第九章 静电放电模型

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静电放电esd)最常用的三种模型及其防护设计

静电放电esd)最常用的三种模型及其防护设计

静电放电(ESD)最常用的三种模型及其防护设计ESD:Electrostatic Discharge,即是静电放电,每个从事硬件设计和生产的工程师都必须掌握?ESD?的相关知识。

为了定量表征 ESD 特性,一般将 ESD 转化成模型表达方式,ESD 的模型有很多种,下面介绍最常用的三种。

1.HBM:Human Body?Model,人体模型:该模型表征人体带电接触器件放电,Rb 为等效人体电阻,Cb 为等效人体电容。

等效电路如下图。

图中同时给出了器件 HBM 模型的 ESD 等级。

ESD人体模型等效电路图及其ESD等级2.MM:Machine Model,机器模型:机器模型的等效电路与人体模型相似,但等效电容(Cb)是?200pF,等效电阻为 0,机器模型与人体模型的差异较大,实际上机器的储电电容变化较大,但为了描述的统一,取 200pF。

由于机器模型放电时没有电阻,且储电电容大于人体模式,同等电压对器件的损害,机器模式远大于人体模型。

ESD机器模型等效电路图及其ESD等级3.CDM:Charged?Device?Model,充电器件模型:半导体器件主要采用三种封装型式(金属、陶瓷、塑料)。

它们在装配、传递、试验、测试、运输及存贮过程中,由于管壳与其它绝缘材料(如包装用的塑料袋、传递用的塑料容器等)相互磨擦,就会使管壳带电。

器件本身作为电容器的一个极板而存贮电荷。

CDM 模型就是基于已带电的器件通过管脚与地接触时,发生对地放电引起器件失效而建立的,器件带电模型如下:ESD充电器件模型等效电路图及其ESD等级器件的 ESD 等级一般按以上三种模型测试,大部分 ESD 敏感器件手册上都有器件的 ESD数据,一般给出的是 HBM 和 MM。

通过器件的 ESD 数据可以了解器件的 ESD 特性,但要注意,器件的每个管脚的 ESD 特性差异较大,某些管脚的 ESD 电压会特别低,一般来说,高速端口,高阻输入端口,模拟端口 ESD电压会比较低。

电磁兼容(第九章)静电放电

电磁兼容(第九章)静电放电

1、ESD电流直接流经敏感电路组件的接脚,造成永久性损坏:
(如键盘, 或I/O界面的连接器)直接带入ESD突波电流损害电路。 防护这种直接伤害的方法: 并联一颗静电抑制器,串联一颗电阻或并联电容在这些电路上 就可以限制流经IC的ESD电流
2、ESD电流 流经地回路造成复位,重启损坏: 假设接地线为低阻抗, 经ESD脉冲电流通过,IC接地的阻抗 容 易产生(地电位)跳动 (Ground Bounce), 这种地 的电位弹跳会 使IC重置或锁定, IC如被锁定时 非常容易被供应的电源摧毁。 防护这种地电位跳动的方法: 电源并联一颗静电抑制器,串联一颗电阻或并联电容在这些电 路上就可以限制流经IC的ESD电流。 Layout扩大地层的完整性,地的屏蔽性,地层的吸收性
自由空间中,外球体半径无穷大(地球) C=111r pF 一个人的表面积近似等于1m的球体的表面积,可以计算得 出人体的电容大约为50pF
除了自由空间的50pF电容外, 人体电容主要还包括脚底与地面之间 的电容。典型的人体电容为100pF。 如果人体接近周围的某些物体,还会 增加50—100pF。 所以人体电容等于人体自由空 间电容与平板电容之和,大小在50250pF之间变化。
3.电磁场间接耦合
例:如垂直板与水平板之放电,使电路造成重置, 对于高阻抗 组件曾经有损坏。
这种失效模式与PCB环路面积, 机构屏蔽好坏而定。
防护这种电磁场间接耦合的方法:
可以从机体的结构屏蔽和PCB设计布线着手。 Layout扩大地层 的完整性,地的屏蔽性,地层的吸收性.
PCB上用箝制电路或突波吸收ESD静电抑制器抑制 瞬间高压
如果一个带电体靠近一个中性的导体,那么静电场会使 中性导体上处于平衡状态的电荷分离。

ESD放电模型

ESD放电模型


--




--
BMM)


ESD
, --
IEC801-2(1984) IEC801-2(1991)
IEC1000-4-2 1995
GB17626.2 EN61000-2-4 ECMA
ISO10605E ISO10605E IEC61000-4-2 2001
/pF / Ω
/ns
150 150 5ns±30
r

CB=Cs+Cg=253pF
♦ 1962 22
398pF
100 4000Ω
520 90
♦ 1976 Kirk V
C=270pF
10MΩ 1kΩ
RB
=
1000(I0 IP

Ip)
RB=87~190Ω
CB
=
RB
τ
+ 1000
CB=132~190pF
♦ Enoch-Shaw

200V; 5 500pF 1
IC DUT
CDM ESDS
C1 C2 C3 C4 C5 C6 C7
(V) <125 125~< 250 250<=500 500~<=1000 1000~<=1500 1500~<=2000 =>2000


环脱状
静电放电模拟器
环脱状 环脱状 环脱状
必电的z
静电放电模拟器
环脱状 环脱状
IEC61340-3-1
HBM ESDS
0 1A 1B 1C 2 3A 3B
(V) <250 250~<500 500~<1000 1000~<2000 2000~<4000 4000~<8000 ≥8000

ESD(静电放电)原理、模型及防护

ESD(静电放电)原理、模型及防护

料、防静电涂料等,以降低设备表面静电电荷的积累。
设备接地
Байду номын сангаас
02
将设备与大地连接,使设备上积累的静电电荷能够迅速泄放到
大地,避免静电放电对设备造成损害。
静电消除器
03
在关键部位安装静电消除器,通过产生相反电荷来中和设备表
面的静电电荷,达到消除静电的目的。
系统级防护策略
系统接地
将整个系统与大地连接,确保系统内各部分电位一致,减少静电放 电的可能性。
ESD(静电放电)原理、模型及防护
目录
• 静电放电(ESD)基本概念与原理 • ESD模型与特性分析 • ESD防护措施与方法 • ESD测试与评估方法 • ESD在工业生产中应用案例分享 • 总结与展望
01
静电放电(ESD)基本概念与原 理
静电产生及危害
静电产生原因
物质接触、摩擦、分离等过程导 致电荷不平衡,形成静电。
规范操作培训
制定详细的设备操作规范,对操作人员进行培训,确保其在操作 过程中能够遵循规范,减少静电放电的风险。
静电防护装备使用
要求操作人员佩戴防静电手环、防静电鞋等静电防护装备,降低 人体静电对设备的影响。
04
ESD测试与评估方法
测试标准介绍
这是国际电工委员会制定的静电放电抗扰度测试标准,它规定了 测试等级、测试方法、测试环境和设备要求等。
特性
HBM放电电流具有较快的上升时间和较短的持 续时间,通常持续几百纳秒。放电能量较低,但 足以对敏感器件造成损坏。
应用场景
HBM模型常用于评估手持设备、可穿戴设备等 便携式电子产品的ESD防护能力。
机器模型(MM)
描述
应用场景

5.放电和静电放电模型

5.放电和静电放电模型

机器模型电路原理图
(IEC61340-3-2)
Typical current waveform through a shorting wire IEC61340-3-2
Typical current waveform through a 500 resistor IEC61340-3-2
沿面放电
当绝缘板一侧紧贴有接地金属板时,就可能出现 这种高的表面电荷密度。另外,当电介质板被高 度极化时也可能出现这种情形。若金属导体靠近 带电绝缘体表面时,外部电场得到增强,也可引 发刷形放电。刷形放电导致绝缘板上某一小部分 的电荷被中和,与此同时它周围部分高密度的表 面电荷便在此处形成很强的径向电场,这一电场 会导致进一步的击穿,这样放电沿着整个绝缘板 的表面传播开来,直到所有的电荷全部被中和。 沿面放电释放的能量很大,有时可以达到数焦耳, 因此其引燃引爆能力极强。
Typical current waveform through a shorting wire ( tr )
IEC61340-3-1
Typical current waveform through a shorting wire ( td )
IEC61340-3-1
Typical current waveform through a 500 resistor
静电放电类型
电晕放电 火花放电 刷形放电
沿面放电
静电放电的类型
电晕放电(corona discharge)
电晕放电以电晕为特点的一种放电,当 某气体中的两个电极中有一个的形状导致其 表面的电场明显大于两个电极之间电场的时 候所发生放电现象。
电晕放电危害
射频干扰
飞机、航天器的通讯或导弹在飞行过程中,机 壳或弹体上会因摩擦而产生静电,当飞机、航天器或导弹的制导系统产生干扰, 造成通讯中断或制导失灵,引发事故。 浪费电能 高压输电线上的电晕放电会造成电力浪费。

静电放电和静电放电模型

静电放电和静电放电模型

静电放电和静电放电模型♦静电放电的特点♦静电放电的类型♦静电放电模型♦静电放电模拟器♦静电放电产生的辐射场静电放电的特点♦静电放电(ESD)是指带电体周围的场强超过周围介质的绝缘击穿场强时,因介质电离而使带电体上的静电荷部分或全部消失的现象。

♦静电放电是高电位,强电场,瞬时大电流的过程。

♦静电放电会产生强烈的电磁辐射形成电磁脉冲(EMP)。

静电放电类型♦电晕放电♦火花放电♦刷形放电♦沿面放电静电放电的类型♦电晕放电(corona discharge)电晕放电以电晕为特点的一种放电,当某气体中的两个电极中有一个的形状导致其表面的电场明显大于两个电极之间电场的时候所发生放电现象。

电晕放电危害♦射频干扰飞机、航天器的通讯或导弹在飞行过程中,机壳或弹体上会因摩擦而产生静电,当静电电位足够高时可引发电晕放电,形成的电磁干扰会对飞机、航天器或导弹的制导系统产生干扰,造成通讯中断或制导失灵,引发事故。

♦浪费电能高压输电线上的电晕放电会造成电力浪费。

电晕放电的利用♦静电除尘♦脱硫脱硝♦静电喷涂静电火花放电(spark discharge )♦当静电电位比较高的带电导体或人体靠近其它导体、人体或接地导体时,便会引发静电火花放电。

♦静电火花放电是一个瞬变的过程,放电时两放电体之间的空气被击穿,形成“快如闪电”的火花通道,与此同时还伴随着噼啪的爆裂声,爆裂声是由火花通道内空气温度的急骤上升形成的气压冲击波造成的。

♦在发生静电火花放电时,静电能量瞬时集中释放,其引燃、引爆能力较强。

另外静电火花放电产生的放电电流及电磁脉冲具有较大的破坏力,它可对一些敏感的电子器件和设备造成危害。

刷形放电(brush discharge)♦刷形放电电往往发生在导体与带电绝缘体之间,带电绝缘体可以是固体、气体或低电导率的液体。

♦产生刷形放电时形成的放电通道在导体一端集中在某一点上,而在绝缘体一端有较多分叉,分布在一定空间范围内。

根据其放电通道的形状,这种放电被称为刷形放电。

静电放电最常用的三种放电模型是什么?

静电放电最常用的三种放电模型是什么?

静电放电最常用的三种放电模型是什么?1、ESD简介ESD:ESD是当具有累积正负电荷的物体(电介质)接触或接近时发生的放电现象,通常为高达几KV的纳秒级短脉冲。

目前根据ESD 产生的原因及其对集成电路放电的方式不同,常见的ESD 被分类为下列三类(还有一些模式并不常用),分别是:人体放电模式(HBM, Human Body Model), 机器放电模式(MM, Machine Model)以及充电设备模式(CDM, Charge Device Model)。

1.1 HBM-人体模型HBM(Human Body Model),人体模型。

静电放电损害最常见的原因是,人体或带电材料将静电荷直接移转至静电放电敏感物体(ESDS)上。

在地板上行走时,身体便开始累积静电荷。

手指轻触(或靠近)ESDS 或组件的导电引线时,身体便会放电,且可能使器件受损。

这种放电模式称为「人体模型」(HBM)。

在各种ESD器件敏感度分级模型中,人体模型是最早也最普遍使用的。

HBM测试模型是指当个体站立时,其指尖的放电传递至器件上。

该模型通过一个开关组件,以电阻器(通常为兆欧级)将100pF电容器充电后,在待测器件和与之相串联的一个1500电阻器上放电,器件最后接地或到达低电位。

1.2 MM-机器模型MM(Machine Model),机器模型;是指带电的导电物体也会发生放电,如金属工具或自动化设备、夹具等。

「机器模型」最初是为了尝试建立HBM事件的最坏情况。

这个ESD模型是一个200 pF电容直接对组件放电,输出电路中没有直流串联电阻。

放电波形可以振荡,上升时间和脉冲宽度与HBM类似。

机器模型通常会有与人体模型同样的物理性故障模式,但在明显较低的水平。

MM主要模拟可能从带电机器(如制造系统)释放的静电。

静电放电类型和静电放电模型 ppt课件

静电放电类型和静电放电模型  ppt课件
当放电尖端为阳极时,产生的电晕称正电晕。阴极处 的场强很弱,流向阴极的正离子不足以引起二次电子 发射,此时在尖端处维持放电过程的二次电子主要是 由其附近的中性分子和原子的光电离而提供的。
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电晕放电
从电晕放电产生的电晕的形状来看,负电晕 是包围着放电尖端的均匀光晕圈,而正电晕则呈 现出非均匀的丝状。一般来讲,正电晕的起晕电 压要比负电晕的起晕电压高。
第2讲 静电放电和静电放电模型
静电放电及其特点 静电放电的类型 静电放电模型 静电放电模拟器 静电放电电流波形的校验
PPT课件
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一、静电放电的定义
静电放电(ESD)是指带电体周围的场强超 过周围介质的绝缘击穿场强时,因介质电离 而使带电体上的静电荷部分或全部消失的现 象。
通常把偶然产生的静电放电称为ESD事件。 在实际情况中,产生ESD事件往往是物体上 积累了一定的静电电荷,对地静电电位较高。 带有静电电荷的物体通常被称为静电源,它 在ESD过程中的作用是至关重要的 。
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电晕放电机制
当极间电压升 高到某一特定值Vc 时,尖端附近的场 强开始超过空气的 击穿场强,在尖端 附近形成了电子雪 崩,极间电流迅速 增大。但是这一过 程仅在尖端附近才 能维持,而极间其 它地方由于场强较 小不能维持这一过 程。
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电晕放电机制
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二、静电放电的特点
会产生强烈的电磁辐射形成电磁脉冲
在ESD过程中会产生上升时间极快、持 续时间极短的初始大电流脉冲,并产生强烈 的 电 磁 辐 射 形 成 静 电 放 电 电 磁 脉 冲 ( ESD EMP),它的电磁能量往往会引起电子系统 中敏感部件的损坏、翻转,使某些装置中的 电火工品误爆,造成事故。目前ESD EMP已 受到人们的普遍重视,作为近场危害源,许

静电放电模式(HBM、MM、IEC)电路及静电等级 及比较(网络软件)

静电放电模式(HBM、MM、IEC)电路及静电等级 及比较(网络软件)

LED静电击穿原理以PN结结构为主的LED,在制造、筛选、测试、包装、储运及安装使用等环节,难免不受静电感应影响而产生感应电荷。

若得不到及时释放,LED的两个电极上形成的较高电压将直接加上led芯片的PN结两端。

当电压超过LED的最大承受值后,静电电荷将以极短的瞬间(纳秒级别)在LED芯片的两个电极之间进行放电,功率焦耳的热量将使得LED芯片内部的导电层、PN发光层的局部形成高温,高温将会把这些层熔融成小孔,从而造成漏电以及短路的现象。

ESD:Electrostatic Discharge,即是静电放电,每个从事硬件设计和生产的工程师都必须掌握ESD的相关知识。

为了定量表征ESD 特性,一般将ESD 转化成模型表达方式,ESD 的模型有很多种,下面介绍最常用的三种。

1.HBM:Human Body Model,人体模型:该模型表征人体带电接触器件放电,Rb 为等效人体电阻,Cb 为等效人体电容。

等效电路如下图。

图中同时给出了器件HBM 模型的ESD 等级。

ESD人体模型等效电路图及其ESD等级2.MM:Machine Model,机器模型:机器模型的等效电路与人体模型相似,但等效电容(Cb)是200pF,等效电阻为0,机器模型与人体模型的差异较大,实际上机器的储电电容变化较大,但为了描述的统一,取200pF。

由于机器模型放电时没有电阻,且储电电容大于人体模式,同等电压对器件的损害,机器模式远大于人体模型。

ESD机器模型等效电路图及其ESD等级3.CDM:Charged Device Model,充电器件模型:半导体器件主要采用三种封装型式(金属、陶瓷、塑料)。

它们在装配、传递、试验、测试、运输及存贮过程中,由于管壳与其它绝缘材料(如包装用的塑料袋、传递用的塑料容器等)相互磨擦,就会使管壳带电。

器件本身作为电容器的一个极板而存贮电荷。

CDM 模型就是基于已带电的器件通过管脚与地接触时,发生对地放电引起器件失效而建立的,器件带电模型如下:ESD充电器件模型等效电路图及其ESD等级器件的ESD 等级一般按以上三种模型测试,大部分ESD 敏感器件手册上都有器件的ESD数据,一般给出的是HBM 和MM。

静电放电建模与模拟课件.ppt

静电放电建模与模拟课件.ppt
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1.2 机械模型
机械模型(Machine Model)也称日本模型,简称MM。 主要用来模拟带电导体对电子器件发生的静电放电事件。 在研制开发过程中,由于电路很难做到足够低的电感,因 此各种机器模型静电放电模拟器的差别很大,元器件对 MM模型静电放电比HBM模型静电放电更敏感。
2024/10/9
依 离那地与面肖的经高过 度计超算过可一得定当值一人时为电体,d压人的体V绝,缘之平后台分上别测的的让试人人人结体充体果参电也数和不相到电同差,很所 大以 。不同的研究者得到 电容趋于最小值50pF 容2器0通0过V,一经个过1K5欧秒的的电稳阻定对后地,放用继 1模电9型 容80之器年后串5月,联,发1.美5布千国了欧海D的军O电D司电放电1阻令6电 经 度,电容8作部6过 超器并 电 器标为在计 过把用 流 的准人广带算 一电 波 放,体泛电可 定流 形 电规E地得 值人探 , 电S定D研当 时体头 通 流模了究人 ,对和 过 的型标,体 人电示 比 峰。准考容离 体波 较 值的美查器地 电器 人 来人国了面 容放采 体 确体E电的 趋电集 和 定SE子D高于,S协D行模会业型标中,准各用E种S1D人00体pFE的SD STM5.1-1999以及国际电人工最体委小放员值电会5参0标数p准F IEC61340-3-1不仅规定了标准人体模型 的电路参数,而且还规定了放电电流波形及电流参数。人体ESD模型主要用
双RLC
完整的ESD
放电电 容与人 体模型 的一样
仍取150pF, 而放电电阻比 人体的要小,
取500欧
标准中规定 模型为单RC 结构,放电 参数R和C分 别为150欧和
150pF
标准中的 参数为
C B=150pF 10% R B=330 10% L B = 0 .0 4 ~ 0 .2 H C HA = 3~ 10pF R HA = 20~200 L H A = 0 .0 5 ~ 0 .2 H

静电放电模式HBMIEC电路及静电等级及比较

静电放电模式HBMIEC电路及静电等级及比较

LED静电击穿原理以PN结结构为主的LED,在制造、筛选、测试、包装、储运及安装使用等环节,难免不受静电感应影响而产生感应电荷.若得不到及时释放,LED的两个电极上形成的较高电压将直接加上led芯片的PN结两端.当电压超过LED的最大承受值后,静电电荷将以极短的瞬间纳秒级别在LED芯片的两个电极之间进行放电,功率焦耳的热量将使得LED芯片内部的导电层、PN发光层的局部形成高温,高温将会把这些层熔融成小孔,从而造成漏电以及短路的现象.ESD:Electrostatic Discharge,即是静电放电,每个从事硬件设计和生产的工程师都必须掌握ESD的相关知识.为了定量表征 ESD 特性,一般将 ESD 转化成模型表达方式,ESD 的模型有很多种,下面介绍最常用的三种.:Human Body ,人体模型:该模型表征人体带电件放电,Rb 为等效人体,Cb 为等效人体.等效电路如下图.图中同时给出了器件 HBM 模型的ESD 等级.ESD人体模型等效电路图及其ESD等级:Machine Model,机器模型:机器模型的等效电路与人体模型相似,但等效电容Cb是 ,等效电阻为 0,机器模型与人体模型的差异较大,实际上机器的储电电容变化较大,但为了描述的统一,取 200pF.由于机器模型放电时没有电阻,且储电电容大于人体模式,同等电压对器件的损害,机器模式远大于人体模型.ESD机器模型等效电路图及其ESD等级:Charged Model,件模型:半导体器件主要采用三种封装型式金属、陶瓷、塑料.它们在装配、传递、试验、测试、运输及存贮过程中,由于管壳与其它如包装用的塑料袋、传递用的塑料容器等相互磨擦,就会使管壳带电.器件本身作为的一个极板而存贮电荷.CDM 模型就是基于已带电的器件通过管脚与地接触时,发生对地放电引起器件失效而建立的,器件带电模型如下:ESD充电器件模型等效电路图及其ESD等级器件的 ESD 等级一般按以上三种模型测试,大部分 ESD 敏感器件手册上都有器件的 ESD数据,一般给出的是 HBM 和 MM.IEC模式与上面几种模式相似,只是放电电阻、储能电容规格暗IEC标准,具体如下MM、HBM、IEC放电模式比较。

静电放电最常用的三种模型及其防护设计

静电放电最常用的三种模型及其防护设计

静电放电(ESD)最常用的三种模型及其防护设计ESD:Electrostatic Discharge,即是静电放电,每个从事硬件设计和生产的工程师都必须掌握?ESD?的相关知识。

为了定量表征 ESD 特性,一般将 ESD 转化成模型表达方式,ESD 的模型有很多种,下面介绍最常用的三种。

:Human Body?,人体模型:该模型表征人体带电件放电,Rb 为等效人体,Cb 为等效人体。

等效电路如下图。

图中同时给出了器件 HBM 模型的 ESD 等级。

?ESD人体模型等效电路图及其ESD等级:Machine Model,机器模型:机器模型的等效电路与人体模型相似,但等效电容(Cb)是?,等效电阻为 0,机器模型与人体模型的差异较大,实际上机器的储电电容变化较大,但为了描述的统一,取 200pF。

由于机器模型放电时没有电阻,且储电电容大于人体模式,同等电压对器件的损害,机器模式远大于人体模型。

?ESD机器模型等效电路图及其ESD等级:Charged??Model,件模型:半导体器件主要采用三种封装型式(金属、陶瓷、塑料)。

它们在装配、传递、试验、测试、运输及存贮过程中,由于管壳与其它(如包装用的塑料袋、传递用的塑料容器等)相互磨擦,就会使管壳带电。

器件本身作为的一个极板而存贮电荷。

CDM 模型就是基于已带电的器件通过管脚与地接触时,发生对地放电引起器件失效而建立的,器件带电模型如下:?ESD充电器件模型等效电路图及其ESD等级器件的 ESD 等级一般按以上三种模型测试,大部分 ESD 敏感器件手册上都有器件的ESD数据,一般给出的是 HBM 和 MM。

通过器件的 ESD 数据可以了解器件的 ESD 特性,但要注意,器件的每个管脚的 ESD 特性差异较大,某些管脚的 ESD 电压会特别低,一般来说,高速端口,高阻输入端口,模拟端口 ESD电压会比较低。

ESD 防护是一项系统工程,需要各个环节实施全面的控制。

静电放电模式(HBM、MM、IEC)电路及静电等级 及比较

静电放电模式(HBM、MM、IEC)电路及静电等级 及比较

LED静电击穿原理以PN结结构为主的LED,在制造、筛选、测试、包装、储运及安装使用等环节,难免不受静电感应影响而产生感应电荷。

若得不到及时释放,LED的两个电极上形成的较高电压将直接加上led芯片的PN结两端。

当电压超过LED的最大承受值后,静电电荷将以极短的瞬间(纳秒级别)在LED芯片的两个电极之间进行放电,功率焦耳的热量将使得LED芯片内部的导电层、PN发光层的局部形成高温,高温将会把这些层熔融成小孔,从而造成漏电以及短路的现象。

ESD:Electrostatic Discharge,即是静电放电,每个从事硬件设计和生产的工程师都必须掌握ESD的相关知识。

为了定量表征ESD 特性,一般将ESD 转化成模型表达方式,ESD 的模型有很多种,下面介绍最常用的三种。

1.HBM:Human Body Model,人体模型:该模型表征人体带电接触器件放电,Rb 为等效人体电阻,Cb 为等效人体电容。

等效电路如下图。

图中同时给出了器件HBM 模型的ESD 等级。

ESD人体模型等效电路图及其ESD等级2.MM:Machine Model,机器模型:机器模型的等效电路与人体模型相似,但等效电容(Cb)是200pF,等效电阻为0,机器模型与人体模型的差异较大,实际上机器的储电电容变化较大,但为了描述的统一,取200pF。

由于机器模型放电时没有电阻,且储电电容大于人体模式,同等电压对器件的损害,机器模式远大于人体模型。

ESD机器模型等效电路图及其ESD等级3.CDM:Charged Device Model,充电器件模型:半导体器件主要采用三种封装型式(金属、陶瓷、塑料)。

它们在装配、传递、试验、测试、运输及存贮过程中,由于管壳与其它绝缘材料(如包装用的塑料袋、传递用的塑料容器等)相互磨擦,就会使管壳带电。

器件本身作为电容器的一个极板而存贮电荷。

CDM 模型就是基于已带电的器件通过管脚与地接触时,发生对地放电引起器件失效而建立的,器件带电模型如下:ESD充电器件模型等效电路图及其ESD等级器件的ESD 等级一般按以上三种模型测试,大部分ESD 敏感器件手册上都有器件的ESD数据,一般给出的是HBM 和MM。

静电放电的基本模型

静电放电的基本模型

静电放电的基本模型静电放电是指发生在两个物体之间的电流放电现象,是一种非常普遍的现象。

在许多日常生活中,比如在干燥的天气中摇动电毯,会发出明亮的闪光;在穿着塑料鞋的人走动一段距离后,再触摸金属物品时,会出现明显的火花现象。

这些现象正是产生了静电放电现象。

静电放电是由于两个物体之间电荷不对称引起的,本文将介绍静电放电的基本模型。

静电放电的基本模型被称为带电物体对相邻物体的影响,这种模型可以协助我们了解为什么一些物体易于积累电荷,并在另一些物体上产生静电现象。

在这种现象中,带电物体和另一个物体(有时称为地面)之间会形成电荷的累积。

当电荷积累到一定程度时,就会产生电弧放电并生成火花。

静电放电是一种由相对比较高电压的放电引起的,两个物体之间的距离和电荷大小对产生静电放电是有影响的。

小的静电放电可以看作是一个电子从一个物体上离开,并在另一个物体上产生一个电子(openai)。

而大量的静电放电则是由于大量的电子跃入和跃出。

这些静电电子通常形成一个电流环,并在带电物体和地面之间形成电弧放电。

静电放电的基本模型是带电物体和相邻物体之间相互作用的结果。

当一个物体携带电荷时,它会带有电场。

离带电物体很近的物体会感受到电场并充分受到其影响。

如果物体的大小和形状是合适的,那么电场会从物体的一个部分向另一个部分移动,并在两个部分之间产生电压梯度。

当电压梯度增加到某个阈值时,就会发生弧形放电,这时由于大量的电子被激发,并形成一个电流环,从而在两个物体之间形成电弧放电。

这种电弧放电产生了大量的热量和光能,并在物体上产生了明亮的火花。

总之,静电放电的基本模型是由带电物体与相邻物体之间的相互作用产生的,它可以用于解释不同形状,大小和材料的物体产生不同的电荷,并在相邻物体上产生静电现象的原因。

当电荷足够大时,静电放电就会发生并产生大量的热量和光能。

了解静电放电的基本原理,将有助于我们更好地预防和管理这种现象。

第九章 静电放电模型

第九章 静电放电模型

9.1.4 标准人体模型 (1)美军标:1980年5月,美国海军司令部在广泛地研究、考查 了电子行业中各种人体ESD模型之后,发布了DOD1686标准,规 定了标准的人体ESD模型,用100pF的电容器串联1.5kΩ的电阻 作为标准人体ESD模型。1988年和1989年分别发布的美军标MILSTD-1686A和MIL-STD-883C中仍使用这一人体电气模型。 在MIL-STD-883C中对ESD模拟器输出的放电电流波形作了规 定,模拟器通过另一阻值为1.5kΩ的无感电阻对地放电时,用带 宽为100MHz的示波器和特定的电流探头得到的放电电流波形应 与规定的波形相类似。
9.1.3 人体静电参数测定 1976年,科克(Kirk)等人提出代表性的测量方法。分别用高压 电流通过10MΩ的电阻,把被测人体和C=2700pF的电容器充电到 某一电压V,之后分别让人体和电容器通过一个1kΩ的电阻对地 放电,并用电流探头和示波器采集放电电流波形,通过比较人体 和电容器的放电电流的峰值来确定人体放电参数。 电容器的放电电流的峰值为I0 =V/1000,而人体放电电流的峰值 为IP =V/(1000+RB ),其中,RB 为人体等效电阻。 由此得到RB =(V-1000Ip )/Ip =1000(I0 -Ip )/Ip,测出I0与Ip 之 后,可通过上式得到RB 。通过计算人体放电电流波形的时间常数 τ,由τ/RB 可得到人体电容CB。根据这种测试方法,科克等得 到的人体参数: CB =132~190pF,RB =87~190Ω。
TLP测试仪的等效电路
例子:电压方波脉冲的高度VTLP =VC/2,VC为充电 电压;电流值I=(VTLP -VDUT )/R;脉冲持续时间取决 于传输长度,t=2(L/c),c为电缆中传播的相速度; 脉冲上升时间保持不变,取决于50Ω固定阻抗。逐 步增加TLP脉冲高度,获得受试器件过压时的I-V曲 线,通过查看第二个击穿点和直流泄漏雪崩阈值来 判定可能的ESD失效水平,TLP测试曲线如图所示。
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式中,A为两个鞋底的总面积(cm2),t为鞋底的厚度(cm)。 计算Cs时需把人体等效为形状较为规则的导体,如柱形、十字形 或球形等。球形较常用,球的半径一般取人体身高的一半,得:
Cs = 4πε 0 r = 0.55 H ( pF )
式中,H为人体的身高(cm)
根 据 上 面 的 计 算 方 法 当 一 个 人 身 高 为 173cm 时 , 其 Cs =95pF。假设此人的鞋底与地面的接触面积约为360cm2,鞋 底厚度t为1cm,鞋底的相对电容率εr=5,则Cg=158pF。此 人的总电容CB =Cs +Cg =253pF。 从这一结果可以看出,由这种计算方法得到的人体电容要 比一些报导中测量的人体电容大,造成这一结果的原因是,总 的说来人体的高度要比其宽度和厚度大的多,在计算时取球体 半径r=H/2往往会过高的估计了人体对自由空间的电容。考虑 到这一因素,一般在计算Cs 时不管人体的高度如何,通常取 等效球的半径r=50cm,这样得到Cs =56pF。
9.1.2 人体电容 一般认为人体电容由两部分组成,一部分是人体的脚通过鞋底 与地面构成的平行板电容器的电容Cg,另一部分则是把人体看成 孤立导体,对自由空间的电容Cs。人体的总电容为这两部分电容 的并联,即: CB =Cg +Cs 。其中,
C g = ε 0ε r A / t = 0.0885ε r A / t ( pF )
IPs
Ir
短路波形的上升沿 和峰值的确定
5ns/div IPs
短路波形的下降 时间的确定
100ns/div
IPr 90%
10% tr 5ns/div
通过500Ω电阻放电的典型电流波形
上述的标准人体ESD模型主要用于对电子器件的 静电敏感度测试。而在一些特殊行业中,根据行业 的特点采用的人体ESD模型应有所不同。 如对电火工品进行静电敏感度测试时,根据美军 标MIL-STD-1512采用的ESD人体模型的参数为电 容500pF,电阻5kΩ。而在汽车制造行业中,人体 模型通常采用的参数为电容330pF,电阻2kΩ。
9.4.2 IEC的801-2标准 在1984年发布的静电放电测试标准IEC801-2中给出了人体-金 属模型。标准中规定模型的基本电网络为单RC结构,放电参数 R和C分别取150Ω和150pF。 除此之外,该标准还对放电网络的放电电流波形提出了要求, 当放电电压分别为2kV、4kV、8kV、15kV时,用带宽不低于 100MHz的测量系统,测得它对特定的低阻抗接地靶放电的电流 波形,应具有标准中所给出的典型波形的主要特点。 其中电流上升时间应在5ns左右,两50%峰值电流的间隔时间 为30ns。另外,在放电电压为2kV时,放电峰值电流应达到 9A,在15kV时,应达到70A。
第十章 静电放电模型
静电放电是一个复杂多变的随机过程。再加上静电 放电有许多不同的放电形式,产生静电放电的静电源 多种多样,而且同一静电源对不同的物体放电时产生 的结果也不一样,会受气候、环境等条件的影响,不 利于得到具有重复性的放电结果,难以有效地对ESD 的效应和危害进行正确的评估。为此,根据不同场合 静电放电的主要特点可以建立相应的静电放电模型, 来模拟静电放电的主要特征。 主要人体模型、机器模型、传输线模型和人体金属 模型的ESD测试模型,以及静电放电模拟器。
9.2.2 国际电工委员会IEC标准(包括美ESD协会): IEC61340-3-2规定了标准人体模型的电路参数,MM模型放电 电流波形发生器试验电路及典型MM模型放电电流波形参数。MM ESD波形发生器试验电路,如图所示:
图中,1:MM ESD波形发生器(200pF/0Ω) ;2:接线端A; 3:开关;4:接线端B;5:受试元器件;6:放电负载; 7:短路电缆;8:电阻500Ω;9:电流传感器
TLP测试仪的等效电路
例子:电压方波脉冲的高度VTLP =VC/2,VC为充电 电压;电流值I=(VTLP -VDUT )/R;脉冲持续时间取决 于传输长度,t=2(L/c),c为电缆中传播的相速度; 脉冲上升时间保持不变,取决于50Ω固定阻抗。逐 步增加TLP脉冲高度,获得受试器件过压时的I-V曲 线,通过查看第二个击穿点和直流泄漏雪崩阈值来 判定可能的ESD失效水平,TLP测试曲线如图所示。
IP1 tpm
t1 t0 t2
t3
IP2
20ns/div
MM ESD典型短路电流波形
IPR
I100
20ns/div
通过500Ω电阻放电的MM ESD典型电流波形
9.3 传输线脉冲(TLP)模型
HBM和MM的ESD测试模型具有相同特点,是模型测试方法 对器件都具有破坏性,提供的是静电放电敏感元器件的失效阈 值,不提供元器件可能的失效机理方面的信息,而传输线脉冲 (TLP)技术能获得这方面的信息。 TLP技术大量应用于ESD防护设计领域。TLP测试原理是用 一段传输线来产生易于控制的稳定方波,利用此方波对ESDS 受试设备进行过压试验。如图所示为一种固定阻抗TLP测试。
将传输线电缆预充电至特定电位,然后通过固定匹配电阻对 ESDS受试设备放电,固定匹配电阻由另一50Ω传输线电缆组成。 用示波器同时测量受试设备的瞬时电流和电压波形。每次ESD作 用后都测器件的直流泄漏电流。在TLP系统的等效电路中,用方 波源代替充电电容。衰减器用来吸收受试设备的反射信号。
一种固定阻抗TLP测试系统装置
机器模型(MM)的电路配置与人体模型(HBM)相同, 不同的是MM包括200pF的放电电容以及阻值尽可能 低的放电电阻。MM模型可以看作是“最严酷”的人体 模型。 机器模型静电放电模拟器研制开发过程中,由于电 路很难做到足够低的电感,所以各种机器模型静电放 电模拟器的差别很大。比对元器件MM模型和HBM模 型测试结果表明,元器件对MM模型静电放电比HBM 模型静电放电更敏感。
I×100
t/ns
IEC-801-2 (1984年版,带宽100MHz示波器)规定的放电电流波形
9.4.3 IEC的61000-4-2标准 随着测试仪器精度的提高,采用1GHz示波器测得波形和前 面的电流波形有所区别,区别来源是由于小金属器件对空间 有3-10pF无感电容导致的,由此形成了双RLC人体静电放电 模型。电路如图所示:
9.2 机器模型
9.2.1 模型概述 机器模型(Machine Model),简称MM。用来模拟带电导体对电 子器件发生的静电放电事件。机器模型也称日本模型。基本电路 模型是,200pF的电容不经过电阻直接对器件进行静电放电。机 器模型模拟导体带电后对器件的作用,如在自动装配线上的元器 件遭受带电金属构件对器件的静电放电,也可模拟带电的工具和 测试夹具等对器件的作用。原理如图所示:
(2)国际电工委员会IEC标准(包括美ESD协会): IEC61340-3-1规定了标准人体模型的电路参数,还规定了放电 电流波形及电流参数。IEC61340-3-1中提到形。 HBMESD波形发生器试验电路,如图所示:
图中,1:HBM ESD波形发生器(100pF/1.5kΩ) ;2:接线端;3:开关;4: 接线端;5:受试元器件;6:放电负载;7:短路电缆;8:电阻500Ω; 9:电流传感器
I/Ip×100
t/ns
IEC61000-4-2 (1995年版,带宽1GHz示波器)规定的放电电流波形
总之,人体-金属放电过程包含高速、低速两种放电模式。 高速放电模式与手、前臂及手持小金属物件的“自由电容”相联 系,它产生的初始放电电流尖脉冲的上升速度很高,峰值很大, 可产生强烈的电磁脉冲。而且它速度高,持继时间短,往往使得 许多电子设备的ESD保护装置还没有来得及有动作便已侵入设 备,造成设备的损伤。因而也较难防护,不过由于与之相联系的 放电电容容量较小,其放电中释放的能量也较小,它造成的损伤 往往是软损伤或形成随机干扰。 低速放电模式则与人体电容相联系,在放电时释放的能量较 大,引起意外爆炸及电子器件、系统的硬损伤等等。 这两种放电模式各具特点,人体-金属放电模型应能全面地反映 出这两种不同的放电模式。人体-金属模型主要用于对系统的人体 静电敏感度的测试。
9.1 人体模型
9.1.1 人体模型概述 人体模型 (Human Body Model),简称HBM,用来模拟人体静 电放电对敏感电子器件的作用。人体是产生静电危害的最主要的 静电源之一,人们对人体静电及其放电过程研究的比较早,也比 较深入,人体模型也比其他模型建立的更早。 人体能储存一定的静电电量,因此人体明显地存在电容。人体 也有电阻,人体电阻依赖于人体肌肉的弹性、水份、接触电阻等 因素。其实人体也有电感,不过这一电感的量值仅为零点几个微 亨,在多数情况下可以不加考虑。 电容器串联电阻的人体电气模型,如何选取典型的人体电容和 电阻值却产生了很大的分歧。许多研究机构和研究人员为了确定 这些参数的量值进行了许多测试和计算。
RB LB RHA LHA
放电端
CB CHA
其中CB、RB、LB分别为人体电容、电阻及电感,CHA、RHA、 LHA分别为手、前臂及手持的小金属物件的电容、等效电阻及 电感。
IEC-1000-4-2和IEC61000-4-2人体-金属模型规定模型的电 网络为双RLC结构,模型参数为:CB =150pF±10%,RB =330Ω±10%,LB =0.04~0.2μH,CHA =3~10pF,RHA =20~200Ω,LHA =0.05~0.2μH。除此之外,标准也对模型 的放电电流波形作出了新的要求,即放电电压分别为2kV、 4kV、6kV、8kV时,用带宽不小于1GHz的测量系统测,放 电网络的放电电流波形应与标准中给出的参考波形相吻合。 标准中给出的波形如图所示。 我国在IEC61000-4-2基础上制定了GB/T17626.2-1998标准。
击穿前
击穿后
二次击穿前后的TLP输出电压波形
击穿后
击穿前
二次击穿前后的TLP输出电流波形
泄漏电流 雪崩阈值 电流IDUT/A
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