场效应管放大电路13912

场效应管放大电路

一、选择填空（只填①、②…字样）

1．晶体管是依靠 ⑤ 导电来工作的 ⑦ 器件；场效应管是依靠 ① 导电来工作的 ⑥ 器件（①多数载流子，②少数载流子，③电子，④空穴，⑤多数载流子和少数载流子，⑥单极型，⑦双极型，⑧无极型）。

2．晶体管是 ② ；场效应管是 ① （①电压控制器件；②电流控制器件） 3．晶体管的输入电阻比场效应管的输入电阻 ③ （①大得多；②差不多；③小得多）。 4．晶体管的集电极电流 ② ；场效应管的漏极电流 ① （①穿过一个PN 结，② 穿过两个PN 结，③不穿过PN 结）

5．放大电路中的晶体管应工作在 ② ；场效应管应工作在 ① （①饱和区，②放大区，③截止区，④夹断区，⑤可变电阻区）。

6．绝缘栅型场效应管是利用改变 栅源两极 的大小来改变 沟道电阻 的大小，从而

达到控制 漏极电流 的目的；根据 栅源两极电压为零 时，有无 漏极电流 的差别，MOS 管可分为 耗尽 型和 增强 型两种类型。

7．NMOS 管最大的优点是 输入电阻较大 ；其栅—源电压的极性 为负 ，漏—源电压的极性 为正 ；对于增强型NMOS 管，这两种电压的极性 为正 ，对增强型PMOS 管这两种电压的极性为 负 。 8．耗尽型场效应管在恒流区的转移特性方程为()D GS DS

i f u u

==常数，它们都是反映

栅源两端电

压 对 漏极电流 控制特性的。

9、当场效应管的漏极直流电流I D 从2mA 变为4mA 时，它的低频跨导g m 将 。

A.增大

B.不变

C.减小

答案：A 二、解答题

2.已知场效应管的输出特性曲线如图P1.22所示，画出它在恒流区的转移特性曲线。

图P1.22

解：在场效应管的恒流区作横坐标的垂线〔如解图P1.22（a ）所示〕，读出其与各条曲线交点的纵坐标值及U GS 值，建立i D ＝f （u GS ）坐标系，描点，连线，即可得到转移特性曲线，如解图P1.22（b ）所示。

解图P1.22

3.结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其R GS 大的特点。（ ） 答案：√

4.若耗尽型N 沟道MOS 管的U GS 大于零，则其输入电阻会明显变小。（ ） 答案：×

5.电路如图1.23所示，T 的输出特性如图P1.22所示，分析当u I ＝4V 、8V 、12V 三种情况下场效应管分别工作在什么区域。

解：根据图P1.22所示T 的输出特性可知，其开启电压为5V ，根据图P1.23所示电路可知所以u GS ＝u I 。

当u I ＝4V 时，u GS 小于开启电压，故T 截止。

当u I ＝8V 时，设T 工作在恒流区，根据 输出特性可知i D ≈0.6mA ，管压降 u DS ≈V DD －i D R d ≈10V

因此，u GD ＝u GS －u DS ≈－2V ，小于开启电压， 图P1.23 说明假设成立，即T 工作在恒流区。

当u I ＝12V 时，由于V DD ＝12V ，必然使T 工作在可变电阻区。 6.U GS ＝0V 时，能够工作在恒流区的场效应管有 。

A. 结型管

B. 增强型MOS 管

C. 耗尽型MOS 管 答案：A

7.电路如图P5.14所示，已知C g s ＝C g d ＝5pF ，g m ＝5mS ，C 1＝C 2＝C S ＝10μF 。 试求f H 、f L 各约为多少，并写出

s u A 的表达式。

图P5.14

解：f H 、f L 、

s u A 的表达式分析如下：：

)10

1.1j 1)(16j 1()16j

(4.12MHz 1.1

)π(21pF

72)1(Hz

16π21

4

.12)(6

s

'gs g s H gd '

L m gs 'gs s

s L '

L m 'L m i

s i sm ⨯++⋅-≈

≈≈=

≈++=≈≈

-≈-≈-+=f

f f A C R R f C R

g C C C R f R g R g R R R A u u ∥

（5）U GS ＝0V 时，能够工作在恒流区的场效应管有 。

A. 结型管

B. 增强型MOS 管

C. 耗尽型MOS 管 （5）A C

8.一个JFET 的转移特性曲线如图题4.1.3所示，试问： （1） 它是N 沟道还是P 沟道FET ？

（2） 它的夹断电压V P 和饱和漏极电流I DSS 各是多少？

解 由图题4．1．3可见，它是N 沟道JFET ，其V P ＝–4 V ，I DSS ＝3 mA 。

9.一个MOSFET 的转移特性如图题4．3．3所示（其中漏极电流i D 的方向是它的实际方向）。试问：

（1）该管是耗尽型还是增强型？ （2）是N 沟道还是P 沟道FET ？

（3）从这个转移特性上可求出该FET 的夹断电压V P ，还是开启电压V T ？其值等于多少？

解：由图题 4.3.3可见，它是 P 沟道增强型 MOSFET ，其 V T ＝－4 V 。 10.增强型FET 能否用自偏压的方法来设置静态工作点？试说明理由。

解 由于增强型MOS 管在v GS =0时，v D =0（无导电沟道），必须在|v GS |＞|V T | （V T 为开启电压）时才有i D ，因此，增强型的MOS 管不能用自偏压的方法来设置静态工作点。

11.已知电路参数如图题4．4．4所示，FET 工作点上的互导g m ＝1ms ，设 r d >>R d 。（1）画出小信号等效电路；（2）求电压增益Av ；（3）求放大电路的输人电阻R i 。

解 （1）画小信号等效电路

图1