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电子知识
2015年10月23日
深圳华强北华强集团2号楼7楼
电池管理系统能实时监控电池状态，延长电池续航时间、避免电池过充过放的情况出现，在电子产品中起着相当重要的作用。
特别是可穿着设备的兴起对电池管理系统提出新的挑战，这次“消费电子电池管理系统技术论坛”，咱们将邀请业界领先的半导体厂商、方案设计商与终端产品制造商，共探消费电子电池管理系统市场发展趋势及创新技术，助力设计/研发工程师显著改良电池管理系统，进而从技术的层面为业界解决电子产品的电池续航问题。
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IBIS模型是一种基于V/I曲线对I/O BUFFER快速准确建模方式，是反映芯片驱动和接收电气特性一种国际标准，它提供一种标准文件格式来记录如驱动源输出阻抗、上升/下降时间及输入负载等参数，超级适合做振荡和串扰等高频效应计算与
仿真。
IBIS本身只是一种文件格式，它说明在一标准IBIS文件中如何记录一个芯片驱动器和接收器不同参数，但并非说明这些被记录参数如何利用，这些参数需要由利用IBIS模型仿真工具来读取。
欲利用IBIS进行实际仿真，需要先完成四件工作：获取有关芯片驱动器和接收器原始信息源；获取一种将原始数据转换为IBIS格式方式；提供用于仿真可被计算机识别布局布线信息；提供一种能够读取IBIS和布局布线格式并能够进行分析计算软件工具。
IBIS模型长处可以归纳为：在I/O非线性方面能够提供准确模型，同时考虑了封装寄生参数与ESD结构；提供比结构化方式更快仿真速度；可用于系统板级或多板信号完整性分析仿真。
可用IBIS模型分析信号完整性问题包括：串扰、反射、振荡、上冲、下冲、不匹配阻抗、传输线分析、拓扑结构分析。
IBIS尤其能够对高速振荡和串扰进行准确精细仿真，它可用于检测最坏情况上升时间条件下信号行为及一些用物理测试无法解决情况；模型可以避免费从半导体厂商处获取，用户无需对
模型付额外开销；兼容工业界普遍仿真平台。
IBIS模型核由一个包括电流、电压和时序方面信息列表组成。
IBIS模型仿真速度比SPICE快很多，而精度只是稍有下降。
非集聚是SPICE模型和仿真器一个问题，而在IBIS仿真中消除这个问题。
实际上，所有EDA供给商此刻都支持IBIS模型，而且它们都很简便易用。
大多数器件IBIS模型都可从互联网上免费取得。
可以在同一个板上仿真几个不同厂商推出器件。
IBIS模型是一种基于V/I曲线对I/O BUFFER快速准确建模方式，是反映芯片驱动和接收电气特性一种国际标准，它提供一种标准文件格式来记录如驱动源输出阻抗、上升/下降时间及输入负载等参数，超级适合做振荡和串扰等高频效应计算与仿真。
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欲利用IBIS进行实际仿真，需要先完成四件工作：获取有关芯片驱动器和接收器原始信息源；获取一种将原始数据
转换为IBIS格式方式；提供用于仿真可被计算机识别布局布线信息；提供一种能够读取IBIS和布局布线格式并能够进行分析计算软件工具。
IBIS模型长处可以归纳为：在I/O非线性方面能够提供准确模型，同时考虑了封装寄生参数与ESD结构；提供比结构化方式更快仿真速度；可用于系统板级或多板信号完整性分析仿真。
可用IBIS模型分析信号完整性问题包括：串扰、反射、振荡、上冲、下冲、不匹配阻抗、传输线分析、拓扑结构分析。
IBIS尤其能够对高速振荡和串扰进行准确精细仿真，它可用于检测最坏情况上升时间条件下信号行为及一些用物理测试无法解决情况；模型可以避免费从半导体厂商处获取，用户无需对模型付额外开销；兼容工业界普遍仿真平台。
IBIS模型核由一个包括电流、电压和时序方面信息列表组成。
IBIS模型仿真速度比SPICE快很多，而精度只是稍有下降。
非集聚是SPICE模型和仿真器一个问题，而在IBIS仿真中消除这个问题。
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大多数器件IBIS模型都可从互联网
上免费取得。
可以在同一个板上仿真几个不同厂商推出器件。
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真。
可用IBIS模型分析信号完整性问题包括：串扰、反射、振荡、上冲、下冲、不匹配阻抗、传输线分析、拓扑结构分析。
IBIS尤其能够对高速振荡和串扰进行准确精细仿真，它可用于检测最坏情况上升时间条件下信号行为及一些用物理测试无法解决情况；模型可以避免费从半导体厂商处获取，用户无需对模型付额外开销；兼容工业界普遍仿真平台。
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