晶体管集成电路比较

电子技术基础
色环电阻
电子技术基础
电容
• 电容（或电容量， Capacitance）指的是在 给定电位差下的电荷储藏量；记为C，国际 单位是法拉（F）。
• 在电路学里，给定电势差，电容器储存电 荷的能力，称为电容。
铝电解电容器
独石电容
陶瓷电容
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• 符号
电解电容
1、用字母C表示 2、有极性，插件要分正负 3、可用来滤波，移相 4、在放大器当中用来阻直通交
无杂质 稳定的结构
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二极管
• 二极管又称晶体二极管,简称二极管(diode)，它是 一种具有单向传导电流的电子器件。 正向导通， 反向截止。
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一、常用二极管
1、整流二极管 2、稳压二极管 3、发光二极管
小功率 二极管
大功率 二极管
稳压 二极管
发光 二极管
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四、二极管的主要参数
第一片集成电路只有4个晶体管，而1997年一片集成电路 中有40亿个晶体管。有科学家预测，集成度还将按10倍/6年 的速度增长，到2015或2020年达到饱和。
学习电子技术方面的课程需时刻关注电子技术的发展！
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电子技术的发展很大程度上反映在元器件的发展 上。从电子管→半导体管→集成电路
1904年 电子管问世
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PCB
• PCB（PrintedCircuitBoard），中文名称 为印制电路板，又称印刷电路板、印刷线 路板，是重要的电子部件，是电子元器件 的支撑体，是电子元器件电气连接的提供 者。由于它是采用电子印刷术制作的，故 被称为“印刷”电路板。
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PCB板
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PCB文件
• 医学：γ刀、CT、B超、微创手术
• 消费类电子：家电（空调、冰箱、电视、音响、摄像机、照 相机、电子表）、电子玩具、各类报警器、保安系统
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半导体元器件的发展
• 1947年 • 1958年 • 1969年 • 1975年
贝尔实验室制成第一只晶体管 集成电路 大规模集成电路 超大规模集成电路
中功率管
小功率管
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一、晶体管的结构和符号
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1、开关特性
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集成芯片
• 指内含集成电路的硅片
• IC，是在硅板上集合多种电子元器件实现 某种特定功能的电路模块。它是电子设备 中最重要的部分，承担着运算和存储的功 能。
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电阻
• 电阻，在物理学中，用电阻来表示导体对 电流阻碍作用的大小。导体的电阻越大， 表示导体对电流的阻碍作用越大。不同的 导体，电阻一般不同，电阻是导体本身的 一种特性。电阻元件是对电流呈现阻碍作 用的耗能元件。单位是欧姆。
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一、电子技术的发展
电子技术的发展，推动计算机技术的发展，使之“无 孔不入”，应用广泛！
• 广播通信：发射机、接收机、扩音、录音、程控交换机、电 话、手机
• 网络：路由器、ATM交换机、收发器、调制解调器 • 工业：钢铁、石油化工、机加工、数控机床 • 交通：飞机、火车、轮船、汽车 • 军事：雷达、电子导航 • 航空航天：卫星定位、监测
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焊接电路板
• 1、先插小元件，后插大元件。 • 2、插件要注意元件正负极性。 • 3、检查是否有连锡，虚焊等等。 • 4、焊接工艺要，正确，美观，牢固。 • 5、测试。
1947年 晶体管诞生
1958年集成电 路研制成功
电子管、晶体管、集成电路比较
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一、本征半导体
1、什么是半导体？什么是本征半导体？
导电性介于导体与绝缘体之间的物质称为半导体。 导体－－铁、铝、铜等金属元素等低价元素，其最外层电 子在外电场作用下很容易产生定向移动，形成电流。 绝缘体－－惰性气体、橡胶等，其原子的最外层电子受原 子核的束缚力很强，只有在外电场强到一定程度时才可能导 电。 半导体－－硅（Si）、锗（Ge），均为四价元素，它们原 子的最外层电子受原子核的束缚力介于导体与绝缘体之间。 本征半导体是纯净的晶体结构的半导体。
• 最大整流电流IF：最大平均值 • 最大反向工作电压UR：最大瞬时值 • 反向电流 IR：即IS • 最高工作频率fM：因PN结有电容效应
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简单电路
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晶体三极管
• 半导体三极管又称“晶体三极管”或“晶 体管”。在半导体锗或硅的单晶上制备两 个能相互影响的PN结，组成一个PNP（或 NPN）结构。是能起放大、振荡或开关等 作用的半导体电子器件。