MBR10100FCT ASEMI品牌肖特基二极管

MBR10200CT-MBR20100CT ASEMI高压肖特基二极管规格

MBR10200CT ASEMI高压肖特基二极管
肖特基二极管MBR10200CT参数规格：
肖特基二极管MBR10200CT电流：10A；
肖特基二极管MBR10200CT电压：200V；
肖特基二极管MBR10200CT管装：50/管；盒装：1000PCS/盒。

肖特基二极管广泛应用于开关电源、变频器、驱动器等电路，作高频、低压、大电流整流二极管、续流二极管、保护二极管使用，或在微波通信等电路中作整流二极管、小信号检波二极管使用。

MBR10200CT ITO-220AB肖特基二极管PDF资料
MBR10200CT肖特基类型：高结温芯片，品牌：ASEMI，
应用市场：电源，小家电，LED电源，各式充电器，开关电源，LED显示屏等。

MBR10200CT肖特基相关参数如下：
MBR10200CT电压Vrrm:200V
MBR10200CT电流If平均：10A
MBR10200CT正向电压Vf最大：0.87V
MBR10200CT电流，Ifs最大：150A
MBR10200CT工作温度范围：-40°C to+150°C
MBR10200CT封装形式：TO-220/TO-220F/ITO-220
MBR10200CT反向恢复电流，Irrm:10UA
肖特基系列型号：
MBR1040CT,MBR1045CT,MBR1060CT,MBR1060FCT, MBR10100CT,MBR10100FCT,MBR10150FCT,MBR10150CT, MBR10200FCT,MBR10200CT
肖特基二极管封装：TO-251,TO-252,TO-263,
TO-220,TO-247,TO-3P。

MBR1040CT-MBR1040FCT ASEMI高压大功率肖特基二极管规格

MBR1040CT MBR1040FCT MBR1040DC肖特基二极管参数PDF规格书MBR1040FCT等肖特基均采用俄罗斯Mikron芯片，28条台湾健鼎测试线，确保MBR1040FCT的高可靠性肖特基二极管MBR1040FCT参数规格：肖特基二极管MBR1040FCT电流：10A；肖特基二极管MBR1040FCT电压：40V；肖特基二极管MBR1040FCT管装：50/管；盒装：1000PCS/盒。

肖特基二极管广泛应用于开关电源、变频器、驱动器等电路，作高频、低压、大电流整流二极管、续流二极管、保护二极管使用，或在微波通信等电路中作整流二极管、小信号检波二极管使用。

MBR1040CT ITO-220AB肖特基二极管PDF资料MBR1040CT肖特基类型：高结温芯片，品牌：ASEMI，应用市场：电源，小家电，LED电源，各式充电器，开关电源，LED显示屏等。

MBR1040CT肖特基相关参数如下：MBR1040CT电压Vrrm:40VMBR1040CT电流If平均：10AMBR1040CT正向电压Vf最大：0.54VMBR1040CT电流，Ifs最大：120AMBR1040CT工作温度范围：-40°C to+150°CMBR1040CT封装形式：TO-220/TO-220F/ITO-220MBR1040CT反向恢复电流，Irrm:20UA肖特基系列型号：MBR1040CT,MBR1045CT,MBR1060CT,MBR1060FCT,MBR10100CT,MBR10100FCT,MBR10150FCT,MBR10150CT,MBR10200FCT,MBR10200CT肖特基二极管封装：TO-251,TO-252,TO-263,TO-220,TO-247,TO-3P。

肖特基(SCHOTTKY)系列二极管

肖特基（SCHOTTKY）系列二极管本文主要介绍济南半导体所研制生产的肖特基二极管系列产品。

介绍军品级、工业品级肖特基二极管的种类、性能特点、正反向电参数。

对产品的正向直流参数、反向温度特性及正向、反向抗烧毁能力等进行了质量分析，并与国外公司制造的同类产品进行了比较。

最后，着重介绍了2DK030高可靠肖特基二极管的性能特点用途，1N60超高速肖特基二极管的性能特点用途，以及功率肖特基二极管在开关电源方面的应用。

本文主要包括下面六个部分：一．肖特基二极管简介二．我所肖特基二极管生产状况三．我所肖特基二极管种类四．我所肖特基二极管的特点及性能质量分析五．介绍我所生产的两种肖特基二极管(1)2DK030高可靠肖特基二极管(2)1N60超高速肖特基二极管六．功率肖特基二极管在开关电源方面的应用下面只对部分常用的参数加以说明(1) V F正向压降Forward Voltage Drop(2) V FM最大正向压降Maximum Forward Voltage Drop(3) V BR反向击穿电压Breakdown Voltage(4) V RMS能承受的反向有效值电压RMS Input Voltage(5) V RWM 反向峰值工作电压Working Peak ReverseVoltage(6) V DC最大直流截止电压Maximum DC BlockingVoltage(7) T rr反向恢复时间Reverse Recovery Time(8) I F(AV)正向电流Forward Current(9) I FSM最大正向浪涌电流Maximum Forward SurgeCurrent(10) I R反向电流Reverse Current(11) T A环境温度或自由空气温度Ambient Temperature(12) T J工作结温Operating Junction Temperature(13) T STG储存温度Storage Temperature Range(16) T C管子壳温Case Temperature一．肖特基二极管简介：同普通硅二极管一样，肖特基二极管也是具有单向导电特性的硅二极管。

肖特基二极管MBR10100F ASEMI 10A 100V

Page 1
MBR1080 THUR MBR10100
Dual High-Voltage Schottky Rectifiers
REV:1.01
The forward voltage and forward current curve
The reverse leak current and the reverse voltage (single-device) curve
MBR1080 THUR MBR10100 Dual High-Voltage Schottky Rectifiers
◆ Half Bridge Rectified、Common Cathode Structure. Multilayer Metal -Silicon Potential Structure. Low Power Waste，High Efficiency. Beautiful High Temperature Character. Have Over Voltage protect loop，high reliability. RoHs Product.
MBR10100
XXXX
修订内容
ＷＷＷ．ＳＵＮＮＹＳＥＭＩ．ＣＯＭ
Page 3
VRRM= 100V IF(AV)= 10A
Circuit and Protection Circuit.
■ MBR1080、MBR1090、MBR10100 Schottky diode,in the manufacture uses the main process technology includes: Silicon epitaxial substrate, P+ loop technology,The potential metal and the silicon alloy technology, the device uses the two chip, the common cathode, the plastic package structure.

ASEMI肖特基二极管MBR10100CT的饱和压降怎么去理解？

肖特基二极管饱和压降怎么去理解？
大家都知道，半导体不同于导体，它本身的电阻非常大，可以达到千欧级甚至于兆欧级，那怕是我们所看到二极管，我们在测量它的单向导通一侧时，它的电阻依然很大，所以在电路当中，当有电流通过时，它会有一个无法像导体一样可以忽略的电压产生，这个电压我们就叫做压降，这个电压，根据不同的掺杂工艺，不同的扩散工艺以及它的掺杂浓度等等不同，它所产生的压降也不一样，而因为半导体不遵循伏安特性曲线，所以我们在测量时不可能把它在不同电流下所产生的压降都测试出来，但我们可以测量出在它可通过最大电流时所产生的压降是多少，这个压降我们就称作饱和压降，它的现实意义在于，我们可以通过饱和压降作参考来选型我们在实际应用中所需要的参数。

下面来看看ASEMI肖特基二极管MBR10100CT的饱和压降，电流电压关系图：
ASEMI半导体常用肖特基二极管封装有TO-220，TO-247/3P，TO-263，TO-251/TO-252等，MBR10100FCT是的封装方式为TO-220封装，下面所示为TO-220封装产品外图与尺寸图，从这一图片当中我们可以很直观的看到MBR10100FCT的实物照片，与实际尺寸。

关于肖特基MBR系列

关于肖特基MBR系列：为什么要取名为“MBR”？M：是以最早MOTOROLA的命名，取MB：Bridge 桥，整流桥R：Rectifier，整流器SCHOTTKY：肖特基SCHOTTKY RECTIFIER DIODES：肖特基整流二极管。

肖特基二极管也称肖特基势垒二极管（简称SBD），国内厂家也有叫做“SB1045CT、SR10100、SL....、BL....、1、肖特基它是一种低功耗、超高速半导体器件，广泛应用于开关电源、变频器、驱动器等电路，作高频、低压、大电流整流二极管、续流二极管、保护二极管使用，或在微波通信等电路中作整流二极管、小信号检波二极管使用。

2、肖特基二极管的结构肖特基二极管在结构原理上与PN结二极管有很大区别，它的内部是由阳极金属（用钼或铝等材料制成的阻挡层）、二氧化硅（SiO2）电场消除材料、N 外延层（砷材料）、N型硅基片、N阴极层及阴极金属等构成。

在N型基片和阳极金属之间形成肖特基势垒。

当在肖特基势垒两端加上正向偏压（阳极金属接电源正极，N型基片接电源负极）时，肖特基势垒层变窄，其内阻变小；反之，若在肖特基势垒两端加上反向偏压时，肖特基势垒层则变宽，其内阻变大。

肖特基二极管分为有引线和表面安装（贴片式）两种封装形式。

采用有引线式封装的肖特基二极管通常作为高频大电流整流二极管、续流二极管或保护二极管使用。

它有单管式和对管（双二极管）式两种封装形式。

肖特基对管又有共阴（两管的负极相连）、共阳（两管的正极相连）和串联（一只二极管的正极接另一只二极管的负极）三种管脚引出方式。

采用表面封装的肖特基二极管有单管型、双管型和三管型等多种封装形式，有A~19种管脚引出方式。

3、常用的肖特基二极管常用的有引线式肖特基二极管有1N5817、1N5819、MBR1045、MBR20200等型号。

常用的表面封装肖特基二极管，SCHOTTKY取第一个字母“S”，片式表面贴片SMD取第一个字母“S”，即为SS，如：SS12、SS14....电流最小的肖特基是BAT42（0.2A)；BAT54、BAT54A、BAT54C（0.3A）；电流最大的肖特基是440A，如：440CMQ030、444CNQ045；超过440A的必定是模块。

常用肖特基二极管、型号的命名、字母含义

SCHOTTKY RECTIFIER DIODES：肖特基整流二极管。
例如：MBR10200CT
M：MOTOROLA
缩写 M
B：Barrier1
缩写 B
R：Rectifier
缩写 R
10：电流 10A
200：电压 200V
C：表示 TO-220AB 封装，常指半塑封。
T：表示管装
MBR1045CT，其中的“C”：表示 TO-220 封装；MBR6045PT，其中的“P”：表示 TO-3P 封装
MBR30150CT，30A，150V，TO-220AB、TO-220F 全塑封；
MBR30200CT，30A，200V，TO-220AB、TO-220F 全塑封；
MBR3045PT， 30A， 45V，TO-247、TO-3P；
MBR3060PT， 30A， 60V，TO-247、TO-3P；
MBR30100PT，30A，100V，TO-247、TO-3P；
MBR1045CT、MBR10100CT：TO-220AB（三脚半塑封），10A
M
BMBR1535CT、MBR1545CT：TO-220AB（三脚），15A RFMBR2045CT、MBR20200CT：TO-220AB（三脚），20A 1MBR2535CT、MBR2545CT：TO-220AB（三脚），25A 0MBR3045CT、MBR3060CT：TO-220AB（三脚），30A
MBR40150PT，40A，150V，TO-247、TO-3P；
MBR40200PT，40A，200V，TO-247、TO-3P；
MBR6045PT， 60A， 45V，TO-247、TO-3P；
MBR6060PT， 60A， 60V，TO-247、TO-3P；

长电TO-263肖特基二极管MBRB10100CT规格

V
0.05
mA
0.85
V
0.95
V
pF

1
Rev. - 1.0
Typical Characteristics
FORWARD CURRENT I (mA) F
Forward Characteristics
10000
1000
100
=100℃
=25℃
T a
T a
10
1
0
100 200 300 400 500 600 700 800 900 1000
1.120
1.420
0.710
0.910
1.170
1.370
0.310
0.530
1.170
1.370
10.010
10.310
8.500
8.900
2.540 TYP.
4.980
5.180
14.940
15.500
4.950
5.450
2.340
2.740
1.300
1.700
0°
8°
5.600 REF.
Dimensions In Inches

3
Rev. - 1.0
TO-263-2L Tape and Reel

4
Rev. - 1.0
0.067
0°
8°Βιβλιοθήκη 0.220REF.3.00
8.50
3.00
8.40 1.20
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肖特基二极管型号大全之ASEMI肖特基常见型号

肖特基⼆极管型号⼤全之ASEMI肖特基常见型号编辑-Z肖特基⼆极管最⼤的特点是正向压降VF⽐较⼩。

在相同电流的情况下，其正向压降要⼩得多。

此外，它的恢复时间很短。

它也有⼀些缺点：耐压⽐较低，漏电流稍⼤。

选择时必须充分考虑，肖特基⼆极管通常⽤于对电源的次级输出进⾏整流。

肖特基⼆极管型号⼤全之ASEMI肖特基有哪些常见型号呢？ASEMI肖特基⼆极管型号⼤全封装SMA:SS510、SS310、SS210、SS110、SK310A、SK210A、SK110A等。

封装TO-220：MBR2060AC、SBT40100VICT、MBR10100FCT、MBR10200FAC等。

封装TO-247：MBR60100PT、MBR60200PT、MBR40200PT、MBR30200PT等。

封装TO-263：SBT40100VDC、SBT30100VDC、MBR40100DC、MBR30100DC等。

肖特基⼆极管型号⼤全之肖特基⼆极管封装：分为引线式和表⾯贴装（贴⽚式）封装。

带引线封装的肖特基⼆极管通常⽤作⾼频⼤电流整流⼆极管、续流⼆极管或保护⼆极管。

它有两种封装形式：单管式和双管（双⼆极管）式。

常⽤的有引线式肖特基⼆极管、1N5817、1N5819、MBR1045、MBR20200等型号，也称为插件封装。

肖特基⼆极管型号⼤全之肖特基的作⽤：作⽤还是整流，它的优点是正向电压降低，反向恢复时间快，所以整体损耗会⽐其他⼆极管低很多。

肖特基⼆极管型号⼤全之肖特基⼆极管特性：1、肖特基⼆极管的正向压降远低于快恢复⼆极管，因此⾃⾝功耗⼩，效率⾼。

2、由于反向充电恢复时间极短，适合在⾼频条件下⼯作。

3、能承受⾼浪涌电流。

4、以往肖特基管的反向耐压⼀般在200V以下，但现在最新技术可以做到产品⾼达1000V，市场应⽤前景⼗分⼴阔。

5、⽬前市⾯上常见的肖特基管的最⾼结温为100℃、125℃、150%、175℃（结温越⾼，产品的耐⾼温性能越好。

MBR30200FCT、ASEMI全新二极管PDF版分类解析

编辑人：MM摘要:1、MBR30200FCT、ASEMI二极管就原理而言，从输入信号中取出调制信号是检波，以整流电流的大小（100mA）作为界线通常把输出电流小于100mA的叫检波。

1、检波二极管就原理而言，从输入信号中取出调制信号是检波，以整流电流的大小（100mA）作为界线通常把输出电流小于100mA的叫检波。

锗材料点接触型、工作频率可达400MHz，正向压降小，结电容小，检波效率高，频率特性好，为2AP型。

类似点触型那样检波用的二极管，除用于检波外，还能够用于限幅、削波、调制、混频、开关等电路。

也有为调频检波专用的特性一致性好的两只二极管组合件。

2、整流二极管就原理而言，从输入交流中得到输出的直流是整流。

以整流电流的大小（100mA）作为界线通常把输出电流大于100mA的叫整流。

面结型，工作频率小于KHz，最高反向电压从25伏至3000伏分A～X共22档。

分类如下：①硅半导体MBR30200FCT这款ASEMI整流二极管2CZ型、②硅桥式整流器QL型、③用于电视机高压硅堆工作频率近100KHz的2CLG型。

3、限幅二极管大多数二极管能作为限幅使用。

也有象保护仪表用和高频齐纳管那样的专用限幅二极管。

为了使这些二极管具有特别强的限制尖锐振幅的作用，通常使用硅材料制造的二极管。

也有这样的组件出售：依据限制电压需要，把若干个必要的整流二极管串联起来形成一个整体。

4、调制二极管通常指的是环形调制专用的二极管。

就是正向特性一致性好的四个二极管的组合件。

即使其它变容二极管也有调制用途，但它们通常是直接作为调频用。

5、混频二极管使用二极管混频方式时，在500～10,000Hz的频率范围内，多采用肖特基型和点接触型二极管。

6、放大二极管用二极管放大，大致有依靠隧道二极管和体效应二极管那样的负阻性器件的放大，以及用变容二极管的参量放大。

因此，放大用二极管通常是指隧道二极管、体效应二极管和变容二极管。

7、开关二极管有在小电流下（10mA程度）使用的逻辑运算和在数百毫安下使用的磁芯激励用开关二极管。

MBR10100FCT-ASEMI肖特基二极管MBR10100FCT

MBR10100FCT-ASEMI 肖特基二极管MBR1O1OOFCT编辑-zMBR1O1OOFCT在TO-220封装里采用的2个芯片，是一款肖特基二极管。

MBR1O1OOFCT的浪涌电流∣fsm为150A,漏电流(上)为0.05mA,其工作时耐温度范围为-65~175摄氏度。

MBR10100FCT采用SI芯片材质，里面有2颗芯片组成。

MBR10100FCT的电性参数是：正向电流(I。

)为10A,反向耐压为100V,正向电压(VF)为0.8V,其中有3条引线。

MBR10100FCT参数描述型号:MBR10100FCT封装：TO-220特性：肖特基二极管电性参数：10A, 100V芯片材质：SI正向电流(⑹：10A芯片个数：2正向电压(VF)： 0.8V芯片尺寸：86MIL浪涌电流Ifsm： 150A漏电流(Irj： 0.05mA工作温度：-65~+175C恢复时间(Trr)： <5nS引线数量：3MBR10100FCT 的TO-220封装系列。

它的木体长度为15.4mm,加引脚长度为29.2mm,宽度为10.3mm,高度为4.8mm 。

MBR10100FCT 的特性有：可燃性分类94V-O 、阻燃环氧模塑料、金属硅结，多数载流子传导、低功耗、高效率、高电流能力、用于过压保护的保护环、用于低压、高频逆变器续流和极性保护应用、符合欧盟RoHS 200羽yEC 指令。

以上就是关于MBR10100FCT-ASEMI 肖特基二极管MBR10100FCT 的详细介绍。

ASEMI 产品广泛应用于：开关电源、LED 照明、集成电路、移动通讯、计算机、工业自动化控制设备、汽车电子以及液晶电视、1。

丁、智能家居、医疗仪器、电磁炉等大小家电。

DO-41/27/15 全系列封装 KBU SMA/B/C KB P DIP-7 电源器件专业制造商肖特基、快恢更整流桥、电源IC。

MBR30200FCT肖特基二极管30A200V ASEMI品牌

MBR30200FCT，肖特基二极管30A200V ASEMI品牌型号：MBR30200FCT
品牌：ASEMI
封装：TO-220
特性：肖特基二极管
电性参数：30A，200V
芯片材质：SI
正向电流(Io)：30A
芯片个数：2
正向电压(VF)：0.88V
芯片尺寸：122MIL
浪涌电流Ifsm：200A
漏电流(Ir)：10UA
工作温度：-55~+150℃
恢复时间(Trr)：<5nS
引线数量：3
ASEMI半导体厂家-强元芯电子专业经营分离式元器件，主要生产销售整流桥系列封装（DB、WOB、BR、KBPC、KBP、KBPM、GBU、GBL、KBL、KBJ、KBU）；整流模块（MDS、MTC、MDQ、QLF、SQLF）；汽车整流子（25A～50A STD&TVS Button、Cell、MUR）；
肖特基二极管TO-220（MBR10100、10150、20100、20150、20200、30100、30200全塑封半塑封）；肖特基TO-3P/247，整流二极管(STD、FR、HER、SF、SR、TVS、开关管、稳压管)；玻璃钝化（GPP）六英寸晶圆等，各种封装参数在ASEMI都有详细介绍。

MBR10100CT 肖特基二极管 ASEMI参数详解

MBR10100CT 肖特基二极管10A100V，ASEMI品牌
型号：MBR10100CT
品牌：ASEMI
封装：TO-220
特性：肖特基二极管
★电性参数：10A，100V
★芯片材质：SI
★正向电流(Io)：10A
★芯片个数：2
★正向电压(VF)：0.79V
★芯片尺寸：86MIL
★浪涌电流Ifsm：120A
★是否进口：是
★漏电流(Ir)：20UA
★工作温度：-50~125
★恢复时间(Trr)：<5nS
★引线数量：3
★编辑人：李绚
肖特基二极管MBR10100CT参数规格：肖特基二极管MBR10100CT电流：10A ；肖特基二极管MBR10100CT电压：
40V；肖特基二极管MBR10100Ct管装：50/管；盒装：1000PCS/盒。

肖特基二极管广泛应用于开关电源、变频器、驱动器等电路，作高频、低压、大电流整流二极管、续流二极管、保护二极管使用，或在微波通信等电路中作整流二极管、小信号检波二极管使用。

欢迎咨询取样测试。

肖特基二极管MBR10100

因为N型半导体中存在着大量的电子，贵金属中仅有极少量的自由电子，所以电子便从浓度高的B中向浓度低的A中扩散。

显然，金属A中没有空穴，也就不存在空穴自A向B的扩散运动。

随着电子不断从B扩散到A，B表面电子浓度表面逐渐降轻工业部，表面电中性被破坏，于是就形成势垒，其电场方向为B→A。

但在该电场作用之下，A中的电子也会产生从A→B的漂移运动，从而消弱了由于扩散运动而形成的电场。

当建立起一定宽度的空间电荷区后，电场引起的电子漂移运动和浓度不同引起的电子扩散运动达到相对的平衡，便形成了肖特基势垒。

典型的肖特基整流管的内部电路结构是以N型半导体为基片，在上面形成用砷作掺杂剂的N-外延层。

阳极（阻档层）金属材料是钼。

二氧化硅（SiO2）用来消除边缘区域的电场，提高管子的耐压值。

N型基片具有很小的通态电阻，其掺杂浓度较H-层要高100%倍。

在基片下边形成N+阴极层，其作用是减小阴极的接触电阻。

通过调整结构参数，可在基片与阳极金属之间形成合适的肖特基势垒，当加上正偏压E时，金属A和N型基片B分别接电源的正、负极，此时势垒宽度Wo变窄。

加负偏压-E时，势垒宽度就增加。

综上所述，肖特基整流管的结构原理与PN结整流管有很大的区别通常将PN结整流管称作结整流管，而把金属-半导管整流管叫作肖特基整流管，近年来，采用硅平面工艺制造的铝硅肖特基二极管也已问世，这不仅可节省贵金属，大幅度降低成本，还改善了参数的一致性。

肖特基整流管仅用一种载流子（电子）输送电荷，在势垒外侧无过剩少数载流子的积累，因此，不存在电荷储存问题（Qrr→0），使开关特性获得时显改善。

其反向恢复时间已能缩短到10ns以内。

MBR10100CT-ASEMI封装与MBR10100FCT的区别分析

MBR10100CT详细信息：型号：MBR10100CT封装：TO-220典型参数：10A,100V正向电流（Io）：10A反向耐压（Vrr）：100V正向电压（VF）：0.79V浪涌电流（Ifsm）：120A漏电压（Ir）：10uA工作温度范围：-55℃～+150℃反向恢复时间（Trr）：<5nS是否进口：是产品特性：肖特基二极管产品类型：肖特基二极管针脚数：3芯片尺寸：86mil芯片个数：2芯片材质：Mikron芯片材料：Si功耗：低是否高频：是同系列相同型号：MBR1040CT MBR10100FCT,MBR10100F,MBR10100HMBR10100CT是一款常规型肖特基二极管，使用频率高应用领域广泛在高频电源电源中寻常可见。

它的主要电性参数为最大正向整流10安培，最大反向耐电压为100V，都被大家广为熟知。

那么有关于它的封装问题，则常常令工程或者采购朋友们傻傻分不清楚。

既有铁头封装又有全塑封封装等之分,实在让人选择头疼，下面ASEMI工程就为大家解开这背后的奥秘。

肖特基二极管MBR10100FCT-用铁头封装散热性表现更佳这款肖特基二极管封装，就是为解决散热性问题的铁头封装。

采用铁头封装的型号打标方式为MBR10100CT与全塑封装相区别。

这种封装能大幅提升电源的有效散热效率，针对发热严重或者对散热要求高的电路非常适用。

ASEMI肖特基二极管MBR10100FCT-用全塑封装绝缘性更好我们通常所说采用塑封或者全塑封，就是指MBR10100FCT肖特基二极管内部框架、芯片、焊片等等电路全部被一体包封住，与外界隔绝。

它所采用的材料是环氧树脂，这种高级环氧材料具有非常好的抗热性,防氧化性及绝缘性都非常好。

我们知道MBR10100FCT的下游应用领域多为电源高频整流环节,所以对安全性要求比较高，需要MBR10100FCT拥有很好绝缘性来避免电路短路等故障发生。

正是这样，采用全塑封装的它能有效避免内部电路与外界接触，更好的保护电路安全。

关于肖特基二极管、型号的命名、字母含义、解释

关于肖特基二极管、型号的命名、字母含义、解释肖特基二极管的命名：肖特基二极管是以其发明人肖特基博士（Schottky）命名的，完整的叫法是：肖特基整流二极管（Schottky Rectifier Diode缩写成SR），也有人叫做：肖特基势垒二极管（Schottky Barrier Diode缩写成SBD）的简称。

肖特基：Schottky整流：RectifierSR：即为肖特基整流二极管Schottky Rectifier Diode：肖特基整二极管，简称：SR，比如：SR107，SR10100CT......肖特基：Schottky势垒：BarrierSB：即为肖特基势垒二极管肖特基二极管也称肖特基势垒二极管（简称SBD），国内厂家也有叫做“SB1045CT、SR10100、SL....、BL....Schottky Barrier Diode：肖特基势垒二极管，简称：SB，比如：SB107，SB1045CT......Schottky Barrier Diode：也有简写为：SBD来命名产品型号前缀的。

但SBD不是利用P型半导体与N型半导体接触形成PN结原理制作的，而是利用金属与半导体接触形成的金属-半导体结原理制作的。

因此，SBD也称为金属-半导体（接触）二极管或表面势垒二极管，它是一种热载流子二极管。

关于肖特基MBR系列为什么国际通用常见的肖特基二极管都以“MBR”字头命名？因为最早是世界著名半导体公司－摩托罗拉半导体命名的产品型号M：是以最早MOTOROLA的命名，取MB：Bridge 桥；Barrier：势垒R：Rectifier，整流器 “MBR”意为整流器件SCHOTTKY：肖特基 SCHOTTKY RECTIFIER DIODES：肖特基整流二极管。

例如：MBR10200CTM：MOTOROLA 缩写MB：Barrier缩写BR：Rectifier 缩写R10：电流10A200：电压200VC：表示TO-220AB封装，常指半塑封。