第2章 电力电子器件53395
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第2章 电力电子器件54526-文档资料
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2.1.3 电力电子器件的分类
■按照载流子参与导电的情况 ◆单极型器件 ☞由一种载流子参与导电。 ◆双极型器件 ☞由电子和空穴两种载流子参与导电。 ◆复合型器件 ☞由单极型器件和双极型器件集成混合而成, 也称混合型器件。
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2.1.4 本章内容和学习要点
■本章内容 ◆按照不可控器件、半控型器件、典型全控型器件和其 它新型器件的顺序,分别介绍各种电力电子器件的工作 原理、基本特性、主要参数以及选择和使用中应注意的 一些问题。 ■学习要点 ◆最重要的是掌握其基本特性。 ◆掌握电力电子器件的型号命名法,以及其参数和特性 曲线的使用方法。 ◆了解电力电子器件的半导体物理结构和基本工作原理。 ◆了解某些主电路中对其它电路元件的特殊要求。
整流二极管及模块 13/89
2.2.1 PN结与电力二极管的工作原理
■电力二极管是以半 导体PN结为基础的, 实际上是由一个面积 较大的PN结和两端引 线以及封装组成的。 从外形上看,可以有 螺栓型、平板型等多 种封装。
A
Байду номын сангаас
K A I P N J b) K
K
A a)
A
c)
K
图2-2 电力二极管的外形、结构和电气图形符号 a) 外形 b) 基本结构 c) 电气图形符号
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2.2 不可控器件——电力二极管
2.2.1 PN结与电力二极管的工作原理 2.2.2 电力二极管的基本特性 2.2.3 电力二极管的主要参数 2.2.4 电力二极管的主要类型
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2.2 不可控器件——电力二极管·引言
■电力二极管(Power Diode)自20世纪50年代初期就获得 应用,但其结构和原理简单,工作可靠,直到现在电力二 极管仍然大量应用于许多电气设备当中。 ■在采用全控型器件的电路中电力二极管往往是不可缺少 的,特别是开通和关断速度很快的快恢复二极管和肖特基 二极管,具有不可替代的地位。
第2章 柔性交流输电电力电子器件
1.1.3 电力电子器件的分类
1.1.3 电力电子器件的分类
按照器件能够被控制电路信号所控制的程 度,分为以下三类: (1) 半控型器件——通过控制信号可以控制 其导通而不能控制其关断
晶闸管(Thyristor)及其大部分派生器件 器件的关断由其在主电路中承受的电压和电流 决定
1.1.3 电力电子器件的分类
1.1 电力电子器件概述
1.1.1 电力电子器件的概念和特征
主电路(main power circuit)——电气设 备或电力系统中,直接承担电能的变换或 控制任务的电路 电 力 电 子 器 件 ( power electronic device)——可直接用于处理电能的主电 路中,实现电能的变换或控制的电子器件
1.1.1 电力电子器件的概念和特征
(3) 实用中,电力电子器件往往需要由信息电子电 路来控制。 在主电路和控制电路之间,需要一定的中间电路 对控制电路的信号进行放大,这就是电力电子器 件的驱动电路。 (4) 为保证不致于因损耗散发的热量导致器件温 度过高而损坏,不仅在器件封装上讲究散热设计, 在其工作时一般都要安装散热器。 导通时器件上有一定的通态压降,形成通态损耗
电力电子电路的基础 —— 电力电子器件 本章主要内容:
简要概述电力电子器件的概念、特点和分类等 问题 介绍各种常用电力电子器件的工作原理、基本特 性,主要参数以及选择和使用中应注意的一些问题
■
1.1 电力电子器件概述
1.1 电力电子器件概述
1.1.1 电力电子器件的概念和特征 1.1.2 应用电力电子器件的系统组成 1.1.3 电力电子器件的分类 1.1.4 本章内容和学习要点
《电力电子技术(第2版)》 王立夫、金海明版 第二章 习题答案
(2)①功率集成电路将电力电子器件与逻辑、控制、保护、传感、检测、自诊断等信息 电子电路制作在同一芯片上,同一芯片上高低压电路之间的绝缘问题以及温升和散热的有效 处理问题,是功率集成电路的主要技术难点。②集成电力电子模块则将电力电子器件与逻辑、 控制、保护、传感、检测、自诊断等所有信息电子电路通过专门设计的引线或导体连接起来 并封装在一起,有效地回避了高低压电路之间的绝缘以及温升和散热问题。
4
sin
t)2 d(t)
Im 2
3 1 4 2
0.4767Im
Kf1
I1 Id1
0.4767Im 0.2717Im
1.7545
b)
Id 2
1
4
Im
sin
td (t )
Im
(
2 2
1)
0.5434 I m
I2
1
(Im
sin
t)2 d(t)
4
2Im 2
3 1 4 2
0.6741Im
解: 对ⅠGBT、GTR、GTO 和电力 MOSFET 的优缺点的比较如下表:
器件
优点
缺点
IGBT
开关速度高,开关损耗小,具有 开关速度低于电力 MOSFET,
耐脉冲电流冲击的能力,通态 电压,电流容量不及 GTO
压降较低,输入阻抗高,为电压
驱动,驱动功率小
GTR
耐压高,电流大,开关特性好, 开关速度低,为电流驱动,所需
而普通晶闸管不能?
答:GTO 和普通晶闸管同为 PNPN 结构,由 P1N1P2 和 N1P2N2 构成两 个晶体管 V1、V2,分别具有共基极电流增益1 和2 ,由普通晶闸管的 分析可得,1 +2 =1 是器件临界导通的条件。1 +2 >1,两个等效晶 体管过饱和而导通;1 +2 <1,不能维持饱和导通而关断。
4
sin
t)2 d(t)
Im 2
3 1 4 2
0.4767Im
Kf1
I1 Id1
0.4767Im 0.2717Im
1.7545
b)
Id 2
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Im
sin
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(
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0.5434 I m
I2
1
(Im
sin
t)2 d(t)
4
2Im 2
3 1 4 2
0.6741Im
解: 对ⅠGBT、GTR、GTO 和电力 MOSFET 的优缺点的比较如下表:
器件
优点
缺点
IGBT
开关速度高,开关损耗小,具有 开关速度低于电力 MOSFET,
耐脉冲电流冲击的能力,通态 电压,电流容量不及 GTO
压降较低,输入阻抗高,为电压
驱动,驱动功率小
GTR
耐压高,电流大,开关特性好, 开关速度低,为电流驱动,所需
而普通晶闸管不能?
答:GTO 和普通晶闸管同为 PNPN 结构,由 P1N1P2 和 N1P2N2 构成两 个晶体管 V1、V2,分别具有共基极电流增益1 和2 ,由普通晶闸管的 分析可得,1 +2 =1 是器件临界导通的条件。1 +2 >1,两个等效晶 体管过饱和而导通;1 +2 <1,不能维持饱和导通而关断。
电力电子器件
◆从关断时间来看,普通晶闸管一般为数百微秒,快速
晶闸管为数十微秒,而高频晶闸管则为10s左右。
◆高频晶闸管的不足在于其电压和电流定额都不易做高。
◆由于工作频率较高,选择快速晶闸管和高频晶闸管的 通态平均电流时不能忽略其开关损耗的发热效应。
2.3.4 晶闸管的派生器件
I
■双向晶闸管(Triode AC
2.3.3 晶闸管的主要参数
■电压定额 ◆断态重复峰值电压UDRM ☞是在门极断路而结温为额定值时,允许重复加在器 件上的正向峰值电压。 ☞国标规定断态重复峰值电压UDRM为断态不重复峰值 电压(即断态最大瞬时电压)UDSM的90%。 ☞断态不重复峰值电压应低于正向转折电压Ubo。 ◆反向重复峰值电压URRM ☞是在门极断路而结温为额定值时,允许重复加在器 件上的反向峰值电压。 ☞规定反向重复峰值电压URRM为反向不重复峰值电压 (即反向最大瞬态电压)URSM的90%。 ☞反向不重复峰值电压应低于反向击穿电压。
电子器件
2.6 功率集成电路与集成电力电子模块
■基本概念 ◆ 20世纪80年代中后期开始,模块化趋势,将多
个器件封装在一个模块中,称为功率模块。 ◆可缩小装置体积,降低成本,提高可靠性。 ◆对工作频率高的电路,可大大减小线路电感,
从而简化对保护和缓冲电路的要求。 ◆将器件与逻辑、控制、保护、传感、检测、自
时间短、高温特性好、额 定结温高等优点,可用于 不需要阻断反向电压的电 路中。
K G
A
I O
IG=0 U
a)
b)
图2-12 逆导晶闸管的电气图形符号 和伏安特性
a) 电气图形符号 b) 伏安特性
2.3.4 晶闸管的派生器件
■光控晶闸管(Light
晶闸管为数十微秒,而高频晶闸管则为10s左右。
◆高频晶闸管的不足在于其电压和电流定额都不易做高。
◆由于工作频率较高,选择快速晶闸管和高频晶闸管的 通态平均电流时不能忽略其开关损耗的发热效应。
2.3.4 晶闸管的派生器件
I
■双向晶闸管(Triode AC
2.3.3 晶闸管的主要参数
■电压定额 ◆断态重复峰值电压UDRM ☞是在门极断路而结温为额定值时,允许重复加在器 件上的正向峰值电压。 ☞国标规定断态重复峰值电压UDRM为断态不重复峰值 电压(即断态最大瞬时电压)UDSM的90%。 ☞断态不重复峰值电压应低于正向转折电压Ubo。 ◆反向重复峰值电压URRM ☞是在门极断路而结温为额定值时,允许重复加在器 件上的反向峰值电压。 ☞规定反向重复峰值电压URRM为反向不重复峰值电压 (即反向最大瞬态电压)URSM的90%。 ☞反向不重复峰值电压应低于反向击穿电压。
电子器件
2.6 功率集成电路与集成电力电子模块
■基本概念 ◆ 20世纪80年代中后期开始,模块化趋势,将多
个器件封装在一个模块中,称为功率模块。 ◆可缩小装置体积,降低成本,提高可靠性。 ◆对工作频率高的电路,可大大减小线路电感,
从而简化对保护和缓冲电路的要求。 ◆将器件与逻辑、控制、保护、传感、检测、自
时间短、高温特性好、额 定结温高等优点,可用于 不需要阻断反向电压的电 路中。
K G
A
I O
IG=0 U
a)
b)
图2-12 逆导晶闸管的电气图形符号 和伏安特性
a) 电气图形符号 b) 伏安特性
2.3.4 晶闸管的派生器件
■光控晶闸管(Light
电力电子器件-电子课件
决定晶闸管的最大电流 管芯半导体结温 流过电流的有效值 (相同的电流有效值条件下,其发热情况相同,选取型号相同)
第一章 电力电子器件
波形系数Kf :有效值/平均值,反应周期
交流量波形性质。
如果额定电流为100A的晶闸管 其允许通过的电流有效值为1.57×100=157A
第一章 电力电子器件
选择晶闸管额定电流时,要依据实际波形的电流
有效值与额定电流IT(AV)有效值相等的原则(即管芯结
温一样)进行换算。即:
由于晶闸管的过载能力差,一般选用时取1.5~2倍 的安全裕量。
第一章 电力电子器件
3.通态平均电压UT(AV)
当流过正弦半波的电流为额定电流,并达到稳定 的额定结温时,晶闸管阳极与阴极之间电压降的平均 值,称为通态平均电压。
第一章 电力电子器件
电力电子器件在电力设备或电力系统中,直接 承担电能变换和控制任务的电路称为主电路。
电力电子器件就是可直接用于主电路中实现电 能的变换和控制的电子器件。
电力电子器件则是电力电子电路的基础。 目前常用的电力电子器件都是用半导体材料制 成的,主要分为半控型器件和全控型器件。
第一章 电力电子器件
门极可关断晶闸管实物、图形 和文字符号
GTO在牵引电力机车和斩波器中的应用
第一章 电力电子器件
二、功率晶体管GTR
大功率晶体管(Giant Transistor)简称GTR, 又称为电力晶体管。因为有PNP和NPN两种结构,因此 又称双极型晶体管BJT。
功率晶体管GTR实物、图形和文字符号
第一章 电力电子器件
为晶闸管的额定电压值,用电压等级来表示。
第一章 电力电子器件
2.额定电流IT(AV)
又称为额定通态平均电流。 是指在环境温度小于40℃和标准散热及全导通的条 件下,晶闸管可以连续导通的工频正弦半波电流的平均 值。 晶闸管的额定电流参数系列:1A、5A、10A、20A、 30A、50A、100A、200A、300A。
第一章 电力电子器件
波形系数Kf :有效值/平均值,反应周期
交流量波形性质。
如果额定电流为100A的晶闸管 其允许通过的电流有效值为1.57×100=157A
第一章 电力电子器件
选择晶闸管额定电流时,要依据实际波形的电流
有效值与额定电流IT(AV)有效值相等的原则(即管芯结
温一样)进行换算。即:
由于晶闸管的过载能力差,一般选用时取1.5~2倍 的安全裕量。
第一章 电力电子器件
3.通态平均电压UT(AV)
当流过正弦半波的电流为额定电流,并达到稳定 的额定结温时,晶闸管阳极与阴极之间电压降的平均 值,称为通态平均电压。
第一章 电力电子器件
电力电子器件在电力设备或电力系统中,直接 承担电能变换和控制任务的电路称为主电路。
电力电子器件就是可直接用于主电路中实现电 能的变换和控制的电子器件。
电力电子器件则是电力电子电路的基础。 目前常用的电力电子器件都是用半导体材料制 成的,主要分为半控型器件和全控型器件。
第一章 电力电子器件
门极可关断晶闸管实物、图形 和文字符号
GTO在牵引电力机车和斩波器中的应用
第一章 电力电子器件
二、功率晶体管GTR
大功率晶体管(Giant Transistor)简称GTR, 又称为电力晶体管。因为有PNP和NPN两种结构,因此 又称双极型晶体管BJT。
功率晶体管GTR实物、图形和文字符号
第一章 电力电子器件
为晶闸管的额定电压值,用电压等级来表示。
第一章 电力电子器件
2.额定电流IT(AV)
又称为额定通态平均电流。 是指在环境温度小于40℃和标准散热及全导通的条 件下,晶闸管可以连续导通的工频正弦半波电流的平均 值。 晶闸管的额定电流参数系列:1A、5A、10A、20A、 30A、50A、100A、200A、300A。
电力电子器件章演示文稿
4. 结构、工作原理、特点:
结构决定性能。
5. 应用方法:(后续课:新型电力电子器件应用技术)
驱动、缓冲、过流保护、测试、散热等。
第四页,共63页。
第二章 半导体器件的理论基础
• 第一节 半导体基础 • 第二节 PN节原理
第五页,共63页。
第一节 半导体基础
第六页,共63页。
第一节 半导体基础
3. 高频电力电子器件:
掺入特殊杂质(金)或电子辐照,以缩短少子寿命。
第三十四页,共63页。
第三章 半导体二极管和晶体管
• 第一节 半导体二极管(Diode) • 第二节 双极晶体管(BJT) • 第三节 场效应晶体管(FET)
第三十五页,共63页。
第一节 半导体二极管
Semiconductor Diode
MOSFET VDMOS IGBTMCT(th) 晶闸管(thyristor)
SCR 特种派生器件 GTO MCT
第三页,共63页。
2.工作状态:
开关、相控。不能用于放大状态。 3. 器件参数:(选用器件的基础)
耐压、电流容量、开关时间、 di/dt及dv/dt耐量、二极管反向恢复特性、 驱动触发特性、热特性。
N型: 电子浓度远远大于空穴浓度。
多数载流子,少数载流子,多子器件,少子器件。
6. 杂质补偿:通过掺杂相互补充。 N、P类型转化,但总掺杂浓度增高 迁移率降低。
二. 能带论:(不讲)
载流子复合 本征激发(产生电子空穴对)
第十一页,共63页。
三. 本征半导体导电的热敏性:
本征激发敏感于温度T。本征硅半导体的温度源自定性差,二极管击穿电压降低。
B. PN结终端(表面)造型技术:
台面磨角造型;加保护环。
结构决定性能。
5. 应用方法:(后续课:新型电力电子器件应用技术)
驱动、缓冲、过流保护、测试、散热等。
第四页,共63页。
第二章 半导体器件的理论基础
• 第一节 半导体基础 • 第二节 PN节原理
第五页,共63页。
第一节 半导体基础
第六页,共63页。
第一节 半导体基础
3. 高频电力电子器件:
掺入特殊杂质(金)或电子辐照,以缩短少子寿命。
第三十四页,共63页。
第三章 半导体二极管和晶体管
• 第一节 半导体二极管(Diode) • 第二节 双极晶体管(BJT) • 第三节 场效应晶体管(FET)
第三十五页,共63页。
第一节 半导体二极管
Semiconductor Diode
MOSFET VDMOS IGBTMCT(th) 晶闸管(thyristor)
SCR 特种派生器件 GTO MCT
第三页,共63页。
2.工作状态:
开关、相控。不能用于放大状态。 3. 器件参数:(选用器件的基础)
耐压、电流容量、开关时间、 di/dt及dv/dt耐量、二极管反向恢复特性、 驱动触发特性、热特性。
N型: 电子浓度远远大于空穴浓度。
多数载流子,少数载流子,多子器件,少子器件。
6. 杂质补偿:通过掺杂相互补充。 N、P类型转化,但总掺杂浓度增高 迁移率降低。
二. 能带论:(不讲)
载流子复合 本征激发(产生电子空穴对)
第十一页,共63页。
三. 本征半导体导电的热敏性:
本征激发敏感于温度T。本征硅半导体的温度源自定性差,二极管击穿电压降低。
B. PN结终端(表面)造型技术:
台面磨角造型;加保护环。
电力电子技术完整版课件全套ppt教程 (2)全文编辑修改
(四)动态参数
1.断态电压临界上升率du/dt du/dt是在额定结温和门极开路的情况下,不导致晶闸管从断态到通 态转换的最大阳极电压上升率。在实际使用时的电压上升率必须低于此
规定值。
表1-3 断态电压临界上升率(du / dt)的等级
du /
dt
V
25
/μs
级 别
A
50 100 200 500 800 1000
8
800
20
9
900
22
10 1000 24
12 1200 26
14 1400 28
16 1600 30
18 1800
2000 2200 2400 2600 2800 3000
表1-2 晶闸管正向通态平均电压的组别
正向 通态 平均 电压 V
组别 代号
正向 通态 平均 电压 V
组别 代号
UT(AV) ≤0.4
晶闸管承受断态重复峰值电压UDRM 和反向重复峰值电压URRM 时的 峰值电流。
5. 浪涌电流ITSM ITSM是一种由于电路异常情况引起的使结温超过额定结温的不重 复性最大正向过载电流,用峰值表示。它是用来设计保护电路的。
按标准,普通晶闸管型号的命名含义如下:
(三)门极触发电流IGT和门极触发电压UGT IGT是在室温下,给晶闸管施加6V正向阳极电压时,使元件由断态转 入通态所必需的最小门极电流。
4.通态(峰值)电压UTM UTM 是晶闸管通以π倍或规定倍数额定通态平均电流值
时的瞬态峰值电压。从减小损耗和器件发热的观点出发,应
该选择UTM较小的晶闸管。 5.通态平均电压(管压降)UT(AV) 当元件流过正弦半波的额定电流平均值和稳定的额定结
1.断态电压临界上升率du/dt du/dt是在额定结温和门极开路的情况下,不导致晶闸管从断态到通 态转换的最大阳极电压上升率。在实际使用时的电压上升率必须低于此
规定值。
表1-3 断态电压临界上升率(du / dt)的等级
du /
dt
V
25
/μs
级 别
A
50 100 200 500 800 1000
8
800
20
9
900
22
10 1000 24
12 1200 26
14 1400 28
16 1600 30
18 1800
2000 2200 2400 2600 2800 3000
表1-2 晶闸管正向通态平均电压的组别
正向 通态 平均 电压 V
组别 代号
正向 通态 平均 电压 V
组别 代号
UT(AV) ≤0.4
晶闸管承受断态重复峰值电压UDRM 和反向重复峰值电压URRM 时的 峰值电流。
5. 浪涌电流ITSM ITSM是一种由于电路异常情况引起的使结温超过额定结温的不重 复性最大正向过载电流,用峰值表示。它是用来设计保护电路的。
按标准,普通晶闸管型号的命名含义如下:
(三)门极触发电流IGT和门极触发电压UGT IGT是在室温下,给晶闸管施加6V正向阳极电压时,使元件由断态转 入通态所必需的最小门极电流。
4.通态(峰值)电压UTM UTM 是晶闸管通以π倍或规定倍数额定通态平均电流值
时的瞬态峰值电压。从减小损耗和器件发热的观点出发,应
该选择UTM较小的晶闸管。 5.通态平均电压(管压降)UT(AV) 当元件流过正弦半波的额定电流平均值和稳定的额定结
电力电子器件概述55500
1.2.4 电力二极管的主要类型
2) 快恢复二极管 (Fast Recovery Diode——FRD)
简称快速二极管
快恢复外延二极管 (Fast Recovery Epitaxial Diodes——FRED), 其trr更短(可低于50ns), UF也很低(0.9V左 右),但其反向耐压多在1200V以下。
电真空器件 (汞弧整流器、闸流管)
半导体器件 (采用的主要材料硅)仍然
1.1.1 电力电子器件的概念和特征
3)同处理信息的电子器件相比的一般特征:
能处理电功率的能力,一般远大于处理信息的电子 器件。 电力电子器件一般都工作在开关状态。 电力电子器件往往需要由信息电子电路来控制。 电力电子器件自身的功率损耗远大于信息电子器件, 一般都要安装散热器。
1.3.2 晶闸管的基本特性
晶闸管正常工作时的特性总结如下:
承受反向电压时,不论门极是否有触发电流,晶闸 管都不会导通。 承受正向电压时,仅在门极有触发电流的情况下晶 闸管才能开通。 晶闸管一旦导通,门极就失去控制作用。 要使晶闸管关断,只能使晶闸管的电流降到接近于 零的某一数值以下 。 DATASHEET
1.3 半控器件—晶闸管
1.3.1 晶闸管的结构与工作原理 1.3.2 晶闸管的基本特性 1.3.3 晶闸管的主要参数 1.3.4 晶闸管的派生器件
1.3 半控器件—晶闸管·引言
晶闸管(Thyristor):晶体闸流管,可控硅整流 器(Silicon Controlled Rectifier——SCR)
从性能上可分为快速恢复和超快速恢复两个等级。 前者trr为数百纳秒或更长,后者则在100ns以下, 甚至达到20~30ns。 DATASHEET 1 2 3
第2章电力电子器件z
■学习要点 ◆最重要的是掌握其基本特性。 ◆掌握电力电子器件的型号命名法,以及其参数和特性 曲线的使用方法。 ◆了解电力电子器件的半导体物理结构和基本工作原理。 ◆了解某些主电路中对其它电路元件的特殊要求。
2.2 不可控器件—电力二极管
2.2.1 PN结与电力二极管的工作原理 2.2.2 电力二极管的基本特性 2.2.3 电力二极管的主要参数 2.2.4 电力二 极管的主要类型
◆双极型器件 ☞由电子和空穴两种载流子参与导电。
GTR,GTO
◆复合型器件 ☞由单极型器件和双极型器件集成混合而成,
也称混合型器件。
IGBT
2.1.4 本章内容和学习要点
■本章内容 ◆按照不可控器件、半控型器件、典型全控型器件和其 它新型器件的顺序,分别介绍各种电力电子器件的工作 原理、基本特性、主要参数以及选择和使用中应注意的 一些问题。
➢ 以半导体PN结 为基础 , 由 一 个 面 积 较 大 的 PN 结和两端引线以及封装 组成的。
图2-2 电力二极管的外形、结构和电气 图形符号
a) 外形 b) 结构 c) 电气图形符号
第1章第20页
2.2.1 PN结与Байду номын сангаас力二极管的工作原理
✓ P型半导体和N型半导体基本概念 ✓ N(Negative)型半导体:简单讲就是电子容易被激发
电力电子电路的基础 ——电力电子器件
■本章主要内容: ◆对电力电子器件的概念、特点和分类等问题作 了简要概述 。 ◆分别介绍各种常用电力电子器件的工作原理、 基本特性、主要参数以及选择和使用中应注意的 一些问题。
2.1 电力电子器件概述
2.1.1 电力电子器件的概念和特征 2.1.2 应用电力电子器件的系统组成 2.1.3 电力电子器件的分类 2.1.4 本章内容和学习要点
2.2 不可控器件—电力二极管
2.2.1 PN结与电力二极管的工作原理 2.2.2 电力二极管的基本特性 2.2.3 电力二极管的主要参数 2.2.4 电力二 极管的主要类型
◆双极型器件 ☞由电子和空穴两种载流子参与导电。
GTR,GTO
◆复合型器件 ☞由单极型器件和双极型器件集成混合而成,
也称混合型器件。
IGBT
2.1.4 本章内容和学习要点
■本章内容 ◆按照不可控器件、半控型器件、典型全控型器件和其 它新型器件的顺序,分别介绍各种电力电子器件的工作 原理、基本特性、主要参数以及选择和使用中应注意的 一些问题。
➢ 以半导体PN结 为基础 , 由 一 个 面 积 较 大 的 PN 结和两端引线以及封装 组成的。
图2-2 电力二极管的外形、结构和电气 图形符号
a) 外形 b) 结构 c) 电气图形符号
第1章第20页
2.2.1 PN结与Байду номын сангаас力二极管的工作原理
✓ P型半导体和N型半导体基本概念 ✓ N(Negative)型半导体:简单讲就是电子容易被激发
电力电子电路的基础 ——电力电子器件
■本章主要内容: ◆对电力电子器件的概念、特点和分类等问题作 了简要概述 。 ◆分别介绍各种常用电力电子器件的工作原理、 基本特性、主要参数以及选择和使用中应注意的 一些问题。
2.1 电力电子器件概述
2.1.1 电力电子器件的概念和特征 2.1.2 应用电力电子器件的系统组成 2.1.3 电力电子器件的分类 2.1.4 本章内容和学习要点
电力电子技术王兆安第五版第2章
② 电力电子器件一般都工作在开关状态。 ③ 实用中,电力电子器件往往需要由信息电子电路来控制。
电力电子技术王兆安第五版第2章
电 力
通态损耗:导通时器件上有一定的通态压降
电
子
器 断态损耗: 阻断时器件上有微小的断态漏电流流过
件
主
要
开通损耗:在器件开通的转换过程中
损 开关损耗:
产生的损耗
耗
关断损耗:在器件关断的转换过程中
接用于处理电能的主电路中,实现电能的变换或控 制的电子器件。 ➢ 主电路(main power circuit)——电气设备或电力 系统中,直接承担电能的变换或控制任务的电路。
电力电子技术王兆安第五版第2章
2、同处理信息的电子器件相比,电力电子器件的一 般特征:
① 能处理电功率的大小,即承受电压和电流的能力,是最重要 的参数。
电力电子技术王兆安第五版第2章
➢ 晶闸管(Thyristor):晶体闸流管,可控硅整流器(Silicon Controlled Rectifier——SCR) • 1956年美国贝尔实验室(Bell Lab)发明了晶闸管; • 1957年美国通用电气公司(GE)开发出第一只晶闸管产 品; • 1958年商业化; • 开辟了电力电子技术迅速发展和广泛应用的崭新时代; • 20世纪80年代以来,开始被性能更好的全控型器件取代; • 能承受的电压和电流容量最高,工作可靠,在大容量的 场合具有重要地位.
电力电子技术王兆安第五版第2章
➢ GTO能够通过门极关断的原因是其与普通晶闸管有如下 区别:
(1) 设计2较大,使晶体管V2控制灵
敏,易于GTO关断。
(2) 导通时1+2更接近1(1.05,普通晶 闸管1+21.15)导通时饱和不深,接近临
电力电子技术王兆安第五版第2章
电 力
通态损耗:导通时器件上有一定的通态压降
电
子
器 断态损耗: 阻断时器件上有微小的断态漏电流流过
件
主
要
开通损耗:在器件开通的转换过程中
损 开关损耗:
产生的损耗
耗
关断损耗:在器件关断的转换过程中
接用于处理电能的主电路中,实现电能的变换或控 制的电子器件。 ➢ 主电路(main power circuit)——电气设备或电力 系统中,直接承担电能的变换或控制任务的电路。
电力电子技术王兆安第五版第2章
2、同处理信息的电子器件相比,电力电子器件的一 般特征:
① 能处理电功率的大小,即承受电压和电流的能力,是最重要 的参数。
电力电子技术王兆安第五版第2章
➢ 晶闸管(Thyristor):晶体闸流管,可控硅整流器(Silicon Controlled Rectifier——SCR) • 1956年美国贝尔实验室(Bell Lab)发明了晶闸管; • 1957年美国通用电气公司(GE)开发出第一只晶闸管产 品; • 1958年商业化; • 开辟了电力电子技术迅速发展和广泛应用的崭新时代; • 20世纪80年代以来,开始被性能更好的全控型器件取代; • 能承受的电压和电流容量最高,工作可靠,在大容量的 场合具有重要地位.
电力电子技术王兆安第五版第2章
➢ GTO能够通过门极关断的原因是其与普通晶闸管有如下 区别:
(1) 设计2较大,使晶体管V2控制灵
敏,易于GTO关断。
(2) 导通时1+2更接近1(1.05,普通晶 闸管1+21.15)导通时饱和不深,接近临
电力电子技术第2章 电力电子器件概述
第2章
电力电子器件
2.1 电力电子器件概述 2.2 不可控器件——电力二极管
2.3 半控型器件——晶闸管
2.4 典型全控型器件
2.5 其他新型电力电子器件
本章小结
1
第2章 电力电子器件·引言
电子技术的基础
——— 电子器件:晶体管和集成电路
电力电子电路的基础
——— 电力电子器件
本章主要内容:
概述电力电子器件的概念、特点和分类等问题。 介绍常用电力电子器件的工作原理、基本特性、主 要参数以及选择和使用中应注意问题。
A
K
K A
a)
A
K
PN
I
J
b)
A
K
c)
图1-2 电力二极管的外形、结构和电气 图形符号
a) 外形 b) 结构 c) 电气图形符号
13
2P.N2结.1的P状N态结与电力二极管的工作原理
状态 参数
正向导通
反向截止
反向击穿
电流
正向大
几乎为零
反向大
电压
维持约1V
反向大
反向大
阻态
低阻态
高阻态
——
二极管的基本原理就在于PN结的单向导电性这一主要
电力二极管的基本F 特diF 性
dt
trr
——电力二极管在偏值状态发生改变时的过 UF
td
tf
渡过程
——二极管的电压-电流特性随时间变化的
tF t0
t1 t2
UR
t
diR
——结电容的存在
dt
延迟时间:td= t1- t0, 电流下降时间:tf= t2- t1
u
IRP a)
URP
电力电子器件
2.1 电力电子器件概述 2.2 不可控器件——电力二极管
2.3 半控型器件——晶闸管
2.4 典型全控型器件
2.5 其他新型电力电子器件
本章小结
1
第2章 电力电子器件·引言
电子技术的基础
——— 电子器件:晶体管和集成电路
电力电子电路的基础
——— 电力电子器件
本章主要内容:
概述电力电子器件的概念、特点和分类等问题。 介绍常用电力电子器件的工作原理、基本特性、主 要参数以及选择和使用中应注意问题。
A
K
K A
a)
A
K
PN
I
J
b)
A
K
c)
图1-2 电力二极管的外形、结构和电气 图形符号
a) 外形 b) 结构 c) 电气图形符号
13
2P.N2结.1的P状N态结与电力二极管的工作原理
状态 参数
正向导通
反向截止
反向击穿
电流
正向大
几乎为零
反向大
电压
维持约1V
反向大
反向大
阻态
低阻态
高阻态
——
二极管的基本原理就在于PN结的单向导电性这一主要
电力二极管的基本F 特diF 性
dt
trr
——电力二极管在偏值状态发生改变时的过 UF
td
tf
渡过程
——二极管的电压-电流特性随时间变化的
tF t0
t1 t2
UR
t
diR
——结电容的存在
dt
延迟时间:td= t1- t0, 电流下降时间:tf= t2- t1
u
IRP a)
URP
电力电子器件PowerPoint演示文稿
SCR的关断:
减少IA或增大R,使IA <IH 才能使SCR自然关断。通常是施加一定时间 的反压。
❖ 结论
承受反向电压时,不论门极是否有触发电流,晶闸管都不会导通。 承受正向电压时,仅在门极有触发电流的情况下晶闸管才能开通。 晶闸管一旦导通,门极就失去控制作用。 要使晶闸管关断,只能使晶闸管的电流降到接近于零的某一数值 以下 。
PPT文档演模板
图1-7 晶闸管的双晶体管模型及其工作原 理
a) 双晶体管模型 b) 工作原理
电力电子器件PowerPoint演示文稿
1.3.1 晶闸管的结构与工作原理
根据晶体管的工作原理,得:
•(1-1) •(1-2) •(1-3) •(1-4)
从而,
•(1-5)
在低发射极电流下 是很小的,而当发射极 电流建立起来之后, 迅速增大。
正 则向 漏电电压流超急过剧正增向大转,折 器电 件压 开通Ub。o,
随着门极电流幅值的增大,正向 转折电压降低。
晶闸管本身的压降很小,在1V左 右。
•雪崩 •击穿
••-•IA
•图1-8 晶闸管的伏安特性
•IG2>IG1>IG
PPT文档演模板
电力电子器件PowerPoint演示文稿
1.3.2 晶闸管的基本特性
由一个面积较大的 PN 结 和 两 端 引 线 以及封装组成的。
从外形上看,主要 有螺栓型和平板型 两种封装。
•A
•K •A
•a)
•K
•A
•K
•P •N
•I
•J
•b)
•A
•K
•c)
•图1-2 电力二极管的外形、结构和电气 图形符号
• a) 外形 b) 结构 c) 电气图形符号
电力电子10870.ppt
2.1 电力电子器件概述
2.1.1 电力电子器件的概念和特征
主电路(Main Power Circuit)——电气设备或 电力系统中,直接承担电能的变换或控制任务 的电路。
电力电子器件(Power Electronic Device)—— 可直接用于处理电能的主电路中,实现电能的 变换或控制的电子器件。
• 在采用全控型器件的电路中电力二极管往往是不可缺少 的,特别是开关速度很快的快恢复二极管和肖特基二极管, 分别在中、高频整流和逆变,以及低压高频整流的场合, 具有不可替代的地位。
整流二极管及模块
2.2.1 PN结与电力二极管的工作原理
■电力二极管是以半 导体PN结为基础的, 实际上是由一个面积 较大的PN结和两端引 线以及封装组成的。 从外形上看,可以有 螺栓型、平板型等多 种封装。
di
R
dt
I RP U
RP
a)
t2:电流变 化率接近 于零的时 刻
反向恢复时间:trr=td+ tf
恢复特性的软度: tf /td,或称
恢复系 数,用Sr表示。
2.2.3 电力二极管的主要参数
■正向平均电流IF(AV)
◆指电力二极管长期运行时,在指定的管壳温度
(简称壳温,用TC表示)和散热条件下,其允许
2.1.3 电力电子器件的分类
■按照驱动信号的性质
◆电流驱动型 ☞通过从控制端注入或者抽出电流来实现导通或者关断
的控制。 ◆电压驱动型
☞仅通过在控制端和公共端之间施加一定的电压信号就 可实现导通或者关断的控制。
2.1.3 电力电子器件的分类
■按照驱动信号的波形(电力二极管除外 )
◆脉冲触发型 ☞通过在控制端施加一个电压或电流的脉冲信号来实现
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2.1 电力电子器件概述
2.1.1 电力电子器件的概念和特征 2.1.2 应用电力电子器件的系统组成 2.1.3 电力电子器件的分类
3/89
2.1.1 电力电ຫໍສະໝຸດ 器件的概念和特征■电力电子器件的概念 ◆电力电子器件(Power Electronic Device)是 指可直接用于处理电能的主电路中,实现电能的 变换或控制的电子器件。 ☞主电路:在电气设备或电力系统中,直接 承担电能的变换或控制任务的电路。 ☞广义上电力电子器件可分为电真空器件和 半导体器件两类,目前往往专指电力半导体器件。
11/89
2.2 不可控器件——电力二极管·引言
■电力二极管(Power Diode)自20世纪50年代初期就获得 应用,但其结构和原理简单,工作可靠,直到现在电力二 极管仍然大量应用于许多电气设备当中。 ■在采用全控型器件的电路中电力二极管往往是不可缺少 的,特别是开通和关断速度很快的快恢复二极管和肖特基 二极管,具有不可替代的地位。
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2.2.1 PN结与电力二极管的工作原理
■二极管的基本原理——PN结的单向导电性 ◆当PN结外加正向电压(正向偏置)时,在外电路上则 形成自P区流入而从N区流出的电流,称为正向电流IF, 这就是PN结的正向导通状态。 ◆当PN结外加反向电压时(反向偏置)时,反向偏置的 PN结表现为高阻态,几乎没有电流流过,被称为反向截 止状态。 ◆ PN结具有一定的反向耐压能力,但当施加的反向电压 过大,反向电流将会急剧增大,破坏PN结反向偏置为截 止的工作状态,这就叫反向击穿。 ☞按照机理不同有雪崩击穿和齐纳击穿两种形式 。 ☞反向击穿发生时,采取了措施将反向电流限制在一 定范围内,PN结仍可恢复原来的状态。 ☞否则PN结因过热而烧毁,这就是热击穿。
8/89
2.1.3 电力电子器件的分类
■按照驱动信号的性质 ◆电流驱动型 ☞通过从控制端注入或者抽出电流来实现导通或者关断的控制。 ◆电压驱动型 ☞仅通过在控制端和公共端之间施加一定的电压信号就可实现导 通或者关断的控制。 ■按照驱动信号的波形(电力二极管除外 ) ◆脉冲触发型 ☞通过在控制端施加一个电压或电流的脉冲信号来实现器件的开 通或者关断的控制。 ◆电平控制型 ☞必须通过持续在控制端和公共端之间施加一定电平的电压或电 流信号来使器件开通并维持在导通状态或者关断并维持在阻断状态。
检测 电路 保护 电路 驱动 电路
电气隔离
图2-1 电力电子器件在实际应用中的系统组成 7/89
V 1 L V 2 R
控 制 电 路
主电路
2.1.3 电力电子器件的分类
■按照能够被控制电路信号所控制的程度 ◆半控型器件 ☞主要是指晶闸管(Thyristor)及其大部分派生器件。 ☞器件的关断完全是由其在主电路中承受的电压和电 流决定的。 ◆全控型器件 ☞目前最常用的是 IGBT和Power MOSFET。 ☞通过控制信号既可以控制其导通,又可以控制其关 断。 ◆不可控器件 ☞电力二极管(Power Diode) ☞不能用控制信号来控制其通断。
整流二极管及模块 12/89
2.2.1 PN结与电力二极管的工作原理
■电力二极管是以半 导体PN结为基础的, 实际上是由一个面积 较大的PN结和两端引 线以及封装组成的。 从外形上看,可以有 螺栓型、平板型等多 种封装。
A
K A I P N J b) K
K
A a)
A
c)
K
图2-2 电力二极管的外形、结构和电气图形符号 a) 外形 b) 基本结构 c) 电气图形符号
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2.1.3 电力电子器件的分类
■按照载流子参与导电的情况 ◆单极型器件 ☞由一种载流子参与导电。 ◆双极型器件 ☞由电子和空穴两种载流子参与导电。 ◆复合型器件 ☞由单极型器件和双极型器件集成混合而成, 也称混合型器件。
10/89
2.2 不可控器件——电力二极管
2.2.1 PN结与电力二极管的工作原理 2.2.2 电力二极管的基本特性 2.2.3 电力二极管的主要参数 2.2.4 电力二极管的主要类型
第2章 电力电子器件
2.1 2.2 2.3 2.4 电力电子器件概述 不可控器件——电力二极管 半控型器件——晶闸管 典型全控型器件
引言
■模拟和数字电子电路的基础 ——晶体管和集成电路等电子器件 电力电子电路的基础 ——电力电子器件 ■本章主要内容: ◆对电力电子器件的概念、特点和分类等问题作 了简要概述 。 ◆分别介绍各种常用电力电子器件的工作原理、 基本特性、主要参数以及选择和使用中应注意的 一些问题。
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2.2.2 电力二极管的基本特性
■静态特性 ◆主要是指其伏安特性 ◆正向电压大到一定值(门槛 电压UTO ),正向电流才开始 明显增加,处于稳定导通状态。 与IF对应的电力二极管两端的 电压即为其正向电压降UF。 ◆承受反向电压时,只有少子 引起的微小而数值恒定的反向 漏电流。
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2.1.1 电力电子器件的概念和特征
☞电力电子器件的功率损耗 通态损耗
断态损耗 开通损耗 开关损耗 关断损耗
☞通态损耗是电力电子器件功率损耗的主要成因。 ☞当器件的开关频率较高时,开关损耗会随之增 大而可能成为器件功率损耗的主要因素。
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2.1.2 应用电力电子器件的系统组成
■电力电子器件在实际应用中,一般是由控制电路、驱动 电路和以电力电子器件为核心的主电路组成一个系统。
4/89
2.1.1 电力电子器件的概念和特征
■电力电子器件的特征 ◆所能处理电功率的大小,也就是其承受电压和 电流的能力,是其最重要的参数,一般都远大于 处理信息的电子器件。
◆为了减小本身的损耗,提高效率,一般都工作 在开关状态。 ◆由信息电子电路来控制 ,而且需要驱动电路。
◆自身的功率损耗通常仍远大于信息电子器件, 在其工作时一般都需要安装散热器。
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2.2.1 PN结与电力二极管的工作原理
■PN结的电容效应 ◆称为结电容CJ,又称为微分电容 ◆按其产生机制和作用的差别分为势垒电容CB和扩散电 容CD ☞势垒电容只在外加电压变化时才起作用,外加电压 频率越高,势垒电容作用越明显。在正向偏置时,当正 向电压较低时,势垒电容为主。 ☞扩散电容仅在正向偏置时起作用。正向电压较高时, 扩散电容为结电容主要成分。 ◆结电容影响PN结的工作频率,特别是在高速开关的状 态下,可能使其单向导电性变差,甚至不能工作。