安森美半导体推出下一代计算产品用平台方案

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安森美推出用于汽车应用的下一代高频SEPIC／升压控制器

高通第二代ＬＥ芯片组Ｔ在日本实现高速无线连接
美国高通公司日前宣布其行业领先的Ｇｂｏ
４／ＴＧＬＥ调制解调器ＭＤ２５已应用于日本一款Ｍ９１ＴＭ新的移动宽带路由器Ｓｆａｋ１２。这款终端由中ｏＢｎ０Ｚｉ
稳压器为门驱动器提供电荷，并提供１ ± ％．Ｖ２参２
考电压。保护特性包括内部设定软启动、欠压锁定
（ＶＬ、周期限流及过热关闭。ＮＶ９０１ＵＯ）逐Ｃ８８３通
产，此次收购，让那些致力于提供移动回程平台的
功率晶体管等。１０毫米单晶碳化硅衬底能够帮助５
降低成本、高产量，提同时带动碳化硅产业的持续增长。（自科锐公司）来
此次，罗姆通过开发小型元件、ｌ精度封装弓进高加工技术等，成功开发出世界最小尺寸的晶体管封
持在最低。这器件更高的工作频率使其可以与更小及更低成本的电感及输出电容一起使用，因而降低总成本及占用更少的印制电路板（Ｃ空间。由于其保护ＰＢ）机制及宽电压范围的原因，这器件经过了高度优化，自安森美半导体）
Ｌ一业界要闻
驾驶辅助系统（ＤＳ）ＡＡ。它符合所有汽车安全完整性等级（ＳＬ）达到并满足最严格的等级ＡＩＡＩ，ＳＬＤ。
ＭＰ５４ＬＭＣＣ６３Ｕ是飞思卡尔Ｓｆｓｒ计划的ａＡｓｅｅｕ

安森美半导体推出X-Class平台和XGS8000／XGS12000图像传感器

技术和罗姆的功率元器件传统封装技术，联合开发电脑、移动设备、智能组件、设备扩展平台和各式接
最适合ＧａＮ器件的产品。这将能够最大限度地挖掘口设备的应用需求。ＦＬ７１１２控制芯片可以提供达到
并发挥ＧａＮ器件的潜力。另外，双方通过提供兼容工业标准与车载应用要求的ＵＳＢＰＤ３．０ＰＰＳ和
双Ｗｉ—Ｆｉ解决方案
安森美半导体推出Ｘ－ＣＩａｓｓ平台和
近日，Ｍａｒｖｅｌｌ宣布针对互连汽车市场推出业界
ＸＧＳ８０００／ＸＧＳ１２０００图像传感器
首款高效率无线８０２．１１ａｘ解决方案，集成２×２加
２×２同步双Ｗｉ—Ｆｉ￣、双模蓝牙＠５／蓝牙低功耗以
ＳｉｌｉｃｏｎＬａｂｓ日前发布了针对其ＷｉｒｅｌｅｓｓＧｅｃｋｏ产品系列的新版软件，可在单芯片上同时实现Ｓｕｂ—ＧＨｚ和２．４ＧＨｚＢｌｕｅｔｏｏｔｈ￣ＬｏｗＥｎｅｒｇｙ（ＬＥ）连接。
这个ＳｉｌｉｃｏｎＬａｂｓ解决方案支持商业和工业ＩｏＴ应用，将远距离的Ｓｕｂ—ＧＨｚ通信与蓝牙连接相结合，简化设备设置、数据采集和维护。通过免除双芯片无线架构的复杂性，开发人员可加快产品上市时间，并可将物料清单（ＢＯＭ）成本和占板尺寸减少
的Ｗｉ—Ｆｉ子系统集成到单个ＳｏＣ中，并支持两个独他像素选项添加到Ｘ—Ｃｌａｓｓ平台，摄像机制造商将

安森美半导体推出WebDesigner+TM Power Supply设计工具

安森美半导体推出WebDesigner+™Power Supply设计工具21世纪是一个更新换代速度、新产品技术迭代极快的时代，人们也在享受着各种电子设备带来的便捷，电源则是电子产品的能源支撑，电源市场竞争日趋激烈，电源是所有电子和电气设备的基础设备，设计人员需要不断的推陈出新，设计出比以往体积更小、能效更高、更为便捷的电源产品，安森美半导体的设计者们也在不断挑战着更高的效率、更高的功率密度、更短的开发周期、更严格的行业标准以及更低的成本。

出于对新能源的关注以及业内领先者应有的敏锐嗅觉和感知，安森美半导体发布了新的下一代WebDesigner +™Power Supply工具。

传统上来说，元器件制造商的产品技术资料可以为设计人员提供很全的电源设计所必须的工作特性和要素，但新型电源设计的要求越来越严苛，除了要求设计人员在标准产品技术资料的参数之外，还需分析诸多产品特点。

安森美半导体发布的新的下一代WebDesigner +™Power Supply工具，根据用户的应用选择最佳的安森美半导体产品进行设计，用稳定的输出去满足足够产品负载需要的电能，该工具中的算法和模型选择最佳元器件，执行准确的电路计算，并提供物料清单(BOM)和设计报告。

WebDesigner +™Power Supply旨在解决电源设计的挑战，并成为电力电子专家值得信赖的伙伴。

电源设计是电路设计的基础，也是电子产品设计中的重中之重，安森美半导体新型的WebDesigner +™Power Supply工具本身以一个特立独行的先锋者的姿态去撼动当前技术的
霸主地位，并尝试在技术方面有革命性的突破和效率的变革。

安森美半导体推出助听器DSP系统级芯片

安森美半导体推出助听器DSP系统级芯片下一代Ezairo®7100 优化了性能、尺寸及功耗，同时提供公开可编程的架构2013 年10 月29 日–推动高能效创新的安森美半导体(ON Semiconductor，美国纳斯达克上市代号：ONNN)推出Ezairo 7100 系列集成电路及封装的混合电路，用于先进的助听器及听力植体设备。

这款系统级芯片(SoC)的处理能力是前一代系统的5 倍，提供内置灵活性以支持不断演变的算法、无线及系统级需求。

Ezairo 7100 是业界集成度最高及能效最高的单芯片方案之一。

它独特的四核架构采用24 位公开可编程CFX 数字信号处理器(DSP)内核。

加入的ARM®Cortex-M3 处理器支持无线协定，并以特殊错误修正及音频编码支持与DSP 内核相辅相成。

此系统还包含专门用于音频处理任务的HEAR 可配置加速器引擎，以及进行高能效时域滤波的新的滤波器引擎。

当此系统结合非易失性存储器及无线收发器时，即构成完整硬件平台。

安森美半导体听力及音频方案高级总监Michel De Mey 说：“Ezairo 7100 中的主要信号处理功能在逻辑模块中采用硬连线，而可编程DSP 能用于以软件实现额外的信号处理功能。

这公开架构的设计专门用于助听器及听力植体设备，使制造商能够快速回应不断变化的市场需求。

”这系列SoC 采用65 纳米(nm)工艺技术制造，集成了模拟前端电路及无与伦比的110 dB 输入动态范围，从而提供高精度及高品质的声音。

可编程滤波器引擎支持44 μs的超低延迟音频通道，提供优异性能的功能，如堵耳效应(occlusion)管理。

增加的集成无线控制器兼容近场磁感应(NFMI)及射频(RF)无线技术，能高能效地将数据传输至无线收发器及从无线收发器接收数据。

安森美半导体配合智能电网及智能家庭趋势的工业通信及安全保护方案-技术方案

安森美半导体配合智能电网及智能家庭趋势的工业通信及安全保护方案-技术方案如今，能源需求不断增加，加速消耗现有资源，促使各国政府制定更积极的节能目标和更严格的高能效标准，由此产生一系列的积极影响。

如传统低能效的白炽灯照明正加速向LED照明过渡，传统电网向的智能电网生态系统过渡，传统汽车向电动汽车/混合动力汽车过渡，以及高能效电源和电机驱动越来越受重视。

以智能电网为例，它是完全自动化的分布式供电系统（从发电到用电），集成了双向通信智能电表及信息技术，旨在提升能效及可持续的电力服务。

智能电网涉及电力、通信及应用等多个层次，涵盖家庭区域网（HAN）、邻域网（NAN）和广域网（WAN）等不同类型。

双向通信智能电表的部署，有助于推动以HAN为基础的智能家庭市场的增长。

消费者重视通过智能手机及平板电脑进行任务操作的便利性，智能家庭的趋势就是使消费者能够透过这些设备来控制家中智能电器。

应用智能技术的电器制造商能够提供家庭能源管理服务，用于远程监控及操作。

消费者也需要根据智能电表及公用事业机构浮动收费来认识智能电器的显着节电价值。

图1:智能电网概念示意图。

安森美半导体身为的半导体供应商，积极推动高能效创新，为智能电网、智能家庭、智能楼宇控制等应用提供多种通信及安全保护方案。

1）智能电表PLC通信方案在智能电网中，双向通信的智能电表发挥关键作用，一方面帮助电力机构了解用户的用电规律，为高峰用电或低谷用电设定差异化的电价，另一方面，用户也可以合理调整自己的用电计划，从而优化电费支出。

智能电表包含不同功能模块，除了电源和计量模块外，还涉及到数据存储功能，需采用安全可靠的存储器；此外，双向实时通信是智能电网的重要特征，故通信模块至关重要，需要选择适合的通信方式及相应的解决方案。

图2:智能电表关键功能模块。

就家庭或建筑物中的智能电表到数据集中器（concentrator）就这一段的网络连接而言，它们通常对通信速率的要求不高，主要的考虑因素是降低成本。

介绍了安森美半导体（OnSemi...

Abstract:ON Semiconductor (OnSemi) Company A-B-type main NCP2890 audio power amplifier performance characteristics and the basic working principle, give the design of the NCP2890 audio amplifier with a typical application circuit and design method.Key words: NCP2890; AB type; audio amplifier1 outlinesON Semiconductor NCP2890 are (OnSemi) has introduced cost-effective, full-featured audio Series Products of the first audio power amplifier, it is designed for mobile phone and PDA, such as battery-powered wireless devices designed for production, are one kinds of very good quality wireless applications A-B-type audio power amplifier can provide customers with superior audio performance. The device has a superior power supply rejection ratio (PSRR) and total harmonic distortion plus noise (THD + N) characteristics at the same time, a combination of external control gain characteristics and adjustable boot and shutdown time delay function, and have a "startup and shutdown "control circuit that can eliminate the opening and closing of such audio power amplifier generated audible noise, can be flexibly used in portable audio equipment design. NCP2890 allows lithium-ion or lithium polymer battery direct power supply, and thus obviates the extra Low Dropout Regulators (LDO), while reducing board space and reduces the overall cost. 2-chip structure and performance parametersTo meet the specific needs of the market, NCP2890 currently have Mi-crobump-9 (2.25mm2) and Micro-8 (14.7mm2) two different kinds of packaging forms, shown in Figure 1 with its pin diagram, all cited the function of the foot such as Table 1 NCP2890 include 671 internal transistor, MOS gate 1899, which has excellent audio performance, Table 2 give the NCP2890 the main performance parameters.Table 2NC2890 main performance parameters3 Application Circuit DesignFigure 2 shows a typical NCP2890 audio amplifier application circuit, Figure 2 can be seen from, NCP2890 external only used to adjust the gain of the two resistors, an input coupling capacitor, a bypass capacitor, such as a small number of components, therefore the external requirements devices extremely easy3.1 Working Principle circuitNCP2890 contains two identical power amplifiers, the input audio signal by the first power amplifier amplified the output from the OUTA. Voltage gain by external resistor Rf and Rin the ratio of the decision. The audio signal amplified by the gain of one and then the second power amplifier RP enlarge, and OUTB output. Because of OUTA and OUTB client-side audio output signal power equal to the size, phase contrast, and two outputs (OUTA and OUTB) DC the same static potential (Vp / 2), so, speakers can be connected directly to the client OUTA and OUTB , rather than increase the output coupling circuit. Two power amplifier output stage using PMOS and NMOS transistors by the special design. Normal conduction, the channel resistance of less than 0.6Ω, and thus its output waveform distortion is very small.General power amplifier in the open and turn off the process will produce the human ear can hear the noise, in order to eliminate audible noise, in-house designed NCP2890 noise elimination circuit. Boot time, add the switch control logic high end of bypass capacitor Cby on the DC voltage values begin to increase exponentially when the voltage value reaches the value of common-mode voltage (Vp / 2) when the beginning of output power (this process around 50ms); and shutdown, the control low-level termination, load to be connected to the grounding terminal, the output power to zero, when the DC circuit quiescentcurrent less than 100nA3.2 circuit element parametersRin and Rf amplifier used to set the closed-loop gain, NCP2890 in order to optimize the performance of the closed-loop gain amplifier should be set at a relatively low level, THD at this time the smallest, the largest signal to noise ratio, wide frequency response range. So in most cases, the closed-loop gain amplifier installed in general between 2 ~ 5, therefore, input resistance (Rin) values of D in the 20kΩ more appropriate, and Rf is used to adjust the closed-loop gain to control the output power. Input coupling capacitor Cin input amplifier used to isolate the DC voltage, Rin simultaneously with the formation of a high-pass filter, but it will affect the filter cutoff frequency threshold. In order to enable the low-frequency signals do not decay too great, in theory, Cin should take a larger value, while the larger capacitor charge and discharge time is long, therefore, required a longer period of time to make input to reach the static potential Vp / 2, which is easy to make the output noise generated boot. Therefore, in most cases, Cin values generally between 0.1 ~ 0.39μF more appropriate (Rin = 20kΩ pm). Bypass capacitor Cby are common-mode voltage (Vp / 2) of the filter, is to determine the length of the boot, boot noise reduction as a key component, in most cases, 1.0μF bypass capacitor Cby check more appropriate. R1 and R2 components of the partial pressure circuit chips used to produce the start voltage, general R1 value 100kΩ, designed according to voltage value to select the resistance R2, as long as the pressure so that the value is greater than 1.2V can be about 3.3 CautionWhen the circuit reaches the maximum output power Porms = 1.0W, Vp = 5.0V, RL = 8.0Ω when the load on the peak current of 500mA. In order to prevent the output load circuit when the output current is too large, set up chip output current detection circuit, it can be limited to a maximum output circuit 800mA. In this way, once the output current of over 800mA, the output side of the four MOS transistors will be gated off and no longer voltage output current. When the chip temperature exceeds 160 ℃, the internal amplifier will be shut down and stop working until the temperature is below 140 ℃, the internal amplifier to begin work to restart. Despite the NCP2890 contains an internal over-current and over-temperature protection circuit, but when in use, we must pay attention to power supply voltage should not exceed their limits, so as to avoid chip damage.摘要：介绍了安森美半导体(OnSemi)公司Ａ－Ｂ类音频功率放大器NCP2890的主要性能特点和基本工作原理，给出了用NCP2890设计音频功放的典型应用电路和设计方法。

安森美半导体推出新的浪涌保护器件

安森美半导体推出新的浪涌保护器件安森美半导体宣布推出新的低电容晶闸管浪涌保护器件(T SPD )系列,专为保护下一代高速电信设备而设计。

新器件杰出地平衡小尺寸和高浪涌能力,同时维持低电容和低泄漏,是先进电信产品的极佳组合。

N P 0080、N P 0120和N P0160低电容、低泄漏T SPD 器件采用节省空间的TS O P 25封装,保护数字用户线路(D S L )芯片组和线路驱动器。

虽然在正常电路工作期间它们本质上并不参与工作,但在发生浪涌和静电放电(ES D )事件时它们发挥极佳的电路保护性能。

它们在工作电压范围内拥有小于3皮法(pF )的固有低差分电容,能够排除高速数据线路上的信号失真。

在发生8x 20微秒(uS )浪涌事件时,具有大于50安(A )的电流承受能力。

它们通常在接入和客户端设备(CP E )的D S L 隔离变压器和D S L 线路驱动器之间用作第三级保护。

安森美半导体新的TSPD 系列还包括以高性价比S M B 封装的超低电容N P 2M C 系列。

具有低于30pF 的超低电容,用于额定电流100A 的器件,为设计人员在不同高速应用中提供替代气体放电管(GD T )的选择。

由于具有超低的关态电容,N P 2M C 器件为V D S2+和T 1�E1电路等高速设备提供微乎其微的信号失真。

低额定关态电容转化为极低的差分电容,为所应用的电压或频率提供极佳的线性度。

它们通常在D S L 隔离变压器的线路端用作次级保护器。

这些T SPD 器件对于开发互联网协定数字用户线路接入复用器(I P -D S LAM )、家庭网关和调制解调器、语音IP (V o I P )及其它设备等可靠的接入和客户端设备而言必不可少,帮助设计人员符合标准,并将对信号质量的影响减至最小。

希　雷创立达科技推出新一代微触发单向可控硅2008年8月11日,国内领先功率半导体器件、芯片和模块供应商无锡创立达科技有限公司宣布成功推出新一代微触发单向可控硅T SE 2P 4M 和TSE 405。

安森美半导体推出应用于下一代车身电子的汽车方案

前照灯系统。这产品平台的开发是为了配合驱动高达６Ｖ电压的多串ＬＥＤ、以ＰｗＭ调光维持色温及控制平０
均电流的系统级要求，使设计人员能够以一颗系统级芯片（Ｃ）件控制远光灯及近光灯、日间行车灯、转向ＳＯ器指示灯及雾灯。这平台能够与外部微控制器通信，在上电后改变工作参数、检测ＬＥＤ短路及提供先进的系统诊断。本届慕尼黑电子展汽车论坛的会议论文《车前照汽
安森美半导体在公司展台的汽车展区展示应用于
ＬＥＤ汽车照明（照灯、尾灯及内部照明）节省燃油及前、感测（于汽油、柴油、混合动力及电动汽车）信息娱用及
模糊
短路保护及４Ｖ负载突降保护。５安森美半导体新的ＮＣＶ７０是一款８可配置低端６８路／端驱动器。这器件通过ＡＥＣＱ１Ｘ一１（）证，高０Ａ版认２
市场的三款新产品，应用于当前及下一代车身电子。汽车是安森美半导体的关键应用市场之一，公司
具备宽广阵容的强固及仓新的高能效集成器件，减少排０放，节省燃油、加强照明、安全、连接和信息娱乐供电系统。安森美半导体的器件通过ＡＥＣ认证及生产器件批准程序（ＰＰＡＰ），提供不同的功能包括电源管理、保

安森美半导体扩展光学防抖产品阵容

安森美半导体扩展光学防抖产品阵容世界移动通信大会（Mobile World Congress）—西班牙巴塞罗那—2016 年2 月22日—推动高能效创新的安森美半导体（ON Semiconductor，美国纳斯达克上市代号：ON），增加一款下一代光学防抖（OIS）/自动对焦（AF）驱动器LC898123AXD到产品阵容中，为智能手机、平板电脑、笔记本电脑和可穿戴提供最佳的数码相机和视频体验，通过采用先进的自动对焦和光学防抖技术来克服传统相机模块的性能限制。

LC898123AXD OIS / AF驱动器集成了一个数字信号处理（DSP）核和多个模拟外设，用于图像稳定、自动对焦控制，和H桥和恒流驱动。

添加了片上快闪记忆体提供了DSP 程序和校准参数的存储，从而节省了启动时从传统的内存加载所需的90%的时间。

这高度集成的方案，可以加快OIS和AF功能应用到相机模块，同时兼容宽广系列的图像传感器。

此外，高度集成的功能支持极薄相机模块的需要。

安森美半导体智能电源方案分部电源方案产品业务部负责人Tomofumi Watanabe说：“最新的智能手机型号对增强图像清晰度和质量的需求日益增长，因为忙碌的消费者希望获得越来越好的用户体验，无论手机的尺寸。

LC898123AXD使相机模块设计人员能满足这些日益更高的要求。

”LC898123提供同类最佳的电流耗电，改善了电池使用时间。

DSP性能和灵活性支持各种VCM驱动器。

高性能的32位DSP经优化用于OIS/AF信号处理，涵盖许多功能，如伺服控制、陀螺数据筛选和主机指令接口。

此外，LC898123提供“高级指令”功能以标准化从主机CPU到相机模块的指令，使手机开发人员能使用标准化的指令用于多种多样相机模块/驱动器，而无需改变CPU软件。

公司现提供相机模块集成商专用参考设计，加快OIS/AF 评估及减少开发工作量。

封装和定价LC898123AXD采用无铅WLCSP-35封装，每4，000片批量的单价为2.18美元。

安森美的下一步

安森美的下一步作者：暂无来源：《汽车观察》 2021年第7期车辆中的创新应用有4/5与电子相关，半导体是关键，而无论是在中国市场还是在全球市场，几乎每一辆汽车都有用到安森美半导体的元器件。

文 AO记者张静据IDC报告显示，2020年全球半导体收入已达到4,640亿美元，同比增长10.8%；2021年全球半导体市场将达到5,220亿美元，同比增长12.5%。

其中，汽车半导体市场将继续保持强劲增长态势，2021年收入将增长13.6%。

另据IHS报告显示，2020年全球汽车半导体市场规模为380亿美元，预计到2026年将达到676亿美元。

其中，英飞凌、恩智浦、瑞萨半导体、安森美半导体等欧美日巨头将继续占据汽车半导体领域绝大部分市场份额。

可见，受益于新能源及智能汽车渗透率的提升，汽车半导体市场将成为近年来发展最快的IC芯片应用市场之一，其价值量和出货量的双重增长趋势已格外明显。

那么，半导体对汽车产业的影响到底有多大？对汽车制造的价值又有多少？在一辆汽车上，半导体的含金量能占几成？带着这些疑问，《汽车观察》独家采访到了安森美半导体中国区应用工程总监吴志民。

“车辆中的创新应用有4/5与电子相关，半导体是关键。

随着汽车智能化、自动驾驶、汽车功能电子化等趋势的推进，汽车中半导体的含量还会不断增加。

”吴志民对《汽车观察》强调，汽车厂商目前在半导体的支出主要用在传感器、分立开关器件、功率模块和照明等，未来随着激光雷达以及传感器融合、宽禁带（WBG）器件和激光照明技术的加入，预计这部分支出将成倍增加。

实际上，人工智能在汽车领域主要体现和应用于驾驶辅助系统板块上，在这方面，安森美半导体已经取得了显著成果。

目前，安森美半导体已位列全球十大汽车半导体供应商，在图像传感器、超声波传感器接口、LED前照灯、MOSFET功率模块、点火IGBT领域可谓是全球称冠，在汽车图像传感器领域更是全球第一，同时在汽车功率MOSFET和分立IGBT领域也是全球第二大供应商。

安森美半导体在下一代SoC中应用高压标准单元技术

安森美半导体在下一代SoC中应用高压标准单元技术
高压(HV)小几何尺寸技术支持藉数字信号处理器(DSP)及更强大的微控制器(MCU)提供更复杂的信号处理，同时配合更高速度的接口(如10/100 以太网、CAN 2.0、USB 2.0 及I2C)。

系统设计人员利用高压工艺技术，能够将高密度逻辑及混合信号电路与高性能驱动器一起集成到单颗IC 器件之中，然而，要达
此目的，需要克服不少束缚问题。

有关高压技术的顾虑
虽然高压技术在系统性能方面提供明显优势，但在选择这条路线之前，必须顾及多方面的问题。

期望使用基于更小几何尺寸高压半导体工艺的专用集成电路(ASIC)的工程团队，应当首先考虑高压工艺对其系统设计有效性会有的影响。

1.系统可靠性及工作寿命：至关重要的是，相关工程师完全清楚他们的系统处在高压域内的哪个时期。

在此基础上，就有可能评估利用更高电压电平是否可行，或者更高电压是否会大幅影响系统的长期工作。

2.技术成本：双极CMOS-DMOS(BCD)工艺的应用成本非常高昂，因此未经慎重考虑不应采用这种工艺。

应当事先恰当分析提议的系统，因为有可能存在潜在的更适合及成本更低的方案用于这特殊任务。

使用多裸片方法而不是尝试将所有功能都集成到单片硅片上，可能会被证实更为适宜。

3.静电放电(ESD)问题：由于涉及高压，就存在暴露在ESD 下的内在风险-高压领域事实上就存在ESD 风险。

而且，很可能需要这些条件下的知识产权(IP)合格认证，从而确保这IP 不会被证实易受ESD 损伤。

4.散热：为了理解及减轻芯片产生的较高的热量等级，明显需要对器件的裸片及封装进行热建模，并使用先进的热增强封装技术。

安森美半导体全新sic MOSFET方案NTHL020N120SC1

安森美半导体全新sic MOSFET方案NTHL020N120SC1谈起半导体，我们很容易联想到硅、锗、砷化镓等半导体材料，由于他们突出的电子性能，目前已经成为非常受欢迎的电子电力材料，像我们经常接触的二极管，就是半导体的应用之一。

在互联网、物联网迅猛发展的新时代，节能高效成为技术革新的主流方向，半导体的需求日益凸显。

日前安森美半导体新推出了一种sic半导体材料，并创建了最低RDSon的sic MOSFET之一，助力产能翻新、高效升级。

安森美1200V，20mΩN沟道SiC MOSFET NTHL020N120SC1的设计旨在在1200V的阻断电压(VDSS)下，提供极低的导通损耗，此外，它被设计为以低内部门极电阻（Rg =1.81Ω）和低输出电容（Coss = 260pF）快速驱动，使用更加便利。

NTHL020N120SC1拥有强大的氧化物性能（VGS额定值为+25V/-15V），无Vth漂移，无体二极管漂移，搭载了高开关速度，更将具有dv/dt控制的平滑门极驱动以及强大的体二极管用于硬开关，这样一来，1200V SiC MOSFET器件运行快、极大程度的减少了开关和导通损耗、强固耐用、具有超过100V/ns的快速瞬态抗扰度，它可以轻松满足或超越大多数客户的规格，在市场上非常有竞争力。

SiC具有比硅高10倍的介电击穿场强，高2倍的电子饱和速率，高3倍的导热率，不仅可以降低功率损耗，还能提高功率密度、工作频率，更重要的是，用sic为材料的话，可以极大程度减少成本和系统尺寸，很多消费者都逐渐倾向sic的使用，在未来，它的发展道路将更加宽阔。

宽禁带方案首选安森美半导体：您的无悔之选

科技赋能让我们的生活变得越来越丰富多彩，同时也让很多企业拥有了蓬勃而良好的发展契机。

如今身处信息化、大数据时代。

如何将科技与制作有机结合，也成为了很多公司着手研究的问题。

近几年对宽禁带方案有需求的公司不在少数，但一份严谨高质量的宽禁带方案往往对供应商也有较高的要求，比如技术、规模、经验。

可以说如今选择宽禁带方案，很多公司还是非常热衷于与安森美半导体进行合作。

安森美半导体深耕行业多年，拥有丰富的从业经验，尤其是在宽禁带方案上面，更是独具匠心。

从公司官网中我们了解到安森美半导体使用了高性能电源转换和电机控制的下一代材料：碳化硅、氮化镓。

这两种材料可有效推动未来应用的发展以及提供高性能的服务。

诸如太阳能和风能领域、电动汽车领域、云计算领域以及汽车功能电子化领域。

良好的从业经验是安森美半导体能够为合作伙伴提供一流服务的基础，从宽禁带方案的制定与研究来说，安森美半导体似乎更具优势。

对于有宽禁带方案需求的合作伙伴，安森美半导体会提供物理SPICE模型，以帮助设计工程师在仿真中实现其应用性能而无需昂贵的测量周期。

另外从安全性来说，安森美半导体也是JEDEC宽禁带标准委员会的成员之一，由此可见与安森美半导体合作，确实是企业们的正确选择。

安森美半导体持续扩充其计算产品平台方案

安森美半导体持续扩充其计算产品平台方案应用于高能效电子产品的首要高性能硅方案供应商安森美半导体(ON Semiconductor)持续为简化及加快计算平台设计而扩充其产品系列。

安森美半导体计算及消费产品部高级副总裁兼总经理宋世荣(Bill Schromm)说：我们的策略是继续专注产品开发，帮助原设备制造商(OEM)简化设计、加速开发并降低总体能耗及节省电路板空间的产品。

随着传统计算与移动设备(如平板电脑与智能手机)之间的界线日趋模糊，我们更须计算注重提升能效、功率密度及信号完整性。

安森美半导体的产品系列应用于台式机、服务器、笔记本及平板电脑的主要子系统，包括中央处理器(CPU)供电、热管理、传统银盒型(silver-box)台式机电源及适配器的电源转换，以及高速接口开关和保护。

针对业界越来越多地将计算技术转移到智能手机等移动平台，公司最近推出了扩充的产品系列，包括业界首款移动高清连接(MHL)开关，使用户能够同时将高清(HD)视频从智能手机和平板电脑传输至高清电视及为电池充电。

公司宽广的计算方案系列包括：多相内核电压(Vcore)控制器;AC-DC 及DC-DC 控制器、转换器及稳压器;电压及电流管理;MOSFET;放大器及比较器; EEPROM 存储器;以及应用于计算机及外设应用的电源开关、接口、保护和滤波等方案。

安森美半导体提供的下一代计算平台应用的最新产品包括：- ESD7008、MG2040 及ESD7104：为USB 3.0、HDMI™、DisplayPort 及Thunderbolt (Light Peak)等高速数据及高速视频线路提供静电放电(ESD)保护及业界最低电容、最高信号完整性和最低钳位电压。

安森美半导体新一代外围组件快速互连(PCIe)方案优化服务器时钟应用

安森美半导体新一代外围组件快速互连(PCIe)方案优化
服务器时钟应用
网络/无线/云计算、数字消费、自动测试设备(ATE)/工业等应用市场
的不断发展令时钟技术在性能和灵活性的结合越趋重要，而且越来越多的应用要求实时时钟在宽温度范围内有极高的计时精度。

安森美半导体(ON Semiconductor)为满足市场对更高时钟精度的需求，不断开发和拓展完整时钟解决方案，降低时间抖动和相位噪声，同时使系统设计更加简单易行。

不同应用市场对时钟方案的需求
不同应用市场对时钟方案的需求各有特点。

例如，网络、无线和云计算领域需要低于1ps 的抖动及低相位噪声，采用晶体振荡器(XO)或压控晶体振荡器(VCXO)，并且在网络/无线基站时钟中集成更高的灵活性及更多的功能。

数
字消费领域则需要具有专用时钟合成、压控晶体振荡器、可编程能力(系统设计灵活性)、多PLL 可配置频率、扩频有源降低电磁干扰(EMI)，以及快速提供样品和上市，还需要降低成本。

ATE 和工业领域需要高速精密时钟及数据管理器件。

PCIe 接口的应用优势及行业普及趋势
作为一种重要的总线接口技术，外围组件快速互连(PCIe)具有很多优势，如在带宽、模块化及多内核器件方面提供更高性能，采用标准独特连接时可以优化成本及可靠性等。

在PCIe 应用渐趋普及的今天，越来越多的存储设备已
经开始从SATA 接口转向PCIe，固态硬盘(SSD)存储器也开始转向PCIe;NEC 家庭网关(HGW)自2010 年开始使用PCIe;某些机顶盒芯片组(消费类)参考设计在2010 年加入PCIe 接口;不同架构的数据中心在大幅增加高速PCIe 的使用方面发挥了关键作用。

我们看到，PCIe 在PC/。

安森美半导体全面的IPM方案满足工业、汽车和消费应用的不同需求

安森美半导体全面的IPM方案满足工业、汽车和消费应用的不同需求智能功率模块(IPM)，是指集成驱动和庇护到单个封装的模块化计划，较分立计划削减占板空间，提升系统牢靠性，简化设计和加速产品面市时光。

安森美凭借率先的硅和封装技术，提供同类最佳的 IPM，产品阵容笼罩20 W到10 KW不同功率等级，应用于工业、汽车和消费等应用，具有显著的能效、尺寸、成本、牢靠性等优势。

IPM技术趋势按照详细应用需求，IPM可采纳各种不同的晶圆技术如平面、超结、场截止、碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)等，以及封装技术如扁平无引脚(QFN)、全塑(Full pack)、陶瓷基板、AI2O3、氮化铝(AIN)、绝缘金属基板技术(IMST)、挺直键合铜(DBC)、单列直插(SIP)、二合一（PFC + 变频器INVERTER）等，以尽量减小热阻，降低导通损耗和开关损耗，同时确保高集成度、高开关速度、高能效、高牢靠性和精彩的EMI性能。

600 V及1200 V高功率的工业IPM计划工业IPM主要应用于工业压缩机、泵、可变频驱动、电动工具等。

预计此类市场将来3年的复合年增率(CAGR)为5.1%，增长较快，这主要归结于人工成本的不断上涨导致企业实现的需求日趋剧烈，而各项能源规矩及测试标准如ErP、IEC、GB3等对能效的要求日趋严格。

安森美半导体是市场上能同时提供600 V及1200 V高功率IPM计划的首屈一指的供给商，主要系列有SPM45、SPM3、SPM2、SIP系列。

除了现有的第三、四代场截止IGBT技术，还即将推出采纳SiC、GaN的模块。

SPM3系列主要应用于高功率空调、工业变频器、工业泵和工业风扇等，这些模块集成了内置 IGBT 已优化的门极驱动，用法 Al2O3陶瓷基板实现极低热阻，从而优化EMI性能和最小化损耗，同时提供欠压锁定、过流关断和故障报告等多种庇护特性。

内置高速 HVIC 仅需要单电源并将收到的规律电平门极输入信号转换为高电压、高驱动信号，从而第1页共3页。