爱普生晶振SG-9001JC可编程晶体振荡器规格书

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爱普生osc有源晶振 SG-9101CB晶体振荡器规格书资料

►Designed for automotive applications such as Car Multimedia, Body Electronics, Remote Keyless Entry etc.
►Designed for automotive applications related to driving safety (Engine Control Unit, Air Bag, ESC etc ).
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爱普生晶振SG-8002LB可编程晶体振荡器规格书

25 pF 50 pF
(f0≤125 MHz) (f0≤66.7 MHz)
40 % ~ 60 % ↑ 45 % ~ 55 %
15 pF (f0≤55 MHz) 40 % ~ 60 %
25 pF (f0≤40 MHz) 45 % ~ 55 %
15 pF
40 % ~ 60 %
CMOS *1 L_CMOS
-
15 pF Max.
(SG-8002LB)
15 pF Max.
25 pF Max
15 pF Max. (SG-8002CA / JA / DC / DB)
VIH VIL
2.0 V Min. 0.8 V Max.
70 % VCC Min. 20 % VCC Max.
OE
ST
40 % ~ 60 % (50 % VCC, L_CMOS=15 pF, f0≤66.7 MHz)
5TTL+15pF (f0≤125 MHz) 25 pF (f0≤66.7 MHz)
40 % ~ ↑ 45 % ~
60 55
% %
5 TTL+15 pF (f0≤40 MHz) 40 % ~ 60 %
15 pF (f0≤55 MHz) 45 % ~ 55 %
1
OE ST
2
GND
3
OUT
4
VCC
VCC-GND 0.01~0.1uF
【EPSON晶振大中华区样品中心 - 深圳扬兴科技有限公司】
荡
www.yxc.hk
SG-8002JA
SOJ 4pin 14.0x9.8x4.7 mm Package and pin compatible with SG-615.

SG-9001JC晶振, (晶体振荡器扩展频谱)

无负载条件，f0 = 166 MHz OE=GND, f0 = 166 MHz CMOS 负载： 50 % VCC 极，L_CMOS=15 pF IOH=-8 mA IOL= 8 mA OE 终端 20 % VCC ~ 80 % VCC 极，L_CMOS=15 pF. 在电源电压最低时，所需时间为 0 秒 +25 C，第一年
本材料中记载的品牌名称或产品名称是其所有人的商标或注册商标。
Seiko Epson Corporation
关于在目录内使用的记号
●无铅。 ●符合欧盟 RoHS 指令。欧盟 RoHS 指令免检的含铅产品。（密封玻璃、高温熔化性焊料或其他材料中包含铅。） ●为汽车方面的应用，如汽车多媒体、车身电子、遥控无钥门锁等。
●为汽车行驶安全方面的应用（引擎控制单元、气囊、电子稳定程序控制系统）。
注意事项
·本材料如有变更，恕不另行通知。量产设计时请确认最新信息。 ·未经 Seiko Epson 公司书面授权，禁止以任何形式或任何方式复制或者发布本材料中任何部分的信息内容。 ·本材料中的书面信息、应用电路、编程、使用等内容仅供参考。Seiko Epson 公司对第三方专利或版权的侵权行为不负有任何责任。本材料未对任何专利或知识版权的许可权进行授权。 ·本材料中规格表中的数值大小通过数值线上的大小关系表示。 ·当出口此材料中描述的产品或技术时，你应该遵守相应的出口管制法律和法规，并按照这些法律和法规的要求执行。请不要将产品（以及任何情况下提供任何的技术信息）用于开发或制造大规模杀伤性武器或其他军事用途。还要求，不要将产品提供给任何将产品用于此类违禁用途的第三方。 ·此类产品是基于在一般电子机械内使用而设计开发的，如将产品应用于需要极高可靠性的特定用途，必须实现得到弊公司的事前许可。若无许可弊公司将不负任何责任。 1.太空设备（人造卫星、火箭等） 2.运输车辆机器控制装置（汽车、飞机、火车、船舶等） 3.用于维持生命的医疗器械 4.海底中转设备 5.发电站控制机器 6.防灾防盗装置 7.交通设备 8.其他，用于与 1～7 具有同等可靠性的用途。

爱普生(EPSON)晶体振荡器SG-210STF规格书

未对任何专利或知识版权的许可权进行授权。 ·本材料中规格表中的数值大小通过数值线上的大小关系表示。 ·当出口此材料中描述的产品或技术时，你应该遵守相应的出口管制法律和法规，并按照这些法律和法规的要求执行。
请不要将产品（以及任何情况下提供任何的技术信息）用于开发或制造大规模杀伤性武器或其他军事用途。还要求，不要将产品提供给任何将产品用于此类违禁用途的第三方。 ·此类产品是基于在一般电子机械内使用而设计开发的，如将产品应用于需要极高可靠性的特定用途，必须实现得到弊公司的事前许可。若无许可弊公司将不负任何责任。
上升/下降时间振荡启动时间
频率老化
Hale Waihona Puke 相位噪音ICCI_std SYM VOH VOL L_CMOS VIH VIL
tr/ tf
t_str f_aging
C/N
1.6 V to 3.6 V
1.71 V to 3.6 V
1.8 V Typ. 1.6 V ~ 2.2 V
2.2 V to 3.6 V 2.5 V Typ.
关于在目录内使用的记号
●无铅。
●符合欧盟 RoHS 指令。欧盟 RoHS 指令免检的含铅产品。（密封玻璃、高温熔化性焊料或其他材料中包含铅。）
●为汽车方面的应用，如汽车多媒体、车身电子、遥控无钥门锁等。
●为汽车行驶安全方面的应用（引擎控制单元、气囊、电子稳定程序控制系统）。
注意事项
·本材料如有变更，恕不另行通知。量产设计时请确认最新信息。 ·未经 Seiko Epson 公司书面授权，禁止以任何形式或任何方式复制或者发布本材料中任何部分的信息内容。 ·本材料中的书面信息、应用电路、编程、使用等内容仅供参考。Seiko Epson 公司对第三方专利或版权的侵权行为不负有任何责任。本材料

爱普生晶振SG-3030CM晶体振荡器规格书

-55 °C ~ +125 °C
-40 °C ~ +85 °C +5±23 × 10-6
+10 × 10-6 / -120 × 10-6 ±2 × 10-6 / V Max.
2 µA Max.
45 % ~ 55 %
输出电压
VOH VOL
输出负载条件（CMOS） L_CMOS
VIO -0.4V Min. 0.4V Max. 15 pF Max.
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请不要将产品（以及任何情况下提供任何的技术信息）用于开发或制造大规模杀伤性武器或其他军事用途。还要求，不要将产品提供给任何将产品用于此类违禁用途的第三方。 ·此类产品是基于在一般电子机械内使用而设计开发的，如将产品应用于需要极高可靠性的特定用途，必须实现得到弊公司的事前许可。若无许可弊公司将不负任何责任。
1.太空设备（人造卫星、火箭等） 2.运输车辆机器控制装置（汽车、飞机、火车、船舶等） 3.用于维持生命的医疗器械 4.海底中转设备 5.发电站控制机器 6.防灾防盗装置 7.交通设备 8.其他，用于与 1～7 具有同等可靠性的用途。
本材料中记载的品牌名称或产品名称是其所有人的商标或注册商标。
Seiko Epson Corporation
CD RF
CG
V IO OUT
GND
条件
裸存 +25 °C, VCC=3.3V -20 °C ~ +70 °C (+25 C 为基准温度) +25 °C, 3.3V, 无负载条件 1/2VCC(VIO) 级别 IOH=-0.4mA IOL= 0.4mA CMOS 负载 CMOS 负载:20 % VCC(VIO) ~ 80 % VCC(VIO) 级别电源电压最低时,所需时间为 0 秒. +25 °C +25 °C,VCC=3.3 V, 第一年

epson晶振选型手册

Epson晶振选型手册引言概述：Epson晶振选型手册是一本提供关于Epson晶振选型的专业指导手册。

晶振作为一种重要的电子钟振装置，广泛应用于各类电子设备中，对于设备的稳定性和精准性起到关键作用。

本手册将从多个方面介绍Epson晶振的选型原则和方法，以帮助读者准确选型和应用。

正文内容：1. 晶振的基本原理1.1 晶振的作用与功能1.1.1 提供时钟信号1.1.2 稳定电子设备的工作频率1.1.3 控制和同步各设备之间的通信1.1.4 精确计时和定时功能1.2 晶振的工作原理1.2.1 晶体振荡原理1.2.2 纯谐振条件与频率稳定性1.2.3 晶振的构造与材料选择2. Epson晶振的特点与优势2.1 高稳定性和低功耗2.1.1 稳定性与频率偏移2.1.2 低功耗对电池寿命的影响2.2 宽温度范围和长寿命2.2.1 温度对晶振频率的影响2.2.2 长期使用的可靠性和稳定性2.3 大容量和小封装尺寸2.3.1 容量对数据传输速率的影响2.3.2 封装尺寸对电路板设计的要求3. Epson晶振选型原则3.1 需求分析和参数确定3.1.1 设备类型和用途3.1.2 工作频率和精度要求3.1.3 温度范围和环境影响3.2 选择适合的晶振类型3.2.1 晶振频率范围和精度等级3.2.2 温度补偿和温度响应特性3.2.3 封装尺寸和安装要求3.3 参考设计和测试验证3.3.1 参考电路设计3.3.2 振荡电路测试和频率测量3.3.3 选型结果评估和优化4. Epson晶振选型案例分析4.1 移动方式晶振选型4.1.1 高稳定性和小封装尺寸的需求4.1.2 多频段应用的选择考虑4.2 电子表计晶振选型4.2.1 长期使用和温度范围要求4.2.2 低功耗和电池寿命的平衡4.3 工业自动化控制晶振选型4.3.1 高频率和精度要求4.3.2 多通道同步和控制4.3.3 长寿命和可靠性的考虑5. Epson晶振应用注意事项5.1 环境温度和封装要求5.2 抗振动和抗干扰性能5.3 防静电措施和电源干扰5.4 长期使用和老化问题结语：本手册全面介绍了Epson晶振的选型原则和方法，包括晶振的基本原理、Epson晶振的特点与优势、选型原则、案例分析以及应用注意事项。

爱普生(EPSON)高精度晶体振荡器TG-5006CJ CE CG规格书

±2.0 × 10-6 Max. / -40 °C ~ +85 °C
±0.2 × 10-6 Max. ±0.2 × 10-6 Max. ±1.0 × 10-6 Max. ±1.5 × 10-6 Max.
+25 °C (GPS)
()
10 kΩ // 10 pF ±10 %
VCC±5%
+25 °C,
,13 MHz ≤ f0≤ 40 MHz
●为汽车行驶安全方面的应用（引擎控制单元、气囊、电子稳定程序控制系统）。
注意事项
·本材料如有变更，恕不另行通知。量产设计时请确认最新信息。 ·未经 Seiko Epson 公司书面授权，禁止以任何形式或任何方式复制或者发布本材料中任何部分的信息内容。 ·本材料中的书面信息、应用电路、编程、使用等内容仅供参考。Seiko Epson 公司对第三方专利或版权的侵权行为不负有任何责任。本材料
A
0.75
1.0
1.15
B
0.6
0.8
0.85
C
1.13
1.4
1.6
D
1.65
2.1
2.6
VCC-GND
0.01~0.1uF
推进环境管理体系符合国际标准
在环境管理体系的运行方面，使用 ISO14001 国际环境标准，通过“计划-实施-检查-验证（PDCA）的循环来实现持续改进。公司位于日本和海外的主要制造基地已取得了 ISO14001 资格认证。
b
(d )
#4
TG-5006CG #1 C0.2
1.2
#3
2.1
#2
c
1.5
TG-5006CJ TG-5006CG TG-5006CE

SG-9001JC中文资料

Байду номын сангаас
SG-9001CA
SG-9001JC
Actual size
Specifications (characteristics)
Item Symbol Output frequency range f0 Max. supply voltage VDD-GND Power source voltage Operating voltage VDD Temperature range Storage temperature TSTG TOPR lop IOE tw/t VOH VOL CL VIH VIL tR tF tOSC fa C02P ±0.25% D05P -0.5% Specifications 10.0000 MHz to 166.0000 MHz -0.5 V to +7.0 V 3.3 ±0.3 V -55 ºC to +100 ºC -40 ºC to +125 ºC -20 ºC to +70 ºC 30 mA Max. 20 mA Max. 45 % to 55 % VDD -0.4 V Min. 0.4 V Max. 15 pF Max. 0.7 VDD Min. 0.3 VDD Max. 2.7 ns Max. 2.7 ns Max. 10 ms Max. ±5 x 10-6 / year Max. C05P ±0.5% D10P -1.0% C07P ±0.75% D15P -1.5% C10P ±1.0% D20P -2.0% Remarks Please contact us for inquiries about the available frequency
Spread Spectrum Specifications

晶体振荡器产品说明书

Outline (mm)DescriptionStandard 2.5 x 2.0 oscillator in a ceramic package with a hermetically sealed metal lid.IQXO-791Model Model Issue number 2Frequency ParametersFrequency16.0MHz Frequency Stability±50.00ppm -40.00 to 85.00°C Operating Temperature RangeAgeing±3ppm max per year @ 25°CElectrical Parameters 3.3V ±10%Supply Voltage7.000mACurrent DrawOutput Details Output CompatibilityHCMOS Drive Capability 15pF7.0ns maxRise and Fall Time 40/60%Duty CycleOutput Voltage Levels:Output Low (VoL): 10%Vs maxOutput High (VoH): 90%Vs minStart Up Time: 10ms max0.7ms typ to 90% of final amplitude (under ideal conditions @ 25°C)Output Control Enable/Disable:Logic ‘1’ (≥70% Vs) to pad 1 enables oscillator output.Logic ‘0’ (≤30% Vs) to pad 1 disables oscillator output; when disabled the oscillator output goes to the high impedance state.No connection to pad 1 enables oscillator output.Stand-by Current: 10μA max, 1.0µA typ @ 25°CNoise ParametersPeriod Jitter (pk-pk): ±80ps typPeriod Jitter (1σ): ±10ps typPhase Jitter (12kHz to 20MHz): 1ps rms maxEnvironmental ParametersStorage Temperature Range: -55 to 125°CMechanical Shock: MIL-STD-883, Method 2002, Condition B (or comparable).Vibration: MIL-STD-883, Method 2007, Condition A (or comparable).Manufacturing DetailsNote: Do not connect inductor or bead between pad 2 and GND as it can make the output unstable.RoHS TerminationsRoHS Reflow Temp 260°C max for 10secs max Sales Office Contact Details:USA: +1.760.318.2824France: 0800 901 383UK: +44 (0)1460 270200Web: ComplianceCompliant RoHS Status (2011/65/EU)Compliant REACh StatusMSL Rating (JDEC-STD-033):Not ApplicablePackaging Details Tape & reel in accordance with EIA-481DPack Style: ReelPack Size: 3,000Alternative packing option available Sales Office Contact Details:USA: +1.760.318.2824France: 0800 901 383UK: +44 (0)1460 270200Germany************Email:*****************************Web: 。

爱普生(EPSON)高精度晶体振荡器TG5032CCN TG5032SCN规格书

6.0 mA Max. / 8.0 mA Max.
5.0 mA Max.
8.0 mA Max. / 10.0 mA Max.
100 kΩ Min.
100 kΩ Min.
±5 ×10-6 ~ ±10 ×10-6
±5 ×10-6 ~ ±10 ×10-6
, +25 °C
-40 ºC ~ +85 ºC
Load ±10 %
): 40 MHz) 50 MHz) 40 MHz) 50 MHz)
±3.0 ×10-6 Max. (Stratum3 )
±0.01 × 10-6 Max.( +25 °C , 24
)
±0.04 × 10-6 Max.( +25 °C , 24
)
±4.6 × 10-6 Max.
5.0 mA Max. / 6.0 mA Max.
90 % VCC
:15pF
0
―― (
― ― ― ― ― TG5032 C CN 30.720000MHz C B G N N A
)― ― ― ― ― OE
(C: CMOS, S: Clipped sine wave)
―
(C: 3.3 V Typ.)
(B: ±0.28 × 10-6 Max.)
(G: -40 °C ~ +85 °C)
(N: ) VC (A: VC =any, D: VC =1.5 V, E: VC =1.65 V, H: VC =2.5 V, N: )
( :mm)
#4
#3
Marking
#4
(A极 ) ( :mm)
1.10 #3
3.20±0.2
#1

爱普生(EPSON)高精度晶体振荡器TG5032CBN TG5032SBN规格书

TCXO/VC-TCXO
TG5032CBN TG5032SBN
•
: 10 MHz ~ 50 MHz
•
: 3.3 V Typ. / 5.0 V Typ.
•
: ±0.28 × 10-6 Max. (Stratum3 )
•
: ±3.0 × 10-6 Max. / 20 (Stratum3 )
•
: 5.0 × 3.2 × 1.45 mm (10 )
VCC ±5 %
+25 °C, +25 °C , 20
10 48
a), b), c), d), e)容 10 MHz f0 26 MHz (3.3V / 5.0V) 26 MHz f0 40 MHz (3.3V / 5.0V) 40 MHz f0 50 MHz (3.3V / 5.0V) VC- GND (DC) J,D :VC=1.5 V ± 1.0 V (VCC=3.3 V) K,E: VC=1.65 V ± 1.0 V (VCC=3.3 V) L,H: VC=2.5 V ± 2.0 V (VCC=5.0 V)
6.0 mA Max. / 8.0 mA Max.
5.0 mA Max.
8.0 mA Max. / 10.0 mA Max.
100 kΩ Min.
100 kΩ Min.
±5 ×10-6 ~ ±10 ×10-6
±5 ×10-6 ~ ±10 ×10-6
, +25 °C
-40 ºC ~ +85 ºC
Load ±10 %
ISO 14000 是国际标准化组织于 1996 年在全球化变暖、臭氧层破坏、以及全球毁林等环境问题日益严重的背景下提
出的环境管理国际标准。

MXL 晶体振荡器产品参考表说明书

C L K O S CV C X OT C X OV C T C X OM C FList of products24.000 MHz ～ 80.000 MHz20.000 MHz ～ 80.000 MHz16.000MHz ～ 80.000 MHz12.000 MHz ～ 150.000 MHz9.840 MHz ～ 50.000 MHz10.000MHz ～ 300.000 MHz8.000MHz ～ 60.000 MHz10.000MHz ～ 50.000 MHz9.000MHz ～ 150.000 MHz12.000 MHz ～ 50.000 MHz10.000 MHz ～ 67.000 MHz8.000MHz ～ 10.000 MHz1.20.31.61.60.452.02.00.52.52.50.653.22.50.83.23.20.855.03.21.3 / 1.55.03.21.15.03.51.06.03.50.96.03.51.26.05.01.17.0 / 7.5C L K O S CV C X O T C X O V C T C X O M C F6.000 MHz ～ 70.000 MHz6.000 MHz ～ 70.000 MHz4.000 MHz ～ 50.000 MHz3.579545 MHz ～ 25.000 MHz3.579545 MHz ～ 25.000 MHz3.579545 MHz ～ 32.000 MHz3.579545 MHz ～ 32.000 MHz3.579545 MHz ～ 32.000 MHz3.579545 MHz ～ 61.000 MHz5.01.17.0 / 7.55.01.17.0 / 7.54.51.88.05.51.5 / 1.811.85.02.111.04.33.612.44.74.213.04.74.213.04.74.312.43.112.44.72.612.44.710.52.15.011.35C L K O S CV C X OT C X OV C T C X OM C FList of products3.579545 MHz ～ 61.000 MHz3.579545 MHz ～ 61.000 MHz6.000 MHz ～ 200.000 MHz 10.000 MHz ～ 200.000 MHz20.000 MHz ～ 200.000 MHz1.000 MHz ～ 1.200 MHz1.84320 MHz ～ 200.000 MHz1.84320 MHz ～ 200.000 MHz10.55.011.352.510.55.011.353.57.83.1 / 2.88.02.55.88.03.1 / 2.82.54.48.03.1 / 2.82.58.07.97.13.2 / 2.76.03.2 / 2.77.97.14.57.97.13.2 / 2.711.54.913.5 / 11.54.013.5 / 11.211.34.9C L K O S C V C X O T C X O V C T C X OM C F List of products32.768 kHz 32.768 kHz 32.768 kHz 32.768 kHz 32.768 kHz 32.768 kHz 32.768 kHz 32.768 kHz 30.000 kHz 100.000 kHz32.768 kHz 32.768 kHz 1.20.552.01.50.83.21.81.04.91.51.47.09.0 2.543.02.58.32.542.31.24.73.72.47.94.1C L K O S CV C X OT C X OV C T C X O M C FList of products32.768 kHz 32.768 kHz 32.768 kHz 30.000 kHz ～ 100.000 kHz 30.000 kHz ～ 100.000 kHz 1.45.01.96.01.96.01.24.7X T A LV C X OT C X O V C T C X O M C F List of productsCMOSCMOSCMOSCMOS CMOS CMOSCMOSCMOSCMOSCMOSCMOSCMOS1.60.752.02.00.92.52.51.03.22.00.92.52.51.03.23.21.25.05.01.37.02.00.92.52.51.03.23.21.055.05.01.37.01.60.752.5XTALVCXOTCXOVCTCXOMCFList of productsCMOS CMOS CMOSLVPECL LVPECL LVPECLLVDS LVDS LVDSHCSL HCSL HCSL5.01.37.03.21.055.02.51.03.25.01.57.02.50.93.23.21.25.05.01.57.02.50.93.23.21.25.05.01.57.02.50.93.23.21.25.0X T A LV C X O T C X O V C T C X O M C F List of productsCMOS CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS 2.50.93.21.51.03.22.00.92.52.51.03.23.21.25.05.01.37.0XTALCLKOSCTCXOVCTCXOMCFList of productsCMOS CMOS CMOSCMOS CMOSCMOS LVPECL LVPECLLVPECL LVDS2.00.92.52.01.03.22.50.93.23.21.25.03.21.25.05.01.67.05.01.57.03.21.25.05.01.77.02.50.93.2CMOS5.01.77.0LVDS3.21.25.0X T A LC L K O S CT C X O V C T C X O M C FXTALCLKOSCVCXOVCTCXOMCFList of products12CLIPPED SINE CLIPPED SINE CLIPPED SINECLIPPED SINE CLIPPED SINE CLIPPED SINECLIPPED SINECLIPPED SINE CLIPPED SINECLIPPED SINE CLIPPED SINE CLIPPED SINE1.60.72.01.60.72.01.60.72.01.60.72.01.60.72.01.60.72.02.00.82.52.00.82.5VcontrolX T A LC L K O S CV C X O V C T C X OM C F 13CLIPPED SINE CLIPPED SINE CLIPPED SINE CLIPPED SINE CLIPPED SINE CLIPPED SINE CLIPPED SINE CLIPPED SINE CLIPPED SINE CLIPPED SINE CLIPPED SINE 2.00.82.52.00.82.52.00.82.52.00.82.52.50.93.22.50.93.22.50.93.23.21.055.03.21.055.05.01.657.05.01.657.02.50.93.2E/D contro + VcontrollVcontrolXTALCLKOSCVCXOVCTCXOMCFList of products14CMOSCMOS CLIPPED SINE CLIPPED SINECMOS CMOSCLIPPED SINE CMOS CMOSCMOS CLIPPED SINE CLIPPED SINE2.00.92.52.51.03.23.21.055.05.01.37.03.21.55.03.21.55.03.21.55.03.21.55.03.21.55.03.21.55.0X T A LC L K O S CV C X O V C T C X OM C F 15CLIPPED SINE CMOSCMOSCLIPPED SINE CLIPPED SINE CMOSCLIPPED SINE CMOSCLIPPED SINE CLIPPED SINE 5.01.77.05.01.77.05.01.77.05.01.77.05.01.77.05.01.77.05.01.77.05.01.77.03.21.75.03.21.75.0VcontrolXTALCLKOSCVCXOVCTCXOMCFList of products16CMOS CMOS3.21.75.03.21.75.0X T A LC L K O S CV C X O T C X O M C F 17CMOS9.76.514.6X T A LC L K O S CV C X O T C X O V C T C X O List of products1814.575 MHz ～ 150.000 MHz21.400 MHz ～ 90.000 MHz5.01.357.05.00.87.03.81.03.8V C X OT C X OO C X OM C FV C X OT C X OO C X OM C F 2223PACKAGE DATA#1#4#2#3<Top View><#2&#4 : Grounded to metal lid>11 M 260 - 7Package typeLoad capacitance (CL)Circuit calibration conditionFrequency designatorAT -CUTTYPICAL TEMPERATURE CHARACTERISTICSC )∆f/f(ppm)SOLDERING PATTERNM C FM C F 2425TYPICAL TEMPERATURE CHARACTERISTICS2627Actual size0.0165 gm (wt.)32SMX(A)3.2±0.1#4#3282953SMX(B)0.0238 gm (wt.) Actual size53SMX(C)0.0413 gm (wt.)Actual size53SMX(D)0.0564 gm (wt.)Actual size303197SMX(A)0.0585 gm (wt.) Actual size97SMX(B)0.0531 gm (wt.)Actual size97SMX(C)0.0549 gm (wt.)Actual size323394SMX(B)0.1213 gm (wt.)Actual size94SMX(C)0.1266 gm (wt.)Actual size94SMX(D)0.1249 gm (wt.)Actual size3435363793SMX(A)8.0±0.20.1667 gm (wt.)Actual size0.208 gm (wt.)93SMX(B)Actual size383992SMX(CN)11.8±0.20.2568 gm (wt.)Actual size0.2355 gm (wt.)92SMX(D)Actual size86SMX(LPN)0.344 gm (wt.)Actual size86SMX(CSM)0.6703 gm (wt.)Actual size404142434HLB0.5722 gm (wt.)Actual size0.5434 gm (wt.)3HLBActual size25HLB0.402 gm (wt.)Actual sizeC L K O S CV C X OT C X OO C X OM C FC L K O S CV C X OT C X OO C X OM C F4445STANDARD SPECIFICATIONSHOLDER DATAHC-49/U-2H, 3H & 4H STANDARD FREQUENCIES4H 080 -16Holder typeLoad capacitance (CL)Frequency designatorExamplePART NUMBERING GUIDETYPICAL TEMPERATURE CHARACTERISTICSC )∆f/f(ppm)AT -CUTHC-49/U-2H10.5 max.m a x .3.8 max.HC-49/U-3Ha x .HC-49/U-4Ha x .0.336 gm (wt.)HC -49/U -2HActual sizeHC -49/U -3H0.4432 gm (wt.)Actual sizeHC -49/U -4H0.535 gm (wt.)Actual size200-20-40-60-80-100-120-140-160-180-200-220-240-40 -25 -10 +5 +20 +35 +50 +65 +80 +95 +110TYPICAL TEMPERATURE CHARACTERISTICS(゜C )∆f/f (ppm)BT -CUT46T O C X OM C F0.41 gm (wt.)0.336 gm (wt.)UM -4(MJ)0.31 gm (wt.)PACKAGE DATAPART NUMBERING GUIDEUM1(MJ) / 12.288M - 16 / Q / TTiiiPackage type Temperature stability Frequency Frequency toleranceLoad capacitance (CL)-45 -30 -15 0 +15 +30 +45 +60 +75 +90TYPICAL TEMPERATURE CHARACTERISTICSC )∆f/f (ppm)AT -CUTUM-1(MJ), UM-5(MJ), UM-4(MJ)ACTUAL SIZETAPE SPECIFICATIONSA B C D F J L M Reel Dia.Qty/Reel 12.48.224.011.512.01.50.43.33301000pcsA B C D F J L M Reel Dia.Qty/Reel 10.68.224.011.512.01.50.43.33301000pcsUM-5(MJ) & UM-5S(MJ)A B C D F J L M Reel Dia.Qty/Reel 9.28.216.07.512.01.50.43.33301000pcsUM-4(MJ) & UM-4S(MJ)47C L K O S CV C X O T C X OO C X OM C F0.295 gm (wt.)STANDARD SPECIFICATIONSHOLDER DATAUM1 / 15.360M - 16 / J / OOiiiHolder type Temperature stabilityFrequencyFrequency tolerance Load capacitance (CL)PART NUMBERING GUIDETYPICAL TEMPERATURE CHARACTERISTICSC )∆f/f(ppm)AT -CUTSL -CUTUM-1, UM-5 & UM-4Holder UM-1UM-5UM-4H8.0 mm max.6.0 mm max.4.5 mm max.UM-1S, UM-5S & UM-4SHolder UM-1UM-5UM-4H8.0 mm max.6.0 mm max.4.5 mm max.UM -10.354 gm (wt.)Actual sizeUM -5Actual sizeUM -40.254 gm (wt.)Actual size48M C FPACKAGE DATATYPICAL TEMPERATURE CHARACTERISTICSA B C D F J L M Reel Dia.Qty/Reel 19.012.024.011.516.01.50.46.03301000pcsA B C D F J L M Reel Dia.Qty/Reel 17.812.024.011.516.02.00.45.63301000pcsHC-49/UT(MJ)49C L K O S C V C X O T C X OO C X OM C FHOLDER DATASTANDARD SPECIFICATIONSPART NUMBERING GUIDE49 M 2.4576M - 16 / T / XXgggHolder type Temperature stability Circuit calibration condition Frequency tolerance FrequencyLoad capacitance (CL)TYPICAL TEMPERATURE CHARACTERISTICSC )∆f/f(ppm)AT -CUTHC-49 / U, HC-49 / UT10.5 max.3.8 max.Holder HC-49/U HC-49/UT H13.5 mm max.11.2 mm max.HC -49 / U0.975 gm (wt.)Actual sizeHC -49 / UT0.9075 gm (wt.)Actual size50O C X OM C FPACKAGE DATA38.400MHz 11SMX O / OO / iii / 7FrequencyLoad capacitance (CL)Package type Operating temperature rangeFrequency toleranceTemperature stabilityExampleTYPICAL TEMPERATURE CHARACTERISTICSC )∆f/f(ppm)AT -CUTTAPE SPECIFICATIONS51O C X OM C FPACKAGE DATA27.000MHz 21SMX R / TT / iii / 8FrequencyLoad capacitance (CL)Package type Operating temperature rangeFrequency toleranceTemperature stability21SMX#4#32.0±0.1TYPICAL TEMPERATURE CHARACTERISTICSC )∆f/f(ppm)AT -CUT0.00568 gm (wt.)Actual size Actual sizeTAPE SPECIFICATIONS52O C X OM C FPACKAGE DATA48.000MHz 22SMX Q / TT / mll / 8FrequencyLoad capacitance (CL)Package type Operating temperature rangeFrequency toleranceTemperature stabilityExampleTYPICAL TEMPERATURE CHARACTERISTICSC )∆f/f(ppm)AT -CUT22SMX2.5±0.10.00953 gm (wt.)Actual size TAPE SPECIFICATIONS53M C FPACKAGE DATA TAPE SPECIFICATIONS54M C FPACKAGE DATATAPE SPECIFICATIONS55M C FPACKAGE DATA TAPE SPECIFICATIONS110SMX 1.6±0.10.003 gm (wt.) Actual sizeA B C D F J L M Reel Dia.Qty/Reel1.85 1.258.0 3.5 4.00.50.250.651803000pcs5000pcs58Actual sizeActual size0.0055 gm (wt.)212SMX2.0±0.055931SMX 3.2±0.20.0125 gm (wt.) Actual size6061O C X M C FPACKAGE DATA415SMX4.1±0.2TYPICAL TEMPERATURE CHARACTERISTICS0.017 gm (wt.)Actual sizeActual sizeTAPE SPECIFICATIONS62O C M C FPACKAGE DATA52SMX4.9±0.15TYPICAL TEMPERATURE CHARACTERISTICS0.0257 gm (wt.)Actual sizeTAPE SPECIFICATIONS124SMX7.0 max.50.0295 gm (wt.)Actual size63MCF90SMX(N)<Top View>TYPICAL TEMPERATURE CHARACTERISTICSC¨I I(ppm)XY-CUT0.125 gm (wt.)Actual size0.121 gm (wt.)90SMX(S)Actual sizeTAPE SPECIFICATIONSA B C D F J L M Reel Dia.Qty/Reel8.3 4.016.07.58.0 1.60.3 2.73303000pcs90SMX(N)A B C D F J L M Reel Dia.Qty/Reel8.7 3.916.07.58.0-0.4 2.73303000pcs90SMX(S) SOLDERING PATTERN90SMX(N) & 90SMX(S)6465O C X M C F( ) Formerly 2x6(LF)MJNPACKAGE DATA26(LF)MJTYPICAL TEMPERATURE CHARACTERISTICS0.079 gm (wt.)Actual sizeTAPE SPECIFICATIONS66O M C F( ) Formerly 26STF327(LF)H ( ) Formerly 2x6(LF)HPACKAGE DATA26(LF)TAPE SPECIFICATIONSA B C D F J L M Reel Dia.Qty/Reel 9.74.03.516.07.58.0-0.32.153302000pcs 1000pcs0.0535 gm (wt.)Actual sizeQuartz Crystal Units67C L K O S CV C X OT C X O O C X OM C F(*) Shock is defined "three drops from a hight of 75cm onto hardwood."STANDARD SPECIFICATIONSPACKAGE DATA1.2x4.7mm2.0x6.0 mm1.4x5.0 mm3.0x8.0 mm1.2 x 4.7 mm0.015 gm (wt.)Actual size0.026 gm (wt.)1.4 x 5.0 mmActual size0.05 gm (wt.)2.0 x 6.0 mmActual size0.143 gm (wt.)3.0 x 8.0 mmActual sizeTYPICAL TEMPERATURE CHARACTERISTICS(゜C )∆f/f(ppm)XY -CUTActual size0.008 gm (wt.)21SMO2.05±0.1#4#370。

爱普生晶振SG-8002CE可编程晶体振荡器规格书

30 mA Max.
-
25 mA Max.
16 mA Max. 16 mA Max.
OE=GND (PT.PH,PC) ( SG-8002LB) OE=GND (PH,PC) ( SG-8002LB)
I_std
50 µA Max.
ST =GND (ST,SH,SC)
40 % ~ 60 %
-
TTL load: 1.4 V ,
CMOS *1 L_CMOS
-
15 pF Max.
(SG-8002LB)
15 pF Max.
25 pF Max
15 pF Max. (SG-8002CA / JA / DC / DB)
VIH VIL
2.0 V Min. 0.8 V Max.
70 % VCC Min. 20 % VCC Max.
OE
ST
1.4 -0.15
5.08
1.6
2.54
1.8 C (ex. 0.01 µF)
Resist 5.08
SG-8002JC
10. 5 Max.
#4
#3
SOJ 4pin 10.5x5.8x2.7 mm
Package and pin compatible with SG-636.
1.3
5. 0 5.8 Max.
#1 13.7 Max. #4
7. 62
SG-8002DB
DIP full size
#14
#8
6. 36
16.0000 C 2PH EPSON 9357B
#1 19.8 Max. #7 7.62
0.51
0.2M in .
7. 62
90 °~ 105 °

爱普生(EPSON)高精度晶体振荡器TG-5035CJ CG CE规格书

-40 °C ~ +90 °C
-40 °C ~ +85 °C / -30 °C ~ +85 °C ±2.0 × 10-6 Max.
±0.5 × 10-6 Max. / -30 °C ~ +85 °C ±2.0 × 10-6 Max. / -30 °C ~ +85 °C ±0.5 × 10-6 Max. / -40 °C ~ +85 °C
+25 °C,
,40 MHz < f0≤ 52 MHz
10 MHz ≤ f0≤ 26 MHz
26 MHz < f0≤ 52 MHz
ST =GND
ST
Vc-GND(DC)
VC =0.9 V ±0.6 V (VCC =1.8 V) VC =1.4 V ±1.0 V (VCC =2.8 V) VC =1.5 V ±1.0 V (VCC =3.0 V) VC =1.65 V ±1.0 V (VCC =3.3 V)
ISO/TS16949 是一项国际标准,是在 ISO9001 的基础上增加了对汽车工业的特殊要求部分。
关于在目录内使用的记号
●无铅。
●符合欧盟 RoHS 指令。欧盟 RoHS 指令免检的含铅产品。（密封玻璃、高温熔化性焊料或其他材料中包含铅。）
●为汽车方面的应用，如汽车多媒体、车身电子、遥控无钥门锁等。
TG-5035CJ
TG-5035CG
TG-5035CE
•
: 1.8 V Typ./ 2.8 V Typ./ 3.0 V Typ./ 3.3 V Typ.
(2.0 × 1.6 × 0.73 mm) (2.5 × 2.0 × 0.8 mm) (3.2 × 2.5 × 0.9 mm)

集成晶体振荡器产品手册

TX30 系列 TX32 系列 TX36 系列 TX40 系列
1.25～100 ±0.5～5 -55～+85℃ 1.25～300 ±0.5～5 -55～+85℃
12/5 12/5
S/T/H/C S/T/H/C
MP2525 MP3030 MP3232 MP3627 MP4025
TXM11 系列 (表面贴装) 10～30 ±1～5 -30～+85℃ 5/3.3 T/H/C
fT＝±（fmax－fmin）/（fmax＋fmin） fTref＝±MAX〔|（fmax－fref）/ fref|，|（fmin－fref）/ fref| fT：频率温度稳定度（不带隐含基准温度） fTref：频率温度稳定度（带隐含基准温度） fmax：规定温度范围内测得的最高频率 fmin：规定温度范围内测得的最低频率 fref：规定基准温度测得的频率
0.5
5
OX50 系列
10～100
±0.005～0.2
/
0.5
5
OXLN 系列 (超低相噪)
10、～0.3
-155/-170(SC) -147/-170(AT)
0.5
7
*:S-Sinewave；T-TTL；H-HCMOS；C-Clipped Sine
MP2525 MP3030 MP3627 MP3838 MP5050
TX12 系列
10～35 ±0.5～5 -40～+85℃ 5/3.3 T/H/C
DIP14
TX14 系列
10～100 ±0.5～5 -40～+85℃ 12/5 S/T/H/C
DIP14D
TX20 系列
1.25～100 ±0.5～5 -55～+85℃ 12/5 S/T/H/C

(整理)EPSON晶振.

EPSON 晶振一，EPSON简介；Epson Toyocom即爱普生拓优科梦，运用长年积累的培育人工石英以及以加工为代表的、实现精微化、高精度、高品质的3D战略”。

究极应用石英特性而制造的三大元器件而成的模块，成为不可缺少的企业而迈进至今。

伴随信息化社会的进程，现在石英元器件已被广泛应用于各种电子设备以及家电产品之中日趋重要。

爱普生拓优科梦Epson Toyocom，将进一步究极用精微加工发挥“石英”材料的优越性能的“QMEMS”技术小、更高性能或全新功能的元器件，同时融合爱普生集团的半导体与软件技术增添便于使用、能让顾客更体验到利用价值的“解决方案”。

通过上述工作，我们将为社会的的发展以及实现更舒畅的未来而竭诚奉献。

二，EPSON 制造工厂及销售渠道；EPSON在日本本土有三个制造工场关联制造工场。

在海外拥有中国苏州、无锡、马来西亚和泰国四个制造工场。

EPSON拥有遍布全球的销售网络，全球共分为四极少数的代理商。

日本KDS上海唐辉电子人员均来自日本KDS大真空。

如原深圳KDS营业主任罗成刚现为上海唐辉电子高级经理，原上海KDS原营业部主任周宇现为上海唐辉电子销售总监，原天津KDS郭建中为上海唐辉电子深圳公司经理，原苏州KDS胡鸣现为上海唐辉电子苏州办经理.三，EPSON 产品分类；EPSON产品种类齐全，主要产品如下；1、SMD Crystal Resonators/MHz Band Crystal Resonators2、SMD Tuning Fork Crystal Resonators/KHz Band Crystal Resonators3，Miniature Crystal Resonators/MHz Band Crystal Resonators4、Crystal Resonators/MHz Band Crystal Resonators5、Tuning Fork Crystal Resonators/KHz Band Crystal Resonators6、SPXO7、VCXO8、TCXO9、VC-TCXO 10、SSXO 11、Filters四，EPSON晶振的工作原理；石英晶体振荡器是利用石英晶体（二氧化硅的结晶体）的压电效应制成的一种谐振器件，它的基本结构大致是从一块石英晶体上按一定方位角切下薄片（简称为晶片，它可以是正方形、矩形或圆形等），在它的两个对应面上涂敷银层作为电极，在每个电极上各焊一根引线接到管脚上，再加上封装外壳就构成了石英晶体谐振器，简称为石英晶体或晶体、晶振。

爱普生(EPSON)高精度晶体振荡器TG2016SBN TG2520SBN规格书

VC-TCXO/TCXO
TG2016SBN / TG2520SBN
(
噪
TG2016SBN : X1G004691xxxxxx
TG2520SBN : X1G005151xxxxxx
• •
: 13 MHz ~ 55 MHz : 1.8 V Typ./ 2.8 V Typ./ 3.0 V Typ./ 3.3 V Typ.
(TG2016, TG2520)
(S: Clipped sine wave)
(
)
(C: ±0.5 × 10-6 Max., F: ±2.0 × 10-6 Max.)
OE (N:
) VC
(
, A: VC=(B~E
( :mm)
TG2520SBN
2.5±0.2
[Vcc] , Vc [Vc] (
)
[V] TCXO
C: VC=1.4 V ±1.0 V (VCC =2.8 V)
D: VC =1.5 V ±1.0 V (VCC =3.0 V)
E: VC =1.65 V ±1.0 V (VCC =3.3 V)
GND (DC )
-
90 % VCC
0
DC
= 0.01 µF
TG2016 S BN 26.000000MHz T C G N N M
±0.1 × 10-6 Max. ±0.1 × 10-6 Max.
±0.5 × 10-6 Max.
±1.5 × 10-6 Max.
1.2 mA Max.
1.4 mA Max.
1.5 mA Max.
1.8 mA Max.
2.0 mA Max.
2.2 mA Max.
500 kΩ Min.

爱普生(EPSON)晶体振荡器(可编程)SG-9101系列规格书

晶体振荡器
Spread Spectrum Specification Graph Spread Spectrum Profile fo : 170 MHz / Spread spectrum : ±2.0 % / Modulation frequency : 25.4 kHz Hershey-kiss Sine-wave Triangle
20 ① ③ ⑤ ⑦ ⑨ 20
10
0 -10
10 ⑪
Power (dBm)
0 -10 -20 -30 -40 -50 -60 -70 -80
①
③ ⑤ ⑦ ⑨ ⑪
Power (dBm)
-20 -30 -40 -50 -60 -70 -80 0 40 80 120 160 200 240 280 320 360 400
180 160 140 120 100 80 60 40 20 0 0 20 40 60
Cycle to Cycle Jitter Peak - Peak (ps)
180
Rise/Fall time = Default Rise/Fall time = Fast Rise/Fall time = Slow
裸存
3.7 mA Max. 3.2 mA Typ. 8.3 mA Max. 7.0 mA Typ. 3.7 mA Max. 2.5 µA Max. 1.1 µA Typ.
T_use = +105 C 无负载条件 f0 = 20 MHz T_use = +25 C T_use = +105 C 无负载条件 f0 = 170 MHz T_use = +25 C OE=GND, f0 = 170 MHz T_use = +105 C ST =GND T_use = +25 C 50% Vcc 级