高频电子线路之高放2

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高频电子线路实验课件

高频电子线路实验课件

| 1 | 10 | 1 | 10 | 0.8 | | 3 | 30 | 1 | 30 | 0.4 |
实验结果分析与讨论
实验结果分析
VS
根据实验数据记录,当输入信号频率 增加时,输出信号幅度逐渐减小。这 表明滤波器对高频信号的抑制作用较 强,而对低频信号的抑制作用较弱。 因此,该滤波器为高通滤波器。
系统集成与优化
未来的高频电子线路实验将更加注重系统集成和优化,将 不同的器件和电路模块进行整合,实现更高效、更可靠的 高频电子系统。
实验方法创新
未来的高频电子线路实验将不断创新实验方法,引入新的 实验技术和工具,提高实验的效率和精度。
结合实际应用
未来的高频电子线路实验将更加注重与实际应用的结合, 通过实验研究高频电子线路在各个领域中的应用,提高实 验的应用价值。
05
高频电子线路实验项目三 :滤波器
实验目的与原理
01
实验目的
02
1. 掌握滤波器的原理及设计方法;
03
2. 了解滤波器对信号频率成分的影响;
实验目的与原理
• 学会使用示波器和信号发生器等设备进行实验操作。
实验目的与原理
实验原理
滤波器是一种频率选择性器件,它可以通过抑制某些频率成分、而允许其他频率成分通过。在高频电 子线路中,滤波器常用于减小信号中的噪声、提取有用信号等。根据频率响应的不同,滤波器可分为 低通、高通、带通和带阻等类型。
• 讨论:调谐放大器在通信、雷达等高频电子系统中具有广泛应用。本实 验通过探究其工作原理及性能特点,为实际应用提供理论支持和实践经 验。同时,实验中可能存在的误差来源也需要进行讨论并加以修正,以 提高实验的准确性和可靠性。
04
高频电子线路实验项目二 :混频器

高频电子线路第2章

高频电子线路第2章

信号偏离谐振回路的谐振频率时,谐振回路 的幅频特性下降为最大值的 1/ 2 (≈ 0.7)时对 应的频率范围,称为通频带,用BW0.7表示。
BW0.7
2f0.7
f0 Q
I
1
1
I max
1
jQ
0
0
1 j
II 1
I max
I max
12
arctan
➢谐振回路的品质因数越大,通频带越窄
2.并联谐振回路
Yp
1 Zp
1 rp
j C
1 L
1 rp
1
j rp 0 L
0
0
1
j
谐振时 0
Zp max rp Q
L C
U max Is rp
IC j0CUmax j0Crp Is jQIs
IL
U max j0 L
j rp 0 L
解:将图2.9(a)等效为图2.9(b),各等效元件的参数计算如下
p1
N12 N13
1 5
,p2
N 45 N13
1 10
RL
RL p22
102
2 200(k)
因为Ys
p12Ys
1 Rs
jCs
p12
(
1 Rs
jCs )
所以Rs
Rs p12
52 10 250(k)
Cs
p12Cs
100 52
Rp
X
2 p
Rp2
X
2 p
j Rp2 X p
Rp2
X
2 p
等效变换前后回路的品 质因数应该相等
X s Rp Q
Rs
Xp

物理学院高频电子线路g1-2

物理学院高频电子线路g1-2
物理学院高频电子线路 g1-2
2020年7月20日星期一
•第一节
•高频电路中的元器件
•(1)两种耦合回路
•互感耦合振荡回路,(两个 振荡回路通过互感耦合)
•电容耦合振荡回路,(两个 振荡回路通过电容耦合)
•第一节
•高频电路中的元器件
•(2)耦合系数k与耦合因子A
•耦合系数K:耦合阻抗和两回路中同性质电抗的 几何平均值之比。
•高频电路中的基本电路
•中心抽头变压器电路
•注意电流方向 都是流入同名端
•例:电路如图所示,列写电路方程。
•第二节
•高频电路中的基本电路
•2 、传输线变压器
•① 用途:极性变换、阻抗变换、平衡不平衡 变换,功率合成、功率分配等。
•②结构:由传输线(同轴电缆、带状线或双 绞线)在磁环上绕制而成。
•③特点: •工作的频率范围非常宽,上限频率非常高,但受到传 输线特性的限制。下限频率受变压器特性限制。
•电极的电 容效应等效
•基频时晶体压 电效应等效
•频率稳定度高是由于: •(1)Q值很高
•rq 很小(与摩擦损耗有关) •Qq 很高(105以上), •C0>>Cq
•(2)接入系数
很小。
•第一节
•高频电路中的元器件
•5、基频时的等效阻抗
•忽略rq
•第一节
•高频电路中的元器件
•ωs < ω < ωp • Xcr>0, Zcr 为感性
• 图 2 — 25 陶瓷滤波器电路
•第一节
•高频电路中的元器件
•2、 声表面波滤波器 •①结构及工作原理
•②用途
• SAW滤波器在抑制电子信息设备高次谐波、镜像信 息、发射漏泄信号以及各类寄生杂波干扰等方面起到良好 的作用,可以实现所需精度的幅频和相频特性的滤波,这 是其它滤波器难以完成的。

高频电子线路

高频电子线路

高频电子线路电子线路是现代电子技术的基石,广泛应用于通信、计算机、消费电子、医疗等领域。

高频电子线路是其中的一个重要分支,主要应用于高频通信、雷达、微波技术等领域。

本文将介绍高频电子线路的基本概念、分类、常用器件以及设计方法,并对其在实际应用中的一些问题进行了探讨。

一、基本概念高频电子线路是指工作频率在几百MHz至数GHz范围内的电子线路。

相比于低频电子线路,高频电子线路所涉及的频率更高,信号波形更为复杂,传输和反射效应更为显著,因此需要采用特殊的设计技术和器件来满足其特殊要求。

高频电子线路的特点主要包括以下几个方面:1. 器件的尺寸和结构对电路性能影响显著,需要进行精细化设计和工艺。

2. 信号传输中存在大量的反射和损耗,需要采用返波抑制和匹配技术来提高传输效率和信号质量。

3. 线路的电磁兼容性问题更为突出,需要进行屏蔽和抗干扰设计。

4. 信号时延和相位误差对系统性能有较大的影响,需要进行相位同步和时延补偿等技术处理。

二、分类根据其应用领域和特点,高频电子线路可以分为不同的分类,其中主要包括以下几类:1. 射频线路射频线路主要用于高频通信和无线电技术中,其特点是工作频率在几十MHz至数GHz范围内,需要采用匹配、滤波、放大、混频等技术来实现信号的调制、解调、传输和放大。

射频线路所用的器件包括晶体管、二极管、集成电路等。

2. 微波线路微波线路是指工作频率在数十GHz至数百GHz范围内的电子线路,是雷达、卫星、电视等高速通信系统的核心部件之一。

微波线路需要采用宽带、低损耗、高阻抗、稳定性好的器件和材料,如微带线、同轴线、波导等。

3. 毫米波线路毫米波线路是指工作频率在数百GHz至数千GHz范围内的电子线路,主要用于高速通信、毫米波雷达、太阳能辐射测量等领域。

毫米波线路需要采用特殊的器件和制备工艺,如基于硅基集成电路的器件和图案化的微波印刷技术。

三、常用器件1. 晶体管晶体管是高频电子线路中应用最广泛的器件之一,可用于放大、调制、解调、混频等应用。

高频电子线路阳昌汉版第3章高频功率放大器

高频电子线路阳昌汉版第3章高频功率放大器

输入匹配网络
根据晶体管的输入阻抗和信号源阻抗,设计合适的输入匹配网络 ,实现最大功率传输和最小失真。
输出匹配网络
根据负载阻抗和晶体管的输出阻抗,设计合适的输出匹配网络,实 现最大功率传输和最小失真。
阻抗变换
采用阻抗变换技术,如L型、π型或T型网络等,实现输入、输出阻 抗与信号源、负载阻抗的匹配。
04
高频功率放大器是一种电子设备 ,用于将低频信号放大为高频信 号,并且能够输出足够的功率以 驱动负载。
作用
高频功率放大器在通信、广播、 电视、雷达、导航等领域中广泛 应用,是实现信号传输和处理的 关键部件之一。
发展历程及现状
发展历程
高频功率放大器的发展经历了电子管、晶体管、集成电路等不同的技术阶段, 随着半导体技术的不断进步,高频功率放大器的性能不断提高,体积不断缩小 。
偏置电路设计
静态工作点设置
根据晶体管的特性和工作 要求,设置合适的静态工 作点,以确保放大器在正 常工作范围内。
温度补偿
采用温度补偿电路,减小 温度变化对放大器性能的 影响。
偏置电路稳定性
采用合适的偏置电路结构 和元件参数,确保偏置电 路的稳定性,避免自激振 荡和失真等问题。
输入输出匹配网络设计
模块化设计
实现不同功能模块之间 的灵活组合和配置,提 高放大器的适应性和可 扩展性。
数字化控制
采用数字信号处理技术 对放大器进行精确控制 和管理,提高性能和稳 定性。
面临的挑战及解决思路
散热问题
高频功率放大器在工作过程中会产生大量热量,需要采取有效的散 热措施,如使用高效散热器、优化散热结构等。
线性度与效率的矛盾
宽带放大技术
宽带放大原理
01

高频电子线路实验指导书(精)

高频电子线路实验指导书(精)

高频电子线路实验指导书(精)编辑整理:尊敬的读者朋友们:这里是精品文档编辑中心,本文档内容是由我和我的同事精心编辑整理后发布的,发布之前我们对文中内容进行仔细校对,但是难免会有疏漏的地方,但是任然希望(高频电子线路实验指导书(精))的内容能够给您的工作和学习带来便利。

同时也真诚的希望收到您的建议和反馈,这将是我们进步的源泉,前进的动力。

本文可编辑可修改,如果觉得对您有帮助请收藏以便随时查阅,最后祝您生活愉快业绩进步,以下为高频电子线路实验指导书(精)的全部内容。

《高频电子线路》实验指导书吴琼编沈阳大学信息学院目录实验一:高频电子仪器使用练习 2 实验二:单调谐回路谐振放大器及通频带展宽实验实验三:幅度调制器实验9 实验四:小功率功率调频发射、接收实验13课程编号:11271141 课程类别:学科必修适用层次:本科适用专业:电子信息科学与技术课程总学时:64 适用学期:第5学期实验学时:16 开设实验项目数:4撰写人:吴琼审核人:张明教学院长:范立南实验一:高频电子仪器使用练习一、实验目的与要求了解高频信号发生器基本结构及用途,学习该仪器的使用方法。

二、实验原理及说明本系统由实验箱和外接实验模块两部分组成,其中外接模块采用插拔式结构设计,便于功能的扩展。

实验箱带有一个0Hz~120KHz的低频信号源、一个20KHz~10MHz的高频信号源、一个音频接口单元。

实验箱可使用自带电源,也可通过右上角的4针电源接口从外部引入。

高频电路单元采用模块式设计,将有关联的单元电路放在一个模块内.高频模块可插在实验箱的4个固定孔上,配合高、低频信号源和频率计即可进行高频电路实验.三、实验内容和步骤1、电源接口测试实验箱提供的五组电源(-8V、+5V、—5V、-12V、+12V输出。

当电源正常时,各组电源对应的指示灯均被点亮。

用万用表测量各输出点的电压值,与电源标准值相对照,填表1—12、低频信号源本实验箱采用集成函数发生器ICL8038产生正弦波、方波和三角波,频率为0Hz—120KHz连续可调。

高频电子线路高频功率放大器教学课件PPT

高频电子线路高频功率放大器教学课件PPT
工程上都采用近似估算和实验调整相结合的方法对高 频功率放大器进行分析和计算。折线法就是常用的一种 分析法。
对谐振功率放大器进行分析计算,关键在于求出电流 的直流分量Ic0和基频分量Icm1。
14
折线分析法的主要步骤:
1、测出晶体管的转移特性曲线ic~ eb及输出特性曲线ic~ ec, 并将这两组曲线作理想折线化处理
ic=Ico+ Icm1cost+Icm2cos2t+Icm3cos3t+……
11
直流功率: PDC Vcc Ic0
输出交流功率:
Po
1 2
Vcm
Icm1
Vc2m 2R p
1 2
I c2m1R
p
Vcm 回路两端的基频电压
Icm1 基频电流
Rp
回路的谐振阻抗
放大器的集电极效率:
hc
Po PDC
1 2
为了阐明各种工作状态的特点和正确调节放大器,就应该了解 这几个参量的变化会使放大器的工作状态发生怎样的变化。
23
当放大器工作于谐振状态时,它的外
部电路关系式为
ic
eb= –VBB+Vbmcost
ec= VCC–Vcmcost
消去cost可得,
eb=
–VBB+Vbm
VCC Vcm
ec
另一方面,晶体管的折线化方程为
正好落在临界线上。
18
三、集电极余弦电流脉冲的分解
当晶体管特性曲线理想化后,丙类工作状态的集电极电 流脉冲是尖顶余弦脉冲。这适用于欠压或临界状态。
晶体管的内部特性为:
ic=gc(eb–VBZ) 它的外部电路关系式
eb= –VBB+Vbmcost

高频电子线路 第三章 2

高频电子线路 第三章 2

高频电子线路
第3章
高频谐振放大器
第二节
高频功率放大器的原理与特性
(5)γ 、α 0 (θ )、α1 (θ )、α 2 (θ )、α 3 (θ )与θ 的关系 )
η=
PI 1 I c1 U c 1 = = γξ Po 2 I c 0 U cc 2
θ增加γ下降,效率降低, 增加γ下降,效率降低, 增加,输出功率增加。 α1增加,输出功率增加。
uC E = U C C , u B E = U B B
两点, (3)连接 、Q两点,与横轴交点位 点。 )连接A、 两点 与横轴交点位B点 动态线由ABC连线组成。 连线组成。 动态线由 连线组成
θ减小γ增加,效率增加, 减小γ增加,效率增加, 减小 α1减小,输出功率减小。 减小,输出功率减小。
综合考虑输出功率和效率, 取 θ = 70o左 右 。
倍频器设计时的选择考虑 α2, α3。
高频电子线路
第3章
高频谐振放大器
第二节
高频功率放大器的原理与特性
二、 高频谐振功率放大器的工作状态
1. 高频功放的动特性 .
− U c cos ω t
.
高频电子线路
第3章
高频谐振放大器
第二节
高频功率放大器的原理与特性
2、动特性的折线分析 、
u BE (ω t ) = U u CE (ω t ) = U
BB CC
+U
b
cos ω t
− U c cos ω t
确定A点 (1)令ωt=0,确定 点。 ) 确定
u u
C E B E
π
1
θ
α 0 (θ ), α n (θ )
称为余弦脉冲分解系数。 称为余弦脉冲分解系数。

高频电子线路第2版_阳昌汉_习题及解答

高频电子线路第2版_阳昌汉_习题及解答

高频电子线路第2版_阳昌汉_习题及解答一、引言高频电子线路是现代通信领域的重要组成部分,广泛应用于无线通信、雷达系统、卫星通信等领域。

为了帮助读者更好地理解和应用高频电子线路理论,本文介绍了阳昌汉教授撰写的《高频电子线路》第2版习题及解答。

通过学习和解答这些习题,读者可以加深对高频电子线路的理解,提升自己的设计和分析能力。

二、习题内容本文档包括了《高频电子线路》第2版中提供的一系列习题,涵盖了高频电子线路的基础知识和应用。

这些习题不仅考察了读者对理论的掌握程度,还培养了读者的实际应用能力。

习题内容如下:1. 传输线特性参数计算1.1 计算无终端传输线的特性阻抗和特性方程; 1.2 计算终端有负载的传输线的特性阻抗和特性方程; 1.3 计算传输线上电压和电流的分布情况。

2. S参数和传输参数的转换2.1 计算S参数和传输参数之间的转换关系; 2.2 分析并解决传输线上的匹配问题。

3. 传输线的散射参数矩阵3.1 计算散射参数和传输线的S参数之间的关系; 3.2 分析传输线的反射和传输特性。

4. 高频电子线路的稳定性和增益4.1 计算放大器的稳定性圆和稳定因子; 4.2 分析放大器的增益和稳定性特性。

5. 高频电子线路的噪声和抗噪声设计5.1 计算放大器的输入输出噪声和噪声系数; 5.2 分析噪声对高频电子线路的影响; 5.3 设计抗噪声放大器。

三、解答策略为了帮助读者更好地理解和解答这些习题,本文档也提供了习题的解答策略。

解答策略主要包括:1.习题分析:对习题进行分析,理解习题要求和背景;2.解题思路:给出解题思路,指导读者思考和解答习题;3.计算步骤:逐步给出解答过程中的计算步骤,并解释每一步的目的和原理;4.结果分析:对解答的结果进行分析,帮助读者理解解答结果的物理意义和应用价值。

通过这种解答策略,读者可以更加系统地学习和应用高频电子线路的知识,提升自己的运用能力和创新能力。

四、结论本文档介绍了《高频电子线路》第2版习题及解答,通过学习和解答这些习题,读者可以深入理解高频电子线路的理论和应用。

高频电子线路第二版第2章高频基础电路

高频电子线路第二版第2章高频基础电路

特性好的电阻,即需要根
据电路工作频率的高低选
500Ω金属膜电阻
用不同类型的电阻。
2020/5/11
电阻器是电子线路中最常用的无源元件之一。在 电子电路中,一个或多个电阻可构成降压或分压电路 用于有源器件的直流偏置,也可作为直流或电子电路 的负载电阻完成某些特定功能。
电阻的主要类型: 高密度碳介质合成的碳膜电阻; 鎳或其它材料的线绕电阻; 温度穏定材料的金属膜电阻; 铝或铍基材料薄膜片的表面贴装(SMD)电阻
之比
p VL V L
2020/5/11
根据定义,将电压比V L /V L 变换为变压器的线圈圈数 比(或容抗、感抗比), 则令p为
则变换关系为
RL
1 p2
RL
gL p2gL
X L
1 p2
XL
CL p2CL
2020/5/11
Ig pIg
U g
1 p
U
g
例1:
例2:
p N2 N1
2
RL
1 p2
将L2+ M和RL并联支路等效为串联支路,在 QL2 1条件下
,
(L2 M)
X不变R L , 为SQ 1 L 2 2R L R ,L 2 而/ 0 (L 1 2 M )2R L0 2 (L 2 R LM )2
2020/5/11
再将RLS与L1+L2+2M串联支路等效为并联支路, 在串 联支路的 Q 1条件下,等效后的电感值不变仍为 L1+L2+2M, 而电阻为
工作频率进入射频频段宜选用片式多层陶瓷电 容器、片式塑封交流瓷介电容器和片式有机薄膜电 容器。但电容器的电容值不一定是理想值。
射频电路中经常需要旁路、电源去耦滤波和射 频接地等辅助电路,通常可以利用电容器具有自谐 振频率的特点来实现。

高频电子线路第二讲PPT课件

高频电子线路第二讲PPT课件
高频晶体管有两种类型:
①用于对小信号进行放大功能的高频小功率管,对这一 类晶体管的要求是大增益、小噪声。目前,双极型小信号 放大晶体管的工作频率可以达到几千兆赫兹,噪声系数仅 为几个分贝。
②用于高频功率放大功能的高频功率放大管,对这一类 晶体管的要求是大增益、大功率输出。
小信号放大用的场效应管,工作频率也能达到同样高的 频率,噪声系数可以更小。
第二章 高频电子线路基础
第一节 引言
各种无线电设备主要由一些处理高频信号的功能电路, 如高频小信号放大器、高频功率放大器、振荡器、调制器 及相应的解调器组成。这些内容将在各个章节里分别讨论。 但是各个功能电路之间也有一些共性,这就是所使用的无 源元件、有源器件及其组件等绝大多数是相同的。这些元 器件是构成高频电路的基础。因此,本章首先予以讨论。 考虑到电子噪声存在于各种电子线路之中,它对通信中系 统中所传输的有用信号会形成干扰。所以,了解电子噪声 的产生根源,对从源头上抑制它或消弱它的影响,提高系 统性能非常有帮助。
1.串联谐振回路 凡是由电感L、电容C及电阻r与信号源串联组成的 电路,称为串联谐振回路。串联谐振回路的示意图如 图2-4所示。
L
ui
C
i r
图2-4 串联谐振回路
图中,电阻r通常包括电感线圈和电容器的损耗电 阻以及可能接入回路的外加电阻。如果在该电路电感 线圈或电容器中已经储有能量,则在回路电阻r很小的 前提下,电路中即使没有外加电动势,也可以产生振 荡。所以又称串联谐振回路为串联振荡电路。
数Q,即
Q 0 L 1 r 0rC
(2-10)
并联谐振时阻抗最大,回路呈现纯电阻性质,谐
振电阻R0为
R0
L rC
Q0 L
1 Q
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2
Re
Re
1 (匹配条件) 1 Q12
rA 如果 ,即rA , Re ,又使rL ,所以Q1 Re 但第一级的Q1不会无限变大的。
第3章 高频谐振功率放大器
三、T型网络 ㈠电路原理图 ㈡计算 已知rA,Re和w,分别求出XS1、XS2和XP。 方法:把T型网络分解成两个倒L型网络。先求第一级, 再求第二级。 ㈢讨论 1. 必须满足 Re (1 Q1 ) 1 0,即 Re 1 (匹配条件)
2
rA
rA
1 Q12
所以实际应用中,用 和T型网络较多。
2. L型网络不太适应调整参数,一般T型网络作中间级耦 合, 型低通在输出电路中应用较多。
第3章 高频谐振功率放大器
例 已知某电阻性负载为10Ω,请设计一个匹配网络, 使该负载在20MHz时转换为50Ω。 如负载由10Ω电阻和 0.2μH电感串联组成,又该怎样设计匹配网络? 解:由题意可知,匹配网络应使负载值增大,可采用倒 L型网络。 如负载为10Ω电阻和0.2 μH电感相串联,在相同要 求下的设计步骤如下:
第3章 高频谐振功率放大器
㈢讨论 1. 型网络匹配rA、Re时,需给出Q1,既实现阻抗变换, 还可保证一定滤波功能。 Qe1 Qe 2 2. k k1 k 2,其中k1 1 ,k 2 1 Q01 Q02 3.必须满足 rA (1 Q1 ) 1 0,即 rA
第3章 高频谐振功率放大器
由1560pF和318pF两个电容组成的倒L型匹配网络即为 所求,如图例1.3(b)虚线框内所示。这是因为负载电感 量太大, 需要用一个电容来适当抵消部分电感量。在 20MHz处,1560 pF电容和0.2μH电感串联后的等效电抗 值与(a)图中的0.16μH电感的电抗值相等。
第3章 高频谐振功率放大器
⑵滤波性要好,抑制工作频率范围以外的不需要频率。 ⑶要保证放大器传输到负载的功率最大,即要求网络的传 输效率 尽可能接近1。 ⑷结构要求尽可能的简单。 类型:有L型, 型,T型,双回路和多级耦合网络等。 回路基础:串、并联回路的互换。 一、倒L型网络 ㈠电路原理图 按照电感和电容接在串臂或并臂的不同分为高通型和低 通型两种。当电感L接在并臂上,是高通型;电容C接在并 臂上是低通型。 ㈡计算 已知rA,Re和w,分别求串联电路和并联电路的L、C。
第3章 高频谐振功率放大器
一、串联馈电 书第95页图2-3-1a,图中的高频扼流圈Lc和高频短路电 容Cc的作用在于阻止高次谐波流过直流电源并为其提供短 路通道, 以免高次谐波影响直流电源的稳压性能。 1.满足构成法则 对IC0m,回路上只经过VCC;对IC1m,回路上LC谐振,无 电阻;对Icn,回路上LC处于失谐状态。
第3章 高频谐振功率放大器
3.5 谐振功率放大器电路
谐振功率放大器电路包括集电极馈电电路、基极馈 电电路和匹配网络等,下面分别加以叙述 3.5.1 各极馈电电路的构成法则——满足条件
一、集电极电路
iC IC 0m IC1m cost [ IC 2m cos2t ... ICnm cosnt ...]
前言: 对于晶体管,Cb’c在f<0.5f 时,可以忽略其对电 路的影响。 高频中:f<0.5f 我们叫其为低频区,这是一个相 对的称呼。 按功放工作频率相对于fT划分区域可分为: f<0.5f 低频区,忽略所有电抗的影响 0.5f <f<0.2fT 中频区,只考虑容抗 0.2fT <f 高频区,考虑全部电抗的影响 下面定性分析频率对晶体管功放的影响
Po1 1( ) 2 Po3 3( ) 1 Pon n( ) 1 ...... Po1 1( ) 3 Po1 1( ) n
4l Le 0.1971 2.3Lg 0.75) 109 ( d Vb ' e Vb ieLe
Le
相当于射极引入一个反馈,使Vb’e下降,从而使Po下 降,即功放管增益下降。为了减小引线电感,除了改进 晶体管结构外,在电路安装时应尽量缩短管外引线,尤 其时公共端对地的引线,以免使功放管增益下降,或产 生不需要的反馈和使工作不稳定。
为了尽可能的将直流能量转换成高频能量,馈电线 路应满足: 1.管外电路尽可能无电阻,即IC0m流过直流源VCC,电源 给出能量。
第3章 高频谐振功率放大器
2.IC1m通道:管外电路除谐振回路外无电阻,IC1m流过 回路,得到高频能量。 3.Icnm通道:管外电路短路无电阻, Icnm流过回路不产 生压降,不产生高频输出。 二、基极电路 1.VBB加在B、E极之间,通路中无损耗。 2.Vb(t)加在B、E极之间,通路中无损耗。 3.5.2 集电极馈电电路 馈电电路分串馈和并馈两种。 串馈是指直流电源,晶体管和负载三部分在电路形式上串联。 并馈是指直流电源,晶体管和负载三部分在电路形式上并联。 但无论哪种电路形式, 直流偏压与交流电压总是串联迭加 的。
第3章 高频谐振功率放大器
例:1.T用NPN管 2.集电极串联馈电 3.采用基极自给偏置电路 4.基极采用并联馈电电路
5.电源电压VCC为24V。
第3章 高频谐振功率放大器
3.5.4 匹配网络 引言 为了使谐振功放的输入端能够从信号源或前级功放 得到有效的功率, 输出端能够向负载输出不失真的最大 功率或满足后级功放的要求,在谐振功放的输入和输出 端必须加上匹配网络。 匹配网络的作用是在所要求的信号频带内进行有效 的阻抗变换(根据实际需要使功放工作在临界点、 过压 区或欠压区), 并充分滤除无用的杂散信号。 匹配网络是介于末级放大器于实际负载之间的耦合 回路,一般要达到如下要求: ⑴将外接负载RL变换为放大管所要求的负载Re,以保证 放大器高效率的输出所需的功率。
低通型:低 Qe(n 2 1)
小结: 1.rA,Re确定后,Qe值不可调。 2.滤波度和效率之间存在矛盾。所以Qe值一般取5~10。 二、 型网络 ㈠电路原理图 按照电感和电容接在串臂或并臂的不同可有四种类型。 ㈡计算 已知rA,Re和w,以a图为例,分别求出L、C1和C2。 方法:把 型网络分解成两个倒L型网络。先求第一级, 再求第二级。
显然,工作频率越高,渡越角越大
第3章 高频谐振功率放大器
2.低频时: ie,ib和ic三者变化是一致的。
第3章 高频谐振功率放大器
3.高频时:
射极电流会产生一个负的拖尾(反向脉冲),相 应集电极电流滞后,通角变大,导致效率降低。
。降 率功入输致导,大增m1b使,加增度幅冲脉向正bi 下 I 。降 率功出输致导,小减m1cI ,低降度幅冲脉ci 下 使
1 1 2.容抗 Re,很小,可近似为短路。 Cc 50 感抗 Lc 10 Re ,很大,可近似为开路。
3.优点:LC与CC处于高频地电位,它们的分布电容不影 响回路的谐振频率。 缺点:LC回路处于直流高电位,不能接地,安装调整 不方便。
第3章 高频谐振功率放大器
二、并联馈电 图见书95页图2-3-1(b) 图中Lc为高频扼流圈,Cc1为隔直流电容,Cc1为电 源滤波电容。 1.满足构成法则 2.容抗 1 1 Re,很小,可近似为短路。 Cc 50 感抗 Lc 10 Re ,很大,可近似为开路。 3.优点:回路处于直流地电位, L、C元件可接地, 故安装 调整方便。 缺点:Lc和Cc1不处于高频地电位,并接在回路上,承 受较高的交流电压,所以 它们对地的分布电容 直接影响回路的谐振频率。 注:以上两种电路均满足 VCE VCC VCm cos t
第3章 高频谐振功率放大器
第3章 高频谐振功率放大器
3.1 3.2 3.3 3.4 3.5 3.6 3.7

引言 丙类谐振功率放大器的基本原理 丙类功放的性能分析 晶体管功放的高频特性 谐振功率放大器电路 倍频器 功率合成技术来自第3章 高频谐振功率放大器
3.4 晶体管功放的高频特性
㈣滤波度(越大越好) 量的蓓数。
定义:负载支路中的谐波电流含量小于集电极内谐波含
ICnm n IC 1 m
IAnm : 负载支路谐电流幅值 IAm : 负载支路基电流幅值
IAnm IAm
ICnm : 集电极谐电流幅值 IC1m : 集电极基电流幅值
第3章 高频谐振功率放大器
对于(a)(b)两种电路: 1 所以低通型优越高通型。 高通型:高 Qe(1 n 2 )
第3章 高频谐振功率放大器
㈢倒L网络的效率
在L、C均为理想时, 100 %,但要考虑 、C的损耗电阻。 L 假设损耗电阻为 ,与rA串联 r 1 2 1 I r I 2 rA Pr PA 2 2 PA r r k 1 1 Pout r rA rA L L Qe Q0 ,Qe , k 1 r rA Q0 Pout
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3.5.3 基极馈电电路 1.馈电电路也分为串馈和并馈两种。 2.在集电极馈电电路上,是用VCC这个电源供电,但在基极 上一般采用自给式偏置和分压式偏置。 ⑴分压式偏置电路,书第96页图2-3-2(a) ⑵自给式偏置:VBB由自偏提供,而不用直流电源。 书第96页图2-3-2(b)与(c),有基极自给偏置, 射极自给偏置,组合偏置和零偏置四种形式。 自给偏置效应:偏置电压随输入信号电压振幅而变化的效 应。 在无输入信号时, 自给偏压电路的偏置为零。 随着输 入信号的逐渐增大, 加在晶体管be结之间的偏置电压向负 值方向增大。
第3章 高频谐振功率放大器
一、基区内非平衡少子的影响
1.平均渡越时间 在基区内,非平衡少子自发射集到集电极所需要的时间叫 渡越时间。 0
1 2fT
平均渡越角:
例: 0 1 ,如果fT 159.23MHz,可求得: 2fT
1 0 0.001S 2fT 1 当f工作 1MHz时,T 1S 1000 0, 2f 0 0.36o f 1 而当f工作 100MHz时,T 10 0, 2f 0 36o f
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