模拟电子技术基础第三版课后答案

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《模拟电子技术基础》第三版习题解答第6章放大电路中的反馈题解

第六章放大电路中的反馈

自测题

一、在括号内填入“√”或“×”，表明下列说法是否正确。

（1）若放大电路的放大倍数为负，则引入的反馈一定是负反馈。（）（2）负反馈放大电路的放大倍数与组成它的基本放大电路的放大倍数量纲相同。（）

（3）若放大电路引入负反馈，则负载电阻变化时，输出电压基本不变。（）（4）阻容耦合放大电路的耦合电容、旁路电容越多，引入负反馈后，越容易产生低频振荡。（）

解：（1）× （2）√ （3）× （4）√

二、已知交流负反馈有四种组态：

A ．电压串联负反馈

B ．电压并联负反馈

C ．电流串联负反馈

D ．电流并联负反馈选择合适的答案填入下列空格内，只填入A 、B 、C 或D 。（1）欲得到电流－电压转换电路，应在放大电路中引入；（2）欲将电压信号转换成与之成比例的电流信号，应在放大电路中引入；

（3）欲减小电路从信号源索取的电流，增大带负载能力，应在放大电路中引入；

（4）欲从信号源获得更大的电流，并稳定输出电流，应在放大电路中引入。

解：（1）B （2）C （3）A （4）D

三、判断图T6.3所示各电路中是否引入了反馈；若引入了反馈，则判断是正反馈还是负反馈；若引入了交流负反馈，则判断是哪种组态的负反馈，

并求出反馈系数和深度负反馈条件下的电压放大倍数f u A 或f s u A 。

设图中所有电容对交流信号均可视为短路。

图T 6.3

解：图（a ）所示电路中引入了电流串联负反馈。反馈系数和深度负反

馈条件下的电压放大倍数f

u A 分别为 L

1321f 3213

模拟电子技术基础课后答案(共10篇)

模拟电子技术根底课后答案(共10篇)

模拟电子技术根底课后答案〔一〕: 模拟电子技术根底第三版课后习题答案

网上有很多课后题答案网站,我知道一个天天learn网站,我之前在上面找过英语的答案,没找过模电的,因为我模电买的参考书,上网找太费力了,你还不如去买本参考书了,理科的东西只看是不行的

模拟电子技术根底课后答案〔二〕: 求模拟电子技术作业答案,

单项选择题:

1.差分式放大电路由双端输入变为单端输入时,其空载差模电压增益〔〕

A.增加一倍

B.不变

C.减少一半

D.减少一倍

2.表征场效应管放大能力的重要参数是( ).

A.夹断电压Vp

B.开启电压Vi

C.低频互(跨)导gm

D.饱和漏电流IDss

3.桥式RC正弦波振荡器中的RC串并联网络的作用为〔〕.

A.选频正反应

B.选频负反应

C.放大负反应

D.稳幅正反应

4.某传感器产生的是电压信号〔几乎不提供电流〕,经过放大后希望输出电压与信号成正比,放大电路应是〔〕电路.

A.电流串联负反应

B.电压串联负反应

C.电流并联负反应

D.电压并联负反应

5.BJT的两个PN结均正偏或均反偏时,所对应的状态是〔〕

A.截止或放大

B.截止或饱和

C.饱和或截止

D.已损坏

多项选择题:

1.放大电路的三种组态中,只能放大电压或放大电流的是〔〕.

A.共射组态

B.共集组态

C.共基组态

D.0

2.直流稳压电源包括以下哪些电路〔〕

A.起振电路

B.选频网络

C.稳压电路

D.滤波电路

3.在信号的运算中,往往把运算放大器视为理想的放大器,在运算过程中,利用其两个重要的特性,它们是〔〕

A.抑制共模信号

B.放大差模信号

《模拟电子技术基础》第三版习题解答第5章放大电路的频率响应

仅供个人使用，请勿用于商业目的

第五章放大电路的频率响应

自测题

一、选择正确答案填入空内。

（1）测试放大电路输出电压幅值与相位的变化，可以得到它的频率响应，条件是。

A.输入电压幅值不变，改变频率

B.输入电压频率不变，改变幅值

C.输入电压的幅值与频率同时变化

（2）放大电路在高频信号作用时放大倍数数值下降的原因是而低频信号作用时放大倍数数值下降的原因是。

A.耦合电容和旁路电容的存在

B.半导体管极间电容和分布电容的存在。

C.半导体管的非线性特性

D.放大电路的静态工作点不合适

（3）当信号频率等于放大电路的fL 或fH时，放大倍数的值约下降到中频时的。

A.0.5倍

B.0.7倍

C.0.9倍

即增益下降

A.3dB

B.4dB

C.5dB

相位关系是。与U （4）对于单管共射放大电路，当f ＝ fL时，U io

A.＋45˚

B.－90˚

C.－135˚

的相位关系是。与U 当f ＝ fH时，Uio

A.－45˚

B.－135˚

C.－225˚

解：（1）A （2）B，A （3）B A （4）C C

本文档仅供参考第五章题解－1

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二、电路如图T5.2所示。已知：VCC＝12V；晶体管的Cμ＝4pF，fT = 50MHz，rbb'＝＝80。试求解：

（1）中频电压放大倍数；

（2）C'

；

（3）fH和fL；

（4）画出波特图。

图T5.2

解：（1）静态及动态的分析估算：

r26mV

∥R

gIEQ

本文档仅供参考第五章题解－2 仅供个人使用，请勿用于商业目的' （2）估算：

（3）求解上限、下限截止频率：∥∥∥

（4）在中频段的增益为

模拟电子技术(模电课后习题含答案)(第三版)

第1章常用半导体器件

1.1选择合适答案填入空内。

(l)在本征半导体中加入( A )元素可形成N 型半导体，加入( C )元素可形成P 型半导体。 A.五价 B. 四价 C. 三价 (2)当温度升高时，二极管的反向饱和电流将(A) 。 A.增大 B.不变 C.减小

(3)工作在放大区的某三极管，如果当I B 从12 uA 增大到22 uA 时，I C 从l mA 变为2mA ，那么它的β约为( C )。

A.83

B.91

C.100

(4)当场效应管的漏极直流电流I D 从2mA 变为4mA 时,它的低频跨导g m 将( A ) 。

A.增大；

B.不变；

C.减小 1.3电路如图P1.2 所示，已知10sin i u t ω=(V )，试画出i u 与o u 的波形。设二极管导通电

压可忽略不计。

图P1.2 解图P1.2

解：i u 与o u 的波形如解图Pl.2所示。 1.4电路如图P1.3所示，已知t u i ωsin 5=(V )，二极管导通电压U D =0.7V 。试画出i u 与o

u 的波形图，并标出幅值。

图P1.3 解图P1.3

1.6电路如图P1.4所示, 二极管导通电压U D =0.7V ,常温下mV U T 26≈，电容C 对交流信号可视为短路；i u 为正弦波，有效值为10mV 。试问二极管中流过的交流电流的有效值为多少？

解：二极管的直流电流

()/ 2.6D D I V U R mA =-=

其动态电阻:

/10D T D r U I ≈=Ω

故动态电流的有效值：/1d

i D I U r mA =≈

模拟电子技术第三版详细答案

二、（1）×（2）√（3）√（4）√（5）×
三、
四、（1）三级放大电路，第一级为共集-共基双端输入单端输出差分放大电路，第二级是共射放大电路，第三级是互补输出级。
（2）第一级：采用共集-共基形式，增大输入电阻，改善高频特性；利用有源负载（T5、T6）增大差模放大倍数，使单端输出电路的差模放大倍数近似等于双端输出电路的差模放大倍数，同时减小共模放大倍数。
（2）
2.22（1）求Q点：UGSQ＝VGG＝3V
从转移特性查得，当UGSQ＝3V时，IDQ＝1mA，UDSQ＝VDD－IDQRD＝5V
（2）求电压放大倍数：
2.23
2.24（a）×（b）×（c）NPN型管，上-集电极，中-基极，下-发射极。
（d）×（e）×（f）PNP型管，上-发射极，中-基极，下-集电极。
六、1、
UO＝UCE＝2V。
2、临界饱和时UCES＝UBE＝0.7V，所以
七、T1：恒流区；T2：夹断区；T3：可变电阻区。
1.1（1）A C（2）A（3）C（4）A
1.2不能。因为二极管的正向电流与其端电压成指数关系，当端电压为1.5V时管子会因电流过大而烧坏。
1.3ui和uo的波形如图所示。
1.4ui和uo的波形如图所示。
1.5uo的波形如图所示。
1.6ID＝（V－UD）/R＝2.6mA，rD≈UT/ID＝10Ω，Id＝Ui/rD≈1mA。

模拟电子技术基础简明教程课后答案（第三版）高等教育出版社[1]

模拟电子技术基础简明教程课后答案（第三版）高等教育出版

社[1]

习题1-1欲使二极管具有良好的单向导电性，管子的正向电阻和反向电阻分别为大一些好，还是小一些好？答：二极管的正向电阻越小越好，反向电阻越大越好。理想二极管的正向电阻等于零，反向电阻等于无穷大。习题1-2假设一个二极管在50℃时的反向电流为10μA ，试问它在20℃和80℃时的反向电流大约分别为多大？已知温度每升高10℃，反向电流大致增加一倍。

解：在20℃时的反向电流约为：3210 1.25A A

μμ-?=在80℃时的反向电流约为：321080A A

μμ?=

习题1-5欲使稳压管具有良好的稳压特性，它的工作电流I Z 、动态电阻r Z 以及温度系数αU ，是大一些好还是小一些好？

答：动态电阻r Z 愈小，则当稳压管的电流变化时稳压管的电压变化量愈小，稳压性能愈好。

一般来说，对同一个稳压管而言，工作电流I Z 愈大，则其动态内阻愈小，稳压性能也愈好。但应注意不要超过其额定功耗，以免损坏稳压管。

温度系数αU 的绝对值愈小，表示当温度变化时，稳压管的电压变化的百分比愈小，则稳压性能愈好。

100B i A

μ=80A

μ60A

μ40A μ20A μ0A μ0.9933.22

安全工作区

习题1-11设某三极管在20℃时的反向饱和电流I CBO =1μA ，β=30；试估算该管在50℃的I CBO 和穿透电流I CE O 大致等于多少。已知每当温度升高10℃时，I CBO 大约增大一倍，而每当温度升高1℃时，β大约增大1% 。解：20℃时，()131CEO CBO I I A

模拟电子技术基础第三版课后答案王远.doc

模拟电子技术基础第三版课后答案王远

【篇一：模电资料】

术基础是高等院校电气、信息类（包括原自动化、电气类、电子类）专业知识平台重要核心课程，是学生在电子技术入门阶段的专业基

础课。

课程涉及模拟信号的产生、传输及处理等方面的内容，工程实践性很强。课程任务是使学生获得适应信息时代电子技术的基本理论、

基本知识及基本分析方法。旨在培养学生综合应用能力、创新能力

和电子电路计算机分析、设计能力。课程学习完成能为学生以后深

入学习电子技术及其在专业中的应用打好两方面的基础；其一是正

确使用电子电路特别是集成电路的基础；其二是为将来进一步学习

设计集成电路专用芯片打好基础。

《模拟电子技术基础》是电气电子类各专业的一门重要的技术基础课。其作用与任务是使学生获得低频电子线路方面的基本理论，基

本知识和基本技能。本课程在介绍半导体器件的基础上，重点要求

掌握放大器的各种基本单元电路、放大器中的负反馈、运算放大器

及其应用、直流电源等低频电子线路电路的工作原理、分析方法和

设计方法，使学生具有一定的实践技能和应用能力。培养学生分析

问题、解决问题的能力和创新思维能力，为后续课程和深入学习这

方面的内容打好基础。

教学大纲

一、课程名称

模拟电子技术基础analog electronics

二、学时与学分

本课程学时：60 学时(课内) 本课程学分： 3.5 学分

三、授课对象

电类本科生、专科生

四、先修课程

电路理论、电路测试与实验技术

五、教学目的

《模拟电子技术基础》是电子类等专业入门性质的课程，是实践性很强的技术基础课。课程的任务是使学生获得电子技术方面的基本

模拟电子技术基础简明教程(第三版)答案-

U CE
36.5 V
以上算出的 IC 与 UCE值是荒谬的，实质上此时三极管巳工作在饱和区，故 IB=0.465 mA， I C≈ V CC / RC=5 mA， UCE=U CES ≈ 0.3V，见图 P1-14(g)中 C点。
2k?
20k? 10V
2V
(d)
IB 0 IC 0 U C E VC C
三极管工作在放大区，见图 P1-14(g)中 A点。
2k? 200k?
10V
(b)
I B 0.0465 m A I C 2.325 m A U C E 5.35 V
三极管工作在放大区，见图 P1-14(g)中 B点。
2k?
20k? 10V
(c)
I B 0.465 m A
I C 23.25 m A
10 V
三极管工作在截止区，见图 P1-14(g)中 D 点。
20k? 20k?
10V
(e)
IB 0 IC 0 U CE VC C
10 V
三极管工作在截止区，见图 P1-14(g)中 E点
（与 D点重合）。
200k? 10V
(c)
I B 0.0465 m A I C 2.325 m A U C E VC C 10 V
U BE≈ 0.7V ，试分别估算各电路中的 iC和 uCE ，判断它们各自

模拟电子技术基础简明教程(第三版)杨素行版_(第二章的课后习题答案)

习题2-1试判断图P2-1中各电路有无放大作用，简单说明理由。

答：(a)无放大作用（发射结反偏）；

(b)不能正常放大（发射结无直流偏置）；

(c)无放大作用（集电结无直流偏置）；

(d)无放大作用（发射结无直流偏置）；

(e)有放大作用（是射极跟随器）；

(f)无放大作用（输出交流接地）；

(g)无放大作用（输入交流接地）；

(h)不能正常放大（栅极无直流偏置）；

(i)无放大作用（电源极性接反）；

习题2-3在NPN 三极管组成的单管共射放大电路中，假设电路其他参数不变，分别改变以下某一参数时，试定性说明放大电路的I BQ 、I CQ 和U CE Q 将增大、减少还是基本不变。①增大R b ；②增大V CC ；③增大β。

答：①增大R b ，则I BQ 减少，I CQ 减少，U CE Q 增大。

②增大V CC ，则I BQ 增大，I CQ 增大，U CE Q 不确定。③增大β，则I BQ 基本不变，I CQ 增大，U CE Q 减少。

(b)

解：①可先用近似估算法求I BQ

100.70.0220510

C C B E Q

V U m A A

R μ--=

=≈=直流负载线方程：10CE CC C C u V i R =-=-Q 1

静态工作点Q 点处，0.5,

U V I ≈≈Q 1

Q 2

Q 1

Q 2

因此，需减小R c 和R b ，可减为R c ＝4k Ω，R b ＝250Q 3

放大电路如图P2-7(a)所示，试按照给定参数，P2-7(b)中：

①画出直流负载线；

(b)

P2-7

(b)

m A

的一条水平线， 2.6

(完整版)模拟电子技术基础--胡宴如-自测题答案

模拟电子

技术

胡宴如（第3版）

自测题

第1章半导体二极管及其基本应用

1．1 填空题

1．半导体中有空穴和自由电子两种载流子参与导电。

2．本征半导体中，若掺入微量的五价元素，则形成N 型半导体，其多数载流子是电子；若掺入微量的三价元素，则形成P型半导体，其多数载流子是空穴。

3．PN结在正偏时导通反偏时截止，这种特性称为单向导电性。

4．当温度升高时，二极管的反向饱和电流将增大，正向压降将减小。

5．整流电路是利用二极管的单向导电性，将交流电变为单向脉动的直流电。稳压二极管是利用二极管的反向击穿特性实现稳压的。

6．发光二极管是一种通以正向电流就会发光的二极管。

7．光电二极管能将光信号转变为电信号，它工作时需加反向偏置电压。

8．测得某二极管的正向电流为1 mA，正向压降为0.65 V，该二极管的直流电阻等于650 Ω，交流电阻等于26 Ω。

1．2 单选题

1．杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于( C )。

A．温度B．掺杂工艺C．掺杂浓度D．晶格缺陷2．PN结形成后，空间电荷区由(D )构成。

A．价电子B．自由电子C．空穴D．杂质离子3．硅二极管的反向电流很小，其大小随反向电压的增大而(B )。

A．减小B．基本不变C．增大

4．流过二极管的正向电流增大，其直流电阻将( C )。

A．增大B．基本不变C．减小

5．变容二极管在电路中主要用作(D )。、

A．整流B．稳压C．发光D．可变电容器1．3 是非题

1．在N型半导体中如果掺人足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体。(√)

2．因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。(×)

《电路与模拟电子技术》第3版全部习题答案

第一章电路的根本概念和根本定律

1.1 在题1.1图中，各元件电压为 U 1=-5V ，U 2=2V ，U 3=U 4=-3V ，指出哪些元件是电源，哪些元件是负载？

解：元件上电压和电流为关联参考方向时，P=UI ；电压和电流为非关联参考方向时，P=UI 。P>0时元件吸收功率是负载，P<0时，元件释放功率，是电源。

此题中元件1、2、4上电流和电流为非关联参考方向，元件3上电压和电流为关联参考方向，因此

P 1=-U 1×3= -〔-5〕×3=15W ； P 2=-U 2×3=-2×3=-6W ； P 3=U 3×〔-1〕=-3×〔-1〕=3W ； P 4=-U 4×〔-4〕=-〔-3〕×〔-4〕=-12W 。元件2、4是电源，元件1、3是负载。

1.2 在题 1.2图所示的RLC 串联电路中，

)V 33t t C e e (u ---= 求i 、u R 和u L 。

解：电容上电压、电流为非关联参考方向,故

()()33133t t t t c du d

i c

e e e e A dt dt

--=-=-⨯-=- 电阻、电感上电压、电流为关联参考方向

()34t t R u Ri e e V --==-

()()3313t t t t L di d

u L

e e e e V dt dt

----==⨯-=-+

1.3 在题1.3图中，I=2A ，求U ab 和P ab 。解：U ab =IR+2-4=2×4+2-4=6V ，电流I 与U ab 为关联参考方向，因此

P ab =U ab I=6×2=12W

模拟电子技术基础第三版王远张玉平机械工业出版社第1章习题答案khdaw

4.当UI=7V,RL变化时，电路的稳压性能如何？
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解：1.当UI=20V,RL=1kΩ时,U0=? 稳压管的最大工作电流:
I Z max
=
PZM UZ
= 200 mW 6V
≈ 33 mA
I = UI −UZ = 20− 6 = 28mA
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4.当UI= 7V,RL变化时，电路的稳压性能如何？
假设稳压管能正常稳压，
则 U Z = 6V
∵IZ
=
I
=
( 7 − 6 )V 500Ω
= 2mA < 10mA
∴ IZ大大小于正常稳定电流，稳压管
不能正常工作，无法稳压。
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R
500
I0
= UZ RL
6V =
1kΩ
= 6mA
IZ = I − I0 = 22mA
∵10mA < 22mA < 33mA
∴ 稳压管可以正常工作:
U0 =UZ =6V
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2.当UI=20V,RL=100Ω时,U0=?
假设稳压管正常工作，

模拟电子技术基础课后答案（完整版）

第三部分习题与解答

习题1

客观检测题

一、填空题

1、在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于掺入的杂质浓度

，而少数载流子的浓

度则与

温度

有很大关系。

2、当PN 结外加正向电压时，扩散电流大于

漂移电流，耗尽层变窄。当外加反向

电压时，扩散电流

小于

漂移电流，耗尽层

变宽。

3、在N 型半导体中，电子为多数载流子，空穴

为少数载流子。

二．判断题

1、由于P 型半导体中含有大量空穴载流子，N 型半导体中含有大量电子载流子，所以

P 型

半导体带正电，N 型半导体带负电。（×）

2、在N 型半导体中，掺入高浓度三价元素杂质，可以改为

P 型半导体。（√）

3、扩散电流是由半导体的杂质浓度引起的，即杂质浓度大，扩散电流大；杂质浓度小，扩散电流小。（×）

4、本征激发过程中，当激发与复合处于动态平衡时，两种作用相互抵消，激发与复合停止。（×）

5、PN 结在无光照无外加电压时，结电流为零。

（√　）

6、温度升高时，PN 结的反向饱和电流将减小。（×）

7、PN 结加正向电压时，空间电荷区将变宽。

（×）

三．简答题

1、PN 结的伏安特性有何特点？

答：根据统计物理理论分析，PN 结的伏安特性可用式

)1e

(I I T

V V

s D 表示。

式中，I D 为流过PN 结的电流；I s 为PN 结的反向饱和电流，是一个与环境温度和材料等有关的参数，单位与I 的单位一致；V 为外加电压；

V T =kT/q ，为温度的电压当量（其单位

与

V 的单位一致），其中玻尔兹曼常数k .J /K 23

13810

，电子电量

)(C 10

60217731.1q 19

模拟电子技术基础简明教程(第三版) 杨素行课后答案.

试作出uds15v时的转移特性曲线并由特性曲线求出该场效应管的开启电压ugsthdo值以及ds15vugsds15v由图可得开启电压ug源自文库th2vido25ma1228453511习题117试根据图p117所示的转移特性曲线分别判断各相应的场效应管的类型结型或绝缘栅型p型沟道或n型沟道增强型或耗尽型
+

模拟电子技术基础简明教程第三版杨素行课后答案

℃ ℃ ℃ ℃ α U℃ ℃ ℃ ℃ ℃ ℃ ℃ ℃ ℃ ℃ ℃ ℃ ℃ ℃ ℃ ℃ ℃ ℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃℃
℃ ℃ 1-6 ℃ ℃ ℃ ℃ ℃ ℃ ℃ ℃ 20℃，℃ ℃ ℃ ℃ ℃ 5 mA℃ ℃ ℃ ℃ ℃ ℃ UZ=10V℃ ℃ ℃ ℃ ℃ ℃ ℃ ℃ rZ=8Ω℃ ℃ ℃ ℃ ℃ ℃ ℃ ℃ α U=0.09%/ ℃，℃ ℃ ℃ ℃ ℃ ℃ ℃ ℃ ℃ ℃ ℃ ℃ ℃ ℃ ℃ ℃ 20 mA℃ ℃ UZ℃ ℃ ℃ ℃ ℃ ℃ ℃ ℃ ℃ ℃ ℃ ℃ ℃ 5 mA℃ ℃ ℃ ℃ ℃ ℃ ℃ 50℃℃ ℃ UZ℃ ℃ ℃℃℃
℃ ℃ ① UZ IZ rZ (20 5) 103 8 0.12V UZ 10 0.12 10.12V
② UZ UZ U T 0.09% (50 20) 2.7%
UZ 10 1 2.7% 10.27
℃ ℃ 1-7 ℃ ℃ ℃ ℃ ℃ ℃ ℃ ℃ ℃ ℃ ℃ U = 10V℃ R = 200Ω℃
0 A
℃ ℃ 1-10 ℃ ℃ ℃ ℃ ℃ ℃ ℃ ℃ ℃ ℃ ℃ ℃ ℃ ℃ ℃ ℃ ℃ 1 99℃
℃ 1 ? ℃ ℃ ℃ ℃ IB1 10 A℃ ℃ ℃ IC1℃ IE1℃ ℃ ℃ ℃ ℃ ℃ ℃ ℃ ℃ ℃ ℃ ℃ ℃ ℃ 2 0.95℃ ℃ ℃ 2 ? ℃ ℃ ℃ ℃ IE2=1mA℃
℃℃℃℃℃℃℃
uI/V

模拟电子技术基础第三版课后习题答案

一、（1）√ （2）× （3）√ （4）× （5）√ （6）× 二、（1）A （2）C （3）C （4）B （5）A C

三、U O1≈1.3V U O2＝0 U O3≈－1.3V U O4≈2V U O5≈2.3V U O6≈－2V 四、U O1＝6V U O2＝5V

五、根据P CM ＝200mW 可得：U CE ＝40V 时I C ＝5mA ，U CE ＝30V 时I C ≈6.67mA ，U CE ＝20V 时I C ＝10mA ，U CE ＝10V 时I C ＝20mA ，将改点连接成曲线，即为临界过损耗线。图略。

六、1、

2V mA

6.2 μA

26V C C CC CE B C b

BB B =-====-=

R I U I I R U I β

U O ＝U CE ＝2V 。

2、临界饱和时U CES ＝U BE ＝0.7V ，所以

≈-=

=-=

k 4.45V μA

6.28mA

86.2V B

BB b C

B c CES

CC C I U R I I R U I β

七、T 1：恒流区；T 2：夹断区；T 3：可变电阻区。 1.1（1）A C （2）A （3）C （4）A

1.2不能。因为二极管的正向电流与其端电压成指数关系，当端电压为1.3V 时管子会因电流过大而烧坏。

1.3 u i 和u o 的波形如图所示。 1.4 u i 和u o 的波形如图所示。

1.5 u o 的波形如图所示。

1.6 I D ＝（V －U D ）/R ＝

2.6mA ，r D ≈U T /I D ＝10Ω，I d ＝U i /r D ≈1mA 。