半导体二极管1

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第1章—02-半导体二极管-sw

第1章—02-半导体二极管-sw

六、发光二极管 发光二极管
将电能转换成光能的特殊半导体器件。 1.定义:将电能转换成光能的特殊半导体器件。 定义: 2.类型 类型 普通发光二极管 红外发光二极管 …… 直流驱动电路 交流驱动电路
3.常用驱动电路: 常用驱动电路:
4.工作原理: 管子加正向电压时 在正向电流激发下, 4.工作原理:当管子加正向电压时,在正向电流激发下, 工作原理 管子发光,属电致发光。 管子发光,属电致发光。 注意:发光二极管在加正向电压时才发光。 注意:发光二极管在加正向电压时才发光。
模拟电子技术基础 第1章 常用半导体器件
电子系 2010年9月 Electronic Department Sep. 2010
第一章 常用半导体器件
1.1、半导体的基础知识 1.1、 1.2、半导体二极管 1.2、 1.3、 1.3、晶体三极管 1.4、 1.4、场效应管
1.2 半导体二极管
一、二极管的组成 二、二极管的伏安特性及电流方程 三、二极管的等效电路 四、二极管的主要参数 五、稳压二极管 六、发光二极管 七、光电二极管 八、其他二极管 九、二极管的应用
ui=0时直流电源作用 时直流电源作用
∆u D U T 根据电流方程,rd = ≈ ∆iD ID
小信号作用 Q越高,rd越小。 越高, 越小。 越高 静态电流
四、二极管的主要参数
• • • • 最大整流电流I 最大整流电流 F:最大平均值 最大反向工作电压U 最大反向工作电压 R:最大瞬时值 反向电流 IR:即IS 最高工作频率f 最高工作频率 M:因PN结有电容效应 结有电容效应 结电容为扩散电容( 与势垒电容( 之和。 结电容为扩散电容(Cd)与势垒电容(Cb)之和。
uL
+

第1章 半导体二极管和晶体管

第1章 半导体二极管和晶体管

型求出 IO 和 UO 的值。
+ UD -
解:
1、理想模型
UO = V = 6 V
E
IO = E / R = 6 / 6 = 1 (mA)
+
2 V ID
R UR
6KΩ
-
2、恒压降模型
UO = E – UD = 6 0.7 = 5.3 (V) IO = UO / R = 5.3 / 6 = 0.88 (mA)
反向击穿电压 I/mA 反向饱和电流
硅几 A
锗几十~几百 A UBR
硅管的温度稳
IS
O
U/V
定性比锗管好 反向 饱和电流
36
(二)极间电容
第三节、半导体二极管
C
1、PN结存在等效结电容
PN结中可存放电荷,相 当一个电容。
PN
+ ui –
R
– 2、对电路的影响:外加交流电源
+
时,当频率高时,容抗小,对PN
14
第一节、半导体的导电特性
N型半导体
多一个 价电子
4
+5
4
掺杂
4
4
4
15
本征激发
第一节、半导体的导电特性
N型半导体
4
+5
4
掺杂
正离子
电子
4
4
4
多子-------电子 少子-------空穴
N型半导体示意1图6
第一节、半导体的导电特性
P型半导体
多一个 空穴
4
+3
4
掺杂
4
4
4
17
本征激发
第一节、半导体的导电特性

半导体二极管工作原理

半导体二极管工作原理

半导体二极管工作原理
半导体二极管是一种基本的电子器件,其工作原理基于真空二极管的热阴极和阳极间的电子流动现象。

半导体二极管由P
型和N型半导体材料构成,形成一个PN结。

在PN结中,由于P型半导体内含有多余的空穴(正电荷载体),而N型半导体内含有多余的自由电子(负电荷载体)。

当N型半导体接触到P型半导体时,多余的自由电子和空穴
会进行扩散。

由于自由电子迁移到P区,形成负离子,而空
穴迁移到N区,形成正离子。

这就导致PN结的两侧形成了一个带有固定电荷的区域,称为耗尽层。

当外加一个电压到二极管时,如果正电压加在P区,而负电
压加在N区,这就称为正向偏置。

在正向偏置下,正电压将
加速电子和空穴的运动。

自由电子将迁移到P区,而空穴将
迁移到N区,这样当电流通过二极管时,电子就会在PN结处再次重组,产生电子空穴对,并且继续流动到外部电路。

因此,二极管在正向偏置下成为导电状态,也被称为ON(导通)状态。

相反地,如果负电压加在P区,而正电压加在N区,这称为
反向偏置。

在反向偏置下,负电压阻止了电子和空穴的运动,这使得电流无法通过PN结。

因此,二极管在反向偏置下处于
非导电状态,也被称为OFF(截止)状态。

总之,半导体二极管的工作原理基于PN结的形成和正反向偏
置下电子和空穴的运动。

这使得二极管可以用作整流、变压、开关和放大等许多电子电路中的基本组件。

半导体二极管及其应用

半导体二极管及其应用

半导体二极管的应用
激光二极管
激光二极管是一种特 殊的半导体二极管, 它能够产生激光。激 光二极管具有高效率 、低阈值、以及可调 谐的优点,被广泛应 用于各种领域,如通 信、医疗、军事等
5
总结
总结
1
2
3
4
半导体二极管作为 电子学中的基础元 件,具有广泛的应
用领域
从整流器到开关, 从保护电路到激光 二极管,二极管都 发挥着关键的作用
7
结论
2024/7/2
结论
半导体二极管作为电子学中的基础元件,已经经历了漫长的发展历程。 从最初的硅发展到锗,再到现在的硅锗合金等新型材料;从简单的整 流器发展到激光二极管、太阳能电池等多元化领域。这些发展和变化 不仅反映了人类对电子学认识的不断深入,也展示了半导体二极管在 推动科技进步和经济发展中的重要作用
半导体二极管的历史与发展
发展
随着半导体技术的不断进步,半导体二极管的性能也不断提高。材料方面,从早期的硅发 展到锗,再到现在的硅锗合金等新型材料;结构方面,从早期的点接触式发展到肖特基势 垒、PN结等结构;应用方面,从简单的整流器发展到激光二极管、太阳能电池等多元化领 域 同时,人们也在不断探索新的二极管材料和结构,如碳化硅、氮化镓等新型半导体材料, 以及超导二极管等新型结构。这些新型材料和结构的应用将进一步推动半导体二极管的发 展,并带来更多的应用领域和市场机会
整流器
整流器是二极管的基本应用之一。通过利用 二极管的整流效应,可以将交流电转换为直 流电
半导体二极管的应用
开关
二极管可以作为开关 使用,用于控制电路 的通断。其快速的开 关速度和低功耗使得 它在各种开关电路中 得到广泛应用
半导体二极管的应用

1二极管都是半导体么

1二极管都是半导体么

1二极管都是半导体么?答:是。

2一定是箭头大的地方是正极,小的地方是负极?规定的?答:是规定的表示记号。

3白炽灯是导体还是什么?答:是导体。

4为什么半导体有单向导电性?答:并非半导体有单向导电性,而是P-N结有单向导电性。

用半导体比较容易做成P-N结。

半导体二极管概念归纳阳极:由P区引出的电极为阳极。

阴极:由N区引出的电极为阴极。

点接触型二极管,通过的电流小,结电容小,适用于高频电路和开关电路。

面接触型二极管,结面积大,电流大,结电容大,适用于低频整流电路。

平面型二极管,结面积较大时可以通过较大电流,适用于大功率整流,结面积较小时,可作为数字电路中的开关管。

开启电压U on:使二极管开始导通的临界电压称为开启电压U on。

反向电流:当二极管所加反向电压的数值足够大时,产生反向电流为IS。

在环境温度升高时,二极管的正向特性曲线将左移,反向特性曲线下。

如图所示。

温度每升高1︒C,正向压降减小2~2.5mV;温度每升高10︒C,反向电流约增大一倍。

结论:二极管对温度很敏感。

二极管的主要参数★最大整流电流I F:指二极管长期工作,允许通过的最大直流电流。

★最高反向工作电压U R:指二极管正常使用允许加的最高反向电压。

稳压管:稳压二极管是一种硅材料制成的面接触型晶体二极管。

当稳压管外加反向电压的数值大到一定程度时则击穿。

稳压管的主要参数★稳定电压U Z:U Z是在规定电流下稳压管的反向击穿电压。

★稳定电流I Z: I Z是稳压管工作在稳压状态时的参考电流。

只要不超过稳压管的额定功率,电流愈大,稳压效果愈好。

★额定功耗P ZM:P ZM等于稳压管的稳定电压U Z与最大稳定电流I ZM的乘积。

稳压管超过此值时,会因结温升高而损坏。

★动态电阻r Z:r Z为稳压管工作在稳压区时,稳压管电压的变化量与电流变化量之比,即。

r Z愈小,电流变化时U Z的变化愈小,稳压性能愈好。

★温度系数:表示温度每变化1 C稳压值的变化量,即=。

半导体二极管

半导体二极管

(1-4)
1. 4 二极管的主要参数
1. 最大整流电流 IFM
在规定的环境温度和散热条件下,二极管长 期使用时,所允许流过二极管的最大正向平 均电流。
2. 最高反向工作电压URM
通常称耐压值或额定工作电压,是指保证二 极管截止的条件下,允许加在二极管两端的 最大反向电压。手册上给出的最高反向工作 电压URM一般是击穿电压UBR的一半。
(1-5)
3. 反向电流 IR
指二极管未击穿时的反向电流。反向电流 越小越好。通常反向电流数值很小,但受 温度影响很大,温度越高反向电流越大, 一般温度每升高10o,反向电流约增大一倍。 硅管的反向电流较小,锗管的反向电流要 比硅管大几十到几百倍。
4. 最最高工作频率fM
指保证二极管导向导电作用的最高工作频 率。当工作频率超过fM时,二极管将失去导 向导电性。
模拟电子技术
半导体二极管
1. 1 半导体二极管的结构和符号
PN 结加上管壳和引线,就成为半导体二极管。
点接触型
触丝线
PN结
引线 外壳线
基片
面接触型
二极管的ห้องสมุดไป่ตู้路符号: 阳极
阴极
(1-2)
二极管的主要特性---单向导电
1、二极管的偏置:二极管单向导电的特性,只有外加一定极 性的电压(称为偏置)才能表现出来。阳极电位高于阴极 电位称为二极管的正向偏置,反之称为反向偏置。
2、二极管的主要特性:单向导电,即正向导通,反向截止。 或曰:只能一个方向导电,另一个方向不导电,即由阳极 向阴极可以顺利的流电流,反方向不流电流。
只能一个方向 电,
(1-3)
1. 3 二极管的伏安特性
I
反向击穿 电压UBR

第1章 半导体二极管及其应用习题解答

第1章  半导体二极管及其应用习题解答

第1章半导体二极管及其基本电路1.1 教学内容与要求本章介绍了半导体基础知识、半导体二极管及其基本应用和几种特殊二极管。

教学内容与教学要求如表1.1所示。

要求正确理解杂质半导体中载流子的形成、载流子的浓度与温度的关系以及PN结的形成过程。

主要掌握半导体二极管在电路中的应用。

表1.1 第1章教学内容与要求1.2 内容提要1.2.1半导体的基础知识1.本征半导体高度提纯、结构完整的半导体单晶体叫做本征半导体。

常用的半导体材料是硅(Si)和锗(Ge)。

本征半导体中有两种载流子:自由电子和空穴。

自由电子和空穴是成对出现的,称为电子空穴对,它们的浓度相等。

本征半导体的载流子浓度受温度的影响很大,随着温度的升高,载流子的浓度基本按指数规律增加。

但本征半导体中载流子的浓度很低,导电能力仍然很差,2.杂质半导体(1) N型半导体本征半导体中,掺入微量的五价元素构成N型半导体,N型半导体中的多子是自由电子,少子是空穴。

N型半导体呈电中性。

(2) P型半导体本征半导体中,掺入微量的三价元素构成P型半导体。

P型半导体中的多子是空穴,少子是自由电子。

P型半导体呈电中性。

在杂质半导体中,多子浓度主要取决于掺入杂质的浓度,掺入杂质越多,多子浓度就越大。

而少子由本征激发产生,其浓度主要取决于温度,温度越高,少子浓度越大。

1.2.2 PN结及其特性1.PN结的形成在一块本征半导体上,通过一定的工艺使其一边形成N型半导体,另一边形成P型半导体,在P型区和N型区的交界处就会形成一个极薄的空间电荷层,称为PN 结。

PN 结是构成其它半导体器件的基础。

2.PN 结的单向导电性PN 结具有单向导电性。

外加正向电压时,电阻很小,正向电流是多子的扩散电流,数值很大,PN 结导通;外加反向电压时,电阻很大,反向电流是少子的漂移电流,数值很小,PN 结几乎截止。

3. PN 结的伏安特性PN 结的伏安特性: )1(TS -=U U eI I式中,U 的参考方向为P 区正,N 区负,I 的参考方向为从P 区指向N 区;I S 在数值上等于反向饱和电流;U T =KT /q ,为温度电压当量,在常温下,U T ≈26mV。

1.2 半导体二极管

1.2 半导体二极管

面接触型管子的特点是,PN 结的结面积大,能通过较大电流,但结电容也大,适用于低频较低整流电路。

半导体二极管半导体二极管是由一个PN 结构成的二端元件。

其端钮有确定的命名,即一端叫阳极a ,一端叫阴极k 。

1.2 半导体二极管1.2.1 半导体二极管结构和类型(1)点接触型二极管(2)面接触型二极管(3)平面型二极管点接触型管子的特点是,PN 结的结面积小,因而结电容小,主要用于高频检波和开关电路。

既不能通过较大电流,也不能承受高的反向电压。

平面型管子的特点是,PN 结的结面积大时,能通过较大电流,适用于大功率整流电路;结面积较小时,结电容较小,工作频率较高,适用于开关电路。

1.结构2. 分类普通二极管特殊二极管变容二极管发光二极管光电二极管激光二极管二极管稳压二极管稳压光电转换调谐按材料的不同,常用的二极管有硅管和锗管两种;按其用途二极管分为普通二极管和特殊二极管两大类:整流、滤波、限幅、钳位、检波及开关等。

忽略正向导通压降和电阻,二极管相当短路;二极管反向截止时忽略反向饱和电流,反向电阻无穷大,二极管相当开路路。

I S uiU R 二极管是一种非线性元件,其特性就是PN 结的特性,而电流i D 与两端的电压u D 的关系近似为:1.2.2 二极管的伏安特性普通二极管是应用PN 结的饱和区、死区和导通区的特性制成的二端元件。

电路符号为:(1)伏安关系(2)理想二极管)(1-=T D V u S D e I i I S —反向饱和电流;V T —温度的电压当量,当常温(T=300K )时,V T =26mV 。

在正常工作范围内,当电源电压远大于二极管正向导通压降时,可将二极管当作理想二极管处理,其伏安特性如图示。

k a D最大整流电流又称为额定正向平均电流,是指二极管长时间使用时,允许通过的最大正向平均电流。

此值取决于PN 结的面积、材料和散热情况。

1.2.3 二极管的主要电参数1)最大整流电流I F2)最高反向工作电压U R3)最大反向电流I RM I F I RM ui U R 最大反向电流是指二极管加上最高反向工作电压时的反向电流值。

半导体二极管结构与特性

半导体二极管结构与特性
15
10 5
– 50 – 25
–0.01 0 0.2 0.4 uD / V
–0.02
锗管的 伏安特性
1.2.3 温度对二极管特性的影响 T升高时,
iD / mA 90C
60
20C
UD(on)以 2 2.5 mV/ C下降
40 20
–50 –25
O 0.4
uD / V
– 0.02
正极引线 PN结
正极 负极 引线 引线
N型锗 金锑
p
合金
N
外壳
触丝 负极引线
底座
点接触型
面接触型
P型支持衬底
集成电路中平面型
第1章 半导体二极管
U < U(BR) 反向电流急剧增大 (反向击穿) 反向击穿类型:
电击穿 — PN结未损坏,断电即恢复。 热击穿 — PN结烧毁。 反向击穿原因: 齐纳击穿:反向电场太强,将电子强行拉出共价键。 (Zener) (击穿电压 < 6V, 负温度系数)
第1章 半导体二极管
1.2 半导体二极管的结构及特性
1.2.1 半导体二极管的结构和类型
构成: PN结 + 引线 + 管壳 = 二极管 (Diode)
符号: A (anode)
C (cathode)
分类:
按材料分 பைடு நூலகம்二极管 锗二极管
点接触型 按结构分 面接触型
平面型
正极 引线
N型锗片
铝合金 负极 小球 引线
雪崩击穿: 反向电场使电子加速,动能增大,撞击 使自由电子数突增。 (击穿电压 > 6V, 正温度系数) 击穿电压在 6 V左右时,温度系数趋近零。
iD / mA

半导体二极管

半导体二极管

半导体二极管的应用
半导体二极管的应用
半导体二极管具有广 泛的应用,以下是几
个主要应用领域
半导体二极管的应用
整流:利用二极管的单向导电性,可以将 交流电转换为直流电。这是二极管最基本 的用途之一
检波:在无线电接收机中,二极管可以用 来检波,从复杂的信号中提取出所需要的 音频信号
限幅:在电路中,二极管可以用来限制电 流的幅度,防止电流过大导致电路损坏
电容-电感法:在二极管电路中,利用电 容和电感的充放电特性,可以检测二极 管的性能
晶体管测试仪:专业的晶体管测试仪可 以更全面地检测二极管的各项性能指标
二极管的检测与维护
二极管的维护
避免过电压:过电压可能会损坏二极管,应确保二极管两端的电压在规定范围内 避免过电流:过电流可能会导致二极管发热甚至烧毁,应确保流过二极管的电流不超 过额定值 注意工作环境:高温、高湿、腐蚀性气体等恶劣环境可能会影响二极管的性能和寿命 ,应尽量改善工作环境 定期检查:定期检查二极管的工作状态,如有异常应及时处理 更换操作规范:更换二极管时,应选用同型号、同规格的产品,并遵循安装规范进行 操作 存储与运输:二极管应存储在干燥、通风、无腐蚀性气体的环境中,运输过程中应避 免剧烈震动和冲击
二极管的检测与维护
二极管故障分析
断路故障:可能原因包括焊接不良、引线断裂等。 这种故障会导致电路不导通,解决方法是重新焊接 或更换引线
短路故障:可能原因包括二极管反接、性能不良等 。这种故障会导致电路短路或漏电,解决方法是找 出反接的二极管并纠正,或更换性能不良的二极管
参数变化故障:长期工作或环境变化可能导致二极 管的参数发生变化,如正向压降、反向电阻等。这 种故障可能导致电路性能下降或失效,解决方法是 定期检测和更换二极管

第五章半导体二极管(1)

第五章半导体二极管(1)

P
耗尽层
N
I 内电场方向
外电场方向
V
R
PN 结外加正向电压
(三)PN结 2、PN结的特性
(2)PN结外加反向电压
fla sh 3
PN结反偏 外电场与内电场方向相同 飘移>扩散 PN结变厚 有利于漂移进行 外部电源不断提供电荷 产生较小的反向电流I反 PN结反向截止
P
耗尽层
N
IS
内电场方向
外电场方向
若忽略管压降,二极管可看作短路,UAB = 0 V
流过
D2
的电流为
ID2
12 3
4mA
D2 起钳位作用, D1起隔离作用。
例4: 当VA = 3V,VB = 0V时,分析输出端的电位VY。
+6V
∵ UDB > UDA
DA
VA
R
∴ DB 优先导通, DA截止。 理想二极管:VY = VB = 0V
VY 锗二极管:VY = VB + UD = 0.3V
绝缘体--有的物质几乎不导电,称为绝缘体,如橡皮、 陶瓷、塑料和石英
半导体--另有一类物质的导电特性处于导体和绝缘体之 间,称为半导体,如锗、硅、砷化镓和一些硫化物、氧化物 等。
本征半导体是纯净的晶体结构的半导体。
无杂质 稳定的结构
1、本征半导体的结构
现代电子学中,用的最多的半导体是硅和锗,它们的最外层 电子(价电子)都是四个。
反向截止时相当于开路。
否则,正向管压降
硅0.6~0.7V 锗0.2~0.3V
例1: 分析输出电压和二极管上电压的波形。
假设二极管为理想二极管。
Tr a D io
u2
2U
++

半导体二极管基础知识解读

半导体二极管基础知识解读
偏置时,反向电流很小,这就是PN结的单向导电性。 3) PN结的电容效应 (1)势垒电容CT。当PN结的外加电压大小变化时,PN结空 间电荷区的宽度也随着变化,即电荷量发生变化。这种电 荷量随外加电压的变化所形成的电容效应称为势垒电容。 势垒电容通常用CT表示。CT不是一个常数,它随外加电压 的变化而变化。利用势垒电容可以制成变容二极管。
第一章 半导体二极管
3. 反向饱和电流IS 在室温下,二极管未击穿时的反向电流值称为反向饱和电 流。该电流越小,管子的单向导电性能就越好。由于温度升高, 反向电流会急剧增加,因而在使用二极管时要注意环境温度的 影响。 二极管的参数是正确使用二极管的依据,一般半导体器件 手册中都给出不同型号管子的参数。在使用时,应特别注意不 要超过最大整流电流和最高反向工作电压,否则管子容易 损 坏。 看看这里 1.4 特殊二极管 前面主要讨论了普通二极管,另外还有一些特殊用途的二极 管,如稳压二极管、发光二极管、光电二极管和变容二极管等 , 现介绍如下。 1.稳压二极管 1)稳压二极管的工作特性 稳压二极管简称稳压管,它的特性曲线和符号如图1.20所示。
第一章 半导体二极管
第一章 半导体二极管
结变窄
结变宽
-+
P
-- ++
N 自建场方向 P -- ++ N
-+ -+
-- ++
外电场方向 自建场方向
外电场方向 正向电流(很大) + -
反向电流(很小) -
看看这里

(a)
(b)
图1.6 PN结的单向导电性 (a)正向连接; (b)反向连接
第一章 半导体二极管
2)PN结反向偏置——截止 将PN结按图1.6(b)所示方式连接(称PN结反向偏置)。 由图可见,外电场方向与内电场方向一致,它将N区的多 子(电子)从PN结附近拉走,将P区的多子(空穴)从PN 结附近拉走,使 PN 结变厚,呈现出很大的阻值,且打破 了原来的动态平衡,使漂移运动增强。由于漂移运动是少 子运动,因而漂移电流很小;若忽略漂移电流,则可以认 为PN结截止。 综上所述,PN结正向偏置时,正向电流很大;PN结反向

半导体和二极管

半导体和二极管

半导体和二极管
半导体和二极管是电子学中的两个重要概念。

半导体是一种材料,其电子特性和导电性介于导体和绝缘体之间。

而二极管则是一种由半导体材料制成的电子器件,其最基本的特点是具有单向导电性。

半导体材料通常是元素周期表中的IV族、V族和VI族元素(如硅、锗、硒、磷、锑等),这些材料通常是固体,并且导电性能介于导体和绝缘体之间。

半导体的导电性可以被人为地调制,这是通过添加杂质(称为掺杂)或者通过外部电压来实现的。

二极管是一种由半导体材料制成的电子器件,其主要组成部分是阴极和阳极。

在二极管的两极之间加上正向电压时(即阳极接正、阴极接负),二极管导通,电流可以通过它。

而当加反向电压时(即阳极接负、阴极接正),二极管截止,电流无法通过。

因此,二极管可以被视为一种单向的电流控制元件。

二极管的种类有很多,包括硅二极管、锗二极管、肖特基二极管、光二极管等等。

它们在电路中的作用主要是整流、检波、限幅和钳位等。

例如,硅整流器就是一种利用硅二极管实现整流的装置,它可以将交流电转换为直流电。

此外,二极管还可以用于电源的稳压,以及各种电路的保护等。

总的来说,半导体和二极管是电子学中的重要组成部分,它们在电路设计、电力应用和通信技术等领域都有着广泛的应用。

电子课件电子技术基础第六版第一章半导体二极管

电子课件电子技术基础第六版第一章半导体二极管

当反向电压增加到反向击穿电压 UBR 时,反向电流会急 剧增大,这种现象称为“反向击穿”。反向击穿会破坏二极管 的单向导电性,如果没有限流措施,二极管很可能因电流过 大而损坏。
无论硅管还是锗管,即使工作在最大允许电流下,二极管 两端的电压降一般也都在 0.7 V 以下,这是由二极管的特殊 结构所决定的。所以,在使用二极管时,电路中应该串联限 流电阻,以免因电流过大而损坏二极管。
§1-1 半导体的基本知识 §1-2 半导体二极管
§1-1 半导体的基本知识
学习目标
1. 了解半导体的导电特性。 2. 理解 PN 结正偏、反偏的含义。 3. 掌握 PN 结的单向导电性。
一、半导体的导电特性
物质按导电能力强弱不同可分为导体、半导体和绝缘体三 大类。半导体的导电能力介于导体和绝缘体之间。目前,制 造半导体器件用得最多的是硅和锗两种材料。由于硅和锗是 原子规则排列的单晶体,因此用半导体材料制成的半导体管 属于晶体管。
半导体具有不同于导体和绝缘体的导电特性,见表。
半导体的导电特性
纯净的半导体称为本征半导体,它的导电能力是很弱的。 利用半导体的掺杂特性,可制成 P 型和 N 型两种杂质半导体 。
二、PN 结及其单向导电性
1. PN 结 用特殊的工艺使 P 型半导体和 N 型半导体结合在一起,就会在交界处 形成一个特殊薄层,该薄层称为“PN 结”,如图所示。PN 结是制造半导体 二极管、半导体三极管、场效应晶体 管等各种半导体器件的基础。
2. 分类
二极管的种类
二、二极管的伏安特性
为了直观地说明二极管的性质,通常用二极管两端的电压 与通过二极管的电流之间的关系曲线,即二极管的伏安特性 曲线来描述,如图所示。
在下图所示的坐标图中,位于第一象限的曲线表示二极管 的正向特性,位于第三象限的曲线表示二极管的反向特性。

半导体二极管

半导体二极管

阴极
(b)
R


Ui -
Uz

(c)
图1.10 稳压管的伏安特性曲线、 (a)伏安特性曲线;(b)图形符号;(c)稳压管电路
半导体二极管
2)基本参数
(1)稳定电压UZ是指在规定的测试电流下,稳
压管工作在击穿区时的稳定电压。
(2)稳定电流IZ是指稳压管在稳定电压时的工作 电流,其范围在IZmin~IZmax之间。
半导体二极管
普通二极被击穿后,不能恢复,失去单向导电性, 将造成永久性损坏。
理想二极管:外加正向电压时,正向电压降和正 向电阻等于零,相当于开关闭合; 外加反向电压时,二极管截止,相当于开关断 开。
半导体二极管
三 半导体二极管的主要参数 二极管的参数是定量描述二极管性能的质量指标,
只有正确理解这些参数的意义,才能合理、正确地使 用二极管。
第二节 半导体二极管
一 基本结构和表示符号
在一个PN结的P区和N区各接出一条引线,然后再封装在管壳内,就制成一只晶体二极管。 P区引出线叫正极(或阳极)N区引出端叫负极(阴极)
半导体二极管
它的符号为:
半导体二极管又称晶体二极管,简称二极管。二极管按其 结构的不同可以分为点接触型和面接触型两类。
点接触型二极管的结构,如图1.4(a)所示。这类 管子的PN结面积和极间电容均很小,不能承受高的反向电压和 大电流,因而适用于制做高频检波和脉冲数字电路里的开关元 件,以及作为小电流的整流管。
半导体二极管
二 伏安特性 根据制造材料的不同,二极管可分为硅、锗两大
类。相应的伏安特性也分为两类。图1.5(a)所示为 硅二极管的伏安特性;图1.5(b)所示为锗二极管的伏 安特性。现以图1.5(a)所示硅二极管为例来分析二 极管的伏安特性。

半导体二极管的基本原理及应用

半导体二极管的基本原理及应用

半导体二极管的基本原理及应用半导体二极管是一种最简单的电子器件,它在现代电子技术中起着至关重要的作用。

本文将介绍半导体二极管的基本原理、工作方式以及常见的应用。

1. 基本原理半导体二极管由N型半导体和P型半导体组成,其中N型半导体富含自由电子,而P型半导体则富含空穴。

当两种半导体材料通过P-N结(P-N Junction)连接时,便形成了一个二极管。

P-N结的形成是通过掺杂过程实现的,也即将掺杂少量的杂质元素(如硼、磷等)加入到纯净的半导体材料中。

半导体二极管正常工作时,其中的P区域称为“阳极”或“正极”,而N区域则称为“阴极”或“负极”。

在正向偏置情况下,即阳极电压高于阴极,电子从N区域进入P区域,而空穴从P区域进入N区域。

这使得电流流过二极管,形成正向导通。

相反,在反向偏置情况下,即阳极电压低于阴极,由于P-N结的电子云和空穴云相互吸引,电流被阻止,二极管呈现高阻抗状态,称为反向截止。

2. 工作方式半导体二极管具有直流和交流两种工作方式。

在直流工作中,二极管起到整流器的作用,将交流信号转化为直流信号。

在正向偏置时,直流电流通过二极管,而在反向偏置时,几乎没有电流通过。

这一特性使得二极管非常适合用于电源电路的整流器。

在交流工作中,二极管被用作开关或者调制器件。

通过正向偏置或反向偏置,可以实现二极管的导通和截止。

当二极管处于导通状态时,信号可以流过,而在截止状态时,信号被阻断。

这使得二极管在数字与模拟信号处理系统中发挥重要作用,例如在计算机中的逻辑门电路和通信系统中的调制解调器。

3. 应用领域半导体二极管广泛应用于各种电子设备和领域,下面是几个典型的应用示例:3.1 整流器我们在家庭中常用的电源适配器和电池充电器中常会见到二极管的身影。

在这些设备中,二极管被用作整流器,将交流电转换为直流电,以供电子器件正常工作。

由于二极管具有单向导通特性,可以保证电流仅在一个方向上流动,从而实现直流电的获取。

3.2 发光二极管(LED)发光二极管(LED)是一种将电能转换为光能的电子器件。

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半导体二极管------1
1、英文缩写:D 电路符号:
2、分类、主要场合应用及功能:
A、按材质分:有锗二极管、硅二极管、砷化镓二极管等
Aa、锗二极管:在两极加上电压,并且电压大于0.2V时才能导通,导通后电压保持在
0.2V—0.3V之间。

(锗管现在很少见了,几乎可以算是被淘汰了)
Ab、硅二极管:在两极上加上电压,并且电压大于0.6V时才能导通,导通后电压保持在
0.6V—0.8V之间,
B、按用途分类:整流二极管、检波二极管、稳压二极管、发光二级管、光电二极管、
变容二极管、开关二极管、光敏二极管、双向触发二极管
Ba、整流二极管:
特点:利用二极管单向导电性,可以把方向交替变化的交流电变换成单一方向的脉动直流电
场合功能:用于交流转换直流电路中用于整流,一般整流管用于低频电路中,高频场合一般用快恢复及肖特基管,广泛应用于各种电子产品中
Bb、检波二极管:
特点:其结电容低,工作频率高(可达400MHz)处理信号幅度较弱和反向电流小等特点
场合应用:检波(也称解调)二极管的作用是利用其单向导电性将高频或中频无线电信号中的低频信号或音频信号取出来,广泛应用于半导体收音机、收录机、电视机
及通信等设备的小信号电路中。

Bc、发光二极管:
特点:工作电压很低(有的仅一点几伏);工作电流很小(有的仅零点几毫安即可光);
抗冲击和抗震性能好,可靠性高,寿命长;通过调制通过的电流强弱可以方便
地调制发光的强弱。

场合应用:发光二极管用于电视机等产品中作电源指示灯、LCD中作背光源灯、LED显示屏、家用照明等,用途广泛。

Bd、开关二极管:
特点:在电路中起到控制电流通过或关断的作用,成为一个理想的电子开关。

开关二极管的正向电阻很小,反向电阻很大
场合应用:小功率开关二极管主要使用于电视机、收录机及其他电子设备的开关电路、检波电路高频高速脉冲整流电路等。

功率开关二极管主要用于各类大功率电源作续流、高频整流、桥式整流及其它开关电路。

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