低频电子线路

开环增益越大，闭环增益 下降越多，衰减系数越大
稳定性提高
通频带展宽
非线性失真变小
改变了输入输出电阻
关于负反馈
反馈
将放大器输出信号的一部分或全部， 通过某种方式回送到输入端，影响原输入 信号，达到改变放大器性能的目的。这一 过程叫反馈。 如果反馈信号加强了原信号（同相）， 叫正反馈，使放大器增益提高。 如果反馈信号削弱了原信号（反相）， 叫负反馈，使放大器增益下降。
RC耦合共射放大电路 +EC RB C1 RC T C2 RB 开路 直流通道 +EC
RC
开路
对交流信号(输入信号ui)
+EC RB C1 RC T
置零
C2
交流通路
uo
短路
ui
短路
RB
RC RL
3. 直流负载线和交流负载线
a)、直流负载线
直流通路下负载的VAR关系曲线。
+VCC RB RC IC UCE
1. 三极管的输出特性。 2. UCE=VCC–ICRC 。 与输出 IC V 特性的 R 交点就 是Q点
CC C
Q IB
直流通路
直流 负载线
UCE VCC
例1: 阻容耦合共射放大电路，已知UBE=0.7V β =50,Rb=377k,RC=6k, Vcc=12V， 计算:电路的静态工作点Q ;
RS
+
–
+ ui us
–
IEQ
C2
+
RE RL
+ uo
–
输入回路与输出回路的公共端为基极的 电路称共基极电路，记作CB；
+VCC RB1
RC
+ C1
C3
RL +
+
C2
RB2
RE
+ RS
uo

u+ s

放大电路的分析方法
图解法
静态分析 估算法 图解法
放大 电路 分析
动态分析
微变等效电路法 计算机仿真*
IC
3 2 1
IB=30
IB=20微安
IB=10 1 3 5
VCE
三极管电流放大原理
前提：三极管工作于放大区域，即发射结正偏，集电结反偏。
Ie=Ib+Ic Ic Ib
Ic= β Ib Δ Ic = β (Δ Ib)
基极电流的微小变化，可 以控制集电极电流比较大的变 化，而且变化规律是一致的。 这就是电流放大的本质。
二、稳压管主要参数
1、稳定电压 Vz 即反向击穿电压，是基 本稳定不变的值
2、（最小）稳定电流 Izmin
3、最大稳定电流 Izmax 电流若小于此值，稳压 管将会退出击穿状态
电流若超过此值，稳 压管将烧毁
4、动态电阻（内阻）
rz
衡量电流变化时会引起 电压的多大变化
怎样检测二极管？
依据：二极管正偏时导通，表现出电阻值比较小；
二极管反偏时截止，表现出电阻值极大。 用万用表测量二极管的正、反向电阻，就可以判别 正、负极性，比较二极管的质量。 1、注意万用表选档
必须使用 1K 档或 100欧姆 档 !!!
因为Rx l 档的电流太大，容易烧坏二极管， R xl0k档的内电源电压太大，易击穿二极管.
2、注意黑表笔接于表内电池的正极
将电流的变化转 换成电压变化。 RC VO C2 VCC 输出耦合 电容
偏置电阻， 决定IB大小 RB 合电容
Ic
Rb
C1
Rc
D C2
IB
B
C
Vi A
VCE Vbe
RL VO
VBE
Vi 0.7V IBQ
IB
VCE Vo VCEQ
IC ICQ
放大电路的三种组态
三极管有 共射、共集、共基三种基本组态，
三极管
共射接法
放大器电压增益估算
输入电流 ib 输出电流 ic
输入电压Vi
Rb
rbe
ic
Rc 输出电压 Vo
电压增益Av =
Vo Vi
=
- ic· Rc ib·be r
=
-ß
Rc
rbe
多级放大器
一、级间耦合方式
A1 A2 阻容耦合
A1
A2
变压器耦合
A1
A2
直接耦合
二、多级放大器等效电路 Rb
Rb
1.3
半导体器件
半导体器件是指各种半导体晶体管。它们 是放大电路的核心部件。电路的性能与其所 用器件的特性密切相关。因此，在学习电路 之前，必须先了解半导体器件。
1.4 二极管构成
一、二极管是如何构成的？
二极管本质上就是一个PN结。由P、N区引出电极， 外加封装，就成为二极管。
P
N
二、二极管有什么特性？
Ie
场效应管（FET）
场效应晶体管是也是一种半导体晶体管，是用电
场效应控制漏极电流的，属于压控器件。
场效应管
按照场效应三极 管的结构划分，有结 型场效应管和绝缘栅 型场效应管两大类。 结型场效应管
1.结构
我们所接触到的是绝缘栅型场效应管 Metal Oxide Semiconductor — MOSFET 以二氧化硅为绝缘层的绝缘栅型场效应管是一种金 属氧化物半导体场效应管。共有四种组态。 分为 增强型 N沟道、P沟道 耗尽型 N沟道、P沟道
正负反馈
电压电流 反馈
反馈信号取自于输出电压，叫电压 反馈，能稳定输出电压。 反馈信号取自于输出电流，叫电流 反馈，能稳定输出电流。
串联并联 反馈
输入回路与输出回路的公共端为发射极的电路称共 发射极电路，记作CE；
C1 RS + us

+
RB1 RC iB
iC ++ uCE

+VCC C2 RL
+
+ ui

+
uBE RB2 RE
+ uo

CE
输入回路与输出回路的公共端为集电极的 电路称共集电极电路，记作CC；
IBQ
RB C1 +VCC
+
正向特性：
单向导电性。
ID
ID
VD
当正偏电压在0~0.5V时， 二极管不导通，称为死区；
当电压超过0.5V后，开始 导通，电流迅速增大； 二极管充分导通时的管压 降约为0.7V。
起始电压
0 …….. 0.5 ….0.7
导通电压
反向特性
二极管加上反向电压， 基本不导通，反向电流约 等于0； 当反向电压超过某一值 时，反向电流突然增大， 这时的状态称为反向击穿。
四、三极管的输入特性
指基-射之间的电压 VBE 与 基极电流 IB 之间的关系。 对硅管来说，当VBE小于0.5V时， 基极电流为0 ； 当VBE大于0.5V之后，IB 随VBE 增大而增大。
IB
0 0.5V
0.7V
VBE
五、三极管的输出特性
* 指集-射之间的电压VCE 与集电极电流IC的关系。 在放大工作条件下 （VCE > VBE），VCE 的变化不影响IC。 IC大小完全决定于IB， （或VBE） 改变IB大小可 以控制IC的变化 。
低频电子线路
2010年3月10日
1.1
数 字
高低频的区别
低频:
高频:
电子线路
模 拟
按工作频率
线性：
按信号大小 非线性：
1.2 低频电子线路
《低频电子线路》主要内容包括常用半导 体器件、基本放大电路、放大电路的反馈、 集成运算放大器及应用、功率放大器、波形 发生器、直流稳压电源、低频电子线路课程 设计等。
电池正极 高电位
低电位
正向偏置
3、检测步骤
1、先定义二极管的A、B端； 2、用万用表测量二极管的AB向电阻；（黑接A，红接B） 3、测量二极管的BA向电阻； （黑接B，红接A）
A
500K
B
3、检测步骤
1、先定义二极管的A、B端； 2、用万用表测量二极管的AB向电阻；（黑接A，红接B） 3、测量二极管的BA向电阻； （黑接B，红接A）
交流通路:在输入信号作用下交流电流流过的通路， 即动态电流通路。主要用于确定放大电路的动态参 数。 交流通路的确定方法: (a)将电容视为短路； (b)将电感视为开路； (c)将直流电源视为短路。(小内阻)
信号的不同分量可以分别在不同的通路中分析。 在分析放大电路时，应遵循“先静态，后动态”的 原则，求解静态工作点Q时应用直流通路，求解动 态参数时应用交流通路，两种通路必须分清，不可 混淆。
电压放大器的概念
电压放大器的功能
电压放大器
有输入信号（电压）就有输出信号（电压）。 输出信号幅度大于输入信号幅度；但形状不变，频率不变。 （放大） （不失真）
能不失真地放大电压信号。
二、放大器构成思路
小 电 压
小 电 流
三极管
大 电 流
R
大 电 压
必须保证三极管 处于放大状态
VBE
电压放大器基本形式
一. 直流通道和交流通道
在放大电路中直流信号和交流信号是同时存在 的，为了分析研究方便，将两种信号对电路的作用 分开讨论，即分为直流通路和交流通路。
直流通路:在直流电源作用下直流电流流过的通路， 即静态电流通路。主要用于求解静态工作点。 直流通路的确定方法: (a)将电容开路； (b)将电感短路，忽略内阻； (c)信号源短路，保留内阻。
N沟道 P沟道 增强型
N沟道 P沟道 耗尽型
小结： 场效应管均含两个PN结。但两个PN结的 位置不同、沟道的性质不同、工作方式不同。 分成结型和绝缘栅型两大类，每一类又分成 N沟道与P沟道两种。绝缘栅型中每一种沟道 又有增强型与耗尽型两种工作方式。 场效应管具有输入电阻高，温度稳定性好、 低噪声、便于集成化、灵活性强等特点。