第二章1 能带论
第二章 硅
• N型半导体:五族元素为掺杂剂 电子为多数载流子 • P型半导体:三族元素(硼)为掺杂剂,硅原 子和硼原子之间形成共价键。受主原子中由于 缺乏第四个电子,因而产生了一个空穴,这时 的硅称为P型半导体。 价带空穴多于导带电子 空穴为多数载流子 如果在N(P)型硅中施加一直流电压,电子或空 穴会聚成电流形式流过该材料。杂质原子在硅 中的固溶度决定了电流的流动能力,加入杂质 越多,电阻率下降,导电性能增加。
• 杂质补偿:同一块半导体同时存在施主和受主 两种杂质,这时导电类型由杂质浓度高的那种 元素决定。而电流(导电能力)的大小由杂质 浓度差决定。这是因为电子首先填满受主空穴, 余下的才被激发到导电参加导电。这种不同类 型杂质对导电能力相会抵消的现象称为杂质补
偿。
• 硅中的常用其它杂质: 金 快扩散杂质,双重能级,复合中心 可以减小载流子受命提高电路速度。 氧 1016/cm3 --1018/cm3的氧浓度是在晶体生 长时引入的,绝大部分占据间隙位置,少量和 硅聚合成絡合物起到施主作用。 碳 可形成C-SI絡合物,过高浓度会导致 P-N结击穿。
• 2#酸性清洗液
HCL : H2O2 : H2O
1 : 1(2) : 6(8)
金属和酸反应成为离子并溶于具有强烈氧化效应 的酸溶液中,同时有机物被氧化分解。 高氧化能力和低PH值溶液可以有效去除金属和有 机物。 1#、2#液使用条件:75-85 0С 10-20min • 3#酸性清洗液 H2SO4 : H2O2 7 : 3
• 对于硅中的三族和五族杂质,他们作为受主和 施主时其电离能大小并不一样。但有一个共同 特点,就是电离能和禁带宽度相比都非常小。 (B:0.045ev,P:0.044ev)这些杂质形成的能 级在禁带中很靠近价带顶和导带底,这种能级 被称之为浅能级。 • 图 给出了硅的能级图 • 例:硅原子密度5.22 Χ1022 /cm3 搀杂浓度为百万分之一( 10-6)时要掺 1016 /cm3量级的杂质, 室温下本征硅的载流子浓度 1010 /cm3 , 所以杂质所提供的载流子是主要的。
单晶硅的晶体结构建模与能带计算讲义-(1)
单晶硅的晶体结构建模与能带计算讲义-(1)单晶硅(其它典型半导体)的晶体结构建模与能带计算注:本教程以Si为例进行教学,学生可计算Materials Studio库文件中的各类半导体。
一、实验目的1、了解单晶硅的结构对称性与布里渊区结构特征;2、了解材料的能带结构的意义和应用;3、掌握Materials Studio建立单晶硅晶体结构的过程;4、掌握Materials Studio计算单晶硅能带结构的方法。
二、实验原理概述1、能带理论简介能带理论是20世纪初期开始,在量子力学的方法确立以后,逐渐发展起来的一种研究固体内部电子状态和运动的近似理论。
它曾经定性地阐明了晶体中电子运动的普遍特点,并进而说明了导体与绝缘体、半导体的区别所在,了解材料的能带结构是研究各种材料的物理性能的基础。
能带理论的基本出发点是认为固体中的电子不再是完全被束缚在某个原子周围,而是可以在整个固体中运动的,称之为共有化电子。
但电子在运动过程中并也不像自由电子那样,完全不受任何力的作用,电子在运动过程中受到晶格原子势场和其它电子的相互作用。
晶体中电子所能具有的能量范围,在物理学中往往形象化地用一条条水平横线表示电子的各个能量值。
能量愈大,线的位置愈高。
孤立原子的电子能级是分立和狭窄的。
当原子相互靠近时,其电子波函数相互重叠。
由于不同原子的电子之间,不同电子与原子核之间的相互作用,原先孤立原子的单一电子能级会分裂为不同能量的能级。
能级的分裂随着原子间距的减小而增加。
如图1所示,如果N 个原子相互靠近,单一电子能级会分裂为N个新能级,当这样的能级很多,达到晶体包含的原子数目时,一定能量范围内的许多能级(彼此相隔很近)形成一条带,称为能带。
各种晶体能带数目及其宽度等都不相同。
相邻两能带间的能量范围称为“带隙”或“禁带”。
晶体中电子不能具有这种能量。
完全被电子占据的能带称“满带”,满带中的电子不会导电。
完全未被占据的称“空带”。
部分被占据的称“导带”,导带中的电子能够导电。
第二章--能带理论(1)
第二章能带理论(1)能带理论是固体物理学中描述电子在晶体中运动规律的重要理论,它为我们理解固体材料中的电子行为提供了坚实的基础。
在晶体中,电子的运动受到原子核和周围电子的相互作用,这种相互作用导致了电子能级的分裂,形成了能带结构。
能带理论的应用非常广泛,它不仅可以帮助我们理解固体材料的导电性,还可以用于解释固体材料的光学、热学、磁学等性质。
例如,通过能带理论,我们可以解释为什么半导体材料在光照下会产生电流,以及为什么不同颜色的光会对半导体的导电性产生影响。
能带理论为我们提供了一种研究固体材料性质的有力工具,它不仅有助于我们深入理解固体材料的微观结构,还可以指导我们设计和制备新型材料。
随着科技的不断发展,能带理论的应用将越来越广泛,为我们揭示更多固体材料的奥秘。
能带理论不仅仅局限于电子的能级分裂和能带的形成,它还深入探讨了电子在晶体中的运动状态和相互作用。
在能带理论中,电子被视为量子力学中的粒子,其运动受到量子力学规律的约束。
电子在晶体中的运动状态可以用波函数来描述,而波函数的平方则代表了电子在空间中的概率分布。
能带理论还可以用来解释固体材料的光学性质。
当光照射到固体材料上时,电子会吸收光子能量,从而跃迁到导带。
这种跃迁会导致光的吸收,因此固体材料会呈现出不同的颜色。
通过能带理论,我们可以解释为什么不同颜色的光会对半导体的导电性产生影响。
例如,红色光的光子能量较低,无法使半导体中的电子跃迁到导带,因此半导体在红色光照射下导电性较差;而蓝色光的光子能量较高,可以使半导体中的电子跃迁到导带,因此半导体在蓝色光照射下导电性较好。
能带理论的应用不仅限于解释固体材料的性质,还可以用于设计和制备新型材料。
例如,通过调控能带结构,我们可以设计和制备具有特定性质的材料,如高效的光电器件、高速的电子器件等。
能带理论还可以用于解释和研究材料的缺陷、杂质等对材料性质的影响。
能带理论是固体物理学中一个非常重要的理论,它为我们理解固体材料的性质提供了有力的工具。
能带理论简介
能带理论(Energy band theory )是讨论晶体(包括金属、绝缘体和半导体的晶体)中电子的状态及其运动的一种重要的近似理论。
它把晶体中每个电子的运动看成是独立的在一个等效势场中的运动,即是单电子近似的理论;对于晶体中的价电子而言,等效势场包括原子实的势场、其他价电子的平均势场和考虑电子波函数反对称而带来交换作用,是一种晶体周期性的势场。
能带理论(Energy band theory )是讨论晶体(包括金属、绝缘体和半导体的晶体)中电子的状态及其运动的一种重要的近似理论。
它把晶体中每个电子的运动看成是独立的在一个等效势场中的运动,即是单电子近似的理论;对于晶体中的价电子而言,等效势场包括原子实的势场、其他价电子的平均势场和考虑电子波函数反对称而带来交换作用,是一种晶体周期性的势场。
一维无限深势阱是指粒子在一种简单外力场中做一维运动的势能分布
在金属中的自由电子不会自发地逃出金属,它们在各晶格结点(正离子)形成的“周期场”中运动。
进一步简化这个模型,可以粗略地认为粒子被“无限高”的势能壁束缚在金属之中,由此而抽象出粒子在无限深势阱中运动。
为简单起见,设势阱是一维的,这是量子力学中最简单的例子。
自由电子在一块金属中的运动相当于在势阱中的运动。
在阱内,由于势能为零,粒子受到的总的力为零,其运动是自由的。
在边界上x=0或x=a处,由于势能突然增加到无限大,粒子受到无限大指向阱内的力。
因此,粒子的位置不可能到达0<x<a的范围以外。
导带:电子可以在其中高速移动,增加物质的导电性
禁带:不允许电子自由移动的地方
允带:允许电子自由移动的地方
价带:电子可以在其中移动,但是移动的速度较慢。
第二章能带理论
何力的作用,电子在运动过程中受到晶格中原子周 期势场的作用。
是什么原因决定了固体是导体,绝缘体,或者半导体?
固体的能带结构!
自由电子理论忽略了电子与原子和其它电子 的相互作用,有局限性。
能带理论认为电子要受到一个周期性势场的作用。
导体
104 107 m
108 m
半导体
绝缘体
它们的导电性能不同, 108 m 是因为它们的能带结构不同。
一般填充规律:
孤立原子的内层电子能级一般都是填满的, 在形成固体时,其相应的能带也填满了电子。
孤立原子的最外层电子能级可能填满了电子也可 能未填满电子。若原来填满电子的, 在形成固体时,其相应的能带也填满电子。
经典自由电子理论
正离子所形成的电场是均匀的;自由电子运动的规律遵循经典力学气体分子的运动 定律;自由电子与正离子之间的相互作用仅仅是类似于机械碰撞。
该理论认为,在没有外电场作用时,金属中的自由电子沿着各方向运动的几率相同, 故不产生电流。当施加外电场后,自由电子获得附加速度,于是便沿外电场方向发 生定向迁移,从而形成电流。自由电子在定向迁移过程中,因不断与正离子发生碰 撞,使电子的迁移受阻,因而产生了电阻。
核磁共振方法不仅在核物理研究中起着重要作用,而且在科学技术上也有 着广泛的应用。例如,核磁共振分析可以用来探测物质的微观结构和各种 相互作用;核磁共振人体成像有望成为诊断疾病的有力工具。
自由电子气 真实晶体中的电子
能带理论的基本假设
能带理论的基本出发点: 固体中的电子不是完全被束缚在某个原子周围,
绝缘体的电阻率 ~ 1014 1022 cm
电子能带理论【ppt】
电子能带理论【PPT】2.1近自由电子近似2.1近自由电子近似一、能带的形成一、能带的形成零势场中的电子零势场中的电子单电子的运动单电子的运动—势场的单电子:势场的单电子:222mH?自由电子的运动自由电子的运动::V(r)?一维晶体的一维晶体的Schodinger方程:方程:)(222xVmHE?)]xVdxdm???(2[222?加一项其他粒子对电子的作用势加一项其他粒子对电子的作用势0?电子在周期性的势场中运动,满足:(xV||||)2(2)()()002/210nnanzinN?nVEVVanmhEaxVxVeVV能带理论:能带理论:? 求解金属晶体中电子的容许能态的能带模型求解金属晶体中电子的容许能态的能带模型能带模型:能带模型:? 其一:近自由电子近似其一:近自由电子近似? 其二:紧束缚近似、克隆尼克其二:紧束缚近似、克隆尼克—潘纳近似、潘纳近似、瓦格纳瓦格纳瓦格纳瓦格纳—赛茨近似赛茨近似赛茨近似、赛茨近似、、原胞和原子轨道线性组合法原胞和原子轨道线性组合法、原胞和原子轨道线性组合法原胞和原子轨道线性组合法二、能带形成的微观解释:((1)外层电子共有化)外层电子共有化晶体中电子的运动晶体中电子的运动b.电子的共有化运动电子的共有化运动+++a. 原子的能级原子的能级原子的能级(电子壳层)原子的能级(电子壳层)+++++++原子结合成晶体时晶体中电子的共有化运动原子结合成晶体时晶体中电子的共有化运动U? ?? ?r单个原子单个原子U? ?? ?r两个原子两个原子? ?? ?由于晶体中原子的周期性排列而使价电子不再为单个原子所有的现象,称为电子的共有化称为电子的共有化。
由于晶体中原子的周期性排列而使价电子不再为单个原子所有的现象,。
U? ?r? ?? ?? ?? ?? ?? ?? ?? ?晶体中周期性势场晶体中周期性势场2EE1对大量原子有规则地排列成晶体时,由于原子离得很近,每个电子不仅受到本身原子核的作用,而且受到邻近原子核的影响,内层电子因受原子核的牢牢束缚而影响较小;价电子或外层电子却不同,外层电子受邻近原子的作用更强,容易脱离原来的原子而进入到其他原子当中。
半导体物理 第二章
E-k关系
对于无限晶体,波失 k 可以连续取值;对于某一确定的 k 值, nk (r ) ,能量本征值En随波矢 k 是连续变化的。可以用 k
薛定谔方程存在一系列分立的能量本征值Enk和相应的本征函数
和n来表征电子状态。 但在晶体中,由于存在平移对称性,可以用来表征某一确定 电子状态的 k 并不是唯一的。若 k k Gl,则波矢 k 同样可以用来表征由 k 所表征的电子状态,其中 Gl 为倒格矢,
里渊区中给出。每一个布里渊区
有中一个能带,第n个能带在第n 个布里渊区中
Ⅲ
Ⅱ
Ⅰ
Ⅱ
Ⅲ
E E-k关系总是中心对称的: n (k ) En (k )
在每一个布里渊区中给出所有能带 周期布里渊区图象: 由于认为 k 与 k G 等价,因此可以认为 En k 是以 倒格矢 G 为周期的周期函数,即对于同一能带n,有
i, j=1, 2, 3
2n 一维情形 k k a 这样,在晶体中,电子能量E随k周期性地变化。对应于 不同的n,电子状态分别被限制在一定能量间隔内,分别 属于不同的能带。相邻的能带之间可能存在一定的能量 间隙,在其中不存在电子状态,为禁带。
1. En(k)函数的三种图象 扩展布里渊区图象: 不同的能带在k空间中不同的布
在晶体中的电子有如被封闭在一个容器中,使得 k 并不能
有任意的数值。 下面我们来计算每个能带所包含的电子状态数量。通常有 所谓周期性边界条件来得到允许k值。
设一维晶格的晶格长度为L=Na, N为所包含的原胞总数,a为 晶格常数,此处为原子间距。 周期性边界条件:
k ( 0) k ( L ) ( x ) eikxuk ( x ) (0) uk (0) ( L) eikLuk ( L)
半导体器件物理第二章能带和载流子
20
半导体器件物理第二章能带和载流 子
绝缘体: 被电子占据的最高能带是满带,而且禁 带宽度很大。空带全空,满带全满。激发电子需 要很大能量。除非电场很强,上面许可带中没有 电子,因此在电场下没有电流。良好地绝缘性。
(Eg>5eV)
21
半导体器件物理第二章能带和载流 子
对于金属,被电子填充的最 高能带通常是半满或部分填 充的。能带发生交叠。在某 一方向上周期场产生的禁带 被另一个方向上许可的能带 覆盖,晶体的禁带消失。
对于半导体,Eg < 2eV.常温 下,当热激发或光照时,满 带中少量电子被激发到上面 空带中,于是参予导电。
脱离共价键所需的最低能 量是禁带宽度Eg。
22
半导体器件物理第二章能带和载流 子
几种固体材料导电特性总结
绝缘体
半导体
导体(金属) 半金属
T=0K T = 300 K
举例
23
不导电
不导电
导电
的最外层有四。
4
半导体器件物理第二章能带和载流 子
金刚石晶格结构:复式晶格。由两个面心 立方晶格沿立方对称晶胞的体对角线错开 1/4长度套构而成。
排列方式 以双原子层ABCABC
晶格常数 原子密度
晶格常数 a (Å)
Si
Ge
5.43089
5.65754
5X1022
4.42X1022
§2.4 共价键
金刚石晶格结构:共价键 闪锌矿晶格结构:共价键 但存在微量离子键成分 本征激发或热激发: 电子与空穴 见Flash
11
半导体器件物理第二章能带和载流 子
§2.5 能带
电子共有化运动 原子能级分裂成能带 绝缘体、半导体、导体的能带
能带理论概述1
能带理论概述摘 要:一般来说,物质具有四种状态:即气态,等离子体态,液态和固态。
凝聚态物理研究的是后面两种状态。
固态和液态是人类经常接触的物质形态,它们的宏观变化规律人类早已有所了解,但大多属于表象规律。
从结构来说,凝聚态物质比气态要复杂得多,因为凝聚态物质的原子间距与原子本身的线度在数量级上大致相同,原子间有较强的相互作用,经典理论不适于处理凝聚态的微观过程。
能带理论是凝聚态物理中非常重要的理论。
本文简要说明能带理论主要思想。
关键词:能带理论 电子输运性质 费米面1能带理论固体能带理论是固体物理学中最重要的基础理论,它的出现是量子力学,量子统计理论在固体中应用的最直接,最重要的结果。
能带理论成功的解决了索末菲半经典理论处理金属所遗留下来的问题,为其后固体物理学的大发展提供了条件。
1926年布洛赫在瑞士的苏黎世读大学时参加了薛定谔第一次关于他的波动力学的报告会,了解了微观粒子的运动规律。
1928年初海森伯认识到量子力学可能在固体的研究中有丰硕的成果,他为布洛赫提出了两个亟待解决的问题,一个是铁磁性理论,揭示外斯分子场理论的实质;另一个是金属电导理论。
布洛赫非常了解经典电子论和半经典电子论的成功和困难他从电子的波动性入手,物理图像的启发来自海特勒,伦敦和洪德对分子中电子特性的论述,以及耦合摆运动的迁移现象。
数学上它采用传统的傅里叶展开法来处理最简单的一维单原子势场中的电子运动问题。
发现薛定谔方程的解与自由电子德布罗意波的的解差一个周期性的调幅因子: ()()ikr k k x eu x ψ= 其中()()k k u x u x na =+这n 为任意整数,a 为一位单原子链中的原子间距(晶格常数),ikr e 描述平面波,()k u x 是平面波的调幅因子。
这一理论可以概括为在周期性势场中运动的电子波函数具有调幅平面波的形式,调幅因子食欲晶格周期性相同的周期函数,这种电子的波函数成为布洛赫函数。
这一理论就是布洛赫定理,是现代固体理论中的重要基础。
材料物理性能2-1
影响电阻或散射的因素 (续)
令 1 l 为散射系数,并以 μ 表示。则有
在高温下,由于电子的平均自由 程与晶格振动振幅均方成反比, 而后者随温度成线性关系,所以 电阻率与温度成正比关系。
பைடு நூலகம்
铁磁金属的电阻与温度的关系
1) 一般纯金属的电阻温度系数~4×10-3;而过 渡族金属,特别是铁磁性金属具有较高的a 。 Fe: 6×10-3,Co: 6.6×10-3,Ni: 6.2×10-3 2) 一般金属的电阻率与温度是一次方关系;而 铁磁性金属在居里点以下,偏离线性;在居里点 时,铁磁材料的电阻率反常降低量与其自发磁化 Ms平方成正比。
Δρ = Δ ρ v + Δ ρ d
Δρv:表示电子在空位处散射所引起的电
阻率增加值,当退火温度足以使空位扩散 时,这部分电阻消失。
Δρd:表示电子在位错处的散射所引起的
电阻率的增加值,该部分电阻保留到再结 晶温度。
2.2.4.2 缺陷对电阻率的影响
空位、间隙原子以及它们的组合、位错等 晶体缺陷使金属电阻率增加,根据马西森定律, 在极低温度下,纯金属电阻率主要由其内部缺 陷决定。 研究晶体缺陷对金属电阻率的影响,对于 评估单晶体结构完整性有重要的意义。 比如:半导体单晶体的电阻值就是通过控 制缺陷来控制的。
2.1 引言
电流是电荷的定向运动,电流必然伴 随着电荷输运过程。
电荷的载体称为载流子,包括电子、 空穴、正、负离子。
利用迁移数 tx 或输运数:表征材料导 电载流子种类对导电贡献的参数。
适合初学者看的能带理论
03
分子能带理论
分子能级与电子排布
分子能级
分子中的原子在相互振动时,会形成 不同的能级,这些能级决定了分子的 稳定性和化学反应能力。
电子排布
分子中的电子按照能量高低在不同轨 道上排布,形成不同的电子构型,对 分子的化学性质产生影响。
分子光谱与电子跃迁
分子光谱
通过分析分子吸收或发射的光谱,可以了解分子内部能级结 构和电子排布。
量子计算与量子通信的能带理论基础
量子计算
量子计算利用量子力学的特性进行信息处理,能带理论在理解量子比特和量子门操作等 方面发挥了重要作用。
量子通信
量子通信利用量子态的传输进行信息传递,能带理论在量子密钥分发和量子隐形传态等 方面提供了理论基础。
能带理论与其他物理理论的交叉研究
凝聚态物理
能带理论与凝聚态物理密切相关,通过研究 不同材料的能带结构和物理性质,可以深入 理解物质的微观结构和宏观性质。
光子禁带
在光子晶体的能带结构中,某些频率的光不能在其中传播,这种现象被称为光子禁带。光子禁带的存在可以用来 控制光的传播和光与物质的相互作用。
光子在介质中的传播与散射
传播
当光子在介质中传播时,会受到介质的折射和反射。折射和反射的性质取决于光子的波长和介质的性 质。
散射
当光子与介质中的原子或分子相互作用时,可能会发生散射。散射会导致光的方向改变和能量的损失 。散射的性质取决于介质的微观结构和光子的波长。
太阳能电池原理与应用
01
02
03
光吸收与能带结构
太阳能电池利用半导体材 料的能带结构,通过光吸 收产生光生载流子,从而 实现光电转换。
光电转换效率
能带理论有助于理解光电 转换效率的限制因素,为 提高太阳能电池效率提供 理论指导。
半导体光电子学§2.1 异质结及其能带图
加正向偏压 vf 时,外加电场与内建电场方
向相反,空间电荷相应减少,势垒区宽度减少, 扩散运动超过了漂移运动 qvD q(vD vf ) , 载流子扩散运动超过了漂移运动→成为正向电流。
→n 区电子进入p区成为p区非平衡少数载流子。 →非平衡少数载流子的电注入。
扩散过程中与多子相遇而不断复合→一个扩散长度 后复合完毕。
x1
Ec1
1
VDP
F
Ev1
xp
内建电场
VD VDP VDN
Ec
Ev xn
Eg1 Eg2
VDN
x1 x2
Ec2 1 2
Ev 2
x1 Eg1 x2 Eg 2
④ p-n结 p- n: n型和p型样占接触在一起p- n结。 n区电子向p区扩散→n区剩下电离施主,形成带 正电荷区。 p区孔穴向n区扩散→p区剩下电离受主,形成带 负电荷区。
第二章 异质结
§2 – 1 异质结及其能带图
①异质结:两种禁带宽度不同的半导体材料,通过一定 的生长方法所形成的结。
②分 类
按电荷分布 按掺杂类型
突变结
缓变结 同型异质结 p-P,n-N
异型异质结 p-N,n-P
③ 能带图 界面上静电场是不连续的;功函数Φ;电子
亲和势X 电子势能增加方向
真空能级
3.同型异质结材料费米能级有差别 → 扩散
4. Eg: X: Φ:
不同, 能带不同
F:
x1
Ec1
Ev1
1
Ec Eg1
Ev
-+
x1 x2 1 2 x1 Eg1 x2 Eg 2
1
2 Ec2
-+
固体物理知识点总结
一、考试重点晶体结构、晶体结合、晶格振动、能带论的基本概念与基本理论与知识二、复习内容第一章晶体结构基本概念1、晶体分类及其特点:单晶粒子在整个固体中周期性排列非晶粒子在几个原子范围排列有序(短程有序)多晶粒子在微米尺度内有序排列形成晶粒,晶粒随机堆积准晶体粒子有序排列介于晶体与非晶体之间2、晶体的共性:解理性沿某些晶面方位容易劈裂的性质各向异性晶体的性质与方向有关旋转对称性平移对称性3、晶体平移对称性描述:基元构成实际晶体的一个最小重复结构单元格点用几何点代表基元,该几何点称为格点晶格、平移矢量基矢确定后,一个点阵可以用一个矢量表示,称为晶格平移矢量基矢元胞以一个格点为顶点,以某一方向上相邻格点的距离为该方向的周期,以三个不同方向的周期为边长,构成的最小体积平行六面体。
原胞就是晶体结构的最小体积重复单元,可以平行、无交叠、无空隙地堆积构成整个晶体。
每个原胞含1个格点,原胞选择不就是唯一的晶胞以一格点为原点,以晶体三个不共面对称轴(晶轴) 为坐标轴,坐标轴上原点到相邻格点距离为边长,构成的平行六面体称为晶胞。
晶格常数WS元胞以一格点为中心,作该点与最邻近格点连线的中垂面,中垂面围成的多面体称为WS原胞。
WS原胞含一个格点复式格子不同原子构成的若干相同结构的简单晶格相互套构形成的晶格简单格子点阵格点的集合称为点阵布拉菲格子全同原子构成的晶体结构称为布拉菲晶格子。
4、常见晶体结构:简单立方、体心立方、面心立方、金刚石闪锌矿铅锌矿氯化铯氯化钠钙钛矿结构5、密排面将原子瞧成同种等大刚球,在同一平面上,一个球最多与六个球相切,形成密排面密堆积密排面按最紧密方式叠起来形成的三维结构称为密堆积。
六脚密堆积密排面按AB\AB\AB…堆积立方密堆积密排面按ABC\ABC\ABC…排列5、晶体对称性及分类:对称性的定义晶体绕某轴旋转或对某点反演后能自身重合的性质对称面对称中心旋转反演轴8种基本点对称操作14种布拉菲晶胞32种宏观对称性7个晶系6、描述晶体性质的参数:配位数晶体中一个原子周围最邻近原子个数称为配位数。
单晶硅的晶体结构建模与能带计算讲义(1)
单晶硅的晶体结构建模与能带计算讲义(1)单晶硅(其它典型半导体)的晶体结构建模与能带计算注:本教程以Si为例进行教学,学生可计算MaterialStudio库文件中的各类半导体。
一、实验目的1、了解单晶硅的结构对称性与布里渊区结构特征;2、了解材料的能带结构的意义和应用;3、掌握MaterialStudio建立单晶硅晶体结构的过程;4、掌握MaterialStudio计算单晶硅能带结构的方法。
二、实验原理概述1、能带理论简介能带理论是20世纪初期开始,在量子力学的方法确立以后,逐渐发展起来的一种研究固体内部电子状态和运动的近似理论。
它曾经定性地阐明了晶体中电子运动的普遍特点,并进而说明了导体与绝缘体、半导体的区别所在,了解材料的能带结构是研究各种材料的物理性能的基础。
能带理论的基本出发点是认为固体中的电子不再是完全被束缚在某个原子周围,而是可以在整个固体中运动的,称之为共有化电子。
但电子在运动过程中并也不像自由电子那样,完全不受任何力的作用,电子在运动过程中受到晶格原子势场和其它电子的相互作用。
晶体中电子所能具有的能量范围,在物理学中往往形象化地用一条条水平横线表示电子的各个能量值。
能量愈大,线的位置愈高。
孤立原子的电子能级是分立和狭窄的。
当原子相互靠近时,其电子波函数相互重叠。
由于不同原子的电子之间,不同电子与原子核之间的相互作用,原先孤立原子的单一电子能级会分裂为不同能量的能级。
能级的分裂随着原子间距的减小而增加。
如图1所示,如果N个原子相互靠近,单一电子能级会分裂为N个新能级,当这样的能级很多,达到晶体包含的原子数目时,一定能量范围内的许多能级(彼此相隔很近)形成一条带,称为能带。
各种晶体能带数目及其宽度等都不相同。
相邻两能带间的能量范围称为“带隙”或“禁带”。
晶体中电子不能具有这种能量。
完全被电子占据的能带称“满带”,满带中的电子不会导电。
完全未被占据的称“空带”。
部分被占据的称“导带”,导带中的电子能够导电。
能带理论与半导体物理
能带理论与半导体物理能带理论是固体物理学中的重要理论之一,它描述了电子在晶体中的能量分布情况。
半导体物理则是研究半导体材料中电子行为的学科,包括能带结构、载流子输运等内容。
本文将介绍能带理论的基本原理,并探讨其在半导体物理中的应用。
能带理论的基本原理能带理论是由布洛赫定理和泡利不相容原理共同构建而成的。
布洛赫定理指出,在晶体中,电子的波函数可以表示为平面波和周期函数的乘积形式。
泡利不相容原理则规定了每个能级上最多只能容纳两个电子,并且这两个电子的自旋方向必须相反。
根据布洛赫定理和泡利不相容原理,我们可以得到能带结构的概念。
能带是指在晶体中,电子能量允许存在的范围。
根据波函数的周期性,能带可以分为价带和导带。
价带是指电子处于较低能量状态时所占据的能级范围,而导带则是指电子处于较高能量状态时所占据的能级范围。
两者之间的能量间隙称为禁带。
半导体物理中的应用半导体是一类具有介于导体和绝缘体之间电导率的材料。
在半导体物理中,能带理论被广泛应用于解释半导体的电子行为和性质。
能带结构与导电性半导体的能带结构决定了其导电性质。
根据能带理论,半导体的价带通常被填满,而导带则是空的或者部分填充。
这意味着在半导体中,存在着可以被激发到导带中的自由电子。
当外界施加电场或加热时,这些自由电子可以在晶格中移动,从而形成电流。
掺杂与半导体器件掺杂是指向半导体中引入杂质原子以改变其电子特性的过程。
根据能带理论,掺杂可以改变半导体的能带结构,从而影响其电子行为。
常见的掺杂方式包括n型和p型掺杂。
n型掺杂是指向半导体中引入杂质原子,使其具有多余的电子。
这些多余的电子可以在外加电场的作用下形成电流,因此n型半导体具有较好的导电性能。
p型掺杂则是指向半导体中引入杂质原子,使其具有缺失的电子。
这些缺失的电子可以被外界提供的电子填充,从而形成电流。
因此p型半导体也具有较好的导电性能。
根据n型和p型半导体的特性,我们可以构建出多种半导体器件,如二极管、晶体管和集成电路等。
02能带结构及基本效应1
EF = EC − K BT ln
NC ND
(非简并半导体)
EF =
N 1 1 ( EC + EV ) − kBT ln C 2 2 NV
其中NC为导带的有效态密度,ND为施主掺杂浓度。
本征半导体中电子按能量的分布 N型硅晶体的平面示意图及其能带
费米能级的物理意义及计算方法
P型半导体 —— 偏向于价带边的一侧。
二.纳米粒子的能带结构
1)金属纳米粒子的能带结构 2)半导体纳米粒子的能带结构
4
金属纳米粒子的能带结构
1 2m 2 1 2 N (E) = E 2π 2 h 2
3
金属纳米粒子的能带结构
从原子的离散能级到块体材料的准连续能带
块 体 Au
宏观尺 度的 金属 材料在 高温 条件 下 ,其能带 可以 看作是连续的。
金属纳米粒子的能带结构
等能级间隔模型的缺点 等 能级近 似 模型 可以 推 导 出 低温下单 个 金属 纳米 颗 粒的 比 热 公 式, 但 实际上 无 法 用实验验证 , 因为 我 们 只 能对纳米 颗 粒的 集 合 体进行实验。而 在 此集 合体中 又必 须考虑(因粒径尺寸等因素造成的)能级间隔δ 的统计分 布性质。久保的贡献主要体现在这方面。 δ EF
δ
EF
δ C (T ) = k B exp − k BT
δ~kBT
自由电子气能量示意图
高温简化为与1/T成线性关系
金属纳米粒子的能带结构
纳米粒子能带的离散性
金属纳米粒子的能带结构
纳米 金属 粒子的能带 离散性 使 其 热 力 学 性质 , 诸 如比热、磁化率等显著不同于块体性质。 实际 上 , 低温 条件 下 ,只有费米能级 附 近的 几 个 能级对物理性质起重要作用。
1.3 晶体中的电子状态——能带 1.3.2 能带论 - 1
1.3.2 能带论1. 单电子近似Ø单电子近似:晶体中的某一个电子是在周期性排列且固定不动的原子核势场以及其他大量电子的平均势场中运动,这个势场也是周期性变化的,而且它的周期与晶格周期相同。
晶体中的电子是在晶格的周期性势场(原子核与电子的平均势场)中运动的2.自由电子的运动状态与晶体中电子的运动状态一维薛定谔方程方程的解2220()-()2d x E x m dxψψ= 2()i kx x Aeπψ=电子在空间某一点出现的几率与波函数在该点的强度成正比2Aψψ*=晶体中的电子 受周期性势场V(x)的作用2220()-()()()2d x V x x E x m dxψψψ+= 2 ()()i k x k k x e u x πψ=自由电子平面波 布洛赫函数(布洛赫波)被周期性函数u k (x)调制的平面波()()k k u x u x ψψ**= 布洛赫波的强度随晶格周期性变化,说明电子在晶体的一个原胞中各点出现的几率不同,但在晶体中每个原胞的对应位置(等价点),出现的几率自由运动受晶格周期性势场影响的运动波函数的强度处处相等电子在空间各点出现的几率相同,Ø电子能量与波矢的关系晶体中的电子 (受周期性势场的作用)自由电子Ø平面波的波矢量描述自由电子的运动状态Ø布洛赫函数的波矢量表征晶体中电子的共有化运动状态晶体中电子能量与波矢的关系如何?222o k E m 波矢量可连续变化电子在晶体中每一个原胞的对应位置(等价点)上出现的几率相同的,这些等价点上的电子状态是相同的。
一维情况,波矢可以写为:'k k 和 对应倒格子空间中不同原胞的等价点,表征的是同一电子状态。
3.晶体中电子能量与波矢的关系(E-k 关系)'2, 0,1,2,3,...n k k n a π=+=±±±显然,能量E 也是波矢k 的周期性函数:(')()E k E k =(a) E(k)~k 关系 (b) 能带求解一维条件下晶体中电子的薛定谔方程,可以得到图(a)所示的晶体中电子的E(k)~k 关系:Γ:(0,0,0)为布里渊区中心L:(1/2,1/2,1/2)为布里渊区边界与<111>轴的交点;X:(0,0,1) 为布里渊区边界与<100>轴的交点;K:(3/4,3/4,0) 为布里渊区边界与<110>轴的交点。
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2 2 [ V ( r )] ( r ) E ( r ) 2m V ( r R ) V (r ) n
(r ) 为周期场中的电子波函数
三、Bloch定理
周期场中运动的电子波函数必定是被晶格周期函数 调幅的平面波----Bloch波(调幅波)
( r R ) u ( r R )e u ( r )e e ( r )e
E(k ) E(k )
Es (k )
多值性:
带指数s
s ,k ( r )
§2.2 一维周期性势场中电子的能量状 态-Kronig-Penney模型
一、Kronig-Penney模型势
1931年Kronig-Penney提出了一个晶体势场的模型 (1)由方形势阱、势垒周期排列而成; (2)势阱宽度为c,势垒宽度为b,周期为a=b+c; (3)势阱的势能为0,势垒的高度为V0
(2)
方程解的形式
( x) u ( x)eikx u ( x na) u ( x)
(3)
d2 du 2m 2 (4) u ( x ) 2 ik ( E V ( x )) k u ( x ) 0 dx 2 dx2
(2)边界条件 在势能突变点,波函数 ( x) 以及其导数 ( x) 必须连续。
(3) 服从F-D统计。
能解释金属传导电子的热容
C Ce CL T aT 3
问题
不能解释金属、半导体和绝缘体之间的本质区别以及许多 细致的输运过程,特别是磁场中的输运现象:正值Haul系 的出现。
Bloch Brillouin的能带论
1926年奥地利物理学家薛定谔创立了量子波动力学方程, 1927年瑞士物理学家布洛赫对电子在周期性原子排列的势场 中的运动规律进行了计算,导致了能带论的诞生。 (1)晶体中电子是在周期性势场中运动; (2) 服从F-D统计。 考虑到晶格周期场作用而建立起来的能带理论,可以对晶体的 许多现象给出正确的解释,它是目前研究固体电子状态最重要 的理论。
(2)k 的取值(由周期性边界条件定)
周期性边界条件
k (r ) k (r i Ni ai )
e
ik ( i Ni ai )
e
i(
kii Ni ai )
i
i
1
假设基矢正交
ki Ni ai 2 i ,
2 ki i bi , N i ai Ni
i
Z ; i 1,2,3
§2.1 能带论的基本假定与Bloch定理
一、能带论的基本假定---单电子近似
要确定固体中电子的能量状态,出发点是组成固体的 多粒子系统的薛定谔方程:
ˆ T T V V V H e L ee eL LL
能带论: 将多体问题简化为单电子问题---单电子近似
(1)绝热近似(静态近似、波恩-奥本海默近似) 将多体问题变成多电子问题
Sommerfeld 量子自由电子气理论
20世纪初,量子力学在解决有关原子和分子的相关 问题方面,起了很大的推动作用。人们意识到必须用 量子力学的理论来解释金属中电子行为。 1928年,Sommerfeld提出量子自由电子气理论。
(1)用薛定谔方程描述电子的运动; (2) 晶体中电子是自由电子;
b1 b2 b3 r (2 )3 (2 )3 ( ) N1 N 2 N 3 N1N 2 N 3 N d V
状态空间中状态密度或单位体积状态数为: (k )
状态空间 d k 体积中,状态数为:
V (2 ) 3
dZ 2 (k )dk
(4)能量本征值以及Bloch函数的一些性质
布洛赫定理的证明:
(1)引入晶格平移算子 (2)证明对易关系 有共同的本征函数
ˆ ( R ) f ( r ) f (r R ) T n n
ˆ ( R ), H ˆ (r )] T ˆ ( R )H ˆ (r ) H ˆ (r )T ˆ(R ) 0 [T n n n
ˆ (r ) E (r ) H
ik ( r R ) ik r ik R
(r ) u (r )e u (r R ) u (r )
ik . r k k k k
ik R
uk ( r ) k
具有晶格周期性的函数
实矢量,量纲:物理意义,k 是动量本征值。 1 ik r f ,k e V
P i ,
P f ,k ( r ) k f ,k ( r )
Bloch函数不是动量算符的本征函数。因此, k 不是晶格电 子的真实动量,是一个具有动量量纲的量。
(r ) u (r )e u (r R ) u (r )
Z ; i 1,2,3
i
1 2 3 k b1 b2 b3 N1 N2 N3
限制在第一布里渊区内
b1 b1 k1 2 2
Ni 2
b2 b2 k2 2 2
b3 b3 k3 2 2
i
Ni , i 1, 2,3 2
Bloch函数
k (r ) uk (r )eik .r
平面波因子,描述晶体电子的公有化运动; 反映电子在原胞中的运动,取决于原胞中的势场。
e
ik r
uk ( r )
周期性:
k K (r ) k (r )
h
E(k Kh ) E(k )
对称性:
* k ( r ) k (r )
ˆ T T V V V H e L ee eL LL
M原子实>>m电,认为原子实(离子实)固定在瞬 时的位置上
H e Te Vee VeL
(2)Hartree-Fock平均场近似(单电子近似)
将多电子问题变成单电子问题
H e Te Vee VeL
假定电子之间的相互作用可用某种平均场来代替, 每个电子是在离子势场以及其它电子的平均场中运动。
作用在每个电子上的势只与该电子的位置有关,而 与其它电子的位置和状态无关。
H 1e
T1e Vee ( r ) Ve ( r )
Ve (r ) 为固定离子势场。
V ee ( r )为其他电子
T1e 为单个电子的动能,
的平均场,
(3)周期势场假定:单电子在周期势场中运动。
认为所有离子势场和其它电子的平均场是周期性 势场,具有与晶格相同的周期:
数学表达:
在一个周期-b<x<c区域,粒子的势能:
0 V ( x) V0
(0 x c ) (b x 0)
其它区域
(1)
V ( x na) V ( x)
势能的周期性是晶格周期性的反映
二、方程、边界条件
(1) 运动方程
2 d 2 V ( x) ( x) E ( x) 2 2m dx V ( x) V ( x na)
n
四、讨论
(1)波矢 k 的意义 实矢量 k 起着标志电子状态的量子数的作用,故称为
波矢。
波函数、能量本征值都与波矢有关,不同 k 表示电子的
不同状态。
ˆ ( r ) E ( k ) ( r ) H k k ik r k ( r ) e uk ( r ) u ( r R ) u ( r ) k n k
第二章
§2.1 §2.2 §2.3 §2.4 §2.5 §2.6 §2.7
能带论(Band Theory)
能带论的基本假定与Bloch定理 Kronig-Penney模型 近自由电子近似 紧束缚近似 晶体中电子的准经典运动 固体导电性能的能带论解释 Si、Ge、GaAs的能带结构
§2.0 引言
固体中电子运动论发展三阶段 : Drude-Lorentz经典自由电子气理论
li 共 Ni个不同的取值
第一布里渊区内,波矢代表点数目为N=N1N2N3
(3)状态密度
1 2 3 k b1 b2 b3 N1 N2 N3
波矢在状态空间(倒格子空间)中是均匀分布的,每个点都落在 以 bi N为基矢的格子的格点上。
i
每个状态代表点在状态空间中所占的体积为:
(1) 晶体中电子(价电子)是自由电子 (2) 服从M-B分布
欧姆定律
j E
Wiedemann-Franz Law
热导率与电导率之间的关系: LT
问题:不能解释传导电子的热容
该理论预言:自由电子的热容为3/2NkBT,与晶格热容可比拟; 对大多数金属,实验值只有该理论值的1%。 原因:不是所有价电子(N个)参与贡献,只有费米面附近的 电子参与贡献。
Vee (r ) Ve (r ) V (r ) V (r Rn )
绝热近似
将多体问题变成多电子问题
Hartree-Fock 平均场近似
将多电子问题变成单电子问题
周期势场假定
晶体中电子运动问题
周期性势场单电子运动问题
二、晶体中电子的运动方程
在能带论的基本假定下,可以用下面的方程来描述晶体中单电 子的定态运动:
u( x) 和 u( x) 在势能突变点必须连续。
三、通解(分段考虑)
d2 du 2m 2 u ( x ) 2 ik ( E V ( x )) k u ( x) 0 2 2 dx dx
(1)在区域 0 x c中,势能 V ( x) 0
2mE 2 2
d 2u ( x ) du 2 2 2 ik k u ( x) 0 2 dx dx