《模拟电子专业技术基础教程》华成英——第九章习题解答
模拟电子技术总结(华成英)
； 理解基本放大电路的组成和工作原理； 掌握放大电路的静态、动态指标的分析计算（含 图解法和小信号模型分析法）； 理解共E、共C、共B三种基本放大电路的组成及其 特点； 掌握多级放大电路的分析计算； 掌握放大电路频率响应的分析方法。
第五章场效应管放大电路
重点 了解场效应管的工作原理和场效应管的输出特 性、转移特性和主要参数 掌握场效应管放大电路的组成、工作原理和电 路特点，以及分析放大电路静态和动态参数的 一般办法。
第九章信号处理与信号产生电路
重点
理解有源滤波电路的有关概念、幅频特性和用途，掌握滤 波电路的识别和分析方法。
理解正弦波振荡电路的组成和各部分的作用，掌握RC正 弦波振荡电路、LC正弦波振荡电路、石英晶体正弦波振 荡电路的工作原理和是否能产生正弦波振荡的判别方法。 掌握单门限电压比较器（含过零比较器）、迟滞比较器的 分析和电压传输特性的求解方法。 理解与普通运放比较，集成电压比较器的特点。 掌握矩形波、三角波和锯齿波等非正弦波产生电路的工作 原理、波形分析和主要参数的求解方法。
第十章直流稳压电源
重点
掌握单相整流电路的工作原理和分析方法；
了解典型滤波电路的工作原理，掌握电容滤波 电路输出电压平均值的估算； 理解线性串联型稳压电路的工作原理。掌握集 成稳压器的应用。
第七章反馈放大电路
重点 掌握反馈的基本概念及反馈的判别方法。 理解负反馈放大电路的四种组态及增益的一般 表达式。 理解负反馈对放大电路性能的影响。 掌握深度负反馈条件下增益的近似计算。 理解负反馈放大电路稳定性判别方法和自激振 荡的消除方法。
第八章功率放大电路
重点 掌握OCL功率放大电路的组成、工作原理、最 大输出功率和效率的估算以及功放管的选择。 了解各种功率放大电路的特点。
模拟电子技术基础-清华大学 华成英-全套完整版精编版
六、课程的目的
本课程通过对常用电子元器件、模拟电路及其系统的分 析和设计的学习，使学生获得模拟电子技术方面的基础知 识、基础理论和基本技能，为深入学习电子技术及其在专 业中的应用打下基础。 1. 掌握基本概念、基本电路、基本方法和基本实验技能。 2. 具有能够继续深入学习和接受电子技术新发展的能力，
为什么要将半导体变成导电性很差的本征半导体？
华成英 hchya@
二、杂质半导体
1. N型半导体
5
多数载流子
空穴比未加杂质时的数目多 了？少了？为什么？
杂质半导体主要靠多数载流 子导电。掺入杂质越多，多子 浓度越高，导电性越强，实现 导电性可控。
磷（P）
华成英 hchya@
模拟电子技术基础
清华大学 华成英
华成英 hchya@
绪论
一、电子技术的发展 二、模拟信号与模拟电路 三、电子信息系统的组成 四、模拟电子技术基础课的特点 五、如何学习这门课程 六、课程的目的 七、考查方法
华成英 hchya@
一、电子技术的发展
以及将所学知识用于本专业的能力。
注重培养系统的观念、工程的观念、科技进步 的观念和创新意识，学习科学的思维方法。提倡 快乐学习！
华成英 hchya@
七、考查方法
1. 会看：读图，定性分析 考查分析问题的能力
2. 会算：定量计算 3. 会选：电路形式、器件、参数
考查解决问题的能力－－设计能力 4. 会调：仪器选用、测试方法、故障诊断、EDA
➢ 基本分析方法：不同类型的电路有不同的性能指标 和描述方法，因而有不同的分析方法。 2. 注意定性分析和近似分析的重要性 3. 学会辩证、全面地分析电子电路中的问题 ➢ 根据需求，最适用的电路才是最好的电路。 ➢ 要研究利弊关系，通常“有一利必有一弊”。 4. 注意电路中常用定理在电子电路中的应用
《模拟电子技术基础》详细习题答案童诗白,华成英版,高教版)章 放大电路中的反馈题解
精品行业资料，仅供参考，需要可下载并修改后使用！第六章 放大电路中的反馈自测题一、在括号内填入“√”或“×”，表明下列说法是否正确。
（1）若放大电路的放大倍数为负，则引入的反馈一定是负反馈。
（ ）（2）负反馈放大电路的放大倍数与组成它的基本放大电路的放大倍数量纲相同。
（ ）（3）若放大电路引入负反馈，则负载电阻变化时，输出电压基本不变。
（ ）（4）阻容耦合放大电路的耦合电容、旁路电容越多，引入负反馈后，越容易产生低频振荡。
（ ）解：（1）× （2）√ （3）× （4）√二、已知交流负反馈有四种组态：A ．电压串联负反馈B ．电压并联负反馈C ．电流串联负反馈D ．电流并联负反馈选择合适的答案填入下列空格内，只填入A 、B 、C 或D 。
（1）欲得到电流－电压转换电路，应在放大电路中引入 ；（2）欲将电压信号转换成与之成比例的电流信号，应在放大电路中引入 ；（3）欲减小电路从信号源索取的电流，增大带负载能力，应在放大电路中引入 ；（4）欲从信号源获得更大的电流，并稳定输出电流，应在放大电路中引入 。
解：（1）B （2）C （3）A （4）D三、判断图T6.3所示各电路中是否引入了反馈；若引入了反馈，则判断是正反馈还是负反馈；若引入了交流负反馈，则判断是哪种组态的负反馈，并求出反馈系数和深度负反馈条件下的电压放大倍数f u A 或fs u A 。
设图中所有电容对交流信号均可视为短路。
图T6.3解：图（a ）所示电路中引入了电流串联负反馈。
反馈系数和深度负反馈条件下的电压放大倍数fu A 分别为 L 31321f 32131 R R R R R R A R R R R R F u ⋅++≈++= 式中R L 为电流表的等效电阻。
图（b ）所示电路中引入了电压并联负反馈。
反馈系数和深度负反馈条件下的电压放大倍数fu A 分别为 12f 2 1R R A R F u -≈-= 图（c ）所示电路中引入了电压串联负反馈。
《模拟电子技术基础》(童诗白、华成英第四版)习题解答
模拟电子技术基础第四版清华大学电子学教研组编童诗白华成英主编自测题与习题解答山东大学物理与微电子学院目录第1章常用半导体器件‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥3第2章基本放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥14 第3章多级放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥31 第4章集成运算放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥41 第5章放大电路的频率响应‥‥‥‥‥‥‥‥50 第6章放大电路中的反馈‥‥‥‥‥‥‥‥‥60 第7章信号的运算和处理‥‥‥‥‥‥‥‥‥74 第8章波形的发生和信号的转换‥‥‥‥‥‥90 第9章功率放大电路‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥114 第10章直流电源‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥‥126第1章常用半导体器件自测题一、判断下列说法是否正确，用“×”和“√”表示判断结果填入空内。
(1)在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P 型半导体。
( √ )(2)因为N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。
( ×)(3)PN 结在无光照、无外加电压时，结电流为零。
( √ )(4)处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。
( ×)(5)结型场效应管外加的栅一源电压应使栅一源间的耗尽层承受反向电压，才能保证R大的特点。
( √)其GSU大于零，则其输入电阻会明显变小。
( ×) (6)若耗尽型N 沟道MOS 管的GS二、选择正确答案填入空内。
(l) PN 结加正向电压时，空间电荷区将 A 。
A.变窄B.基本不变C.变宽(2)稳压管的稳压区是其工作在 C 。
A.正向导通B.反向截止C.反向击穿(3)当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 B 。
A.前者反偏、后者也反偏B.前者正偏、后者反偏C.前者正偏、后者也正偏(4) U GS=0V时，能够工作在恒流区的场效应管有A 、C 。
A.结型管B.增强型MOS 管C.耗尽型MOS 管三、写出图Tl.3所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压U D=0.7V。
模拟电子技术基础习题解答第四版童诗白华成英第一部分
第一部分模拟电子技术基础第四版清华大学电子学教研组编童诗白华成英主编自测题与习题解答第1章常用半导体器件自测题一、判断下列说法是否正确，用“×”和“√”表示判断结果填入空内。
(1)在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P 型半导体。
( √)(2)因为N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。
( ×)(3)PN 结在无光照、无外加电压时，结电流为零。
( √)(4)处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。
( ×)R (5)结型场效应管外加的栅一源电压应使栅一源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其GS 大的特点。
( √)U大于零，则其输入电阻会明显变小。
( ×)(6)若耗尽型N 沟道MOS 管的GS二、选择正确答案填入空内。
(l) PN 结加正向电压时，空间电荷区将 A 。
A.变窄B.基本不变C.变宽(2)稳压管的稳压区是其工作在 C 。
A.正向导通B.反向截止C.反向击穿(3)当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为 B 。
A.前者反偏、后者也反偏B.前者正偏、后者反偏C.前者正偏、后者也正偏(4) U GS=0V时，能够工作在恒流区的场效应管有A 、C 。
A.结型管B.增强型MOS 管C.耗尽型MOS 管三、写出图Tl.3所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压U D=0.7V。
图T1.3解：U O1=1.3V, U O2=0V, U O3=-1.3V, U O4=2V, U O5=1.3V, U O6=-2V。
四、已知稳压管的稳压值U Z=6V，稳定电流的最小值I Zmin=5mA。
求图Tl.4所示电路中U O1和U O2各为多少伏。
(a) (b)图T1.4 解：左图中稳压管工作在击穿状态，故U O1=6V 。
右图中稳压管没有击穿，故U O2=5V 。
五、电路如图T1.5所示，V CC =15V ，β=100，U BE =0.7V 。
《模拟电子技术基础教程》华成英-第九章习题解答
UHA浪形的发生与变换电路9.1判断下列说法的正、误，在相应的括号内画表示正踊•画“X”表示错15L(1)只要满足正荻波振荡的相位条件，电路就一定能振荡.( 〉(2)正弦波振疡电路维持振荡的輛值条件是|AF|=1.( )(3)只要引人了正反锻•电路就一定能产生正弦波振荡.( )(4)只要引人了负反馈，电路就一定不能产生正戎波振荡.( )<5)正弦波振荡电賂需耍非线性环节的原因足要稳定振荡幣值.( )(6)LC正弦波振荡电路不采用通用型集成运放作为放大电路的原因是因其上限截止频率太低•< )(7)LC正弦波振荡电路一般采用分立元件组成放大电路•既作为基本放大电路又作为稳幅环节。
< >解(1〉X (2) v <3) X (4) X (5) V (6〉J (7) 79.2现有放大电路和选频网络如下，选择止确的答案填空.A.共射放大电路B.共集放大电路C.共基放大电路D.同相比例运算电路E. RC申并联网络F. LC并联网络G.石英晶体(1)制作频率为20Hz〜20kHz的音频信号发生电路，应选用___________ 作为基本放大电路、 ______ 作为选额网络•(2)制作频率为2MHz〜20MHz的接收机的本机振荡器•应选用 __________________ 戒 _______ 作为棊本放大电路、________ 作为选频网络•(3)产生频牢为800MHz〜900MHz的奇施载波侑号•应选用___________ 作为基本放大电路、 ______ 作为选频网络•(4)制作频率为20MHz且非常揚定的演试用依号源•应选用____________ 作为基本放大电路、 ______ 作为选劈网络.解(1)D・E (2) A 或C.F (3)C・F (4) GG9.3选择题（1）设放大倍数为A•反饰系数为戶.正弦波振荡电路产生自激掘荡的条件是•负反馈放大电路产生自激振荡的条件是_______________ •（2） _______________________________________ 正弦波振荡电路的主更组成部分是___ v _、 ________________________________________ 和 _____ °解（1> AF = I,A F =-I（2）放大电路、反馈网络、选频网络、稳幅环节9.4判断图P9M所示电路是否可能产牛:正弦波振荡，简述理由。
Word版——模拟电子技术基础第三版童诗白华成英主编课后习题答案
第一章 半导体基础知识自测题一、（1）√）√ （2）×）× （3）√）√ （4）×）× （5）√）√ （6）×）×二、（1）A （2）C （3）C （4）B （5）A C 三、U O1≈1.3V U O2＝0 U O3≈－1.3V U O4≈2V U O5≈2.3V U O6≈－2V 四、U O1＝6V U O2＝5V 五、根据P CM ＝200mW 可得：U CE ＝40V 时I C ＝5mA ，U CE ＝30V 时I C ≈6.67mA ，U CE＝20V 时I C ＝10mA ，U CE ＝10V 时I C ＝20mA ，将改点连接成曲线，即为临界过损耗线。
图略。
略。
六、1、V2V mA 6.2μA 26V C C CC CEB C bBEBB B =-====-=R I U I I RU I b U O ＝U CE ＝2V 。
2、临界饱和时U CES ＝U BE ＝0.7V ，所以，所以W»-====-=k 4.45V μA 6.28mA86.2V BBEBB b CB c CESCC C I U R I I R U I b七、T 1：恒流区；T 2：夹断区；T 3：可变电阻区。
：可变电阻区。
习题1.1（1）A C （2）A （3）C （4）A 1.2不能。
因为二极管的正向电流与其端电压成指数关系，当端电压为1.3V 时管子会因电流过大而烧坏。
烧坏。
1.3 u i 和u o 的波形如图所示。
的波形如图所示。
1.4 ui 和u o 的波形如图所示。
的波形如图所示。
ttu u OOi o /V/V1010tu O i /V53-3tu O O /V3.7-3.7L )tu OI1/V30.3tu OI2/V30.3tu OO /V3.71tu 0I /V63tu 0O1/V3tu 0O2/V3管号管号T 1 T 2 T 3 T 4 T 5 T 6 上 e c e b c b 中 b b b e e e 下c e c c b c 管型管型PNP NPN NPN PNP PNP NPN 材料材料Si Si Si Ge Ge Ge ，b BE CC BE CC --R U V U V BEI I GS)1.01mA5mA(a)(b))U LI I U b be L Lb R R RU U 123io ..R R U U 14io..R U 2i.U o.U i.U o.R L(a)(b)(c)(d)R 4R 3 L o b 22L c b1Ib 32 2[)be 4 4122be22 +b b L e e b b be sL c b b iL c iU U 2DQDSS GSD¶IIU u mA 2DO DQ I I U+BEQ4E4E4I U R I {}c4e4be4c2b b b{}2be23232be221b b b 42be2321b b 322be221]b b b ∥82)b 322be2b b42be211b b 42be231b b 2be 4b WO c W c W O)2( )2+D b b bW c WW R R b I2I1r b LOL b )2L{}{}6be57554be46454be421)1(b b b b b +R 2oCEQ CC -u AU V RC BBE BE4CC b b 2C0EBCC =I b )DS2O u u u D D Ou u()(DS4uOD D Oc23be c12eb' i00bb))()())()(f f f f f 或1C r R R C R R r r ))())(10f f f ))())(f f f 31.1 )Hf))(10f f ))(5f f f fsb s 211ttI Us bs e b'e b'i ))()16(i f f R10121 ))()(5f ，，所以＞32131 ＜＜－1R U U 1U 1U U 11U 21U 923o o 2o o o o 2o o L L o L o o L 87942L 87o o 4o o L 1L 4o o )R U U u i ↑←↑←＞＞321321321321即F，代入数据f 6f 1f1＞A+-i I(1)(2)(3)(4)A+-u O+-R RR Lu O u IA+-R R u Ou I12A+-+-R R Lu O R i I121U U U RRr U iiono....I iC R R R U U f i f o f i o i i 1))w w ，∥fod f id f o f o f fid f id od F i OO 11)(A R r A R u u -D A+-RR u Ou IffR R i整个电路的输入电阻约为（R ＋R f /A od ）。
《模拟电子技术基础》详细习题答案童诗白,华成英版,高教版)章 模拟电子电路读图题解
精品行业资料，仅供参考，需要可下载并修改后使用！第十一章 模拟电子电路读图习 题11.1 电路如图P11.1所示，其功能是实现模拟计算，求解微分方程。
（1）求出微分方程； （2）简述电路原理。
图P 11.1解：（1）设A 1、A 3的输出电压分别为u O 1、u O 3。
由于每个集成运放均引入了负反馈，根据“虚断” 和“虚短”可得下列关系式及微分方程：0)(d d )d (1 d 1)(I 41365742O 863O O 7865623I 134O14O O 78656O3O323I 13O1=-++⋅+⋅+--=-=-+=--=⎰⎰u CR R R C R R R R R u R R R t u t u R R R R R R R u R R C R t u CR u u R RR R R u u R Ru R R u（2）当参数选择合适时，输入合适u I ，便可在输出得到模拟解u O 。
11.2图P11.2所示为反馈式稳幅电路，其功能是：当输入电压变化时，输出电压基本不变。
主要技术指标为（1）输入电压波动20％时，输出电压波动小于0.1％；（2）输入信号频率从50～2000Hz变化时，输出电压波动小于0.1％；（3）负载电阻从10kΩ变为5 kΩ时，输出电压波动小于0.1％。
要求：（1）以每个集成运放为核心器件，说明各部分电路的功能；（2）用方框图表明各部分电路之间的相互关系；（3）简述电路的工作原理。
提示：场效应管工作在可变电阻区，电路通过集成运放A3的输出控制场效应管的工作电流，来达到调整输出电压的目的。
图P11.2解：（1）A1：反相比例运算电路；A2：半波精密整流电路；A3：二阶低通滤波器；T：等效成可变电阻。
（2）图P11.2所示电路的方框图如解图P11.2所示。
解图P 11.2（3）当参数选择合适时，若u i 幅值增大导致u O 增大，则r d s 减小，使得u O 1、u O 2减小，从而使u O 减小，趋于原来数值。
《模拟电子技术基础教程》华成英_第九章习题解答
下载可编辑U HA浪形的发生与变换电路9. \判朗卜列说法的正、淇、在相竝的括峥内细**7"表卞证鹽’圖严><”左朋镇谀.(1>只豐満足正弦波扳躋的柯位杀幷*哂路就一定能撮荡.( )4｝正孫玻振荡电賂缭特旅荡的輛侑衆件是( )估)只罄引人了正反惯•电路就一定能产主止弦波振荡.< )(4｝只耍引人『负反馈，电路就一定不能产生正葱疲梅荡* c )<5)止弦波振殊临路需善非线性歼为的驗因込要稳定扳荡幟魄*( >(6> LCjE^SJta电爵不采用通用取集成运枚怜为族大电路的原冈臭囲北匕限截It频率太低.< >(7) LC正弦波振禹电略-股采用分直元件亀成Jft丸电路•既作为草車放大(U爲又作为樹幅环节.< )H (1) X <2) V <3)X <4) X (5) 7 (6) V <7)J9U 现<!放大电路和选擴冏堵如下'选丼止确的答案填空.A.共射放先电路氐共筆放大电路C共基故大电路CX同相比觥运母电路 E. RC^KK网皓 E LCffJK网给G.石襄晶体(])制作魏率为20Hz-20kH3的自频信号发生电路•应选用…柞为墨本放大电路、______ 作为选H刚给・(2)制作牍那揃2Mlb〜20MH世的挂收机的本机摄斑痔*应选用 ______________ 或____ 作为尊本放大电路,_______ 作为透牖网堵.(3)严生疑幸为阳OMH J!*900MHt的高極载渡信号*城选用__________ 柞为基本放大电略、______ 作为选髓网堵.(4)制作频牵为2CJMH T常稳宦的测试用信号应选用_ _ _ 柞为基卑楝丸电賂、_ _ _作为选卿网堺.解(1) D*E (2) A 或C,P (3) C,F U) C.G9,3选料瞇(1)设放大借数为人•反馈系数为A正弦波眼荡也賂产生自激撮務的条件是_・负反憬隸大电路产生目藏抿翡的乗件壘_ 。
《模拟电子技术基础》详细习题答案童诗白,华成英版,高教版)章 直流电源题解
精品行业资料，仅供参考，需要可下载并修改后使用！第十章 直流电源自 测 题一、判断下列说法是否正确，用“√”“×”表示判断结果填入空内。
（1） 直流电源是一种将正弦信号转换为直流信号的波形变换电路。
（ ） （2） 直流电源是一种能量转换电路，它将交流能量转换为直流能量。
（ ） （3）在变压器副边电压和负载电阻相同的情况下，桥式整流电路的输出电流是半波整流电路输出电流的2倍。
（ ）因此，它们的整流管的平均电流比值为2:1。
（ ）（4）若U 2为电源变压器副边电压的有效值，则半波整流电容滤波电路和全波整流电容滤波电路在空载时的输出电压均为22U 。
（ ）（5）当输入电压U I 和负载电流I L 变化时，稳压电路的输出电压是绝对不变的。
（ ）（6）一般情况下，开关型稳压电路比线性稳压电路效率高。
（ ） 解：（1）× （2）√ （3）√ × （4）√ （5）× （6）√二、在图10.3.1（a ）中，已知变压器副边电压有效值U 2为10V ，23TC R L （T 为电网电压的周期）。
测得输出电压平均值U O （AV ）可能的数值为A. 14VB. 12VC. 9VD. 4.5V 选择合适答案填入空内。
（1）正常情况U O （AV ）≈ ； （2）电容虚焊时U O （AV ）≈ ； （3）负载电阻开路时U O （AV ）≈ ；（4）一只整流管和滤波电容同时开路，U O （AV ）≈ 。
解：（1）B （2）C （3）A （4）D三、填空：图T10.3在图T10.3所示电路中，调整管为 ，采样电路由 组成，基准电压电路由 组成， 比较放大电路由 组成， 保护电路由 组成；输出电压最小值的表达式为 ，最大值的表达式为 。
解：T 1，R 1、R 2、R 3，R 、D Z ，T 2、R c ，R 0、T 3；)( )(BE2Z 3321BE2Z 32321U U R R R R U U R R R R R +++++++，。
模拟电子技术基础清华大学 华成英全套完整版
• 为什么半导体器件有最高工作频率？
华成英 hchya@
§2 半导体二极管
一、二极管的组成 二、二极管的伏安特性及电流方程 三、二极管的等效电路 四、二极管的主要参数 五、稳压二极管
华成英 hchya@
有利于漂移运动，形成漂移电 流。由于电流很小，故可近似 认为其截止。
华成英 hchya@
四、PN 结的电容效应
1. 势垒电容
PN结外加电压变化时，空间电荷区的宽度将发生变 化，有电荷的积累和释放的过程，与电容的充放电相 同，其等效电容称为势垒电容Cb。
2. 扩散电容
PN结外加的正向电压变化时，在扩散路程中载流子 的浓度及其梯度均有变化，也有电荷的积累和释放的 过程，其等效电容称为扩散电容Cd。
第一个集成电路及其发明者 （ Jack Kilby from TI ）
1958年9月12日，在德州仪器公司 的实验室里，实现了把电子器件集成 在一块半导体材料上的构想。42年以 后， 2000年获诺贝尔物理学奖。 “为现代信息技术奠定了基础”。
华成英 hchya@
二、模拟信号与模拟电路
华成英 hchya@
§1 半导体基础知识
一、本征半导体 二、杂质半导体 三、PN结的形成及其单向导电性 四、PN结的电容效应
华成英 hchya@
一、本征半导体
1、什么是半导体？什么是本征半导体？
导电性介于导体与绝缘体之间的物质称为半导体。 导体－－铁、铝、铜等金属元素等低价元素，其最外层电 子在外电场作用下很容易产生定向移动，形成电流。 绝缘体－－惰性气体、橡胶等，其原子的最外层电子受原 子核的束缚力很强，只有在外电场强到一定程度时才可能导 电。 半导体－－硅（Si）、锗（Ge），均为四价元素，它们原 子的最外层电子受原子核的束缚力介于导体与绝缘体之间。 本征半导体是纯净的晶体结构的半导体。