非易失存储器设计说明
非易失存储器
非易失存储器如果断电，RAM(DRAM,SRAM)会丢失它们的信息，从这个意义上说，它们是易失的。
非易失性存储器即使是在断电关机后，仍然保存着它们的信息。
有很多种非易失性存储器，由于历史原因，虽然ROM中有的类型既可以读也可以写，但是它们整体上都被称为只读存储器(ROM)。
ROM是以它们能够被重编程的次数和对它们进行重编程所用的机制来区分的。
1.PROMPROM是可编程ROM的简称，英文名字——Promrammable ROM，只能被编程一次。
PROM的每个存储器单元有一种熔丝，只能用高电流熔断一次。
现在还有一些便宜的单片机中再使用。
2.可擦写可编程ROM可擦写可编程ROM的英文名字是Erasable Programmable ROM，简称EPROM。
EPROM有一个透明的石英窗口，允许光到达存储单元。
紫外线光照射过窗口，EPROM单元就被清除为0。
对EPROM编程是通过使用一种把1写入EPROM的特殊设备来完成。
EPROM能够被擦除和重编程的次数的数量级可以达到1000次。
电子可擦除PROM，英文名字Electrically Erasable PROM简称EEPROM，类似于EPROM，但是它不需要一个物理上独立的编程设备，因此可以直接在印制板上编程。
EEPROM能够被变成的次数的数量级可以达到100000次。
广泛的应用在电子设备领域。
3.闪存闪存英文名字——flash memory 是一类非易失性存储器，基于EEPROM，它已经成为了一种重要的存储技术。
闪存无处不在，为大量的电子设备提供快速而持久的非易失性存储，包括数码相机、手机、音乐播放器、PDA和笔记本、台式机和服务器计算机系统。
并且是固态硬盘（SSD）的基础器件。
非易失性存储器讲解
非易失性存储器1. 绪论随机存储器(如 DRAM 和 SRAM 的缺点之一就是掉电后所存储的数据会随之丢失。
为了克服这个问题,人们已设计并开发出了多种非易失或 /且可编程的存储器。
最近,基于浮栅概念的闪存由于其小的单元尺寸和良好的工作性能已经成为最通用的非易失存储器。
因此 , 在本文中,我们将着重介绍 ROM 的两种结构(即 NOR 和 NAND 阵列和闪存的基本结构及其应用。
2. MOS ROM 阵列的两种实现方法2.1 基本 ROM 单元只读存储器阵列可以看做是一种简单的组合布尔逻辑,即它对每个输入组合(地址都会产生一个指定的输出值。
因此, 在一个特定地址存储二进制信息, 可以通过被选行 (字线与被选列 (位线间有无数据路径 (相当于特定位置上有无元件或元件是否在标准电压下导通来实现。
而实现数据路径的基本结构有两种,即 NOR 和NAND 阵列。
图 2.1 ROM 的 1和 0 单元的不同实现方式首先,考虑最简单的单元,如图 2.1(a所示,这是一个基本的 ROM 单元。
假设位线 BL 通过一个电阻接地,没有任何其他的激励或输入。
这就是 0单元中的情况(2.1(a下图。
由于字线 WL 和位线 BL 之间不存在任何实际的连接,所以 BL 的值为低电平而 WL 得值无关。
反之,当把一个高电压 WL V 加在 1单元的字线上时二极管导通,字线被上拉至( WL D on V V ,结果在位线上形成了一个 1。
总之,在 WL 和 BL 之间是否存在一个二极管区分了 ROM 单元中存放的是 1还是 0。
2.2 NOR ROM 结构然而,由于二极管单元的位线与字线是不隔离的,所有需要用来充电位线电容的电流必须通过字线和它的驱动器来提供, 而这些电流这大容量存储器中是非常大的, 因此, 这一1(aDiode ROM (bMOS ROM 1(cMOS ROM 2方法只适用于小存储器。
一个改善隔离的方法是在单元中使用一个有源器件,如图 2.1(b所示, 其工作原理与二极管单元相同,但是它的所有输出驱动电流都是由单元中的 MOS 管提供的, 字线驱动器只负责充电和放电字线电容。
EEPROM存储器概述..
非易失性存储器概述一、介绍这篇文章论述了非易失性存储器（NVM）基本概况。
第1部分介绍了非易失性存储器的主要背景以及一些存储器的基本术语。
第2部分主要阐述了非易失性存储器的工作原理（通过热电子注入实现编程）。
第3部分包含了非易失性存储器的擦除原理，以及隧道效应。
第4部分介绍了用于预测非易失性存储器的编程特性的模型，用“幸运电子”模型来表述热电子注入模式。
第5部分主要介绍非易失性存储器可靠性，包括在数据保存、耐受力和干扰影响下的可靠性。
关键词：非易失性，存储器，热电子注入，隧道效应，可靠性，保存，存储干扰，EEPROM，Flash EEPROM。
存储器分为两大类：易失性存储器和非易失性存储器。
易失性存储器在掉电后会失去其所存储的数据，故而需要继续不断的电源才能保存数据。
大部分的随机存取存储器（RAM）都是易失性的。
非易失性存储器则在掉电后不会丢失数据。
一个非易失性存储器（NVM）本质上是一个MOS管，由一个源极、一个漏极、一个门极，以及一个浮栅。
与常用的MOSFET 不同的是，NVM多了一个浮栅，浮栅与其它部分是绝缘的。
非易失性存储器又细分为两个主要的分类：浮栅型和电子俘获型。
Kahng 和Sze在1967年发明了第一个浮栅型器件。
在这种器件中，电子受隧道效应的影响，通过一个3nm厚的二氧化硅层，从一个浮栅中转移到基层中。
通过隧道效应，非易失性存储器可以更容易地被擦除或改写，通常隧道效应只在厚度小于12nm的氧化物中存在。
浮栅中存储电子后，可以使得阈值电压被降低或者提高，而阈值电压的高低也就分别代表了逻辑值1或0。
在浮栅型存储器件中，电子（也即是数据）存储在浮栅中，故而掉电后，数据不会丢失。
所有的浮栅型存储器件都是一样的存储单元结构，如下图1所示，一个存储单元由门极MOS 管堆叠而成。
第一个门是浮栅门，被埋在栅氧化层（Gate Oxide）和内部多晶硅绝缘层（IPD）之间，位于控制门（Control Gate）的下方。
片内非易失性存储器
14
Flash在PIC单片机中的使用
Flash存储器成本低廉，易 于集成，但可重复读写的 次数有限，因此被用作程 序存储器。 PIC中档单片机的Flash满足 每个字的宽度为16位，程 序空间的最大长度为221 的 要求。 在地址的组织上以2K字为 一个页，不同型号的单片 机片内含有的Flash页数不 等。
9
EEPROM在PIC单片机中的使用
单片机系统，经常需要根据现场实际情况设定或调整 工作参数。存储参数的存储器必须：
第一，能够在运行条件下进行动态修改，也就是可以通过 程序读写其内容； 第二，系统掉电后，设置的内容不会丢失，否则每次开机 后这些参数需要重新设定或调整。
10
EEPROM在PIC单片机中的使用
4
常见非易失性存储器
紫外线擦除的EPROM
EPROM可以用紫外擦除工具多次修改其内 容，但使用时仍然很不方便且成本较高， 它很少用于实际产品，含有EPROM的PIC 单片机通常只在开发阶段使用。
含有EPROM的PIC单片机
5
常见非易失性存储器
一次性电可编程存储器（OTP）
OTP技术允许生产者可以通过编程器等工具对其进行一次 性的编程。这种技术采用了类似掩膜ROM的工艺，在没有 大幅度提高制造成本的同时，为单片机系统生产者生产批 量较小的新产品提供了有效的选择。 PIC单片机中中第六个字符为C字母的，其程序存储器多采 用OTP技术。
6
常见非易失性存储器
Flash
Flash技术是半导体业的一次革命，它提高了存储器的制造 密度，降低了单位成本。更为重要的是Flash技术允许使用 者通过电的方法多次擦写其内容（10,000次左右），可以 作为程序存储器。 目前大部分的单片机都采用Flash技术来
非易失存储器原理与测试说明
“非易失存储器”原理与测试说明1程序设计目标及程序运行效果说明程序设计目标：本程序是对24C02存储页面的0x00地址写入可变化的数据，然后读取数据，并显示在数码管上。
程序运行效果说明：位数码管默认显示0。
按下key3，要写入数据的地址加1。
按下key2要写入的数据加1。
按下key1，向存储器写入数据并读取数据，并显示在数码管上。
数码管左边2位（第一、第二位）是写入的地址,数码管中间两位（第四、第五位）是写入的数据，数码管右边两位（第七、第八位）是显示从非易失存储器读取的数据。
2程序相关电路及工作原理说明非易失性存储器（nonvolatile memory）是掉电后数据能够保存的存储器，它不用定期地刷新存储器内容。
这包括所有形式的只读存储器（ROM），像是可编程只读存储器（PROM）、可擦可编程只读存储器（EPROM）、电可擦除只读存储器（EEPROM）和闪存。
在许多常见的应用中，微处理器要求非易失存储器来存放其可执行代码、变量和其他暂态数据（例如采集到的温度、光照等数据）。
2.1 24C02工作电路及其工作原理图1 24C02模块电路本实验采用24C02芯片， 24C02通过IIC_SCL和IIC_SDA与单片机相连，单片机以IIC 总线的方式对24C02进行读写。
24C02是一个2K位串行E2PROM，内部含有256个8位字节。
（1）管脚配置（2）管脚描述（3）寻址方式寻址信号由一个字节构成，高7位为地址位，最低位为方向位，用以表明主机与从器件的数据传送方向。
方向位位0，表明主机接下来对从器件进行写操作；方向位位1，表明主机接下来对从器件进行读操作。
A0，A1和A2对应器件的管脚1，2和3；a8，a9和a10对应存储阵列地址字地址；（4）读/写时序写一个字节时序读一个字节时序如图，写一个字节时序，第一个DEV SEL是器件选择信号，器件选择的范围为（000~111），总共可以选择8个24C02芯片器件。
非易失性存储器
非易失性存储器1. 绪论随机存储器（如DRAM 和SRAM ）的缺点之一就是掉电后所存储的数据会随之丢失。
为了克服这个问题，人们已设计并开发出了多种非易失或/且可编程的存储器。
最近，基于浮栅概念的闪存由于其小的单元尺寸和良好的工作性能已经成为最通用的非易失存储器。
因此,在本文中，我们将着重介绍ROM 的两种结构（即NOR 和NAND 阵列）和闪存的基本结构及其应用。
2. MOS ROM 阵列的两种实现方法2.1 基本ROM 单元只读存储器阵列可以看做是一种简单的组合布尔逻辑，即它对每个输入组合（地址）都会产生一个指定的输出值。
因此，在一个特定地址存储二进制信息，可以通过被选行（字线）与被选列（位线）间有无数据路径（相当于特定位置上有无元件或元件是否在标准电压下导通）来实现。
而实现数据路径的基本结构有两种，即NOR 和NAND 阵列。
图2.1 ROM 的1和0 单元的不同实现方式首先，考虑最简单的单元，如图2.1(a)所示，这是一个基本的ROM 单元。
假设位线BL 通过一个电阻接地，没有任何其他的激励或输入。
这就是0单元中的情况（2.1(a)下图）。
由于字线WL 和位线BL 之间不存在任何实际的连接，所以BL 的值为低电平而WL 得值无关。
反之，当把一个高电压WL V 加在1单元的字线上时二极管导通，字线被上拉至()WL D on V V ，结果在位线上形成了一个1。
总之，在WL 和BL 之间是否存在一个二极管区分了ROM 单元中存放的是1还是0。
2.2 NOR ROM 结构然而，由于二极管单元的位线与字线是不隔离的，所有需要用来充电位线电容的电流必须通过字线和它的驱动器来提供，而这些电流这大容量存储器中是非常大的，因此，这一10 (a)Diode ROM (b)MOS ROM 1 (c)MOS ROM 2方法只适用于小存储器。
一个改善隔离的方法是在单元中使用一个有源器件，如图 2.1(b)所示，其工作原理与二极管单元相同，但是它的所有输出驱动电流都是由单元中的MOS 管提供的，字线驱动器只负责充电和放电字线电容。
eeprom存储器原理
EEPROM（Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory）是一种非易失性存储器，它可以通过电子擦除和编程操作来存储和读取数据。
EEPROM的存储原理是基于电荷积累效应。
它由一系列的存储单元组成，每个存储单元可以存储一个位（0或1）。
每个存储单元包含一个浮栅（floating gate）和一个控制栅（control gate）。
浮栅是一个与控制栅隔离的金属层，可以在其中存储电荷。
当需要将数据写入EEPROM时，首先将控制栅上的电压设置为编程电压，然后将数据位的电压设置为高电压或低电压。
高电压表示1，低电压表示0。
然后，通过控制栅上的电压，将电荷传输到浮栅上。
这样，浮栅上的电荷量就代表了存储的数据。
当需要读取EEPROM中的数据时，将控制栅上的电压设置为读取电压，然后测量浮栅上的电荷量。
根据浮栅上的电荷量，可以确定存储的数据是0还是1。
当需要擦除EEPROM中的数据时，将控制栅上的电压设置为擦除电压，然后将浮栅上的电荷量清零。
这样，存储单元就
被擦除，可以重新写入新的数据。
总结来说，EEPROM的存储原理是通过控制栅上的电压来控制浮栅上的电荷量，从而实现数据的存储、读取和擦除。
NRAM存储器设计与优化
NRAM存储器设计与优化随着信息技术的快速发展，存储器的需求不断增长。
而传统存储器技术如DRAM和FLASH存储器已经难以满足日益增长的存储需求。
为了应对这一挑战，新型非易失性随机存储器（Non-volatile Random Access Memory，NRAM）应运而生。
本文将探讨NRAM存储器的设计原理和优化方法。
NRAM存储器是一种基于磁性元件的非易失性存储器，它能够同时提供闪存和DRAM存储器的优点。
NRAM的核心组件是磁隧穿隧电阻（Magnetic Tunnel Junction，MTJ）。
MTJ由两层磁性材料间的绝缘层组成，其中一层被称为自旋极化层（Polarizing Layer），另一层被称为顺磁层（Ferromagnetic Layer）。
通过控制自旋极化层的自旋状态，可以实现MTJ的两种状态。
MTJ的两个状态分别对应数据的0和1。
NRAM存储器具有很多优点。
首先，它具备非易失性，即使在断电情况下也能保持数据的完整性。
这使得NRAM存储器适用于需要高度可靠性和数据持久性的应用场景。
其次，NRAM存储器具有快速的读写速度，在访问速度方面明显优于闪存存储器。
此外，NRAM存储器的耐用性极高，可以进行多次擦写操作而不会出现性能损失。
最后，NRAM存储器具有较低的功耗，这对于移动设备和嵌入式系统来说非常重要。
在设计NRAM存储器时，需要考虑一些关键因素。
首先是MTJ的可靠性和稳定性。
MTJ自旋极化层的磁性稳定性对保持数据的准确性至关重要。
因此，需要选择合适的材料和结构来优化MTJ的可靠性。
其次是NRAM存储器的集成密度。
NRAM存储器的核心组件MTJ的尺寸越小，存储器的集成密度就越高。
因此，研发人员需要优化MTJ的尺寸和相互之间的间距，以实现更高的存储密度。
此外，还需要考虑NRAM存储器的功耗和读写速度。
通过优化电路设计和降低电流的操作，可以降低功耗并提高读写速度。
为了进一步优化NRAM存储器的性能，有几个关键技术值得注意。
非易失性存储器(最全版)PTT文档
非易失性存储器的发展
浮栅存储器工作原理
• 在常规MOSFET的栅堆栈结构中加入与顶层控 制栅隔离的多晶硅形成浮栅，浮栅被SiO2绝缘 层包围。通过对器件栅极(G)、源极(S),漏极(D) 加适当的电压将沟道中的电荷注入到浮栅或从 浮栅中泄漏，从而引起器件阈值电压的变化， Ia一Vg曲线也发生相应的平移，不同的曲线用 来表示逻辑上的“0”和“1”两个状态，进行数据 存储。所存储的数据在失去外部供电后，由于 浮栅被栅堆栈中的绝缘层隔离而得以保存，即 所谓的非挥发性。
电荷陷阱存储器工作原理
• 电 不 储 S常i3荷同在数N4陷之具材以阱处有料及型在高中一存 于 缺 ，些储 电 陷 如禁器 荷 能H带fO基 陷 级宽2本 阱 密,度Hf结 型 度A非l的构 存O常。材和 储较料浮器小中栅的的，类电高包似荷介括，存电 通V浮电电((而(传 (通V通V通V这。随S电在它 传自自存(而特浮所通V(存编下在S这。764164zzggggg))))))过栅荷荷减统过过过里后荷常采统11储减点栅存过储程是常里ee曲 纳 由 由 简 曲 曲 曲由 曲 由99提 提对 存 陷 陷 小 浮对 对 对 用 ， 陷 规 用浮 器 小 ： 存 储 对 器 时 无 规 用66线米于于单线线线 于线于77出出器储阱阱了栅 器器器二F阱M具 栅编了在储的器编，法M二也晶没器、也也也 没也器年年l基基OOa件器存存器器 件件件进存有 器程器掉器数件程栅“进发存有件低发发发 有发件贝贝sSS于于h栅工储储件件 栅栅栅制储两 件/件电工据栅/极逃制生储漏工成生生生 漏生工尔尔FF擦擦存浮浮EE极作器器的面 极极极数器种 面的以作在极加走数相器极作本相相相 极相作实实除除储TT栅栅原工工面临 “工稳 临面后原失正“((((("的的应还与时的应应应 与应时验验（（GGGGG的器结结理作作积的 作定 的积，理去电11)))))栅栅的具浮仅器的的的 浮的仅室室PP，、、、、、主""构构和和//原原，问 原状 问，存外压堆 堆平有栅对件平平平 栅平对EE((因源源源源源要BB((））““理理降题理态题降储部，FF栈栈移优间纳结移移移 间移纳ee此极极极极极朝GGll00低的 低在供电ll结结，良的米构，，， 的，米可,,(((((着LL””SSSSS了物 了存电荷FFaa构构不的耦晶。不不不 耦不晶以)))))电分分bbll,,,,,oo成理 成储后通漏漏漏漏漏))中中同抗合中同同同 合同中存aa荷别别的的tt本器 本器，过极极极极极加加的辐作的的的的 作的的ii储俘nn代代DD。件 。中由某gg(((((入入..曲射用少曲曲曲 用曲少电DDDDD获表表GG来 的于种)))))与与线性，量线线线 ，线量荷加加加加加型低低aa存 数浮方tt顶顶用能从电用用用 从用电。适适适适适ee存阈阈储 据栅式))层层来，而荷来来来 而来荷的的当当当当当储值值信 不被注控控表具减进表表表 减表进非非的的的的的器电电息 会栅入制制示 有 少 行 示 示 示少 示 行挥 挥电电电电电阻压压丢堆到栅栅逻航了操逻逻逻 了逻操发发压压压压压挡状状失栈存隔隔辑天漏作辑辑辑 漏辑作性性将将将将将层态态。中储离离上技极，上上上 极上，半半沟沟沟沟沟的和和的层的的的术引可的的的 引的可导导道道道道道研高高绝中多多“应起实“““ 起“实体体中中中中中究阈阈缘，晶晶用的现的现00000存存的的的的的两值值”””” ”层这硅硅的穿低穿低储储电电电电电个电电和和和和 和隔时形形潜通功通功器器荷荷荷荷荷方压压““““ “离，成成力效耗效耗注注注注注向状状11111而存浮浮。应存应存”””” ”入入入入入发态态得储栅栅，储，储两两两两 两到到到到到展，，以层，，使的使的个个个个 个浮浮浮浮浮““保起浮浮得目得目状状状状 状栅栅栅栅栅OO存到栅栅可的可的””态态态态 态或或或或或，一被被以。以。表表，，，， ，从从从从从即个SS在在示示进进进进 进浮浮浮浮浮ii所势OO器器存存行行行行 行栅栅栅栅栅22谓阱件件储储数数数数 数绝绝中中中中中的的读读器器据据据据 据缘缘泄泄泄泄泄非作出出已已存存存存 存层层漏漏漏漏漏挥用时时经经储储储储 储包 包，，，，，发 ，使使被被。。。。 。围围从从从从从性进用用编编。。而而而而而。入大大程程引引引引引其漏漏，，起起起起起中极极““器器器器器的电电11件件件件件""电表表压压阈阈阈阈阈荷示示和和值值值值值在存存小小电电电电电没储储的的压压压压压有器器沟沟的的的的的外己己道道变变变变变力经经长长化化化化化的被被度度，，，，，作擦擦，，IIIIIaaaaa用除除进进一一一一一
- 1、下载文档前请自行甄别文档内容的完整性，平台不提供额外的编辑、内容补充、找答案等附加服务。
- 2、"仅部分预览"的文档,不可在线预览部分如存在完整性等问题,可反馈申请退款(可完整预览的文档不适用该条件!)。
- 3、如文档侵犯您的权益，请联系客服反馈,我们会尽快为您处理(人工客服工作时间：9:00-18:30)。
“非易失存储器”设计说明
1 程序设计框架说明
本案例程序设计主要分为：24C02、按键、数码管显示三个模块。
1.1宏定义
#define FOSC 11059200L //晶振频率
#define T_ms 0.1 //定时时间为0.1ms=100us
#define NMAX_KEY 10 //计数消抖限定值
2.2引脚定义
/********24C02*******/
sbit DAT=P4^0; //I2C总线的数据线
sbit CLK=P5^5; //I2C总线的时钟线
/********数码管显示******/
sbit led =P2^3; //数码管与LED灯切换引脚
sbit Key1=P3^2; //按下key1，向存储器写入数据并读取该地
址的数据，显示在数码管上。
sbit Key2=P3^3; //按下key2，要写入的数据加1
sbit Key3=P1^7; //按下key3，要写入的地址加1
2.3 变量定义
uchar duan[]=
{0x3f,0x06,0x5b,0x4f,0x66,0x6d,0x7d,0x07,0x7f,0x6f,0x77,0x7c,0x39,0x5e,0x79,0x7 //数码管段选，显示0-f
uchar wei[]={0x00,0x01,0x02,0x03,0x04,0x05,0x06,0x07}; //数码管
位选
uchar flag1; //数码管循环扫描变量
uchar write_addr; //写入地址
uchar write_date; //写入数据
uchar read_date; //读出数据
/********按键计数消抖变量******/
uchar G_count; //定时器0中断计数值
uint Key1_count; //KEY1键在1ms内达到低电平的次数
uint Key2_count; //KEY2键在1ms内达到低电平的次数
uint Key3_count; //KEY3键在1ms内达到低电平的次数
uint Key_count; //由100递减到0的变量
bit flg_1ms; //表示1ms时间到
bit Key1_C; /*key1当前的状态*/
bit Key1_P; /*key1前一个状态*/
bit Key2_C; /*key2当前的状态*/
bit Key2_P; /*key2前一个状态*/
bit Key3_C; /*key3当前的状态*/
bit Key3_P; /*key3前一个状态*/
2、程序函数说明
（1）延时程序
void delay() //延时4us
void delay(unsigned int xms) //延时xms
（2）24C02读写函数
void start(); //主机发送的启动信号
void respons()； //从机应答信号
void stop()； //停止信号
void writebyte(uchar da); //对24C16写一个字节数据
uchar readbyte(); //从24C16中读一个字节数据
void write_add(uchar addr,uchar date); //对24C16的地址addr写入一个数据da
uchar read_add(uchar addr); //从24C16的addr地址，读一个字节数据
（3）数码管显示函数
void SMG1 (uchar date1,uchar date2,uchar date3)；
（4）定时器0 中断函数
void Timer_T0() interrupt 1； //在定时器中短中调用数码管显示函数（5）系统初始化
void IIC_init(); //IIC总线初始化
void Timer0_Init(); //定时器0初始化
void KEY_init(); //按键消抖模块初始化
2程序设计框架及关键技巧说明
2.1 I/O引脚及相关寄存器配置
2.1.1 I/O引脚：
(1)数码管位选引脚
整个设置P2口的值;
(2)数码管使能引脚
sbit led = P2^3 ;
(3)DS1302引脚
sbit DAT=P4^0; //I2C总线的数据线
sbit CLK=P5^5; //I2C总线的时钟线
(4)按键引脚
sbit key1 = P3^2 ; //写入数据并读取数据显示在数码管上
sbit key2 =P3^3; //写入的数据加1
sbit key3 =P1^7; //写入的数据的地址加1
2.2 定时器0寄存器设置
TMOD=0x00; //计时器0工作方式0，16位自动重装计数
AUXR=0x80; //1T模式,T0x12=1,
EA=1; //开总中断
ET0=1; //开定时器0中断
TH0=(65536-T_ms*FOSC/1000)/256;//给定时器赋初值
TL0=(65536-T_ms*FOSC/1000);
TR0=1; //启动定时器2.3程序流程图。