SOT-563封装ESD静电保护二极管阵列
二极管封装大全
二极管封装大全篇一：贴片二极管型号、参数贴片二极管型号.参数查询1、肖特基二极管SMA（DO214AC）2010-2-2 16:39:35标准封装：SMA 2010 SMB 2114 SMC 3220 SOD123 1206 SOD323 0805 SOD523 0603 IN4001的封装是1812 IN4148的封装是1206篇二：常见贴片二极管三极管的封装常见贴片二极管/三极管的封装常见贴片二极管/三极管的封装二极管：名称尺寸及焊盘间距其他尺寸相近的封装名称SMCSMBSMA SOD-106SC-77ASC-76/SC-90ASC-79三极管：LDPAKDPAK SC-63SOT-223 SC-73TO-243/SC-62/UPAK/MPT3 SC-59A/SOT-346/MPAK/SMT3 SOT-323 SC-70/CMPAK/UMT3 SOT-523 SC-75A/EMT3 SOT-623 SC-89/MFPAKSOT-723SOT-923 VMT3篇三：常用二极管的识别及ic封装技术常用晶体二极管的识别晶体二极管在电路中常用“D”加数字表示，如： D5表示编号为5的二极管。
1、作用：二极管的主要特性是单向导电性，也就是在正向电压的作用下，导通电阻很小;而在反向电压作用下导通电阻极大或无穷大。
正因为二极管具有上述特性，无绳电话机中常把它用在整流、隔离、稳压、极性保护、编码控制、调频调制和静噪等电路中。
电话机里使用的晶体二极管按作用可分为：整流二极管(如1N4004)、隔离二极管(如1N4148)、肖特基二极管(如BAT85)、发光二极管、稳压二极管等。
2、识别方法：二极管的识别很简单，小功率二极管的N极(负极)，在二极管外表大多采用一种色圈标出来，有些二极管也用二极管专用符号来表示P极(正极)或N极(负极)，也有采用符号标志为“P”、“N”来确定二极管极性的。
发光二极管的正负极可从引脚长短来识别，长脚为正，短脚为负。
esd保护器件和电路保护原理
esd保护器件和电路保护原理电子设备在日常使用和维护过程中，往往会遇到静电放电（ESD）的问题。
由于ESD的高能量特性，如果不加以有效的保护措施，会对设备的电路产生严重破坏。
因此，ESD保护器件和电路保护原理成为了电子设备设计中重要的考虑因素之一。
一、ESD保护器件为了有效地保护电子设备免受ESD的危害，研发出了各种ESD保护器件。
这些器件通常是使用低电阻材料和特殊的设计来吸收或分散ESD所带来的能量，从而保护设备电路的完整性。
以下介绍几种常见的ESD保护器件。
1. 二极管二极管是一种常用的ESD保护器件。
它可以承受较高的电压，并具有快速响应的特性。
当输入电压超过二极管的正向电压阈值时，二极管开始导通电流，从而分散和吸收ESD能量。
由于其简单性和有效性，二极管被广泛应用于各种电子设备中。
2. 金属氧化物半导体场效应管（MOSFET）MOSFET是另一种常见的ESD保护器件。
它具有低电阻和高响应速度的特点，能够有效地吸收和分散ESD的能量。
MOSFET通常用于高速信号线的保护，如USB接口和以太网端口。
3. 电磁继电器电磁继电器是一种特殊的ESD保护器件，主要用于对电路进行隔离和保护。
它通过电磁感应原理来控制电路的开关状态，从而保护设备免受ESD损害。
电磁继电器常用于高压和高功率电路的保护。
二、电路保护原理除了使用ESD保护器件外，设计合理的电路保护方案也是预防ESD引起的损害的重要手段。
下面介绍几种常见的电路保护原理。
1. 地线设计良好的地线设计可以有效地减少ESD放电路径上的电阻和电压。
将设备的地线与ESD保护器件连接，可以将ESD的能量引流到地线上，从而保护电路不受损害。
地线还可以起到隔离和屏蔽的作用，避免外部ESD对设备的影响。
2. 前端过滤器在电子设备的输入端加入前端过滤器可以有效地降低外部ESD噪声对电路的影响。
前端过滤器通常采用滤波器和瞬态电压抑制器，用于滤除高频噪声和抑制ESD波形。
优恩半导体ESD静电保护器目录表
Part Number (Reference) ESD3.3V52D-A ESD05V52D-A ESD08V52D-A ESD12V52D-A ESD15V52D-A ESD24V52D-A ESD05V52D-C ESD12V52D-CInternal ConfigurationVrwm(V) 3.3 5 8 12 15 24 5 9Vbrmin(V)CJMAX 1MHz(pF) 200 110 70 60 50 25 10 5 450 200 30 100 75 50Peak Power Ir@Vrwm 8/20 µ s (µA) 120 120 120 120 120 120 100 100 320 320 100 320 320 320 200 5 5 5 5 5 1 1 40 10 1 1 1 1SOD-5234 6 8.5 13.3 16.6 26.7 6 10.2 4 6 6 13.3 16.7 26.7SOD-523 ESD03V32D-C ESD05V32D-C ESD0501V32D-C ESD12V32D-C ESD15V32D-C ESD24V32D-C 3 5 5 12 15 24SOD-323ESD3.3V32D-LA ESD05V32D-LA SOD-323 ESD03V32D-LC ESD05V32D-LC ESD08V32D-LC ESD12V32D-LC ESD15V32D-LC ESD24V32D-LC3.3 5.04 60.4 0.4350 35020 5SOD-3233.0 5.0 8.0 12.0 15.0 24.04.0 6.0 8.5 13.3 16.7 26.71.2 1.2 1.2 1.2 1.2 1.2350 350 350 350 350 35020 5 2 1 1 1ESD05V14TLC SOT-1435.06.01.23005Part Number (Reference) ESD03V23T-2A ESD05V23T-2A ESD05V23T-2AL ESD08V23T-2A ESD12V23T-2A ESD15V23T-2A ESD24V23T-2A ESD36V23T-2AInternal ConfigurationVrwm(V) 3.3 5.0 5.0 8.0 12.0 15.0 24.0 36.0Vbrmin(V)CJMAX 1MHz(pF) 400 300 30 250 150 100 88 60Peak Power Ir@Vrwm 8/20 µ s (µA) 300 300 100 300 300 300 300 300 100 10 0.1 1 1 1 1 1SOT-234.0 6.0 6.0 8.5 13.3 16.7 26.7 40.0ESD05V23T-2L SOT-23 Pin 3 to Pin1/Pin2 SM712 Pin 3 to Pin1/Pin2 ESD3.3V23T-1A ESD05V23T-1A ESD08V23T-1A ESD12V23T-1A ESD15V23T-1A ESD24V23T-1A ESD36V23T-1A SOT-235.06.01350177.555400107 3.3 5.0 8.0 12.0 15.0 24.0 36.013.3 4.0 6.0 8.5 13.3 16.7 24.0 40.055 5 5 5 5 5 5 5400 500 500 500 500 500 500 5001 40 5 5 1 1 1 1SOT-23SLVU2.8 SOT-232.83.034001ESD05V26T-4 SOT-265.06.01.23501Part Number (Reference) ESD05V26T-4L ESD12V26T-4L ESD15V26T-4L ESD24V26T-4LInternal ConfigurationVrwm(V)Vbrmin(V)CJMAX 1MHz(pF) 200 90 70 50Peak Power Ir@Vrwm 8/20 µ s (µA) 350 350 350 350 5 1 1 15.0 12.0 15.0 24.0 SOT-266.0 13.3 16.7 26.7ESD05V26T-5L ESD12V26T-5L ESD15V26T-5L ESD24V26T-5L SOT-265.0 12.0 15.0 24.06.0 13.3 16.7 26.7200 90 70 50350 350 350 3505 1 1 1ESD05V36T-4L SOT-3635.06.021501ESD05V36T-5L SOT-3635.06.0501001ESD05V56T-2L SOT-5635.06.00.9501ESD05V56T-4L SOT-5635.06.0301001ESD05V56T-5L SOT-5635.06.0301001Part Number (Reference)Internal ConfigurationVrwm(V)Vbrmin(V)CJMAX 1MHz(pF)Peak Power Ir@Vrwm 8/20 µ s (µA)ESD12V56T-2C SOT-5639.010.031001SLVU2.8-4 SO-082.83.024005SLVU2.8-8 SO-08 ESD06V08S-4L SO-082.83.0560056.06.825200020ESD05V08S-4L SO-08 LCDA05C-4 LCDA12C-4 LCDA15C-4 LCDA24C-45.06.0550010SO-085.0 12.0 15.0 24.06.0 13.3 16.7 26.75 5 5 5500 500 500 50020 1 1 1LCDA05C-8 LCDA12C-8 LCDA15C-8 LCDA24C-8 SO-165.0 12.0 15.0 24.06.0 13.3 16.7 26.75 5 5 5500 500 500 50020 1 1 1Part Number (Reference)Internal ConfigurationVrwm(V)Vbrmin(V)CJMAX 1MHz(pF)Peak Power Ir@Vrwm 8/20 µ s (µA)ESD05VDFN-C DFN10065.06.0101001ULC0524P DSON-105.06.00.81501ULC0528P5.06.50.52000.5MSOP-08ESD05V10S-4L MSOP-105.06.00.51251Cell Phone CCD Camera LinesEE0504K LWSON-085.06.020Color LCD Protection Clamshell Cell Phones0.5Cell Phone CCD Camera LinesESD0506K5.06.020Color LCD Protection Clamshell Cell Phones0.5LWSON-12Part Number (Reference)Internal ConfigurationVrwm(V)Vbrmin(V)CJMAX 1MHz(pF)Peak Power Ir@Vrwm 8/20 µ s (µA)Cell Phone CCD Camera LinesEE0508K5.06.020Color LCD Protection Clamshell Cell Phones0.5LWSON-16EE0508DFN5.06.0171DFN3014Differential Mode vs. Common Mode4345256162 of 211232011/3/31Curves of CharacterizationBAV99 vs TVS ARRAYS直接將突波導入到 Vcc -- 這種方式非 非 常不安全, 易導致 Vcc損害.直接將突波導入到 GND -- 這種方式非 非 常安全. 因為接地 區域有較大阻抗可 以分散突波.4 of 212011/3/31Parasitic InductanceESD ProtectorESD Protector不妥當的方式 : 無法將保護元件直接貼 在信號線上. 會產生寄 生電感. 造成保護能力 被寄生的電感減弱.安全的方式 : 將保護元件直接貼在信 號線上. 讓保護能力全 力發揮.Fine Layout vs Parasitic InductanceFine Layout -- Without Parasitic InductanceNOT recommation -- Parasitic Inductance7 of 212011/3/31Anti-Parasitic Inductance直接將保護ESD保護能力元件貼在信號線上--不會產生寄生電感問題.可以完全發揮8 of 212011/3/31Anti-Parasitic Inductance3-PIN產品的應用9 of 212011/3/31USB 3.0 Interface ProtectionMSOP-0810 of 212011/3/31HDMI Interface ProtectionSLP2510P8(2.5x1.0x0.5mm)11 of 212011/3/31USB 3.0 Interface Protection12 of 212011/3/31GR-1089 Lighting Protection for T-Carrier Interface13 of 212011/3/3110/1000 Gigabit Ethernet Protection14 of 212011/3/31。
插件二极管封装类型
插件二极管封装类型
插件二极管的封装类型可分为以下几种：
1. TO-92封装：TO-92是一种非常常见的二极管封装类型，也
是最简单的一种封装。
它由一个小型塑料外壳构成，具有三个引脚，用于连接二极管的正极，负极和基极。
TO-92封装适用
于低功耗应用。
2. SOT-23封装：SOT-23是一种很常见的表面贴装二极管封装
类型。
它由一个小型塑料外壳构成，具有三个铜脚，用于连接二极管的正极，负极和基极。
SOT-23封装适用于紧凑型电路
板设计，因为它可以通过表面贴装技术进行焊接。
3. SOT-223封装：SOT-223是一种表面贴装封装，具有四个引脚，用于连接二极管的正极，负极，基极和散热片。
SOT-223
封装适合高功率二极管，因为它具有更好的散热性能。
4. DIP封装：DIP是双列直插封装的简称，也是最早使用的二
极管封装类型之一。
DIP封装具有两个平行排列的引脚，用于
连接二极管的正极和负极。
DIP封装适用于手工或机器焊接的
电路板。
5. SMD封装：SMD是表面贴装器件的缩写，其封装类型多种
多样。
SMD封装通常由带有引脚的芯片形状的塑料外壳组成，可以通过表面贴装技术进行焊接。
SMD封装适用于高密度电
路板设计。
这些只是常见的插件二极管封装类型之一，还有其他更多封装类型可供选择，具体选择取决于具体的应用需求和电路设计要求。
esd静电二极管符号
esd静电二极管符号
摘要：
1.什么是ESD静电二极管
2.ESD静电二极管的作用
3.ESD静电二极管的符号表示
4.ESD静电二极管与其他类型二极管的比较
5.ESD静电二极管的应用领域
正文：
ESD静电二极管是一种用于保护电子设备免受静电放电（ESD）损害的元件。
它可以在短时间内承受极高的电压脉冲，并将其引导到地面，从而保护其他电路元件不受损害。
ESD静电二极管的主要作用是在设备遭受静电放电时，快速地将放电电流引导至地面，以避免损害设备中的其他敏感电路元件。
这种二极管通常具有较低的正向电压降和较高的反向击穿电压，使其能够在需要时快速导通并承受大量电流。
在电路图中，ESD静电二极管的符号通常为一个带有箭头的直线，箭头表示二极管的方向。
在二极管符号的旁边，可能会标注其额定电压和容差等参数。
与其他类型的二极管相比，ESD静电二极管具有更快的响应速度和更高的击穿电压。
这使得它们能够更好地保护电路免受ESD事件的损害。
另外，ESD 静电二极管的漏电流通常较小，因此它们对于低电流应用也是理想的选择。
ESD静电二极管广泛应用于各种电子设备中，特别是在便携式设备、计算机、通信设备和消费电子产品中。
它们的主要应用场景包括：数据线保护、USB端口保护、LCD显示器保护、触摸屏保护等。
ESD是什么？ESD文件
ESD是什么？ESD文件1.ESD简介ESD是代表英文Electrostatic Discharge即“静电放电”的意思。
ESD是本世纪中期以来形成的以研究静电的产生与衰减、静电放电模型、静电放电效应如电流热(火花)效应(如静电引起的着火与爆炸)和电磁效应(如电磁干扰)等的学科。
近年来随着科学技术的飞速发展、微电子技术的广泛应用及电磁环境越来越复杂，对静电放电的电磁场效应如电磁干扰(EMI)及电磁兼容性(EMC)问题越来越重视。
我司ESD保护器件主要是由TVS ARRAY组成，经不同封装而成的器件。
其优点是体积小，结电容低，反应速度快等。
按电容值可分为Ultra Low capacitance系列，Lowcapacitance系列和Standarder capacitance系列。
2.ESD工作原理器件并联于电路中，当电路正常工作时，它处于截止状态(高阻态)，不影响线路正常工作，当电路出现异常过压并达到其击穿电压时，它迅速由高阻态变为低阻态，给瞬间电流提供低阻抗导通路径，同时把异常高压箝制在一个安全水平之内，从而保护被保护被保护I C或线路;当异常过压消失，其恢复至高阻态，电路正常工作。
3.ESD特性参数击穿电压VBR：ESD通过规定的测试电流IT时的电压，这是表示ESD管导通的标志电压。
反向断态电压VRWM与反向漏电流IR：反向断态电压(截止压)VRWM表示ESD不导通的最高电压，在这个电压下有极小的反向漏电流I R。
脉冲峰值电流IPP：ESD允许通过的10/1000μs波的最大峰值电流(8/20μs波的峰值电流约为其5倍左右)，超过这个电流值就可能造成永久性损坏。
最大箝位电压VC：ESD管流过脉冲峰值电流IPP时两端所呈现的电压。
脉冲峰值功率Pm：脉冲峰值功率Pm是指10/1000μs波的脉冲峰值电流IPP与最大箝位电压VC的乘积，即Pm=IPP*VC。
4.ESD命名规则5.ESD分类及封装ESD可分为三种：压敏电阻、聚合物、硅二极管，我司主要为T VS阵列、贴片压敏两类ESD。
Littelfuse瞬态抑制二极管阵列为超高速接口提供超低电容ESD保护
http ：//牌的各种智能音箱百花齐放则是最好的证明。
Strategy Analytics 数据显示，2018年全球智能音箱销量达8620万台，全世界约有6000万家庭目前拥有至少一台智能音箱。
另外，智能音箱所隶属的影音娱乐同样也成为智慧家居最快的落地场景之一。
除此之外，家庭安防、智能照明也受到青睐。
其缘由在于，从智慧家居的需求侧来看，尤其是在B 端，大部分受众只愿意为客厅和主卧买单，而这两个场景中的最大需求点则是智能照明和影音娱乐。
其次，就“阻碍智慧家居市场发展的主要因素”的讨论，嘉宾们主要认为：智慧家居标准不统一（含通讯协议、操作系统）是目前及未来智慧家居市场快速发展的最重要掣肘，而产品碎片化和用户体验同样也会对市场发展产生影响。
其中，对于智慧家居的真正爆发时间，嘉宾们绝大多数认为将在2022年后将实现房屋整体的智慧家居爆发。
而目前囿于前文的障碍及成本关系，目前的智慧家居规模扔待进一步发掘。
但如果从智慧家居的单品角度来看，智慧家居已经爆发了，但后装和前装的全屋智能化仍有较大市场空间周期精确追踪技术提高UltraSoC 嵌入式分析基础架构的性能优化能力UltraSoC 近日宣布公司在嵌入式监测和分析基础架构中推出新技术，支持高性能计算、存储和实时设备的设计人员能够从其产品中获取最高级别的性能。
通过增加周期精确的追踪功能，可使利用UltraSoC 嵌入式分析技术的实时应用开发人员不仅能够查看器件内部发生的情况，而且更为关键的是可以看到发生某些情况的时间。
在实时和性能关键型（performance-critical ）应用中，周期精确追踪正变得越来越重要，工程师需要将其硬件和软件代码的运行优化到单时钟周期的水平，即被CPU 、GPU 、DSP 或加速器所识别的最小时间单位。
周期精确追踪技术最初将作为UltraSoC 用于RISC-V 处理器追踪解决方案的一部分提供，RISC-V 是一个快速增长的开源处理器项目。
东芝扩充12V耐压p通道MOSFET产品线,用于便携终端充电开关
东芝扩充12V耐压p通道MOSFET产品线，用于便
携终端充电开关
东芝于日前扩充了耐压（漏源间电压）为-12V的p通道MOSFET的产品线。
此次推出的新产品是采用封装面积为2.0mm&TImes;2.0mm的SOT-1220（UDFN6B）封装的SSM6J505NU，以及采用封装面积为
1.6mm&TImes;1.6mm的SOT-563（ES6）封装的SSM6J216FE。
新产品的特点是都支持大电流，SOT-1220封装产品的最大漏电流为－12A，SOT-563封装产品为－4.8A。
据东芝介绍，此次推出新产品的背景是，随着便携式电子产品的高功能化，电池容量不断增加，同时充电电流也趋于增大。
新产品主要用于智能手机、平板电脑、笔记本电脑、数码相机和数码摄像机等的充电开关和功率管理开关。
SOT-1220封装产品的导通电阻在栅源极间电压为-4.5V时为
9mΩ（标称值），在-2.5V时为11mΩ（标称值），在-1.2V时为18mΩ（标称值）。
栅极电荷量为37.6nC（标称值）。
输入容量为2700pF（标称值）。
反馈电容为800pF（标称值）。
输出容量为800pF（标称值）。
SOT-563封装产品的导通电阻在栅源极间电压为-4.5V时为
26.0mΩ（标称值），在-2.5V时为31.5mΩ（标称值），在-1.5V 时为49.0mΩ（标称值）。
栅极电荷量为12.7nC（标称值）。
输入容量。
肖特基二极管 防静电
肖特基二极管防静电肖特基二极管是一种常见的半导体器件，其独特的结构和材料使其具有防静电的特性。
本文将从肖特基二极管的原理、结构和应用三个方面，详细介绍肖特基二极管如何实现防静电功能。
一、肖特基二极管的原理肖特基二极管是由P型半导体和N型半导体组成的二极管，其结构与普通二极管类似。
肖特基二极管的关键在于其P-N结的形成方式不同于普通二极管，而是通过P型半导体与N型金属之间的接触来实现。
这种接触形成了一个金属-半导体势垒，也就是肖特基势垒。
肖特基二极管的特殊结构使其具有以下特点：1. 阻挡电流：肖特基二极管在正向偏置时具有与普通二极管相似的导通特性，但在反向偏置时具有更高的阻挡电流能力。
这是因为肖特基二极管的肖特基势垒可以阻挡大部分反向电流，使其只能通过很小的反向电流。
2. 快速开关速度：由于肖特基二极管的结构特殊，其载流子注入和排出速度更快，导致其开关速度更高。
这使得肖特基二极管在高频应用中具有优势，同时也有助于防止静电放电。
二、肖特基二极管的结构肖特基二极管的结构如图所示，它由P型半导体和N型金属组成。
P 型半导体的掺杂浓度较高，形成P区；N型金属则是N区。
P-N结的形成是通过P区与N区之间的接触来实现的，形成了肖特基势垒。
肖特基二极管的结构使其具有防静电的能力。
三、肖特基二极管的应用肖特基二极管由于其特殊的结构和性能，在电子电路中有着广泛的应用。
其中，防静电就是肖特基二极管的一个重要应用之一。
1. 静电保护：由于肖特基二极管具有较高的阻挡电流能力和快速开关速度，它可以用于保护电子设备免受静电损害。
当静电电荷通过肖特基二极管时，其肖特基势垒会迅速阻挡并导向地，从而保护其他电子器件免受静电放电的影响。
2. 静电放电保护：肖特基二极管还可以用于静电放电保护电路的设计。
在这种应用中，肖特基二极管可以作为快速开关来实现对静电放电的响应和保护。
当静电电荷积累到一定程度时，肖特基二极管会迅速导通，将静电放电到地，以保护其他电子器件的安全。