电子科技大学 18秋《电子技术基础》在线作业3满分答案
电子科大17春《电子技术基础》在线作业3
2017秋17春电子科大17春《电子技术基础》在线作业3一、单选题（共10 道试题，共50 分。
）1. 三端集成稳压器W7900 系列3端为（）A. 输入端B. 输出端C. 公共端正确答案：2. 下列电路中，是时序电路的是( )A. 二进制译码器B. 移位寄存器C. 数值比较器D. 编码器正确答案：3. PN结加正向电压时，空间电荷区将（）A. 变窄B. 基本不变C. 变宽正确答案：4. 稳压电源中的稳压二极管工作于（）状态。
A. 正向导通B. 反向截止C. 反向击穿正确答案：5. 固定偏置基本放大电路出现截止失真时，应调节RB，使其阻值()A. 增大B. 减小C. 先增大后减小正确答案：6. 为了改善整流电压的脉动程度，要在整流电路中加接（）A. 变频器B. 滤波器C. 稳压器正确答案：7. 对某电路中一个NPN型硅管测试，测得UBE>0，UBC>0，UCE>0，则此管工作在（）A. 放大区B. 饱和区C. 截止区正确答案：8. 在甲类工作状态的功率放大电路中，在不失真的条件下增大输入信号，则电源供给的功率（）A. 增大B. 减小C. 不变正确答案：9. 集成运放可分为两个工作区，它们是（）A. 正反馈与负反馈B. 虚短与虚断C. 线性与非线性正确答案：10. n级触发器构成的环形计数器，其计数模是( )A. nB. 2nC. 2n -1D. 2n正确答案：17春《电子技术基础》在线作业3二、多选题（共3 道试题，共15 分。
）1. 直流稳压电源一般是由（）、（）、滤波、稳压四部分组成A. 变压B. 变频C. 整流正确答案：2. 理想集成运放的两个输入端的电压相等称为（）；两输入电流为零称为（）A. 虚短B. 虚断C. 虚地正确答案：3. 直流稳压电源一般是由变压、整流、（）、（）四部分组成A. 变频B. 滤波C. 稳压正确答案：17春《电子技术基础》在线作业3三、判断题（共7 道试题，共35 分。
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《电子技术基础》课程习题集西南科技大学成人、网络教育学院版权所有习题【说明】：本课程《电子技术基础》（编号为08001）共有单选题,简答题,计算题1,作图题1,作图题2,计算题2,分析题,化简题等多种试题类型，其中，本习题集中有[计算题2,作图题2]等试题类型未进入。
一、单选题1.测得NPN三极管的三个电极的电压分别是U B=1.2V，U E=0.5V，U C=3V，该三极管处在（）状态。
A. 击穿B. 截止C. 放大D. 饱和2.二极管的主要特性是（）。
A.放大特性B.恒温特性C.单向导电特性D.恒流特性3.在N型半导体中（）。
A.只有自由电子B.只有空穴C.有空穴也有电子D.没有空穴也没有自由电子4.三极管的两个PN结都正偏，则晶体三极管的状态是（）。
A.放大B.饱和C.截止D.倒置5.工作在放大状态的某三极管，当输入电流I B=10μA时，I C=1mA；而I B=20μA时，I C=1.8mA，则该三极管的交流电流放大系数为（）。
A.50B.80C.100D.1806.稳压管的稳压是其工作在（）。
A.正向导通B.反向截止C.反向击穿区D.正向死区7.在某放大电路中测得三极管三个极的静态电位分别为0V、-10V和-9.3V，则该管为（）。
A.NPN硅管B.NPN锗管C.PNP硅管D.PNP锗管8.在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于（）。
A. 温度B. 掺杂工艺C. 杂质浓度D. 晶体缺陷9.测得NPN型硅三极管三个电极电位分别为：U B=2.8V，U E=2.1V，U C＝3.6V，则该管处于（）状态。
A.饱和B.截止C.放大D.击穿10. P型半导体中的自由电子浓度（）空穴浓度。
A.大于B.小于C.等于D.大于或等于11. N型半导体是在纯净的本征半导体中加入（）。
A.自由电子B.空穴C.硼元素D.磷元素12.三极管工作在放大区的条件是（）。
A.发射结正偏，集电结正偏B.发射结反偏，集电结正偏C.发射结正偏，集电结反偏D.发射结反偏，集电结反偏13.下列关于半导体的说法正确的是（）。
电子技术基础及参考答案（自考）
电子技术基础及参考答案（自考）电子技术基础及参考答案（02234）一、选择题（共75小题，每题2分，共150分）1、在电路理论中叠加原理适用于【】A. 线性电路B. 非线性电路C. 积分电路D. 都可以2、铜线可以作为导线是因为它是【】A. 半导体B. 绝缘体C. 导体D. 稳定性好3、在线性电路中，每个节点电流的总和为【】A. 0B. -1C. 1D. 104、在纯阻性负载串联电路中，每个电阻两端的电压【】A. 大小方向均不相同B.大小方向均相同C. 大小不同、方向相同D.大小相同方向不同5、白炽灯的负载性质是【】A. 感性负载B. 容性负载C. 阻性负载D. 不确定6、日光灯的负载性质是【】A. 感性负载B. 容性负载C. 阻性负载D. 都不是7、本征半导体是指半导体中【】A. 自由电子和空穴数量相等B. 只有电子C. 只有空穴D. 电子数量大于空穴数量8、杂质半导体是指半导体中【】A. 自由电子和空穴数量相等B. 只有电子C. 只有空穴D. 电子数量和空穴数量不相等9、P型半导体是指半导体中【】A. 自由电子和空穴数量相等B. 自由电子数量大于空穴数量C. 空穴数量大于自由电子数量D. 自由电子数量和空穴数量不相等10、N型半导体是指半导体中【】A. 自由电子和空穴数量相等B. 自由电子数量大于空穴数量C. 空穴数量大于自由电子数量D. 自由电子数量和空穴数量不相等11、杂质半导体有【】A. P型半导体B. N型半导体C. P型和N型半导体D. S型半导体12、在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于【】A. 温度B. 掺杂工艺C. 杂质浓度D. 晶体缺陷13、二极管有多少个PN结？【】A. 3个B. 2个C. 1个D. 0个14、二极管的特性是【】A. 放大特性B. 单向导电特性C. 恒温特性D. 恒流特性15、三极管的两个PN结都正偏，则晶体三极管的状态是【】A. 放大B. 饱和C. 截止D. 倒置16、双极型三极管的输出电流大小是靠【】A. 输入电压控制B. 输入电流控制C. 功率控制D. 都可以控制17、三极管工作在放大区的条件是【】A. 发射结反偏，集电结正偏B. 反射结反偏，集电结反偏C. 发射结正偏，集电结反偏D. 发射结正偏，集电结正偏18、测得NPN三极管的U B=1.2V，U E=0.5V，U C=3V，该三极管处在【】A. 击穿状态B. 截止状态C. 放大状态D. 饱和状态19、工作在放大状态的某三极管，当输入电流I B=10μA时，I C=1mA；而I B=20μA时，I C=1.8mA，则该三极管的交流电流放大系数为【】A. 50B. 80C. 100D. 18020、放大电路中测得三极管三个极的静态电位分别为0V、-10V 和-9.3V，则该管为【】A. NPN硅管B. NPN锗管C. PNP硅管D. PNP锗管21、三极管两个PN结都反偏时，工作在【】A. 放大状态B. 饱和状态C. 截止状态D. 倒置状态22、以下电路中，可用作电压跟随器的是【】A. 差分放大电路B. 共基放大电路C. 共射放大电路D. 共集放大电路23、下列哪种失真不属于非线性失真？【】A. 饱和失真B. 截止失真C. 交越失真D. 频率失真24、共射极放大器的输出电压和输入电压在相位上相差【】A. 90°B. 180°C. 60°D. 30°25、理想集成运放的输入电流为【】A. 无穷大B. 零C. mA级D. μA级26、在集成运放电路中，各级放大电路之间采用了【】A. 直接耦合方式B. 变压器耦合方式C. 阻容耦合方式D.光电耦合方式27、在比例运算电路中，比例系数大于1的电路是【】A. 反相比例电路B. 同相比例电路C. A和B都可以D. A和B都不行28、为了增大电压放大倍数，集成运放的中间级多采用【】A. 共射放大电路B. 共集放大电路C. 共基放大电路D.共漏极放大电路29、在负反馈放大电路中，电压串联负反馈使输入电阻【】A. 增大C. 不变D. 近似不变30、构成反馈网络的元件【】A. 只能是电阻元件B. 只能是有源元件C. 只能是无源元件D. 可以是有源元件也可以是无源元件31、交流负反馈在电路中主要作用是【】A. 稳定静态工作点B. 防止电路产生自激振荡C. 降低电路增益D. 改善电路的动态性能32、直流负反馈在电路中的主要作用是【】A. 稳定静态工作点B. 降低输出电阻C. 提高输入电阻D. 增大电路增益33、RC正弦波振荡电路可以产生【】A. 方波B. 锯齿波C. 高频正弦波D. 低频正弦波34、在共射放大电路中，若输出电压出现了顶部失真，则该失真为【】A. 饱和失真B. 截止失真C. 交越失真D. 频率失真35、乙类功放电路中三极管的导通角为【】B. 270度C. 180度D. 90度36、串联型稳压电路中的放大环节所放大的对象是【】A. 基准电压B. 采样电压C. 基准电压与采样电压之差D. 输出电压37、典型的串联型线性稳压电路正常工作时，调整管处于【】A. 饱和状态B. 放大状态C. 截止状态D. 倒置状态38、集成稳压器7805的输出电压是【】A. +10VB. -10VC. +5VD. -5V39、十进制数6在8421BCD 码中表示为【】A. 0101B. 0110C. 0111D. 100040、当逻辑函数有n 个变量时，共有多少个变量取值组合？【】A ．nB ．2nC ．2nD ．n 241、逻辑表达式F = A + BD + CDE + D = 【】A ．AB ．A+DC ．D D ．A+BD42、逻辑表达式A + BC = 【】A ．A+B B ．A+C C ．B+CD ．(A+B )(A+C )43、逻辑函数F = A ⊕(A ⊕B ) = 【】A ．B B ．AC ．A ⊕BD ．A B ⊕44、逻辑函数()Y AC ABD BCD E F =+++的最简与或式为【】A ．AC BD +B ．AC ABD + C ．AC B + D ．A BD +45、逻辑函数Y AB AB BC =++的标准与或式为【】A ．()2,3,4,5,7m ∑B ．()12346m ∑，，，， C ．()01235m ∑，，，， D ．()34567m ∑，，，， 46、逻辑表达式L =AB+C 的对偶式为【】A ．A+BCB ．(A+B )C C ．A+B+CD ．ABC47、逻辑函数F AB BC =+的反函数F = 【】A ．()()AB BC ++ B. ()()A B B C ++C. A B C ++D. AB BC +48、在四变量卡诺图中，逻辑上不相邻的一组最小项为【】A ．m 1与m 3B ．m 4与m 6C ．m 5与m 13D ．m 2与m 849、和TTL 电路相比，CMOS 电路最突出的优点在于【】A ．可靠性高B ．抗干扰能力强C ．速度快D ．功耗低50、下列几种TTL 电路中，输出端可实现线与功能的电路是【】A. 或非门B. 与非门C. OC 门D. 异或门51、OC 门是【】A. 集电极开路门B. 三态门C. 与非门D. 非门52、某逻辑函数的卡诺图如图1所示，则该逻辑函数最简与或表达式为【】A ．Y = ABC B. Y = AB+AC C ．Y = BC+AB D ．无答案图153、逻辑函数F 1、F 2、F 3的卡诺图如图2所示，它们之间的逻辑关系是【】A ．F 3= F 1? F 2B ．F 3= F 1+ F 2C ．F 2= F 1? F 3D ．F 2= F 1+ F3F 1 F 2 F 3图254、已知某电路的真值表如表1所示，该电路的逻辑表达式为【】A ．Y C = B. Y ABC = C ．Y ABC =+D ．Y BC C =+表155、逻辑电路如图3所示，逻辑函数表达式为【】A ．F ABC =+ B ．F AB C =+ C ．F AB C =+D ．F A BC =+ABCF图356、已知AB A C BC AB A C ++=+，左式和右式的两个逻辑函数分别是X 和Y ，产生竞争冒险的是【】A ．XB ．YC ．X 和YD ．都不会57、在下列逻辑电路中，不是组合逻辑电路的有【】A ．译码器B ．编码器C ．全加器D ．寄存器58、若在编码其中有50个编码对象，则要求输出二进制代码位数为【】A ．5B ．6C ．10D ．5059、一个16选一的数据选择器，其地址输入端个数为【】A ．1B ．2C ．4D ．1660、用四选一数据选择器实现1010Y A A A A =+，应使【】A ．03120,1D D D D ====B ．03121,0D D D D ====C ．01230,1D D D D ==== D ．01231,0D D D D ====61、半加器的两个加数为A 和B ，进位输出端的表达式为【】A ．AB B ．+A BC ．ABD ．AB62、已知74LS138译码器的三个使能端（11E =，23=0E E =）时，地址码A 2A 1A 0=011，则输出7Y ~0Y 是【】A ．11111101B ．10111111C ．11110111D ．1111111163、逻辑状态功能表如表2所示，则实现该功能的逻辑部件是【】A ．比较器 B. 二进制译码器C ．二进制编码器 D. 十进制编码器表264、设计一个同步模8计数器需要的触发器数目为【】A ．1B ．3C ．5D ．865、一个触发器可记录一位二进制代码，它有多少个稳态？【】A ．0B ．1C ．2D ．366、为将D 触发器转换为T 触发器，图4所示电路的虚线框内应是【】A．或非门B．与非门C．异或门D．同或门图467、N个触发器可以构成能寄存多少位二进制数码的寄存器？【】A. NB. N-1C. N+1D. 2N68、在下列触发器中，有约束条件的是【】A．RS B．JK C．D D．T69、存储8位二进制信息要多少个触发器？【】A．2 B．3 C．4 D．870、可用来暂时存放数据的器件是【】A. 译码器B. 寄存器C. 全加器D. 编码器71、要使JK触发器在时钟脉冲作用下的次态与现态相反，输入端JK应该为【】A．00 B．01 C．10 D．1172、某计数器的状态转换图如图5所示，其计数容量为【】A．八 B. 五 C. 四 D. 三图5+=逻辑功能的电路是【】73、如图所示电路中，能完成1n nQ QA．B．C．D．74、指出下列电路中能够把串行数据变成并行数据的电路应该是【】A. JK触发器B. 3/8线译码器C. 移位寄存器D. 十进制计数器75、输入100Hz脉冲信号，要获得10Hz的输出脉冲信号需要用多少进制计数器实现？【】A ．100进制 B. 10进制 C ．50进制 D ．5进制二、判断题（共25小题，每题2分，共50分）1、目前国家民用电交流电的频率时100HZ 。
全国自考电子技术基础三-试卷4_真题(含答案与解析)-交互
全国自考电子技术基础（三）-试卷4(总分92, 做题时间90分钟)1. 单项选择题1.十六进制数EF16对应的十进制数为【】SSS_SINGLE_SELA 238B 239C 254D 255分值: 2答案:B解析：EF16=14×16 1+15×16 0 =239。
2.和二进制数10110100．1相等的十六进制数为【】SSS_SINGLE_SELAB4．116BB4．816CC4．816DC4．116分值: 2答案:B解析：将二进制数10110100．1，从小数点处每4位分成一组，即二进制数1011 0100．1000 十六进制数 B 4．8 10110100．I2 =B4．816。
3.和相等的表达式是【】SSS_SINGLE_SELA 1BC ABD分值: 2答案:C解析：4.某逻辑电路真值表如表3-1所示，其函数F的表达式是【】SSS_SINGLE_SELABCD分值: 2答案:A解析：由真值表可写出函数表达式F=。
5.卡诺图中，把4个相邻项合并，能够消除的变量数为【】SSS_SINGLE_SELA 1个B 2个C 3个D 4个分值: 2答案:B6.如图3-1所示TTL门电路，其输出F为【】SSS_SINGLE_SELA F=1B F=AC F=D F=0分值: 2答案:C解析：图中为异或门，F=。
7.若要使表达式Y=为1，则ABCD的取值组合为【】SSS_SINGLE_SELA 0011B 0110C 1010D 0001分值: 2答案:D解析：进行异或的两个逻辑值按照“相同出0，不同出1”的规则进行运算，四个选项分别代入表达式计算可得只有D项使Y=1。
8.将十进制数或字符转换成二进制代码的是【】SSS_SINGLE_SELA 加法器B 编码器C 译码器D 数据选择器分值: 2答案:B9.对于共阳极七段显示数码管若要显示数字“2”，则七段显示译码器输出abcdefg应该为【】SSS_SINGLE_SELA 0000110B 1001100C 1101101D 0010010分值: 2答案:D10.同步D触发器的特征方程为【】SSS_SINGLE_SELAQ n＋1 =DBQ n＋1 =CQ n＋1 =QDQ n＋1 =分值: 2答案:A11.满足使边沿触发的JK触发器的次态为“1”的组合是【】SSS_SINGLE_SELA JK=00，Q=0B JK=01，Q=1C K=10，Q=0D JK=11，Q=1分值: 2答案:C解析：边沿JK触发器的特征方程为Q n＋1 = (CP下降沿有效)，将四个选项分别代入特征方程，只有C选项使Q n＋1 =1，故本题选C。
电子技术基础(三)真题试题及答案解析
电子技术基础(三)真题试题及答案解析一、单选题（共20题，共40分）1.有两个2CW15稳压二极管，其中一个稳压值是8V，另一个稳压值为7.5V，若把两管的正极并接，再将负极并接，组合成一个稳压管接入电路，这时组合管的稳压值是：()。
A.8VB.7.5VC.15.5V2.为了减小开关时间，常在晶体管的基极回路中引入加速电容，它的主要作用是：()。
A.在开启时提供很大的正向基极电流，并在关闭时提供很大的反向基极电流B.在开启时提供很大的反向基极电流C.隔开直流电压3.逻辑函数式EF+EF+EF，化简后答案是：()。
A.EFB.FE+EFC.E+F4.基本RS触发器电路中，触发脉冲消失后，其输出状态：()。
A.恢复原状态B.保持现状态C.出现新状态5.八位二进制数能表示十进制数的最大值是：()。
A.225B.248C.192A.109B.61C.105D.2057.利用分配律写出C+DE的等式为()A.(C+D)(C+E)B.CD+CEC.C+D+ED.CDE8.放大器功率放大倍数为100，问功率增益是多少分贝()A.10dBB.20dBC.30dBD.40dB9.工作在放大状态的晶体管，当IB从30uA增大到40uA时，IC从2.4mA变成3mA，则该管的β为()A.80B.60C.75D.10010.采用差动放大电路是为了()A.稳定电压放大倍数B.增加带负载的能力C.提高输入阻抗D.克服零点漂移A.直接耦合的放大器B.阻容耦合的放大器C.变压器耦合的放大器D.任一放大器12.电流串联负反馈具有()的性质A.电压控制电压源B.电压控制电流源C.电流控制电压源D.电流控制电流源13.要同时提高放大器的输入电阻和输出电阻，应引入的反馈组态是()A.电压串联负反馈B.电压并联负反馈C.电流串联负反馈D.电流并联负反馈A.A.该管为NPN管，材料为硅，1极为集电极B.该管为NPN管，材料为锗，2极为集电极C.该管为PNP管，材料为硅，1极为集电极D.该管为PNP管，材料为锗，2极为集电极15.某放大器空载时，输出电压为2V，接上负载电阻RL=1K时，测得输出电压为0.5V，则该放大器的输出电阻为()A.1KΩB.2KΩC.3KΩD.4KΩ16.晶体管二极管的正极的电位是-10V，负极电位是-5V，则该晶体二极管处于：()。
电子科技大学《计算机系统与网络安全技术》课程在线作业3
一、单选题共12题，60分1、1999年10月经过国家质量技术监督局批准发布的《计算机信息系统安全保护等级划分准则》将计算机安全保护划分为以下（C ）个级别。
A3B4C5D62、主机和路由器可以通过（C）报告错误并交换相关的状态信息。
AUDP协议BTCP协议CICMP协议DIP协议3、攻击者在局域网段发送虚假的IP-MAC对应信息，篡改网关MAC地址，使自己成为假网关的攻击是（B ）AMAC欺骗BARP欺骗CDNS欺骗DIP欺骗4、对于对称密码体制下列描述不正确的是（B ）A解密算法和加密算法互为逆运算B基于数学难题C密钥传递需专用通道D加密密钥和解密密钥相同5、公钥密码算法基于（D）A代换-置换网络B单向函数C模式变换D陷门单向函数6、Hash算法对任意长度的信息（数据）产生固定长度的输出（指纹），其算法的核心是（B ）A分块B压缩C填充D扩展7、若小张给小李发送一封邮件，并想让小李确信邮件是由小张发出的，则小张应该选用（D）对邮件进行加密A小李的公钥B小李的私钥C小张的公钥D小张的私钥8、PKI用来实现（B ）体制的密钥和证书的产生、管理、存储、分发和撤销等。
A对称密码B非对称密码C数字签名D身份认证9、使用证书颁发者的私钥对公钥数字证书进行数字签名的目的是（D ）。
A仅能确保公钥证书的真实性B确保公钥证书的真实性和完整性C确保公钥证书的机密性和真实性D仅能确保公钥证书的完整性10、（D)是操作系统安全的第一道防线A防火墙B漏洞补丁C安全审计D账户管理11、分组过滤防火墙工作在TCP/IP的哪一层（A）A网络层C应用层D数据链路层12、配置防火墙时，不正确的观点是（B ）A没有明确允许的就是禁止的B可以不考虑防火墙过滤规则的顺序C根据需要可以允许从内部站点访问Internet也可以从Internet访问内部站点D防火墙过滤规则的顺序与安全相关二、多选题共8题，40分1、在信息安全体系结构中主要包括（BCD ）、认证服务和非否认服务等安全服务A审计服务B机密性服务C完整性服务D访问控制服务2、缓冲区溢出攻击是针对程序空间的哪些部分进行溢出？（BD）A代码段B堆C数据段D堆栈段3、下面可以作为身份认证的依据包括：（ABC）A身份证B掌纹C暗号D数字证书4、基于口令的身份认证要抵御重放攻击需要在每次认证过程中加入不确定因素形成一次性口令，具体方法包括（ACD ）A口令序列C时间戳D挑战/应答5、访问控制的常见实现方法包括（ABCD）A访问能力表B访问控制表C访问控制矩阵D授权关系表6、访问控制的基本原则包括（ACD）A最小特权原则B多人负责原则C职责分离原则D角色继承原则7、入侵检测的检测模型主要包括：（AC）A异常检测B流量检测C误用检测D日志分析8、入侵检测性能关键参数包括（AB）A误报B漏报C正确率D响应时间。
(全新整理)4月全国自考电子技术基础(三)试卷及答案解析
全国2018年4月高等教育自学考试电子技术基础（三）试题课程代码：04730一、单项选择题（本大题共15小题，每小题1分，共15分）在每小题列出的四个备选项中只有一个选项是符合题目要求的，请将其代码填写在题后的括号内。
错选、多选或未选均无分。
1、正弦电压u C(t)在电容C两端产生电流i C(t),则电流i C(t)的相位（）A、超前电压u C(t)的相位πB、滞后电压u C(t)的相位πC、超前电压u C(t)的相位2πD、滞后电压u C(t) 的相位2π2、电路如图所示，已知R1=R2=R3=1KΩ,Is=1mA,则电压U等于（）A、0.5VB、1VC、2VD、3V3、电路如图所示，则电流I和电压U的值分别为（）A、U=-4V,I=-400mAB、U=-2V,I=-200mAC、U=2V,I=200mAD、U=4V,I=400mA4、用万用表测得某硅三极管三个电极对地的电压如图所示，则可断定该管工作在（）A、放大状态B、截止状态1C、反向放大状态D、饱和状态5、某差分放大器的差模电压增益为1000，共模抑制比为100dB，则共模电压增益为（）A、0.01B、0.01dBC、10D、10dB6、理想运放的开环电压放大倍数A ud为（）A、A ud=0B、A ud 较小C、A ud →∞D、A ud与信号有关7、集成运放接成电压比较器时,电路形式应为（）A、开环B、电压负反馈C、电流负反馈D、并联负反馈8、单相半波整流电路,U2为变压器副边电压有效值,则二极管承受的最高反压U RM为（）A、U2B、2U2C、2U2D、22U29、如输出电压为-24V，可选用的集成稳压器是（）A、7824B、78M24C、7912D、792410、十六进制数（4D）16对应的十进制数为（）A、48B、49C、73D、7711、如图所示TTL门电路，其输出F为（）A、F=1B、F=A2C、F=AD、F=012、某逻辑电路真值表如下表所示，其函数F的表达式为（）A、F=BB、F=AC、F=AD、F=B13、在七段LED数字显示器中,如要显示7时,对于共阴极结构的显示器而言,abcdefg的编码为（）A、0110000B、1110000C、1111000D、111111014、在下列各图中,设触发器的初态为0, 能实现Q n+1=1的电路为（）15、如图所示可编程PROM器件中,A和B为输入变量,输出F为（）A、F=A+BB、F=A+BC、F=A+BD、F=A+B34二、填空题（本大题共15小题，每小题1分，共15分）16、理想电压源的内阻等于_________________、17、已知电路的输入阻抗为Z in =10+j10(Ω),则其导纳等于_____________________(S)。
电子技术基础习题答案
中等职业教育电类专业规划教材电子技术基础练习册习题答案丛书主编程周主编范国伟副主编袁洪刚关越主审任小平Publishing House of Electronics Industry北京 BEIJING《电子技术基础练习册》习题答案范国伟袁洪刚关越编写第一篇模拟电子技术基础第1章半导体二极管和三极管1.1 半导体的基本知识一、填空题1、（自由电子、空穴、N型半导体、P型半导体）；（掺杂半导体导电粒子）2、（电子、空穴）3、（电子型半导体、五价元素、电子、空穴）4、（三价元素、空穴、自由电子）5、（单向导电性、正极、负极、反向电压、反向偏置）6、（较大、导通、很小、截止）二、判断题1、×2、√3、×4、×5、×三、选择题1、C、2、B、3、C四、问答题1、答：PN结的主要特性是单向导电性，即PN结在加上正向电压时，通过PN结的正向电流较大，正向电阻较小，PN结处于导通状态；PN结在加上反向电压时，通过PN结的反向电流较小，反向电阻较大，PN结处于截止状态。
1.2 半导体二极管一、填空题1、（单向导电性、正极或阳极、负极或阴极、V、）2、（硅管、锗管、点接触型、面接触型、检波二极管、开关二极管）3、（单向导电性、0.5、0.2、0.7、0.3）4、（最大正向电流I FM、最大反向工作电压U RM、最大反向电流I RM、一半或三分之一）5、（硅、稳压、锗、开关、硅、整流、锗、普通；）6、（过热烧毁、反向击穿）二、判断题1、×2、√3、×4、×5、×6、×三、选择题1、C2、B3、C4、B5、C6、A7、C四、问答题1、 答：（1）N 型锗材料普通二极管；（2）N 型锗材料开关二极管；（3）N 型硅材料整流二极管； （4）N 型硅材料稳压二极管；2、 答：不能，因为1.5伏的的干电池会使流过二极管的电流很大，可能烧坏二极管。
电子科技大学 18秋《嵌入式系统》在线作业3满分答案
B.0
C.0xFF
D.0x55
正确答案:A
LPC1768微控制器的片上外设中，哪一个是默认使能的：（ ）
A.定时器0
B.定时器3
C.UART3
D.PWM1
正确答案:A
锁相环0倍频后输出的时钟的最高频率不超过：（ ）
A.275MHz
B.300MHz
C.500MHz
D.550MHz
正确答案:D
异步串行通信的字符格式中停止位是什么电平：（ ）
18秋《嵌入式系统》在线作业3
假设在应用中使用USB接口并且由PLL0驱动。在PLL操作范围（275MHz～550MHz）内，96MHz的最小整数倍频值为288MHz； 预期的CPU工作频率为96MHz；使用外部12MHz晶振作为系统时钟源。请计算M和N的值：（ ）
A.M=12，N=1
B.M=50，N=4
A.8倍
B.16倍
C.32倍
D.64倍
正确答案:B
A.高电平
B.低电平
C.高阻态
D.不定态
正确答案:A
LPC1768微控制器的定时器的位数为：（ ）
A.8位
B.16位
C.32位
D.64位
正确答案:C
LPC1768微控制器的外部中断有多少个：（ ）
A.1个
B.2个
C.3个
D.4个
正确答案:D
LPC1768微控制器属于什么内核：（ ）
A.Cortex-M0
B.Cortex-M3
C.Cortex-M4
D.Cortex-A
正确答案:B
定时器发生匹配时可以控制外部引脚电平变化，当外部匹配寄存器TEMR的[11:10]两位为11时，执行的动作是：（ ）
(完整版)电子技术基础(含答案)
《电子技术基础》课程习题集西南科技大学成人、网络教育学院版权所有习题【说明】：本课程《电子技术基础》（编号为08001）共有单选题,简答题,计算题1,作图题1,作图题2,计算题2,分析题,化简题等多种试题类型，其中，本习题集中有[计算题2,作图题2]等试题类型未进入。
一、单选题1.测得NPN三极管的三个电极的电压分别是U B=1.2V，U E=0.5V，U C=3V，该三极管处在（）状态。
A. 击穿B. 截止C. 放大D. 饱和2.二极管的主要特性是（）。
A.放大特性B.恒温特性C.单向导电特性D.恒流特性3.在N型半导体中（）。
A.只有自由电子B.只有空穴C.有空穴也有电子D.没有空穴也没有自由电子4.三极管的两个PN结都正偏，则晶体三极管的状态是（）。
A.放大B.饱和C.截止D.倒置5.工作在放大状态的某三极管，当输入电流I B=10μA时，I C=1mA；而I B=20μA时，I C=1.8mA，则该三极管的交流电流放大系数为（）。
A.50B.80C.100D.1806.稳压管的稳压是其工作在（）。
A.正向导通B.反向截止C.反向击穿区D.正向死区7.在某放大电路中测得三极管三个极的静态电位分别为0V、-10V和-9.3V，则该管为（）。
A.NPN硅管B.NPN锗管C.PNP硅管D.PNP锗管8.在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于（）。
A. 温度B. 掺杂工艺C. 杂质浓度D. 晶体缺陷9.测得NPN型硅三极管三个电极电位分别为：U B=2.8V，U E=2.1V，U C＝3.6V，则该管处于（）状态。
A.饱和B.截止C.放大D.击穿10. P型半导体中的自由电子浓度（）空穴浓度。
A.大于B.小于C.等于D.大于或等于11. N型半导体是在纯净的本征半导体中加入（）。
A.自由电子B.空穴C.硼元素D.磷元素12.三极管工作在放大区的条件是（）。
A.发射结正偏，集电结正偏B.发射结反偏，集电结正偏C.发射结正偏，集电结反偏D.发射结反偏，集电结反偏13.下列关于半导体的说法正确的是（）。
电子技术基础(含答案)
《电子技术基础》课程习题集西南科技大学成人、网络教育学院所有习题【说明】：本课程《电子技术基础》（编号为 08001）共有单项选择题 , 简答题 , 计算题 1, 作图题 1, 作图题 2, 计算题 2, 剖析题 , 化简题等多种试题种类，此中，本习题集中有 [ 计算题 2, 作图题 2] 等试题种类未进入。
一、单项选择题1.测得 NPN三极管的三个电极的电压分别是U =1.2V ，U =0.5V ，U =3V，该三极管处在（）B E C状态。
A. 击穿B.截止C.放大D.饱和2.二极管的主要特征是（）。
A. 放大特征B.恒温特征C.单导游电特征D.恒流特征3.在 N 型半导体中（）。
A. 只有自由电子B. 只有空穴C.有空穴也有电子D. 没有空穴也没有自由电子4.三极管的两个PN结都正偏，则晶体三极管的状态是（）。
A. 放大B.饱和C.截止D.倒置5.工作在放大状态的某三极管，当输入电流 I B=10μA时，I C=1mA；而 I B=20μA时，IC=1.8mA，则该三极管的沟通电流放大系数为（）。
A.50B.80C.100D.1806.稳压管的稳压是其工作在（）。
A. 正导游通B.反向截止C.反向击穿区D.正向死区7.在某放大电路中测得三极管三个极的静态电位分别为0V、 -10V和 -9.3V，则该管为（）。
A.NPN硅管B.NPN锗管C.PNP硅管D.PNP锗管8.在杂质半导体中，多半载流子的浓度主要取决于（）。
A.温度B.混杂工艺C.杂质浓度D.晶体缺点9.测得 NPN型硅三极管三个电极电位分别为：U B=2.8V ， U E=2.1V ， U C＝ 3.6V ，则该管处于（）状态。
A. 饱和B.截止C.放大D.击穿10.P 型半导体中的自由电子浓度（）空穴浓度。
A. 大于B.小于C.等于D.大于或等于11.N 型半导体是在纯净的本征半导体中加入（）。
A. 自由电子B.空穴C.硼元素D.磷元素12.三极管工作在放大区的条件是（）。
《电子技术基础》习题三答案
《电子技术基础》习题三答案《电子技术基础》习题三答案一、单项选择题（本大题共30小题，每小题2分，共60分）1、测得处于放大状态的某三极管当I B=30μA时，I C=2.4mA；I B=40μA时，I C=3mA；该三极管的交流放大倍数为（ B ）A、80B、60C、75D、1002、图示三极管应用电路中，三极管的U BE= 0.6V，β=50，如果近似认为三极管集电极与发射极间饱和电压U CES≈ 0，则三极管的集电极电流I C ( C )。
A、等于5mAB、等于3mAC、约等于4mAD、等于0R B R CI BI Cβ =50+12V3kΩ114kΩ3、图示三极管应用电路中，三极管工作在 ( C )。
A、截止区B、饱和区C、放大区D、击穿区R BI Bβ =50+12V114kΩI C4、测得放大电路中某三极管各管脚对参考点的电位分别为：管脚①2.3V，管脚②3V，管脚③-9V，则可判定( D )。
A、该三极管是锗管且管脚①是发射极B、该三极管是硅管且管脚③是发射极C、该三极管是硅管且管脚①是发射极D、该三极管是硅管且管脚②是发射极5、增强型NMOS管的电路符号是下图中的（ A ）BA B C D6、图示差动电路，在电路非理想对称的条件下，增大R E对放大电路性能的影响是( B )。
A、提高共模电压放大倍数B、提高共模抑制比C、提高差模电压放大倍数D、增加差模输入电阻+U CCR BR Cu I1R Lu OT 1R CT 2R BR P R EU EEu I27、图示差动电路中，增加R E 对放大电路性能的影响是( C )。
A 、减小共模抑制比 B 、减小差模电压放大倍数 C 、减小共模电压放大倍数 D 、增加差模输入电阻+U CCR BR Cu I1R L u OT 1R C T 2RBR EU EEu I28、功率放大电路如图所示，三极管的饱和压降U CES =2V ，该电路的最大效率ηmax为( B )。
电子科技大学19秋《计算机网络基础》在线作业3答案
电子科技大学19秋《计算机网络基础》在线作业3
试卷总分:100 得分:100
【题目】下述论述中不正确的是（）。
[A.]IPV6具有高效IP包头
[B.]IPV6增强了安全性
[C.]IPV6地址采用64位
[D.]IPV6采用主机地址自动配置
[分析以上题目，并完成作答]
正确答案:C
【题目】1100BASE-FX中的多模光纤最长的传输距离为（）。
[A.]500m
[B.]1km
[C.]2km
[D.]40km
[分析以上题目，并完成作答]
正确答案:A
【题目】TCP通信建立在连接的基础上，TCP连接的建立要使用（）次握手的过程。
[A.]2
[B.]3
[C.]4
[D.]5
[分析以上题目，并完成作答]
正确答案:B
【题目】帧中继技术本质上是分组交换技术，它与X.25建议的主要关系是（）。
[A.]对X.25协议进行了扩充
[B.]对X.25协议进行了简化
[C.]与X.25协议进无关
[D.]都不是
[分析以上题目，并完成作答]
正确答案:B
【题目】下列不属于系统安全的技术是（）。
[A.]防火墙
[B.]加密狗
[C.]认证
[D.]防病毒
[分析以上题目，并完成作答]
正确答案:B
【题目】描述中数据链路层的数据单位是（）。
电子科技大学智慧树知到“机电一体化技术”《电子技术基础》网课测试题答案3
电子科技大学智慧树知到“机电一体化技术”《电子技术基础》网课测试题答案（图片大小可自由调整）第1卷一.综合考核(共15题)1.负反馈对放大电路的工作性能的影响是()。
A.提高放大电路的稳定性B.改善波形失真C.对输入电阻无影响D.对输出电阻无影响2.理想二极管构成的电路如图所示，则输出电压UO为()。
A.3VB.10VC.-3VD.-10V3.3/8线译码器的输入信号是十六进制代码。
()A.正确B.错误4.三极管组成的放大电路在工作时，测得三极管上各电极对地直流电位分别为VE=3V，VB=3.7V，VC=3.3V，则此三极管已处于()。
A.放大区B.饱和区C.截止区D.不确定5.硅稳压管的工作状态是()。
A.正向导通B.正向击穿C.反向截止D.反向击穿6.单相桥式整流电路利用了电源的整个周期。
()A.正确B.错误7.与TTL门电路比较，CMOS逻辑电路的特点()。
A.集成度高B.静态功耗低C.带负载能力强D.带负载能力弱8.在放大电路中，为了稳定静态工作点，可引入()；若要稳定放大倍数，应引入()。
A.直流负反馈B.直流正反馈C.交流负反馈D.交流正反馈9.负反馈对放大电路性能的影响，下列叙述中正确的是()。
A.降低放大倍数的稳定性B.改善波形失真C.提高放大倍数D.带负载能力降低10.求和运算是利用运算放大器工作在非线性区的特性来工作的。
()A.正确B.错误11.三态逻辑门输出的状态包括()。
A.高电平B.低电平C.低阻态D.高阻态12.由555定时器构成的多谐振荡器，其振荡周期取决于所使用的电源电压。
()A.正确B.错误13.用万用表判断二极管的正极和负极以及管子的好坏，已知机械万用表表头正极(红色)是内部电池的负极，而表头的负极(黑色)是电池的正极，下面表述正确的是()。
A.若测得二极管为正向较小电阻，则黑笔所触及的是二极管正极，红笔所触及的是二极管的负极B.若测得正向电阻较小，而反向电阻很大，则该二极管是好的C.若测得正、反向电阻均接近于0，则二极管已经击穿损坏D.若正、反向电阻均为∞，则二极管已断路14.整流是指将交流电压变换为单向脉动电压。
电子技术基础习题答案
三、选择题：（每小题2分，共20分）1、单极型半导体器件是（C）。
A、二极管；B、双极型三极管；C、场效应管；D、稳压管。
2、P型半导体是在本征半导体中加入微量的（A）元素构成的。
A、三价；B、四价；C、五价；D、六价。
3、稳压二极管的正常工作状态是（ C）。
A、导通状态；B、截止状态；C、反向击穿状态；D、任意状态。
4、用万用表检测某二极管时，发现其正、反电阻均约等于1KΩ，说明该二极管（C）。
A、已经击穿；B、完好状态；C、内部老化不通；D、无法判断。
5、PN结两端加正向电压时，其正向电流是（A）而成。
A、多子扩散；B、少子扩散；C、少子漂移；D、多子漂移。
6、测得NPN型三极管上各电极对地电位分别为V E＝2.1V，V B＝2.8V，V C＝4.4V，说明此三极管处在（A）。
A、放大区；B、饱和区；C、截止区；D、反向击穿区。
7、绝缘栅型场效应管的输入电流（C）。
A、较大；B、较小；C、为零；D、无法判断。
8、正弦电流经过二极管整流后的波形为（C）。
A、矩形方波；B、等腰三角波；C、正弦半波；D、仍为正弦波。
9、三极管超过（C）所示极限参数时，必定被损坏。
A、集电极最大允许电流I CM；B、集—射极间反向击穿电压U（BR）CEO；C、集电极最大允许耗散功率P CM；D、管子的电流放大倍数 。
10、若使三极管具有电流放大能力，必须满足的外部条件是（C）A、发射结正偏、集电结正偏；B、发射结反偏、集电结反偏；C、发射结正偏、集电结反偏；D、发射结反偏、集电结正偏。
三、选择题：（每小题2分，共20分）1、基本放大电路中，经过晶体管的信号有（C）。
A、直流成分；B、交流成分；C、交直流成分均有。
2、基本放大电路中的主要放大对象是（B）。
A、直流信号；B、交流信号；C、交直流信号均有。
3、分压式偏置的共发射极放大电路中，若V B点电位过高，电路易出现（B）。
A、截止失真；B、饱和失真；C、晶体管被烧损。
电子技术基础 检测题习题解析(附带答案详解)
电子技术基础检测题习题解析（附带答案详解）电子技术基础-检测题习题解析（附带答案详解）一、填空题：（每空0.5分，共25分）1、n型半导体是在本征半导体中掺入极微量的五价元素组成的。
这种半导体内的多数载流子为自由电子，少数载流子为空穴，不能移动的杂质离子带正电。
p型半导体是在本征半导体中掺入极微量的三价元素组成的。
这种半导体内的多数载流子为空穴，少数载流子为自由电子，不能移动的杂质离子带负电。
2、三极管的内部结构就是由发射区、基区、集电区区及发射结和erf共同组成的。
三极管对外带出的电极分别就是发射极、基极和集电极。
3、pn结正向偏置时，外电场的方向与内电场的方向相反，有利于多数载流子的蔓延运动而有利于少数载流子的飘移；pn结逆向偏置时，外电场的方向与内电场的方向一致，有助于少子的飘移运动而有利于多子的蔓延，这种情况下的电流称作逆向饱和电流。
第1章检测题（共100分后，120分钟）4、pn结形成的过程中，p型半导体中的多数载流子由p向n区进行扩散，n型半导体中的多数载流子由n向p区进行扩散。
扩散的结果使它们的交界处建立起一个空间电荷区，其方向由n区指向p区。
空间电荷区的建立，对多数载流子的扩散起削弱作用，对少子的漂移起增强作用，当这两种运动达到动态平衡时，pn结形成。
5、检测二极管极性时，需以万用表欧姆压的r×1k档位，当检测时表针偏移度很大时，与红表棒二者碰触的电极就是二极管的阴极；与黑表棒二者碰触的电极就是二极管的阳极。
检测二极管优劣时，两表棒边线对调前后万用表指针偏移都非常大时，表明二极管已经被打穿；两表棒十一位1复置对调前后万用表指针偏移都很小时，表明该二极管已经绝缘老化未通。
6、单极型晶体管又称为场效应（mos）管。
其导电沟道分有n沟道和p沟道。
7、稳压管就是一种特定物质生产的面碰触型硅晶体二极管，正常工作应当在特性曲线的逆向打穿区。
8、mos管在不使用时应避免栅极悬空，务必将各电极短接。
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18秋《电子技术基础》在线作业3
在晶体管电压放大电路中，当输入信号一定时，静态工作点设置偏向截止区将可能产生( )
A.底部失真
B.顶部失真
C.交越失真
D.频率失真
正确答案:B
为了改善整流电压的脉动程度，要在整流电路中加接（）
A.变频器
B.滤波器
C.稳压器
正确答案:B
PN结加正向电压时，空间电荷区将（）
A.变窄
B.基本不变
C.变宽
正确答案:A
在下列触发器中，有约束条件的是（）
A.JK触发器
B.D 触发器
C.RS触发器
D.T触发器
正确答案:C
固定偏置基本放大电路出现饱和失真时，应调节RB，使其阻值（）
A.增大
B.减小
C.先增大后减小
正确答案:A
在甲类工作状态的功率放大电路中，在不失真的条件下增大输入信号，则电源供给的功率（）。