电子技术基础第三章

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第3章电子技术基础_模拟部分

第3章电子技术基础_模拟部分

•3.1.5 温度对BJT参数及特性的影响
•1. 温度对BJT参数的影响
•(1) 温度对ICBO的影响 •温度每升高10℃,ICBO约增加一倍。
•(2) 温度对 的影响 •温度每升高1℃, 值约增大0.5%~1%。
•(3) 温度对反向击穿电压V(BR)CBO、V(BR)CEO的影响 •温度升高时,V(BR)CBO和V(BR)CEO都会有所提高。
•iB=f(vBE) vCE=const •iC=f(vCE) iB=const •可以写成:
•在小信号情况下,对上两式取全微分得
•BJT双口b+ hrevce
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•ic= hfeib+ hoevce 第3章电子技术基础_模拟部分
•1. BJT的H参数及小信号模型
部载流子传输体现出来的。
外部条件:发射结正偏 集电结反偏
• 由于三极管内有两种载流子(自 由电子和空穴)参与导电,故称为双 极型三极管或BJT (Bipolar Junction Transistor)。
1. 内部载流子的传输过程
发射区:发射载流子
集电区:收集载流子
基区:传送和控制载流子
(以NPN为例)
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第3章电子技术基础_模拟部分
•3.1.1 BJT的结构简介
•(a) 小功率管 (b) 小功率管 (c) 大功率管 (d) 中功率管
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第3章电子技术基础_模拟部分
•3.1.1 BJT的结构简介
半导体三极管的结 构示意图如图所示。 它有两种类型:NPN型 和PNP型。
(a) NPN型管结构示意图 (b) PNP型管结构示意图 (c) NPN管的电路符号 (d) PNP管的电路符号

数字电子技术基础第三章

数字电子技术基础第三章

二、交流噪声容限
反相器对窄脉冲 的噪声容限—交 流噪声容限远高 于直流噪声容限。
交流噪声容限受 电源电压和负载 电容的影响。
图3.3.23 CMOS反相器的交流噪声容限
三、动态功耗
动态功耗:当CMOS 反相器从一种稳定工 作状态突然转变到另 一种稳定的过程中, 将产生附加的功耗。
PD=PC+PT PD为总动态功耗 PC为对负载电容充放
图3.3.xx CMOS三态门电路结构之三 可连接成总线结构。还能实现数据的双向传输。
3.3.6 CMOS电路的正确使用
一、输入电路的静电防护
1、在存储和运输CMOS器件时最好采用金属屏蔽层 作包装材料,避免产生静电。
2、组装、调试时,应使电烙铁和其他工具、仪表、 工作台面等良好接地。操作人员的服装、手套等选用 无静电的原料制作。
图3.5.34 OC门输出并联的接法及逻辑图
2.1 概述
常用的门电路在逻 辑功能上有: 与门、 或门、非门、与非 门、或非门、与或 非门、异或门等几 种。
单开关电路 互补开关电路
图3.1.1 获得高、低电平的基本原理
图3.1.2 正逻辑与负逻辑
一些概念
1、片上系统(SoC) 2、双极型TTL电路 3、CMOS
1961年美国TI公司,第一片数字集成电路 (Integrated Circuits, IC)。
C=1时 Vo=RL*Vi/(RL+RTG) RTG越小越好,并且希望不 受输入电压变化。
图3.3.39 CMOS模拟开关接 负载电阻的情况
四、三态输出的CMOS门电路
高阻态。 此电路结构 总是接在集 成电路的输 出端。
图3.3.40 CMOS三态门电路结构之一

电子技术基础第三章场效应管及其放大电路

电子技术基础第三章场效应管及其放大电路
• JFET是利用PN结反向电压对耗尽层厚度的控制, 来改变导电沟道的宽窄,从而控制漏极电流的大小。
• 预夹断前iD与vDS呈近似线性关系;预夹断后, iD趋于 饱和。
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思考:为什么JFET的输入电阻比BJT高得多?
场效应管的应用小结
• 一是当作压控可变电阻,即非线性电阻来使用, VGS的绝对值 越大,导电沟道就越窄,对应的导电沟道电阻越大,即电压 V电G阻S控使制用电时阻,的导大电小沟,道管还子没工有作出在现可预变夹电断阻;区,当作压控可变
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场效应管的分类
场效应管 FET
结型
JFET
IGFET ( MOSFET ) 绝缘栅型
N沟道 P沟道 增强型
耗尽型
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N沟道 P沟道
N沟道 P沟道
第二节 结型场效应管(JFET)的 结构和工作原理
一、结型场效应管的结构
二、结型场效应管的工作原理
三、结型场效应管的特性曲线 及参数
UDS(sat) ≤│Up│。
JFET的三个状态
• 恒流区(放大区、饱和区) • 可变电阻区 • 截止区
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小结
• 沟道中只有一种类型的多数载流子参与导电,所以 场效应管也称为单极型三极管。
• JFET栅极与沟道间的PN结是反向偏置的,因此 iG0,输入电阻很高。
• JFET是电压控制电流器件,iD受vGS控制。
第一节 场效应管概述 第二节 结型场效应管的结构和工作原理 第三节 绝缘栅场效应管的结构和工作原理 第四节 场效应管放大电路
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• 3-1 • 3-4 • 3-6 • 3-12
作业
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电子课件电子技术基础第六版第三章集成运算放大器及其应用

电子课件电子技术基础第六版第三章集成运算放大器及其应用
1. 组成框图 集成运算放大器的组成框图如图所示,通常包括输入级、 中间级、输出级和偏置电路。
集成运算放大器的组成框图
(1)输入级 通常是具有较大输入电阻和一定放大倍数的差动放大电路 ,利用它可以使集成运算放大器获得尽可能高的共模抑制比 。 (2)中间级 中间级的作用是使集成运算放大器具有较强的放大能力, 通常由多级共射极放大器构成。
一、零点漂移
放大直流信号和缓慢变化的信号必须采用直接耦合方式, 但简单的直接耦合放大器,常会发生输入信号为零输出信号 不为零的现象。产生这种现象的原因很多,如温度的变化、 电源电压的波动、电路元件参数的变化等,都会使静态工作 点发生缓慢变化,该变化量被逐级放大,便会使放大器输出 端出现不规则的输出量,这种现象称为“零点漂移”,简称“零 漂”。
三、集成运算放大器的主要参数
为了表征集成运算放大器的性能,生产厂家制定了很多参 数,作为合理选择和正确使用集成运算放大器的依据。下面 介绍几项主要的参数,见表。
集成运算放大器的主要参数
集成运算放大器的主要参数
§3-3 集成运算放大器的基本电路
学习目标
1. 了解理想集成运算放大器的基本概念。 2. 了解集成运算放大器线性工作区和非线性工作区的 特性及工作特点。 3. 理解集成运算放大器“虚短”“虚断”的概念。 4. 了解集成运算放大器电路直流平衡电阻的配置。
2. 消除自激振荡 集成运算放大器是多级放大器,具有极高的电压放大倍数 ,但它极易产生自激振荡,使运算放大器不能正常工作。为 了防止自激振荡的产生,通常按产品手册要求,在补偿端子 上接指定的补偿电容或 RC 移相网络,以便消除自激振荡现 象。
四、集成运算放大器的保护 电路
1. 防止电源极性接反 为了防止电源极性接反而损坏集 成运算放大器,可利用二极管的单向 导电特性来控制,如图所示,二极管 V1、V2 串入集成电路直流电源电路 中,当电源极性接反时,相应的二极 管便截止,从而保护了集成电路。 防止电源极性接反保护电路

数字电子技术基础第三版第三章答案

数字电子技术基础第三版第三章答案
在数字电路中,需要将数字量的代码经过译码,送到数字显示器显示。能把数字量翻译成数字显示器能识别的译码器称为数字显示译码器,常用的有七段显示译码器。
题3.10数据选择器和数据分配器各具有什么功能?若想将一组并行输入的数据转换成串行输出,应采用哪种电路?
答:数据选择器根据控制信号的不同,在多个输入信号中选择其中一个信号输出。数据分配器则通过控制信号将一个输入信号分配给多个输出信号中的一个。若要将并行信号变成串行信号应采用数据选择器。
试设计符合上述要求的逻辑电路(器件不限)。
解:题目中要求控制信号对不同功能进行选择,故选用数据选择器实现,分析设计要求,得到逻辑表达式:

4选1数据选择器的逻辑表达式:

对照上述两个表达式,得出数据选择器的连接方式为:
A0=C1,A1=C2, , , , 。
根据数据选择器的连接方程,得到电路如习题3.3图所示。
1
0
0 0
1 0 0 0
1
0
1 0
1 0 0 1
1
1
1 1
1 0 1 0
1
1
0 1
1 0 1 1
1
0
0 0
1 1 0 0
0
0
1 1
1 1 0 1
0
1
1 0
1 1 1 0
0
1
1 0
1 1 1 1
0
0
0 1
(3)由真值表,作函数卡诺图如习题3.1图(b)所示。
卡诺图化简函数,得到最简与或式:
变换F2的表达式
(2)定义逻辑变量0、1信号的含义。无论输入变量、输出变量均有两个状态0、1,这两个状态代表的含义由设计者自己定义。
(3)再根据设计问题的因果关系以及变量定义,列出真值表。

电工与电子技术基础第三章习题答案

电工与电子技术基础第三章习题答案

第3章电路的暂态过程一、思考题解答3.1 思考题【思3.1.1】电路在换路前储能元件没有储能,则在t=0-和t=0+的电路中,可将电容元件视为短路,电感元件视为开路。

如果换路前储能元件已有储能,且电路已处于稳态,则在t=0-电路中,电容元件视为开路,电感元件视为短路。

在t=0+电路中,电容元件可用一理想电压源代替,其电压为u C(0-);电感元件可用一理想电流源代替,其电流为i L(0-)。

【思3.1.2】根据换路定律可知,开关S断开瞬间电容器的电压值不能突变,则在t=0+时的等效电路可简化为如图3-2所示的电路。

u C(0+)=u C(0-)=112+×6=2V,i2(0+)=0,i1(0+)=i C(0+)=622-=2A【思3.1.3】根据换路定律可知,开关S断开瞬间电感的电流值不能突变,则在t=0+时的等效电路可简化为如图3-3所示的电路。

i L(0+)=i L(0-)=42=2A,U V=R V×i L(0+)=-2500×2=-5kV图3-2 思考题3.1.2的0+电路图图3-3 思考题3.1.3的0+电路图【思3.1.4】根据换路定律可知,开关S闭合瞬间电容器的电压值不能突变,则在t=0+时的等效电路可简化为如图3-4(a)所示的电路。

(1) i1(0+)=0,i(0+)=i2(0+)=100Au R1(0+)=100×1=100V,u R2(0+)=u C(0+)=0第3章 电路的暂态过程• 1 •1(2) i (∞)=i 1(∞)=100199+=1A ,i 2(∞)=0 u R1(∞)=1×1=1V ,u R2(∞)=u C (∞)=99×1=99 V(3) 根据换路定律可知,当S 闭合瞬间电感的电流值不能突变,则在t =0+时的等效电路可简化为如图3-4(b)所示的电路。

i 2(0+)=0,i (0+)=i 1(0+)=100199+=1A u R1(0+)=1×1=1V ,u R2(∞)=u L (0+)=99×1=99 V S 闭合后电路达到稳态时,i 1(∞)=0,i (∞)=i 2(∞)=1001=100A u R1(∞)=100×1=100V ,u R2(∞)=u C (∞)=(a) (b) 图3-4 思考题3.1.4的0+电路图【思3.1.5】i L (0+)=i L (0-)=013E R R R ++=12222++=2Au C (0+)=u C (0-)=2×2=4Vt =0+时的等效电路如图3-5所示,可得12=2×[2+i C (0+)]+2×i C (0+)+4 所以,i C (0+)=124422--+=1A ,u L (0+)=12-2×(2+1)-2×2=2V【思3.1.6】(1) 根据换路定律可知,开关S 闭合瞬间电容器可视为短路,各电感可视为开路。

《模拟电子技术基础》第3章 双极型晶体管及其基本放大电路

《模拟电子技术基础》第3章 双极型晶体管及其基本放大电路

3.2 双极型晶体管
3.2.4 晶体管的共射特性曲线
2.输出特性曲线—— iC=f(uCE) IB=const
以IB为参变量的一族特性曲线
(1)当UCE=0V时,因集电极无收集
作用,IC=0;
(2)随着uCE 的增大,集电区收集电
子的能力逐渐增强,iC 随着uCE 增加而
增加;
(3)当uCE 增加到使集电结反偏电压
电压,集电结应加反向偏置电压。
3.2 双极型晶体管
3.2.3 晶体管的电流放大作用
1. 晶体管内部载流子的传输
如何保证注入的载流
子尽可能地到达集电区?
P
N
IE=IEN + IEP
IEN >> IEP
IC= ICN +ICBO
ICN= IEN – IBN
IEN>> IBN
ICN>>IBN
N
IEP
IE
3. 晶体管的电流放大系数
(1) 共基极直流电流放大系数
通常把被集电区收集的电子所形成的电流ICN 与发射极电流
IE之比称为共基电极直流电流放大系数。

I CN

IE
由于IE=IEP+IEN=IEP+ICN+IBN,且ICN>> IBN,ICN>>IEP。通常ത
的值小于1,但≈1,一般

为0.9-0.99。

3.2 双极型晶体管
3.2.3 晶体管的电流放大作用
3. 晶体管的电流放大系数
(2) 共射极直流电流放大系数
I C I CN I CBO I E I CBO ( I C I B ) I CBO

数字电子技术基础-第3章课后习题答案

数字电子技术基础-第3章课后习题答案

第3章集成逻辑门电路3-1 如图3-1a)~d)所示4个TTL门电路,A、B端输入的波形如图e)所示,试分别画出F1、F2、F3和F4的波形图。

A1A234a)b)c)d)F1F2F3F4BAe)图3-1 题3-1图解:从图3-1a)~d)可知,11F=,2F A B=+,3F A B=⊕,4F A B= ,输出波形图如图3-2所示。

F1F2F3F4AB图3-2题3-1输出波形图3-2 电路如图3-3a )所示,输入A 、B 的电压波形如图3-3b )所示,试画出各个门电路输出端的电压波形。

1A 23b)a)AB图3-3 题3-2图解:从图3-3a )可知,1F AB =,2F A B =+,3F A B =⊕,输出波形如图3-4所示。

F 1F 2F 3AB图3-4 题3-2输出波形3-3在图3-5a )所示的正逻辑与门和图b )所示的正逻辑或门电路中,若改用负逻辑,试列出它们的逻辑真值表,并说明F 和A 、B 之间是什么逻辑关系。

b)a)图3-5 题3-3图解:(1)图3-5a )负逻辑真值表如表3-1所示。

表3-1 与门负逻辑真值表F 与A 、B 之间相当于正逻辑的“或”操作。

(2)图3-5b )负逻辑真值表如表3-2所示。

表3-2 或门负逻辑真值表F 与A 、B 之间相当于正逻辑的“与”操作。

3-4试说明能否将与非门、或非门和异或门当做反相器使用?如果可以,各输入端应如何连接?解:与非门、或非门和异或门经过处理以后均可以实现反相器功能。

1)与非门:将多余输入端接至高电平或与另一端并联; 2)或非门:将多余输入端接至低电平或与另一端并联;3) 异或门:将另一个输入端接高电平。

3-5为了实现图3-6所示的各TTL 门电路输出端所示的逻辑关系,请合理地将多余的输入端进行处理。

b)a)AB=A B=+A BC DABC D图3-6 题3-5图解:a )多余输入端可以悬空,但建议接高电平或与另两个输入端的一端相连;b )多余输入端接低电平或与另两个输入端的一端相连;c) 未用与门的两个输入端至少一端接低电平,另一端可以悬空、接高电平或接低电平;d )未用或门的两个输入端悬空或都接高电平。

电工电子技术基础-第3章

电工电子技术基础-第3章
[3.13] 在图 T3.13 所示的电路中,已知
R +
4
R 10 , U1 U 2 , I1 I 2 , Z1 (5 j 5) , 同相时 Z 等于多少。 和I Z R jX 。试求 U
2 L 2
I
[ 解] 由于 U1 U 2 , I1 I 2 ,所以 Z1 Z 2 。
( 1)
10 30 V , Z 5 j 5 ,求 I 和 P。 (2) U 30 15 V , I 3 165 A , 求 R、X 和 P。 5e j 60 V ,求 R、X 和 P。 (3) U Z 100 30 V , I
(1) u 10 2 sin t V ; (2) u 10 2 sin(t
1
[ 解]
10 0 V 10 V ; U 10 90 V j10 V ; U
10 90 V j10 V ; U 10 135 V 7.07 j 7.07 V U
du 4 106 100 220 2 cos100 t A 88 2 cos100 t m A dt 1 1 104 ( 2) X C C 2 fC 4 i C
10 jX I U 0.1 60 V 79.6 30 V C j 4
1

U 1 ,所以, C 159 F Z 2 j 20 j I2 C
T。 8 [解](1)由 f 1000 H Z 得 2 f 6280 rad/ s i 100 sin(6280t
) m A 100 sin(6280 0.375 ) m A 100 m A 4 4 (2) i 100 sin(t ) m A 100 sin(1.25 ) m A 0 4 4 (3) i 100 sin(t ) m A 100 sin( ) m A 70.7 m A 4 2 4 2 7 (4) i 100 sin(t ) m A 100 sin( T ) m A 100 m A 4 T 8 4

《电子技术基础》第三章集成运算放大器及其应用试卷

《电子技术基础》第三章集成运算放大器及其应用试卷

《电子技术基础》第三章集成运算放大器及其应用试卷一、单项选择题1.集成运算反相器应是( )。

(2 分)A.A uf=lB.A uf=∞C.A uf=-1D.A uf=02.差动放大器是利用( )抑制零漂的。

(2 分)A.电路的对称性B.共模负反馈C.电路的对称性和共模负反馈D.差模负反馈3.输入失调电压是( )。

(2 分)A.两个输入端电压之差B.输入端都为零时的输出电压C.输出端为零时输入端的等效补偿电压。

4.同相比例运算电路在分析时不用( )概念。

(2 分)A.虚短B.虚断C.虚地5.集成运算放大器若输入电压过高,会对输入级( )。

(2 分)A.造成损坏B.造成输入管的不平稳,使运放的各项性能变差C.影响很小6.集成反相器的条件是( )(2 分)A.A uf=-1B.A uf=1C.R f=0D.R f=∞E.R f=R7.抑制零点漂移最有效的方法是( )。

(2 分)A.采用差动放大器B.采用温度补偿电路C.尽量减小电源电压波动8.所谓差模输入信号是指两输入信号为( )。

(2 分)A.大小和相位都相同B.相位相反C.大小相同,相位相反9.电压比较器中,集成运放工作在( )状态。

(2 分)A.非线性B.开环放大C.闭环放大10.克服零点漂移最有效且最常用的是( )(2 分)A.放大电路B.振荡电路C.差动放大电路D.滤波电路二、判断题11.( )开环差模电压增益越高,构成的电路运算精度越高,工作也越稳定。

(2 分)12.( )直接耦合放大电路能够放大缓慢变化的信号和直流信号,但不能放大漂移信号。

(2 分)13.( )变压器耦合能使零点漂移信号传递到后级。

(2 分)14.( )差动放大电路的共模放大倍数实际上为零。

(2 分)15.( )集成运放工作在线性状态下,要实现信号运算时,两个输入端对地的直流电阻必须相等,才能防止偏置电流带来的运算误差。

(2 分)16.( )为防止自激,集成运放的补偿电容若制作在内部,无需外部补偿。

电工与电子技术基础第3章 三相电路

电工与电子技术基础第3章  三相电路

3.3 三相电路功率
3.3.1 三相功率分析计算
⒈ 三相电路总功率 有功功率: 无功功率: 视在功率: 功率因数:
⒉ 对称三相电路总功率
有功功率: 无功功率: Up、Ip分别为每相负载的相电压、相电流的有效值;
是三相负载相电压与对应的相电流之间的相位差角。
【例63--160】 已知某三相对称负载阻抗Z=(6+j8)Ω,线电压Ul =380V,试求该三相对称负载分别作Y形联结和Δ形联结时的 P、Q、S、 解:因电路对称,电路总的功率因数即每相负载的功率因数。
3-3
3-9
图3-9 三相不对称有中线电路
⒉ 无中线
3-4
3-10
3-3
a)
b)
图3-10 三相不对称无中线电路
结论
⑴ 三相负载不对称且无中线,将引起负载相电压不对称, 负载电压过高过低,轻者使其不能正常工作,重者将损 坏负载设备。
⑵ 在三相负载不对称情况下,应采用三相四线制。即 联结中线,并使ZN →0,则 →0。这样各相负载虽因 阻抗不同,但两端电压仍能保持均衡。
第3章 目录
3.1 三相电路基本概念
3.1.1 对称三相电源概述 3.1.2 三相电源联结 3.1.3 三相负载联结
3.2 三相电路分析计算
3.2.1 对称三相电路分析计算 3.2.2 不对称三相电路分析计算
3.3 三相电路功率
3.3.1 三相功率分析计算 3.3.2 三相功率测量
3.4 安全用电 3.5 习题
⑴ 负载Y形联结:
⑵ 负载Δ形联结: 从上例计算中得出,PΔ=3PY,表明三相对称负载作Δ形 联结时吸收的功率是Y形联结时的3倍。
⑵ 负载Δ形联结 不对称负载: 对称负载:

电子技术基础——电路与模拟电子(第3章)

电子技术基础——电路与模拟电子(第3章)

du(t ) p(t ) = u (t )i (t ) = Cu(t ) dt
(3―6)
对上式从-∞到 进行积分 可得t时刻电容上的储能为 进行积分, 对上式从 到t进行积分,可得 时刻电容上的储能为 计算过程中认为u(-∞)=0。 。 计算过程中认为
ωC (t ) = ∫
t
−∞
p (ξ )d ξ
(3-7)
1 1 1 = + C C1 C2
或写为
C1C2 C= C1 + C2
(3―18)
上式中C为电容 相串联时的等效电容。由式(3―17)画出 上式中 为电容C1与C2相串联时的等效电容。由式 为电容 画出 其等效电路如图3.6(b)所示。同理可得,若有 个电容 k(k=1,2,…,n) 所示。同理可得,若有n个电容 个电容C 其等效电路如图 所示 相串联, 相串联,其等效电容为
第3章 动态电路分析
电容元件及电容电流波形分别如图3.2( )、 例3-1 电容元件及电容电流波形分别如图 (a)、 (b)所示,已知 )所示,已知u(0)=0,试求 ,试求t=1s、t=2s、t=4s时的电 、 、 时的电 容电压u以及 以及t=2s时电容的储能。 时电容的储能。 容电压 以及 时电容的储能
第3章 动态电路分析
电感串并联: 电感串并联:
是电感L 相串联的电路, 图 3.8(a)是电感 1 与 L2 相串联的电路 , 流过两电感的电流是同一电 是电感 的微分形式和KVL,有 流i。根据电感 。根据电感VAR的微分形式和 的微分形式和 ,
L = L1 + L2
(3―25)
称为电感L1与 L2串联时的等效 称为电感 与 串联时的等效 电感。 由式(3―26)画出相应的等效 电感 。 由式 画出相应的等效 电路如图3.8(b)所示 。 同理 , 若有 所示。 同理, 若有n 电路如图 所示 个 电感 Lk(k=1,2,…,n) 相 串联 , 可 推 导其等效电感为

《数字电子技术基础》第3章 门电路

《数字电子技术基础》第3章 门电路
VDD
导通
TP vI vO
TN
vo=―1” 截止
vI=1
VDD
截止
T1 vI
vO T2
vo=―0” 导通
静态下,无论vI是高电平还是低电平,T1、T2总有 一个截止,因此CMOS反相器的静态功耗极小。
二、电压传输特性和电流传输特性
T1导通T2截止
电 压 传 输 特 性
T1T2同时导通
T2导通T1截止
噪声电压作用时间越短、电源电压越高,交流噪声容 限越大。
三、动态功耗
反相器从一种稳定状态突然变到另一种稳定状态的过
程中,将产生附加的功耗,即为动态功耗。
动态功耗包括:负载电容充放电所消耗的功率PC和 PMOS、NMOS同时导通所消耗的瞬时导通功耗PT。 在工作频率较高的情况下,CMOS反相器的动态功耗 要比静态功耗大得多,静态功耗可忽略不计。
VNL VIL (max) VOL (max)
测试表明:CMOS电路噪声容限 VNH=VNL=30%VDD,且随VDD的增加而加大。
噪声容限--衡量门电路的抗干扰能力。 噪声容限越大,表明电路抗干扰能力越强。
§3.3.3 CMOS反相器的静态输入输出特性
一、输入特性 因为MOS管的栅极和衬底之间存在着以SiO2 为介质的输入电容,而绝缘介质非常薄,极易被
S1
输 入v I 信 号 输 vo 出 信 号
S2
图3.1.3 互补开关电路
互补开关电路由于两个开关总有一个是断开的, 流过的电流为零,故电路的功耗非常低,因此在数字 电路中得到广泛的应用
3.1 概述
4. 数字电路的概述 (1)优点: 在数字电路中由于采 用高低电平,并且高低电 平都有一个允许的范围, 如图3.1.1所示,故对元器 件的精度和电源的稳定性 的要求都比模拟电路要低, 抗干扰能力也强。

《电工电子技术基础》第3章三相交流电路.ppt

《电工电子技术基础》第3章三相交流电路.ppt
第1章
3.1 三相电源的连接方式 3.2 三相负载的连接方式 3.3 三相电路的功率
第1章
3.1 三相电源的连接方式
1. 对称三相交流电
A
定子 首端: A B C 三绕组在空间
↓↓↓
位置互差120o

N
Z
尾端: X Y Z

转子
转子装有磁极并以 的速度旋。三
个线圈中便产生三个单相电动势。

S
中线的作用在于,使星形连接的不对称负载得到相 等的相电压。为了确保零线在运行中不断开,其上不允 许接保险丝也不允许接刀闸。
第3页
1.负载的Δ形连接:
iA 线电流
A
iAB
Δ接负载的端电压等于电源线电压;
火线上通过的电流称为线电流Il; 负载中通过的电流称为相电流IP;
接时 U l: U p
uAB uCA Z
三个线电压也是对称的,
e C uA
ZX
Y
u AB
u CA
N
且超前与其相对应的相电 压30°电角。
UC
A
-UA
N
-
30 UBN
30
UAB
- 30
UCN
uB
u BC
B C





UABUANUBN UAN(UBN)





UBC UBNUCN UBN(UCN)





UCA UCNUAN UCN(UAN)
由相量图还可看出,在三相对称情况下,线电流是相 电流的1.732倍,相位滞后与其相对应的相电流30°。
第3页

电工电子技术基础3

电工电子技术基础3
ej180o cos180o jsin180o 1 j0 1
注意:j、-j、-1都是旋转因子
3.2 正弦波的相量表示法
概念 :一个正弦量的瞬时值可以用一个旋转的
有向线段在纵轴上的投影值来表示。
u Um sin t
ω
Um
t
矢量长度 = U m
矢量与横轴夹角 = 初相位
矢量以角速度ω 按逆时针方向旋转
正弦波的表示方法:
i
波形图
t
瞬时值表达式 i sin1000 t 30
相量
重点
必须 小写
前两种不便于运算,重点介绍相量表示法。
一、复习复数及其基本运算
Im
1.复数的表示形式
①代数形式
b
A
r
A=a(实)+jb(虚)
其中: j 1
0
a
Re
由上图可知
a r cos b r sin
r a2 b2 arctg b a
正弦规律变化,由此产生的电流、电压大小和方向 也是正弦的,这样的电路称为正弦交流电路。
正弦交流电的优越性: 便于传输; 便于运算; 有利于电器设备的运行; .....
正弦交流电的方向
正弦交流电也有正方向,一般按正半周的方向假设。
ii
实际方向和假设方向一致 (正半周)
u
R
t
实际方向和假设方向相反
三要素:频率f、幅值Im、Um、和初相角
相量的书写方式
最大值
U m
有效值 U
1. 描述正弦量的有向线段称为相量 。若其
幅度用最大值表示 ,则用符号: U m、Im
2. 在实际应用中,幅度更多采用有效值,则用符号:
U 、I

电工学(下册)电子技术基础 第3章 习题解答讲解

电工学(下册)电子技术基础 第3章 习题解答讲解

第3章晶体三极管及其放大电路3.1 测得放大电路中的晶体三极管3个电极①、②、③的电流大小和方向如图3.1所示,试判断晶体管的类型(NPN或PNP),说明①、②、③中哪个是基极b、发射极e、集电极c,求出电流放大系数 。

图3.1 习题3.1图解:(a) ①-c ②-b ③-e PNP β=1.2/0.03=40(b) ①-b ②-e ③-c NPN β=1.5/0.01=1503.2 试判断图3.2所示电路中开关S放在1、2、3哪个位置时的I B最大;放在哪个位置时的I B最小,为什么?+V CC图3.2 习题3.2图解:在①时,发射极相当于一个二级管导通,此时I B就等于此导通电流。

在②时,三极管相当于两个并联的二极管,此时I B等于两个二级管导通电流之和,所以此时的电流最大。

在③时,发射极导通,集电结反偏,集电结收集电子,所以I B电流下降,此时电流最小。

3.3.测得某放大电路中晶体三极管各极直流电位如图3.3所示,判断晶体管三极管的类型(NPN或PNP)及三个电极,并分别说明它们是硅管还是锗管。

解:(a) ①-e ②-c ③-b 硅NPN(b) ①-b ②-c ③-e 锗PNP(c) ①-b ②-e ③-c 锗PNP图3.3 习题3.3图3.4 用万用表直流电压挡测得晶体三极管的各极对地电位如图3.4所示,判断这些晶体管分别处于哪种工作状态(饱和、放大、截止或已损坏)。

2.7V(a)(b)-5V--0.6V(c)-(d)9V-6V(e)0V(f)图3.4 习题3.4图解:(a) 截止 (b) 饱和 (c) 放大 (d) 饱和 (e) 截止 (f) 损坏3.5 某晶体管的极限参数为I CM = 20mA 、P CM = 200mW 、U (BR)CEO = 15V ,若它的工作电流I C = 10mA ,那么它的工作电压U CE 不能超过多少?若它的工作电压U CE = 12V ,那么它的工作电流I C 不能超过多少?解:)V (1510200,15min ,min C CM (BR)CEO CE =⎭⎬⎫⎩⎨⎧=⎭⎬⎫⎩⎨⎧=I P U U )mA (67.1612200,20min ,min CE CM CM C =⎭⎬⎫⎩⎨⎧=⎭⎬⎫⎩⎨⎧=U P I I3.6 图3.5所示电路对正弦信号是否有放大作用?如果没有放大作用,则说明理由并将错误加以改正(设电容的容抗可以忽略)。

电子技术基础课件第3章 集成运算放大器及正弦波振荡电路

电子技术基础课件第3章  集成运算放大器及正弦波振荡电路

图中VT3组成分压式工作点稳定电路,该电路当温度发生变 化时,Ie3基本不变,且
从而阻止了Ic1、Ic2随温度升高而增大,起到抑制零漂的作用。
*3.1.4 差动放大电路的4种接法
1.单端输入、双端输出式 单端输入、双端输出式差动放大电路如图3.3所示。
2.双端输入、单端输出式 双端输入、单端输出式差动放大电路如图3.4所示。
② 中间级。其作用是提供较高的电压放大倍数,一般由共发射 极放大电路组成。
③ 输出级。输出级的作用是提供一定的电压变化,通常采用互 补对称放大电路。
④ 辅助环节。使各级放大电路有稳定的直流偏置。
2.集成运放符号
集成运放是高电压放大倍数、高输入电阻、低输出电阻的直 接耦合放大电路,由于直接耦合放大电路存在零点漂移问题,所 以对零漂影响最大的第一级电路往往采用差动放大器。
(a)新符号
(b)旧符号
图3.9 集成运放的图形符号
3.主要参数 集成运放的性能可以用各种参数来反映,为了合理正确地
选择和使用集成运放,下面介绍集成运放的主要性能指标。 ① 开环电压放大倍数Auo:指无反馈时集成运放的差模电压放大 倍数。 ② 差模输入电阻rid:指差模输入时运放无外加反馈回路时的输 入电阻。
集成电路按电路功能可分为模拟集成电路和数字集成电路, 模拟集成电路主要有集成功率放大器、集成运算放大器、集成 稳压器等。由于集成电路体积小、稳定性好,因而在各种电子 设备及仪器中得到了广泛的应用。
3.2.1 集成电路的特点
与分立元件电路相比,集成电路具有以下突出特点。 1.可靠性高、寿命长 2.体积小、重量轻 3.速度高、功耗低 4.成本低
3.抑制零点漂移的措施 ① 选用稳定性能好的高质量的硅管。
② 采用高稳定度的稳压电源可以抑制电源电压波动引起的零漂。
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电压串联负反馈放大电路 电压并联负反馈放大电路 电流串联负反馈放大电路 电流并联负反馈放大电路
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集成运算放大器基础知识
引言:
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集成电路(IC: Integrated carnet ):一个基片上集成几百个,上万,百万,超 一个基片上集成几百个, 集成电路 一个基片上集成几百个 上万,百万, 亿个模拟或数字电路。 亿个模拟或数字电路。 数字 IC:集成度高,可达上千万,超亿个元件的集成度。 :集成度高,可达上千万,超亿个元件的集成度。 IC 分类: 分类: 通用 线性: 专用: 闭环运用时能精确实现各种模拟运算) (闭环运用时能精确实现各种模拟运算 线性:集成运放 专用: 闭环运用时能精确实现各种模拟运算) ( 模拟 IC: 非线性:模拟相乘器 : 非线性: 数-模: 数-模(D/A) 模-数(D/A) 转换器
X o ( s) X o (s) A f ( s) = X i (s)
―――>反馈网络传输系数(反馈系数) ―――>反馈网络传输系数(反馈系数)
―――> ―――>闭环增益
注意: 基本放大器: 注意:1 基本放大器:考虑到反馈网络的负载效应后同时将反 馈网络分离后的电路 2 理想方框图:信号沿箭头方向从输入到输出只通过基 理想方框图: 本放大器, 本放大器,信号输出端到输入端只通过反馈网络 返回
定义: F=1 定义:当F=1+T >>1 时 Xd << Xi Xi=Xf=BXo ∴ A f = X 0 (s) / X i (s) ≈ 1 / B (s) ,称深度负反馈 . 称深度负反馈
深度负反馈时闭环增益等于反馈系数的 倒数. 深度负反馈时闭环增益等于反馈系数 的 倒数
休息1 休息2
返回
4 负反馈放大器的分类
(二) 集成运放的交流参数
1 开环带宽 BW 下降-3dB 所对应的频宽 下降
休息 1 休息 2
A
-3dB
2
单位增益带宽 BWG
开环增益下降到1 开环增益下降到 时的带宽
3
转换速率 S R
0dB
BW BWG
额定负载及输入为阶跃大信号时, 额定负载及输入为阶跃大信号时, 输出电压的最大变化率 u0 SR = t 4 全功率带宽 BW p
2 一般反馈放大的方框图
基本电路参数: X d(s) X i(s) 基本放大器 输入信号(电压、电流) Xi (s):输入信号(电压、电流) Σ A(s) 输出信号( Xo(s):输出信号(V、I) 反馈信号( Xf (s):反馈信号(V、I) X (s) 反馈网络 净输入信号(差值输入信号) Xd (s):净输入信号(差值输入信号) V、I) f (
X ( s)
基本放大器 A(s)
X o ( s)
反馈网络 B(s)
反馈放大器: 反馈放大器:具有反馈的放大器称为反馈放大器 1 负反馈,正反馈
负 反 馈 : 反 馈 信 号 X f (s)与 输 入 信 号 X i (s)极 性 相 反 → Xd ( s) = X i ( s) X f ( s) ↓→ 增益↓
根据反馈在放大器的输出端的取样对象是电压还是电流. 根据反馈在放大器的输出端的取样对象是电压还是电流
负反馈分为: 电压负反馈: 反馈信号取样输出电压. 负反馈分为 : 电压负反馈 : 反馈信号取样输出电压 电流负反馈: 反馈信号取样输出电流 电流负反馈 : 反馈信号取样输出电流.
根据反馈信号与输入信号在放大器输入回路中的串并联关系.
7 电源电压抑制比 K
u0 A = vd E c
1
Ac d 为 共模输入 - 差 模 输出电压增益
SVR
定义:输入失调电压随电 源电压的变化率
K
SVR
U 0 = A vd E c
1
8 最 大 差 模 输 入 电 压 U idm 运放两输入端所允许的最大电压差, 运放两输入端所允许的最大电压差,超过 U idm ,运放输入级对管将被反向 击穿, 甚至损坏。 击穿 , 甚至损坏 。 返回
正 反 馈 : 反 馈 信 号 X f (s)与 输 入 信 号 X i (s)极 性 相 同
[
]
X d ( s ) = X i ( s ) + X f ( s ) ↑→ 增益 ↑
返回
休息1 休息2
[
]
1.1 反馈极性与反馈形式 1 主反馈 局部反馈 主反馈,局部反馈
主反馈: 主反馈 : 系统输入与输出 端之间构成的反馈 成的反馈, 端之间构 成的反馈 , 如 R f
9
op p
休息 1 休息 2
+ EC
T
I B1
5 差模开环电压增益 Aud = (无反馈情况下) 无反馈情况下)
u0 ( 输出 ) uid ( 差模输入 )
I B 2 U IO
ui 1 ui 2
u0
6
共 模 抑 制 比 K CMR
K CMR Ad d = Ac d
EC
其中 : Ad d 为 差模输入 - 差 模 输出电压增益
3 环路增益和反馈深度 环路增益T:绕反馈环一圈的总增益. T:绕反馈环一圈的总增益 1. 环路增益T:绕反馈环一圈的总增益
B( s ) X O ( s ) T= = Xd X d ( s) B( s ) A( s ) X d ( s ) = X d ( s) = A( s ) B( s ) A( s ) ∴ A f ( s) = 1 + T ( s)
BW
p
f
u0
SR = 2 π V om
u0
在输入正弦大信号,指定失真度条件下, 在输入正弦大信号,指定失真度条件下, 使运放输出电压中达到最大值时的信号 频率,表征了运放处理交流大信号的能力。 频率,表征了运放处理交流大信号的能力。
运放的交数 5 建 立 时 间 t set
规定负载,输入阶跃大信号条件下, 规定负载,输入阶跃大信号条件下,运放 输出电压达到某一特定值范围所需时间。 输出电压达到某一特定值范围所需时间。
X O ( s) A( s) = X d ( s)
B(s)
休息1 休息2
反馈放大器=基本放大器+反馈网络→反馈环路(反馈环) 反馈放大器=基本放大器+反馈网络→反馈环路(反馈环)→闭环系统 单环反馈放大电路: 单环反馈放大电路: 含一个反馈环
X o(s)
―――>开环增益 ―――>
B( s ) =
X f ( s)
3
输入偏置电流
1 I Iβ = ( I B1 + I B 2 ) 2 返回
7 .大 共1 集成运放的直流和低频参数 最 1 . 模 模 输 入 电 压 U icm 4 输入失调电流 I 0 及温漂系数 α K CMR 下降 6dB(1/2 倍)I时的共模输入电压 II 0 ( II I输= IB峰 -2峰 电 压 U 0 = :0 输 出 摆 幅 IB α II 10 I0 出 1
局部 反 馈 : 系统 内 部 的 局 部反 馈 , 如 R e1 , R e2 第 一级 差 模 反 馈 , R c m 第 一 级共 模 反 馈
EC
=
us
=
2 直流反馈,交流反馈 直流反馈, 直流反馈:对直流信号的反馈, 直流反馈:对直流信号的反馈, 如在Re1 在Re2 上并联大电容
交流反馈:对交流信号的反馈, 交流反馈 : 对交流信号的反馈 , 如 在 R F 支路上串接耦合电容 3 内 部 反 馈 : C b'e , r b'e 4 寄生反馈:杂散分布L , C
ui
_
+ uf
+
uo _
Σ
ube
基本放大器
uo
uf
反馈网络
休息1 休息2
返回
2 理想反馈方块图和基本反馈方程式
EC
(2) 闭环增益:加入反馈后的增益 2 闭环增益:
Auf u uo uo = o = = ui ube + u f ube + uo
ib
+
ui
+ u be
ie
_
us _
+ uf
+
uo _
ube Au = = u 1 + Au 1+ o ube ( 1 + β ) R′ L ( ) rbe = ( 1 + β ) R′ L 1+ ( rbe
uo
( 1 + β ) R′ L = rbe + ( 1 + β )R′ L )
ui
Σ
ube
基本放大器
uo
uf
反馈网络
休息1 休息2
返回
休息 1 休息 2
返回
(一)集成运放的直流和低频参数 集成运放的电路符号:
基本引出端:反相输入端 同相输入端 正电源端 负电源端 输出端
IB1 IB2 UIO
ui 1
ui 2
+ EC
休息 1 休息 2
u0
EC 附加引出端:调零端: 附加引出端 : 调零端 : 一般为二个端子 相位补偿端 1 输入失调电压 U IO : 反映了运放输入级差动电路的对称性 反映了运放输入级差动电路的对称性 输 入 =0, → 输 出 ≠ 0, 失 调 , ,
Xi(s) X d(s)
Σ
Xf
基本放大器 A(s)
X o(s)
X f(s) 反馈网络
B(s)
2 反 馈 深度 F (s)
定义: 定义: F ( s) = 1 + T ( s) = 1 + A( s)B( s)
中频时: 中频时: F = (1 + T ) = A / A f 比开环增益A减少的程度. 闭环增益 Af 比开环增益A减少的程度
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