研究人员,如为中央研究院院士、曾获得教育部国家讲座或学术奖、本会特约研究人员或杰出研究奖三次以上、财团法人杰出人才发展基金会杰出人才讲座、或其它相当奖项经本会认可者,且其原任职机构于申请研究计划函内叙明愿意提供相关设备供其进行研究并负责一切行政作业者,得申请一般型研究计划补助。
(三)实施校务基金制度之学校,于校务基金自筹经费范围内,依国立大学校院进用项目计划教学人员、研究人员暨工作人员实施原则聘任之专任教学、研究人员,按月支给待遇,经学校各级教评会审议通过遴聘,符合第(一)项计划主持人资格者,得申请专题研究计划补助。
(四)公立大专校院依公立大专校院稀少性科技人员遴用资格办法遴用具博士学位之核能、信息及航天等三类稀少性科技人员,得申请专题研究计划补助。
政院国家科学委员会补助专题研究计画助人员约用注意事项
行政院國家科學委員會補助專題研究計畫助理人員約用注意事項94.5.5臺會綜二字第0940033977號函修正一、專題研究計畫助理人員之約用,依本注意事項辦理。
二、專題研究計畫助理人員之約用,應由計畫主持人循執行機構行政程序簽報核准後約用之;辦理經費核銷時,應檢附核准約用之相關資料。
三、專題研究計畫助理人員分下列三類:(一)專任助理人員:指執行機構約用之編制外全時間從事專題研究計畫工作人員。
分為高中(職)畢業、五專(二專)畢業、三專畢業、學士及碩士等五級。
但在職或在學人員不得擔任專任助理人員。
(二)兼任助理人員:指執行機構約用之以部分時間從事專題研究計畫工作人員,分為下列三級:1.講師、助教級助理人員(或相當級職者):執行機構或執行機構以外之機構編制內人員,確為計畫所需者。
2.研究生助理人員:與計畫性質相關之博士班或碩士班研究生。
3.大專學生:與計畫性質相關之大學部或專科部之學生。
(三)臨時工:指臨時僱用之工作人員,已擔任本會專題研究計畫專任或兼任助理人員者,不得再擔任臨時工。
四、工作酬金:(一)專任或兼任助理人員之工作酬金,由執行機構依本會補助專題研究計畫助理人員工作酬金支給標準表之標準核實支給。
自九十四年八月一日起,專任助理人員之工作酬金依執行機構訂定之標準核實支給;兼任助理人員之工作酬金依本會補助專題研究計畫兼任助理人員工作酬金支給標準表之標準核實支給。
1.專任助理人員參與本計畫前已取得之相關工作經歷年資得併計提敍酬金。
2.兼任助理人員每月支領工作酬金之總額,不得超過本會規定之最高標準。
3.研究生助理人員為新生,於計畫執行期間始註冊入學者,其尚未註冊前之工作酬金,得以同級研究生名義按月給付獎助金或研究助學金。
(二)臨時工按日或按時支給臨時工資,由執行機構按工作性質核實支給。
(三)專任助理人員之人事費得按工作酬金核列至多一個半月數額之年終工作獎金準備金。
有關年終工作獎金之發放,依行政院規定辦理。
行政院国家科学委员会专题研究计画期中进度报告
Improvement on the growth of ultrananocrystalline diamond by using pre-nucleation techniqueYen-Chih Lee1, Su-Jien Lin1, Debabrata Pradham2,I-Nan Lin2*1. Department of Material Science and Engineering, National Tsing-Hua University, Hsin-Chu 300, Taiwan, R. O. C.;2. Department of Physics, Tamkang University, Tamsui251, Taiwan, R. O. C.AbstractUltrananocrystalline diamond (UNCD) films, which possess very smooth surface, were synthesized using CH4/Ar plasma. The Si-substrate was pre-nucleated using bias enhanced nucleation (BEN) technique under CH4/H2 plasma, so that the growth of UNCD films can be markedly enhanced. The growth rate of these UNCD films were observed to be correlated intimately with the deposition conditions, such as substrate temperature, microwave power, total pressure, CH4 ratio. When the nucleation process was carried out under methane and hydrogen (CH4/H2) plasma with negative DC bias voltage, no pretreatment on substrate was required prior to the formation of diamond nuclei. The growth kinetics of BEN induced nuclei was monitored by the evolution of the bias current to ensure the full coverage of diamond nuclei on the Si-substrate. The average grain size of BEN induced diamond nuclei is about 30 nm, with the nucleation site density more than 1011 sites/cm2. The growth rate of UNCD is markedly enhanced due to the application of BEN induced nuclei. Moreover, the growth rate of UNCD films was more significantly affected by the substrate temperature, but was less influenced by the microwave power. All of these UNCD films showed similar morphology, i.e., with grain size less than 10 nm and surface roughness around 20 nm. They also possess the same Raman spectra, i.e., the same crystallinity. However, the deposition rate can be increased from about 0.2 µm/hr to 1.0 µm/hr when substrate temperature increased from 4000C to 600o C.Novelty:The ultrananocrystalline diamond (UNCD) films were grown on bias-enhaned nucleation substrate to improve the of growth behavior.Keywords: UNCD, high speed growth, BEN, MPECVDSubmission of this paper has been approved by the co-authors.Corresponding author: Prof. I-Nan Line-mail: inanlin@.twTel. 886-2-26268907; Fax. 886-2-26207717Department of physics, Tamkang University;151 Yin-Chuan Rd. Tamsui, Taipei, Taiwan 251, R. O. C.Estimated word count: 3571words1Improvement on the growth of ultrananocrystalline diamond by using pre-nucleation techniqueYen-Chih Lee1, Su-Jien Lin1, Debabrata Pradham2, I-Nan Lin2*1. Department of Material Science and Engineering, National Tsing-Hua University, Hsin-Chu 300, Taiwan, R. O. C.;2. Department of Physics, Tamkang University, Tamsui251, Taiwan, R. O. C.AbstractUltrananocrystalline diamond (UNCD) films, which possess very smooth surface, were synthesized using CH4/Ar plasma. The Si-substrate was pre-nucleated using bias enhanced nucleation (BEN) technique under CH4/H2 plasma, so that the growth of UNCD films can be markedly enhanced. The growth rate of these UNCD films were observed to be correlated intimately with the deposition conditions, such as substrate temperature, microwave power, total pressure, CH4 ratio. When the nucleation process was carried out under methane and hydrogen (CH4/H2) plasma with negative DC bias voltage, no pretreatment on substrate was required prior to the formation of diamond nuclei. The growth kinetics of BEN induced nuclei was monitored by the evolution of the bias current to ensure the full coverage of diamond nuclei on the Si-substrate. The average grain size of BEN induced diamond nuclei is about 30 nm, with the nucleation site density more than 1011 sites/cm2. The growth rate of UNCD is markedly enhanced due to the application of BEN induced nuclei. Moreover, the growth rate of UNCD films was more significantly affected by the substrate temperature, but was less influenced by the microwave power. All of these UNCD films showed similar morphology, i.e., with grain size less than 10 nm and surface roughness around 20 nm. They also possess the same Raman spectra, i.e., the same crystallinity. However, the deposition rate can be increased from about 0.2 µm/hr to 1.0 µm/hr when substrate temperature increased from 4000C to 600o C.Novelty:The ultrananocrystalline diamond films were grown on bias-enhaned nucleation substrate to improve the growth.Keywords: UNCD, high speed growth, BEN, MPECVD2I. IntroductionThe unique combination of the physical and chemical properties of diamond film save drawn more attention among researcher to use diamond in many applications. However, the high roughness of microcrystalline diamond films made them inapplicable in specific applications. In the recent past, very smooth ultra nano-crystalline diamond (UNCD) films deposited by CH4/Ar mixture has been established. The detail mechanism for the formation of UNCD from CH4/Ar plasma has been reported[1, 2]. Recent application of nano-diamond films in bio-sensors[3], filed emission[4, 5] and bio-medical application[6] have shown the promising future of this nano-material. Even so, no detailed study has been performed on the growth rate and formation of nucleation sites by biased enhanced nucleation (BEN) method to grow uniform UNCD film on the silicon surface. Therefore, it is significant to understand more precisely on the deposition rate and deposition conditions influencing growth process of UNCD film.The substrate pretreatment strongly affects the nucleation and growth process of diamond films determining the initial deposition rate, crystal quality and surface roughness. High deposition rate is primarily important to grow thick diamond films normally required for application like SAW devices[7]. Moreover, a smooth surface of diamond film is another important requirement. Thus, suitable conditions need to be established to grow ultrananocrystalline diamond grains to directly obtain a smoother film. One of the most effective methods of diamond nucleation is bias enhanced nucleation (BEN) method[8, 9]. The formation of nano-diamond phase on silicon acts as nucleation center for the growth of either nano-crystalline or microcrystalline diamond depending on the deposition parameters used.One of the main objectives of the present work was to systematically investigate the nucleation behavior of UNCD on silicon surface using a BEN technique. As BEN method does not involve any scratching by diamond abrasives, it avoids the confusion of presence of any residual diamond particle on the substrate. Another objective of current study is to find a suitable deposition condition for the high and uniform growth of UNCD. The effect of microwave power, substrate temperature, CH4 to Ar ratio and total pressure on the growth rate is reported in this article.3II. ExperimentalThe bias enhanced nucleation (BEN) diamond films were grown in a 2.45 GHz ASTeX microwave plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD) system on N-type mirror polished Si (100) substrates. A microwave power of 1.5 kW (ASTeX 5400), total pressure of 55 torr and 300 sccm H2 flow rate were used during biased treatment. Different substrates were biased treated for different time intervals (0 to 15 minutes) at constant biased voltage (-125 V) and the resulted bias current – time relationship was measured. Silicon substrates after BEN process were used for the deposition of UNCD in an IPLAS MPCVD system. Table I presents the detail experimental deposition conditions used for UNCD growth. In Series - P, C, T and MW, chamber pressure, CH4/Ar ratio, temperature and microwave power was varied respectively, keeping rest of the parameters constant.Surface morphology of samples was examined with a field emission scanning electron microscope (JEOL 6010). Crystal quality of UNCD films was investigated by Raman Spectroscopy using 514 nm argon laser beam (Renishaw). Surface topography and roughness was measured with atomic force microscopy (PARK).III. Results and discussion(a) Nucleation processThe formation of nanodiamond phase for the nucleation of diamond growth during BEN is known for last few years. Therefore BEN time is crucial to create uniform nucleation center on the silicon. Figure 1 shows the nucleation of nano-diamond films deposited after different BEN time intervals. The SEM images show uniform island growth at the beginning after 5 minutes of BEN (Fig 1a) and subsequent increase of coverage in nano-diamond grains clusters on the surface after 7 minutes (Fig 1b). After 8 minutes of BEN, the whole silicon surface is covered by cluster of nano-diamond crystals. The average size of nano-diamond cluster is around 150 nm and size of each diamond grain in the clusters is ~ 20 nm (Fig 1c). A saturation of nano-diamond growth occurs after 8 minutes of BEN, covering whole area of silicon substrate. At 10 min of BEN, cluster size of nano-diamond is decreased but diamond grain of size 50 nm started to appear (Fig 1d). The surface morphology is almost same after 10 minutes BEN. This4establishes the minimum time (8 minutes) required for the creation of high nucleation centers and uniform nano-diamond layer on silicon. The grain size is also found to be smallest (~20 nm) after 8 minutes of BEN. The thickness was about 250 nm.The measurement of bias current during BEN in our study indicates direct correlation in the formation of nano-diamond phase on silicon, which is shown in fig. 2 for the trend of bias current versus time at a constant negative bias voltage of 125 V. When there is no methane flow, bias current is about -52 mA. This current starts to decrease in the first 3 minutes, which may be due to methane content increases and changes plasma condition. The subsequent increase of bias current which has been attributed to the enhancement in electron emission from the highly emissive diamond formed on silicon substrate surface and the bias current become saturated after 10 minutes indicating no more nano-diamond coverage increase in surface.(b) Growth processFigure 3 shows the effect of various parameters on the deposition rate of UNCD. The deposition rate of diamond film is found to depend significantly on the temperature and the ratio of CH4 to Ar in the reactant gas compared to microwave power and total pressure. The effect of chamber pressure in the deposition rate is linearly increases from 100 torr to 150 torr. There is no much effect of pressure on the deposition rate. However, there is a striking increase in deposition rate when CH4/Ar ratio was increased from 0.5 % to 2.0 %. The substrate temperature is another important parameter for increasing deposition rate. The deposition rate is found to increase around 4 times with increase in temperature from 400o C to 600o C while all other parameters were held constant. The deposition rate of UNCD increases with microwave power from 600 W to 750 W. However, deposition rate comes down and become almost constant in the microwave power range of 900 W to 1200 W. We have grown a UNCD film having highest deposition rate of ~1 µm/hr at 750 W with combination of parameters: 150 torr pressure, 600 o C temperature and 1 % methane.Figure 4 shows typical SEM images of UNCD film. Diamond grains of size less than 10 nm have been grown under above described deposition conditions. Unlike the agglomeration observed after bias enhanced nuclation, UNCD film shows a uniform and5smooth surface having numerical diamond crystallites density of as high as 1012 /cm2. This high nucleation density was due to formation of high nucleation centers during BEN and the growth in CH4/Ar plasma. The inset shows a cross-sectional image of UNCD film. The surface roughness of the diamond films is strongly affected by deposition method. AFM analysis shows that the surface roughness of the BEN film using CH4/H2 source gas under continuous bias (-125 V) in 8 minutes period was about 13.2 nm. This surface roughness reduces to 10 nm after deposition of UNCD using CH4/Ar source gas. The decrease of surface roughness is well matched with decrease of diamond grain size measured by SEM. Size of diamond grains were less than 10 nm after UNCD deposition on a 20 nm diamond crystallites film formed during negative biasing.Raman technique is one of the important non-destructive characterization techniques to study the properties of any type of carbon forms. There are four main peaks normally observed at around 1140 cm-1, 1330 cm-1, 1470 cm-1 and 1560 cm-1 in visible Raman spectrum of UNCD films[10, 11]. Figure 5 shows the Raman spectra of UNCD films deposited on silicon at different experimental conditions. These Raman spectra are found to be very similar to as reported in literature[10, 11]. The broad peak at 1330 cm-1 and 1560 cm-1 are commonly termed as D-band and G band respectively. The peaks at 1140 cm-1 and 1470 cm-1 are sometimes assigned to nano-crystalline diamond films[12, 13].However, there is certain ambiguity in these two peaks. Ferrari et. al.[14] and Kuzmany et. al.[15] have assigned these two peaks at 1140 cm-1 and 1470 cm-1 to trans-polyacetylene segments present at the grain boundaries and surfaces of diamond films. However, these two peaks are most commonly observed in UNCD or NCD film[10, 11]. Since the sp2-bonded carbon is highly sensitive to visible Raman spectroscopy than sp3-bonded carbon, sharp peak at 1332 cm-1 is not observed. In our study, the peak height of 1140 cm-1 and 1470 cm-1 suggests the increase in trans-polyacetylne percentage with substrate temperature. Raman spectra of series –P, -C and -MW samples are almost same indicating not much change in crystallinity of UNCD films by varying pressure, CH4/Ar ratio and microwave power.6IV. ConclusionUNCD film of diamond grain less than 10 nm was grown on BEN treated silicon surface. Nucleation density of ~1012 grains/cm2 was obtained in the growth process. Silicon substrate was biased for different time interval to study the formation of nucleation center. Our study has shown that a minimum 8-minute of bias enhanced nucleation was needed for uniform growth of UNCD film. Agglomeration of diamond crystallites obtained in BEN diamond growth was not observed after the growth of UNCD in a CH4-Ar medium. AFM study depicted the improvement in smoothness of UNCD film to 6.83 nm from 10.83 nm obtained by BEN NCD film. Raman spectra have shown the peak at respective positions that normally observed in UNCD films.V. AcknowledgmentThe authors would like to thank National Science Council, R.O.C. for the support of this research through the project No. NSC 93-2112-M-032-010.VI. References[1] D. Zhou, T. G. McCauley, L. C. Qin, A. R. Krauss, and D. M. Gruen, J. Appl. Phys.83 (1998) 540.[2] D. M. Gruen, Annu. Rev. Mater. Sci. 29 (1999) 211.[3] A. Hartl, E. Schmich, J.A. Garrido, J. Hernando, S.C.R. Catharino, S. Walter, P. Feulner, A. Kromka, D. Sreinmuller, M. Stutzmann, Nature Materials, 3 (2004) 736.[4] W. Zhu, G.P. Kochanski, S. Jin, Science282 (1998) 1471.[5] K. Wu, E.G. Wang, Z.X. Cao, Z.L. Wang, X. Jiang, J. Appl. Phys.88 (2000) 2967.[6] M. D. Fries, Y.K. Vohra, Diam. Rel. Mater. 13 (2004) 1740.[7] F. Benedic, M.B. Assouar, F. Mohasseb, O. Elmazria , P. Alnot , A. Gicquel, Diam. Rel. Mater. 13 (2004) 347.[8] S. Yugo, T. Kanai, T. Kimura, T. Muto, Appl. Phys. Lett. 58 (1991) 1036.[9] Q. Chen, Z. Lin, J. Appl. Phys. 80 (1996) 797.[10] X. Xiao, J. Birrell, J. E. Gerbi, O. Auciello, J. A. Carlisle, J. Appl. Phys. 96 (2004) 2232.[11] Y. Hayashi, T. Soga, Tribology International 37 (2004) 965.[12] W.A. Yarbrough, R. Messier, Science 247 (1990) 688.7[13] R.J. Nemanich, J.T. Glass, G. Lucovsky, R.E. Shroder, J. Vac. Sci. Technol. A 6 (1988) 1783.[14] A.C. Ferrari, J. Robertson, Phys. Rev. B, 63 (2001) 121405.[15] H. Kuzmany, R. Pfeiffer, N. Salk, B. Gunther, Carbon 42 (2004) 911.89Table I: Experimental deposition conditions for UNCD growth on BEN silicon surface. Materials Pressure(Torr)CH 4/Ar Ratio (%) Temperature (o C) MW Power (W) Series-P100~150 1 % 400 1200 Series-C150 0.5 ~ 2 % 4001200 Series-T150 1 % 400 ~ 600 750 Series-MW150 1 % 600 600 ~ 1200Figure captionsFig 1. SEM images of diamond films grown on silicon surface after different BEN time intervals, (a) 5 min., (b) 7 min., (c) 8 min. and (d) 10 min of BEN.Fig. 2. Bias current from the electrode to the substrate holder during the bias enhanced nucleation as a function of time.Fig. 3. Effect of pressure, CH4 to Ar ratio, substrate temperature and microwave power on the deposition rate of UNCDFig. 4. FE-SEM image of UNCD grown under deposition condition of 750 W microwave power, 150 torr total pressure, total flow of 200 sccm Ar-CH4 (CH4-1 %) andsubstrate temperature 600 o C in 3 hr deposition period. Inset shows a cross-sectional view.Fig. 5. Visible Raman spectra UNCD films obtained under different experimental conditions.。
行政院国家科学委员会补助专题研究计画作业要点
行政院國家科學委員會補助專題研究計畫作業要點95年10月4日本會第543次主管會報修正通過一、行政院國家科學委員會(以下簡稱本會)為補助大專院校及學術研究機構執行科學技術研究工作,以提升我國科技研發水準,特訂定本要點。
二、申請機構(即執行機構):(一)公私立大專院校及公立研究機構。
(二)經本會認可之財團法人學術研究機構。
三、計畫主持人(申請人)及共同主持人之資格:(一)申請機構編制內按月支給待遇之專任教學、研究人員,具有專門學識與研究經驗,且有具體研究成績,並具備下列資格之一者:1.助理教授級以上人員。
2.具博士學位之專任教學或研究人員。
3.擔任講師職務四年以上,並有著作發表於國內外著名學術期刊或專利技術報告專書者。
4.研究機構副研究員、技正或相當副研究員資格以上人員。
5.於教學醫院或研究機構擔任主治醫師二年以上或獲碩士學位從事研究工作四年以上,並有著作發表於國內外著名學術期刊之醫藥相關人員。
具有前項計畫主持人資格,且依相關規定被借調之人員,得由原任職機構提出申請。
(二)已退休之教學、研究人員,如為中央研究院院士、曾獲得教育部國家講座或學術獎、本會傑出研究獎、財團法人傑出人才發展基金會傑出人才講座、或其他相當獎項經本會認可者,且其原任職機構於申請研究計畫函內敘明願意提供相關空間及設備供其進行研究並負責一切行政作業者,得申請一般型研究計畫補助。
(三)實施校務基金制度之學校,於校務基金自籌經費範圍內,依國立大學校院進用專案計畫教學人員、研究人員暨工作人員實施原則聘任之專任教學、研究人員,按月支給待遇,經學校各級教評會審議通過遴聘,符合第(一)項計畫主持人資格者,得申請專題研究計畫補助。
(四)公立大專校院依公立大專校院稀少性科技人員遴用資格辦法遴用具博士學位之核能、資訊及航太等三類稀少性科技人員,得申請專題研究計畫補助。
四、專題研究計畫分為下列二種:(一)一般型研究計畫:符合計畫主持人資格者,得依研究專長或參考本會學門規劃項目申請本項計畫。
行政院国家科学委员会补助提升产业技术及人才培育研究.
行政院國家科學委員會補助提升產業技術及人才培育研究計畫作業要點行政院國家科學委員會90年12月5日第426次主管會報核定行政院國家科學委員會91年7月3日第442次主管會報修正通過行政院國家科學委員會92年1月16日第453次主管會報修正通過行政院國家科學委員會92年12月31日第472次主管會報修正通過行政院國家科學委員會94年1月17日第493次主管會報修正通過行政院國家科學委員會95年6月28日第530次主管會報修正通過一、行政院國家科學委員會(以下簡稱本會)為培育大專院校及學術研究機構人員從事應用性研究計畫之基礎能力,增加其技術研發經驗,並提升其技術創新研發能力,結合民間中、小企業需求,特訂定本要點。
二、申請機構(計畫執行單位):(一)公私立大專院校及公立研究機構。
(二)經本會認可之財團法人學術研究機構。
三、計畫主持人(申請人)及共同主持人之資格:計畫執行單位編制內按月支給待遇之專任教學、研究人員,且符合本會一般專題研究計畫申請資格者。
四、合作企業:(一)本要點所稱合作企業,指依我國法律登記且符合中小企業認定標準所規範之事業。
(二)合作企業由計畫執行單位自行遴選。
(三)合作企業參與本研究計畫以全程參與為原則,除配合提供合作研究經費外,並應繳交先期技術移轉授權金。
五、研究計畫類型:(一)個別型研究計畫:1.每一研究計畫以一家合作企業為限。
2.每案以新臺幣五十萬元為補助上限(不含合作企業配合款);合作企業之配合款(不含先期技術移轉授權金)應占計畫總經費之百分之二十五以上,低於百分之五十,且至少為新臺幣十萬元。
3.每件核准之研究計畫案,合作企業應繳交新臺幣五萬元以上之先期技術移轉授權金。
(二)整合型研究計畫:1.研究計畫所涉之產業技術需為產業公會或合作企業所提之共通與迫切需求項目。
2.研究計畫應有二個以上子計畫(總計畫主持人一位,其餘為子計畫主持人),且須有二家以上企業參與。
總計畫及全部子計畫併案由總計畫主持人之任職機構提出申請。
行政院国家科学委员会补助大专学生参与专题研究计画作业要点
行政院國家科學委員會補助大專學生參與專題研究計畫作業要點98年1月22日本會第638次主管會報修正通過一、行政院國家科學委員會(以下簡稱本會)為提早培育儲備基礎科學、應用科學、人文社會科學之優秀研究人才,鼓勵公私立大專院校學生參與專題研究計畫,俾儘早接受研究訓練,體驗研究活動、學習研究方法,並加強實驗、實作之能力,特訂定本要點。
二、申請機構為指導教授任職之下列機構:(一)公私立大專院校及公立研究機構。
(二)經本會認可之財團法人學術研究機構。
三、申請資格:(一)學生:已獲得指導教授承諾指導研究,學業成績優良,並具備下列資格之一者(但於研究期間已不具大專學生資格者不得申請):1.公私立大學院校二年級以上學生(含申請時為二年級在學學生,學士後醫學系一年級學生,技術學院二年制一年級學生)。
2.公私立專科學校五專制三年級以上或二專制一年級以上學生。
(二)指導教授:1.符合本會專題研究計畫主持人資格,且願意提供研究設備(含儀器設備及圖書設備等)指導學生從事研究工作者。
但曾指導學生執行本項研究計畫而未繳交研究成果報告者,本會不再受理其擔任指導教授之申請案。
2.指導教授每年度以指導三位學生為限。
四、申請期限:申請機構應依本會規定之期限提出申請,逾期不予受理。
五、研究期間:自每年七月一日至次年二月底止,計八個月。
六、研究計畫範圍:學生自發性研究構想之嘗試性題目,但必須與指導教授專長相符。
七、申請方式:學生及指導教授應至本會網站線上製作下列文件,由申請機構彙整並造具申請名冊一式二份函送本會申請;文件不全或不符合規定者,不予受理:(一)大專學生參與專題研究計畫申請書。
(二)指導教授初評意見表。
(三)指導教授個人資料表(含近五年著作目錄)。
(四)學生歷年成績證明。
(五)學生證正反面影本。
八、補助經費項目:(一)研究助學金:每位學生每月新臺幣四千元,八個月計新臺幣三萬二千元。
(二)耗材、物品及雜項費用:與研究計畫直接有關之其他費用,每一計畫最高以補助新臺幣一萬五千元為限。
行政院国家科学委员会补助延揽客座科技人才作业要点概要
行政院國家科學委員會補助延攬客座科技人才作業要點98年2月24日臺會綜一字第0980014883號函修正一、行政院國家科學委員會(以下簡稱本會)為配合科技發展需要,補助延攬優秀科技人才參與科技研究計畫、擔任特殊領域教學或協助推動科技研發及管理工作,特訂定本要點。
二、申請機構:(一)公私立大專院校及公立研究機構。
(二)經本會認可之財團法人學術研究機構。
(三)設有科技研發或管理單位之政府機關(構)。
科技研發或管理單位,指主管科技政策執行、從事科技政策規劃、研究或管理之政府單位。
第一項第三款申請機構不得申請延攬中國大陸科技人士。
三、申請人:申請補助延攬科技人才案者(以下簡稱申請人)須為申請機構之教學、研究或一級行政主管人員(含本會補助專題研究計畫主持人)。
四、依本要點補助之受延攬人,分下列三類:(一)講座人員:1.特聘講座:其資格應符合下列條件之一:(1)諾貝爾獎得主。
(2)國家科學院院士且具國際聲望者(限國外科技人才)。
2.講座教授(限國外科技人才):現任或曾任大學講座教授,最近三年內有研究成果發表為國際所推崇者。
(二)客座人員(限國外科技人才):其資格條件,分下列四種:1.客座教授(客座研究員):曾任大學教授或研究機構之研究員,在學術上有重要貢獻或重要專門著作者。
2.客座副教授(客座副研究員):曾任大學副教授或研究機構之副研究員,成績優良,並有專門著作者。
3.客座助理教授(客座助研究員):曾任大學助理教授或研究機構之助理研究員,成績優良,並有專門著作者。
4.客座專家,其資格應符合下列條件之一:(1)獲得博士學位後,繼續執行專門職業或於研究機構從事研究工作或於科技機構從事科技研發或管理工作四年以上,著有成績者。
(2)在特殊技術或科技機構之科技研發或管理工作上,具有獨到之才能,為國內外所少見者。
(三)博士後研究人員:具有博士學位,且有發展潛力之本國籍或其專長為國內所欠缺之國外人才。
五、申請方式:申請人應至本會研究人才網內之「補助延攬科技人才及兩岸科技交流」項下,線上製作申請文件後,將申請案送至申請機構,由申請機構彙整送出;文件不全或不符合規定者,不予受理:(一)講座人員、客座人員:1.申請機構對講座人員及客座人員之申請補助資格,應依相關學術審查程序審定後予以推薦。
行政院国家科学委员会补助专题研究计画成果报告
microphagous zooplankton. J.
Marine Systems 1998, Vol 17, Iss
1-4, pp 325-345
Mcleay-L & Alexander-CG. 1998.
The Mechanism of Active
Capture of Animal Food by the
4
and Recycling Associated with
Zooplanktonic Fecal Pellets on
the Shelf of the Middle Atlantic
Bight. Deep-Sea Research Part
Ii-Tropical
Studies
In
Oceanography 1994, Vol 41, Iss
2-4
(26-27 )
24
460
150 µm
I
II
5
10%
4-5
50%
500 cc
10%
8-9
90%
9-10
(Fig. 1)
1 1 25 ppt
27±1 35
Greenwood, 1993)
(Xiao &
30
10
33 )
4.5
25Байду номын сангаасppt
400-450 lux
3 (φ = 24 cm
938 /5l
4-6
(Brooks & Dodson, 1965; Jane et al., 1996)
(fecal pellet)
australis) (Henry, 1977)
行政院国家科学委员会补助人文及社会科学经典译注研究计画作业要点
行政院國家科學委員會補助人文及社會科學經典譯注研究計畫作業要點95年8月9日本會第535次主管會報核定通過95年8月25日臺會文字第0950044615號函公告一、行政院國家科學委員會(以下簡稱本會)為鼓勵譯注人文及社會科學經典,以厚植相關領域研究基礎,特訂定本要點。
二、申請機構(即執行機構)(一)公私立大專院校及公立研究機構。
(二)經本會認可之財團法人學術研究機構。
三、計畫主持人(申請人)之資格(一)符合本會專題研究計畫主持人資格之人文及社會科學領域人員。
(二)退休之人文及社會科學領域教學、研究人員,其原任職機構,於申請經典譯注研究計畫函內,敘明願意提供相關設備供其進行研究並負責一切行政作業者。
四、經典譯注研究計畫(以下簡稱譯注計畫)種類(一)公告書單譯注計畫:由本會人文處設經典譯注評審委員會(以下簡稱評委會)依各學門發展需要遴選相關經典後,公告書單之譯注計畫(公告書單如附件七)。
(二)被推薦人自行提出譯注計畫:評委會推薦適當譯注人選,於公告書單外提出之譯注計畫。
(三)申請人自行提出譯注計畫:非屬評委會推薦之其他申請人自行提出公告書單外之譯注計畫。
五、申請方式(一)提出譯注計畫構想表前點第三項「申請人自行提出譯注計畫」,應於96年10月15日前提出「申請人自行提出譯注計畫構想表」(如附件二),填具原典之書名、著作人、版本等相關資料並檢附申請人洽詢其中文正(繁)體字著作權授權狀況之函件影本(參閱附件三),逕寄本會人文處(不需由學校具函),經評委會認定所提書單臻於經典水準,且符合學門發展方向,本會即函覆申請人,提出譯注計畫之申請。
(二)線上提出譯注計畫計畫主持人應提具下列文件之電子檔,由申請機構彙整並造具申請名冊一式二份,一併函送本會申請;文件不全或不符合規定者,不予受理:1.計畫申請書(1)說明該經典在領域之重要性、重要文獻評述、執行步驟及本計畫完成後之預期效益。
(2)試譯原典五頁、試注(annotation)至少五例。
国科会补助专题研究计画共48页
21、要知道对好事的称颂过于夸大,也会招来人们的反感轻蔑和嫉妒。——培根 22、业精于勤,荒于嬉;行成于思,毁于随。——韩愈
23、一切节省,归根到底都归结为时间的节省。——马克思 24、意志命运往往背道而驰,决心到最后会全部推倒。——莎士比亚
国科会补助专题研究计画
1、合法而稳定的权力在使用得当时很 少遇到 抵抗。 ——塞 ·约翰 逊 2、权力会使人渐渐失去温厚善良的美 德。— —伯克
3、最大限度地行使权力总是令人反感 ;权力 不易确 定之处 始终存 在着危 险。— —塞·约翰逊 4、权力会奴化一切。——塔西佗
5、虽然权力是一头固执的熊,可是金 子可以 拉着它 的鼻子 走。— —莎士 比
25、学习是劳动,是充满思想的
行政院国家科学委员会补助专题研究计画经费处理原则
行政院國家科學委員會補助專題研究計畫經費處理原則102年2月7日第805次主管會報修正第二點及第三點通過一、行政院國家科學委員會(以下簡稱本會)為使行政院國家科學技術發展基金(以下稱科發基金)依本會補助專題研究計畫作業要點補助專題研究計畫(以下稱研究計畫)經費之處理有所依循,特訂定本經費處理原則。
二、支用原則研究計畫經費經核定後,除應依有關法令規定辦理外,並應依照合約及研究計畫經費核定清單所列補助項目(業務費、研究設備費、國外差旅費及管理費)範圍內支用;且須經計畫主持人簽署,始得列支。
(一)業務費:包含研究人力費與耗材、物品、圖書及雜項費用暨國外學者來臺費用。
1.研究人力費:(1)專任助理人員、兼任助理人員及臨時工依本會補助專題研究計畫助理人員約用注意事項之規定辦理約用及核發工作酬金。
(2)研究主持費:依經費核定清單所列標準按月核發。
(3)博士後研究人員費用:依本會補助延攬客座科技人才作業要點及有關規定辦理。
2.耗材、物品、圖書及雜項費用:依研究計畫實際需要及政府有關法令規定之標準核實列支。
3.國外學者來臺費用:依本會補助國外學者專家來臺從事科技合作研究活動支付費用最高標準表辦理。
(二)研究設備費:依經費核定清單所核定之設備,在核定經費限額內核實列支。
(三)國外差旅費:依經費核定清單所核定之出國種類,在核定經費限額內依行政院頒布之中央各機關(含事業機構)派赴國外進修、研究、實習人員補助項目及數額表、國外出差旅費報支要點規定之標準核實報支。
(四)管理費:為執行機構配合執行研究計畫所需之費用,由執行機構統籌支用,且不得違反政府相關規定。
各補助項目之支用應於計畫執行期間內支出;一次核給多年期(同一計畫編號)者,於計畫執行期間,各年度計畫經費清單核列之項目,執行機構得因研究計畫需要,逕行依其內部行政程序於該補助項目內跨年度調整支用。
三、補助項目新增、支出用途變更及經費流用原未核給之補助項目(業務費、研究設備費、國外差旅費),於計畫執行期間經檢討確為研究計畫需要者,執行機構應事先報經本會同意增列,所需經費由其他補助項目流用。
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(三)實施校務基金制度之學校,依國立大學校務基金進用教學人員研究人員及工作人員實施原則聘任之專任教學、研究人員,按月支給待遇,經學校各級教評會審議通過遴聘,符合第一款第一目計畫主持人資格者。
支領研究主持費者,於研究計畫執行期間,因赴國外短期研究、離職轉任非本會補助機構或退休等因素,致無法執行研究計畫時,申請機構應即停止核發研究主持費,並將該款項繳回本會。
計畫主持人如依規定借調至政府機關擔任政務人員,於借調前已執行本會研究計畫並已核給研究主持費者,於擔任政務人員期間不得支領研究主持費;於擔任政務人員期間依規定申請本會研究計畫且經審查通過者,不核給於擔任政務人員期間之研究主持費。
有關自國外延聘歸國服務者得於起聘日起一年內以隨到隨審方式提出1件計畫申請案乙節,增訂「返國服務後未申請研究計畫」條件,以玆明確。
管理費係由本會酌予核給,其支用用途為計畫執行期間所衍生費用,爰刪除本項規定。
十、申請期限:
申請機構及計畫主持人應依本會規定之期限提出申請,逾期不予受理。但申請機構新聘任人員或現職人員,其資格符合規定,且從未申請本會研究計畫者,得於起聘之日或獲博士學位之日起三年內以隨到隨審方式提出,並以申請一件為限;曾申請本會研究計畫之計畫主持人,於外國任教或從事研究服務滿一年以上,受延聘歸國服務且返國服務後未申請本會研究計畫者,亦得於起聘日起一年內,以隨到隨審方式提出計畫申請,並以申請一件為限。本會主動規劃推動之任務或目標導向研究計畫,另依規定之申請期限辦理。
(三)實施校務基金制度之學校,依國立大學校務基金進用教學人員研究人員及工作人員實施原則聘任之專任教學、研究人員,按月支給待遇,經學校各級教評會審議通過遴聘,符合第一款第一目計畫主持人資格者。
(四)公立大專校院依公立大專校院稀少性科技人員遴用資格辦法遴用具博士學位之核能及航太等二類稀少性科技人員。
(五)公立教學醫院以醫療相關作業基金進用之非編制內專任主治醫師二年以上或獲博士學位之專任研究人員從事研究工作二年以上,並有著作發表於國內外著名學術期刊。
除第一項第二款第一目人員外,計畫主持人及共同主持人年齡均不得超過七十歲。
本職為醫藥相關人員申請計畫行之有年,原條文第一款第1目(4)、第2目(3)及第3目(1)「從事專任研究工作」易造成誤解,爰修正文字。
放寬已退休人員申請計畫之申請機構限制,爰修正文字。
計畫核定與否係以計畫審查結果為依據,爰刪除本項規定。
3.教學醫院:
(1)擔任主治醫師滿二年或獲碩士學位從事研究工作滿四年,並有著作發表於國內外著名學術期刊之醫藥相關人員。
(2)具博士學位且受聘為助理研究員或相當資格之專任研究人員。
(二)已依相關法令辦理退休之人員:
中央研究院院士、曾獲得教育部國家講座或學術獎、本會三次傑出研究獎、財團法人傑出人才發展基金會傑出人才講座或經本會認可之其他相當獎項,且申請機構於申請研究計畫函內敘明願意提供相關空間及設備供其進行研究並負責一切行政作業者。
(四)公立大專校院依公立大專校院稀少性科技人員遴用資格辦法遴用具博士學位之核能及航太等二類稀少性科技人員。
(五)公立教學醫院以醫療相關作業基金進用之非編制內專任主治醫師二年以上或獲博士學位之專任研究人員從事研究工作二年以上,並有著作發表於國內外著名學術期刊。
具有前項第一款資格,且依相關規定被借調之人員,得由原任職機構提出申請。但借調至政府機關之駐外單位任職人員,不得提出申請。申請機構為行政機關者,計畫主来自人及共同主持人不核給研究主持費。
研究主持費係由本會依審查結果酌予核給,爰刪除本項規定。
八、管理費:
研究計畫經本會審查通過者,得於研究計畫執行期間酌予核給管理費。
八、管理費:
研究計畫經本會審查通過者,得於研究計畫執行期間酌予核給管理費。
申請機構為行政機關者,不核給管理費。
七、研究主持費:
計畫主持人近五年內研究績效優異,研究計畫經本會審查通過者,得於研究計畫執行期間核給研究主持費。
整合型或本會主動規劃推動之
研究計畫,其共同主持人未擔任本會其他專題研究計畫主持人,且其近五年內研究績效優異者,得於研究計畫執行期間核給研究主持費。
計畫主持人或共同主持人於研究計畫執行期間僅得支領一份研究主持費。已領取本會特約研究計畫主持費者,不得再領取研究主持費。但執行產學合作研究計畫或本會主動規劃推動之研究計畫所具領之研究補助費或主持費,不在此限。
支領研究主持費者,於研究計畫執行期間,因赴國外短期研究、離職轉任非本會補助機構或退休等因素,致無法執行研究計畫時,申請機構應即停止核發研究主持費,並將該款項繳回本會。
計畫主持人如依規定借調至政府機關擔任政務人員,於借調前已執行本會研究計畫並已核給研究主持費者,於擔任政務人員期間不得支領研究主持費;於擔任政務人員期間依規定申請本會研究計畫且經審查通過者,不核給於擔任政務人員期間之研究主持費。
具有前項第一款資格,且依相關規定被借調之人員,得由原任職機構提出申請。但借調至政府機關之駐外單位任職人員,不得提出申請。
三、計畫主持人(申請人)及共同主持人之資格:
(一)申請機構編制內按月支給待遇之專任人員,且具備下列資格之一者:
1.公私立大專校院:
(1)助理教授以上人員。
(2)擔任講師職務滿四年,並有著作發表於國內外著名學術期刊或專利技術報告專書。
3.教學醫院:
(1)擔任主治醫師滿二年或獲碩士學位從事專任研究工作滿四年,並有著作發表於國內外著名學術期刊之醫藥相關人員。
(2)具博士學位且受聘為助理研究員或相當資格之專任研究人員。
(二)已依相關法令辦理退休之人員,符合以下情形之一者:
1.中央研究院院士或教育部終生榮譽國家講座主持人,申請機構聘任為專任講座按月支給待遇,且於申請研究計畫函內敘明願意提供相關空間及設備供其進行研究並負責一切行政作業。
十、申請期限:
申請機構及計畫主持人應依本會規定之期限提出申請,逾期不予受理。但申請機構新聘任人員或現職人員,其資格符合規定,且從未申請本會研究計畫者,得於起聘之日或獲博士學位之日起三年內以隨到隨審方式提出,並以申請一件為限;曾申請本會研究計畫之計畫主持人,於外國任教或從事研究服務滿一年以上,受延聘歸國服務者,亦得於起聘日起一年內,以隨到隨審方式提出計畫申請,並以申請一件為限。本會主動規劃推動之任務或目標導向研究計畫,另依規定之申請期限辦理。
(3)具博士學位且受聘為助理研究員以上或相當資格之專任研究人員。
(4)附屬醫院中擔任主治醫師滿二年或獲碩士學位從事專任研究工作滿四年,並有著作發表於國內外著名學術期刊之醫藥相關人員。
2.公私立研究機構:
(1)副研究員以上人員。
(2)具博士學位且受聘為助理研究員或相當資格之專任研究人員。
(3)擔任主治醫師滿二年或獲碩士學位從事專任研究工作滿四年,並有著作發表於國內外著名學術期刊之醫藥相關人員。
(3)具博士學位且受聘為助理研究員以上或相當資格之專任研究人員。
(4)附屬醫院中擔任主治醫師滿二年或獲碩士學位從事研究工作滿四年,並有著作發表於國內外著名學術期刊之醫藥相關人員。
2.公私立研究機構:
(1)副研究員以上人員。
(2)具博士學位且受聘為助理研究員或相當資格之專任研究人員。
(3)擔任主治醫師滿二年或獲碩士學位從事研究工作滿四年,並有著作發表於國內外著名學術期刊之醫藥相關人員。
七、研究主持費:
計畫主持人近五年內研究績效優異,研究計畫經本會審查通過者,得於研究計畫執行期間核給研究主持費。
整合型或本會主動規劃推動之研究計畫,其共同主持人未擔任本會其他專題研究計畫主持人,且其近五年內研究績效優異者,得於研究計畫執行期間核給研究主持費。
計畫主持人或共同主持人於研究計畫執行期間僅得支領一份研究主持費。已領取本會特約研究計畫主持費者,不得再領取研究主持費。但執行產學合作研究計畫或本會主動規劃推動之研究計畫所具領之研究補助費或主持費,不在此限。
行政院國家科學委員會補助專題研究計畫作業要點部分規定修正對照表
修正規定
現行規定
說明
三、計畫主持人(申請人)及共同主持人之資格:
(一)申請機構編制內按月支給待遇之專任人員,且具備下列資格之一者:
1.公私立大專校院:
(1)助理教授以上人員。
(2)擔任講師職務滿四年,並有著作發表於國內外著名學術期刊或專利技術報告專書。