自制电路板蚀刻液配方

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碱性氯化铜蚀刻液原理及基础配方

碱性氯化铜蚀刻液原理及基础配方

碱性氯化铜蚀刻液1.特性1)适用于图形电镀金属抗蚀层,如镀覆金、镍、锡铅合金,锡镍合金及锡的印制板的蚀刻。

2)蚀刻速率快,侧蚀小,溶铜能力高,蚀刻速率容易控制。

3)蚀刻液可以连续再生循环使用,成本低。

2.蚀刻过程中的主要化学反应在氯化铜溶液中加入氨水,发生络合反应:CuCl2+4NH3→Cu(NH3)4Cl2在蚀刻过程中,板面上的铜被[Cu(NH3)4]2+络离子氧化,其蚀刻反应如下:Cu(NH3)4Cl2+Cu →2Cu(NH3)2Cl所生成的[Cu(NH3)2]1+为Cu1+的络离子,不具有蚀刻能力。

在有过量NH3和Cl-的情况下,能很快地被空气中的O2所氧化,生成具有蚀刻能力的[Cu(NH3)4]2+络离子,其再生反应如下:2Cu(NH3)2Cl+2NH4Cl+2NH3+1/2 O2→2Cu(NH3)4Cl2+H2O从上述反应可看出,每蚀刻1克分子铜需要消耗2克分子氨和2克分子氯化铵。

因此,在蚀刻过程中,随着铜的溶解,应不断补加氨水和氯化铵。

应用碱性蚀刻液进行蚀刻的典型工艺流程如下:镀覆金属抗蚀层的印制板(金、镍、锡铅、锡、锡镍等镀层) →去膜→水洗→吹干→检查修板→碱性蚀刻→用不含Cu2+的补加液二次蚀刻→水洗→检查→浸亮(可选择) →水洗→吹干3. 蚀刻液配方蚀刻液配方有多种,1979年版的印制电路手册(Printed Circuits Handbook)中介绍的配方见表10-4。

表10-4 国外介绍的碱性蚀刻液配方国内目前大多采用下列配方: CuCl2·2H2O 100~150g/l 、NH4Cl 100g/l 、NH3·H2O670~700ml/12配制后溶液PH值在9.6左右。

溶液中各组份的作用如下:NH3·H2O的作用是作为络合剂,使铜保持在溶液里。

NH4Cl的作用是能提高蚀刻速率、溶铜能力和溶液的稳定性。

(NH4)3PO4的作用是能保持抗蚀镀层及孔内清洁。

自制电路板蚀刻液配方

自制电路板蚀刻液配方

电路板蚀刻液一、三氯化铁蚀刻液在印制电路、电子和金属精饰等工业中广泛采用三氯化铁蚀刻铜、铜合金及铁、锌、铝等。

这是由于它的工艺稳定,操作方便,价格便宜。

但是,近些年来,由于它再生困难,污染严重,废液处理困难等而正在被淘汰。

因此,这里只简单地介绍。

三氯化铁蚀刻液适用于网印抗蚀印料、液体感光胶、干膜、金等抗蚀层的印制板的蚀刻。

但不适用于镍、锡、锡—铅合金等抗蚀层。

1.蚀刻时的主要化学反应三氯化铁蚀刻液对铜箔的蚀刻是一个氧化-还原过程。

在铜表面Fe3+使铜氧化成氯化亚铜。

同时Fe3+被还原成Fe2+。

FeCl3+Cu →FeCl2+CuClCuCl具有还原性,可以和FeCl3进一步发生反应生成氯化铜。

FeCl3+CuCl →FeCl2+CuCl2Cu2+具有氧化性,与铜发生氧化反应:CuCl2+Cu →2CuCl所以,FeCl3蚀刻液对Cu的蚀刻时靠Fe3+和Cu2+共同完成的。

其中Fe3+的蚀刻速率快,蚀刻质量好;而Cu2+的蚀刻速率慢,蚀刻质量差。

新配制的蚀刻液中只有Fe3+,所以蚀刻速率较快。

但是随着蚀刻反应的进行,Fe3+不断消耗,而Cu2+不断增加。

当Fe3+消耗掉35%时,Cu2+已增加到相当大的浓度,这时Fe3+和Cu2+对Cu的蚀刻量几乎相等;当Fe3+消耗掉50%时,Cu2+的蚀刻作用由次要地位而跃居主要地位,此时蚀刻速率慢,即应考虑蚀刻液的更新。

在实际生产中,表示蚀刻液的活度不是用Fe3+的消耗量来度量,而是用蚀刻液中的含铜量(g/l)来度量。

因为在蚀刻铜的过程中,最初蚀刻时间是相对恒定的。

然而,随着Fe3+的消耗,溶液中含铜量不断增长。

当溶铜量达到60g/l时,蚀刻时间就会延长,当蚀刻液中的Fe3+消耗40%时,溶铜量达到82.40g/1时,蚀刻时间便急剧上升,表明此时的蚀刻液不能再继续使用,应考虑蚀刻液的再生或更新。

一般工厂很少分析和测定蚀刻液中的含铜量,多以蚀刻时间和蚀刻质量来确定蚀刻液的再生与更新。

银蚀刻液配方

银蚀刻液配方

银蚀刻液配方
(实用版)
目录
1.银蚀刻液的概述
2.银蚀刻液的配方组成
3.银蚀刻液的制备方法
4.银蚀刻液的应用领域
5.银蚀刻液的环保问题与解决方法
正文
一、银蚀刻液的概述
银蚀刻液是一种用于金属蚀刻的化学液体,主要针对银材质的金属进行腐蚀,以达到去除表面氧化物或其他杂质的目的。

在电子工业、精密仪器制造等领域有着广泛的应用。

二、银蚀刻液的配方组成
银蚀刻液的主要成分包括:氯化银、硝酸银、氢氧化钠、硫酸钠、氢氧化钾等。

其中,氯化银和硝酸银是银蚀刻液的主要腐蚀成分,氢氧化钠、硫酸钠、氢氧化钾等则是辅助腐蚀成分,能够提高蚀刻效果和蚀刻速度。

三、银蚀刻液的制备方法
银蚀刻液的制备方法相对简单,首先将氯化银和硝酸银按照一定的比例溶解在水中,然后加入氢氧化钠、硫酸钠、氢氧化钾等辅助成分,搅拌均匀即可。

四、银蚀刻液的应用领域
银蚀刻液主要应用于电子电路板制造、电子元器件制造、精密仪器制造等领域。

例如,在电子电路板制造中,银蚀刻液可以用于去除电路板上
的氧化银,以保证电路板的导电性能。

五、银蚀刻液的环保问题与解决方法
银蚀刻液在使用过程中会产生大量的废液,这些废液中含有大量的重金属离子,对环境有一定的污染。

蚀刻用腐蚀液与配方比例

蚀刻用腐蚀液与配方比例

刻蚀基础(转载)湿式蚀刻技术最早的蚀刻技术是利用特定的溶液与薄膜间所进行的化学反应来去除薄膜未被光阻覆盖的部分,而达到蚀刻的目的,这种蚀刻方式也就是所谓的湿式蚀刻。

因为湿式蚀刻是利用化学反应来进行薄膜的去除,而化学反应本身不具方向性,因此湿式蚀刻过程为等向性,一般而言此方式不足以定义3微米以下的线宽,但对于3微米以上的线宽定义湿式蚀刻仍然为一可选择采用的技术。

湿式蚀刻之所以在微电子制作过程中被广泛的采用乃由于其具有低成本、高可靠性、高产能及优越的蚀刻选择比等优点。

但相对于干式蚀刻,除了无法定义较细的线宽外,湿式蚀刻仍有以下的缺点:1) 需花费较高成本的反应溶液及去离子水;2) 化学药品处理时人员所遭遇的安全问题;3) 光阻附着性问题;4) 气泡形成及化学蚀刻液无法完全与晶圆表面接触所造成的不完全及不均匀的蚀刻;5) 废气及潜在的爆炸性。

湿式蚀刻过程可分为三个步骤:1) 化学蚀刻液扩散至待蚀刻材料之表面;2) 蚀刻液与待蚀刻材料发生化学反应;3) 反应后之产物从蚀刻材料之表面扩散至溶液中,并随溶液排出(3)。

三个步骤中进行最慢者为速率控制步骤,也就是说该步骤的反应速率即为整个反应之速率。

大部份的蚀刻过程包含了一个或多个化学反应步骤,各种形态的反应都有可能发生,但常遇到的反应是将待蚀刻层表面先予以氧化,再将此氧化层溶解,并随溶液排出,如此反复进行以达到蚀刻的效果。

如蚀刻硅、铝时即是利用此种化学反应方式。

湿式蚀刻的速率通常可藉由改变溶液浓度及温度予以控制。

溶液浓度可改变反应物质到达及离开待蚀刻物表面的速率,一般而言,当溶液浓度增加时,蚀刻速率将会提高。

而提高溶液温度可加速化学反应速率,进而加速蚀刻速率。

除了溶液的选用外,选择适用的屏蔽物质亦是十分重要的,它必须与待蚀刻材料表面有很好的附着性、并能承受蚀刻溶液的侵蚀且稳定而不变质。

而光阻通常是一个很好的屏蔽材料,且由于其图案转印步骤简单,因此常被使用。

但使用光阻作为屏蔽材料时也会发生边缘剥离或龟裂的情形。

银蚀刻液配方

银蚀刻液配方

银蚀刻液配方
摘要:
一、银蚀刻液的概述
二、银蚀刻液的配方
三、银蚀刻液的制备方法
四、银蚀刻液的应用领域
五、银蚀刻液的注意事项
正文:
一、银蚀刻液的概述
银蚀刻液是一种特殊的化学品,主要用于对金属银进行蚀刻处理。

在电子、化工、工艺等领域具有广泛的应用。

通过使用银蚀刻液,可以方便地在不损伤基材的情况下,将银层蚀刻成各种图案,满足不同场景的需求。

二、银蚀刻液的配方
银蚀刻液的主要成分包括氢氧化钠(NaOH)、硝酸钠(NaNO3)、水和催化剂。

在实际应用中,可以根据需要调整各成分的比例,以实现最佳的蚀刻效果。

三、银蚀刻液的制备方法
1.将氢氧化钠和硝酸钠分别溶解在水中,制成氢氧化钠溶液和硝酸钠溶液。

2.将两种溶液混合,搅拌均匀。

3.添加适量的催化剂,继续搅拌均匀。

4.调整溶液的pH值至中性或微碱性,即可得到银蚀刻液。

四、银蚀刻液的应用领域
1.电子行业:用于制作电子元器件的银导电图案、蚀刻手机壳、平板电脑等产品上的银装饰。

2.化工行业:用于制备银催化剂、银导电材料等。

3.工艺品制作:如蚀刻银饰品、纪念币等。

五、银蚀刻液的注意事项
1.制备过程中,注意佩戴防护用品,避免与皮肤、眼睛直接接触。

2.银蚀刻液具有一定的腐蚀性,存放时应远离火源、易燃易爆物品。

3.不要长时间接触银蚀刻液,避免对人体健康造成损害。

4.废弃的银蚀刻液应按照当地规定进行处理,切勿随意丢弃。

通过了解银蚀刻液的概述、配方、制备方法、应用领域及注意事项,可为我们在实际工作中更好地利用银蚀刻液提供参考。

印制线路板内层黑氧化前处理微蚀液的研制

印制线路板内层黑氧化前处理微蚀液的研制

的量增加到0.4 g/L以上时,24 h后双氧水的浓度变化 不大,因此,将A成分的含量确定为0.4 g/L。 2.1.2 促进剂的筛选
促进剂的作用就是促使微蚀后的铜离子迅速离开 铜表面,进入溶液中,同时要求不能影响板面外观。
选择丙二醇单甲醚和含羟基的有机酸(代号A,同上)
作为测试目标物,同时,要求所选化合物不影响双氧
印制线路板内层黑氧化前处理微蚀液的研制
表2不同稳定剂对H202质量浓度的影响(24 h后)
Table 2 Effects of various stabilization agents on H202 content (after24h)
基本配方t%譬絮等专篡—磊笋譬芋{丁{(g紫/L)
Table 4
表4湿润剂对表面外观与溶液状况的影响
Effects of wetters on surface appearance and solution status
基本一p(DF-1 6)/(g/L)p(AEP)/(g/L)p(LAS)/(g/L)一 配方3 0.5 1.0 1.5 0.5 1.0 1.5 0.5 1.0 1.5
铜面微蚀的SEM图如图3所示。从铜面的微观结 构的平整性、粗糙度观察表明,经该微蚀液处理后的 板面与Atotech公司产品处理的板面基本相当,完全能 满足黑氧化前处理微蚀的要求。
4结论
经严格筛选后研制出的微蚀液,经过初步的工业应 用性能测试表明,在高浓度铜离子(Cu+质量浓度25 g几)
(a)Atotech
Abstract:A new microetchants of black oxide pretreatment for PCB lining was developed.its formula being as follows: 1 00 g/L H2S04,25 g几H202,0.4 g/L stable agent A(hydroxyl containing organic acid),0.4 g/L accelerant A(the same as stabilization agent A),0.5 g/L aliphatic amine EO-PO block polymer.The effects of temperature and copper ion content on etching rate were discussed.The test results showed that,as hi曲copper ion content 25 g/L is used,the etching rate of the microetchant becomes stable.reaching 1.4 rtm/min or more. Tlle copper surface iS level and unif01T11 after microetching with the microetchant,completely satisfying the production demand for black oxide pretreatment. Keywords:printed circuit board(PCB);microetchant; black oxide pretreatment;stabilization agent;accelerant; microetching rate First-author’s address:Guangzhou Research Institute of Petrochemical Industry.Guangzhou 5 l 0665.China

碱性氯化铜蚀刻液原理及基础配方

碱性氯化铜蚀刻液原理及基础配方

碱性氯化铜蚀刻液1.特性1)适用于图形电镀金属抗蚀层,如镀覆金、镍、锡铅合金,锡镍合金及锡的印制板的蚀刻。

2)蚀刻速率快,侧蚀小,溶铜能力高,蚀刻速率容易控制。

3)蚀刻液可以连续再生循环使用,成本低。

2.蚀刻过程中的主要化学反应在氯化铜溶液中加入氨水,发生络合反应:CuCl2+4NH3→Cu(NH3)4Cl2在蚀刻过程中,板面上的铜被[Cu(NH3)4]2+络离子氧化,其蚀刻反应如下:Cu(NH3)4Cl2+Cu →2Cu(NH3)2Cl所生成的[Cu(NH3)2]1+为Cu1+的络离子,不具有蚀刻能力。

在有过量NH3和Cl-的情况下,能很快地被空气中的O2所氧化,生成具有蚀刻能力的[Cu(NH3)4]2+络离子,其再生反应如下:2Cu(NH3)2Cl+2NH4Cl+2NH3+1/2 O2→2Cu(NH3)4Cl2+H2O从上述反应可看出,每蚀刻1克分子铜需要消耗2克分子氨和2克分子氯化铵。

因此,在蚀刻过程中,随着铜的溶解,应不断补加氨水和氯化铵。

应用碱性蚀刻液进行蚀刻的典型工艺流程如下:镀覆金属抗蚀层的印制板(金、镍、锡铅、锡、锡镍等镀层) →去膜→水洗→吹干→检查修板→碱性蚀刻→用不含Cu2+的补加液二次蚀刻→水洗→检查→浸亮(可选择) →水洗→吹干3. 蚀刻液配方蚀刻液配方有多种,1979年版的印制电路手册(Printed Circuits Handbook)中介绍的配方见表10-4。

表10-4 国外介绍的碱性蚀刻液配方国内目前大多采用下列配方:CuCl2·2H2O 100~150g/l 、NH4Cl 100g/l 、NH3·H2O 670~700ml/12配制后溶液PH值在9.6左右。

溶液中各组份的作用如下:NH3·H2O的作用是作为络合剂,使铜保持在溶液里。

NH4Cl的作用是能提高蚀刻速率、溶铜能力和溶液的稳定性。

(NH4)3PO4的作用是能保持抗蚀镀层及孔内清洁。

氯化铁溶液刻蚀电路板方程式

氯化铁溶液刻蚀电路板方程式

氯化铁溶液刻蚀电路板方程式1. 简介嘿,朋友们,今天咱们聊聊一个有趣的DIY项目——用氯化铁溶液来刻蚀电路板!如果你是个小电路爱好者,想要在家里动手搞点电子小玩意儿,这个方法可是绝对让你事半功倍的!想象一下,自己设计的电路板从一张光秃秃的铜板变成一件精致的作品,那种成就感,简直甩开一大堆“宅男”创意!这不仅能培养你的动手能力,还能让你在朋友面前炫耀一番,毕竟,谁不想当个“电路高手”呢?2. 氯化铁的角色2.1 什么是氯化铁?好,咱们先说说氯化铁。

别看这名字听起来有点高深,其实它就是一种常见的化学物质,主要用于刻蚀电路板。

在我们的DIY旅程中,氯化铁可谓是主角,它能迅速腐蚀掉电路板上不需要的铜层,留下咱们设计好的线路。

就像打篮球,氯化铁就是那个传球的好手,把我们想要的线路传递到最终的成品中!2.2 刻蚀的过程那么,刻蚀的过程到底是怎么回事呢?想象一下,你把电路板放在氯化铁溶液里,铜层就开始慢慢消失,露出你精心设计的线路。

这个过程就像是在给电路板洗澡,泡一泡,洗去多余的铜,留下的就是我们所需要的部分。

记得把电路板放进溶液之前,先把不需要的地方用防水胶带封住,这样才能确保线条干净利落,真是“细节决定成败”啊!3. 刻蚀的方程式3.1 方程式解析现在,咱们来聊聊氯化铁溶液刻蚀的方程式。

这其实并不是那么复杂,简而言之,就是氯化铁和铜之间的化学反应。

方程式大概是这样的:。

Cu + 2FeCl3 → CuCl2 + 2FeCl2 。

看,这就是电路板的“脱皮”过程!铜和氯化铁相遇,就像一对好基友,开始了一场化学反应。

铜被氯化铁“吃掉”,留下的就是一层层的氯化铜和氯化亚铁。

听起来是不是很酷?!3.2 实践中的注意事项在实践中,有几个小细节一定要注意哦!首先,别忘了保护好你的手,带上手套,毕竟咱们可不想让自己变成“氯化铁人”!再者,氯化铁的浓度要掌握好,浓度太高,容易把线路刻蚀得过火,浓度太低又不够力气,像个“软脚虾”一样,这就尴尬了。

银蚀刻液配方

银蚀刻液配方

银蚀刻液配方
摘要:
1.银蚀刻液的概述
2.银蚀刻液的配方组成
3.银蚀刻液的制备方法
4.银蚀刻液的应用领域
正文:
一、银蚀刻液的概述
银蚀刻液是一种用于去除银材质表面的腐蚀液,具有较强的腐蚀性,可快速将银材质表面腐蚀掉,因此在电子工业、精密仪器制造等领域有着广泛的应用。

二、银蚀刻液的配方组成
银蚀刻液的配方主要由以下几种物质组成:
1.氯化铁(FeCl3):作为氧化剂,可氧化银材质,加速腐蚀过程。

2.氢氧化钠(NaOH):作为碱性调节剂,维持蚀刻液的pH 值在适宜范围内,保证蚀刻效果。

3.水(H2O):作为溶剂,溶解其他物质,形成蚀刻液。

三、银蚀刻液的制备方法
1.首先,将氯化铁和氢氧化钠按照一定比例混合均匀,制成固体混合物。

2.然后,将固体混合物放入水中,搅拌溶解,直至形成无色或淡黄色的透明液体。

3.最后,检测蚀刻液的pH 值,调整至适宜的范围即可使用。

四、银蚀刻液的应用领域
银蚀刻液主要应用于以下领域:
1.电子工业:用于蚀刻电子元器件、电路板等,以实现电路设计要求。

2.精密仪器制造:用于制作精密零件,提高仪器的性能和精度。

3.首饰制造:用于蚀刻银质首饰,雕刻图案,提高产品美观度。

总之,银蚀刻液是一种具有广泛应用的腐蚀液,其配方和制备方法简单,效果显著。

酸性氯化铜蚀刻液

酸性氯化铜蚀刻液

酸性氯化铜蚀刻液1、特性适用于生产多层板内层,掩蔽法印制板和单面印制板,采用的抗蚀剂是网印抗蚀印料、干膜、液体感光抗蚀剂,也适用于图形电镀金抗蚀印制电路板的蚀刻。

电镀金抗蚀层印制电路板的蚀刻:A,蚀刻速率易控制,蚀刻液在稳定的状态下,能达到高的蚀刻质量。

B,溶铜量大。

C,蚀刻液容易再生与回收,减少污染。

2、化学组成:化学组分 1 2 3 4 5Cucl2.2H2O 130-190g/l 200g/l 150-450g/l 140-160g/l 145-180g/lHCL 150-180ml/l 100ml/l 7-8g/l 120-160g/lNaCL 100g/lNH4CL 饱和平共处160g/lH2O 添加到1升添加到1升添加到1升添加到1升添加到1升3、蚀刻原理在蚀刻过程中,氯化铜中的二价铜具有氧化性,能将印制电路板面上的铜氧化成一价铜,其化学反应如下:蚀刻反应:CU+CUCL2→CU2CL2所形成氯化亚铜是不易溶于水的,在有过量的氯离子存在的情况下,能形成可溶性的络离子,其化学反应如下:络合反应:CU2CL2+4CL—→2「CUCL3」2-随着铜的蚀刻,溶液中的一价铜墙铁壁越来越多,蚀刻能力很快就会下降,以至最后失去效果,为保证连续的蚀刻能力,可以通过各种方法进行再生,使一价铜重新转变成二价铜,达到下常工艺标准。

4、影响蚀刻速率的影响。

A、氯离子含量的影响。

蚀刻液的配制和再生都需要氯离子参加,但必须控制盐酸的用量,在蚀刻反应中,生产CU2CL2不易溶于水,而在铜表面生成一层氯化亚铜膜,阻止了反应进行,但过量的氯离子能与CU2CL2络合形成可溶性络离子「CUCL3」2-从铜表面溶解下来,从而提高了蚀刻速率。

B、一价铜的影响微量的一价铜存在蚀刻液中,会显著的隆低蚀刻速率。

C、二价铜含量的影响,通常二价铜离子浓度低于2克离子时,蚀刻速率低,在2克离子时,蚀刻速率就高,当铜含量达到一定浓度时,蚀刻速率就会下降,要保持恒定的蚀刻速率就必须控制蚀刻液内的含铜量,一般都采用比重方法来控制溶液内的含铜量,通常控制比重在1.28—1.295之间(波美度31--330BE’),此时的含铜量为120—150克/升。

银蚀刻液配方

银蚀刻液配方

银蚀刻液配方银蚀刻液是一种常用的化学药剂,用于在金属表面蚀刻出图案或文字。

它由一系列化学物质按照一定比例混合而成,具有强蚀刻性能。

本文将介绍银蚀刻液的配方及其相关知识。

一、配方及原理银蚀刻液的主要成分是硝酸银(AgNO3)和硝酸铜(Cu(NO3)2)。

其配方可以根据需要进行调整,一般来说,硝酸银的浓度越高,蚀刻效果越明显。

硝酸铜的添加则可以增强蚀刻速度和蚀刻深度。

二、配方比例通常,银蚀刻液的配方比例为:硝酸银:硝酸铜=3:1。

三、步骤1. 将一定量的硝酸铜溶解于适量的去离子水中,搅拌均匀。

2. 将硝酸银逐渐加入上述溶液中,同时继续搅拌,直至完全溶解。

3. 将溶液过滤,去除其中的杂质。

4. 将过滤后的溶液倒入容器中,即可使用。

四、注意事项1. 银蚀刻液属于腐蚀性物质,使用时需佩戴防护手套、护目镜等个人防护装备,避免接触皮肤和眼睛。

2. 银蚀刻液应置于通风良好的地方,避免吸入其蒸汽。

3. 使用银蚀刻液时,要注意控制蚀刻时间和温度,以免蚀刻过深或过浅。

4. 使用后的银蚀刻液应妥善处理,不可随意倾倒或排入下水道。

五、应用范围银蚀刻液广泛应用于金属工艺品、电子元件、印刷与制版等领域。

它可以对金属表面进行精细蚀刻,制作出精美的图案和文字,被广泛用于制作徽章、标牌、金属工艺品等。

六、安全注意事项1. 使用银蚀刻液时,要注意防护措施,避免接触皮肤和眼睛。

2. 使用后的银蚀刻液应妥善处理,避免对环境造成污染。

3. 银蚀刻液的储存要放在阴凉、干燥的地方,远离火源和易燃物。

总结:银蚀刻液是一种常用的化学药剂,具有强蚀刻性能。

其配方主要包括硝酸银和硝酸铜,按照一定比例混合后制成。

使用银蚀刻液时要注意安全防护措施,避免接触皮肤和眼睛。

银蚀刻液广泛应用于金属工艺品、电子元件等领域,能够制作出精美的图案和文字。

在使用和储存过程中,要注意安全和环境保护。

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