集成电路设计练习题

集成电路设计练习题2009

1、说明一个半导体集成电路成本的组成。

2、简述CMOS 工艺流程。简述CMOS 集成电路制造的过程中需要重复进行的工艺步骤。

3、描述你对集成电路工艺的认识。列举几种集成电路典型工艺。工艺上常提到0.25,0.18 指的是什么？简述CMOS 工艺技术的发展趋势。

4、你知道的集成电路设计的表达方式有哪几种？

5、现有一用户需要一种集成电路产品，要求该产品能够实现如下功能：y=lnx其中，x为4位二进制整数输入信号。y 为二进制小数输出，要求保留两位小数。电源电压为3~5v 假设公司接到该项目后，交由你来负责该产品的设计，试讨论该产品的设计全程。

6、请谈谈对一个系统设计的总体思路。针对这个思路，你觉得应该具备哪些方面的知识？

7、描述你对集成电路设计流程的认识。

8、集成电路前端设计流程，后端设计流程，相关的工具。

9、从RTL synthesis 到tape out 之间的设计flow ，并列出其中各步使用的tool.

10、简述FPGA 等可编程逻辑器件设计流程。

11、简述半定制数字电路的设计流程。

12、简要说明并比较数字集成电路几种不同的实现方法。

13、什么是集成电路的设计规则。

14、同步电路和异步电路的区别是什么？

15、画出CMOS 电路的晶体管级电路图，实现Y=AB+C(D+E)

16、在CMOS电路中，要有一个单管作为开关管精确传递模拟低电平，这个单管你会用P管还是N 管，为什么？

17、硅栅COMS工艺中N阱中做的是P管还是N管，N阱的阱电位的连接有什么要求？

18、名词解释：VLSI, CMOS, EDA, VHDL, DRC, LVS, DFT, STA

19、画出CMOS 与非门的电路，并画出波形图简述其功能。

20、latch 与register 的区别，为什么现在多用register 。行为级描述中latch 如何产生的。

21、F PGA和ASIC的概念，他们的区别。

22、P lease explain how we describe the resistance in semiconductor. Compare the

resistance of a metal, poly and diffusion in traditional CMOS process. （威盛笔试题circuit design-beijing-03.11.09 ）

23、P lease show the CMOS inverter schematic, layout and its cross section with P-well process. Plot its transfer curve （Vout-Vin）. And also explain the operation region of PMOS and NMOS for each segment of the transfer curve?

24、P lease draw the transistor level schematic of a CMOS 2 input AND gate and explain which input has faster response for output rising edge.（less delay time）。

25、T o design a CMOS inverter with balance rise and fall time, please define the ration of channel width of PMOS and NMOS and explain?

26、为什么一个标准的倒相器中P 管的宽长比要比N 管的宽长比大？

27、画出CMOS 晶体管的CROSS-OVER 图（应该是纵剖面图），给出所有可能的传输特性和转移

特性。（Infineon 笔试试题）

28、目前集成电路产业发展到IP/Soc 阶段，你是怎么理解IP 复用技术的？

29、可编程逻辑器件在现代电子设计中越来越重要，请问：a）你所知道的可编程逻辑器件有哪些？b）试用VHDL或VERILOG描述8位D触发器逻辑。

30、评价数字集成电路设计质量的指标有哪些？他们分别用什么来表示（或衡量）？

31、你认为目前数字集成电路设计中亟待解决的问题有哪些？为什么？

32、M OSFET 本征寄生电容的来源是什么。计算一个具有以下参数的NMOS 管零偏置时所有相关电容

的值。

33、特征尺寸的不断缩小对MOS 管的工作特点和性质以及间接的对数字电路设计指标等有什么影响。

34、工艺尺寸的缩小对互连线有什么影响？35、集成电路的导线引哪些寄生参数效应，他们对电路的特性有什么影响？

36、叙述静态CMOS 的重要特性。

37、降低电源电压对CMOS 管稳定性有何影响。

38、推导反相器一阶传播延时的表达式（一阶分析），说明减小一个门的传播延时的方法。

39、讨论晶体管尺寸与能耗之间的关系。

40、对于由N 个反相器组成的具有固定输入和输出电容的反相器链，为使通过反相器链的延时最小，如何确定反向器链的尺寸及级数。

41、CMOS 电路的功耗与哪些因素有关，如何降低电路的功耗？

42、如何降低大扇入电路的延时？

43、逻辑门的动态功耗可以通过减小它的实际电容和开关活动性来降低，降低开关活动性的设计技术有哪些？

44、动态逻辑门有哪些特性？

45、时序逻辑电路（锁存器和寄存器）有静态和动态两类，试对这两类电路进行比较。

46、流水线是优化时序电路的一种重要方法，NORA-CMOS 逻辑形式的流水线结构有哪些特性。

47、一般数字信号处理器由哪些模块构成，对各模块进行简要说明。

48、说明模拟和验证的区别。

49、什么是Setup 和Holdup 时间？setup 和holdup 时间，区别

50、解释setup time 和hold time 的定义和在时钟信号延迟时的变化。

51、解释setup 和hold time violation ，画图说明，并说明解决办法。

52、如何解决亚稳态。亚稳态是指触发器无法在某个规定时间段内达到一个可确认的状态。当一个

触发器进入亚稳态时，既无法预测该单元的输出电平，也无法预测何时输出才能稳定在某个正确的