LED主要参数与特性 Microsoft Word 文档
P10LED显示屏参数Word版
P10LED显示屏的参数要怎么设置呢？还有P10LED显示屏的产品参数主要有哪一些。
下面我们就详细的阐述一下。
LED显示屏屏参设置首先我们要知道怎么设置屏参。
LED显示屏的屏参是根据像素点来设置的。
一般只要知道显示屏的长宽除以点间距就可以了。
比如我们有一长6m宽4m的P10LED显示屏。
那么我们屏参就是6000/10：4000/10=600：400屏参设置成600：400就可以了。
屏参设置密码一般为168、888、666、88888、888888。
实在不行就找安装人员要一下就可以了。
LED显示屏主要参数强力巨彩单双色P10LED显示屏参数像数点间距 10.0mm像素密度10000Dots/㎡像素构成1R1G1B模组分辨率 32*16=512Dots输入电压(直流) 4.5-5.5V驱动方式1/4 扫恒流驱动标准常规箱体框规格(长*宽*厚) 960mm*960mm*70mm 亮度≥3000 cd/㎡最佳视距≥10.0m最大功耗≤313W/㎡使用寿命≥10 万小时平均无故障时间≥1 万小时工作温度范围 -20 至50℃工作湿度范围 10％至90 ％RH盲点率＜0.0003 ，出厂时为0.强力巨彩户外全彩P10LED显示屏参数像数点间距10.0mm像素密度 10000Dots/㎡像素构成1R1G1B模组分辨率32*16=512Dots输入电压(直流) 4.5-5.5V驱动方式1/4 动态恒流驱动标准常规箱体框规格(长*宽*厚) 960mm*960mm*90mm 亮度6500-7000 cd/㎡最佳视距≥10.0m屏幕水平视角 120±10 度每平方模组最大功率≤616W/㎡配电功率（每平方最大功率÷78%÷85% ）≤929w 使用寿命≥10 万小时平均无故障时间≥1 万小时工作温度范围 -20 至50℃工作湿度范围10％至90 ％RH盲点率＜0.0001，出厂时为0。
LED的特性参数
LED参数与特性LED（发光二极管）是利用化合物材料制成pn结的光电器件。
它具备pn结结型器件的电学特性：I-V特性、C-V特性和光学特性：光谱响应特性、发光光强指向特性、时间特性以及热学特性。
1、LED电学特性1.1 I-V特性表征LED芯片pn结制备性能主要参数。
LED的I-V特性具有非线性、整流性质：单向导电性，即外加正偏压表现低接触电阻，反之为高接触电阻。
如图：(1) 正向死区：（图oa或oa′段）a点对于V0 为开启电压，当V＜Va，外加电场尚克服不少因载流子扩散而形成势垒电场，此时R很大；开启电压对于不同LED其值不同，GaAs为1V，红色GaAsP为1.2V，GaP为1.8V，GaN为2.5V。
（2）正向工作区：电流IF与外加电压呈指数关系IF = IS (e qVF/KT –1) -------------------------IS 为反向饱和电流。
V＞0时，V＞VF的正向工作区IF 随VF指数上升IF = IS e qVF/KT（3）反向死区：V＜0时pn结加反偏压V= - VR 时，反向漏电流IR（V= -5V）时，GaP为0V，GaN为10uA。
（4）反向击穿区V＜- VR ，VR 称为反向击穿电压；VR 电压对应IR为反向漏电流。
当反向偏压一直增加使V＜- VR时，则出现IR突然增加而出现击穿现象。
由于所用化合物材料种类不同，各种LED的反向击穿电压VR也不同。
1.2 C-V特性鉴于LED的芯片有9³9mil (250³250um)，10³10mil，11³11mil (280³280um)，12³12mil(300³300um)，故pn结面积大小不一，使其结电容（零偏压）C≈n+pf左右。
C-V特性呈二次函数关系（如图2）。
由1MHZ交流信号用C-V特性测试仪测得。
1.3 最大允许功耗PF m当流过LED的电流为IF、管压降为UF则功率消耗为P=UF³IFLED工作时，外加偏压、偏流一定促使载流子复合发出光，还有一部分变为热，使结温升高。
led灯具的主要参数
led灯具的主要参数LED灯具的主要参数是指影响LED灯具性能和亮度的关键参数。
下面将从功率、亮度、色温、色彩指数、寿命、光束角度等多个方面介绍LED灯具的主要参数。
1. 功率LED灯具的功率是指其消耗的电力。
通常以瓦特（W）为单位表示。
功率越高，LED灯具发出的光线越亮。
但是功率过高会导致能耗增加，因此在选择LED灯具时需要根据实际需要和节能要求来确定合适的功率。
2. 亮度LED灯具的亮度是指其发出的光线强度。
以流明（lm）为单位表示。
亮度决定了LED灯具的照明效果，同时也与功率相关。
一般来说，LED灯具的亮度越高，照明效果越好。
但是需要根据具体使用场景和需求来选择合适的亮度。
3. 色温色温是指LED灯具发出的光线的颜色。
以开尔文（K）为单位表示。
LED灯具的色温分为冷光和暖光两种。
冷光色温较高，一般在5000K以上，发出的光线偏蓝色；暖光色温较低，一般在3000K 以下，发出的光线偏黄色。
根据不同的场景和需求，选择合适的色温可以营造出不同的氛围和灯光效果。
4. 色彩指数色彩指数（CRI）是衡量LED灯具还原物体真实颜色能力的参数。
以百分比表示，最高为100。
色彩指数越高，LED灯具还原物体颜色的能力越好。
因此，在需要准确还原物体颜色的场景，如美术馆、展览厅等，选择色彩指数较高的LED灯具尤为重要。
5. 寿命寿命是指LED灯具的使用寿命。
一般以小时（h）为单位表示。
LED灯具的寿命受到多个因素的影响，如使用环境、温度、驱动电流等。
一般来说，LED灯具的寿命在2万小时以上，远远超过传统灯具的寿命。
因此，选择寿命较长的LED灯具可以减少更换灯具的频率和维修成本。
6. 光束角度光束角度是指LED灯具发出的光线的散发范围。
以角度（°）表示。
光束角度的大小直接影响到LED灯具的照射范围和照明效果。
一般来说，光束角度较小的LED灯具发出的光线较为集中，适用于局部照明；光束角度较大的LED灯具发出的光线较为散射，适用于整体照明。
LED基本参数范文
LED基本参数范文LED（Light Emitting Diode）是一种半导体器件，使用电流通过半导体产生光的现象。
由于其能耗低、寿命长、色彩丰富等优点，LED被广泛用于照明、显示和指示等领域。
以下是LED的基本参数。
一、光电参数：1. 发光强度（Luminous Intensity）：表示单位立体角内发光源的亮度，单位为坎德拉（cd）。
2. 光通量（Luminous Flux）：LED发出的总光功率，单位为流明（lm）。
3. 光效（Luminous Efficacy）：光通量与功率之比，单位为流明/瓦（lm/W）。
4. 波长（Wavelength）：LED发出的光的波长，以纳米（nm）计。
二、电学参数：1. 额定电流（Rated Current）：LED最大可承受的电流值，单位为毫安（mA）。
2. 额定电压（Rated Voltage）：LED正常工作时的电压，单位为伏特（V）。
3. 正向电压（Forward Voltage）：指LED正常发光时的电压峰值，也是LED的工作电压范围。
4. 电流漏-电压峰值（Forward Current Leak - Voltage Peak）：在正向电压下，无电流通过LED时的电压。
三、光色参数：1. 光色温度（Color Temperature）：用来描述白光色调的参数，单位为开尔文（K）。
较低的色温表示暖白光，较高的色温表示冷白光。
2. 色彩指数（Color Rendering Index，CRI）：用来评价光源对物体颜色的还原能力，通常以Ra值表示，取值范围为0到100。
Ra值越大，说明光源对物体颜色的还原能力越好。
3. 色坐标（Color Coordinates）：用来描述光源发出的光的颜色。
色坐标通常使用CIE 1931色度图来表示，其中x、y用来表示色彩。
四、寿命参数：1. 寿命（Lifespan）：指LED在正常工作条件下能够保持预定亮度的时间。
LED灯主要性能参数
1LED主要参数与特性LED是利用化合物材料制成pn结的光电器件。
它具备pn结结型器件的电学特性：I-V特性、C-V特性和光学特性：光谱响应特性、发光光强指向特性、时间特性以及热学特性。
1、LED电学特性1.1I-V特性表征LED芯片pn结制备性能主要参数。
LED的I-V特性具有非线性、整流性质：单向导电性，即外加正偏压表现低接触电阻，反之为高接触电阻。
如左图：(1)正向死区：(图oa或oa'段)a点对于V0为开启电压，当VvVa,外加电场尚克服不少因载流子扩散而形成势垒电场，此时R很大；开启电压对于不同LED其值不同，GaAs为1V,红色GaAsP为1.2V,GaP为1.8V,GaN为2.5V。
(2)正向工作区：电流IF与外加电压呈指数关系IF=IS(eqVF/KT-1)IS为反向饱和电流。
V>0时，V>VF的正向工作区IF随VF指数上升IF=ISeqVF/KT(3)反向死区：Vv0时pn结加反偏压V=-VR时，反向漏电流IR(V=-5V)时，GaP为0V,GaN为10uA。
(4)反向击穿区Vv-VR,VR称为反向击穿电压；VR电压对应IR为反向漏电流。
当反向偏压一直增加使Vv-VR时，则出现IR突然增加而出现击穿现象。
由于所用化合物材料种类不同，各种LED的反向击穿电压VR也不同。
1.2 C-V特性鉴于LED的芯片有9X9mil(250x250um),10X10mil,11x11mil(280x280um),12x12mil(300x300um),故pn结面积大小不一，使其结电容(零偏压)C=n+pf左右。
C-V特性呈二次函数关系(如图2)。
由1MHZ交流信号用C-V特性测试仪测得。
1.3 最大允许功耗PFm当流过LED的电流为IF、管压降为UF则功率消耗为P=UFXIFLED工作时，外加偏压、偏流一定促使载流子复合发出光，还有一部分变为热，使结温升高。
若结温为Tj、外部环境温度为Ta,则当Tj>Ta时，内部热量借助管座向外传热，散逸热量(功率)，可表示为P=KT(Tj-Ta)。
LED主要参数及特性(精)
LED主要参数与特性LED是利用化合物材料制成pn结的光电器件。
它具备pn结结型器件的电学特性：I-V特性、C-V特性和光学特性：光谱响应特性、发光光强指向特性、时间特性以及热学特性。
1、LED电学特性1.1 I-V特性表征LED芯片pn结制备性能主要参数。
LED的I-V特性具有非线性、整流性质：单向导电性，即外加正偏压表现低接触电阻，反之为高接触电阻。
如图：(1) 正向死区：（图oa或oa′段）a点对于V0 为开启电压，当V＜Va，外加电场尚克服不少因载流子扩散而形成势垒电场，此时R很大；开启电压对于不同LED其值不同，GaAs为1V，红色GaAsP为1.2V，GaP为1.8V，GaN为2.5V。
（2）正向工作区：电流IF与外加电压呈指数关系IF = IS (e qVF/KT –1) -------------------------IS 为反向饱和电流。
V＞0时，V＞VF的正向工作区IF 随VF指数上升 IF = IS e qVF/KT （3）反向死区：V＜0时pn结加反偏压V= - VR 时，反向漏电流IR（V= -5V）时，GaP为0V，GaN为10uA。
（4）反向击穿区 V＜- VR ，VR 称为反向击穿电压；VR 电压对应IR为反向漏电流。
当反向偏压一直增加使V＜- VR时，则出现IR突然增加而出现击穿现象。
由于所用化合物材料种类不同，各种LED的反向击穿电压VR也不同。
1.2 C-V特性鉴于LED的芯片有9×9mil (250×250um)，10×10mil，11×11mil (280×280um)，12×12mil (300×300um)，故pn结面积大小不一，使其结电容（零偏压）C≈n+pf 左右。
C-V特性呈二次函数关系（如图2）。
由1MHZ交流信号用C-V特性测试仪测得。
1.3 最大允许功耗PF m当流过LED的电流为IF、管压降为UF则功率消耗为P=UF×IFLED工作时，外加偏压、偏流一定促使载流子复合发出光，还有一部分变为热，使结温升高。
LED灯参数范文
LED灯参数范文LED灯是一种新型的照明产品，其性能参数可以分为光电参数、电气参数和机械参数三个方面。
光电参数:1. 光通量(Luminous Flux)：指光源在单位时间内发射的可见光的总功率，单位为流明(lm)。
2. 光效(Luminous Efficacy)：指单位光通量所需要的单位功率，即流明/瓦(lm/W)。
3.色温(Color Temperature)：用来描述光源产生的光线的颜色特性，常用单位是开尔文(K)。
电气参数:1. 电压(Voltage)：指LED灯工作时的电压值，单位为伏特(V)。
2. 电流(Current)：指LED灯工作时所需的电流值，单位为安培(A)。
3. 功率(Power)：指LED灯的消耗功率，单位为瓦特(W)。
机械参数:1. 外形尺寸(Dimensions)：指LED灯的外观尺寸，常用单位为毫米(mm)。
2. 材质(Material)：指LED灯的外壳材料，常见的有铝合金、塑料等。
3. 重量(Weight)：指LED灯的重量，常用单位为克(g)。
另外，LED灯的一些特殊参数还包括：1.显色指数(Color Rendering Index, CRI)：用来描述光源对物体的还原程度，常用单位为Ra。
2.寿命(Lifespan)：指LED灯使用的时间，通常以小时(h)为单位。
3. 色坐标(Color Coordinates)：用来描述光线的颜色，通常用x和y坐标表示。
4. 光束角(Beam Angle)：指LED灯辐射的光线的角度范围。
LED灯的参数对于选择合适的照明产品非常重要，不同的场景和需求需要不同的参数来满足，了解和分析这些参数可以帮助消费者做出最佳的选择。
所以在购买LED灯的时候，应该注重这些参数的了解和对比。
LED常用性能参数
LED常用性能参数LED（Light-Emitting Diode）是一种半导体发光器件，具有功耗低、寿命长、亮度高等优点，在照明、显示、通信等领域有广泛的应用。
LED的常用性能参数包括亮度、发光效率、色温、颜色温度、色彩指数和寿命等。
1. 亮度：LED的亮度是指LED发出的光线的强度，单位为流明（lm）。
亮度是衡量LED的发光效果的重要参数。
一般来说，亮度越高，LED的发光效果越好。
在照明应用中，需要选择亮度适中的LED来达到所需的照明效果。
2. 发光效率：发光效率是指LED芯片将输入的电能转化为光能的效率，一般用光通量（lm）与消耗的功率（W）的比值来表示，单位为lm/W。
发光效率越高，LED的能耗越低，对于节能环保型的照明产品来说是非常重要的参数。
3.色温：色温是指光源的颜色相对于黑体辐射源的热力学温度。
常见的色温包括冷白光（5000K以上）、自然白光（4000-5000K）和暖白光（3000-4000K）等几种。
不同的场景和需求需要选择适合的色温，以达到舒适的照明效果。
4.颜色温度：颜色温度是指LED发出的光线的色彩，常用单位是开尔文（K）。
颜色温度越高，光线越偏白，越低则趋近于黄色。
例如，冷白光的色温为6000-6500K，暖白光的色温为2700-3500K。
在家居照明中，常用的颜色温度是3000-4000K，这样可营造出温馨舒适的氛围。
5. 色彩指数：色彩指数（Color Rendering Index，CRI）是评价光源还原被照物体真实颜色能力的参数，通常用Ra数值来表示。
Ra数值越高，光源还原颜色的能力越好。
自然光的CRI为100，一般要求正常照明的光源CRI不低于80，以确保照明效果良好。
除了以上几个常用的性能参数外，还有一些其他的性能参数也需要考虑，例如LED的色坐标、波长范围、耐电压、发光角度等。
这些参数的选择和匹配会影响到LED的应用效果和性能。
需要注意的是，不同品牌、型号的LED产品在各项性能参数上可能会有差异，因此在选择LED产品时需要根据实际需求和要求进行综合考虑，并选择合适的品牌和规格。
LED的特性参数
LED参数与特性LED（发光二极管）是利用化合物材料制成pn结的光电器件。
它具备pn结结型器件的电学特性：I-V特性、C-V特性和光学特性：光谱响应特性、发光光强指向特性、时间特性以及热学特性。
1、LED电学特性1.1 I-V特性表征LED芯片pn结制备性能主要参数。
LED的I-V特性具有非线性、整流性质：单向导电性，即外加正偏压表现低接触电阻，反之为高接触电阻。
如图：(1) 正向死区：（图oa或oa′段）a点对于V0 为开启电压，当V＜Va，外加电场尚克服不少因载流子扩散而形成势垒电场，此时R很大；开启电压对于不同LED其值不同，GaAs为1V，红色GaAsP为1.2V，GaP为1.8V，GaN为2.5V。
（2）正向工作区：电流IF与外加电压呈指数关系IF = IS (e qVF/KT –1) -------------------------IS 为反向饱和电流。
V＞0时，V＞VF的正向工作区IF 随VF指数上升IF = IS e qVF/KT（3）反向死区：V＜0时pn结加反偏压V= - VR 时，反向漏电流IR（V= -5V）时，GaP为0V，GaN为10uA。
（4）反向击穿区V＜- VR ，VR 称为反向击穿电压；VR 电压对应IR为反向漏电流。
当反向偏压一直增加使V＜- VR时，则出现IR突然增加而出现击穿现象。
由于所用化合物材料种类不同，各种LED的反向击穿电压VR也不同。
1.2 C-V特性鉴于LED的芯片有9³9mil (250³250um)，10³10mil，11³11mil (280³280um)，12³12mil(300³300um)，故pn结面积大小不一，使其结电容（零偏压）C≈n+pf左右。
C-V特性呈二次函数关系（如图2）。
由1MHZ交流信号用C-V特性测试仪测得。
1.3 最大允许功耗PF m当流过LED的电流为IF、管压降为UF则功率消耗为P=UF³IFLED工作时，外加偏压、偏流一定促使载流子复合发出光，还有一部分变为热，使结温升高。
led特性参数
为了使LED产品质量有保障，测试它的性能对于led产品非常重要。基于LED各个应用领域的实际需求，测试led产品的性能需要包含多 方面的因素，包括：颜色特性、热学特性、电特性、开关特性、可靠性、光特性等，下面为大家讲解这六大特性。 一、颜色特性 1.分光光度法：通过单色仪分光测得led光谱功率的分布，然后利用色度加权函数积分获得对应的色度参数。 2.积分法：利用特定滤色片配合光电探测器直接测得色度参数。 二、热学特性 它所表示的是热阻和结温。热阻是指沿着热流通道上的温度差与通道上耗散的功率之比，结温是指led的PN结温度。测试led结温的方 法有两种：一种是采用红外测温显微镜测得led芯片的表面温度，另一种是利用电流下的正向偏压与结温之间反比变化的关系来判定 led的结温。 三、电特性 led的电特性参数包括正向电流、正向电压、反向电流以及反向电压。该项测试一般是利用电压电流表进行测试，在恒流恒压源供电 情况下，通过led电特性的测试可获得最大允许正向电压、正向电流及反向电压、电流这些参数。此外，还可以获得led的最佳工作功 率值。 四、开关特性 它是指led通电和断电瞬间的光、电、色变化特性。通过这项测试可以得到led在通断电瞬间工作状态、物质属性等变化规律，从而了 解通断电对led的损耗。 五、可靠性 led的可靠性包括静电敏感度特性、寿命、环境某些led电阻率较高，且 正负电极距离很短，若两端的静电电荷累积到一定值时，这一静电电压会击穿PN结，严重时可导致led失效，因此必须对led的静电敏 感度特性进行测试，获得led的静电放电故障电压。目前一般采用人体模式、机器模式以及器件充电模式来模拟现实生活中的静电放 电现象。 六、光特性 主要包括光通量和光效、光强和光强分布特性以及光谱参数。 1.光通量和光效：通常有两种方法，为积分球法和变角光度计算法。虽然后者的测试结果最为精确，但因耗时较长，一般采用前者。 在用积分球法进行测试时，可以将被测led放置在球心，也可以放置在球壁。测得光通量之后，配合电参数测试仪就可以测得led的发 光效率，也就是光效。 2.光强和光强分布特性：led由于光强分布是不一致的，所以它的测试结果随测试距离和探测器孔径的大小变化而变化，可以让各个 led在同一条件下进行光强测试与评价，这样结果比较准确。 3.光谱参数：主要包括峰值发射波长、光谱辐射带宽和光谱功率分布等。led的光谱特性都可由光谱功率分布表示，通过光谱功率分布， 还可以得到色度参数。一般光谱功率分布的测试需要通过分光进行，将混合光中的单色光逐一区分出来进行测定，可采用棱镜和光栅 实现分光
LED各项相关技术参数
LED各项相关技术参数LED（Light Emitting Diode），即发光二极管，是一种能够将电能转化为光能的电子元件。
由于其高效能、环保、寿命长等优势，LED技术得到了广泛应用，从车灯、电视屏幕到室内照明等各个领域。
LED的技术参数主要包括亮度、色温、发光效率、色彩再现性、色坐标等。
1.亮度：亮度是LED的发光强度，通常使用流明（lumen）来表示。
LED的亮度与其电流和电压有关。
亮度高的LED能够提供更高的照明效果。
2.色温：色温指的是光源的色彩性质，常用单位为开尔文（Kelvin）。
较低的色温（2700-3500K）产生暖黄色光，适用于舒适的环境；较高的色温（5000-6500K）产生冷白色光，适用于需要清晰、明亮环境的场所。
3.发光效率：发光效率是指LED所消耗的电力转化为可见光的比例，通常用流明/瓦特（lm/W）表示。
高发光效率意味着更高的能源利用率，LED的发光效率通常比传统光源更高。
4.色彩再现性：色彩再现性是指光源对物体颜色的还原度，通常使用指数值（Ra或CRI）表示，其范围为0-100。
较高的色彩再现性意味着光源能够真实还原物体颜色。
5.色坐标：色坐标是用来表示光源的颜色的参数，通常使用CIE 1931色度图来表示。
色坐标由xy两个值表示，例如色坐标为(0.3, 0.6)表示光源的颜色在色度图上的位置。
此外，LED还有其他一些技术参数，如寿命、工作温度、驱动方式等。
6.寿命：7.工作温度：LED的工作温度范围也是一个重要的技术参数。
较高的温度会影响LED的亮度和寿命。
因此，LED通常需要优化的散热设计，以确保在适宜温度范围内工作。
8.驱动方式：LED的驱动方式是指将输入电压转化为适合LED工作的电流和电压。
常用的驱动方式有恒流驱动和恒压驱动。
恒流驱动可以确保LED的亮度稳定，而恒压驱动适用于需要灯珠串联的情况。
综上所述，LED的主要技术参数包括亮度、色温、发光效率、色彩再现性、色坐标、寿命、工作温度和驱动方式等。
0201led工作参数
0201led工作参数一、引言本文将介绍0201尺寸L ED的基本工作参数，包括电气特性、光学特性和热特性。
二、电气特性1.工作电压0201尺寸LE D的工作电压一般为2.8-3.4V。
在这个电压范围内，L E D可以正常发光和工作。
2.推荐电流0201尺寸LE D的推荐工作电流为5-20mA。
过大的电流会导致L ED发热过高，降低寿命；过小的电流则会影响L ED的亮度。
3.正向电压0201尺寸LE D的正向电压一般为1.8-2.2V。
在这个电压下，L ED会正常导通，形成电流通路，从而发出光线。
三、光学特性1.发光亮度0201尺寸LE D的发光亮度一般在100-500m cd之间。
发光亮度越高，L E D的亮度也就越高。
发光亮度的单位是毫坎德拉（m cd）。
2.视角0201尺寸LE D的视角一般为120度。
视角决定了L ED的发光范围，较大的视角可以让LE D的光线更加广泛地照射到周围。
3.波长0201尺寸LE D发出的光线波长可以根据需要进行调整，常见的波长有红色（620-630nm）、绿色（520-525n m）和蓝色（465-470n m）等。
四、热特性1.热阻0201尺寸LE D的热阻一般在100-300℃/W之间。
热阻代表了LE D散热的能力，数值越小表示LE D能更好地散热，温度上升越少。
2.工作温度0201尺寸LE D的工作温度一般在-40℃到+85℃之间。
在这个温度范围内，L ED能够正常工作而不受到温度的影响。
五、结论综上所述，0201尺寸L ED的工作参数包括电气特性、光学特性和热特性。
熟悉这些参数可以帮助我们更好地设计和应用LE D产品，提高其性能和可靠性。
以上就是关于0201le d工作参数的相关内容，希望本文对读者有所帮助。
（字数：283）。
LED主要参数及特性
LED主要参数及特性LED（Light Emitting Diode）是一种半导体发光器件，具有高亮度、低功耗、长使用寿命等优点。
LED的主要参数和特性对于了解和选择LED产品非常重要。
下面是LED的主要参数及其特性的详细介绍。
1. 发光强度（Luminous Intensity）：发光强度是指LED单个LED元件在单位立体角范围内发光的亮度。
单位是坎德拉（Candela，缩写为cd），表示为 mcd（毫坎德拉）或cd（坎德拉）。
发光强度越高，LED的亮度越大。
2. 光通量（Luminous Flux）：光通量是指LED发出的总光功率，单位是流明（Lumen，缩写为lm）。
光通量越大，代表LED发光的总亮度越高。
3. 光衰（Luminous Decay）：LED的光衰是指在一定时间内光通量的减少。
LED的光衰越小，代表LED的寿命越长。
4. 色温（Color Temperature）：色温是指LED发光时所呈现的颜色属性，单位是开尔文（Kelvin，缩写为K）。
色温分为暖色光（低色温，约2700-3000K）、自然光（中色温，约4000-4500K）和冷色光（高色温，约6000-6500K）。
色温的选择会直接影响到LED的应用场景和呈现效果。
5. 颜色指数（Color Rendering Index，CRI）：颜色指数是指LED发光时所呈现的颜色还原能力，用于衡量光源对物体本来颜色的反映程度。
CRI的取值范围为0-100，数值越大，表示其还原能力越好。
6. 发光角度（Viewing Angle）：发光角度是指LED在空间范围内发出光的角度范围。
单位是度，一般分为窄角度（小于30度），中角度（30度-60度）和宽角度（大于60度）。
7. 反向漏电流（Reverse Leakage Current）：反向漏电流是指在LED断电或反向加压状态下，LED两端之间的电流。
反向漏电流越小，代表LED产品的损坏率越低，寿命越长。
LED灯具主要技术参数
LED灯具主要技术参数工作电压AC180～264V频率范围47～63HZ功率因数（pF) ﹥0.9总谐波失真（THD) <20%电源效率﹥090%系统功耗75W 125W 200W LED发光效率≥90?Lm/WLED初始光通量5000?lm(Tj=25℃)8500?lm(Tj=25℃)12500?lm(Tj=25℃)LED维持光通量4600?lm(Tj=25℃,Ta=25℃)8000?lm(Tj=60℃,Ta=25℃)11000?lm(Tj=60℃,Ta=25℃)灯具光通量4200?lm(Tj=60℃,Ta=25℃)7500?lm(Tj=60℃,Ta=25℃)10500?lm(Tj=60℃,Ta=25℃)灯具效率（%）﹥90%照度（E) ≥26?lux(高度=6m)≥43?lux(高度=6m)≥70?lux(高度=6m)有效照射范围18*8m(高度=6m)相关色温纯白：5000～7000K,暖白：3000～4000K 显色指数(CRI) Ra﹥75光源1W 3W 3W 配光曲线/光斑非对称（蝙蝠翼形）/矩形光斑最大光强角度横轴：110°，纵轴：45°光束度横轴：120°，纵轴：60°结温（Tj) 60℃±10%(Ta=25℃)工作温度﹣30℃～40℃工作湿度10%～90%RH 储存温度10℃～85℃使用寿命＞50,000Hrs 灯体与灯罩铝合金与PC 防护等级IP65。
LED主要参数与特性
LED 主要参数与特性LED 是利用化合物材料制成pn 结的光电器件。
它具备pn 结结型器件的电学特性：I-V 特性、C-V 特性和光学特性：光谱响应特性、发光光强指向特性、时间特性以及热学特性。
1、LED 电学特性1.1 I-V 特性 表征LED 芯片pn 结制备性能主要参数。
LED 的I-V 特性具有非线性、整流性质：单向导电性，即外加正偏压表现低接触电阻，反之为高接触电阻。
如左图：(1) 正向死区：（图oa 或oa ′段）a 点对于V 0 为开启电压，当V ＜Va ，外加电场尚克服不少因载流子扩散而形成势垒电场，此时R 很大；开启电压对于不同LED 其值不同，GaAs 为1V ，红色GaAsP 为1.2V ，GaP 为1.8V ，GaN 为2.5V 。
（2）正向工作区：电流I F 与外加电压呈指数关系I F = I S (e qVF/KT –1) -------------------------I S 为反向饱和电流 。
V ＞0时，V ＞V F 的正向工作区I F 随V F 指数上升 I F = I S e qVF/KT （3）反向死区 ：V ＜0时pn 结加反偏压V= - V R 时，反向漏电流I R （V= -5V ）时，GaP 为0V ，GaN 为10uA 。
（4）反向击穿区 V ＜- V R ，V R 称为反向击穿电压；V R 电压对应I R 为反向漏电流。
当反向偏压一直增加使V ＜- V R 时，则出现I R 突然增加而出现击穿现象。
由于所用化合物材料种类不同，各种LED 的反向击穿电压V R 也不同。
1.2 C-V 特性鉴于LED 的芯片有9×9mil (250×250um)，10×10mil ，11×11mil (280×280um)，12×12mil (300×300um)，故pn 结面积大小不一，使其结电容（零偏压）C ≈n+pf 左右。
led元件主要参数及其特性
led元件主要参数及其特性發光二極體元件主要參數及特性A.電特性:A-1 I-V 特性:表示LED晶片P-N 結製備性能主要參數。
LED的I-V特性具有非線性、整流性質：單向導電性，即外加正偏壓表現低接觸電阻，反之為高接觸電阻之特性。
如下圖：1). oa或oa′段: a點對於V0 為開啟電壓(Cut-in V oltage)，當V ＜Va，外加電場尚克服不了因載流子擴散而形成勢壘電場，此時R很大；開啟電壓對於不同LED 其值不同，GaAs為1V，紅色GaAsP為1.2V，GaP為1.8V，GaN為2.5V。
2).正向工作區：電流I F與外加電壓呈指數關係I F = I S (e qVF/KT –1) -------------------------I S 為反向飽和電流。
V＞0時，V＞V F的正向工作區I F 隨V F指數上升I F = I S e qVF/KT3). V＜0時P-N結加反向偏壓V= - V R 時，反向漏電流I R（V= -5V），GaP為0 uA，GaN 為10uA。
4). 反向擊穿區: V＜- V R ，V R 稱為反向擊穿電壓；V R 電壓對應I R為反向漏電流。
當反向偏壓一直增加使V＜- V R時，則出現I R突然增加而出現擊穿現象。
由於所用化合物材料種類不同，各種LED的反向擊穿電壓V R也不同。
A-2 名詞解釋1. 正向電流(Forward Current) If是指發光二極體正常發光時之正向電流值.2. 瞬間正向電流(Plus Forward Current) Ifp3. 反向電流(Reverse Current) Ir加在發光二極體兩端之反向電壓為確定值時,流過發光二極體之電流.4. 峰值正向電流(Peak Forward Current) Ip5. 正向電壓(Forward V oltage) Vf通過發光二極體之正向電流為確定值時,在兩極間產生之電壓降.6. 反向電壓(Reverse V oltage) Vr被測發光二極體通過之反向電流為確定值時,在兩極間產生之電壓降7. 功率耗散(Power Dissipation / Consumption ) Pd (mW)發光二極體使用時之總功率或能量.等於使用於發光二極體之正向電流(If) 與正向電壓之乘積.8. 結面溫度(Junction Temperature) Tj為發光二極體晶粒內之溫度,一般來說大部份LED Chip 僅僅能承受到110 ~ 125 oC ,假如封裝之熱阻過大,則結面溫度將升高,這對元件之性能是不好的.9. 靜電Electrostatic Discharge (ESD)ESD受損的LED則可能有變暗、報銷、短路，及低Vf （forward voltage）或Vr（reverse voltage）等現象10. 響應時間(Switching Time)響應時間表示顯示器跟蹤外部資訊變化的快慢。
LED知识大全之LED参数特性详解篇
LED知识大全之LED参数特性详解篇LED是利用化合物材料制成pn结的光电器件。
它具备pn结结型器件的电学特性：I-V特性、C-V特性和光学特性：光谱响应特性、发光光强指向特性、时间特性以及热学特性。
本文将为你详细介绍。
1、LED电学特性1.1 I-V特性表征LED芯片pn结制备性能主要参数。
LED的I-V特性具有非线性、整流性质：单向导电性，即外加正偏压表现低接触电阻，反之为高接触电阻。
图1 LED I-V特性曲线如图1：（1）正向死区：（图oa 或oa′段）a点对于V0 为开启电压，当V＜Va，外加电场尚克服不少因载流子扩散而形成势垒电场，此时R很大；开启电压对于不同LED其值不同，GaAs 为1V，红色GaAsP 为1.2V，GaP 为1.8V，GaN 为2.5V。
（2）正向工作区：电流IF 与外加电压呈指数关系：IF = IS (e qVF/KT –1)IS为反向饱和电流。
V＞0 时，V＞VF 的正向工作区IF 随VF 指数上升：IF = IS e qVF/KT（3）反向死区：V＜0 时pn 结加反偏压V= - VR 时，反向漏电流IR（V= -5V）时，GaP 为0V，GaN 为10uA。
（4）反向击穿区V＜- VR ，VR 称为反向击穿电压；VR 电压对应IR 为反向漏电流。
当反向偏压一直增加使V＜- VR 时，则出现IR 突然增加而出现击穿现象。
由于所用化合物材料种类不同，各种LED 的反向击穿电压VR 也不同。
1.2 C-V特性鉴于LED 的芯片有9×9mil (250×250um)，10×10mil，11×11mil (280×280um)，12×12mil (300×300um)，故pn 结面积大小不一，使其结电容（零偏压）C≈n+pf左右。
C-V 特性呈二次函数关系（如图2）。
由1MHZ 交流信号用C-V 特性测试仪测得。
LED点光源一些参数介绍
LED点光源是指以LED作为发光体的点光源，LED属于人造电光源之一。
一、LED的特性参数：1、电气特性包括伏安特性、允许功耗、响应时间、电容-电压特性等。
2、光学性能特性包括光谱特性、配光特性等，主要为亮度或流明值、光衰、失效率、光效、一致性以及光学分布特性等。
通常采用峰值波长和半亮度，描述光谱特性的光谱分布。
3、热特性反映结温变化、热阻等与热相关的特性。
采用高亮度LED为光源，长寿命，低功能，压铸铝灯体，PC灯罩，绿色环保。
宛如天上的星星，给人无限遐想。
运用点阵组合原理，采用LED电脑数字程控器系统，实现了不同类型的动画（Gif、Flash）、点阵文字、图形（JPG、BMP）、及各种灯光效果。
二、LED点光源的分类LED点光源分为目标点光源（Target Point）和自由点光源（Free Point）两种类型。
目标点光源可用来向一个目标点投射光线，其光线的分布属性有各向同性（isotropic）、聚光灯（spotlight）和网状（web）三种。
自由点光源的功能和目标点光源一样，只是没有目标点，用户可自行变换灯光的方向。
同样，自由点光源也具有上述三种光度控制光线分布的属性。
线光源也分为目标线光源（Target Linear）和自由线光源（Free Linear）两种类型。
目标线光源可用来向一个目标物体投射光线，其光线的分布属性有漫射（Diffuse）和网状（Web）两种。
自由线光源的功能和目标线光源一样，只是没有目标物体，用户可自行变换灯光的方向。
同样自由线光源也具有上述两种光度控制光线分布的属性。
其中光线的漫射分布将在某个角度以最大的强度向表面投射光线，随着角度的倾斜光线强度渐减。
Web 分布类型允许用户自定义灯光的发射强度。
三、LED点光源材质说明：灯体为压铸铝、车铝、航空铝等；灯罩为PC材料；聚脂棱镜透光罩；散热片设计铝壳体；橡胶密封圈。
四、LED点光源的一般生产流程1.插灯将LED灯插到灯板上2.贴片将IC贴到灯板上3.过波峰焊 LED插好后将灯板过波峰焊,IC上锡固定。
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LED主要参数与特性（时间:2005-11-19 15:36:11 共有22885人次浏览）LED是利用化合物材料制成pn结的光电器件。
它具备pn结结型器件的电学特性：I-V特性、C-V 特性和光学特性：光谱响应特性、发光光强指向特性、时间特性以及热学特性。
1、LED电学特性1.1 I-V特性表征LED芯片pn结制备性能主要参数。
LED的I-V特性具有非线性、整流性质：单向导电性，即外加正偏压表现低接触电阻，反之为高接触电阻。
如左图：(1) 正向死区：（图oa或oa′段）a点对于V0 为开启电压，当V＜Va，外加电场尚克服不少因载流子扩散而形成势垒电场，此时R很大；开启电压对于不同LED其值不同，GaAs为1V，红色GaAsP为1.2V，GaP为1.8V，GaN为2.5V。
（2）正向工作区：电流IF与外加电压呈指数关系IF = IS (e qVF/KT –1) -------------------------IS 为反向饱和电流。
V＞0时，V＞VF的正向工作区IF 随VF指数上升IF = IS e qVF/KT（3）反向死区：V＜0时pn结加反偏压V= - VR 时，反向漏电流IR（V= -5V）时，GaP为0V，GaN为10uA。
（4）反向击穿区V＜- VR ，VR 称为反向击穿电压；VR 电压对应IR为反向漏电流。
当反向偏压一直增加使V＜- VR时，则出现IR突然增加而出现击穿现象。
由于所用化合物材料种类不同，各种LED的反向击穿电压VR也不同。
1.2 C-V特性鉴于LED的芯片有9×9mil (250×250um)，10×10mil，11×11mil (280×280um)，12×12mil(300×300um)，故pn结面积大小不一，使其结电容（零偏压）C≈n+pf左右。
C-V特性呈二次函数关系（如图2）。
由1MHZ交流信号用C-V特性测试仪测得。
1.3 最大允许功耗PF m当流过LED的电流为IF、管压降为UF则功率消耗为P=UF×IFLED工作时，外加偏压、偏流一定促使载流子复合发出光，还有一部分变为热，使结温升高。
若结温为Tj、外部环境温度为Ta，则当Tj＞Ta时，内部热量借助管座向外传热，散逸热量（功率），可表示为P = KT（Tj – Ta）。
1.4 响应时间响应时间表征某一显示器跟踪外部信息变化的快慢。
现有几种显示LCD（液晶显示）约10-3~10-5S，CRT、PDP、LED都达到10-6~10-7S（us级）。
①响应时间从使用角度来看，就是LED点亮与熄灭所延迟的时间，即图中tr 、tf 。
图中t0值很小，可忽略。
②响应时间主要取决于载流子寿命、器件的结电容及电路阻抗。
LED的点亮时间——上升时间tr是指接通电源使发光亮度达到正常的10%开始，一直到发光亮度达到正常值的90%所经历的时间。
LED 熄灭时间——下降时间tf是指正常发光减弱至原来的10%所经历的时间。
不同材料制得的LED响应时间各不相同；如GaAs、GaAsP、GaAlAs其响应时间＜10-9S，GaP 为10-7 S。
因此它们可用在10~100MHZ高频系统。
2 LED光学特性发光二极管有红外（非可见）与可见光两个系列，前者可用辐射度，后者可用光度学来量度其光学特性。
2.1 发光法向光强及其角分布Iθ2.1.1 发光强度（法向光强）是表征发光器件发光强弱的重要性能。
LED大量应用要求是圆柱、圆球封装，由于凸透镜的作用，故都具有很强指向性：位于法向方向光强最大，其与水平面交角为90°。
当偏离正法向不同θ角度，光强也随之变化。
发光强度随着不同封装形状而强度依赖角方向。
2.1.2 发光强度的角分布Iθ是描述LED发光在空间各个方向上光强分布。
它主要取决于封装的工艺（包括支架、模粒头、环氧树脂中添加散射剂与否）⑴为获得高指向性的角分布（如图1）①LED管芯位置离模粒头远些；②使用圆锥状（子弹头）的模粒头；③封装的环氧树脂中勿加散射剂。
采取上述措施可使LED 2θ1/2 = 6°左右，大大提高了指向性。
⑵当前几种常用封装的散射角（2θ1/2角）圆形LED：5°、10°、30°、45°2.2 发光峰值波长及其光谱分布⑴LED发光强度或光功率输出随着波长变化而不同，绘成一条分布曲线——光谱分布曲线。
当此曲线确定之后，器件的有关主波长、纯度等相关色度学参数亦随之而定。
LED的光谱分布与制备所用化合物半导体种类、性质及pn结结构（外延层厚度、掺杂杂质）等有关，而与器件的几何形状、封装方式无关。
下图绘出几种由不同化合物半导体及掺杂制得LED光谱响应曲线。
其中LED 光谱分布曲线1蓝光InGaN/GaN 2 绿光GaP:N 3 红光GaP:Zn-O4 红外GaAs5 Si光敏光电管6 标准钨丝灯①是蓝色InGaN/GaN发光二极管，发光谱峰λp = 460～465nm；②是绿色GaP:N的LED，发光谱峰λp = 550nm；③是红色GaP:Zn-O的LED，发光谱峰λp = 680～700nm；④是红外LED使用GaAs材料，发光谱峰λp = 910nm；⑤是Si光电二极管，通常作光电接收用。
由图可见，无论什么材料制成的LED，都有一个相对光强度最强处（光输出最大），与之相对应有一个波长，此波长叫峰值波长，用λp表示。
只有单色光才有λp波长。
⑵谱线宽度：在LED谱线的峰值两侧±△λ处，存在两个光强等于峰值（最大光强度）一半的点，此两点分别对应λp-△λ，λp+△λ之间宽度叫谱线宽度，也称半功率宽度或半高宽度。
半高宽度反映谱线宽窄，即LED单色性的参数，LED半宽小于40 nm。
⑶主波长：有的LED发光不单是单一色，即不仅有一个峰值波长；甚至有多个峰值，并非单色光。
为此描述LED色度特性而引入主波长。
主波长就是人眼所能观察到的，由LED发出主要单色光的波长。
单色性越好，则λp也就是主波长。
如GaP材料可发出多个峰值波长，而主波长只有一个，它会随着LED长期工作，结温升高而主波长偏向长波。
2.3 光通量光通量F是表征LED总光输出的辐射能量，它标志器件的性能优劣。
F为LED向各个方向发光的能量之和，它与工作电流直接有关。
随着电流增加，LED光通量随之增大。
可见光LED的光通量单位为流明（lm）。
LED向外辐射的功率——光通量与芯片材料、封装工艺水平及外加恒流源大小有关。
目前单色LED的光通量最大约1 lm，白光LED的F≈1.5~1.8 lm（小芯片），对于1mm×1mm的功率级芯片制成白光LED，其F=18 lm。
2.4 发光效率和视觉灵敏度①LED效率有内部效率（pn结附近由电能转化成光能的效率）与外部效率（辐射到外部的效率）。
前者只是用来分析和评价芯片优劣的特性。
LED光电最重要的特性是用辐射出光能量（发光量）与输入电能之比，即发光效率。
②视觉灵敏度是使用照明与光度学中一些参量。
人的视觉灵敏度在λ = 555nm处有一个最大值680 lm/w。
若视觉灵敏度记为Kλ，则发光能量P与可见光通量F之间关系为P=∫Pλdλ ；F=∫KλPλdλ③发光效率——量子效率η=发射的光子数/pn结载流子数=（e/hcI）∫λPλdλ若输入能量为W=UI，则发光能量效率ηP=P/W若光子能量hc=ev,则η≈ηP ，则总光通F=（F/P）P=KηPW 式中K= F/P④流明效率：LED的光通量F/外加耗电功率W=KηP它是评价具有外封装LED特性，LED的流明效率高指在同样外加电流下辐射可见光的能量较大，故也叫可见光发光效率。
以下列出几种常见LED流明效率（可见光发光效率）：LED发光颜色λp（nm）材料可见光发光效率（lm/w）外量子效率最高值平均值红光700660650 GaP:Zn-OGaAlAsGaAsP 2.40.270.38 120.50.5 1~30.30.2黄光590 GaP:N-N 0.45 0.1绿光555 GaP:N 4.2 0.7 0.015~0.15蓝光465 GaN 10白光谱带GaN+YAG 小芯片1.6，大芯片18品质优良的LED要求向外辐射的光能量大，向外发出的光尽可能多，即外部效率要高。
事实上，LED向外发光仅是内部发光的一部分，总的发光效率应为η=ηiηcηe ，式中ηi向为p、n结区少子注入效率，ηc为在势垒区少子与多子复合效率，ηe为外部出光（光取出效率）效率。
由于LED材料折射率很高ηi≈3.6。
当芯片发出光在晶体材料与空气界面时（无环氧封装）若垂直入射，被空气反射，反射率为（n1-1）2/（n1+1）2=0.32，反射出的占32%，鉴于晶体本身对光有相当一部分的吸收，于是大大降低了外部出光效率。
为了进一步提高外部出光效率ηe可采取以下措施：①用折射率较高的透明材料（环氧树脂n=1.55并不理想）覆盖在芯片表面；②把芯片晶体表面加工成半球形；③用Eg大的化合物半导体作衬底以减少晶体内光吸收。
有人曾经用n=2.4~2.6的低熔点玻璃[成分As-S(Se)-Br(I)]且热塑性大的作封帽，可使红外GaAs、GaAsP、GaAlAs的LED效率提高4~6倍。
2.5发光亮度亮度是LED发光性能又一重要参数，具有很强方向性。
其正法线方向的亮度BO=IO/A，指定某方向上发光体表面亮度等于发光体表面上单位投射面积在单位立体角内所辐射的光通量，单位为cd/m2 或Nit。
若光源表面是理想漫反射面，亮度BO与方向无关为常数。
晴朗的蓝天和荧光灯的表面亮度约为7000Nit（尼特），从地面看太阳表面亮度约为14×108Nit。
LED亮度与外加电流密度有关，一般的LED，JO（电流密度）增加BO也近似增大。
另外，亮度还与环境温度有关，环境温度升高，ηc（复合效率）下降，BO减小。
当环境温度不变，电流增大足以引起pn结结温升高，温升后，亮度呈饱和状态。
2.6寿命老化：LED发光亮度随着长时间工作而出现光强或光亮度衰减现象。
器件老化程度与外加恒流源的大小有关，可描述为Bt=BO e-t/τ，Bt为t时间后的亮度，BO为初始亮度。
通常把亮度降到Bt=1/2BO所经历的时间t称为二极管的寿命。
测定t要花很长的时间，通常以推算求得寿命。
测量方法：给LED通以一定恒流源，点燃103 ~104 小时后，先后测得BO ，Bt=1000~10000，代入Bt=BO e-t/τ求出τ；再把Bt=1/2BO代入，可求出寿命t。
长期以来总认为LED寿命为106小时，这是指单个LED在IF=20mA下。
随着功率型LED开发应用，国外学者认为以LED的光衰减百分比数值作为寿命的依据。