模拟电子技术基础2
电子技术基础(模拟)Ⅱ习题及答案
七、
1.电容C的位置错,可去掉或改动 的位置
2.去掉电容C2
3. 的极性错
八、画出下面电路的直流通路和微变等效电路。
直流通路:
微变等效电路:
九、解:
1. 、 、
2.交流负载线:过Q点,与横轴的焦点是
3.到饱和区的最大 ;到截止区的最大 。因此这道题要出现失真,应该是饱和失真,答同时出现也可以。
二、选择题
1.B,A,A2.B,A3.A,B,C
三、填空题
1.放大区、截止区、饱和区、放大区
2.电源、直流信号、交流信号源、交流信号、电容、交流信号源、电容、电源
3.电压放大倍数、输入电阻、带宽
4.静态工作点、交流负载线、交流负载线的中间、基极电阻、增大
四、
1. X——发射极、Y——集电极、Z——基极、
负反馈自激振荡的条件是:
观察放大电路的波特图。当 时,若幅频响应曲线在零点以下,则电路稳定;否则可能产生自激振荡。
2.选择正确答案填空
A电压串联负反馈B电压并联负反馈
C电流串联负反馈D电流并联负反馈
(1)为了将电压信号转换成与之成比例的电流信号,应引入C
(2)为了实现电流-电压转换,应引入B
(3)为了减小从电压信号源索取的电流并增大带负载能力,应引入A
(4)为了实现电流放大,应引入D。
三、判断图示电路引入了何种反馈?
模2第五章练习题答案
一、判断题
1 .√ 2. √ 3.X4. X 5. X
二、填空题
1. F D C A B E A C
2. C B A D
三、判断图示电路引入了何种反馈?
电流并联负反馈电压串联负反馈
电压并联正反馈电流并联负反馈
模拟电子技术基础第二章例题习题
【例2-1】理想二极管电路如例2-1图所示,试判断二极管是导通还是截止?并求输出电压U A0。
解:为了判断二极管在电路中是导通的还是截止,首先假设将二极管断开,确定二极管两端的电位差;然后根据二极管两端加的是正向电压还是反向电压判定二极管是否导通,若二极管两端的电位差为正向电压且大于阈值电压,则二极管导通,若二极管两端的电位差为反向电压,则二极管截止;若电路中出现两个或两个以上二极管,则判断承受正向电压较大的二极管优先导通,再按照上述方法判断其余的二极管是否导通。
本例中,对于例2-1图(a)所示电路, 当二极管D 断开后,V 4)9()5(A B BA =−−−=−=U U U ,所以二极管D 导通,V 5A0−=U 。
对于例2-1图(b) 所示电路, 当二极管1D 、2D 都断开后,V 3)12()9(11B A AB =−−−=−=U U UV 6)15()9(22B A AB =−−−=−=U U U ,由于12AB AB U U >,所以二极管2D 先导通,2D 导通后V 15A0−=U ,这时V 3)12()15(11B A AB −=−−−=−=U U U ,所以二极管1D 最终处于截止状态。
对于例2-1图(c) 所示电路, 当二极管1D 、2D 都断开后,V 3912A B A B 11=−=−=U U U , V 1910A B A B 22=−=−=U U U ,由于A B A B 21U U >,因此,二极管1D 优先导通,1D 导通后,V 12A0=U ,此时,V -21210A B A B 22=−=−=U U U ,所以二极管2D 最终处于截止状态。
5V例2-1图【例2-2】例2-2(a)图所示电路中的二极管是硅管,①若二极管为理想二极管,则流过二极管中的电流是多少?②如果二极管正向导通压降为0.7V ,则流过二极管中的电流又是多少?③若U =20V ,且二极管正向导通压降为0.7V ,则流过二极管中的电流又是多少? 解:由例2-2图(a)所示电路①若二极管为理想二极管,二极管D 因受正向电压而导通,U D =0V ,二极管中的电流为 mA 82.1107.461D =×==R U I ②如果二极管正向导通压降为0.7V 先判断二极管是导通还是截止。
模拟电子技术基础课后习题答案
第2章模拟电子技术基础(第4版)课后习题答案(周良权)(总13页)--本页仅作为文档封面,使用时请直接删除即可----内页可以根据需求调整合适字体及大小--6第2章 半导体三极管及其基本放大电路一、填空题2.1 BJT 用来放大时,应使发射结处于 偏置,集电结处于 偏置;而工作在饱和区时,发射结处于 偏置,集电结处于 偏置。
2.2 温度升高时,BJT 的电流放大系数β ,反向饱和电流CBO I ,发射结电压BE U 。
2.3用两个放大电路A 和B 分别对同一个电压信号进行放大,当输出端开路时,O B O A U U =;都接人负载L R 电阻时,测得O B O A U U 〈,由此说明,电路A 的输出电阻比电路B 的输出电阻 。
2.4对于共射、共集和共基三种基本组态放大电路,若希望电压放大倍数大,可选用组态;若希望带负载能力强,应选用 组态;若希望从信号源索取电流小,应选用 组态;若希望高频性能好,应选用 组态。
2.5 FET 是通过改变 来改变漏极电流(输出电流)的,所以它是一个 器件。
2.6 FET 工作在可变电阻区时,D i 与D S u 基本上是 关系,所以在这个区域中,FET 的d 、s 极间可以看成一个由GS u 控制的 。
2.7 FET 的自偏压电路只适用于 构成的放大电路;分压式自偏压电路中的栅极电阻S R 一般阻值很大,这是为了 。
二、选择正确答案填写(只需选填英文字母)2.8 BJT 能起放大作用的内部条件通常是:(1)发射区掺杂浓度 (a 1.高,b 1.低,c 1.一般);(2)基区杂质浓度比发射区杂质浓度 (a 2.高,b 2.低,c 2.相同),基区宽度(a 3.高,b 3.窄,c 3.一般);集电结面积比发射结面积 (a 4.大,b 4.小,c 4.相等)。
2.9 测得BJT I B =30μA 时,I C = mA ;I B =40μA 时,I C =3 mA ,则该管的交流电流放大系数β为 (a .80,b .60,c .75)。
模拟电子技术基础(第2版)
读书笔记模板
01 思维导图
03 目录分析 05 读书笔记
目录
02 内容摘要 04 作者介绍 06 精彩摘录
思维导图
本书关键字分析思维导图
初学者
题
电子技术
表达
半导体
宗旨
方法
第版
电路
集成电路 电路
基础
基础
小结
第章
习题
集成
放大器
应用
内容摘要
内容摘要
本书以“讲透基本原理,打好电路基础,面向集成电路”为宗旨,避免复杂的数学推导,强调物理概念和晶 体管器件模型的描述,加强了场效应管(尤其是MOS场效应管)的电路分析,充分重视集成电路的教学。在若干 知识点的阐述上,教材有自己的个性特色,并在内容取舍、编排以及文字表达等方面都期望解决初学者的入门难 的问题。另外为了帮助初学者更好的学习本书,对所述的基本电路利用EWB的电路设计软件进行了电路仿真,同 时还配有CAI的教学软件。
8.5线性稳压电路 8.6开关型稳压电源
本章小结 思考题与习题8
9.1电流模式电路的 一般概念
9.2跨导线性的基本 概念
9.3电流传输器 9.4跨导运算放大器
本章小结
思考题与习题9
作者介绍
同名作者介绍
读书笔记
读书笔记
这是《模拟电子技术基础(第2版)》的读书笔记模板,可以替换为自己的心得。
目录分析
1.2 PN结
1.1半导体基础知 识
1.3晶体二极管及 其应用
本章小结
思考题与习题1
2.2结型场效应管
2.1双极型晶体三 极管
2.3金属-氧化物半导体场效应管
本章小结
思考题与习题2
模拟电子技术第二章电流模电路基础
2.1 电流模电路的概念及特点 (Current Mode)
一、概念
电流模电路:就是能够有成效地传送,放大和处理电 流信号的电路。(以电流变化为信息载体的电路) 电压模电路:电压模电路,则是偏重传送,放大和处理电 压信号的电路并以电压为变量来分析和标定电路。 ➢ 电流模电路以电流变量作为分析与设计电路的输入和
则有:UT ln[i2i4 /(I s2 I s4 )] UT ln[i1i3 /(I s1I s3 )] 在TL回路中,若顺时针方向排列的正偏PN结数目与反
控使制时P发N则针结射有方的区:向各尺排电i寸2列流 i的4乘正I积s偏1i等1P于iNI3s反结2 时数I针目s3正相偏等Is,P4N则结顺I的s 时各针电正流偏乘积。
➢ 顺时针方向(CW)排列的正偏结数与反时针方 向(CCW)排列的正偏结数目必须相等。
跨导线性原理是B.Gilbert提出的,这个原理 可以简化非线性电路的计算,它即适用于小信 号,又适用于大信号。尤其在一个较大规模的 电路中,只要存在“跨导线性环”,就会使电 路计算大大简化。在电流模电路中,因为多施 用“匹配”技术,几乎到处都可以找到“跨导 线性环” 。
跨导线性回路原理:
第二章 电流模电路基础
(现代模拟集成电路技术)
2.1 电流模(current Mode)电路的概念及特点 2.2电流传输器 2.3 跨导线性(TL)原理 2.4由TL环路构成的电流模电路
电路如图所示,设晶体管的参数相同,
均处在放大区,且有 Ia>>IB1,Ib>>IB4,试利用
早在1989年,“电流模式信号处理”专题就已经 列入了IEEE电路与系统国际会议的议题。
不久的将来,电流模电路必将改变目前的电压模 电路统制模拟信号处理领域的局面。
模拟电子技术基础2 6 7章课后答案
说明稳压管DZ已经导通,假定不正确,V0=VZ=6V。
由于IZmin<IZ<IZmax,说明稳压管DZ已经导通,并且能正常工作。
(2)当负载开路时,稳压管中的电流等于限流电阻中的电流,即
>IZmax
稳压管将因功耗过大而损坏。
2-16在测试电流为28mA时稳压管的稳压值为9.1V,增量电阻为5Ω。求稳压管的VZO,并分别求电流为10mA和100mA时的稳压值。
解:(1)根据
其中
(2)如果流向负载的电流为1mA,则流过二极管的电流为
则
所以输出电压的变化为:
2-7在题2-7图所示电路中,设二极管为理想的,试判断图中各二极管是否导通,并求VAO值。
解:根据题意,电路中的二极管都是理想的。
(a)二极管D不通
(b)D导通
(c)D1导通,D2不通
(d)D1、D2均导通,则
(3)求该放大器的通频带 。
(4)放大器输入信号 时,是否会产生频率失真?请说明原因。
(5)放大器输入信号 时,是否会产生频率失真?请说明原因。
答:
(1)
(2) ,
(3)
(4)单一频率的信号,不会产生频率失真;
(5)不同频率信号的放大倍数不同,会产生频率失真
6-10已知某放大电路的的电压放大倍数为 。
(1)求解 ;
(2)画出波特图。
答:
6-11已知某放大电路的波特图如图P6-11所示,试写出电压放大倍数 的表达式。
图P6-11
答:
6-12阻容耦合放大器幅频特性如图P6-12,问:
图P6-12
(1)给放大器输入 , 的正弦信号时,输出电压 为多少?
(2)给放大器输入 , 的正弦信号时,输出电压 为多少?
《模拟电子技术基础》试题2
机电3+2《模拟电子技术基础》试题库2考生须知:1.本试卷分问卷和答卷两部分,满分100分,考试时间90分钟。
2.在答题卷密封区内请写明校名、姓名和学籍号。
3.全部答案都请做在答题卷标定的位置上,务必注意试题序号与答题序号相对应,直接做一、填空题(每空1分,共30分)1.根据导电能力来衡量,自然界的物质可以分为、和三类。
2.PN结正偏时,P区接电源的极,N区接电源的极。
3. 三极管按内部结构分为型和型,前者的图形符号是,后者的图形符号是。
4. 硅二极管导通时的正向管压降约 V,锗二极管导通时的正向管压降约 V。
5. 三极管工作在饱和状态的外部电压条件是:发射结,集电结。
6.当测得晶体三极管的集电极对地电压V C接近电源电压V CC时,表明该三极管处于________状态。
7.一放大器无反馈时的放大倍数A=120,加入负反馈后,放大倍数下降为A f=20,它的反馈深度1+AF= ,反馈系数F= 。
8.某工作在放大区的三极管,如果当I B从22μA增大到42μA,I C从1mA变为2mA,则它的放大倍数β为__________。
9.负反馈能使放大器的通频带__________,非线性失真__________。
10.在低通滤波电路中,电容器与负载联,电感与负载联。
11.通常使用法判断反馈放大器的反馈极性。
根据反馈信号是交流还是直流来分,可分为反馈和反馈。
12.由NPN三极管组成的放大电路中,输出电压波形的正半周失真,则产生了失真,它的静态工作点位置。
13.放大器的输出电阻,放大器能力越强。
14.单级共射极放大电路中,输入电压和输出电压的频率,相位。
二、单项选择题(每小题3分,共30分)1.对三极管放大作用的实质,下面说法正确的是( ) A.三极管可以把小能量放大成大能量 B.三极管可以把小电流放大成大电流C.三极管可以把小电压放大成大电压D.三极管可用较小的电流控制较大的电流2. 交流电源电压V 2=11伏的单相桥式整流电路,直流负载电阻RL=5欧,每个二极管通过的电流约为( )安。
模拟电子技术基础(第2版 )第六章复习
s
(2)并联谐振角频率ωp
p
Lq 1 C q C0
1 Lq C q
s 1
Cq C0Leabharlann C q C0三、LC正弦波振荡电路
(3)晶体振荡电路
串联型石英晶体振荡电路
三、LC正弦波振荡电路
并联型晶体振荡电路
三、LC正弦波振荡电路
可燃气体报警器
1 R2 jc 2 R Z2 1 1 jRC R2 jC 2
F
1 1 3 j (RC ) RC
二、RC正弦波振荡电路
RC串并联网络的频率特性
二、RC正弦波振荡电路
振荡频率计算
1 fo 2RC
起振条件
Af=1+Rf / R3>3,即 Rf >2R3
二、RC正弦波振荡电路
一、基本概念
(4)振荡电路的分析方法
① 检查电路的基本环节。 ② 检查放大电路的静态工作是否合适。
③ 检查电路是否引入正反馈。
④ 判断电路是否满足振幅起振条件。
二、RC正弦波振荡电路
RC文氏桥式振荡器 集成运放A构成同相比例放大电路,反馈网络 由RC串并联网络组成
二、RC正弦波振荡电路
1 1 jRC Z1 R1 jc1 jC
第六章
正弦波振荡电路
复习课
一、基本概念
1、产生自激振荡的条件 (1)起振条件
一、基本概念
(2)振荡平衡条件
振幅平衡条件 │A F│= 1 相位平衡条件
a f 2n (n=0,1,2,3…)
一、基本概念
(3)振荡电路的组成 ① 放大电路 ② 反馈网络 ③ 选频网络 ④ 稳幅电路
模拟电子技术课后习题答案第二章交流放大电路基础答案
习题2-1 如图2-51所示,判断三极管处于截止、放大还是饱和状态? 解:a 放大状态。
b 饱和状态。
c 截止状态。
d 放大状态。
2-2 在电路中,三极管各管脚对地电位,试分析三极管A 、B 、C 各是什么电极,该管是NPN 还是PNP ,硅管还是锗管?(1)U A =3.8V ,U B =3.1V ,U C =8V ; (2)U A =7.2V ,U B =7V ,U C =3V 。
解:(1)A 是三极管基极;根据三极管发射结正偏,导通的特点,导通压降为0.7V ,则B 是三极管发射极,C 是三极管集电极;该管是NPN 型硅管。
(2)B 是三极管基极;根据三极管发射结正偏,导通的特点,导通压降为0.2V ,则A 是三极管发射极,C 是三极管集电极;该管是PNP 型锗管。
2-3 某三极管的极限参数I CM =20mA ,P CM =100mW ,U (BR )CEO =15V ,试分析下列条件下,三极管能否正常工作?(1)I C =15m A ,U CE =8V ; (2)I C =19mA ,U CE =3V ; (3)I C =30mA ,U CE =4V 。
解:(1)U CE =8V <U (BR )CEO ,I C =15mA <I CM ,P C =U CE I C =120mW >P CM ,所以不能正常工作。
(2)U CE =3V <U (BR )CEO ,I C =19m A <I CM , P C =U CE I C =57mW <P CM ,所以能正常工作。
(3)U CE =4V <U (BR )CEO ,但I C =30mA >I CM ,所以不能正常工作。
2-4试判断图2-52中各电路有无放大作用,简单说明理由。
图2-51 习题2-1图abcd2V解:a 无放大作用。
电源极性与三极管不符。
b 无放大作用。
I B =0。
c 无放大作用。
交流通路输入短路。
d 无放大作用。
模拟电子技术基础第二章练习题
V C E =4V,则电路中的R= k Q ,民=4 k Q 。
注意:答案仅供参考! 一、填空题半导体三极管属于电流控制器件,而场效应管属于电压控制器件。
1. 2. 放大器有两种不同性质的失真,分别是 线性 失真和 非线性 失真。
3. 共射极放大电路中三极管集电极静态电流增大时,其电压增益将变 若负载电阻R.变小时,其电压增益将变 小。
4.单级共射极放大电路产生截止失真的原因是 静态Ic 偏小;产生饱和失真 的原因是Ic 偏大;若两种失真同时产生,其原因是 输入信号太大 。
5.静态工作点Q 点一般选择在 交流 负载线的中央。
6.静态工作点Q 点选得过低会导致 截止 失真:Q 点选得过高会导致 饱和 失真。
7.对于下图所示电路,设 VC CF 12V, RF510kQ,只=8 k Q, V BW ,V CE ®)=,当p =50, 静态电流I BQ = 22 3 A, I cQ = ___ ,管压降V C EQ = ____ ;若换上一个当p =80,静 态电流I B F 22卩A , IccF ,管压降V C E = ,三级管工作在 饱和状8.对于下图所示电路,设 VCR2V,三级管P =50, V BE =,若要求静态电流l cd F2mA9.对于下图所示电路,已知 V Cc =12V,嘉=27 k Q, R=2 k Q ,R e =1 k Q ,V BE =,现要 求静态电流I cQ F3mA 贝U 氐=12 k Q 。
10.已知图示的放大电路中的三级管P =40, V BE =,稳压管的稳定电压V Z =6V,则静态电流 I BCF __ , I cQ F 11mA ,管压降 V cE(= 3V o*20V11.当环境温度升高时,三极管的下列参数变化的趋势是:电流放大系数大,穿诱电流I CEO 增加 ,当I B 不变时,发射结正向压降|U BE |减小12.若下图所示放大电路在冬天调试时能正常工作,当到了夏天后,发现输出波 形失真,且幅度增大,这时发生的失真是 饱和 失真,失真的主要原因是由于 夏天室温升高后,三级管的I CBO 、V BE 和 P三个参数的变化,引起工作点 上移;输出波形幅度增大,则是因为 P 参数随温度升高而增大所造 成,输出波形幅度增大也是引起失真的一个原因。
电路与模拟电子技术基础(第2版)习题解答第3章习题解答
第3章正弦稳态电路的分析习题解答3.1 已知正弦电压()V314sin 10q -=t u ,当0=t 时,V 5=u 。
求出有效值、频率、周期和初相,并画波形图。
周期和初相,并画波形图。
解 有效值为有效值为有效值为 V 07.7210==UHz 502314==pf ;s 02.01==fT将 0=t , V 5=u 代入,有代入,有 )sin(105q -=,求得初相°-=30q 。
波形图如下。
波形图如下3.2 正弦电流i 的波形如图3.1所示,写出瞬时值表达式。
所示,写出瞬时值表达式。
图3.1 习题3.2波形图波形图解 从波形见,电流i 的最大值是A 20,设i 的瞬时值表达式为的瞬时值表达式为A π2sin 20÷øöçèæ+=q t T i当 0=t 时,A =10i ,所以,所以 q sin 2010=,求得,求得 °=30q 或 6π=q 。
当 s 2=t 时,A =20i ,所以,所以 ÷øöçèæ+´=6π2π2sin 2020T ,求得,求得 s 12=T 。
所以所以 A÷øöçèæ°+=306πsin 20t i。
3.3正弦电流()A 120 3cos 51°-=t i ,A )45 3sin(2°+=t i 。
求相位差,说明超前滞后关系。
关系。
解 若令参考正弦量初相位为零,则1i 的初相位°-=°-°=30120901q ,而2i 初相位°=452q ,其相位差其相位差 °-=°-°-=-=75453021q q j , 所以1i 滞后于2i °75 角,或2i 超前1i °75 角。
模拟电子技术基础第二章PPT课件
Ui Ii
Rb rbe
阻容耦合共射放大电路的动态分析
A uU U o i Ic(IR bcr∥ beRL)rb RL e '
A usU U o s U U si U U o i RsR iRi A u
Ri Rb∥ rberbe Ro Rc
讨论四:基本共射放大电路的静态分析
80
rbb' 200
在低频、小信号作用下的关系式
duBE
uBE iB
di UCE B
uBE uCE
IB duCE
diC
iC iB
di UCE B
iC uCE
IB duCE
电阻
无量纲
Ube h11Ib h12Uce
Ic
h21Ib h22Uce
无量纲
电导
交流等效模型(按式子画模型)
h参数的物理意义
h11uiBBE UCE rbe
若 (1 )R e> R b , > U B 则 QR b 1 R b 1 R b2 V CC
4. 动态分析
2. 信号源与放大电路不“共地”
共地,且要使信号 驮载在静态之上
静态时,UBEQURb1
动态时,b-e间电压是uI与 Rb1上的电压之和。
两种实用放大电路
阻容耦合放大电路
-+
UBEQ
+-
UCEQ
C1、C2为耦合电容!
耦合电容的容量应足够 大,即对于交流信号近似 为短路。其作用是“隔离 直流、通过交流”。
Ui
Ri
Ri Rs
Us
可以看出,Ri越大,放大电路从信号源中索取的输入 电压Ui越接近信号源电压Us!
UO
RL RO RL
UO'
模拟电子电路及技术基础_第二版_答案_孙肖子_第2章
得
R10 R8 uo R9 R7
R6 ( R7 R8 ) ui2 ui1 R8 ( R5 R6 )
若满足R7=R5,R8=R6,则
uo R10 R8 ui2 ui1 R9 R7
第二章 集成运算放大器的线性应用基础
解法二 因为A3、A4整体构成负反馈,所以有 U+=U- 其中
可见
式中
R2 R2 uo1 ui1 U M ui1 U M R1 R1 R6 1 UM UN ui2 ui2 R5 R6 2
第二章 集成运算放大器的线性应用基础
图 P2-4 (a) 电路图; (b) 波形图
第二章 集成运算放大器的线性应用基础
图P2-4′ 图P2-4(a)的分解图
S2闭合
S1闭合
第二章 集成运算放大器的线性应用基础
图 P2-3
第二章 集成运算放大器的线性应用基础
2-4 理想运放组成的电路如图P2-4(a)所示,设输入信号 ui1为1 kHz正弦波,ui2为1 kHz方波,如图P2-4(b)所示,试求 输出电压和输入电压的关系式及波形。 解 将图P2-4所示电路分解为两级运算,如图P2-4′(a)、 (b)所示。
若满足R5=R7,R8=R6,则
R10 R8 uo (ui2 ui1 ) R9 R7
第二章 集成运算放大器的线性应用基础
2-13 设计一个反相相加放大器,要求最大电阻值为300 kΩ,输入输出关系为uo=-(7ui1+14ui2+3.5ui3+10ui4)。 解 设计一个相加器,要求最大电阻为300 kΩ,选择电 路如图P2-13所示。 令Rf=300 kΩ,则
第二章 集成运算放大器的线性应用基础
模拟电子技术基础课后练习答案(国防科技大学出版社)第二章 半导体器件习题答案(大题)
习题:一.填空题1. 半导体的导电能力与温度、光照强度、掺杂浓度和材料性质有关。
2. 利用PN结击穿时的特性可制成稳压二极管,利用发光材料可制成发光二级管,利用PN结的光敏性可制成光敏(光电)二级管。
3.在本征半导体中加入__5价__元素可形成N型半导体,加入_3价_元素可形成P型半导体。
N型半导体中的多子是_自由电子_______;P型半导体中的多子是___空穴____。
4. PN结外加正向电压时导通外加反向电压时截止这种特性称为PN结的单向导电性。
5. 通常情况下硅材料二极管的正向导通电压为0.7v ,锗材料二极管的正向导通电压为0.2v 。
6..理想二极管正向电阻为__0______,反向电阻为_______,这两种状态相当于一个___开关____。
7..晶体管的三个工作区分别为放大区、截止区和饱和区。
8.. 稳压二极管是利用PN结的反向击穿特性特性制作的。
9.. 三极管从结构上看可以分成 PNP 和 NPN 两种类型。
10. 晶体三极管工作时有自由电子和空穴两种载流子参与导电,因此三极管又称为双极型晶体管。
11.设晶体管的压降U CE不变,基极电流为20μA时,集电极电流等于2mA,则β=__100__。
12. 场效应管可分为绝缘栅效应管和结型两大类,目前广泛应用的绝缘栅效应管是MOS管,按其工作方式分可分为耗尽型和增强型两大类,每一类中又分为N沟道和P沟道两种。
13. 查阅电子器件手册,了解下列常用三极管的极限参数,并记录填写题表2-1在下表中题表2-1二.选择题1.杂质半导体中,多数载流子的浓度主要取决于A。
A、杂质浓度B、温度C、输入D、电压2.理想二极管加正向电压时可视为 B ,加反向电压时可视为__A__。
A.开路B.短路C.不能确定3.稳压管的稳压区是二极管工作在__D__状态。
A.正向导通B.反向截止C.反向导通D.反向击穿4.当温度升高时,二极管的反向饱和电流将__A__。
模拟电子技术基础(第五版)第二章
模拟电子技术基础(第五版)第二章模电课件2.1 集成电路运算放大器2.2 理想运算放大器2.3 基本线性运放电路2.4 同相输入和反相输入放大电路的其他应用模电课件2.1 集成电路运算放大器1. 集成电路运算放大器的内部组成单元图2.1.1 集成运算放大器的内部结构框图特点:电路对称性,提高整个电路的性能若干级电压放大带负载能力强,电流放大模电课件2.1 集成电路运算放大器1. 集成电路运算放大器的内部组成单元图2.1.2 运算放大器的代表符号(a)国家标准规定的符号(b)国内外常用符号特点:两个输入端(同相+、反相― ),一个输出端,单向模电课件2. 运算放大器的电路模型通常(实际): 开环电压增益Avo的≥105 (很高) 输入电阻ri ≥ 106Ω (很大) 输出电阻ro ≤100Ω (很小)图2.1.3 运算放大器的电路模型vO=Avo(vP-vN) ,当(V- vO V+) 注意输入输出的相位关系模电课件2. 运算放大器的电路模型当Avo(vP-vN) ≥V+ 时vO= V+ 当Avo(vP-vN) ≤ V-时vO= V-电压传输特性vO= f (vP-vN)线性范围内vO=Avo(vP-vN) Avo――斜率非线性(饱和)范围内?end模电课件2. 运算放大器的电路模型例:一运放Avo= 2×105 ,ri = 0.6 MΩ , 电源电压V+ = +12 V, V- = -12 V. (1)当vO=±Vom = ± 12 V时,输入电压的最小幅值vP-vN = ? 输入电流ii = ? (2)画出传输特性曲线vO=f(vP-vN) (1)线性范围内: vP-vN = vO / Avo = ± 12 V/( 2×105) = ± 60 v (2)传输特性曲线vO=f(vP-vN)ii =( vP-vN )/ ri = ± 60 0.6 MΩ v/ = ± 100 pA模电课件2.2 理想运算放大器1. vO的饱和极限值等于运放的电源电压V+和V- 2. 运放的开环电压增益很高ri≈∞ 若(vP-vN)0 则vO= +Vom=V+ (饱和) 若(vP-vN)0 则vO= CVom=V- (饱和)3. 若V- vO V+ (线性) 则(vP-vN) 0 ,虚短4. 输入电阻ri的阻值很高使iP≈ 0、iN≈ 0 ,虚断5. 输出电阻很小,ro ≈ 0图2.2.1 运放的简化电路模型理想:ri≈∞ ro≈0 Avo→∞ vO=Avo(vN-vP)模电课件2.3 基本线性运放电路线性运放电路:运放一定工作在线性范围(状态), 电路通过接入负反馈来保证。
模拟电子技术(西安交大)模拟考题二及参考答案
模拟电子技术基础模拟考试题二及参考答案一、填空(每题2,共2分)1.硅稳压二极管在稳压电路中稳压时,通常工作于()。
(a) 正向导通状态 (b) 反向电击穿状态(c) 反向截止状态 (d) 热击穿状态2、整流的目的是()。
(a) 将交流变为直流 (b) 将高频变为低频(c) 将正弦波变为方波 (d) 将方波变为正弦波3、当信号频率在石英晶体的串联谐振频率和并联谐振频率之间时,石英晶体呈()。
(a) 容性 (b) 阻性 (c) 感性 (d) 无法判断4、为了避免50Hz电网电压的干扰进入放大器,应选用的滤波电路是()。
(a) 带阻 (b) 带通 (c) 低通 (d) 高通5、能实现函数Y=aX1+bX2+cX3,a、b和c均大于零的运算电路是()。
(a) 加法 (b) 减法 (c) 微分 (d) 积分6、欲从信号源获得更大的电流,并稳定输出电流,应在放大电路中引入()。
(a) 电压串联负反馈 (b) 电压并联负反馈(c) 电流串联负反馈 (d) 电流并联负反馈7、集成运放电路采用直接耦合方式是因为()。
(a) 可获得很大的放大倍数 (b) 可使温漂小(c) 集成工艺难于制造大容量电容 (d) 放大交流信号8、要求电压放大倍数的数值大于10,输入电阻大于10MΩ,输出电阻小于100Ω,第一级应采用,第二级应采用。
()(a) 共射电路, 共集电路 (b) 共集电路, 共射电路(c) 共基电路, 共集电路 (d) 共射电路, 共基电路9、直接耦合放大电路存在零点漂移的原因是()。
(a) 电阻阻值有误差 (b) 晶体管参数的分散性(c) 电源电压不稳定 (d) 晶体管参数受温度影响10、工作在放大区的某三极管,如果当I B从12μA增大到22μA时,I C从1mA变为2mA,那么它的β约为()。
(a) 83 (b) 91 (c) 100 (d) 120【解】1 、(b) 2 、(a) 3 、(c) 4 、(b) 5 、(a) 6 、(d) 7 、(c) 8 、(b) 9 、(d) 10 、(c)二、填空(共10题,每题2分,共20分)1、在室温(27℃)时,锗二极管的死区电压约 V,导通后在较大电流下的正向压降约 V,硅二极管的死区电压约 V;导通后在较大电流下的正向压降约 V。
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第二章基本放大电路〖本章主要内容〗本章重点讲述基本放大电路的组成原理和分析方法,分别由BJT和FET组成的三种组态基本放大电路的特点和应用场合。
多级放大电路的耦合方式和分析方法。
首先介绍基本放大电路的组成原则。
三极管的低频小信号模型。
固定偏置共射放大电路的图解法和等效电路法静态和动态分析,最大不失真输出电压和波形失真分析。
分压式偏置共射放大电路的分析以及稳定静态工作点的方法。
共集和共基放大电路的分析,由BJT构成的三种组态放大电路的特点和应用场合。
然后介绍由FET构成的共源、共漏和共栅放大电路的静态和动态分析、特点和应用场合。
最后介绍多级放大电路的两种耦合方式、直接耦合多级放大电路的静态偏置以及多级放大电路的静态和动态分析。
通过习题课掌握放大电路的静态偏置方法和性能指标的分析计算方法。
〖学时分配〗本章有七讲,每讲两个学时。
第五讲放大电路的主要性能指标及基本共射放大电路组成原理一、主要内容1、放大的概念在电子电路中,放大的对象是变化量,常用的测试信号是正弦波。
放大电路放大的本质是在输入信号的作用下,通过有源元件(BJT或FET)对直流电源的能量进行控制和转换,使负载从电源中获得输出信号的能量,比信号源向放大电路提供的能量大的多。
因此,电子电路放大的基本特征是功率放大,表现为输出电压大于输入电压,输出电流大于输入电流,或者二者兼而有之。
在放大电路中必须存在能够控制能量的元件,即有源元件,如BJT和FET等。
放大的前提是不失真,只有在不失真的情况下放大才有意义。
2、电路的主要性能指标1)输入电阻i R:从输入端看进去的等效电阻,反映放大电路从信号源索取电流的大小。
2)输出电阻o R:从输出端看进去的等效输出信号源的内阻,说明放大电路带负载的能力。
3)放大倍数(或增益):输出变化量幅值与输入变化量幅值之比。
或二者的正弦交流值之比,用以衡量电路的放大能力。
根据放大电路输入量和输出量为电压或电流的不同,有四种不同的放大倍数:电压放大倍数、电流放大倍数、互阻放大倍数和互导放大倍数。
电压放大倍数定义为:iou uu UUA A ⋅⋅⋅⋅== 电流放大倍数定义为:i oi ii I I A A ⋅⋅⋅⋅==互阻放大倍数定义为:i oui I UA ⋅⋅⋅=互导放大倍数定义为:⋅⋅⋅=i oiu U I A 注意:放大倍数、输入电阻、输出电阻通常都是在正弦信号下的交流参数,只有在放大电路处于放大状态且输出不失真的条件下才有意义。
4)最大不失真输出电压:未产生截止失真和饱和失真时,最大输出信号的正弦有效值或峰值。
一般用有效值U OM 表示;也可以用峰—峰值U OPP 表示。
5)上限频率、下限频率和通频带:由于放大电路中存在电感、电容及半导体器件结电容,在输入信号频率较低或较高时,放大倍数的幅值会下降并产生相移。
一般,放大电路只适合于放大某一特定频率范围内的信号。
如P75图2.1.4所示。
上限频率f H (或称为上限截止频率):在信号频率下降到一定程度时,放大倍数的数值等于中频段的0.707倍时的频率值即为上限频率。
下限频率f L (或称为下限截止频率):在信号频率上升到一定程度时,放大倍数的数值等于中频段的0.707倍时的频率值即为上限频率。
通频带f BW :f BW = f H - f L 通频带越宽,表明放大电路对不同频率信号的适应能力越强。
6)最大输出功率P OM与效率η:P OM 是在输出信号基本不失真的情况下,负载能够从放大电路获得的最大功率,是负载从直流电源获得的信号功率。
此时,输出电压达到最大不失真输出电压。
η为直流电源能量的利用率。
V OMP P =η 式中v p 为电源消耗的功率7)非线性失真系数D :在某一正弦信号输入下,输出波形因放大器件的非线性特性而产生失真,其谐波分量的总有效值与基波分量之比。
即%10012322⨯++=A A A D,式中:1A 为基波幅值,2A 、3A …为各次谐波幅值; 3、两种常见的共射放大电路组成及各部分作用1)直接耦合共射放大电路:信号源与放大电路、放大电路与负载之间均直接相连。
适合于放大直流信号和变化缓慢的交流信号。
2)阻容耦合共射放大电路:信号源与放大电路、放大电路与负载之间均通过耦合电容相连。
不能放大直流信号和变化缓慢的交流信号;只能放大某一频段范围的信号。
如P72图2.7所示。
3)放大电路中元件及作用(1)三极管T ——起放大作用。
(2)集电极负载电阻R C ——将变化的集电极电流转换为电压输出。
(3)偏置电路V CC ,R b ——使三极管工作在放大区,V CC 还为输出提供能量。
(4)耦合电容C 1,C 2——输入电容C 1保证信号加到发射结,不影响发射结偏置。
输出电容C 2保证信号输送到负载,不影响集电结偏置。
4、静态工作点设置的必要性对放大电路的基本要求一是不失真,二是能放大。
只有保证在交流信号的整个周期内三极管均处于放大状态,输出信号才不会产生失真。
故需要设置合适的静态工作点。
Q 点不仅电路是否会产生失真,而且影响放大电路几乎所有的动态参数。
5、基本共射放大电路的工作原理及波形分析对于基本放大电路,只有设置合适的静态工作点,使交流信号驮载在直流分量之上,以保证晶体管在输入信号的整个周期内始终工作在放大状态,输出电压波形才不会产生非线性失真。
波形分析见P74图2.8所示。
基本共射放大电路的电压放大作用是利用晶体管的电流放大作用,并依靠将电流的变化转化为电压的变化来实现的。
6、放大电路的组成原则1)为了使BJT工作于放大区、FET工作于恒流区,必须给放大电路设置合适的静态工作点,以保证放大电路不失真。
2)在输入回路加入u i应能引起u BE的变化,从而引起i B和i C的变化。
3)输出回路的接法应当使i C尽可能多地流到负载R L中去,或者说应将集电极电流的变化转化为电压的变化送到输出端。
二、本讲重点1、放大的本质;2、放大电路工作原理及静态工作点的作用;3、利用放大电路的组成原则判断放大电路能否正常工作;三、本讲难点1、放大电路静态工作点的设置方法;2、利用放大电路的组成原则判断放大电路能否正常工作;四、教学组织过程本讲以教师讲授为主。
用多媒体演示放大电路的组成原理、信号传输过程和设置合适Q 点的必要性等,便于学生理解和掌握。
判断放大电路能否正常工作举例可以启发讨论。
五、课后习题见相应章节的“习题指导”。
第六讲放大电路的基本分析方法一、主要内容1、直流通路、交流通路及其画法(1)直流通路:在直流电源的作用下,直流电流流经的通路,用于求解静态工作点Q 的值。
(2)直流通路的画法:电容视为开路、电感视为短路;信号源视为短路,但应保留内阻。
(3)交流通路:在输入信号作用下,交流信号流经的通路,用于研究和求解动态参数。
(4)交流通路的画法:耦合电容视为短路;无内阻直流电源视为短路;2、放大电路的静态分析和动态分析(1)静态分析:就是求解静态工作点Q,在输入信号为零时,BJT或FET各电极间的电流和电压就是Q点。
可用估算法或图解法求解。
(2)动态分析就是求解各动态参数和分析输出波形。
通常,利用三极管h参数等效模型画出放大电路在小信号作用下的微变等效电路,并进而计算输入电阻、输出电阻与电压放大倍数。
或利用图解法确定最大不失真输出电压的幅值、分析非线性失真等情况。
放大电路的分析应遵循“先静态,后动态”。
的原则,只有静态工作点合适,动态分析才有意义;Q点不但影响电路输出信号是否失真,而且与动态参数密切相关。
3、图解法确定Q点和最大不失真输出电压(1)用图解法确定Q点的步骤:已知晶体管的输出特性曲线族→由直流通路求得I BQ →列直流通路的输出回路电压方程得直流负载线→在输出特性曲线平面上作出直流负载线→由I BQ所确定的输出特性曲线与直流负载线的交点即为Q点。
(2)输出波形的非线性失真非线性失真包括饱和失真和截止失真。
饱和失真是由于放大电路中三极管工作在饱和区而引起的非线性失真。
截止失真是由于放大电路中三极管工作在截止区而引起的非线性失真。
放大电路要想获得大的不失真输出,需要满足两个条件:一是Q点要设置在输出特性曲线放大区的中间部位;二是要有合适的交流负载线。
(3)直流负载线和交流负载线由放大电路输出回路电压方程所确定的直线称为负载线。
由直流通路确定的负载线为直流负载线;由交流通路确定的负载线为交流负载线,可通过Q 、B []),//(Lc CQ CEQ R R I U +两点作出。
对于放大电路与负载直接耦合的情况,直流负载线与交流负载线是同一条直线;而对于阻容耦合放大电路,只有在空载情况下,两条直线才合二为一。
(4)最大不失真输出电压有效值OM U{}'⋅-=LCQ CES CEQ OM R I U U Min U ,21式中:L c L R R R //='说明:当放大电路带上负载后,在输入信号不变的情况下,输出信号的幅度变小。
举例:如P83例2.2图2.17所示,放大电路静态工作点和动态范围的确定。
4、等效电路法求解静态工作点即利用直流通路估算静态工作点BEQ U 、BQ I 、CQ I 和CEQ U。
其中硅管的v U BEQ 7.0=; 锗管的vU BEQ 5.0=,无须求解;其余三个参数的求解方法为:(1)列放大电路输入回路电压方程可求得BQ I;(2)根据放大区三极管电流方程BQ CQ I I β=可求得CQ I;(3)列放大电路输出回路电压方程可求得CEQ U;5、BJT 的h 参数等效模型(1)BJT 等效模型的建立:三极管可以用一个二端口模型来代替;对于低频模型可以不考虑结电容的影响;小信号意味着三极管近似在线性条件下工作,微变也具有线性同样的含义。
(2)BJT 的h 参数方程及等效模型cee b e c cee b e beUh I h I Uh I h U⋅⋅⋅⋅⋅⋅+=+=22211211ceceb c bbe beUr I I I r U⋅⋅⋅⋅⋅+==1βBJT 的h 参数等效模型如P31图1.31所示。
(3)h 参数的物理意义1eh 11即r be :三极管的交流输入电阻,对于小功率三极管可用近似公式计算如下:()mAI mv I U r r EQ EQ T bb be 26)1(3001ββ++Ω≈++'=2eh 12电压反馈系数:反映三极管内部的电压反馈,因数值很小,一般可以忽略。
3e h 21:在小信号作用时,表示晶体管在Q 点附近的的电流放大系数β 。
4e h 22:三极管输出电导,反映输出特性上翘的程度。
常称1/eh 22为c-e 间动态电阻ce r 。
通常e h 22的值小于10-5S ,当其与电流源并联时,因分流极小,可作开路处理。