23霍耳效应
霍尔效应原理范德堡法原理说明
一、霍尔效应简介置于磁场中的载流体，如果电流方向与磁场垂直，则在垂直于电流和磁场的方向会产生一附加的横向电场，这个现象是霍普斯金大学研究生霍尔于1879年发现的，后被称为霍尔效应。
随着半导体物理学的迅速发展，霍尔系数和电导率的测量已成为研究半导体材料的主要方法之一。
通过实验测量半导体材料的霍尔系数和电导率可以判断材料的导电类型、载流子浓度、载流子迁移率等主要参数。
如今，霍尔效应不但是测定半导体材料电学参数的主要手段，而且随着电子技术的发展，利用该效应制成的霍尔器件，由于结构简单、频率响应宽（高达10GHz）、寿命长、可靠性高等优点，已广泛用于非电量测量、自动控制和信息处理等方面。
在工业生产要求自动检测和控制的今天，作为敏感元件之一的霍尔器件，将有更广阔的应用前景。
二、霍尔效应测试原理1. 范德堡方法范德堡方法可以用来测量任意形状的厚度均匀的薄膜样品。
在样品侧边制作四个对称的电极，如图1所示。
图1 范德堡方法测量示意图测量电阻率时，依次在一对相邻的电极通电流，另一对电极之间测电位差，得到电阻R，代入公式得到电阻率ρ。
其中d 为样品厚度，f 为范德堡因子，是比值R AB,CD /R BC,AD 的函数。
以上便是范德堡方法侧量薄膜材料电阻率的方法，这种方法对于样品形状没有特殊的要求，但是要求薄膜样品的厚度均匀，电阻率均匀，表面是单连通的，即没有孔洞。
此外，A,B,C,D 四个接触点要尽可能小（远远小于样品尺寸），并且这四个接触点必须位于薄膜的边缘。
不过在实际测量中，为了简化测量和计算，常常要求待测薄膜为正方形，这是由于正方形具有很高的对称性，正方形材料的四个顶点从几何上是完全等效，因而可推知电阻值R AB,CD 和R BC,AD 在理论上也应该是相等。
查表可知当R AB,CD /R BC,AD =1时，f=1。
因此，最终电阻率的公式即可简化为：2ln ,CD AB dR πρ=（1） 2 霍尔效应基本原理霍尔效应从本质上讲是运动的带电粒子在磁场中受洛仑兹力作用而引起的偏转。
霍尔效应知识点总结
霍尔效应知识点总结霍尔效应的产生原理是由洛伦兹力和电子在导体中的漂移速度共同作用所致。
当导体中有电流流过时，电子会受到磁场的洛伦兹力的作用，从而受到一个横向的力，在导体的横向两侧就会产生电场，导致电子在这个电场中受到一个侧向的压力，从而在横向产生电压差。
霍尔效应广泛应用于磁场测量、传感器、电流测量等领域，具有重要的实际意义。
以下是我们对霍尔效应的知识点进行总结：1. 霍尔效应的基本原理1.1 洛伦兹力1.2 电子在导体中的漂移速度1.3 产生横向电场1.4 侧向的压力1.5 横向电压差2. 霍尔元件的结构和工作原理2.1 P型霍尔元件和N型霍尔元件的结构2.2 霍尔元件的工作原理3. 霍尔效应的应用3.1 传感器3.2 电流测量仪3.3 磁场测量仪3.4 医疗设备4. 霍尔效应在传感器中的应用4.1 霍尔开关4.2 霍尔角度传感器4.3 霍尔速度传感器4.4 霍尔电流传感器4.5 霍尔磁场传感器5. 霍尔效应的实验观测5.1 实验装置5.2 实验过程5.3 实验结果6. 霍尔效应与其他效应的比较6.1 霍尔效应和热电效应6.2 霍尔效应和伏安效应7. 霍尔效应的研究现状7.1 霍尔效应的数值模拟研究7.2 霍尔效应的材料研究7.3 霍尔效应的应用研究7.4 霍尔效应的理论分析8. 霍尔效应的发展前景8.1 传感器技术的发展8.2 电子材料的发展8.3 磁场测量技术的发展8.4 医疗设备的发展以上就是对霍尔效应知识点的总结，希望对大家能有所帮助。
霍尔效应作为一种重要的物理现象，不仅在理论研究方面具有重要意义，而且在实际应用中也有着广泛的用途和发展前景。
相信随着科学技术的不断进步，对霍尔效应的研究和应用也会更加深入和广泛。
霍尔效应的讲解
例如，在测量磁场强度时需要使用霍尔传感器；在 设备时需要使用霍尔开关；在电力系统中需要使用 互感器；在通信系统中需要使用霍尔效应放大器等
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研究价值
研究价值
01
霍尔效应的研究价值在于它为人们 提供了一种测量磁场和电流强度的 新方法，同时也有助于人们深入理
解电子在固体材料中的行为
03
这种现象就是霍尔效应
1
原理
原理
1
霍尔效应的原理可以用以下 公式表示：V=IRB，其中V是 电势差，I是电流强度，R是
霍尔常数，B是磁场强度
2
公式表明，当电流通过一个置 于磁场中的导体时，由于洛伦 兹力的作用，电子会向一侧偏 移，导致在该侧形成电势差
2
实验装置
实验装置
实验装置包括电源、磁 铁、导线、开关和电压 表等
磁场对电子运动的影响
因此，研究霍尔效应具有重要的意 义和价值
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霍尔效应的应用
霍尔效应的应用
霍尔效应的应用 非常广泛，以下 是一些主要的应
用领域
1. 霍尔传感器
霍尔传感器是一种利 用霍尔效应的磁敏元 件，可以测量磁场强 度和方向。在工业自 动化、航空航天、交 通运输等领域，霍尔 传感器被广泛应用于 测量和控制系统
感谢同事以及舍友的帮助 感谢评审！
将导线放置在磁铁的两 极之间，接通电源后， 电流会通过导线并受到 磁场的作用，从而产生 霍尔效应
通过测量电势差和电流 强度，可以计算出霍尔 常数和磁场强度
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现象描述
现象描述
在霍尔效应中，当电 流通过置于磁场中的 导体时，电子会向一 侧偏移，导致在该侧
形成电势差
01
这个电势差被称为 霍尔电压，其大小 与电流强度和磁场
高三霍尔效应相关知识点
高三霍尔效应相关知识点霍尔效应（Hall Effect）是指当电流通过金属或半导体导体时，垂直于电流方向施加一个横向磁场，会在导体两侧产生一种垂直于电流和磁场方向的电压差。
这一现象是由美国物理学家愛德溫·赫爾（Edwin Hall）于1879年发现并命名的，由此得名。
霍尔效应是电磁学中的重要现象，深入了解和掌握霍尔效应对于理解和应用许多电子器件至关重要。
在高三物理学习中，涉及到的一些相关知识点如下：1. 霍尔效应的基本原理霍尔效应的基本原理是基于洛伦兹力和电荷守恒定律。
当电流通过金属或半导体导体时，载流子受到磁场力的作用，从而在导体的一侧产生电荷的堆积，进而形成电压差。
该电压差即为霍尔电压。
2. 霍尔效应的数学表达式霍尔效应的数学表达式是霍尔电压与电流、磁场强度以及导体的几何尺寸相关的方程。
一般而言，霍尔电压与电流成正比，与磁场强度和导体宽度成正比，与导体长度成反比。
3. 霍尔系数的定义和意义霍尔系数是衡量材料对霍尔效应响应程度的物理量。
它表示单位面积的导体在单位磁感应强度和单位电流下所产生的霍尔电压。
不同材料的霍尔系数不同，可以通过霍尔效应实验测量得到。
4. 霍尔效应在传感器中的应用霍尔效应广泛应用于各种传感器中，如磁场传感器、电流传感器等。
由于霍尔效应对磁场和电流的响应非常敏感，因此可以利用霍尔传感器来测量磁场强度或电流大小。
霍尔传感器具有结构简单、体积小、响应速度快等特点。
5. 霍尔效应在半导体中的应用霍尔效应在半导体材料中也有重要应用，如霍尔元件、霍尔开关等。
霍尔元件可以用来检测磁场的强度和方向，进而实现磁测控制。
霍尔开关则可以实现非接触式的电流控制和传输。
6. 霍尔效应对材料性质的研究通过对材料中的霍尔效应进行研究，可以了解材料的导电性质、载流子类型、电荷密度等。
因此，霍尔效应也被用来进行材料性质的分析和表征。
7. 霍尔效应的发展和应用前景随着科技的进步和电子器件的发展，对霍尔效应的研究不断深入，应用领域也不断扩大。
霍尔效应实验总结及结论
霍尔效应实验总结及结论霍尔效应是指在导体中，当有电流通过时，垂直于电流方向的磁场会产生电势差，这一现象被称为霍尔效应。
在实际应用中，霍尔效应广泛用于传感器、测量仪器等领域。
为了更深入地了解霍尔效应，我们进行了一系列的实验，并总结了以下内容。
首先，我们搭建了一个简单的霍尔效应实验装置。
通过将导体板置于磁场中，我们可以观察到在电流通过时，导体板上会出现一定的电势差。
我们调整了电流的大小和方向，以及磁场的强度和方向，观察了不同条件下的霍尔效应现象。
实验结果表明，霍尔效应的电势差与电流的大小和方向、磁场的强度和方向均有关。
当电流方向与磁场方向垂直时，电势差最大；当它们平行时，电势差最小。
此外，电势差还与导体材料的特性有关，不同材料的导体板在相同条件下会产生不同大小的电势差。
在实验过程中，我们还发现了一些影响霍尔效应的因素。
例如，导体板的厚度、形状，以及磁场的均匀性等都会对霍尔效应产生影响。
为了更准确地测量霍尔效应的电势差，我们需要对这些因素进行综合考虑，并进行适当的校准和修正。
基于以上实验结果，我们得出了以下结论，霍尔效应是一种重要的电磁现象，它可以用于测量电流、磁场以及导体材料的特性。
在实际应用中，我们可以利用霍尔效应传感器来测量电流、磁场强度，甚至是导体材料的特性。
但在使用霍尔效应传感器时，我们需要注意各种因素对测量结果的影响，并进行相应的修正和校准，以确保测量结果的准确性和可靠性。
总之，通过这次实验，我们对霍尔效应有了更深入的了解，同时也对其在实际应用中的一些注意事项有了更清晰的认识。
我们相信，在今后的学习和工作中，这些知识和经验都会对我们有所帮助。
霍尔效应实验原理
霍尔效应实验原理霍尔效应（Hall effect）是指在导体中通过电流时，垂直于电流方向和磁场方向之间会产生一种称为霍尔电压的现象。
霍尔效应实验用来研究电流在磁场中运动时的特性，它在现代电子技术以及材料研究等领域有广泛的应用。
本文将介绍霍尔效应实验的原理、实验装置以及实验步骤。
实验原理：霍尔效应的产生与洛伦兹力有关，当电流通过导体时，在磁场的作用下电子将受到垂直于电流方向和磁场方向的力。
这个垂直力会导致电子在导体中堆积，进而形成电荷分布差异。
这种电荷分布差异在导体两侧就产生了不同的电位，从而形成了霍尔电压。
实验装置：进行霍尔效应实验需要以下实验装置：1. 霍尔片：霍尔片是实验的核心部分，通常为矩形的硅片或镓砷化物片，其边上有两个电极引出。
2. 磁场源：实验需要一个恒定的磁场，可以使用永磁体或者电磁体产生。
3. 电源：提供电流源。
4. 电压测量仪器：用于测量霍尔电压。
5. 多用电表：用于测量电流和电压等基本参数。
实验步骤：1. 将霍尔片固定在实验台上，并连接到电路系统中。
2. 连接电源和电压测量仪器，保证电路的闭合。
3. 调整磁场源的位置和强度，使其垂直于霍尔片。
4. 打开电源，通过调节电流大小控制电流通过霍尔片。
5. 使用多用电表分别测量电流和霍尔电压，并记录数据。
6. 改变磁场强度或者电流大小，重复步骤5，并记录相应的数据。
7. 根据测量数据绘制电流与霍尔电压之间的关系曲线。
实验结果分析：根据实验数据的分析，我们可以得出以下结论：1. 当电流方向与磁场方向垂直时，霍尔电压达到最大值。
2. 霍尔电压与电流大小成正比，与磁场强度成正比。
3. 当电流方向与磁场方向平行时，霍尔电压为零。
在实际应用中，霍尔效应可以用于测量磁场的强度、方向以及电荷载流子的类型和浓度。
它被广泛应用于传感器、变压器、磁测量仪器等领域。
总结：霍尔效应实验是研究电流在磁场中的运动特性的重要实验之一。
通过实验我们能够深入了解霍尔效应的原理以及其在实际应用中的意义。
霍尔效应实验
霍尔效应实验实验目的1． 了解霍尔效应的产生原理及其副效应的产生原理和消除方法 2． 掌握霍尔系数和电导率的测量方法。
实验原理1．霍耳效应霍耳最初的实验是这样的：在一块长方形的薄金属板两边的对称点1和2之间接上一个灵敏电流计(如图)。
为方便，取如图所示的直角坐标系。
沿x 轴正向通以电流I 。
若不加磁场，则电流计不显示任何偏转，这说明1和2两点电位相等。
若在z 轴方向加上磁场B ，则电流计立即显示倔转。
这说明1和2两点之间存在电位差。
霍耳发现这个电位差与电流I 及磁感应强度B 均成正比，与板的厚度d 成反比。
即H HIBU R d=H K IB =（1） 这叫霍耳公式。
通常称U H 为霍耳电压，R H 为霍耳系数，K H 为霍耳片的灵敏度，且K H＝R H ／d 。
在当时，(1)式纯粹是一个经验公式，只有在洛仑兹的电子论提出来以后才能从理论上加以证明。
将电子论应用在霍耳元件上，可推出在弱磁场中有如下公式：H IB U ned =（2）与（1）比较，有1H R ne=（3） 式中n 为载流子浓度，e 为电子电荷，其值为e ＝1.6022×10-19C 。
式(2)和(3)对大多数金属是成立的，但对霍耳系数比金属高得多的半导体材料来说，是不准确的。
如果考虑载流子速度的统计分布规律，并考虑到非低温条件下品格振动对散射起主要作用的特点，则有318H R neπ=（4） 用实验测出霍耳系数R H 后，载流子浓度n 就可出(4)式计算出来。
若霍耳电压U H 用V 为单位，片的厚度d 用m 为单位，电流I 用A 为单位，磁感应强度B 用T 为单位，则由(1)式求得的霍耳系数的单位是m 3／C 。
我们在推导上列公式时是从简化的理想情况出发的，但实际情况要复杂得多。
除霍耳效应外，还有其它一些副效应与霍耳效应混在一起，使霍耳电压的测量产生误差，因此必须尽量消除之。
2．电导率在研究半导体的各种特性中，除了要测量雷耳系数R H 外，还要测量半导体的电导率σ。
霍尔效应和霍尔电压
霍尔效应和霍尔电压
霍尔效应是指当电流通过导体时，在垂直于电流方向的磁场中，会在导体两侧产生一种电压差，这种现象被称为霍尔电压。
霍尔效应的发现者是美国物理学家霍尔（Hall），他在1879年首次观察到了这一现象。
霍尔效应的原理可以用以下方式来描述：当电流通过一个导体时，导体中的电子受到磁场的作用而受力，这个受力会使得电子在导体内部聚集在一侧。
由于电子的聚集，导体两侧会形成一个电势差，这个电势差就是霍尔电压。
霍尔效应在实际应用中有着广泛的用途。
一种常见的应用是用霍尔效应传感器来测量磁场的强度。
这种传感器可以通过测量霍尔电压的大小来判断磁场的强弱，从而实现对磁场的检测和测量。
另外，霍尔效应还可以应用在电流传感器中，通过测量电流产生的霍尔电压来实现电流的测量。
除了在传感器和电流测量中的应用外，霍尔效应还可以用来实现磁场的控制。
例如，在磁悬浮列车中，通过在轨道上安装霍尔效应传感器，可以实时检测轨道上的磁场变化，并通过控制电磁铁的工作状态，来实现对列车悬浮高度的调节。
总的来说，霍尔效应是一种重要的物理现象，在许多领域都有着广泛的应用。
它的发现和应用不仅推动了物理学的发展，也为各个行
业带来了许多便利和创新。
通过深入研究和理解霍尔效应，我们可以更好地利用它的特性和优势，为人类的生活和科学研究带来更多的进步和发展。
700223霍尔效应法测螺线管磁场（实验23）
700223霍尔效应法测螺线管磁场（实验23）霍⽿效应法测螺线管磁场实验报告【⼀】实验⽬的及实验仪器实验⽬的1.了解和熟悉霍尔效应的重要物理规律2.熟悉集成霍尔传感器的特性和应⽤，掌握测试霍尔效应器件的⼯作特性3.学习⽤霍尔效应测量磁场的原理和⽅法4.学习⽤霍尔器件测绘长直螺线管的轴向磁场分布实验仪器FD-ICH-II 新型螺线管磁场测定仪【⼆】实验原理及过程简述霍尔元件如图4-23-1所⽰。
若电流I流过厚度为d的半导体薄⽚，且磁场B垂直于该半导体，于是电⼦流⽅向由洛伦磁⼒作⽤⽽发⽣改变，在薄⽚两个横向⾯a，b之间应产⽣电势差，这种现象称为霍尔效应。
在与电流I、磁场B垂直⽅向上产⽣的电势差称为霍尔电势差，通常⽤UH 表⽰。
霍尔效应的数学表达式为：随着科技的发展，新的集成元件不断被研制成功。
本实验采⽤的SS95A型集成霍尔传感器，是⼀种⾼灵敏度集成化传感器，它由霍尔元件放⼤器和薄膜电阻剩余电压补偿组成，测量时输出信号⼤，并且剩余电压的影响已被消除。
SS95A型集成霍尔传感器，他的⼯作电流已设定被称为标准，⼯作电流使⽤传感器时，必须使⼯作电流处在该标准状态，在实验室只要在磁感应强度为零条件下调节v＋v-所接的电源电压是输出电压为2.500伏，则传感器就可处在标准⼯作状态之下。
当螺线管内有磁场且集成霍尔传感器的标准⼯作电流时螺线管是由绕在圆柱⾯上的导线构成的，对于密绕的螺线管可以看成是⼀列有共同轴线的圆形线圈的并列组合，因此⼀个载流长直螺线管轴线上某点的磁感应强度，可以从对各圆电流在轴线上该点所产⽣的磁感应强度进⾏积分求和得到，对于⼀限长的螺线管，在距离两端等远的中⼼点磁感应强度为最⼤，且等于过程简述1.装置接线2.断开开关K2，调节使集成霍尔传感器达到标准化⼯作状态。
3.测量霍尔传感器的灵敏度4.测量通电螺线管中的磁场分布【三】实验数据处理及误差计算：5让风吹1.根据实验所测，描绘螺线管中间位置霍尔电势差与螺线管通电电流的关系；2.求出K/ 和r以及K；∴K’=0.4169V/Ar=13.计算通电螺线管内各处的磁感应强度（见数据记录纸）；4.描绘通电螺线管内磁感应强度B-x分布图；5.⽐较实验值与书上提供的技术指标，计算误差；【四】实验结果表达：对测量及计算的最终结果做出定量（定性）的总结，并回答书中对应思考题的问题。
霍尔效应
霍尔效应霍尔效应是一种磁电效应，是德国物理学家霍尔1879年研究载流导体在磁场中受力的性质时发现的。
根据霍尔效应，人们用半导体材料制成霍尔元件，它具有对磁场敏感、结构简单、体积小、频率响应宽、输出电压变化大和使用寿命长等优点，因此，在测量、自动化、计算机和信息技术等领域得到广泛的应用。
通过该实验可以了解霍尔效应的物理原理以及把物理原理应用到测量技术中的基本过程。
当电流垂直于外磁场方向通过导体时，在垂直于磁场和电流方向的导体的两个端面之间出现电势差的现象称为霍尔效应，该电势差称为霍尔电势差（霍尔电压）。
－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－－【详细】所谓霍尔效应，是指磁场作用于载流金属导体、半导体中的载流子时，产生横向电位差的物理现象。
金属的霍尔效应是1879年被美国物理学家霍尔发现的。
当电流通过金属箔片时，若在垂直于电流的方向施加磁场，则金属箔片两侧面会出现横向电位差。
半导体中的霍尔效应比金属箔片中更为明显，而铁磁金属在居里温度以下将呈现极强的霍尔效应。
利用霍尔效应可以设计制成多种传感器。
霍尔电位差UH的基本关系为UH=RHIB/d （18）RH=1/nq（金属）（19）式中RH——霍尔系数：n——载流子浓度或自由电子浓度；q——电子电量；I——通过的电流；B——垂直于I的磁感应强度；d——导体的厚度。
对于半导体和铁磁金属，霍尔系数表达式与式（19）不同，此处从略。
由于通电导线周围存在磁场，其大小与导线中的电流成正比，故可以利用霍尔元件测量出磁场，就可确定导线电流的大小。
利用这一原理可以设计制成霍尔电流传感器。
其优点是不与被测电路发生电接触，不影响被测电路，不消耗被测电源的功率，特别适合于大电流传感。
若把霍尔元件置于电场强度为E、磁场强度为H的电磁场中，则在该元件中将产生电流I，元件上同时产生的霍尔电位差与电场强度E成正比，如果再测出该电磁场的磁场强度，则电磁场的功率密度瞬时值P可由P=EH确定。
霍尔效应实验原理
霍尔效应实验原理霍尔效应是指当垂直通过导体的电流时，该导体的侧边会产生电场，从而产生电势差，这就是所谓的霍尔电势差。
这种现象被称为霍尔效应，通过实验可以验证霍尔效应的存在，从而研究和理解导体材料的性质以及电子行为。
本文将详细介绍霍尔效应的实验原理和实验步骤。
实验器材：1. 霍尔效应实验装置2. 直流电源3. 电流表4. 磁铁实验步骤：1. 连接实验装置：将直流电源与实验装置的正负极连接，确保正确稳定的电流输出。
2. 将实验装置放置在平整的水平台上，并固定好。
3. 将磁铁靠近实验装置的导线上，通过调节距离和位置，使磁场均匀地作用于实验装置。
4. 打开直流电源，调节电流大小，并通过电流表监测电流值。
5. 通过实验装置上的示数器或示波器，测量出霍尔电势差的数值。
实验原理：霍尔效应实验原理基于洛伦兹力的作用。
当有电流流经导体时，导体中的自由电子将受到洛伦兹力的作用。
在磁场的作用下，洛伦兹力使电子受到一个向侧边偏转的力，从而导致电子在侧边堆积，并形成了电势差。
这个电势差称为霍尔电势差，常用符号为VH。
霍尔电势差的大小与导体材料的特性、电流的大小和磁场的强弱有关。
利用实验装置中的霍尔元件，可以测量出霍尔电势差，并通过该数值计算出导体材料的霍尔系数和载流子浓度。
霍尔系数RH定义为单位磁场下单位电流通过时，霍尔电势差的产生的比例关系。
载流子浓度n则表示单位体积内载流子的数量。
通过霍尔效应的实验研究，可以深入了解导体材料的电子行为和性质。
霍尔效应广泛应用于材料科学、电子工程、磁学等领域的研究中。
实验结果可以为材料的设计和制造提供重要的依据，也用于推动电子器件的发展与创新。
总结：霍尔效应实验原理基于洛伦兹力的作用，电流通过导体时，导体的侧边会产生霍尔电势差。
通过测量霍尔电势差，可以研究导体材料的性质和电子行为。
霍尔效应实验可以帮助我们深入了解材料的特性，并为电子器件的研发提供重要的数据。
通过掌握霍尔效应实验原理和实验步骤，我们可以更加准确地解读和使用霍尔效应这一重要的物理现象。
实验二十二霍尔效应测量磁场
实验二十二霍尔效应测量磁场
霍尔效应是指当导体（通常是金属或半导体）中有电流流过时，如果将一个垂直于电流方向的外加磁场加入，则在导体两侧会产生一定的电势差（称为霍尔电势），这种现象就是霍尔效应。
利用霍尔效应可以测量磁场强度。
下面是关于霍尔效应测量磁场实验的分析与总结：
实验原理：
当一块导体（霍尔元件）被垂直于磁场放置时，磁场会对电子的运动轨迹产生影响，导致电子在导体中积累，并产生电势差。
这个电势差称为霍尔电势（VH），霍尔电势与磁场强度（B）、电流强度（I）、导体材料和几何尺寸有关。
霍尔电势的大小可以通过测量导体两端的电压差来确定。
实验步骤：
1.将霍尔元件放置在磁场中心。
2.将电流通过霍尔元件。
3.测量霍尔电势，可以通过连接外部电压表来测量电势差。
4.改变磁场强度或电流强度并重新测量霍尔电势。
5.记录数据并进行数据处理。
实验总结：
1.霍尔效应可以用来测量磁场强度，它是一种简便、快速、精度高的磁场测量方法。
2.实验中需要注意的是，霍尔元件必须垂直于磁场，否则测量
结果会产生误差。
3.实验中需要选择合适的电流强度和测量范围，以保证测量结果的准确性和稳定性。
4.实验过程中需要进行数据处理和分析，以获得更加准确的测量结果。
5.霍尔效应不仅可以用于磁场测量，还可以用于其他领域的研究，如半导体物理、热电测量等。
霍尔效应的实验研究与解释
霍尔效应的实验研究与解释霍尔效应（Hall Effect）是指当一块导电材料处于垂直于外磁场方向的电流流动时，在材料的宽度方向会产生与电流方向垂直的电场。
这个现象最早由美国物理学家霍尔（Hall）于1879年发现并解释。
霍尔效应不仅在科学研究中有重要的应用，而且在电子器件的设计中也有着广泛的应用。
为了研究霍尔效应，我们可以进行一项简单的实验。
实验所需材料包括一块导电板、一台电源、一块磁铁和一台电压表。
首先，将导电板固定在一块平整的支架上，然后将电源的正极连接到导电板的一侧，负极连接到另一侧，使电流在导电板上产生一定的流动。
接下来，将磁铁放置在导电板下方并靠近导电板。
最后，用电压表测量导电板两侧产生的电势差。
实验结果显示，在材料的宽度方向，电流通过后会产生一个与电流方向垂直的电场。
这样的话，电子在导电板上运动时会受到这个电场的作用，导致电子的运动受到偏折。
由于磁场的存在使电子发生在垂直于磁场方向上的偏折, 偏转直至两个力平衡。
能达到平衡的电子数量受到偏折作用的强度和电子在材料中的浓度的影响。
实验解释霍尔效应的机理。
根据洛伦兹力的原理，电子在磁场作用下会受到一个由以下公式给出的力的作用：F = q * (v x B)其中，F为力，q为电子的电荷，v为电子的速度矢量，B为磁场的磁感应强度矢量。
可以看出，力的方向与速度和磁场的方向垂直。
当电子在导电板上运动时，电场引起的力将与洛伦兹力相抵消，形成一个平衡。
根据霍尔效应的定义，我们可以得到霍尔电压（VH）与电流（I）、磁感应强度（B）和导电板材料特性（例如载流子浓度）之间的关系。
具体来说，霍尔电压由以下公式给出：VH = R * IH * B / d其中，R为导电板的霍尔系数，IH为电流强度，B为磁感应强度，d为导电板的宽度。
从这个公式可以看出，霍尔电压与电流和磁场的乘积成正比，与导电板的宽度成反比。
因此，通过对实验数据的分析，我们可以确定导电板材料的特性。
大学物理实验霍尔效应
霍尔效应（Hall Effect）霍尔效应是1879年由年仅24岁，尚在读研究生的霍尔在研究载流导体在磁场中的受力性质时发现的，它被广泛应用于科学和工程技术研究中对磁场、功率以及位移等参数的测量。
由于半导体中的霍尔效应比金属导体要强的多，随着半导体工业的发展，霍尔效应被越来越多地用来确定半导体材料的导电类型、载流子浓度以及禁带宽度等参数。
近年来，霍尔效应又得到了重大发展，冯·克利青在极强磁场和极低温度下发现了量子霍尔效应，它的应用大大提高了有关基本常数的准确性，冯也因此获得了诺贝尔物理学奖。
一、实验原理在一块长方形金属薄片或半导体薄片的某一方向上通电流，在其垂直方向加磁场B，则在垂直于电流和磁场的方向上将产生电位差，这就是霍尔效应，称为霍尔电压。
霍尔效应可用洛伦磁力来解释，如图1所示的半导体薄片（霍尔片）位于磁场B中，电流沿X 轴正方向通过半导体薄片，设薄片中的载流子（自由电子）以平均速度沿X轴负方向运动，则电子受洛伦磁力为，自由电子受力发生偏转，在面Ⅰ上积聚，同时在面Ⅱ上积聚同样数量的正电荷，这样沿Y方向形成一电场，电场形成的电场力将阻碍电荷的继续积聚，设电场强度为E，则，当电场力和洛伦磁力相等时达到稳定状态，即：，有。
根据电流强度的定义有，代入上式有：,这就是霍尔电压的计算公式。
记其中为霍尔系数，为霍尔元件灵敏度。
由此可知，霍尔电压和磁感应强度以及电流强度成正比，和元件厚度成反比,为了提高霍尔元件的灵敏度，一般霍尔元件的厚度都在0.2 左右。
二、实验仪器TH-S型螺线管磁场实验仪、测试仪三、实验内容及步骤1，正确连接线路，对电源进行调零、校准；2，确定励磁电流的大小，改变霍尔元件工作电流的大小，测绘工作电流和霍尔电压的关系曲线；3，确定工作电流大小，改变励磁电流的大小，测绘励磁电流和霍尔电压的关系曲线；4，确定工作电流和励磁电流的大小，测绘并计算螺线管轴线上磁感应强度分布曲线；5，掌握采用对称测量法（改变磁场和工作电流的方向）来消除测量中的副效应（如不等位效应、埃廷豪森效应等）的方法。
霍尔效应资料
背景介绍
量子霍尔效应
长时期以来，霍尔效应是在 室温和中等强度磁场条件下进行实验 的。1980年,德国物理学家克利青 (Klaus von Klitzing)发现在低温条 件下半导体硅的霍尔效应不是常规的 那种直线，而是随着磁场强度呈跳跃 性的变化，这种跳跃的阶梯大小由被 整数除的基本物理常数所决定。
+B,-I, 测得电压U2=-UH-UE+UN+URL-U0
-B,-I, 测得电压U3=UH+UE-UN-URL-U0
-B,+I, 测得电压U4=-UH-UE-UN-URL+U0
UH=（U1-U2+U3-U4)/4-UE
忽略UE
则UH=（|U1|+|U2|+|U3|+|U4|)/4
霍尔传感器的应 用
实验数据例——螺线管内轴线磁场分布的测定
(续表2)
X/cm 23.00 24.00 24.50 25.00 25.50 26.00 26.50 27.00 27.50 28.00 28.50 29.00 29.50 30.00
U’1/mV 109.9 109.7 109.5 109.1 108.5 107.6 106.1 103.6 99.5 93.5 83.5 69.0 52.4 36.2
1.接线 2.调标准工作状态 3.定标：固定位置、改变励磁电流 4.测量：固定励磁电流、改变位置
请按以上关键点阅读以下材料。
实验装置
FD-ICH-II型螺线管磁场测定仪
包括实验主机、集成霍耳传感器探测棒、螺线管、双刀和单刀 换向开关、三芯电源线及导线若干.
实验装置——电源组和数字电压表
实验装置——集成霍耳传感器探测棒、螺线管
霍尔效应实验原理
霍尔效应实验原理霍尔效应是指当电流通过一段导体时，垂直于电流方向施加一个磁场，就会在导体的一侧产生一种电势差。
这种现象被称为霍尔效应。
霍尔效应的实验可以通过霍尔效应测量仪器来进行。
一、实验原理霍尔效应实验原理是基于磁场对电荷运动的影响以及导体内部电压差的形成。
在垂直于电流通过的导体上施加磁场后，磁场对电子运动轨道产生了一定的作用力。
这个力会使电子偏离原本的运动轨道，从而导致电子在导体中聚集形成电势差。
这个电势差称为霍尔电压，用VH表示。
根据霍尔效应实验原理，还可以进一步推导出霍尔电压与电流、磁场强度和导体材料特性之间的关系。
根据这个关系，我们可以通过测量霍尔电压来计算磁场的强度或者导体中的电导率等物理量。
二、实验仪器进行霍尔效应实验需要使用到以下仪器和材料：1. 霍尔效应测量仪器：包括霍尔元件、磁铁、电流源、毫伏表等。
2. 导线：用于连接电流源和霍尔元件，传输电流。
3. 磁铁：产生垂直于电流方向的磁场。
三、实验步骤1. 准备实验仪器并搭建实验电路：将霍尔元件与电流源并联，通过导线传输电流。
在霍尔元件一侧放置磁铁，使其施加垂直于电流方向的磁场。
2. 调节电流强度：通过电流源调节通过霍尔元件的电流强度。
可以逐步调整电流的大小，记录不同电流下的霍尔电压值。
3. 测量霍尔电压：使用毫伏表等仪器测量不同电流下霍尔元件两侧的电势差，即霍尔电压。
4. 测量磁场强度：可以利用霍尔电压与电流及导体材料特性的关系计算出磁场的强度。
四、实验注意事项1. 选用导体材料：不同材料的导体对霍尔电压的测量结果有一定的影响。
选择合适的导体材料可以提高实验的准确性。
2. 控制温度：温度对导体的电阻和电导率有影响，也会影响测量结果。
因此，在进行实验时需要控制好温度条件。
3. 磁场的均匀性：磁场的均匀性对实验结果有一定的影响。
应尽量保证磁场在霍尔元件上均匀分布。
霍尔效应实验原理清晰地阐述了霍尔效应产生的原因以及如何利用霍尔电压来测量磁场强度等物理量。
霍尔效应(大学物理)
霍尔效应(大学物理)霍尔效应又被称作“普朗克效应”，是指由费米子爆炸解释的一种电磁效应。
20世纪末，法国科学家费米子通过实验发现，一个线圈由于经过旋转磁铁施加的外磁场而产生了受控的流电。
因此，霍尔效应也被称作磁动效应。
霍尔效应的发现有助于更好地理解电磁学，它可以用来产生持续的高频电流。
霍尔效应的基本原理是，一个线圈位于一个外界磁场中，如果磁场矩张力作用于线圈，则使线圈产生电流。
换句话说，外加磁场使旋转的线圈产生电流，就是磁动效应。
有关此效应的理论，有关它的实验以及它在工程科学中的应用等方面都有研究，但它们都有一个共同的原理，即一个线圈旋转在一个外界磁场中，就会产生电流。
霍尔效应的原理可以用磁学来解释。
根据牛顿，“当它们经过一个外加磁场,磁矩 m将在某种方向上增加,磁场能够产生电场”,因此,如果线圈被旋转,它们就会经历一个外加磁场,从而产生电流。
同样,运用电磁动量守恒定律也可以得出这一结果，即磁场作用于线圈，使线圈的动量发生变化，从而产生电流。
霍尔效应的实验是由法国物理学家费米子提出的。
他在电磁学中提出了一个基本实验，就是在一个外磁场存在的条件下，放入一个带粘贴磁铁的旋转线圈，发现电流会被激发出来。
这是由于外加磁场使线圈的磁矩发生变化，从而导致线圈产生电流。
从这个实验中，费米子发现，用以改变线圈的动量的外加电磁场必须小于线圈的本征动量才能产生有效的电流，从而提出了“霍尔效应”，也就是磁动效应。
今天，霍尔效应已经在实践中发挥着强大的作用。
它可以用来转换、控制和存储信息，甚至可以用于抑制射频干扰干扰，以及在汽车和电子设备中的驱动电机等，它的应用非常广泛。
霍尔效应已经成为现代科学技术一部分，在众多领域也已经得到了广泛的应用。
霍尔效应实验原理
霍尔效应实验原理霍尔效应是指当导体中有电流通过时，如果该导体处于一个垂直于电流方向的磁场中，就会在导体的两侧产生一定的电动势差，这种现象就称为霍尔效应。
霍尔效应广泛应用于传感器、电流测量、电机控制等领域，因此对霍尔效应的实验原理进行深入了解，对于相关领域的研究和应用具有重要意义。
首先，我们需要了解霍尔效应的基本原理。
在导体中通有电流时，电子受到洛伦兹力的作用，使得电子在导体内部偏转，导致导体的两侧产生电势差。
当导体处于磁场中时，由于洛伦兹力的作用，会使得导体两侧的电势差发生变化，这就是霍尔效应的基本原理。
通过实验可以验证霍尔效应的存在，并且可以测量出电势差与磁场强度、电流大小之间的关系。
其次，进行霍尔效应实验需要的基本设备包括导体样品、电源、磁场源、毫伏表等。
首先将导体样品连接到电源上，通上一定的电流，然后将导体样品放置在磁场中，利用毫伏表测量导体两侧的电势差。
通过改变电流大小、磁场强度等条件，可以得到一系列的实验数据。
接着，可以利用实验数据绘制出电势差与磁场强度、电流大小的关系曲线，从而得到霍尔系数等重要参数。
最后，根据实验结果可以得出一些结论。
首先，霍尔效应的存在是由洛伦兹力和电子在导体内部的偏转共同作用所导致的。
其次，通过实验可以得到霍尔系数，该参数可以用来描述导体的特性，对于传感器等设备的设计和应用具有重要意义。
最后，实验结果还可以用来验证理论模型，对于相关理论的研究提供了重要的实验依据。
综上所述，霍尔效应实验原理是通过对导体在磁场中的电势差进行测量，从而验证霍尔效应的存在，并得到相关参数的过程。
通过实验可以深入理解霍尔效应的基本原理，为相关领域的研究和应用提供重要的实验数据和依据。
因此，对于相关领域的研究人员和工程技术人员来说，深入了解霍尔效应实验原理具有重要的意义。
霍尔效应的理解和计算
霍尔效应的理解和应用湖北省恩施高中陈恩谱一、霍尔效应1、预设条件：通有电流I 的导体，处在磁场B 中。
2、霍尔效应：（1）载流子的偏转导体通有电流，实际上是导体内的自由电荷（载流子）发生了定向移动；这种定向移动的电荷，必然受到磁场对它们的洛伦兹力作用而偏转。
（2）导体垂直磁场的两侧面的电势差载流子侧向偏转的结果，是导体垂直磁场的两个侧面出现正负电荷的累积，进而在两侧面间形成垂直导体中电流方向的电场E （霍尔电场），进而在导体两侧面间形成电势差。
（3）载流子对电势高低的影响如图①所示，若载流子是负电荷，则载流子在洛伦兹力作用下会向下偏转，使得导体下表面积累负电荷，与此同时，上表面失去负电荷而带上正电，从而使得上表面电势高于下表面；反过来，如图②所示，若载流子是正电荷，则载流子在洛伦兹力作用下也会向下偏转，使得导体下表面积累正电荷，与此同时，上表面失去正电荷而带上负电，从而使得下表面电势高于上表面。
二、霍尔电压1、稳定电压的产生载流子沿着导线定向移动时，不仅受到洛伦兹力qvB 作用，还受到霍尔电场力qE 的作用，洛伦兹力促使载流子偏转，电场力阻碍载流子偏转，但只要电场力还小于洛伦兹力，载流子就会继续向导体侧面偏转；随着载流子持续偏转，导体两侧面电荷累积增多，霍尔电场增强，电场力增大，当导体两侧面累积电荷足够多、霍尔电场足够强时，电场力与洛伦兹力平衡，载流子就不再偏转，导体两侧的电荷量达到稳定，霍尔电场不再变化，则两侧面间的电势差达到稳定，这个电势差就被称之为霍尔电压，符号为U H 。
2、霍尔电压的计算设霍尔电场场强为E ，则由平衡条件，有0=-qvB qE ，导体两侧面间的电势差——即霍尔电压为Ed U H =，联立得Bdv U H =。
其中，v 是载流子在到体内沿着导线定向移动的平均速率，设导体单位体积内自由电荷数为n ，每个载流子的电荷量为q ，导体沿着磁场方向的厚度为h ，则导体垂直电流方向的横截面积为hd S =，有nqSv I =，解得nqSIv =，代入Bdv U H =，得hBInq U H ⋅=1。
霍尔效应实验原理
霍尔效应实验原理霍尔效应是指当一定电流通过穿过导体的狭缝时，垂直于电流方向的磁场会在导体内部产生一个电势差，这种现象被称为霍尔效应。
霍尔效应不仅可以用于磁场的测量，而且在电子技术中也有广泛的应用。
本文将介绍霍尔效应的实验原理以及相关的实验装置和步骤。
实验原理：根据霍尔效应原理，当穿过导体的电流和磁场垂直时，会在材料两侧产生电势差。
这个电势差被称为霍尔电压，可以用以下公式表示：VH = B × I × RH其中，VH为霍尔电压，B为磁感应强度，I为电流强度，RH为霍尔系数。
实验装置：进行霍尔效应实验需要以下实验装置：1. 磁铁：用于产生稳定的磁场。
2. 霍尔元件：用来测量霍尔电压。
3. 电源：提供恒定的电流。
4. 万用表：用于测量电压和电流值。
实验步骤：1. 准备实验装置并搭建电路。
将霍尔元件放置在实验台上，将磁铁放置在霍尔元件的两侧，以确保磁场垂直于电流方向。
连接电源和万用表，保证电路的闭合。
2. 调节电源的电流值。
根据实验的需求，调节电流值，并确保电流强度恒定。
3. 测量霍尔电压。
使用万用表测量两侧的电压差，即霍尔电压。
注意测量时的仪器误差。
4. 调节磁场强度。
通过调节磁铁的位置和方向，改变磁场的强度，并记录对应的霍尔电压值。
5. 记录实验数据。
根据测量结果，绘制电流和霍尔电压的曲线图，并计算出霍尔系数。
实验注意事项：1. 保持实验环境稳定。
避免外部因素对实验结果的影响，如温度和湿度的变化。
2. 确保电流稳定。
在实验过程中，要确保电流的恒定，以减小误差。
3. 多次实验取平均值。
由于实验中可能存在误差，多次进行实验，并取平均值，以提高实验结果的准确性。
4. 检查仪器精度。
在进行实验前，要确认所使用的仪器的精度符合实验要求。
总结：霍尔效应实验能够直观地展示电流和磁场之间的相互作用，通过测量霍尔电压可以确定磁场的强度。
在实际应用中，霍尔效应被广泛应用于磁场测量、电流传感器、磁传感器等领域。
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137
实验二十三 用霍耳效应法测量磁场
霍耳效应是霍耳于1879年发现的一种电磁效应。
利用霍耳效应可以很快地测出磁场中各点的磁感应强度。
现在广泛使用的高斯计，其探头就是利用霍耳效应制成的半导体霍耳器件。
利用霍耳效应还可以测量电流、压力、转速及半导体材料的多种参数等。
在自动控制和半导体材料的研究等方面霍耳效应都具有非常广泛的应用。
实验目的
1．了解产生霍耳效应的物理过程；
2．学会利用霍耳效应测量磁场的原理和方法； 实验原理
如图23-1所示，把一块长为a 、宽为b ，厚度为d 的半导体薄片放在磁场中，并且让薄片表面的法线与磁场方向一致。
沿片长3、4方向通以电流，则在薄片两侧面1、2间产生电位差V V V H =-12，这里的V H 称为霍耳电压。
这个半导体薄片就称为霍耳片。
霍耳电压的出现是由于当电流沿3、4方向通过半导体薄片时，薄片内定向移动的载流子（假定是空穴）要受到洛伦兹力f B 的作用而偏转。
洛伦兹力为
f B =q v B ⨯
①
式中q 、v 分别是载流子的电
量和移动速度，B 为磁感应强度。
当v 与B 垂直时，则
f q v B B = ②
载流子在f B 的作用下发生偏
转，结果使电荷在1、2两个侧面积聚而形成静电场，这个静电场又给载流子一个与f B 方向相反的电场力
f E ＝q E ③ 开始时，f f B E >，电荷可继续在侧面上积累，但随着积累的电荷不断增多，f E 也逐渐增大，直到载流子受到的电场力与洛仑兹力相等，f E ＝-f B 达到动态平衡。
此时1、2间形成稳定的霍耳电场E H ，有
+d
a
b V I 1
234H
f f v e B
B +
+
++
----图23-1 霍耳效应
138 f qE q
V b
E H H == ④
由于f f E B =，把式②、③代入，可得
V b v B H = ⑤ 若载流子的浓度（单位体积中的载流子个数）用n 表示，则电流强度I 与运动速度v 的关系为
I nbdqv = ⑥ 代入⑤式可得
V IB qnd
K IB H H == ⑦
这里K qnd
H =
1称为霍耳元件的灵敏度，其大小与材料性质（种类、载流子浓度等）
及霍耳片的尺寸（厚度）有关。
式中各个量的单位是：V H 用毫伏、I 用毫安、B 用
毫特，则K H 的单位为mV ／mA ⋅mT 。
每个霍耳片都有各自的灵敏度，一般需用实验方法测得。
本实验所用霍耳元件的K H 值可由实验室给出。
由⑦式可知，如已知霍耳元件的K H 值，用仪器分别测出工作电流I 及霍耳电压V H ，就可算出磁场B 的大小，这就是利用霍耳效应测量磁场的原理。
需要指出的是，用电位差计测量1、2两端所得的电势差V 12，并非是真正的霍耳电压V H ，而是V H 与其它副效应所引起的附加电势差之和。
这些附加电势差给V H 值的测量带来误差。
但附加电势差中的大部分随工作电流或磁场方向的换向而换向，我们可采取以下方法消除它们：首先选定一磁场方向及工作电流方向测得一电压值V H 1，然后保持磁场方向不变而使工作电流反向又测得电压值V H 2，再使磁场方向反向而工作电流不变测得电压值V H 3，最后将磁场方向与工作电流都反向测得电压值V H 4。
这样，取这四个电压值（都取绝对值）的平均值，即 V V V V V V H H H H H H ==
+++14
1234()
⑧
把平均值V H 作为霍耳电压V H ，于是就可基本上消除副效应所引起的附加电势差的影响，提高霍耳电压V H 的测量精度。
半导体材料有n 型（电子型）和p 型（空穴型）两种，n 型的载流子为电子，带负电；p 型的载流子为空穴，带正电。
设电流I 及磁场B 的方向如图1所示，若载流子为空穴（图中所画情况），则霍耳电压的极性是1高2低；若载流子为电子，则V H 的极性正好与图所画情况相反，是2高1低。
因此据此原理还可确定半导体的类型。
139
实验仪器
直流稳压电源、霍耳效应仪、直流安培表、直流毫安表、电位差计、电阻箱、滑线变阻器、开关等。
实验内容
1．按图23-2连接实验线路。
图中T 为电磁铁，H 为霍耳元件，M 为垂直移动尺，N 为水平移动尺，P 为电位差计。
整个线路以K 1、K 2和K 3三个双刀双掷开关为中心分成三个部分，是三个独立的回路，分别提供励磁电流、工作电流和测量霍耳电压。
K 1、K 2的倒向可以分别改变磁场B 和工作电流I 的方向，当B 或I 换向引起1、2之间电极极性改变时，可用K 3倒向，使接至测量仪器的正负极性不变。
2．确定半导体载流子类型（是电子还是空穴）。
(1) 调节垂直移动尺和水平移动尺，使霍耳元件位于电磁铁磁极的中心部位。
(2) 合上K 1，调节励磁电流为0.5安培左右，根据电磁铁线圈的绕向和励磁电流方向确定电磁铁磁极间的磁场方向。
(3) 合上开关K 2，调节工作电流为5毫安，并确定通过霍耳元件的工作电流方向是由3到4还是4到3。
(4) 由测试仪数字电压表上的正负号判断出霍耳片1、2面上霍耳电压的极性，从而判断出霍耳片的载流子类型。
判断方法通过作图表示出来。
3．测量电磁铁磁极间磁感应强度B 与水平位置x 的分布曲线。
(1) 调节水平移动尺N ，使霍耳片位于电磁铁磁极最右端（或最左端）外侧，记录下该点的位置x 0。
(2) 调节励磁电流为0.50安培，工作电流为5.00毫安。
(3) 用电位差计测出1、2端电压V H 1。
然后分别由K 1及K 2将B 和I 换向，分
1
2
34
3
4
1
23
图23-2 霍耳效应实验装置及接线图
T
H
M
N
K K
2
工作电流霍耳电压
励磁电流
K 1
别测出相应的1、2端电压V
H2、V
H3
、V
H4
，填入自拟的表格中。
(4) 按⑧式计算出V
H ，再由⑦式计算出x
处的磁感应强度B。
(5) 调节Ｎ向左（或右）移动霍耳片，每隔一定距离重复一次以上过程，测出磁感应强度B
i
（最少要测十多个点，变化率大的地方测试点可多一些），直到磁极最左端（或最右端）外侧。
(6) 根据测得的各点磁感应强度B，画出B～x分布曲线。
4．测量励磁电流I
B
与磁感应强度B的关系曲线。
调整工作电流为10.0毫安并保持不变，再将励磁电流依次调节为0.10、0.20、0.30、0.40、0.50、0.60安培，测出相应的霍耳电压V
H
，算出相应的磁感应强度B，绘出I
B
～B关系曲线。
5．测量工作电流I与霍耳电压V
H
的关系曲线。
保持励磁电流为0.50安培不变，使工作电流依次为1.00、2.00、3.00、…、10.00
毫安，测出相应的霍耳电压V
B ，并作出I～V
H
关系曲线。
注意事项
1．霍耳元件价高、质脆、引线细，使用时不可碰压、扭弯、挤摔等，务必小心，轻拿轻放，以防损坏。
特别是在霍耳片进出磁隙时要注意是否与磁隙有刮碰的现象。
2．霍耳元件的工作电流引线3、4和霍耳电压引线1、2不能搞错；工作电流I不得超过额定值(I≤10.00毫安），否则霍耳元件可能被烧毁。
3．调节励磁电流及工作电流时，应只合上相应的开关。
记录完相应数据后，要立即断开电源，以防电磁铁过热和消耗电池的能量。
思考题
1．若磁场与霍耳元件薄片不垂直，能否准确测出磁场？
140。