模拟电子技术试题2

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电子技术基础(模拟部分)习题答案

电子技术基础(模拟部分)习题答案

一、填空1.杂质半导体分为N型和P型两种类型。

2.在下述电路中,能使二极管导通的电路是a。

3.在电路管、Ve=0.6V、Vc=5V,则该三极管处于放大工作状态。

4.衡量双极型三极管放大能力的参数是β,衡量其温度稳定性的参数是__I CBO ___。

5.N沟道J型FET工作在恒流区的条件是_u ds>U GS(OFF)__,它的截止条件为__ u Gs≤U GS(OFF)__。

6.在基本OCL功放电路中,设电源电压为±15V,负载电阻R L=8Ω,则理想情况最大输出功率为_ 14.06 _ W,理想效率为78.5%_。

7.在集成电路中广泛采用的恒流源电路,在实际电路中,经常作为偏置电路和有源负载广泛使用。

8.通用型集成运放的输入级一般采用_差分放大电路_电路,其主要目的是抑制0点漂移。

9.为了稳定放大电路的静态工作点,可以引入直流负反馈_,为了稳定放大倍数应引人__交流负反馈_。

10.正弦波振荡电路就是一个没有输入信号的带选频网络的正反馈放大电路。

要使正弦波振荡电路产生持续振荡,必须满足的振幅平衡条件是_∣AF∣=1_,相位平衡条件是_ΦA+ΦF =0_。

11.在放大电路的设计中,主要引入_负__反馈以改善放大电路的性能。

此外,利用这种反馈,还可增加增益的恒定性,减少非线性失真,抑制噪声,扩展频带以及控制输入和输出阻抗,所有这些性能的改善是以牺牲_放大倍数__为代价的。

11.N型半导体是在单晶硅中掺入五价的微量元素而形成的,多数载流子是自由电子,少数载流子是空穴。

12.半导体PN结具有单相导电性特性。

13.在常温下,硅二极管的开启电压约为0.5 V,锗二极管的开启电压约为0.1 V,14.晶体三极管基本放大电路有共射极、共集电极和共基极三种组态。

15.在差动式放大电路中,差模输入信号等于两个输人端信号的_之差_;共模输入信号等于两个输入信号的__和的一半_。

16.设计一个负反馈放大电路,若要稳定输出电压,应引入电压负反馈;若要稳定输出电流,应引入电流负反馈;若要增加输入电阻,应引入串联负反馈。

新版模拟电子技术 部分参考答案(二)

新版模拟电子技术 部分参考答案(二)

习 题 55.1 阻容耦合放大电路如图5.1所示,已知1250ββ==,BEQ 0.7V U =,指出每级各是什么组态的电路,并计算电路的输入电阻i R 。

u S图5.1 习题5.1电路图解: 第一级为共集放大电路,第二级为共射放大电路 (1) )μA (1.51551257.015BQ1=⨯+-=I )m (56.2BQ1CQ1A I I =⋅=β)V (2.2556.215e1CQ1CC CEQ1=⨯-=⋅-=R I V U)(81856.22651300be1Ω=⨯+=r (2) )V (5.215501010BQ2=⨯+=V )mA (64.111.07.05.2EQ CQ2=+-=≈I I)V (5)11.05(64.115CEQ2=++⨯-=U)k (1.164.12651300be2Ω=⨯+=r (3) )k (56.3])1(//['//'e222be b2b12i Ω=++=R r R R R β )k (26.20]//)1(//[2i e111be b1i Ω=++=R R r R R β5.2 电路如图5.2所示,设两管的β=100,U BEQ =0.7V ,求:(1)I CQ1、U CEQ1、I CQ2、U CEQ2;(2)A u1、A u2、A u 、R i 和R o 。

u s-+u o图5.2 习题5.2电路图 图5.3 习题5.3电路图解: (1) CQ1EQ1CQ2010.2mA I I I I ====CQ1BB BEQ EQ160.7 5.3V,0.7V U V U U =-=-==-CEQ1CQ1EQ1 5.3(0.7)6V U U U =-=--=CEQ2CQ2EQ2CC CQ2C2EQ21510.20.47 5.3 4.91(V)U U U V I R U =-=-⋅-=-⨯-=(2) be2i25505.511100r R β===Ω++,i2u1be1100 5.51550R A r β⨯=-=-=- C2u2be210047085.4550R A r β⨯===,u u1u2(1)85.485.4A A A =⨯=-⨯=-i be1550R r ≈=Ω,o o2c2470R R R ≈==Ω5.3 电路如图5.3所示,设VT 1与VT 2的小信号参数分别为β1、r be1和β2、r be2。

模拟电子技术试卷2附答案

模拟电子技术试卷2附答案

考试科目 《模拟电子技术》 专业 (A 类B 卷)学号 姓名 考试日期: 年 月 日一、选择题(8小题,每空2分,共20分)1.电路如图所示,()V sin 05.0i t u ω=,当直流电源电压V 增大时,二极管V D 的动态电阻将__ __。

A .增大,B .减小,C .保持不变2.已知某N 沟道增强型MOS 场效应管的)GS(th U =4V 。

GS u =3V ,DS u =10V ,判断管子工作在 。

A .恒流区,B .可变电阻区 ,C .截止区3. 某直接耦合放大电路在输入电压为 0.1V 时,输出电压为 4V ;输入电压为 0.2V 时,输出电压为 8V (均指直流电压)。

则该放大电路的电压放大倍数为________________。

A .80 ,B .40,C .-40,D .20 4. 在某双极型晶体管放大电路中,测得)m V 20sin (680BE t u ω+=,A μ)10sin (20B t i ω+=,则该放大电路中晶体管的_ ___。

A .2,B .34,C .0.4,D .15. 差分放大电路如图所示。

设电路元件参数变化所引起静态工作点改变不会使放大管出现截止或饱和。

若R e 增加,差模电压放大倍数d u A 。

A .增大,B .减小,C .基本不变6. 为使其构成OCL 电路,V 2CES ≈U ,正常工作时,三极管可能承受的最大管压降≈CEmax U 。

A .36VB .34VC .32VD .18V(-18V)7. 已知图示放大电路中晶体管的=50,=1k 。

该放大电路的中频电压放大倍数约为___ _ _(A .50, B .100, C .200);下限截止频率约为___ __Hz(A .16, B .160, C .1.6k );当输入信号频率f =时,输出电压与输入电压相位差约为 _ _(A .45°, B .-45°, C .-135°, D .-225°)。

模拟电子技术试题及答案(18套)

模拟电子技术试题及答案(18套)

《模拟电子技术》模拟试题一一、填空题:(每空1分共40分)1、PN结正偏时(导通),反偏时(截止),所以PN结具有(单向)导电性。

2、漂移电流是(反向)电流,它由(少数)载流子形成,其大小与(温度)有关,而与外加电压(无关)。

3、所谓理想二极管,就是当其正偏时,结电阻为(零),等效成一条直线;当其反偏时,结电阻为(无穷大),等效成断开;4、三极管是(电流)控制元件,场效应管是(电压)控制元件。

5、三极管具有放大作用外部电压条件是发射结(正偏),集电结(反偏)。

6、当温度升高时,晶体三极管集电极电流Ic(增加),发射结压降(减小)。

7、三极管放大电路共有三种组态分别是(共基极)、(共集电极)、(共射极)放大电路。

8、为了稳定三极管放大电路的静态工作点,采用(直流)负反馈,为了稳定交流输出电流采用(电流)负反馈。

9、负反馈放大电路和放大倍数A F=(A/1+AF ),对于深度负反馈放大电路的放大倍数A F=(1/F )。

10、带有负反馈放大电路的频带宽度BW F=( 1+AF )BW,其中BW=( fH-fL ),( 1+AF )称为反馈深度。

11、差分放大电路输入端加上大小相等、极性相同的两个信号,称为(共模)信号,而加上大小相等、极性相反的两个信号,称为(差模)信号。

12、为了消除乙类互补功率放大器输出波形的(交越)失真,而采用(甲乙)类互补功率放大器。

13、OCL电路是(双)电源互补功率放大电路;OTL电路是(单)电源互补功率放大电路。

14、共集电极放大电路具有电压放大倍数(小于近似等于 1 ),输入电阻(大),输出电阻(小)等特点,所以常用在输入级,输出级或缓冲级。

15、差分放大电路能够抑制(零点)漂移,也称(温度)漂移,所以它广泛应用于(集成)电路中。

16、用待传输的低频信号去改变高频信号的幅度称为(调幅),未被调制的高频信号是运载信息的工具,称为(载波信号)。

17、模拟乘法器输出与输入的关系式是U0=(KUxUy),电路符号是()。

模拟电子技术试题及答案

模拟电子技术试题及答案

模拟电子技术试题及答案一、单项选择题(每题2分,共20分)1. 在模拟电路中,放大器的基本功能是()。

A. 整流B. 滤波C. 放大D. 调制答案:C2. 共发射极放大电路中,输出电压与输入电压相位()。

A. 相同B. 相反C. 不确定D. 无关系答案:B3. 理想运算放大器的输入阻抗是()。

A. 有限值B. 零C. 无穷大D. 负无穷大答案:C4. 在多级放大电路中,级间耦合方式通常采用()。

A. 直接耦合B. 阻容耦合C. 变压器耦合D. 光电耦合答案:B5. 负反馈可以()放大器的放大倍数。

A. 增加B. 减少C. 不影响D. 先增加后减少答案:B6. 场效应管的控制方式是()。

A. 电压控制电流B. 电流控制电压C. 电压控制电压D. 电流控制电流答案:A7. 模拟乘法器的主要功能是()。

A. 放大B. 滤波C. 调制D. 乘法运算答案:D8. 集成电路的电源电压通常为()。

A. 5VB. 12VC. 3.3VD. 以上都可以答案:D9. 差分放大电路可以()。

A. 放大共模信号B. 放大差模信号C. 抑制共模信号D. 抑制差模信号答案:C10. 模拟电路中的“地”通常是指()。

A. 电源正极B. 电源负极C. 信号参考点D. 接地点答案:C二、填空题(每题2分,共20分)11. 放大器的增益通常用表示,单位是。

答案:增益;分贝(dB)12. 共基极放大电路的输入阻抗比共发射极放大电路的输入阻抗。

答案:高13. 运算放大器的输出电压范围受到限制。

答案:电源电压14. 场效应管的漏极电流与栅极电压之间的关系是。

答案:非线性15. 负反馈可以提高放大器的。

答案:稳定性16. 模拟电路中的耦合方式有直接耦合、耦合和耦合。

答案:阻容;变压器17. 差分放大电路由两个放大电路组成。

答案:对称18. 集成电路中的晶体管通常采用工艺制造。

答案:平面19. 模拟电路中的“地”是信号的点。

答案:参考20. 模拟乘法器可以用于实现调制。

模拟电子技术习题2及答案

模拟电子技术习题2及答案

习题2 解答2.1 选择正确答案填入空内。

(1)有两个放大倍数相同、输入和输出电阻不同的放大电路A 和B ,对同一具有内阻的信号源电压进行放大。

在负载开路的情况下,测得电路A 的输出电压小。

这说明电路A 的 ( )。

A. 输入电阻大B. 输入电阻小C. 输出电阻大D. 输出电阻小(2)有两个放大倍数相同、输入和输出电阻不同的放大电路A 和B ,对同一理想电压源信号进行放大。

在连接相同负载的情况下,测得电路A 的输出电压小。

这说明电路A 的 ( )。

A. 输入电阻大B. 输入电阻小C. 输出电阻大D. 输出电阻小(3)在电压放大电路的上限截止频率点或下限截止频率点,电压增益比中频区增益下降3dB ,这时在相同输入电压条件下,与中频区比较,输出电压下降为( )倍。

A .1B .10C .1.414D .0.707(4)当负载电阻R L = 1k Ω时,电压放大电路输出电压比负载开路时输出电压减少20%,该放大电路的输出电阻R o 为( )。

A .0.25 k ΩB .0.5 k ΩC .1 k ΩD .1.5k ΩΩ==-=-=----k R V V V V R V V R V V o oo oo OL oo LOLooo OL oo 25.045)2.01()1(负载电压开路电压设:(5)电路如题图2.1.5所示,放大电路的输出端直接与输入端相连,则输出电阻R o ( )。

A .R 1 B .(1+β)R 1 C .R 1/ 1+β D .R 1/ β E .0(6)差模输入信号是两个输入端信号的( ),共模信号是两个输入端信号的( )。

A .差 B .和 C .平均值答案 (1)B (2)C (3)D (4)A (5)E (6)ACo s V2.2 将正确答案填入空内。

(1)在某放大电路输入端测量到输入正弦信号电流和电压的峰-峰值分别为5μA 和5 mV ,它们的相位相同;此时,输出端接2k Ω电阻负载,测量到正弦电压信号峰-峰值为1V ,则该放大电路的电压增益A v 等于 ,电流增益A i 等于 ,功率增益A p 等于 。

东莞理工学院模拟电子技术试卷含答案二

东莞理工学院模拟电子技术试卷含答案二

《模拟电子技术》模拟试题二一.填充题(每空1分,共20分)1.掺杂半导体有 型半导体和 型半导体两类。

2.PN 结的电容效应用 电容和 电容等效。

3.当温度升高时,晶体管的β和CBO I BE u (B i 不变456.为了使放大电路的o R 增大应引入电流负反馈;深反馈的条件是7络反馈系数的模F = 1/3 。

8.乙类互补推挽功率放大电路的静态功耗为 0 ,在理想情况下的最高能量转换效率可达到 78.5% 。

9.运放组成的方波-三角波发生器由迟滞比较器和 积分器 两个单元电路组成。

10.在整流电路的输入电压相等的情况下,半波、全波、桥式三种整流电路中,输出电压平均值最低的是半波 整流电路,二极管承受反向电压最高的是全波 整流电路。

二.分析计算题(共80分)1.(9分)电路如附图2.1所示,设T 的DSS I =2mA 、GS(off)U =-5V 。

试求:GSQ U 、DQ I 、DSQ U 值。

2.(12分)电路如附图2.2所示,设集成运放A 性能理想。

试问4R 引入什么反馈?并求Ou 的表达式。

3.(12分)电路如附图2.3所示,设T 1、T 2的特性完全对称,β=120、BE U = 0.6V ,开关S 闭合。

试求:(1)R I 、C2I 值;(2)若将开关S 打开,经过多少时间后,O u 下降到7.8V 。

4.(18分)电路如附图2.4所示,已知T 为3DG4A 型硅管,β=50、'bb r =80Ω, 1C 、2C 、e C 的电容量均足够大。

试求:(1)BQ U 、CQ I 、CEQ U 值;(2)i o u /U U A =、s o us /U U A =、i R 及o R 值。

5.(11分)一个尚未设计完成的文氏电桥振荡器及三个未接入的元件如附图2.5所示,已知灯泡t R 的冷态电阻小于1k Ω。

(1)请将1R 、2R 、t R 接到应接的位置完成这一电路设计。

(2)求出该文氏电桥振荡器的振荡频率0f 。

模拟电子技术基础习题(选择题)2

模拟电子技术基础习题(选择题)2

模拟电子技术基础习题(选择题)在下列每小题的四个备选答案中选出一个正确的答案,并将其字母标号填入题干的括号内。

(注意:括号外的字母不是参考答案)二、半导体二极管及其基本电路1.在杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于()。

A.温度B.掺杂工艺C.杂质浓度D.晶体缺陷2.当温度升高时,二极管的反向饱和电流将()。

A.增大B.减小C.不变D.很难说3.在杂质半导体中,少数载流子的浓度主要取决于()。

A. 温度B. 掺杂工艺C. 杂质浓度D. 晶体缺陷4.当PN结外加反向电压时,耗尽层宽度()。

A.变宽B.变窄C.不变D.不确定5.温度升高时,晶体二极管的V D(on)将()。

A.增大B.减小C.不变D.近似不变6.P 型半导体可以在纯净半导体中掺入()价元素实现。

A.3 B.4 C.5 D.67.当P 型半导体和N 型半导体相接触时,在P 型和N 型半导体交界处形成一个区域,下列的哪种名称不能描述该区域()?A.阻挡层B.耗尽层C.空间电荷区D.突变层三、半导体三极管及放大电路基础8.下列各组态放大电路中,若要求既有电压放大作用,又有电流放大作用,应选()。

A.共射组态B.共基组态C.共集组态D.共漏组态9.判别晶体管是否工作在饱和状态,最简单的方法是测量()。

A.I BB.V CEC.V BED.I C10.某个放大电路的电压增益为60dB,相当于多大的电压放大倍数?()。

A.120倍B.60倍C.100倍D.1000倍11.由PNP 管组成的共射放大电路,若测得V CEQ=-V CC,-V CC 为电源电压,则可判断该三极管处于()状态。

A.放大B.饱和C.截止D.击穿12.由NPN 型管组成的共射放大电路,输入u i 为正弦波,输出u0为波形,则该电路产生了()失真。

A.频率B.交越C.截止D.饱和13.某单级放大电路的通频带为f Bω1,由这样两个单级放大电路构成的两级放大电路,其总的通频带f Bω为()。

大学《模拟电子技术》复习试题及参考答案(二)

大学《模拟电子技术》复习试题及参考答案(二)

大学《模拟电子技术》试题及答案一、填空题1、当PN结外加正向电压时,P区接电源极,N区接电源极,此时,扩散电流漂移电流。

2、二极管最主要的特性是。

3、一个放大电路的对数幅频特性如图所示。

由图1-3可知,中频放大倍数|A vm|=__ __。

图1-3 图1-74、乙类放大器中每个晶体管的导通角是_ __,该放大器的理想效率为__ __,每个管子所承受的最大电压为__ _____。

5、差动放大电路的基本功能是对差模信号的_ _作用和对共模信号的_ _作用。

6、小功率直流稳压电源由变压、、__ __、四部分组成。

7、图1-8 (a)和(b)是两个放大管的不完整的符号,根据图中所给数据和电流方向,判断它们的导电类型分别为___________ 型和___________型,用半导体材料___________和___________制成,电流放大系数β分别为___________和___________。

二、选择题图2-3 图2-8 图2-9 图2-101、图2-3所示复合管中,下列答案正确的是( )。

A NPN 型B PNP 型C 不正确 2、N 型半导体是在本征半导体中加入( )后形成的杂质半导体。

A 空穴 B 三价元素 C 五价元素 3、有一晶体管接在放大电路中,今测得它的各极对地电位分别为V 1=2V,V 2=2.7V, V 3=6V,试判别管子的三个管脚分别是( )。

A 1:e 、2:b 、3:cB 1:c 、2:e 、3:bC 1:c 、2:b 、3:eD 其它情况4、用万用表直流电压档测得电路中PNP 型晶体管各极的对地电位分别是:V b =-12.3V,V e =-12V,V c =-18V。

则三极管的工作状态为( )。

A 放大B 饱和C 截止5、判断图2-5电路中的反馈组态为( )。

A 电压并联负反馈B 电压串联负反馈C 电流串联负反馈D 电流并联负反馈6、已知降压变压器次级绕组电压为12V ,负载两端的输出电压为10.8V ,则这是一个单相( )电路.A 桥式整流B 半波整流C 桥式整流电容滤波D 半波整流电容滤波7、直接耦合式多级放大电路与阻容耦合式(或变压器耦合式)多级放大电路相比,低频响应( )。

《模拟电子技术基础》试题2

《模拟电子技术基础》试题2

机电3+2《模拟电子技术基础》试题库2考生须知:1.本试卷分问卷和答卷两部分,满分100分,考试时间90分钟。

2.在答题卷密封区内请写明校名、姓名和学籍号。

3.全部答案都请做在答题卷标定的位置上,务必注意试题序号与答题序号相对应,直接做一、填空题(每空1分,共30分)1.根据导电能力来衡量,自然界的物质可以分为、和三类。

2.PN结正偏时,P区接电源的极,N区接电源的极。

3. 三极管按内部结构分为型和型,前者的图形符号是,后者的图形符号是。

4. 硅二极管导通时的正向管压降约 V,锗二极管导通时的正向管压降约 V。

5. 三极管工作在饱和状态的外部电压条件是:发射结,集电结。

6.当测得晶体三极管的集电极对地电压V C接近电源电压V CC时,表明该三极管处于________状态。

7.一放大器无反馈时的放大倍数A=120,加入负反馈后,放大倍数下降为A f=20,它的反馈深度1+AF= ,反馈系数F= 。

8.某工作在放大区的三极管,如果当I B从22μA增大到42μA,I C从1mA变为2mA,则它的放大倍数β为__________。

9.负反馈能使放大器的通频带__________,非线性失真__________。

10.在低通滤波电路中,电容器与负载联,电感与负载联。

11.通常使用法判断反馈放大器的反馈极性。

根据反馈信号是交流还是直流来分,可分为反馈和反馈。

12.由NPN三极管组成的放大电路中,输出电压波形的正半周失真,则产生了失真,它的静态工作点位置。

13.放大器的输出电阻,放大器能力越强。

14.单级共射极放大电路中,输入电压和输出电压的频率,相位。

二、单项选择题(每小题3分,共30分)1.对三极管放大作用的实质,下面说法正确的是( ) A.三极管可以把小能量放大成大能量 B.三极管可以把小电流放大成大电流C.三极管可以把小电压放大成大电压D.三极管可用较小的电流控制较大的电流2. 交流电源电压V 2=11伏的单相桥式整流电路,直流负载电阻RL=5欧,每个二极管通过的电流约为( )安。

模拟电子技术考试试题

模拟电子技术考试试题

模拟电子技术考试试题一、选择题(每题2分,共20分)1. 在模拟电路中,运算放大器的基本作用是:A. 放大电压B. 放大电流C. 调节电阻D. 转换能量形式2. 理想运算放大器的开环增益是:A. 有限的B. 非常大的C. 零D. 13. 负反馈在放大器中的作用是:A. 增加增益B. 减小增益C. 增加稳定性D. 减小输出阻抗4. 非线性失真主要发生在信号的哪个阶段:A. 线性放大B. 饱和区C. 截止区D. 过渡区5. 差分放大电路的主要优点是:A. 增益高B. 稳定性好C. 抑制共模干扰D. 功耗低6. 集成运算放大器的电源电压通常为:A. ±5VB. ±12VC. ±15VD. 所有选项都是可能的7. 以下哪个不是模拟信号的特点:A. 连续性B. 可量化C. 可模拟D. 可放大8. 一个理想的电压源的内阻是:A. 无穷大B. 非常大C. 零D. 有限9. 信号的频率响应特性通常用来描述:A. 放大器的增益B. 放大器的相位C. 放大器的稳定性D. 放大器的失真10. 一个理想的电流源的输出电流:A. 随负载变化B. 不随负载变化C. 随电压变化D. 不随电压变化二、简答题(每题5分,共20分)1. 简述运算放大器的两种基本配置:非反相放大器和反相放大器的工作原理。

2. 说明什么是共模抑制比(CMRR),并解释它在差分放大电路中的重要性。

3. 解释什么是电源抑制比(PSRR),并说明它对运算放大器性能的影响。

4. 描述在设计模拟电路时,为什么需要考虑温度漂移问题。

三、计算题(每题10分,共30分)1. 给定一个非反相放大器电路,其输入电阻为10kΩ,反馈电阻为2kΩ,求放大器的电压增益。

2. 如果一个差分放大电路的共模抑制比为60dB,共模输入电压为5V,求差模输出电压。

3. 设计一个简单的低通滤波器,其截止频率为1kHz,求所需的电阻和电容值。

四、分析题(每题15分,共30分)1. 分析一个带有负反馈的放大器电路,并说明负反馈对放大器性能的影响。

第2章模拟电子技术练习题

第2章模拟电子技术练习题

第二章模拟电子技术练习题2-1 电路如题2-1图所示,二极管为理想元件,t sin 3u i ω=V ,U=3V ,当ωt = 0 瞬间,输出电压 u O 等于何值? A . 0 V B . 3 VC . —3 VD . 0.7Vu O题2-1图2-1正确答案是A .提示:ωt = 0 瞬间u i = 0,二极管D 的阳极为电位最低点,因而此时二极管D 承受反向电压截止,0u u i 0==。

2-2 电路如题2-2图所示,二极管D 为理想元件,U S =5 V ,则电压u 0等于多少? A .U s B .U S / 2 C .0V D .0.7Vu O题2-2图2-2正确答案是A .提示:二极管承受正向电压而导通,二极管D 为理想元件,所以电阻两端电压应等于电压源电压,即u O = U s 。

2-3 电路如题2-3图所示,D 1,D 2 均为理想二极管,设V 6U 2=, U 1 的值小于 6V , 则U 0 为多大?A .+12VB .+6VC .U 1D .U 1 - U 2O题2-3图2-3正确答案是C .提示:D 1,D 2 均承受正向电压而导通,二极管为理想元件。

所以 u O = U 1 。

2-4 在同一测试条件下,测得三个同型号二极管的参数如下表所示,其中性能最好的一个二极管是哪一个?2-4提示:其他条件相同的情况下反向电流越小的二极管性能越好。

2-5 电路如题2-5图所示,A 点与 B 点的电位差U AB 约等于多少?A .0.3VB .-2.3VC .1.0VD .1.3VΩ100k Ω18k Ω6k ΩB题2-5图2-5正确答案是A .提示:先将二极管摘开,求出A 点和B 点的电位:Vk k VV Vk k VV B A 36)618(126100)100100(12=Ω⨯Ω+==Ω⨯Ω+=再判断二极管承受电压情况:二极管承受正向电压而导通,2AP15是锗管,导通管压降为0.3V 。

模拟电子技术综合复习(二)

模拟电子技术综合复习(二)

9处于放大状态的NPN型晶体管,各电极的电 位关系是_______。
A. VB>VC>VE C. VC>VB>VE B. VE>VB>VC D. VC>VE>VB
10.处于放大状态的PNP型晶体管,各电极的 电位关系是_______。
A. VB>VC>VE C. VC>VB>VE B. VE>VB>VC D. VC>VE>VB
V1 4V ,V2 1.2V ,V3 1.5V
二、选择题 1. 测得放大电路中某晶体管三个电极对地的电位分别为6V、 5.3V和-6V,则该三极管的类型为( )。 A.硅PNP型 B.硅NPN型 C.锗PNP型 D.锗NPN型
2.测得放大电路中某晶体管三个电极对地的电位分别为8V、 2.3V和2V,则该三极管的类型为( )。 A.硅PNP型 B.硅NPN型 C.锗PNP型 D.锗NPN型 3. 测得放大电路中某晶体管三个电极对地的电位分别为6V、 5.3V和12V,则该三极管的类型为( )。 A.硅PNP型 B.硅NPN型 C.锗PNP型 D.锗NPN型 4.测得放大电路中某晶体管三个电极对地的电位分别为6V、 5.7V和-6V,则该三极管的类型为( )。 A.硅PNP型 B.硅NPN型 C.锗PNP型 D.锗NPN型
6、工作在放大状态的双极型晶体管是 ( )。 A.电流控制元件 B.电压控制元件 C.不可控元件 7、用直流电压表测得三极管电极1、2、3的电位分别 为V1=1V,V2=1.3V,V3=-5V,则三个电极为 ( )。 A.1为e;2为b;3为c B.1为e;2为c;3为b C.1为b;2为e;3为c D.1为b;2为c;3为e 8.用直流电压表测得三极管电极1、2、3的电位分别 为V1=2V,V2=6V,V3=2.7V,则三个电极为 ( )。 A.1为e;2为b;3为c B.1为e;2为c;3为b C.1为b;2为e;3为c D.1为b;2为c;3为e

模拟电子技术试题及答案

模拟电子技术试题及答案

《模拟电子技术》试题(1卷)一、填空题(每空1分,共20分)1。

PN结中内电场阻止的扩散,推动的漂移运动.2. BJT工作在放大区时,其发射结处于偏置,集电结处于偏置。

3。

射极输出器的输入信号从极间输入,而输出是从极间取出。

因此,射极输出器是一个共极放大器。

4。

甲类功放BJT的导通角为;乙类功放BJT的导通角为;甲乙类功放BJT的导通角为;5。

若两个输入信号电压的大小,极性,就称为差模输入信号.6。

为了稳定放大器的工作点,应引入负反馈;为了稳定放大器的性能,应引入负反馈。

7.自激振荡电路主要由和两部分组成,前者要求有足够的放大倍数,后者要求反馈信号与输入信号。

8.在电感反馈三点式振荡器中,BJT c-e极间的回路元件是;b-e极间的回路元件是;c—b极间的回路元件是 .二、判断题(每小题1分,共10分)1.P型半导体中的多数载流子是空穴,因此,P型半导体带正电。

( )2.发射结处于反偏的BJT,它一定工作在截止区。

( )3.BJT是由两个PN结组合而成的,所以将两个二极管对接,也可以当BJT使用.( )4.BJT的输入电阻r be是对交流而言的一个动态电阻,在小信号情况下为常数。

5。

射极输出器的输入信号加在BJT的基极,输出取自发射极。

因此,输出电压的大小可用公式V E=V B—V BE进行计算。

( )6。

乙类功放中的两个BJT交替工作,各导通半个周期。

( )7。

与接入反馈前相比较,接入负反馈后,净输入量增大了.( )8。

在运放电路中,闭环增益Àf是指广义的放大倍数.()9。

凡是能产生自激振荡的电路一定具有正反馈。

()10.由LC元件组成的并联谐振回路谐振时的阻抗呈纯电阻性,且为最小值.( )三、选择题(每小题1分,共10分)1。

PN结外加正向电压时,其空间电荷区().a。

不变 b.变宽 c.变窄2。

测得BJT各电极对地电压为:V B=4.7V,V C=4.3V,V E=4V,则该BJT工作在( )状态。

模拟电子技术模电-第2章答案(含大题)

模拟电子技术模电-第2章答案(含大题)

第二章训练题一、判断题:1.只有电路既放大电流又放大电压,才称其有放大作用。

(×)2. 放大电路中输出的电流和电压都是由有源元件提供的。

(×)3.电路中各电量的交流成份是交流信号源提供的;(× )4.放大电路必须加上合适的直流电源才能正常工作。

5. 由于放大的对象是变化量,所以当输入信号为直流信号时,任何放大电路的输出都毫无变化。

(×)6. 当单级放大电路的静态工作点过高时,根据I b=I c/β,可选用β大的晶体三极管来减小I b 。

(×)7. 只要是共射放大电路,输出电压的底部失真都是饱和失真。

(×)8. 若单管共射放大电路中的三极管为NPN型,输出电压的底部失真时为饱和失真。

(√)9. 在共射放大电路中,若晶体管为NPN,输出电压u o出现底部失真,则该失真为截止失真。

(×)10. 由于放大的对象是变化量,所以当输入信号为直流信号时,任何放大电路的输出都毫无变化。

(×)11.可以说任何放大电路都有功率放大作用;(√)12.若单管共射放大电路出现截止失真,可适当增大基极电阻R B消除失真。

( × )13.某二级电压放大电路中,已知A u1=-10、A u2=-50 ,则总的电压放大倍数为500。

(√)14. 某二级电压放大电路中,已知Au1=50、Au2=100 ,则总的电压放大倍数为150。

(√)15. 现测得两个共射放大电路空载时的电压放大倍数均为-100,将它们连成两级放大电路,其电压放大倍数应为10000。

(×)16. 有人测得晶体管的U BE=0.7V, I B=20µA,因此推算出:be r=U BE/I B=0.7V/20µA=35KΩ。

(×)17.放大电路如图1所示,已知:U CC=12V,R B=240kΩ,R C=3kΩ,晶体管β=40,且忽略U BE。

模拟电子技术(西安交大)模拟考题二及参考答案

模拟电子技术(西安交大)模拟考题二及参考答案

模拟电子技术基础模拟考试题二及参考答案一、填空(每题2,共2分)1.硅稳压二极管在稳压电路中稳压时,通常工作于()。

(a) 正向导通状态 (b) 反向电击穿状态(c) 反向截止状态 (d) 热击穿状态2、整流的目的是()。

(a) 将交流变为直流 (b) 将高频变为低频(c) 将正弦波变为方波 (d) 将方波变为正弦波3、当信号频率在石英晶体的串联谐振频率和并联谐振频率之间时,石英晶体呈()。

(a) 容性 (b) 阻性 (c) 感性 (d) 无法判断4、为了避免50Hz电网电压的干扰进入放大器,应选用的滤波电路是()。

(a) 带阻 (b) 带通 (c) 低通 (d) 高通5、能实现函数Y=aX1+bX2+cX3,a、b和c均大于零的运算电路是()。

(a) 加法 (b) 减法 (c) 微分 (d) 积分6、欲从信号源获得更大的电流,并稳定输出电流,应在放大电路中引入()。

(a) 电压串联负反馈 (b) 电压并联负反馈(c) 电流串联负反馈 (d) 电流并联负反馈7、集成运放电路采用直接耦合方式是因为()。

(a) 可获得很大的放大倍数 (b) 可使温漂小(c) 集成工艺难于制造大容量电容 (d) 放大交流信号8、要求电压放大倍数的数值大于10,输入电阻大于10MΩ,输出电阻小于100Ω,第一级应采用,第二级应采用。

()(a) 共射电路, 共集电路 (b) 共集电路, 共射电路(c) 共基电路, 共集电路 (d) 共射电路, 共基电路9、直接耦合放大电路存在零点漂移的原因是()。

(a) 电阻阻值有误差 (b) 晶体管参数的分散性(c) 电源电压不稳定 (d) 晶体管参数受温度影响10、工作在放大区的某三极管,如果当I B从12μA增大到22μA时,I C从1mA变为2mA,那么它的β约为()。

(a) 83 (b) 91 (c) 100 (d) 120【解】1 、(b) 2 、(a) 3 、(c) 4 、(b) 5 、(a) 6 、(d) 7 、(c) 8 、(b) 9 、(d) 10 、(c)二、填空(共10题,每题2分,共20分)1、在室温(27℃)时,锗二极管的死区电压约 V,导通后在较大电流下的正向压降约 V,硅二极管的死区电压约 V;导通后在较大电流下的正向压降约 V。

模拟电子技术习题2及答案

模拟电子技术习题2及答案

习题2 解答选择正确答案填入空内。

(1)有两个放大倍数相同、输入和输出电阻不同的放大电路A 和B ,对同一具有内阻的信号源电压进行放大。

在负载开路的情况下,测得电路A 的输出电压小。

这说明电路A 的 ( )。

A. 输入电阻大B. 输入电阻小C. 输出电阻大D. 输出电阻小(2)有两个放大倍数相同、输入和输出电阻不同的放大电路A 和B ,对同一理想电压源信号进行放大。

在连接相同负载的情况下,测得电路A 的输出电压小。

这说明电路A 的 ( )。

A. 输入电阻大B. 输入电阻小C. 输出电阻大D. 输出电阻小(3)在电压放大电路的上限截止频率点或下限截止频率点,电压增益比中频区增益下降3dB ,这时在相同输入电压条件下,与中频区比较,输出电压下降为( )倍。

A .1B .10C .D .(4)当负载电阻R L = 1k Ω时,电压放大电路输出电压比负载开路时输出电压减少20%,该放大电路的输出电阻R o 为( )。

A .0.25 k ΩB .0.5 k ΩC .1 k ΩD .1.5k ΩΩ==-=-=----k R V V V V R V V R V V o oo oo OL oo LOLooo OL oo 25.045)2.01()1(负载电压开路电压设:(5)电路如题图所示,放大电路的输出端直接与输入端相连,则输出电阻R o ( )。

A .R 1B .(1+β)R 1C .R 1/ 1+βD .R 1/ βE .0(6)差模输入信号是两个输入端信号的( ),共模信号是两个输入端信号的( )。

A.差B.和C.平均值答案 (1)B (2)C (3)D (4)A (5)E (6)AC+_osV将正确答案填入空内。

(1)在某放大电路输入端测量到输入正弦信号电流和电压的峰-峰值分别为5μA 和5 mV ,它们的相位相同;此时,输出端接2k Ω电阻负载,测量到正弦电压信号峰-峰值为1V ,则该放大电路的电压增益A v 等于 ,电流增益A i 等于 ,功率增益Ap 等于 。

模拟电子技术试题库及答案

模拟电子技术试题库及答案
(3)由输入特性曲线可知,UBE从0.7V变到0.75V的过程中,ΔIB≈30μA,由输出特性曲线可知,ΔIC≈2.4mA,所以β≈2400/30≈80。
项目二试题(共100分,120分钟)
一、填空题:(每空1分,共25分)
1、基本放大电路的三种组态分别是:共射放大电路、共基放大电路和共集电极放大电路。
6、场效应管放大电路和双极型放大电路相比,具有输入电阻高,噪声低和集成度高等优点,但由于跨导较小,使用时应防止栅极与源极间短接击穿。
7、多级放大电路通常有直接耦合、阻容耦合和变压器耦合的三种耦合方式。
8、多级放大电路的级数越多,其电压增益越大;频带越窄。
二、判断下列说法的正确与错误:(每小题1分,共10分)
1、放大电路中的输入信号和输出信号的波形总是反相关系。(错)
2、放大电路中各电量的交流成分是由交流信号源提供的。(对)
3、分压偏置式共射放大电路是一种能够稳定静态工作点的放大器。(对)
4、设置静态工作点的目的是让交流信号叠加在直流量上全部通过放大器。(对)
5、晶体管的电流放大倍数通常等于放大电路的电压放大倍数。(错)
6、只要在二极管两端加正向电压,二极管就一定会导通。(×)
7、二极管只要工作在反向击穿区,一定会被击穿而造成永久损坏。(×)
8、三极管集电极电流大于它的最大允许电流ICM时,该管必定被击穿。(×)
9、场效应管若出厂前衬底与源极相连,则漏极和源极就不能互换使用。(√)
10、双极型三极管的集电极和发射极类型相同,因此可以互换使用。(×)
(1)观察图6-25,对应IB=60μA、UCE=3V处,集电极电流IC约为3.5mA;
(2)观察图6-25,对应IC=4mA、UCE=4V处,IB约小于80μA和大于70μA;
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模拟电子技术试题二(1)
2011-01-19 14:53:01 来源:西昌学院
关键字:模拟
一、判断(10分)
1、以自由电子导电为主的半导体称为N型半导体。

()
2、模拟信号的特点是信号在时间和幅度上均是连续的。

()
3、PN结具有单向导电特性。

()
4、差动放大电路结构可以抑制零点漂移现象。

()
5、交流放大器工作时,电路中同时存在直流分量和交流分量,直流分量表示静态工作点,交流分量表示信号的变化情况。

()
6、单管共发射极放大电路的集电极和基极相位相同。

()
7、直流负反馈不能稳定静态工作点。

()
8、晶体二极管击穿后立即烧毁。

()
9、采用集成电路和R,C元件构成的电路称为无源滤波电路。

()
10、集成稳压器79XX系列输出的是正向电压。

()
二、选择(10分)
1、P型半导体是在本征半导体内掺杂( )价元素。

A、3
B、5
C、2
D、4
2、稳压管工作于 ( )状态下,可以稳定电压。

A、正偏导通
B、反偏截止
C、反向击穿
3、三极管放大的外部条件 ( )。

A、正偏导通,反偏截止
B、正偏截止,反偏导通
C、正偏导通,反偏导通
D、正偏截止,反偏截止
4、既能放大电压,也能放大电流的电路 ( )。

A、共发射极
B、共集电极
C、共基级
D、以上均不能
5、共模抑制比越大,表明电路()。

A、放大倍数越稳定;
B、交流放大倍数越大;
C、抑制温漂能力越强;
D、输入信号中的差模成分越大。

6、放大电路中为增大输入电阻应引入()反馈,为稳定输出电压应引入()反馈,为稳定输出电流应引入()反馈,为减小输出电阻,应引入()反馈。

A、电压
B、电流
C、串联
D、并联
7、振荡电路中其振荡频率特别稳定的是()。

A、RC振荡电路
B、LC振荡电路
C、石英晶体振荡电路
三、在图1所示的电路中,已知输入信号u i=5sinωt V,试画出输出电压u o1和u o2的波形,设二极管为理想二极管。

(每题10分,共20分)
四、简答题(每题5分,共10分)
1.简述正弦波发生电路的组成结构、相位条件、幅度条件,以及起振条件。

2.简述负反馈对放大电路性能的影响。

五、已知测得放大电路中的三极管的两个电极的电流如图2所示。

(10分)
1.求另一电极电流的大小,并标出实际极性;
2.判断是NPN管还是PNP管;
3.标出e,b,c电极;
4.估算β值。

六、分析题(每题10分,共30分)
1.由运放组成的电路如图3所示,要求:
(1)指出电路的反馈组态;
(2)指出该组态对输入电阻和输出电阻的影响;(3)求出其输出电压uo和输入电压ui之间的关系。


2.电路如图4所示,电阻R1=R2=R4=20KΩ, R3=R5=40KΩ, R6 =200KΩ,试求输出电压与输入电压之间的关系式。



3.电路如图5所示:
(1)画出直流通路,并求静态工作点I B,I C,U CE的关系式。

(2)画出微变等效电路图,并求放大电压倍数A,输入电阻R i,输出电阻R O的关系式。

六、设计题(10分)
电路如图6所示,已知V2的有效值足够大,合理连线,构成12V的直流电源。

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模拟电子技术试题二(2)
2011-01-19 14:53:01 来源:西昌学院
关键字:模拟
答案
一、判断(10分)
1、以自由电子导电为主的半导体称为N型半导体。

(√)
2、模拟信号的特点是信号在时间和幅度上均是连续的。

(√)
3、PN结具有单向导电特性。

(√)
4、差动放大电路结构可以抑制零点漂移现象。

(√)
5、交流放大器工作时,电路中同时存在直流分量和交流分量,直流分量表示静态工作点,交流分量表示信号的变化情况。

(√)
6、单管共发射极放大电路的集电极和基极相位相同。

(×)
7、直流负反馈不能稳定静态工作点。

(×)
8、晶体二极管击穿后立即烧毁。

(×)
9、采用集成电路和R,C元件构成的电路称为无源滤波电路。

(×)
10、集成稳压器79XX系列输出的是正向电压。

(×)
二、选择(10分)
1、P型半导体是在本征半导体内掺杂( A )价元素。

A、3
B、5
C、2
D、4
2、稳压管工作于 ( C )状态下,可以稳定电压。

A、正偏导通
B、反偏截止
C、反向击穿
3、三极管放大的外部条件 ( A )。

A、正偏导通,反偏截止
B、正偏截止,反偏导通
C、正偏导通,反偏导通
D、正偏截止,反偏截止
4、既能放大电压,也能放大电流的电路 ( A )。

A、共发射极
B、共集电极
C、共基级
D、以上均不能
5、共模抑制比越大,表明电路( C )。

A、放大倍数越稳定;
B、交流放大倍数越大;
C、抑制温漂能力越强;
D、输入信号中的差模成分越大。

6、放大电路中为增大输入电阻应引入(C )反馈,为稳定输出电压应引入( A )反馈,为稳定输出电流应引入( B )反馈,为减小输出电阻,应引入( A )反馈。

A、电压
B、电流
C、串联
D、并联
7、振荡电路中其振荡频率特别稳定的是( C )。

A、RC振荡电路
B、LC振荡电路
C、石英晶体振荡电路
三、在图1所示的电路中,已知输入信号u i=5sinωt V,试画出输出电压u o1和u o2的波形,设二极管为理想二极管。

(每题10分,共20分)
四、简答题(每题5分,共10分)
1.简述正弦波发生电路的组成结构、相位条件、幅度条件,以及起振条件。

答:组成结构: (1) 放大电路。

(2) 反馈网络。

(3) 选频网络。

(4) 稳幅电路。

相位条件:
幅度条件:
起振条件:
2.简述负反馈对放大电路性能的影响。

稳定静态工作点;稳定放大倍数;提高输入电阻;降低输出电阻;扩展通频带。

五、已知测得放大电路中的三极管的两个电极的电流如图2所示。

(10分)
1.求另一电极电流的大小,并标出实际极性;
2.判断是NPN管还是PNP管;
3.标出e,b,c电极;
4.估算β值。

答:1、1.83mA,极性向外。

2、NPN管
3、略
4、β=1.8/0.03=60
六、分析题(每题10分,共30分)
1.由运放组成的电路如图3所示,要求:
(1)指出电路的反馈组态;
(2)指出该组态对输入电阻和输出电阻的影响;
(3)求出其输出电压uo和输入电压ui之间的关系。


答:电压并联负反馈;增大输入电阻,减小输出电阻。

Uo=-(Rf/R1)*ui
2.电路如图4所示,电阻R1=R2=R4=20KΩ, R3=R5=40KΩ, R6 =200KΩ,试求输出电压与输入电压之间的关系式。



答:uo=20ui1+20ui2-5ui3
3.电路如图5所示:
(1)画出直流通路,并求静态工作点I B,I C,U CE的关系式。

(2)画出微变等效电路图,并求放大电压倍数A,输入电阻R i,输出电阻R O的关系式。

答:
六、设计题(10分)
电路如图6所示,已知V2的有效值足够大,合理连线,构成12V的直流电源。

答:1-3,2-6,4-7-9,6-8-11-13,10-12,
[1] [2]
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编辑:徐玲珑
本文引用地址:/mndz/2011/0119/article_2848.html
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