三极管和场效应管 练习题2
三极管练习题
第二章 基本放大单元电路一、填空题1、三极管具有电流放大作用的内部条件是：（ 基区 ）区很薄；（ 发射 ）区的多数载流子浓度很高；（ 集电 ）区的面积较大。
2、三极管具有放大作用的外部条件是：（ 发射 ）结正向偏置；（集电 ）结反向偏置。
3、三极管电流放大作用是指三极管的（ ）电流约是（ ）电流的β倍，即利用（ ）电流来控制（ ）电流。
4、某个放大电路的对数电压增益为40dB ，换算成电压放大倍数为（ ）倍；另一个放大电路的电压放大倍数为150倍，换算成对数电压增益应是（ ）dB 。
5、某放大电路在负载开路时的输出电压为4V ，接入3K的负载电阻后，输出电压降为3V ，则该放大电路的输出电阻R o =（ ）KΩ。
6、FET 管属于（ ）控制器件；BJT 管则可以认为是（ ）控制器件。
7、已知某基本共射放大电路V 6V ,V 4R I CEQ 'L CQ ==，现在输入一个正弦信号，若逐渐增大信号的幅度，首先出现的失真是（ ）；若要使该电路具有最大的动态范围应使（ ）=（ ）。
8、单管共射放大电路、三极管的输出特性曲线、直流和交流负载线如下图所示。
根据图填空回答下列问题：V o-+-+V CCR bR c R LV i C 1 C 2 0μA10μA 20μA 30μA 40μA i B =50μAi C (mA)v CE (V)1 2 3 4 5 6（1）电源电压VCC=（）；（2）静态集电极电流ICQ =（）；静态管压降VCEQ=（）；（3）集电极负载电阻RC =（），负载电阻RL=（）；（4）放大电路输出最大不失真正弦电压有效值约为（）；（5）当输入信号幅度逐渐增大时，将首先出现（）失真现象；（6）要使放大电路不出现失真，基极正弦电流的振幅应小于（）。
9、判断下列说法是否正确，正确的在括号中画√，错误的画x。
（1）利用微变等效电路可以方便地分析计算小信号输入时三极管的静态工作点。
（）（2）三极管的输入电阻rbe是一个动态电阻，故与静态工作点无关。
三极管试题及答案
三极管试题及答案一、选择题1. 三极管的三个主要极是发射极、基极和______。
A. 集电极B. 栅极C. 门极D. 源极答案：A2. 在NPN型三极管中，基极电流增加时，集电极电流的变化趋势是______。
A. 减少B. 增加C. 不变D. 先增加后减少答案：B3. 三极管的放大作用是通过控制基极电流来实现对______电流的控制。
A. 基极B. 发射极C. 集电极D. 栅极答案：C二、填空题4. 三极管的工作原理是基于______效应。
答案：PN结5. 在三极管放大电路中，基极与发射极之间的电压称为______电压。
答案：正向偏置三、判断题6. 三极管可以工作在截止、饱和和放大三种状态。
（）答案：正确7. 所有的三极管都可以用作开关。
（）答案：错误四、简答题8. 简述三极管放大电路的基本工作原理。
答案：三极管放大电路的基本工作原理是利用三极管的电流放大作用，通过控制基极电流，实现对集电极电流的放大。
当基极电流增加时，由于基极与集电极之间的电流放大倍数（β值），集电极电流也会相应增加，从而达到放大信号的目的。
9. 什么是三极管的饱和状态？答案：三极管的饱和状态是指在三极管的集电极与发射极之间电压达到最大值，使得集电极电流达到最大，此时三极管的放大作用达到极限，无法进一步放大信号。
五、计算题10. 已知NPN型三极管的β值为100，基极电流为20μA，求集电极电流。
答案：根据三极管的电流放大公式IC = β * IB，集电极电流IC = 100 * 20μA = 2mA。
六、分析题11. 某三极管放大电路的基极电流为50μA，若要使集电极电流增加到5mA，需要调整基极电流到多少？答案：首先，根据三极管的电流放大公式IC = β * IB，可以求出基极电流IB = IC / β。
已知IC为5mA，β值未知，设β值为X，则有5mA = 50μA * X。
解得X = 100。
因此，基极电流需要增加到50μA * 100 = 5mA。
三极管复习题及答案
三极管复习题及答案三极管是电子技术中常用的一种器件，广泛应用于放大、开关和稳压等电路中。
它由三个掺杂不同材料的半导体区域组成，分别是基区、发射区和集电区。
三极管的工作原理是基于PN结的导电特性，通过控制基区的电流来控制发射区和集电区之间的电流。
在学习三极管的过程中，我们需要通过复习题来巩固所学的知识。
下面是一些常见的三极管复习题及其答案，希望对大家的学习有所帮助。
1. 什么是三极管的放大倍数？答：三极管的放大倍数是指集电极电流变化与基极电流变化之间的比值。
一般用β表示，也叫做电流放大倍数或直流放大倍数。
2. 三极管的三个区域分别是什么？答：三极管的三个区域分别是基区、发射区和集电区。
其中，基区位于发射区和集电区之间，发射区连接基区和集电区。
3. 三极管的工作原理是什么？答：三极管的工作原理是基于PN结的导电特性。
当基极电流为零时，三极管处于截止状态，没有集电极电流。
当基极电流大于零时，三极管处于饱和状态，有较大的集电极电流。
4. 什么是共射放大电路？答：共射放大电路是一种常见的三极管放大电路，也是最常用的一种。
在共射放大电路中，输入信号与基极之间串联，输出信号与集电极之间并联。
5. 三极管的工作状态有哪些？答：三极管的工作状态分为截止状态、饱和状态和放大状态。
截止状态下，三极管的集电极电流为零；饱和状态下，三极管的集电极电流较大；放大状态下，三极管的集电极电流受到基极电流的控制。
6. 三极管的常见应用有哪些？答：三极管在电子技术中有广泛的应用。
它可以用于放大电路、开关电路、振荡电路、稳压电路等。
例如，三极管可以用于放大音频信号，使得声音更加清晰；它还可以用于开关电路，控制其他器件的开关状态。
通过对这些复习题的学习，我们可以更好地理解和掌握三极管的工作原理和应用。
同时，我们也要多做一些实际的电路设计和调试，加深对三极管的理解。
当然，除了以上的复习题，还有很多其他的问题和知识点需要我们去学习和掌握。
三极管练习题
晶体三极管一、填空题（40分）1、半导体三极管按结构分为型和型，前者的图形符号是，后者的图形符号是。
2、三极管放大作用的实质是是电流对电流的控制作用。
3、三极管的三个管脚电流关系是，直流电流放大系数β的定义式是。
4、三极管处于正常放大状态，硅管的V BE约为V,锗管的V BE约为。
5、三极管的输出特性曲线可分为、和三个区域。
6、三极管的微小变化，将会引起的较大变化，这说明三极管具有放大作用。
7、当U CE不变时，和之间的关系曲线称为三极管的输入特性曲线；当I B一定时，和之间的关系曲线称为三极管的输出特性曲线。
8、硅三极管发射结的死区电压约V，锗三极管死区电压约V。
晶体三极管处在正常放大状态时，硅管的导通电压约为V，锗管约为V。
9、当三极管的发射结、集电结时，工作在放大区；发射结、集电结或时工作在饱和区；发射结或、集电结时，工作在截止区。
10、三极管的穿透电流I CEO随温度的升高而，硅三极管的穿透电流比锗三极管。
11、三极管的极限参数分别是、和。
12、工作在放大状态的三极管可作为器件；工作在截止和饱和状态的三极管可作为器件。
二、判断题（5分）1、三极管有两个PN结，因此它具有单向导电性。
（）2、为使晶体三极管处于放大工作状态，其发射结应加反向电压，集电结应加正向电压。
（）3、无论是哪种晶体三极管，当处于放大工作状态时，b极电位总是高于e极电位，c极电位也总是高于b极电位。
（）4、对于某晶体三极管的I B=10μA时，I C=0.44mA;当I B=20μA时，I C=0.89mA，则它的电流放大系数为45。
（）5、已知某三极管的射极电流I E=1.36 mA，集电极电流I C=1.33mA，则基极电流I B=30μA。
（）三、选择题（30分）1、三极管是一种（）的半导体器件。
A 电压控制B电流控制C既是电压又是电流控制2、三极管的（）作用是三极管最基本和最重要的特性。
A、电流放大B、电压放大C、功率放大D、电压放大和电流放大3、三极管的伏安特性是指它的（）。
(完整)三极管习题汇总,推荐文档
两种类型，均具有两个 PN 结，即______和______。
3. NPN 型三极管三个极电位分别有 VC=3.3V，VE=3V，VB=3.7V，则该管工作在（ ）
3.放大电路中，测得三极管三个电极电位为 U1=6.5V,U2=7.2V,U3=15V，则该管是______类型管子，
A．饱和区
B．截止区
7. 工作在放大区的一个三极管，如果基极电流从 10 微安变化到 22 微安时，集电极电流从 1 毫安变为 6. 有万用表测得 PNP 晶体管三个电极的电位分别是 VC=6V，VB=0.7V，VE=1V 则晶体
2.1 毫安，则该三极管的 β 约为
；α 约为
。
管工作在（ ）状态。
8. 某处于放大状态的三极管，测得三个电极的对地电位为 U1=-9V，U2=-6V，U3=-6.2V，则电极
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的是（ ）。
A. UCE 3V, IC 10mA C. UCE 6V, IC 20mA
B. UCE 2V, IC 40mA D. UCE 20V, IC 2mA
12. 在三极管放大电路中，下列等式不正确的是（
）。
A. IE IB IC
B. IC IB
C. ICBO (1 )ICEO
-8V
+7.1V
+5V
+3.5V
-3V
+6.9V
+5V
①②③
2. 某放大电路中，三极管三个电极的电流如图所示，测得 IA=2mA，IB=0.04m A，IC=2.04mA，
则电极 为基极， 为集电极，
三极管练习题
11三极管练习题一、填空题：1．晶体管工作在饱和区时发射结 偏；集电结 偏。
2．三极管按结构分为_ 和 两种类型，均具有两个PN 结，即______和______。
3.放大电路中，测得三极管三个电极电位为U 1=6.5V ,U 2=7.2V ,U 3=15V ，则该管是______类型管子，其中_____极为集电极。
4．三极管的发射结和集电结都正向偏置或反向偏置时，三极管的工作状态分别是__ __和______。
5.三极管有放大作用的外部条件是发射结________，集电结______。
6．若一晶体三极管在发射结加上反向偏置电压，在集电结上也加上反向偏置电压，则这个晶体三极管处于＿＿＿＿＿＿状态。
二、选择题：1.有万用表测得PNP 晶体管三个电极的电位分别是V C =6V ，V B =0.7V ，V E =1V 则晶体管工作在（ ）状态。
A 、 放大B 、截止C 、饱和D 、损坏 2、三级管工作在截止区，要求（ ）A 、发射结正偏，集电结正偏B 、发射结正偏，集电结反偏C 、发射结反偏，集电结正偏D 、发射结反偏，集电结反偏 3. NPN 型三极管三个极电位分别有V C =3.3V ，VE =3V ，V B =3.7V ，则该管工作在（ ）A ．饱和区B ．截止区C ．放大区D ．击穿区4.下列三极管各个极的电位，处于放大状态的三极管是（ ）A V C =0.3V ，V E =0V ， VB =0.7V B VC =-4V ， V E =-7.4V ，V B =-6.7V C V C =6V ， V E =0V ， V B =-3VD V C =2V ， VE =2V ， V B =2.7V 5.如果三极管工作在饱和区，两个PN 结状态（ ）A ．均为正偏B ．均为反偏C ．发射结正偏，集电结反偏D ．发射结反偏，集电结正偏6. 有万用表测得PNP 晶体管三个电极的电位分别是V C =6V ，V B =0.7V ，V E =1V 则晶体管工作在（ ）状态。
电子电路技术 考研习题及其详解 第4章 半导体二极管、三极管和场效应管
一、选择题(6小题,共10.0分)(02 分)1.从括号中选择正确答案，用A、B、C、…填空。
在纯净半导体中掺入三价硼元素后，形成____（A．P型B．N型）半导体；其导电率（C．增大，D．减小，E．不变）；这种半导体的多数载流子是____，少数载流子是____ （F．空穴，G．自由电子）。
(01 分)2.选择正确的答案用A、B、C填空。
随着温度升高，晶体管的电流放大系数____，穿透电流____，在I B不变的情况下b-e结电压U BE____。
（A．增大，B．减小，C．不变）(02 分)3.选择正确的答案用A、B、C…填空。
随着温度升高，晶体管的共射正向输入特性曲线将_______________，输出特性曲线将_______________，输出特性曲线的间隔将_______________。
（A．上移，B．下移，C．左移，D．右移，E．增大，F．减小，G．不变）(01 分)4.用“大”、“小”填空：场效应管栅极的静态输入电流比双极型晶体管基极的静态输入电流_____；绝缘栅型场效应管栅极的静态输入电流比结型场效应管的____。
二、是非题(3小题,共6.0分)(02 分)1.判断以下说法的正误，用√表示正确，用×表示错误。
1．晶体三极管具有两个PN结，因此把两个二极管反向串联起来，也能具有放大能力。
（）2．测出某晶体管的共基电流放大系数小于1，表明该管子没有放大能力。
（）3．由于晶体管的发射区和集电区的掺杂浓度不同，所以发射极和集电极互换后电流放大能力大大减小。
（）(02 分)2.判断以下说法的正误，在相应括号内画√表示正确，画×表示错误。
1．场效应管的优点是有很高的输入电阻和很低的输出电阻。
（）2．绝缘栅场效应管的栅极静态输入电流比结型场效应管的小。
（）3．耗尽型绝缘栅场效应管的栅极静态电流比增强型绝缘栅场效应管的小。
（）(02 分)3.判断下列说法的正、误，在相应的括号内画√表示正确，画×表示错误。
三极管试题及答案
三极管试题及答案一、单项选择题（每题2分，共20分）1. 三极管的三个极分别是：A. 基极、发射极、集电极B. 基极、阴极、阳极C. 基极、发射极、阴极D. 基极、阳极、集电极答案：A2. NPN型三极管的基极电压相对于发射极电压：A. 必须高于B. 必须低于C. 可以相等D. 无要求答案：A3. 三极管放大作用的实质是：A. 电流放大B. 电压放大C. 功率放大D. 电阻放大答案：C4. 在三极管的三种工作状态中，放大状态的特点是：A. 基极电流变化引起集电极电流变化B. 基极电流变化引起发射极电流变化C. 基极电流变化引起基极电流变化D. 基极电流变化引起阳极电流变化答案：A5. 要使三极管工作在放大区，其基极电流与发射极电流的关系是：A. 基极电流大于发射极电流B. 基极电流小于发射极电流C. 基极电流等于发射极电流D. 基极电流与发射极电流无关答案：B6. 三极管的放大倍数β表示的是：A. 基极电流与集电极电流的比值B. 基极电流与发射极电流的比值C. 发射极电流与集电极电流的比值D. 集电极电流与基极电流的比值答案：D7. 三极管的饱和区是指：A. 基极电流很小，集电极电流很大B. 基极电流很大，集电极电流很小C. 基极电流很小，集电极电流很小D. 基极电流很大，集电极电流很大答案：D8. 为了减小三极管的热稳定性，可以采取的措施是：A. 增加基极电流B. 降低基极电流C. 增加集电极电流D. 降低集电极电流答案：B9. 三极管的截止状态是指：A. 基极电流为零B. 基极电流很大C. 集电极电流为零D. 集电极电流很大答案：A10. 三极管的开关特性是指：A. 三极管可以作为开关使用B. 三极管可以作为放大器使用C. 三极管可以作为整流器使用D. 三极管可以作为稳压器使用答案：A二、填空题（每题2分，共10分）1. 三极管的放大作用是通过______来实现的。
答案：基极电流控制集电极电流2. 在三极管的放大区，基极电流与集电极电流的比值称为______。
三极管和场效应管练习题2
三极管和场效应管练习题2一、单项选择题〔每题1分〕1.场效应管本质上是一个〔〕。
A、电流控制电流源器件B、电流控制电压源器件C、电压控制电流源器件D、电压控制电压源器件2.放大电路如下图，硅三极管的P =50 ,那么该电路中三极管的工作状态为〔〕。
3.放大电路如下图，三极管的P =50,那么该电路中三极管的工作状态为〔A.截止B.饱和C.放大D.无法确定I ---------------- [------------------ 〔10V〕J,能加% 〞O--------------------------------- ---------- ■~Or -A.截止B.饱和C.放大D.无法确定4.某三极管的P CM =100mW,I cM =20mA,U〔BR〕cEo =15V ,那么以下状态下三极管能正常工作的是〔〕。
A. U CE =3V, I C =10mAB. U CE =2V,Ic=40mAC. U CE =6V,I C = 20mAD. U CE = 20V , I C = 2mA5.场效应管的转移特性曲线如下图，那么此场效应管的类型是〔〕。
I 2 3 * VA.增强型PMOSB.增强型NMOSC.耗尽型PMOSD.耗尽型NMOS6.( )情况下，可以用H参数小信号模型分析放大电路。
A.正弦小信号B.低频大信号C.低频小信号D.高频小信号7.在三极管放大电路中，以下等式不正确的选项是( )。
A. I E=I B I CB. I C c I I BC. I CBO = (1 1- ) I CEOD.:-:-8.硅三极管放大电路中，静态时测得集-射极之间直流电压U CE=0.3V,那么此时三极管工作于( )状态。
A.饱和B.截止C. 放大D.无法确定9.三极管当发射结和集电结都正偏时工作于( )状态。
A.放大B.截止C.饱和D.无法确定10.下面的电路符号代表( )管。
A. 耗尽型PMOSB.耗尽型NMOSC.增强型PMOSD.增强型NMOS11.关于三极管反向击穿电压的关系，以下正确的选项是( )。
2章习题答案
2 半导体三极管自我检测题一．选择和填空1.三极管工作在放大区时，发射结为_A_，集电结为_B_，工作在饱和区时，发射结为_A_，集电结为_A_。
（A．正向偏置，B．反向偏置，C．零偏置）2. NPN和PNP型三极管的区别取决于D 。
（A．半导体材料硅和锗的不同，B．掺杂元素的不同，C．掺杂浓度的不同，D．P区和N区的位置不同）3.三极管的共射交流电流放大系数βI C 变化量（或ΔI C）与I B 变化量（或ΔI B）之比，共基交流电流放大系数α定义为I C 变化量（或ΔI C）与I E 变化量（或ΔI E）之比。
已知某三极管的α＝0.99，那么该管的β≈ 99 。
4.三极管的I CBO是指_发射_极开路时，集电_极与基极间的反向饱和电流；I CEO是指基极开路时，_集电_极与_发射__极之间的穿透电流。
5.随着温度升高，晶体管的穿透电流CEOI A。
（A．增大，B．减小，C．不变）6．对于同一个三极管来说，CBOI A C E OI；BR(CBO)V。
（A．小于，B．大于，V B B R(C E O)C．等于）7. V CE增加时，晶体管的共射极输入特性曲线_ A __，V CE达到1V以后，输入特性曲线_C___。
（A．右移，B．左移，C．不变）8. 已知某三极管的P CM＝800mW，I CM＝500mA,，V＝30V。
若该管子在电路中工BR(CEO)作电压V CE ＝10V，则工作电流I C不应超过80 mA；若V CE＝1V，则I C不应超过500 mA。
若管子的工作电流I C＝10mA，则工作电压V CE不应超过30 V；若I C＝200mA，则V CE不应超过 4 V。
9. N沟道和P沟道场效应管的区别在于 C 。
（A．衬底材料前者为硅，后者为锗，B．衬底材料前者N型，后者为P型，C．导电沟道中载流子前者为电子，后者为空穴）10. 场效应管栅极的静态输入电流比双极型晶体管基极的静态输入电流小；绝缘栅型场效应管栅极的静态输入电流比结型场效应管的小。
电路与电子技术习题库2
电路与电子技术习题库2半导体二极管、晶体管和场效应管一、填空题1、N型半导体是在本征半导体中掺入极微量的五价元素组成的。
这种半导体内的多数载流子为自由电子，少数载流子为空穴，定域的杂质离子带正电。
2、双极型三极管内部有基区、发射区和集电区，有发射结和集电结及向外引出的三个铝电极。
3、PN结正向偏置时，内、外电场方向相反，PN结反向偏置时，内、外电场方向相同。
4、二极管的伏安特性曲线上可分为死区、正向导通区、反向截止区和反向击穿区四个工作区。
5、用指针式万用表检测二极管极性时，需选用欧姆挡的R×1k 档位，检测中若指针偏转较大，可判断与红表棒相接触的电极是二极管的阴极；与黑表棒相接触的电极是二极管的阳极。
检测二极管好坏时，若两表棒位置调换前后万用表指针偏转都很大，说明二极管已经被击穿；两表棒位置调换前后万用表指针偏转都很小时，说明该二极管已经老化不通。
6、双极型三极管简称晶体管，属于电流控制型器件，单极型三极管称为MOS管，属于电压控制型器件。
MOS管只有多数载流子构成导通电流。
7、场效应管是利用外加电压产生的电场来控制漏极电流的大小的。
二、判断正误1、P型半导体中定域的杂质离子呈负电，说明P型半导体带负电.。
（× ）2、晶体管和场效应管一样，都是由两种载流子同时参与导电。
（× ）3、用万用表测试晶体管好坏和极性时，应选择欧姆档R×10K档位。
（× ）4、PN结正向偏置时，其内电场和外电场的方向相同。
（× ）5、无论在任何情况下，三极管都具有电流放大能力。
（× ）6、只要在二极管两端加正向电压，二极管就一定会导通。
（× ）7、二极管只要工作在反向击穿区，一定会被击穿而造成永久损坏。
（× ）8、三极管集电极电流大于它的最大允许电流ICM时，该管必定被击穿。
（× ）9、场效应管若出厂前衬底与源极相连，则漏极和源极就不能互换使用。
半导体器件复习练习题（二极管、三极管、场效应管、差动放大电路、集成运放）
半导体器件复习练习题（二极管、三极管、场效应管、差动放大电路、集成运放）1-半导体器件复习练习题(二极管、三极管、场效应管、差动放大电路、集成运放)半导体基本知识和半导体器件（二极管、三极管、场效应管、集成运放）一、选择题：1、PN结外加正向电压时，其空间电荷区（）。
A.不变B.变宽C.变窄D.无法确定2、PN结外反正向电压时，其空间电荷区（）。
A.不变B.变宽C.变窄D.无法确定3、当环境温度升高时，二极管的反向饱和电流Is将增大，是因为此时PN结内部的（）A. 多数载流子浓度增大B. 少数载流子浓度增大C. 多数载流子浓度减小D. 少数载流子浓度减小4、PN结反向向偏置时，其内电场被（）。
A.削弱B.增强C.不变D.不确定5、在绝对零度（0K）和没有外界激发时，本征半导体中( )载流子。
A.有B.没有C.少数D.多数6、集成运放的输入级采用差分放大电路是因为可以（）。
A．减小温漂 B. 增大放大倍数C. 提高输入电阻D. 减小输出电阻7、以下所列器件中，（）器件不是工作在反偏状态的。
A、光电二极管B、发光二极管C、变容二极管D、稳压管8、当晶体管工作在放大区时，（）。
A. 发射结和集电结均反偏B.发射结正偏，集电结反偏C. 发射结和集电结均正偏D.发射结反偏，集电结正偏9、稳压二极管稳压时，其工作在( )，A．正向导通区B．反向截止区C．反向击穿区 D.不确定10、抑制温漂（零漂）最常用的方法是采用（）电路。
A.差放B.正弦C.数字D.功率放大11、在某放大电路中，测得三极管三个电极的静态电位分别为0 V，-10 V，-9.3 V，则这只三极管是（）。
A．NPN 型硅管 B.NPN 型锗管 C.PNP 型硅管 D.PNP 型锗管12、某场效应管的转移特性如右图所示，该管为（）。
A．P沟道增强型MOS管 B.P沟道结型场效应管C.N沟道增强型MOS管D.N沟道耗尽型MOS管13A．输入电阻高 B.输出电阻低C.共模抑制比大D.电压放大倍数大14、如右图所示复合管，已知V1的?1 = 30，V2的?2 = 50，则复合后的?约为（）。
晶体三极管和场效应管试题及答案
晶体三极管和场效应管试题及答案一、单选题1.如图所示各特性曲线中，N沟道增强型MOS管的转移特性曲线是A、B、C、D、【正确答案】：D2.某单管共射放大电路在处于放大状态时，三个电极A、B、C对地的电位分别是，则此三极管一定是A、PNP硅管B、NPN硅管C、PNP锗管D、NPN锗管【正确答案】：A3.用万用表测量某放大电路中三极管各个极的电位如下，处于放大状态的三极管是A、B、C、D、【正确答案】：B4.某场效应管的符号如图所示，可判断该管为A、N沟道结型场效应管B、P沟道结型场效应管C、N沟道耗尽型场效应管D、P沟道耗尽型场效应管【正确答案】：A5.下列说法中正确的是A、体现晶体三极管电流放大特性的公式是B、硅材料晶体三极管的导通电压是0.3VC、锗材料晶体三极管的饱和压降是0.1VD、晶体三极管具有能量放大作用【正确答案】：C6.射极输出器的主要特点是A、电压放大倍数略大于1，输入电阻高，输出电阻低B、电压放大倍数略大于1，输入电阻低，输出电阻高C、电压放大倍数略小于1，输入电阻高，输出电阻低D、电压放大倍数略小于1，输入电阻低，输出电阻高【正确答案】：C7.把射极输出器用作多级放大器的第一级，是利用它的A、电压放大倍数略小于1，电压跟随特性好B、输入电阻高C、输出电阻低D、有一定的电流和功率放大能力【正确答案】：B8.万用表测得三极管时，；时，，则该管的交流电流放大系数为A、100B、80C、75D、60【正确答案】：D9.NPN型三极管处于放大状态时，下列各极电位或电压关系正确的是A、B、C、D、【正确答案】：D10.测得晶体三极管=30μA时,=2.4mA；=40μA时,=3mA；则该管的交流电流放大系数为A、75B、80C、60D、100【正确答案】：C11.硅材料三极管的饱和压降是A、0.1vB、0.3vC、0.5vD、0.7v【正确答案】：B12.场效应管的极限参数的有A、最大漏极电流B、击穿电压C、最大耗散功率D、低频跨导【正确答案】：A13.某放大管的三极电流参考方向都是流入管内，大小分别为：。
场效应管考试题目及答案
场效应管考试题目及答案1. 场效应管的工作原理是什么？答案：场效应管的工作原理基于电场控制，通过改变栅极电压来控制源极和漏极之间的电流。
在增强型场效应管中，栅极电压必须达到一定的阈值才能使电流流动；而在耗尽型场效应管中，即使栅极电压为零，电流也能流动，栅极电压的变化用于调节电流的大小。
2. 场效应管与双极型晶体管（BJT）的主要区别是什么？答案：场效应管是电压控制器件，其输入阻抗高，输出阻抗低，而双极型晶体管是电流控制器件，其输入阻抗低，输出阻抗高。
场效应管的开关速度比双极型晶体管快，且场效应管的噪声水平更低。
3. 场效应管的漏极电流ID与栅源电压VGS之间的关系如何？答案：在一定范围内，场效应管的漏极电流ID与栅源电压VGS成正比。
当VGS增加时，ID也随之增加，但这种关系并非线性，而是受到漏极电压VDS的影响。
在饱和区，ID随着VGS的增加而增加，直到达到饱和电流IDSS。
4. 场效应管的阈值电压Vth是什么？答案：阈值电压Vth是指在增强型场效应管中，栅极电压必须达到的最小电压值，以使漏极电流开始流动。
当VGS等于Vth时，漏极电流ID开始显著增加。
5. 场效应管的沟道长度调制效应是什么？答案：沟道长度调制效应是指在场效应管中，当漏极电压VDS增加时，沟道的有效长度会减小，导致漏极电流ID增加。
这种效应在高电压操作下尤为明显，可以通过设计来减少其影响。
6. 如何测量场效应管的阈值电压Vth？答案：测量场效应管的阈值电压Vth通常需要使用半导体参数分析仪。
通过逐渐增加栅源电压VGS，并观察漏极电流ID的变化，当ID开始显著增加时对应的VGS值即为阈值电压Vth。
7. 场效应管的开关速度与哪些因素有关？答案：场效应管的开关速度与多种因素有关，包括器件的几何尺寸、沟道材料的迁移率、栅极电压的变化速率以及漏极电流的大小。
减小沟道长度、增加沟道宽度、提高材料迁移率以及快速的栅极电压变化都可以提高场效应管的开关速度。
二极管三极管练习题
二极管三极管练习题一、选择题1. 下列哪种器件属于半导体器件？A. 二极管B. 稳压管C. 晶体管2. 二极管的正向导通电压约为多少？A. 0.1VB. 0.2VC. 0.7VD. 1.5V3. 下列哪种类型的二极管具有稳压功能？A. 普通二极管B. 发光二极管C. 稳压二极管D. 变容二极管4. 三极管的工作原理是基于哪种效应？A. 光电效应B. 热电效应C. 晶体管效应D. 二极管效应5. 三极管的三个工作区域分别是：A. 放大区、饱和区、截止区B. 放大区、截止区、饱和区C. 饱和区、放大区、截止区D. 截止区、饱和区、放大区6. 三极管放大状态下，基极电流与集电极电流的关系是：A. Ib = IcB. Ib < IcC. Ib > IcD. Ib = 07. 下列哪种电路属于三极管放大电路？A. 共发射极电路B. 共集电极电路C. 共基极电路8. 三极管放大电路中，输入信号与输出信号相位关系为：A. 同相B. 反相C. 90°相位差D. 180°相位差二、填空题9. 二极管的主要特性是________和________。
10. 三极管的工作原理是基于________、________和________。
11. 三极管放大电路有________、________和________三种基本接法。
12. 二极管正向导通时，其正向电阻________，反向截止时，其反向电阻________。
13. 三极管在放大状态时，基极电流________，集电极电流________。
14. 三极管放大电路中，输入信号与输出信号的相位关系为________。
三、判断题15. 二极管具有单向导电性。
（）16. 三极管可以工作在放大、饱和和截止三种状态。
（）17. 二极管的反向电流随温度升高而减小。
（）18. 三极管放大电路中，输入信号与输出信号相位相同。
（）19. 二极管和三极管都是半导体器件。
02《电子技术基础》单元练习(二)(三极管与场效应管)
《电子技术基础》单元练习（二）晶体三极管与场效应管一、填空题1、三极管按导电类型可分为和。
它属于控制器件，即通过来控制。
2、三极管具有作用，应使发射结，集电结。
3、晶体三极管的内部特点是和。
4、晶体三极管各极电流的分配关系是。
5、某晶体三极管的管压降保持不变，基极电流I B=30微安时，I C=1.2毫安，则发射极电流I E=，如果基极电流I B增大到50微安时，I C增加到2毫安，则三极管的电流放大系数β=。
6、工作在放大状态的三极管可作为器件；工作在截止状态和饱和状态的三极管可作为器件。
7、三极管的I CEO与I CBO间的关系式为，它们反映了管子的性能，在选用管子时，希望I CEO尽量。
8、一般情况下，三极管的电流放大系数随温度的增加而。
9、晶体管有、和三种工作状态。
10、晶体管的β大小应适当，β太小则，β太大则。
11、三极管的三个主要极限参数是、、。
12、晶体三极管的反向饱和电流I CBO随温度升高而；穿透电流I CEO随温度升高而；β值随温度升高而。
13、场效应管从结构上可分为和；从导电类型上可分为沟道和沟道。
场效应管属于控制器件，即通过来控制，它的控制能力用参数来表示。
14、场效应管有三个电极，即极，极和极。
用字母表示分别为、和。
15、场效应管相对于晶体三极管而言最大的特点是高。
其中结型场效应管的输入电阻可达，而绝缘栅型场效应管的输入电阻可达。
16、绝缘栅型场效应管简称MOS管，Ｍ是指，Ｏ是指，Ｓ是指。
17、NMOS管是指，PMOS管是指。
18、绝缘栅型场效应管在存放时极不能悬空，一般极和极要短接。
二、是非题1、三极管处在放大状态时，Ｃ极电位总是高于B极电位，B极电位总是高于E极电位。
（）2、对于NPN型三极管，当V BE＞0，V BE＞V CE，则该三极管一定工作在饱和状态。
（）3、一般来说硅三极管理的穿透电流小于锗三极管的穿透电流，故硅管的热稳性能比锗三极管的热稳性能要好。
（）4、晶体三极管有发射结和集电结，它相当于两个二极管反向连接，所以我们可以用两个三极管来代替一个三极管。
场效应管和三极管
一、三极管是电流控制器件，场效应管是电压控制器件。
二、三极管是双极性器件，场效应管是单极性器件。
三、场效应管受外界温度、辐射影响较小，因此场效应管比三极管更稳定。
四、三极管适用于分立元件的电路，而场效应管更适用于集成电路。
五、三极管的输入电阻比场效应管要小。
六、三极管的噪声系数比场效应管要大。
三极管和场效应管的主要区别在于三极管的放大或者开关功能依赖基极的电流分量。
场效应管的放大和开关功能依赖于栅极的电压分量。
其他还有开关时间特性的区别，一般晶体三极管大电流的开关速度远比不上场效应管。
场效应管和三极管输入电阻有差异。
.场效应管是单极;三极管是双极。
场效应管是电压控制电流源，控制电压和电流属于不同的支路，因而电压的求解一般不难（有时是与受控电流有关的表达式），进而根据漏极电流表达式来求出电流值，然后进行模型分析，求出跨导和输出电阻。
而三极管要先建立模型，然后进行电路分析，求解过程特别是计算很复杂，容易出错；总体而言，场效应管的分析要比三极管简单一些。
三.极管和场效应管的比较可以归纳以下几点：1）、在三极管中，空穴和自由电子都参与导电，称为双极型器件，用BJT表示；而场效应管只有多子导电，称为单极型器件，用FET表示。
由于多子浓度不受外界温度、光照、辐射的影响，在环境变化剧烈的条件下，选用FET比较合适。
这也就是我们通常所说的场效应管比较稳定的原因。
2）、在放大状态工作时，三极管发射结正偏，有基极电流，为电流控制器件，相应的输入电阻较小，约103Ω；FET在放大状态工作时无栅极电流，为电压控制器件，输入电阻很大，JFET的输入电阻大于107Ω，MOS管的输入电阻大于109Ω。
3）、场效应管的源极和漏极在结构上对称，可以互换使用(但应注意，有时厂家已将MOS管的源极与衬底在管内已经短接，使用时就不能互换)。
对耗尽型MOS管的VGS可正、可负、可为零，使用时比较灵活。
三极管的集电极和发射极一般不能互换使用。
三极管测试题
半导体三极管测试题一、 填空题1.三极管从结构上看可以分成＿＿＿＿＿和＿＿＿＿＿两种类型。
2.晶体三极管工作时有＿＿＿＿＿＿和＿＿＿＿＿＿两种载流子参与导电，因此三极管又称为＿＿＿＿＿＿晶体管。
3.设晶体管的压降不变，基极电流为20μA 时，集电极电流等于2mA ，则 =____。
若基极电流增大至25μA，集电极电流相应地增大至2.6mA ，则 =____。
4.三极管的电流放大作用是指三极管的＿＿＿＿＿电流约是＿＿＿＿＿电流的倍，即利用＿＿＿＿＿电流，就可实现对＿＿＿＿＿电流的控制。
5.某三极管的发射极电流等于1mA ，基极电流等于20μA，穿透电流Iceo=0则其集电极电流等于____ ，电流放大系数β等于____。
6.当三极管工作在＿＿＿＿区时，关系式I C ≈βI B 才成立，发射极＿＿＿＿偏置，集电极＿＿＿＿偏置。
7.当三极管工作在＿＿＿＿区时，I C ≈0；发射极＿＿＿ ＿偏置，集电极＿＿＿偏置。
8.当三极管工作在＿＿＿＿区时， U CE ≈0。
发射极＿＿＿＿偏置，集电极＿＿＿＿偏置。
9.当NPN 硅管处在放大状态时，在三个电极电位中，以＿＿＿＿极的电位最高，＿＿＿＿极电位最低，＿＿＿＿极和＿＿＿＿极电位差等于＿＿＿＿。
ββCE U10.当PNP 锗管处在放大状态时，在三个电极电位中，以＿＿＿＿极的电位最高，＿＿＿＿极电位最低，U BE 等于＿＿＿＿。
11.晶体三极管放大电路中 三个电极的电位分别为 试判断三极管的类型是 ＿＿＿＿，材料是＿＿＿＿。
12.晶体三极管放大电路中三个电极的电位分别为 三个电极分别1为＿＿＿＿＿＿，2为＿＿＿＿＿＿，3为＿＿＿＿＿＿。
13.温度升高时，三极管的电流放大倍数β将＿＿＿＿；穿透电流I CEO 将＿＿＿＿；发射极电压U BE 将＿＿＿＿。
14.温度升高时，三极管的共射输入特性曲线将____移，输出特性曲线将____移，而且输出特性曲线之间隔将变____。
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三极管和场效应管 练习题2
一、单选题(每题1分)
1. 场效应管本质上是一个（ ）。
A 、电流控制电流源器件
B 、电流控制电压源器件
C 、电压控制电流源器件
D 、电压控制电压源器件
2. 放大电路如图所示，已知硅三极管的50=β，则该电路中三极管的工作状态为（ ）。
A. 截止
B. 饱和
C. 放大
D. 无法确定
3. 放大电路如图所示，已知三极管的05=β，则该电路中三极管的工作状态为（ ）。
A. 截止
B. 饱和
C. 放大
D. 无法确定
4. 某三极管的V 15,mA 20,mW 100(BR)CEO CM CM ===U I P ，则下列状态下三极管能正常工作的是（ ）。
A. mA 10,V 3C CE ==I U
B. mA 40,V 2C CE ==I U
C. mA 20,V 6C CE ==I U
D. mA 2,V 20C CE ==I U
5. 已知场效应管的转移特性曲线如图所示，则此场效应管的类型是（ ）。
A. 增强型PMOS
B. 增强型NMOS
C. 耗尽型PMOS
D. 耗尽型NMOS 6. （ ）情况下，可以用H 参数小信号模型分析放大电路。
A. 正弦小信号
B. 低频大信号
C. 低频小信号
D. 高频小信号
7. 在三极管放大电路中，下列等式不正确的是（ ）。
A.C B E I I I +=
B. B C I I β≈
C. CEO CBO I I )1(β+=
D. βααβ=+ 8. 硅三极管放大电路中，静态时测得集-射极之间直流电压U CE =0.3V ，则此时三极管工作于（ ） 状态。
A. 饱和
B. 截止
C. 放大
D. 无法确定
9. 三极管当发射结和集电结都正偏时工作于（ ）状态。
A. 放大
B. 截止
C. 饱和
D. 无法确定
10. 下面的电路符号代表（ ）管。
A. 耗尽型PMOS
B. 耗尽型NMOS
C. 增强型PMOS
D. 增强型NMOS
11. 关于三极管反向击穿电压的关系，下列正确的是（ ）。
A. EBO BR CBO BR CEO BR U U U )()()(>>
B. EBO BR CEO BR CBO BR U U U )()()(>>
C. CEO BR EBO BR CBO BR U U U )()()(>>
D. CBO BR CEO BR EBO BR U U U )()()(>>
12. （ ）具有不同的低频小信号电路模型。
A. NPN 管和PNP 管
B. 增强型场效应管和耗尽型场效应管
C. N 沟道场效应管和P 沟道场效应管
D. 三极管和二极管
二、判断题(每题1分)
1. 对三极管电路进行直流分析时，可将三极管用H 参数小信号模型替代。
2. 分析三极管低频小信号放大电路时，可采用微变等效电路分析法把非线性器件等效为线性器件，从而简化计算。
3. 三极管的输出特性曲线随温度升高而上移，且间距随温度升高而减小。
4. 结型场效应管外加的栅源电压应使栅源之间的PN 结反偏，以保证场效应管的输入电阻很大。
5. 三极管放大电路中的耦合电容在直流分析时可视为短路，交流分析时可视为开路。
6. 三极管的C 、E 两个区所用半导体材料相同，因此，可将三极管的C 、E 两个电极互换使用。
7. 开启电压是耗尽型场效应管的参数；夹断电压是增强型场效应管的参数。
8. I DSS 表示工作于饱和区的增强型场效应管在u GS =0时的漏极电流。
9. 双极型三极管由两个PN 结构成，因此可以用两个二极管背靠背相连构成一个三极管。
10. 双极型三极管和场效应管都利用输入电流的变化控制输出电流的变化而起到放大作用。
11. 场效应管放大电路和双极型三极管放大电路的小信号等效模型相同。
12. 三极管工作在放大区时，若i B 为常数，则u CE 增大时，i C 几乎不变，故当三极管工作在放大区时可视为一电流源。
三、填空题(每题2分)
1. 工作在放大区的一个三极管，如果基极电流从10微安变化到22微安时，集电极电流从1毫安变为
2.1毫安，则该三极管的β约为 ；α约为 。
2. 当u gs =0时，漏源间存在导电沟道的称为 型场效应管；漏源间不存在导电沟道的称为 型场效应管。
3. 场效应管具有输入电阻很 、抗干扰能力 等特点。
4. 某处于放大状态的三极管，测得三个电极的对地电位为U 1=-9V ，U 2=-6V ，U 3=-6.2V ，则电极 为基极， 为集电极， 为发射极，为 型管。
5. 场效应管是利用 效应，来控制漏极电流大小的半导体器件。
6. β反映 态时集电极电流与基极电流之比；β反映 态时的电流放大特性。
7. 三极管电流放大系数β反映了放大电路中 极电流对 极电流的控制能力。
8. 当温度升高时，三极管的参数β会 ，CBO I 会 ，导通电压会 9. 对三极管放大电路进行直流分析时，工程上常采用 法或 法。
10. 用于构成放大电路时，双极型三极管工作于 区；场效应管工作于 区 。
11. _______通路常用以确定静态工作点； 通路提供了信号传输的途径。
12. 某三极管的极限参数mA 20CM =I 、mW 100CM =P 、V 20(BR)CEO =U 。
当工作电压V 10CE =U 时，工作电流I C 不得超过 mA ；当工作电压V 1CE =U 时， I C 不得超过_____ mA ；当工作电流mA 2C =I 时， U CE 不得超过 V 。
13. 场效应管是利用 电压来控制 电流大小的半导体器件。
14. 双极型半导体三极管按结构可分为 型和 型两种，它们的符号分别_______和
15. 某放大电路中，三极管三个电极的电流如图所示，测得I A =2mA ，I B =0.04m A ，I C =2.04mA ，则电极 为基极， 为集电极， 为发射极；为 型管；=β 。
16. 三极管工作在放大区时，发射结为 偏置，集电结为 偏置。
17. 硅三极管三个电极的电压如图所示，则此三极管工作于 状态。
四、计算分析题(每题5分)
1. 场效应管电路如图所示，已知)mV (sin 20i t u ω=，场效应管的mS 58.0m =g 试求该电
路的交流输出电压u o 的大小。
2. 场效应管的转移特性曲线如图所示，试指出各场效应管的类型并画出电路符号；对于耗尽型管求出U GS （off ）、I DSS ；对于增强型管求出U GS （th ）。
3. 场效应管的转移特性曲线如图所示，试指出各场效应管的类型并画出电路符号；对于耗尽型管求出U GS （off ）、I DSS ；对于增强型管求出U GS （th ）。
4. 图中三极管为硅管，β=100，试求电路中I B 、I C 、U CE 的值，判断三极管工作在什么状态。
5. 三极管电路如图所示，已知三极管的80=β， U BE （on ）=0.7V ，r bb´=200Ω，输入信号
)mV (sin 20s t u ω=,电容C 对交流的容抗近似为零。
试：
（1）计算电路的静态工作点参数I BQ 、I CQ 、U CEQ ；（2）画出电路的微变等效电路，求u BE 、i B 、i C 和u CE 。
6.图中三极管均为硅管，试求各电路中的I C、U CE及集电极对地电压U O。
7.图中三极管为硅管，β=100，试求电路中I B、I C、U CE的值，判断三极管工作在什么状态。
8.三极管电路如图所示，已知β=100，U BE（on）=0.7V，试求电路中I C、U CE的值。
9.图中三极管为硅管，β=100，试求电路中I B、I C、U CE的值，判断三极管工作在什么状态。
10.场效应管的输出特性曲线如图所示，试指出各场效应管的类型并画出电路符号；对于耗尽型管求出U GS（off）、I DSS；对于增强型管求出U GS（th）。