电子科技大学模拟电路-2006真题(复试)
电子科技大学电磁场与电磁波2006年考研试题
电⼦科技⼤学电磁场与电磁波2006年考研试题电⼦科技⼤学2006 年攻读硕⼠学位研究⽣⼊学试题考试科⽬:404、电磁场与电磁波注:1、所有答案必须写在答题纸上，做在试卷或草稿纸上⽆效:2、应届⽣做第⼀⾄第⼋题:在职考⽣必做第⼀⾄第六题，另在第七、⼋、九题中选做两道题。
⼀、填空题(每空1分，共15分)1、在恒定电场中，J和E满⾜的边界条件分别为和。
2、在两种不同媒质的分界⾯上，⽮量的切向分量总是连续的；⽮量的法向分量总是连续的。
3、若平⾯电磁波在空⽓中的波长λ0= 2m，则在理想介质(ε=4ε0、µ=µ0、?=0)中传播时，其波长λ= 。
4、均匀平⾯波在导电媒质中传播时，电场和磁场的振幅将随传播距离的增加⽽按规律衰减，且磁场强度的相位与电场强度的相位。
5、均匀平⾯被斜⼊射到理想介质分界⾯(设µ1=µ2=µ3)上时，若ε1=4ε0、ε2=ε0，则发⽣全反射的临界⾓θc= ；若ε1=ε0、ε2=3ε0，则布儒斯特⾓θB=。
6、均匀平⾯电磁波由⽆损耗介质（ε=2.25ε0、µ=µ0、?=0）垂直⼊射到与空⽓的分界平⾯上时，反射系数Γ=、折射(透射)系数τ=。
7、判断电偶极⼦的电磁场属于近区、远区的条件分别是：当时，为近区；当时，为远区。
8、在球坐标系中，沿Z⽅向的电偶极⼦的辐射场(远区场)在θ=⽅向上辐射场最⼤，在θ=⽅向上辐射场最⼩。
“电磁场与电磁波”试题共4页第1页⼆、单项选择题(每题2分，共20分，每题只能选择⼀个答案，否则判为错)1、空⽓(介电常数ε1=ε0)与电介质(介电常数ε2=4ε0)的分界⾯是z=0的平⾯。
若⼰知电介质中的电场强度E2=e x2+e z4，则空⽓中的电场强度应为( )。
a.E1=e x2+e z16;b.E1=e x8+e z4;c.E1=e x2+e z;2、介电常数为ε(x,y,z)的介质区域V中，静电荷的体密度为ρ(x，y，z),⼰知这些电荷产⽣的电场E=E(x,y,z),下⾯表达中不成⽴的是( )。
模拟电子电路_杭州电子科技大学2中国大学mooc课后章节答案期末考试题库2023年
模拟电子电路_杭州电子科技大学2中国大学mooc课后章节答案期末考试题库2023年1.以下电极名称哪一个不属于MOS器件?答案:基极2.在下述几种击穿现象中，哪类击穿是不可逆的？（）答案:热击穿3. NEMOSFET饱和区的工作条件为VGS Vt, VDS VGS-Vt。
答案:>,>4.分析MOS和BJT的三种基本组态结构，有明显的对应结构，其中（）和（）组态均为电流跟随器结构。
答案:CG，CB5.分析MOS和BJT的三种基本组态结构，有明显的对应结构，其中（）和（）组态均存在米勒倍增效应，因而均为窄带放大器。
答案:CS，CE6.下面对PN结单向导电性描述合理的有（）。
答案:反偏时几乎没有电流通过反偏时PN结等效为一个大电阻正向导通，反向截止7.下列关于BJT和FET的描述正确的是（）答案:BJT为流控器件，FET为压控器件BJT为双极型器件，FET为单极型器件8.共源（CS）放大器交流通路中，若引入源极电阻，关于其作用说法正确的是（）答案:控制的大小，避免因_过大产生非线性失真稳定静态工作点拓展放大器的带宽9.当环境温度升高时，PN结（）。
答案:半导体中的本征激发增强反向饱和电流增大10.与同类型、同偏置的电阻型负载差放放大器相比，有源负载差放放大器（）。
答案:采用单端输出方式，但具有类似前者双端输出时的效果，甚至性能更好差模增益大大提高单端输出时共模抑制比更高广泛用于集成电路设计中11.N型半导体带负电，P型半导体带正电答案:错误12.在画放大器直流通路时，所有电容应短路，所有电感应开路答案:错误13.限幅电路仅能利用二极管的单向导电性实现。
答案:错误14.BJT和MOSFET管在集成电路中除了作为放大管使用外，还有另外两个作用分别是电流源和有源负载答案:正确15.有源负载结构既能用于CE组态，也能用于CB和CC组态。
答案:正确。
电子科技大学微机原理复试试题题库
电子科技大学微机原理复试试题微机原理第一章练习题及解一：单项选择题●若二进制数为010111.101，则该数的十进制表示为（ B ）。
A：23.5 B：23.625C：23.75 D：23.5125●若无符号二进制数为11000110，则该数的十进制表示为（ A ）。
A：198 B：70C：126 D：49●十进制数81的8421BCD码为（ A ）。
A：81H B：51HC：18H D：15H●11000110为二进制原码，该数的真值为（ A ）。
A：-70 B：+70C：-198 D：+198●11000110为二进制补码，该数的真值为（ D ）。
A：+198 B：-198C：+58 D：-58●01000110为二进制补码, 该数的真值为（ A ）。
A：+70 B：-70C：+58 D：-58●字符A的ASCII码为41H，字符a的ASCII码为（ C ）。
A：41H B：42HC：61H D：62H●字符A的ASCII码为41H，字符B的ASCII码为（ B ）。
A：41H B：42HC：61H D：62H●字符9 的ASCII码为（ C ）。
因为9与A之间有7个字符A：09H B：9C：39H D：99●8位二进制数的原码表值范围为（ C ）。
A：0 ~ 255 B：-128 ~ +127C：-127 ~ +127 D：-128 ~ +128●8位二进制数的反码表值范围为（ C ）。
A：0 ~ 255 B：-128 ~ +127C：-127 ~ +127 D：-128 ~ +128●8位二进制数的补码表值范围为（ B ）。
A：0 ~ 255 B：-128 ~ +127C：-127 ~ +127 D：-128 ~ +128●8位二进制数的无符号数表值范围为（ A ）。
即无符号位A：0 ~ 255 B：-128 ~ +127C：-127 ~ +127 D：-128 ~ +128●n+1位符号数X的原码表值范围为（ A ）。
杭州电子科技大学电路与模拟电子技术基础(第4版)习题解答完整版
第1章直流电路习题解答1.1 求图1.1中各元件的功率，并指出每个元件起电源作用还是负载作用。
图1.1 习题1.1电路图解 W 5.45.131=×=P （吸收）；W 5.15.032=×=P （吸收） W 15353−=×−=P （产生）；W 5154=×=P （吸收）； W 4225=×=P （吸收）;元件1、2、4和5起负载作用，元件3起电源作用。
1.2 求图1.2中的电流I 、电压U 及电压源和电流源的功率。
图1.2 习题1.2电路图解 A 2=I ；V 13335=+−=I I U电流源功率：W 2621−=⋅−=U P （产生），即电流源产生功率6W 2。
电压源功率：W 632−=⋅−=I P （产生），即电压源产生功率W 6。
1.3 求图1.3电路中的电流1I 、2I 及3I 。
图1.3 习题1.3电路图解 A 1231=−=I ;A 1322−=−=I由1R 、2R 和3R 构成的闭合面求得：A 1223=+=I I 1.4 试求图1.4所示电路的ab U 。
图1.4 习题1.4电路图解 V 8.13966518ab −=×+++×−=U 1.5 求图1.5中的I 及S U 。
图1.5 习题1.5电路图解 A 7152)32(232=×+−×+−=IV 221021425)32(22S =+−=×+−×+=I U1.6 试求图1.6中的I 、X I 、U 及X U 。
图1.6 习题1.6电路图解 A 213=−=I ；A 31X −=−−=I I ; V 155X −=⋅=I UV 253245X X −=×−−⋅=I U1.7 电路如图1.7所示：（1）求图(a)中的ab 端等效电阻；（2）求图(b)中电阻R 。
图1.7 习题1.7电路图解 (1) Ω=+=+++×+×+×+=1046418666661866666ab R (2) Ω=−−=712432383R1.8 电路如图1.8所示：（1）求图(a)中的电压S U 和U ；（2）求图(b)中V 2=U 时的电压S U 。
电子科技大学考研829 数字 模拟电子本科试卷考研真题
电子科技大学模拟电路期末（2000-2011）试卷14份+答案每份不同电子科技大学模电子科技大学模拟电路期末（2000-2011）试卷14份+答案每份不同电子科技大学模拟电路期中（2004-2011）试卷12份+答案每份不同电子科技大学数字逻辑电路本科试卷（2002年以后）17套（每份不同）829数字电路与模拟电路2000-2010真题与答案电子科大模拟电路简答题试题库（100道左右）电子科技大学考研模拟电路2007-2010 四份电子科技大学模拟电路吴援明课后习题答案电子科技大学模拟电路PPT 3份电子科技大学数字逻辑电路PPT 2份数字逻辑电路课后答案拟电路期中（2004-2011）试卷12份+答案每份不同电子科技大学数字逻辑电路本科试卷（2002年以后）17套（每份不同）829数字电路与模拟电路2000-2010真题与答案电子科大模拟电路简答题试题库（100道左右）电子科技大学考研模拟电路2007-2010 四份电子科技大学模拟电路吴援明课后习题答案电子科技大学模拟电路PPT 3份电子科技大学数字逻辑电路PPT 2份数字逻辑电路课后答案所有资料不重复。
淘宝网：/item.htm?id=9960243831电子科技大学二零零五至二零零六学年第二学期期中考试“数字逻辑设计及应用”课程考试题期中卷（120分钟）考试形式：闭卷考试日期2006年4月22日课程成绩构成：平时20 分，期中20 分，实验0 分，期末60 分一二三四五六七八九十合计一、填空题（每空1分，共15分）1、( 323 )10=( 101000011 ) 22、(0. 4375 )10=( 0.0111 ) 23、(1101．0011) 2 = ( 13.1875 )104、（FD．A）16 = ( 11110000.1010 ) 2= ( 360.50 )85、( 4531 )10 = ( 0100 0101 0011 0001 ) 8421BCD 。
电子科技大学硕士研究生入学考试初试考试大纲(模拟电路)
工作点的估算；直流负载线；稳基流电路；基极分压射极偏置电路的稳 Q 原理和稳定条件。 三、BJT 三种基本组态放大器（中频段）
熟练掌握小信号放大器指标及其意义：端增益、源增益、输入与输出电阻。 掌握 CE、CC、CB 放大电路、指标及特点；熟练掌握等效电路分析法。 掌握 CE 放大器的交流负载线的画法和动态范围的分析方法；理解截止失真与饱和失真。 四、多级放大器 理解级间耦合方式；了解直流放大器的特殊问题；掌握放大器通用模型；掌握多级放大器指标 计算。 第四章 MOSFET 及其放大电路 一、FET 原理 了解 FET 的分类、电路符号；了解 N 沟道增强 MOSFET 的工作原理及 N 沟道 JFET；放大区的沟 道状态及 vGS 和 vDS 对 iD 的影响。 二、FET 特性曲线 以 N 沟道增强型 MOSFET 为重点，理解 FET 的结构特性曲线和输出特性曲线，掌握放大区的平 方律公式。 三、FET 偏置电路（自给偏压和混合偏置） 掌握工作点的估算方法，了解 P 沟道 FET 与 N 沟道 FET 偏置极性的差别。 四、FET 的小信号模型 理解 gm 的含义及计算式，理解 rds 含义、完整小信号模型；掌握低频小信号模型。 五、FET 的 CS 和 CD 组态放大器 熟练掌握放大器电路的指标计算及特点。 第五章 放大器的频率响应 一、放大器频率响应的概念及描述 掌握产生频率响应的原因；理解放大器频率特性函数，掌握 fL、fH、BW 的定义；理解幅频特 性和相频特性函数；了解频率失真（幅频失真、相频失真）及其与非线性失真的区别；了解对数频 率特性曲线波特图的概念。理解放大器的增益函数、零、极点。 二、掌握放大器的低、高频截止频率的估算 用短路时间常数法估算 fL；用开路时间常数法估算 fH。 第六章 模拟集成单元电路 一、恒流源 熟练掌握恒流源电路的原理、模型及主要指标；理解基本镜像恒流源、比例恒流源和微电流恒 流源电路和特点；熟练掌握有源负载放大器工作原理。 二、熟练掌握差动放大器的工作原理和分析方法 差放的信号分解（vic、vid 与任模信号关系）；各种差放电路；差放工作点估算；差放的指标 （Avd，Avc，KCMR，Rid，Ric，Ro）及用单边等效电路法求指标，差放抑制零漂的原因；了解差放 的小信号范围、大信号限幅特性及频率特性。 三、功率输出电路 了解功放的分类，乙类功放优于甲类功放的特点；理解乙类功放的交越失真及克服方法。 掌握互补功放的电路原理及满激励指标（效率、管耗、电源功率）的计算；理解功率管极限参 数（ICM，PCM，BVCEO）；理解复合管的连接方式。 第七章 负反馈技术 一、单环理想模型 理解基本概念：原输入 xs、净输入 xi 和反馈信号 xf；A 放大器、B 网络；开环增益 A 与闭环 增益 Af；反馈系数 B；反馈深度 F；环路传输系数 T；基本反馈方程；正反馈与负反馈；深度负反
西安电子科技大学网教数字逻辑电路模拟题
模拟试题一一、单项选择题（每题2分，共30分）1 、下列数中最大的数是[ ] 。
A （）HB （）DC OD B2 、（） D 的余 3BCD 是 [ ] 。
A BC D3 、与非门的输出完成 F= , 则多余输入端 [ ] 。
A 全部接高电平B 只需一个接高电平即可C 全部接地电平D 只需一个接地即可4 、逻辑函数 F= ＋ B 的最小项标准式为 [ ] 。
A F=B F=C F=D F=5 、与 AB ＋ AC ＋相等的表达式为 [ ] 。
A CBC ＋ CD A +6 、函数 F=(A ＋ C)(B ＋ ) 的反函数是 [ ] 。
A G=( ＋B) · ＋·B G=A ＋C ＋ B ·C G=(A ＋) · C ＋ B ·D G=(A ) · ＋ (B+ )7 、逻辑函数的逻辑相邻项是 [ ] 。
A A CB AC BD D ABC8 、已知输入 A 、 B 和输出 F 的波形如图所示，其 F 与 AB 的逻辑关系为 [ ] 。
A 与非B 或非C 异或D 同或9 、下列逻辑部件属于时序电路的是 [ ] 。
A 译码器B 触发器C 全加器D 移位寄存器10 、数据选择器的功能是 [ ] 。
A 将一路输入送至多路输出B 将输入二进制代码转换为特定信息输出C 从多路输入选择一路输出D 考虑低位进位的加法11 、逻辑函数用卡诺图化简时，八个逻辑相邻项合并可消去 [ ] 。
A 一个变量B 二个变量C 三个变量D 四个变量12 、 JK 触发器从 0 1, 则激励端 J 、 K 的取值为 [ ] 。
A JK=1XB JK=X0C JK=X1D JK=0X13 、移位寄存器的现态为 0110 ，经过左移一位后，其次态为 [ ] 。
A 0110 或 1011B 1011 或 1010C 0110 或 1110D 1101 或 110014 、 4 级触发器组成计数器，组成 13 进制计数器，其无效的状态数为 [ ] 。
电子科技大学大二微电子专业模拟集成电路试卷及答案 (1)
………密………封………线………以………内………答………题………无………效……电子科技大学二零XX 至二零XX 学年第二学期期终考试模拟集成电路原理课程考试题 A 卷（120分钟）考试形式：开卷考试日期20XX 年月日课程成绩构成：平时10 分，期中0 分，实验10 分，期末80 分一二三四五六七八九十合计一．选择题（共20题，每题2分，共40分）1.对于MOS管, 当W/L保持不变时, MOS管的跨导随漏电流的变化是( B )A. 单调增加B. 单调减小C. 开口向上的抛物线D.开口向下的抛物线.2. 对与MOS器件,器件如果进入饱和区, 跨导相比线性区将( A )Ａ增加 B.减少 C不变 D 可能增加也可能减小3. 在W/L相同时, 采用”折叠”几何结构的MOS管较普通结构的MOS管, 它的栅电阻( C )A 增大B 不变C 减小D 可能增大也可能减小2.关于衬底PNP,下列说法不正确的是( B )A 衬底PNP一般耐压较高.B 衬底PNP一般共射电压增益较高.C 衬底PNP一般容易实现大电流D 衬底PNP不能采用n+ 埋层.3.对于扩散电阻, 杂质的横向扩散, 会导致电阻值( C )A 变小, B不变, C变大, D可大可小.4.室温下, 扩散电阻阻值的温度系数为( A )A 正, B零, C负, 可正可负5.对采用N+作下极板的MOS电容, 采用以下哪种方法可以提高MOS电容值与寄生电容值之比.( C )A, 增加MOS电容面积,………密………封………线………以………内………答………题………无………效……B. 减小MOS电容面积.C 增加衬底的反向偏压.D 减小衬底的反向偏压.6.在版图设计中, 电学规则检查称为（ B ）A. EXTRACTB. ERCC. DRCD. LVS7.随着微电子工艺水平提高, 特征尺寸不断减小, 这时电路的工作电压会（ D ）A不断提高 B. 不变 C. 可大可小 D. 不断降低8.对CMOS PTAT源，器件是工作在（ D ）A．饱和区和线性区 B. 都是饱和区 C.线性区和亚阈区 D. 饱和区和亚阈区9.下图示出的剖面图( C )ABA．A是纵向pnp, B是纵向pnpB．A是横向pnp, B是纵向pnpC．A是纵向pnp, B是横向pnpD．A是横向pnp, B是横向pnp10.对于电流镜的要求, 那种说法正确( C )A. 输出阻抗高B输出阻抗低C交流输出阻抗高D直流输出阻抗高11.Cascode电流镜的最小输出电压V MIN(out)的值为( C )A．V ON+V TN B.2(V ON+V TN) C. 2V ON+V TN D. V ON+2V TN12.差分放大器差模电压增益为( B )A．-g m R c B. g m R c C. -2g m R c D. 2g m R c………密………封………线………以………内………答………题………无………效……13.在下列防止CMOS IC中闩锁效应的办法中，（ C ）不可采用。
电科大-模拟电子技术试题3及答案
电子科技大学网络教育一、选择题（每小题2，共10分）1．BJT 依靠（）控制漏极电流íc 的器件。
A 电压B 电流C 电阻D 电场2.电流求和负反馈使输人电阻（）。
A 增加B 不变C 减少D 不清楚3.NPN 管放大偏值电路中，若V C 增加，则I B （）。
A 略有增加B 略有减小C 几乎不变D 不定4.集成运放采用有源负载的目的是（）。
A 提高电压增益B 减少温度漂移C 稳定工作点D 提高电流强度5.若发现电路出现饱和失真，则为消除失真，可将()。
A.R c 增大B.R c 减小C.V C C 减小D V C C 增大二、判断题（每题2分，共20分）1、反向电流是由少数载流子形成，其大小与温度有关，而与外加电压无关。
（）2、三极管是电压控制元件，场效应管是电流控制元件。
（）3、晶体三极管具有放大作用时，发射结反偏，集电结正偏。
（）4、三极管放大电路共有三种组态共射极、共集电极、共基集放大电路。
（）5、为了稳定三极管放大电路和静态工作点，采用直流负反馈，为了减小输出电阻采用电压负反馈。
（）6、差分放大器的基本特点是放大差模信号、抑制共模信号。
（）7、共模信号是大小相等，极性不同的两个信号。
（）8、只有电路既放大电流又放大电压，才称其有放大作用。
（）9、用低频信号去改变高频信号的频率称为调频，低频信号称为调制信号，高频信号称高频载波。
（）10、晶体管电流放大系数是频率的函数，随着频率的升高而升高。
共基极电路比共射极电路高频特性好。
（）三、填空题（每空2分，共20分）1．差动放大器两个输入端的增益电压分别是1mV 和-1mV，则输入的共模电压是mV 。
2.反馈方程式AB AA f +=1中，A、B 符号时为负反馈，A，B 符号时，为正反馈。
3．在画放大电路的直流通路时，应该将电路中的电容。
4.运算放大器的输入级是。
5．一个两级阻容耦合放大电路的前级和后级的静态工作点均偏低，当前级输入信号幅度足够大时，后级输出电压波形将。
2010年电子科技大学模拟电路复试大纲
《模拟电路》复试大纲第一章晶体二极管及应用电路一、半导体知识（一般了解）：本征半导体与杂质半导体（P型与N型）；本征激发与复合；杂质电离；空穴导电原理；多子与少子；漂移电流与扩散电流的概念；PN结的形成（耗尽层、空间电荷区和势垒区的含义）；PN结的单向导电特性；不对称PN结。
二、二极管知识（掌握）：二极管单向导电特性及二极管方程；二极管伏安特性曲线及其温度特性；二极管导通电压与反向饱和电流；二极管的直流电阻与交流电阻（估算式）；硅管与锗管的区别。
三、二极管应用单向导电特性应用（掌握）：整流与限幅。
能分析简单二极管电路。
正向导通特性应用：恒压源及模型。
反向击穿特性及应用：反向击穿现象（了解）；反向击穿应用：稳压管及电路（掌握）。
电容效应及应用（了解）：势垒电容与扩散电容；变容二极管原理。
双极型晶体管（（BJT）第二章双极型晶体管一、BJT原理NPN与PNP管；放大偏置特点；放大偏置时内部载流子传输（一般了解）；放大偏置时外电流关系（掌握直流传输方程，α，β，I CBO，I CEO的概念）；放大偏置时的v BE、v CE的作用（正向电压的指数控制作用和反向电压的基区宽调效应）；BJT的截止与饱和状态及特点。
二、BJT静态伏安特性曲线共射输入特性曲线和输出特性曲线（三个区）及特点。
三、BJT参数α、β、α、β、I CBO、I CEO、I CM、P CM、BV CEO和f T的含义四、混合π模型会画完整模型和了解模型参数的物理含义。
重点掌握两种简化模型（g m参数和β参数模型）及其模型参数的求解方法。
第三章晶体管放大器基础一、放大器的一些基本概念（正确理解）信号源（内阻，源电压，源电流）；负载电阻；输入输出电压（电流）；耦合电容与傍路电容；直流通路与交流通路；交流地；工作点；小信号放大过程。
二、BJT偏置电路掌握工作点的估算；基极分压射极偏置电路的稳Q原理和稳定条件。
三、BJT三种基本组态放大器小信号放大器指标：正确理解端增益、源增益、输入与输出电阻、管端输入与输出电阻。
电子科技大学-集成电路原理实验-CMOS模拟集成电路设计与仿真
实验报告课程名称：集成电路原理实验名称：CMOS模拟集成电路设计与仿真一、实验名称：CMOS模拟集成电路设计与仿真二、实验学时：4三、实验原理1、转换速率（SR）：也称压摆率，单位是V/μs。
运放接成闭环条件下，将一个阶跃信号输入到运放的输入端，从运放的输出端测得运放的输出上升速率。
2、开环增益：当放大器中没有加入负反馈电路时的放大增益称为开环增益。
3、增益带宽积：放大器带宽和带宽增益的乘积，即运放增益下降为1时所对应的频率。
4、相位裕度：使得增益降为1时对应的频率点的相位与-180相位的差值。
5、输入共模范围：在差分放大电路中，二个输入端所加的是大小相等，极性相同的输入信号叫共模信号，此信号的范围叫共模输入信号范围。
6、输出电压摆幅：一般指输出电压最大值和最小值的差。
图1两级共源CMOS运放电路图实验所用原理图如图1所示。
图中有多个电流镜结构，M1、M2构成源耦合对，做差分输入；M3、M4构成电流镜做M1、M2的有源负载；M5、M8构成电流镜提供恒流源；M8、M9为偏置电路提供偏置。
M6、M7为二级放大电路，Cc为引入的米勒补偿电容。
其中主要技术指标与电路的电气参数及几何尺寸的关系：转换速率：第一级增益：第二级增益：单位增益带宽：输出级极点：零点：正CMR：负CMR：饱和饱和电压：饱和功耗：四、实验目的本实验是基于微电子技术应用背景和《集成电路原理与设计》课程设置及其特点而设置，为IC设计性实验。
其目的在于：∙根据实验任务要求，综合运用课程所学知识自主完成相应的模拟集成电路设计，掌握基本的IC设计技巧。
∙学习并掌握国际流行的EDA仿真软件Cadence的使用方法，并进行电路的模拟仿真。
五、实验内容1、根据设计指标要求，针对CMOS两级共源运放结构，分析计算各器件尺寸。
2、电路的仿真与分析，重点进行直流工作点、交流AC和瞬态Trans分析，能熟练掌握各种分析的参数设置方法与仿真结果的查看方法。
3、电路性能的优化与器件参数调试，要求达到预定的技术指标。
2006电子科技大学自主招生数学试题及答案
1.甲、乙、丙3人投篮,投进的概率分别是25, 12, 13.现3人各投篮1次,求:(Ⅰ)3人都投进的概率;(Ⅱ)3人中恰有2人投进的概率.2.已知函数f(x)=3sin(2x －π6)+2sin 2(x －π12) (x ∈R)(Ⅰ)求函数f(x)的最小正周期 ; (2)求使函数f(x)取得最大值的x 的集合.3.如图,α⊥β,α∩β=l , A ∈α, B ∈β,点A 在直线l 上的射影为A 1, 点B 在l 的射影为B 1,已知AB=2,AA 1=1, BB 1=2, 求:(Ⅰ) 直线AB 分别与平面α,β所成角的大小; (Ⅱ)二面角A 1－AB －B 1的大小.4已知正项数列{a n }，其前n 项和S n 满足10S n =a n 2+5a n +6且a 1,a 3,a 15成等比数列，求数列{a n }的通项a n .5 如图,三定点A(2,1),B(0,－1),C(－2,1); 三动点D,E,M 满足AD →=tAB →, BE → = t BC →, DM →=t DE →, t ∈[0,1]. (Ⅰ) 求动直线DE 斜率的变化范围; (Ⅱ)求动点M 的轨迹方程.6.已知函数f(x)=kx 3－3x 2+1(k ≥0). (Ⅰ)求函数f(x)的单调区间;(Ⅱ)若函数f(x)的极小值大于0, 求k 的取值范围.【参考答案】1解: (Ⅰ)记"甲投进"为事件A 1 , "乙投进"为事件A 2 , "丙投进"为事件A 3, 则 P(A 1)= 25, P(A 2)= 12, P(A 3)= 13,∴ P(A 1A 2A 3)=P(A 1) ·P(A 2) ·P(A 3) = 25 ×12 ×35= 325∴3人都投进的概率为325(Ⅱ) 设“3人中恰有2人投进"为事件B P(B)=P(A 1－A 2A 3)+P(A 1A 2－A 3)+P(A 1A 2A 3－)=P(A 1－)·P(A 2)·P(A 3)+P(A 1)·P(A 2－)·P(A 3)+P(A 1)·P(A 2)·P(A 3－) =(1－25)×12 ×35 + 25×(1－12)×35 + 25×12 ×(1－35) = 1950∴3人中恰有2人投进的概率为19502.解:(Ⅰ) f(x)=3sin(2x －π6)+1－cos2(x －π12)= 2[32sin2(x －π12)－12 cos2(x －π12)]+1 =2sin[2(x －π12)－π6]+1= 2sin(2x －π3) +1∴ T=2π2=π(Ⅱ)当f(x)取最大值时, sin(2x －π3)=1,有 2x －π3 =2k π+π2即x=k π+ 5π12 (k ∈Z) ∴所求x 的集合为{x ∈R|x= k π+ 5π12, (k ∈Z)}.3.解法一: (Ⅰ)如图, 连接A 1B,AB 1, ∵α⊥β, α∩β=l ,AA 1⊥l , BB 1⊥l , ∴AA 1⊥β, BB 1⊥α. 则∠BAB 1,∠ABA 1分别是AB 与α和β所成的角.A BA 1B 1αβl 第2题解法一图EF第2题解法二图Rt △BB 1A 中, BB 1= 2 , AB=2, ∴sin ∠BAB 1 =BB 1AB = 22. ∴∠BAB 1=45°. Rt △AA 1B 中, AA 1=1,AB=2, sin ∠ABA 1=AA 1AB = 12, ∴∠ABA 1= 30°.故AB 与平面α,β所成的角分别是45°,30°.(Ⅱ) ∵BB 1⊥α, ∴平面ABB 1⊥α.在平面α内过A 1作A 1E ⊥AB 1交AB 1于E,则A 1E ⊥平面AB 1B.过E 作EF ⊥AB 交AB 于F,连接A1F,则由三垂线定理得A 1F ⊥AB, ∴∠A 1FE 就是所求二面角的平面角.在Rt △ABB 1中,∠BAB 1=45°,∴AB 1=B 1B= 2. ∴Rt △AA 1B 中,A 1B=AB 2－AA 12 =4－1 = 3. 由AA 1·A 1B=A 1F ·AB 得 A 1F=AA 1·A 1B AB = 1×32 = 32, ∴在Rt △A1EF 中,sin ∠A 1FE = A 1E A 1F = 63 , ∴二面角A 1－AB －B 1的大小为arcsin 63. 解法二: (Ⅰ)同解法一.(Ⅱ) 如图,建立坐标系, 则A 1(0,0,0),A(0,0,1),B 1(0,1,0),B(2,1,0).在AB 上取一点F(x,y,z),则存在t ∈R,使得AF →=tAB → , 即(x,y,z －1)=t(2,1,－1), ∴点F 的坐标为(2t, t,1－t).要使A 1F →⊥AB →,须A 1F →·AB →=0, 即(2t, t,1－t) ·(2,1,－1)=0, 2t+t －(1－t)=0,解得t=14 , ∴点F 的坐标为(24,－14, 34 ), ∴A 1F →=(24,14, 34 ). 设E 为AB 1的中点,则点E 的坐标为(0,12, 12). ∴EF →=(24,－14,14). 又EF →·AB →=(24,－14,14)·(2,1,－1)= 12 － 14 － 14 =0, ∴EF →⊥AB →, ∴∠A 1FE 为所求二面角的平面角.又cos ∠A 1FE= A 1F →·EF →|A 1F →|·|EF →| = (24，14，34)·(24，－14，14)216+116+916 ·216+116+116 = 18－116+31634 ·12 = 13 = 33 ,∴二面角A 1－AB －B 1的大小为arccos33. 4.解: ∵10S n =a n 2+5a n +6, ① ∴10a 1=a 12+5a 1+6,解之得a 1=2或a 1=3. 又10S n －1=a n －12+5a n －1+6(n ≥2),②由①－②得 10a n =(a n 2－a n －12)+6(a n －a n －1),即(a n +a n －1)(a n －a n －1－5)=0 ∵a n +a n －1>0 , ∴a n －a n －1=5 (n ≥2).当a 1=3时,a 3=13,a 15=73. a 1, a 3,a 15不成等比数列∴a 1≠3; 当a 1=2时,a 3=12, a 15=72, 有a 32=a 1a 15 , ∴a 1=2, ∴a n =5n －3.5.解法一: 如图, (Ⅰ)设D(x 0,y 0),E(x E ,y E ),M(x,y).由AD →=tAB →, BE → = t BC →,知(x D －2,y D －1)=t(－2,－2). ∴⎩⎨⎧x D =－2t+2y D =－2t+1 同理 ⎩⎨⎧x E =－2ty E =2t －1.∴k DE =y E －y D x E －x D = 2t －1－(－2t+1)－2t －(－2t+2)= 1－2t. ∴t ∈[0,1] , ∴k DE ∈[－1,1].(Ⅱ) ∵DM →=t DE →∴(x+2t －2,y+2t －1)=t(－2t+2t －2,2t －1+2t －1)=t(－2,4t －2)=(－2t,4t 2－2t). ∴⎩⎨⎧x=2(1－2t)y=(1－2t)2, ∴y=x 24 , 即x 2=4y. ∵t ∈[0,1], x=2(1－2t)∈[－2,2].即所求轨迹方程为: x 2=4y, x ∈[－2,2]解法二: (Ⅰ)同上.(Ⅱ) 如图, OD →=OA →+AD → = OA →+ tAB → = OA →+ t(OB →－OA →)= (1－t) OA →+tOB →,OE → = OB →+BE → = OB →+tBC → = OB →+t(OC →－OB →) =(1－t) OB →+tOC →,OM → = OD →+DM →= OD →+ tDE →= OD →+t(OE →－OD →)=(1－t) OD →+ tOE →= (1－t 2) OA → + 2(1－t)tOB →+t 2OC →.设M 点的坐标为(x,y),由OA →=(2,1), OB →=(0,－1), OC →=(－2,1)得⎩⎨⎧x=(1－t 2)·2+2(1－t)t ·0+t 2·(－2)=2(1－2t)y=(1－t)2·1+2(1－t)t ·(－1)+t 2·1=(1－2t)2消去t 得x 2=4y, ∵t ∈[0,1], x ∈[－2,2]. 故所求轨迹方程为: x 2=4y, x ∈[－2,2]6.解: （I ）当k=0时, f(x)=－3x 2+1 ∴f(x)的单调增区间为(－∞,0],单调减区间[0,+∞). 当k>0时 , f '(x)=3kx 2－6x=3kx(x －2k)∴f(x)的单调增区间为(－∞,0] , [2k , +∞), 单调减区间为[0, 2k ].（II ）当k=0时, 函数f(x)不存在最小值. 当k>0时, 依题意 f(2k )= 8k 2 － 12k 2 +1>0 ,即k 2>4 , 由条件k>0, 所以k 的取值范围为(2,+∞)第5题解法图。
2006年电子科技大学计算机专业基础综合(计算机组成原理)真题试卷
2006年电子科技大学计算机专业基础综合（计算机组成原理）真题试卷(总分：46.00，做题时间：90分钟)一、单项选择题(总题数：8，分数：16.00)1.在微程序控制方式中，微命令由( )产生。
（分数：2.00）A.程序状态字B.微指令√C.机器指令D.控制程序解析：2.磁盘存储器采用( )。
（分数：2.00）A.随机存取方式B.顺序存取方式C.直接存取方式√D.上述任意一种存取方式解析：3.同步控制方式在实际应用中所表现的主要特点是( )。
（分数：2.00）A.指令周期长度固定B.工作周期长度固定C.总线周期长度固定D.时钟周期长度固定√解析：4.在CRT字符显示器中，当字符计数器计数一个循环后，( )。
（分数：2.00）A.访问显存VRAMB.访问字符发生器ROMC.发水平同步信号√D.发垂直同步信号解析：5.在DMA方式的数据传送阶段，总线控制权由( )掌握。
（分数：2.00）A.CPUB.DMA控制器√C.总线控制器D.外部设备解析：6.静态RAM的特点是( )。
（分数：2.00）A.工作时存储内容不变B.断电后存储内容不变C.不需电源提供电流D.不需刷新√7.按数据传送格式划分，常将总线分为( )。
（分数：2.00）A.并行总线与串行总线√B.同步总线与异步总线C.系统总线与外总线D.存储总线与I／O总线解析：8.CPU响应中断的条件是( )。
（分数：2.00）A.屏蔽标志为1B.屏蔽标志为0C.开中断标志为1 √D.开中断标志为0解析：二、判断题(总题数：7，分数：14.00)9.由于存储器可以向CPU发送数据，所以存储器也能作为总线主设备。
( )（分数：2.00）A.正确B.错误√解析：10.DMA方式常用于CPU与外部设备之间的信息传送。
( )（分数：2.00）A.正确B.错误√解析：11.串行接口与系统总线之间采用并行方式传送数据。
( )（分数：2.00）A.正确√B.错误解析：12.CPU通过执行中断服务程序访问中断向量表。