集成电路试题库

半导体集成电路典型试题

绪论

1、什么叫半导体集成电路？

【答案：】

通过一系列的加工工艺，将晶体管，二极管等有源器件和电阻，电容等无源元件，按一定电路互连。

集成在一块半导体基片上。封装在一个外壳内，执行特定的电路或系统功能。

2、按照半导体集成电路的集成度来分，分为哪些类型，请同时写出它们对应的英文缩写

【答案：】

小规模集成电路（SSI），中规模集成电路（MSI），大规模集成电路（VSI），超大规模集成电路（VLSI），特大规模集成电路（ULSI），巨大规模集成电路（GSI）

3、按照器件类型分，半导体集成电路分为哪几类？

【答案：】

双极型（BJT）集成电路，单极型（MOS）集成电路，Bi-CMOS型集成电路。

4、按电路功能或信号类型分，半导体集成电路分为哪几类？

【答案：】

数字集成电路，模拟集成电路，数模混合集成电路。

5、什么是特征尺寸？它对集成电路工艺有何影响？

【答案：】

集成电路中半导体器件的最小尺寸如MOSFET的最小沟道长度。是衡量集成电路加工和设计水平的重要标志。它的减小使得芯片集成度的直接提高。

6、名词解释：集成度、wafer size、die size、摩尔定律？

【答案：】

7、分析下面的电路，指出它完成的逻辑功能，说明它和一般动态组合逻辑电路的不同,分析它的工作原理。

【答案：】

该电路可以完成NAND逻辑。与一般动态组合逻辑电路相比，它增加了一个MOS管M kp，它可以解决一般动态组合逻辑电路存在的电荷分配的问题。对于一般的动态组合逻辑电路，在评估阶段，A=“H” B=“L”, 电荷被OUT处和A处的电荷分配，整体的阈值下降，可能导致OUT的输出错误。

该电路增加了一个MOS管M kp，在预充电阶段，M kp导通，对C点充电到V dd。在评估阶段，M kp

截至，不影响电路的正常输出。

8、延迟时间

【答案：】

时钟沿与输出端之间的延迟

第1章集成电路的基本制造工艺

1、四层三结的结构的双极型晶体管中隐埋层的作用

【答案：】

减小集电极串联电阻，减小寄生PNP管的影响

2、在制作晶体管的时候，衬底材料电阻率的选取对器件有何影响

【答案：】

电阻率过大将增大集电极串联电阻，扩大饱和压降，若过小耐压低，结电容增大，且外延时下推大

3、简单叙述一下pn结隔离的NPN晶体管的光刻步骤

【答案：】

第一次光刻：N+隐埋层扩散孔光刻

第二次光刻：P隔离扩散孔光刻

第三次光刻：P型基区扩散孔光刻

第四次光刻：N+发射区扩散孔光刻

第五次光刻：引线孔光刻

第六次光刻：反刻铝

4、简述硅栅p阱CMOS的光刻步骤

【答案：】

P阱光刻，光刻有源区，光刻多晶硅，P+区光刻，N+区光刻，光刻接触孔，光刻铝线

5、以p阱CMOS工艺为基础的BiCMOS的有哪些不足

【答案：】

NPN晶体管电流增益小，集电极串联电阻大，NPN管的C极只能接固定电位

6、以N阱CMOS工艺为基础的BiCMOS的有哪些优缺点？并请提出改进方法

【答案：】

首先NPN具有较薄的基区，提高了其性能：N阱使得NPN管C极与衬底断开，可根据电路需要接任意电位。缺点：集电极串联电阻还是太大，影响其双极器件的驱动能力。改进方法在N阱里加隐埋层，使NPN管的集电极电阻减小。提高器件的抗闩锁效应。

7、请画出NPN晶体管的版图，并且标注各层掺杂区域类型

【答案：】