DDR系列设计规范“连接器技术标准
DDR布线规范
DDR布线规范1、DDR3管脚定义》CK/CK# 全局差分时钟，所有控制和地址输⼊信号在CK上升沿和CK#的下降沿交叉处被采样，输出数据选通（DQS、DQS#）参考与CK 和CK#的交叉点。
》CKE为时钟使能信号，使能（⾼）和禁⽌（低）内电路和DRAM上的时钟。
由DDR3 SDRAM配置和操作模式决定特定电路被使能和禁⽌。
CKE为低时，提供预充电和⾃刷新操作（所有Bank都处于空闲），或有效掉电（在任何Bank⾥的⾏有效）。
CKE与掉电状态的进⼊、退出以及⾃刷新的进⼊同步。
CKE与⾃刷新的退出异步，输⼊Buffer（除了CKE、CK#、RESET#和ODT）在掉电期间被禁⽌。
输⼊Buffer（除了CKE和RESET#）在⾃刷新期间被禁⽌。
CKE的参考值是VREFCA。
》CS#为⽚选信号，使能（低）和禁⽌（⾼）命令译码，⼤部分CS#为⾼时，所有命令被屏蔽、CS#提供了多Bank系统的Bank选择功能，CS#是命令代码的⼀部分，CS#的参考值是VREFCA。
》ODT⽚上终端使能。
ODT使能（⾼）和禁⽌（低）⽚内终端电阻，在正常操作使能时，ODT仅对下⾯的引脚有效：DQ[7:0]、DQS、DQS#和DM。
如果通过LOAD MODE命令禁⽌,OTD输⼊被忽略。
OTD的参考值是VREFCA。
》BA0、BA1、BA2为BANK地址输⼊，⽤来确定当前的命令操作对哪个BANK有效。
BA[2:0]定义在LOAD MODE命令器件哪个模式（MR0、MR1、MR2）被装载，BA[2:0]的参考值是VREFCA.》A0~A9、A10/AP、A11、A12/BC#、A13为地址总线，为有效命令提供⾏地址，同时为读、写命令提供列地址和⾃动预充电位（A10），以便从某个Bank的内存阵列⾥选出⼀个位置。
LOAD MODE命令器件，地址输⼊提供⼀个操作码。
地址输⼊的参考值是VRECA。
A12/BC#是在模式寄存器(MR)使能时，A12在读和写命令期间被采样，已决定burst chop(on-the-fly)是否被执⾏（HIGH=BL8执⾏burst chop）或者LOW-BC4不执⾏burst chop。
连接器基本技术要求1
连接器基本技术要求（参考）1.1主题內容本规范规定了连接器的基本技术要求,试验的方法和检验规则要求.1.2适用范围本规范适用于电视机及类似电子设备用的条形连接器.本标准等效采用电子工业部行业标准:TJC型条形连接器总规范及TJC!/TJC2/TJC3/TJC4/TJC5条形连接器详细规范2引用规范SJ/T10642—1995<<TJC型条形连接器总归范>>SJ/T10643—1995<<TJC1型条形连接器详细规范>>SJ/T10644—1995<<TJC2型条形连接器详细规范>>SJ/T10645—1995<<TJC3型条形连接器详细规范>>SJ/T10646---1995<<TJC4型条形连接器详细规范>>SJ/T10647---1995<<TJC5型条形连接器详细规范>>3 外形结构及尺寸应该满足各用户要求.4 技术要求和试验方法: (环境条件:温度:-25度~85度,恒定湿热4D)样品其阴接触件连接器的导线长度应不小于150MM,当试验中要求安装时应采用正常的安装方法,按规范把阳接触件连接器安装在治具上.(“样品”指成套的连接器)4.1外观4. 1.1要求:连接器零件表面应清洁`不得有毛刺,裂纹或其它机械伤,标识应正确,清晰,牢固4. 1.2检查方法:目视.4.2结构.尺寸4.2.1要求:连接器的结构,外形及安装尺寸应符合产品规格要求4.2.2检查工具:钢直尺`卡尺`千分尺`导通仪等4.3互换性4. 3.1要求:同一型号.同一规格的连接器应能通用互换.4. 3.2检查方法:用相同规格配对的阳接触件连接器(或阴接触件连接器)和阴接触件连接器(或阳接触件连接器)进行互换插配检查.4.4插入力和拔出力4. 4.1要求:连接器的插入力和拔出力应符合用户产品要求.4. 4.2检查方法:A）测插入力时,应将阳接触件连接器固定在推拉式测力计上,相配的阴接触件连接器以1~5mm/s的速度沿连接器的轴线方向插入测量插入力.B）测量拔出力时,应将测力计固定在距离阴接触件连接器导线150mm处,以1~5mm/s的速度沿连接器的轴线方向将阳接触件连接器拔出测量拔出力.4.5接触电阻4. 5.1要求:连接器每一接触对间的接触电阻初始值应不大于0.01欧姆,寿命试验后应不大于0.02欧姆4. 5.2检查方法:试验时插合连接器,在测量两端负载DC6±1V/1A的电压,接触电阻值应从测量值中减去所用导线的电阻值.4.6绝缘电阻.4. 6.1要求:连接器相邻接触件间的初始绝缘电阻和恒定湿热试验后的绝缘电阻都≥500MΩ(测量绝缘电阻时必须读取稳定的数值,如果1min内没有稳定值,应在报告中注明.)4. 6.2测试方法:a在最小间距的相邻引出端之间加上规定试验电压500±50V/DC;b测量时应把连接器和导线置于正常工作位置上.4.7耐电压4.7.1要求:连接器相邻接触件间应能承受规定的试验电压的作用而无闪络、飞弧和击穿,漏电流不超最大值.4.7.2测验方法:a将样品的所有引出端交错连接形成两组,每组内不许互相邻近的接触件(触点),样品应依次承受规定的试验电压;b引出端排两排或两排以上时,为了测量每对相邻引出端之间的耐电压,必须组成两种排列的两组.4.8接触件的固定性4.8.1要求:每一接触件在规定的拉力作用下不应从基座中脱出,以评价接触件固定机构耐受正常使用可能遇到的轴向机械应力的能力.4.8.2试验方法:a试验时固定阴(阳)接触连接器,把测力计固定在距离连接器导线150mm处,在连器轴线方向上施加规定的拉力,力的保持时间为5S;b试验接触件数目:每个连接器3个,不足3个接触件时全部测量;c试验所用导线的压接强度应大于接触件的固定性.4.9抗张强度4.9.1要求:连接器每一接触件与导线压接连接的抗张强度应不小于规定;4.9.2试验方法:a在试验装置夹头中夹紧试验样品尾部施加张力,应注意不要压伤接触件或端接件的压接筒;b要使张力沿着压接连接的轴线方向上;c张力试验机的头部应以25mm/min至50mm/min的速度平稳地移动;单独试验每一试验样品,直到一端的导体被拉脱或导线被拉断为止.(每个连接器测3个接触件,不足3个接件时全部测量).4.10可焊性4.10.1要求:连接器接端应容易被熔融焊料湿润,沾锡面积应占浸入面积的90%以上4.10.2试验条件:温度:235±5℃,时间:2±0.5S4.11耐焊接热4.11.1要求:连接器应能承受焊接试验的影响而无损伤4 11.2条件温度:260±5℃,时间;5±1S.4.12温度急变4 .12.1要求:连接器经受温度急变试验后应无影响正常操作的损伤.4. 12.2试验条`件:高温:+85℃,低温:–25℃,5次循环. 鉴定检验:25次循环;接触电阻≤0.02Ω4.13高温4 13.1要求:连接器应能承受规定的高温试验而无影响正常操作的损伤.4.13.2试验条件:温度:+85℃时间:4小时鉴定检验`:240小时4.14恒定湿热4.14.1连接器应能承受规定的严酷度下进行的恒定湿热试验.试验后绝缘电阻耐压应`符合规定,并无影响正常操作的损伤.4.14.2试验条件:时间:4d 鉴定检验:10d 绝缘电阻≥500ΜΩ耐压:1000V(500HZ)4.15振动4.15.1要求:连接器应能承受规定的振动试验,试验后应无影响正常操作的损伤.4.15.2试验方法:a,试验时插合连接器并模拟正常工作状态,安装在印制板上;b,振频为10~500HZ, 振幅值为0.35mm(加速度为50m/S)、每一轴线扫频循环次数10次.4.16机械寿命4.16.1要求:连接器应能承受规定的机械寿命试验,试验后无影响正常操作的损伤.接触电阻应符合规定.带锁紧结构的连接器其紧锁结构应无影响正常操作损伤.4. 16.2方法:插拔50次. 接触电阻≤0.02Ω4.17盐雾4.17.1要求:连接器应能经受规定的盐雾试验的作用,试验后应无露出底金属的严重锈蚀.(注:使用预镀好的成材,其落料面允许有不影响其性能要求的轻微腐蚀.)4.17.2试验条件:样品放在喷雾机内,保持15°-30°斜度不可相互接触;浓度5±1%生理盐水溶液,压缩空气力(1公斤/平方厘米);盐水喷雾量(1-2毫升/80平方厘米/小时);压力桶温度47±1℃;盐水桶温度(和试验室温度)35±1℃;喷雾48小时(规定时间)后,取出样品用水洗净,烘干后检测接触阻抗,需符合规定(接触电阻≤0.02Ω).判定方法:起泡、裂痕等使用标准难以判断者，可用附有标尺的放大镜判定，或由买卖双方事先所协定的方法判定之。
连接器设计规范
连接器设计规范一、SMT表面焊接技术设计规范⑴、SMT TYPE的连接器, 其所有零件脚与胶芯基准面相对位置度须≦0.15 mm。
⑵、SMT TYPE的连接器, 其所有零件脚最差位置度须与胶芯基准面等高度(= 0)。
⑶、SMT TYPE的连接器, 其所有零件脚最佳设计值应低于胶芯基准面0.05 mm。
⑷、SMT TYPE的连接器, 其所有零件脚最佳设计角度为90°。
⑸、SMT TYPE的连接器, 其所有零件脚次佳设计角度为向下倾斜约0°～2°(90°～92°)与PC Board 至少应有三分之一以上之接触。
⑹、SMT TYPE的连接器, 其所有零件脚最差设计角度为向上倾斜角度＜90°, 此设计角度会造成焊锡性不良。
⑺、SMT TYPE的连接位置度方向表示,以胶芯基面为零, 向上为正(+)向下为负(-)。
⑻、SMT端子在模、治具加工段须注意端子毛边方向,毛边不可在端子与PCB接触面。
二、SMT TYPE 连接器端子脚设计规范⑴、PAD的大小主要是受端子脚的Pitch与长`宽而影响。
⑵、Pitch愈大,相对的端子宽度与PAD宽度亦可加大。
b= a + 0.10 mm min. a = 端子脚宽度 c = 端子脚长度d= c + 0.40 mm min. b = PAD宽度 d = PAD 长度下列为建议之SMT TYPE 连接器端子脚与PC Board PAD接触范围单位 : mmPitch 0.50 mm 0.80 mm 1.0 mm 1.27 mm 2.0 mm 2.54 mma 0.20 0.25 0.40 0.40 0.60 0.60b 0.30 0.50 0.60 0.80 1.0 1.20c c c c c c cd c + 0.40 c + 0.40 c + 0.40 c + 0.40c +0.40c + 0.40e 0.20 0.30 0.40 0.47 1.0 1.34a=端子脚宽度；长度；e=PAD与PAD间之距离三、平整度设计建议规范(1)、SMT TYPE的连接器, 其所有零件脚的相对高低位置视为平整度,一般要求为0.10mmMax.(2)、平整度表示方式有下图所列几种方式；对SMT产品标准标示:①、端子间平整度②、端子与胶芯基准面位置度。
DDR布线规则与过程
DDR布线规则与过程DDR（Double Data Rate）是一种高速数据传输技术，广泛应用于计算机内存和图形显示等高性能系统中。
DDR布线规则是为了确保高速信号传输的稳定性和可靠性而制定的一系列设计准则和规定。
本文将详细介绍DDR布线规则及其过程。
一、DDR布线规则的重要性DDR技术的高速性质意味着信号传输时间短，信号噪声和衰减问题更加严重。
因此，DDR布线规则的设计是十分关键的，可以有效地降低信号间干扰、串扰、反射等问题的发生，提高系统的稳定性和可靠性。
二、DDR布线规则的要求1.电源稳定性：要求供电电源电压稳定，电源噪声小。
这可以通过良好的电源布线和滤波电容选择来实现。
2.信号路径长度匹配：DDR数据总线的信号路径要尽可能保持长度一致，以确保数据到达目标时的同步性。
为了实现这一点，可以通过合理的排布布线，尽量减少信号的走向差距。
3.数据总线的分层：DDR需要同时传输数据和控制信号，为了减少信号间的干扰和串扰，可以将数据总线、地址总线和控制总线进行分层布线。
4.阻抗匹配：DDR布线需要保证布线阻抗与驱动器输出阻抗和信号链路阻抗匹配，这可以通过合理选择布线宽度和参数来实现。
一般DDR总线要求的阻抗为50欧姆。
5.信号噪声和干扰控制：DDR信号传输速率较高，因此对信号噪声和干扰的要求也比较高。
可以通过地线的合理设计和布线的分隔来降低信号之间的干扰和串扰。
6.信号层间过渡：DDR布线需要在信号层之间进行适当的过渡，以保证信号在不同层之间的传输质量。
三、DDR布线规则的过程1.系统规划：根据设计要求和系统需求进行布线规划。
包括信号的传输速率、总线宽度、电源供应，以及寄存器、驱动器和接收器等元器件的选择。
2.PCB布局：设计合理的PCB布局，合理安排器件和信号线的位置，减少信号线走向差距。
可以使用CAD软件进行布局，避免布线时出现冲突。
3.信号层划定：根据信号层的需要，对PCB进行分层划定。
数据总线、地址总线和控制总线等可以分层进行布线，以减少干扰和串扰。
DDR硬件设计要点
DDR硬件设计要点C、用于匹配的电压VTT(Tracking Termination Voltage)VTT为匹配电阻上拉到的电源，VTT=VDDQ/2。
DDR的设计中，根据拓扑结构的不同，有的设计使用不到VTT，如控制器带的DDR器件比较少的情况下。
如果使用VTT，则VTT的电流要求是比较大的，所以需要走线使用铜皮铺过去。
并且VTT要求电源即可以吸电流，又可以灌电流才可以。
一般情况下可以使用专门为DDR设计的产生VTT 的电源芯片来满足要求。
而且，每个拉到VTT的电阻旁一般放一个10Nf~100nF的电容，整个VTT电路上需要有uF级大电容进行储能。
在华为的设计中，在使用DDR颗粒的情况下，已经基本全部不使用VTT电源，全部采用电阻上下拉的戴维南匹配，只有在使用内存条的情况下才使用VTT电源。
一般情况下，DDR的数据线都是一驱一的拓扑结构，且DDR2和DDR3内部都有ODT做匹配，所以不需要拉到VTT做匹配即可得到较好的信号质量。
DDR2的地址和控制信号线如果是多负载的情况下，会有一驱多，并且内部没有ODT，其拓扑结构为走T型的结构，所以常常需要使用VTT进行信号质量的匹配控制。
DDR3可以采用Fly-by 方式走线：一个DDR3设计案例，来分析对比采用高阻抗负载走线和采用主线和负载走线同阻抗两种情况的差异。
如上图，Case1采用的是从内层控制器到各个SDRAM均为50ohm的阻抗设计。
Case2则采用了主线40ohm,负载线60ohm的设计。
对此通过仿真工具进行对比分析。
从以上仿真波形可以看出，使用较高阻抗负载走线的Case2在信号质量上明显优于分支主线都采用同一种阻抗的Case1设计。
而且对靠近驱动端的负载影响最大，远离驱动端的最末端的负载影响较小。
这个正是前面所分析到的，负载的分布电容导致了负载线部分的阻抗降低，如果采用主线和负载线同阻抗设计，反而导致了阻抗不连续的发生。
把负载走线设计为较高的阻抗，用于平衡负载引入的分布电容，从而可以达到整条走线阻抗平衡的目的。
DDR2走线规则
DDR2走线规则叠层设置：1、对于同一组数据线及其对应的DQ STROBE线，如DQ[7：0]、DM0与DQS0、DQS0#，应布在同一层，以减小信号skew。
2、DDR2信号线的参考平面最好是选择地平面（尤其是时钟线），如果基于成本考虑，不得不选用电源层作为参考面，则DDR2供电电源平面需包围整个DDR2走线范围，且边缘要留有余量，电源与地平面间的阻抗在整个带宽范围内要足够低。
线长匹配：1、走线增加一个过孔，大概相当于增加了90mil的传输线长度。
2、对于走线长度应把封装内部引线长度计算在内。
3、各信号线的长度匹配如下表：（控制线：CS、CKE、ODT；命令线：Address、Bank Address、RA S、CAS、WE；数据线：DQ、DM）4、时钟信号差分对的长度差应控制在5mil以内。
5、在能够满足布线空间的情况下，走线长度越短越好，一般控制在5000mil以内，可以以时钟线作为参考线。
串扰：1、对于蛇行走线，各线段之间的间距应至少为走线宽度的两倍（边沿到边沿）。
2、DDR2信号线与非DDR2信号线之间的间距应大于25mil。
3、时钟、DQS等差分线与其它DDR2信号线的间距应大于20mil。
4、同一组命令线，同一组控制线或同一组数据线间的走线间距应大于走线宽度1.5倍（最好2倍以上），而不同组间的信号线间距应大于走线宽度的2倍（最好3倍以上）。
5、在扇出线区域，由于空间限制，不能满足走线宽度和间距要求时，可适当减小走线宽度及减小走线间距，但该扇出线长度应小于500mil。
6、扇出线过孔应尽量靠近焊盘，如有可能，最好打焊盘孔。
7、每条信号线的过孔数最好不要超过两个。
8、VREF参考电压线要有足够低的阻抗，且与其它DDR2信号线的间距大于25mil。
阻抗匹配：1、DDR2 800信号走线单端阻抗应设置成50Ω2、对于控制命令线、时钟线要进行阻抗匹配，可采用源端串联匹配或末端并联匹配。
（源端匹配具有较小的驱动功率，但上升沿时间是末端匹配的两倍，且一般驱动器的HI和LO驱动电阻不一样，较难得到精确的匹配阻值，源端匹配一般只适合于点对点拓扑）。
连接器规范
连接器规范连接器是一种用于连接电路的电子元件，广泛应用于各种电子设备中。
连接器的规范是指连接器设计和制造中遵循的标准和要求。
下面将介绍一些连接器规范的内容。
首先，连接器的物理规范是指连接器的外观尺寸、材质和连接方式等方面的要求。
外观尺寸包括连接器的长度、宽度和高度等尺寸，以及连接器的形状和外壳设计等。
材质方面，连接器通常采用金属材料或塑料材料制造，要求具有一定的强度和耐久性。
连接方式包括插拔连接和焊接连接等，具体要求可以根据连接器的用途和应用场景来确定。
其次，连接器的电气规范是指连接器在电路连接方面的规范和要求。
电气规范包括连接器的额定电压、额定电流和接触电阻等参数的确定。
额定电压和电流是连接器的重要指标，用于确定连接器能够承受的最大电压和电流。
接触电阻是指连接器接触部分的电阻，要求尽量小以确保连接器的信号传输质量。
此外，连接器的可靠性规范也是连接器规范的重要内容。
连接器的可靠性是指连接器在使用过程中能够稳定可靠地连接电路的能力。
可靠性规范包括连接器的插拔次数、耐震动能力和防护等级等要求。
插拔次数是指连接器能够重复插拔的次数，要求插拔次数尽可能多以确保连接器的寿命。
耐震动能力是指连接器在受到外部振动时能够保持稳定连接的能力。
防护等级是指连接器的防护能力，通常采用IP等级来表示，要求连接器具有一定的防水、防尘和防腐蚀能力。
最后，连接器的环境规范是指连接器在不同环境条件下使用的要求。
环境规范包括连接器的工作温度范围、湿度范围和抗腐蚀能力等要求。
工作温度范围是指连接器可以正常工作的温度范围，通常要求连接器在-40℃至+85℃的温度范围内正常工作。
湿度范围是指连接器可以正常工作的湿度范围，通常要求连接器在30%至90%的相对湿度范围内正常工作。
抗腐蚀能力是指连接器抵抗腐蚀的能力，要求连接器具有一定的抗腐蚀能力以应对不同的使用环境。
总之，连接器的规范是连接器设计和制造中遵循的标准和要求，包括物理规范、电气规范、可靠性规范和环境规范等方面的内容。
DDR3的相关设计规范
DDR3的相关设计规范DDR3是一种常见的电子产品中使用的随机存取存储器（RAM）类型。
它使用双倍数据率（Double Data Rate，DDR）技术，提供高速数据传输和更高的带宽。
DDR3具有许多设计规范，以下是其中一些重要的规范。
1.精确的电气规范：DDR3的设计需要满足电气规范，以确保可靠的数据传输。
其中包括时钟频率、电压供应、信号幅度和交错延迟等方面的要求。
例如，DDR3的标准供电电压为1.5伏特（V）。
2.时序要求：DDR3的时序要求指定了命令、地址和数据等信号之间的时间关系。
这包括读取和写入操作的延迟时间、复位时间和刷新周期等。
时序要求的正确实现是确保DDR3稳定和可靠性的关键。
3.物理尺寸和连接接口：DDR3的物理尺寸和连接接口规范指定了模块的尺寸、引脚布局和插槽位置等。
这包括模块的长度、宽度和高度，以及引脚的布局和排列方式。
物理尺寸和连接接口规范确保DDR3可以正确地插入和连接到相应的插槽。
4.数据传输带宽：DDR3的设计规范涉及数据传输的带宽要求。
带宽是指每秒钟可以传输的数据量，通常以字节或位为单位。
DDR3的设计需要满足特定的带宽要求，以满足高速数据传输的需要。
5.控制和引脚定义：DDR3的设计规范中包括控制和引脚定义，用于指定不同引脚的功能和使用方式。
这些包括地址线、数据线、控制线、时钟线和电源线等。
控制和引脚定义规范确保正确的信号传输和通信。
6.容量和频率选项：DDR3的设计规范提供了不同容量和频率选项，以满足不同应用需求。
容量选项包括存储器模块的总容量，通常以GB为单位。
频率选项指定了DDR3的传输速率，通常以MHz为单位。
7.错误校正代码（ECC）支持：DDR3的设计规范中还包括对错误校正代码的支持。
ECC是一种能够检测和纠正内存中的错误的技术。
DDR3的设计需要支持ECC功能，以增强数据完整性和可靠性。
综上所述，DDR3的设计规范涵盖了电气规范、时序要求、物理尺寸和连接接口、数据传输带宽、控制和引脚定义、容量和频率选项，以及错误校正代码支持等方面。
DDR布线要求
嵌入式DDR总线的布线分析与设计DDR（Double Data Rate，双数据速率）设计是含DDR的硬件设计中最重要和最核心的部分。
随着嵌入式系统的处理能力越来越强大，实现的功能越来越多，系统的工作频率越来越高，DDR的工作频率也逐渐从最低的133 MHz提高到200 MHz，从而实现了更大的系统带宽和更好的性能。
然而，更高的工作频率同时也对系统的稳定性提出了更高的要求，这需要硬件设计者对电路的布局走线有更多的约束和考虑。
而影响整个系统能否工作正常且稳定的最重要的部分就是DDR部分的电路设计。
嵌入式系统使用DDR内存，可以在传统的单数据数率内存芯片上实现更好的性能。
DDR允许在不增加时钟频率和数据位宽的条件下，一个时钟周期内能够处理两个操作。
增加的数据总线性能是由于源同步数据选通允许数据同时在选通脉冲的上升沿和下降沿被获取。
DDR虽然能够给嵌入式设计带来更好的性能，但是设计者必须比以往的SDR设计更小心地处理DDR部分的PCB布线部分，否则不仅不能实现好的性能，整个嵌人式系统的稳定性也会受到影响。
DDR比传统的SDR有更短的信号建立保持时间、更干净的参考电压、更紧密的走线匹配和新的I／O口信号，并且需要合适的终端电阻匹配。
这些都是要面对的新的挑战。
1 DDR总线结构对于DDR内存，JEDEC建立和采用了一个低压高速信号标准。
这个标准称为“短截线串联终结逻辑（StubSeries Terminated Logic，SSTL）”。
SSTL能够改进数据通过总线传输的信号完整性，这种终端设计的目的是防止在高速传输下由于信号反射导致的数据错误。
在一个典型的内存拓扑结构中，如果使用了串联匹配电阻（RS），那么它应该放在远离DDR控制器的位置。
这种方法能够节约控制器附近宝贵的电路板空间，避免布线拥塞和繁琐的引脚扇出；而且也优化了从控制器到内存芯片的信号完整性，在这些位置往往有很多地址和命令信号需要可靠地被多个内存接收。
fpga和ddr的接口标准
FPGA和DDR之间的接口标准主要涉及到两个方面：电气特性和协议规范。
以下是一些常见的接口标准和协议：1. 电气特性：- 电压标准： DDR内存通常采用低电压标准，如DDR3和DDR4采用1.35V或1.2V。
FPGA需要确保其IO电压兼容DDR内存的电压标准。
- 时钟频率： DDR接口的时钟频率通常很高，需要确保FPGA 的时钟管理和布线能够满足DDR的要求。
2. 协议规范：- DDR标准：需要遵循DDR SDRAM的标准规范，如DDR3、DDR4等。
这些标准定义了时序、命令和数据传输的方式。
- PHY层： FPGA内部需要包含DDR PHY层，用于处理与DDR 内存之间的电气信号。
PHY层的设计需要符合DDR标准，以确保稳定和高性能的通信。
- 控制器： FPGA还需要一个DDR控制器，负责管理和调度DDR内存的访问。
控制器的设计需要符合DDR标准，并与PHY层协同工作。
3. 总线协议：- AXI（Advanced eXtensible Interface）： AXI是一种常见的总线协议，用于连接FPGA内部的不同模块，包括与外部DDR 内存的连接。
AXI提供了一种高性能、可扩展且灵活的总线接口。
4. IP核：- Memory Interface Generator（MIG）： FPGA供应商通常提供MIG工具，用于自动生成与DDR内存接口通信所需的PHY和控制器。
这样的IP核有助于简化接口设计和提高开发效率。
5. JEDEC标准： JEDEC定义了DDR SDRAM的标准规范。
确保FPGA 和DDR内存的设计符合JEDEC标准，以确保互操作性。
在开始设计时，建议查阅FPGA供应商的文档、DDR内存的规格书以及相关的标准规范，以确保正确配置接口并满足性能和可靠性的要求。
ddr国际检验标准,实验标准
《DDR国际检验标准与实验标准》随着全球经济一体化进程不断加快，贸易往来日益频繁，产品质量和安全问题备受关注。
在这个背景下，国际检验标准和实验标准变得至关重要。
而DDR作为国际通用标准之一，对产品的质量和性能检验起着至关重要的作用。
1. 了解DDR国际检验标准DDR，也就是"Designated Development Review"的缩写，是指定开发审查。
它是国际上一个权威的、具有普遍适应性的产品检验标准，覆盖了广泛的产品范围，如电子产品、机械设备、建筑材料等。
DDR标准的制定和执行，对保障产品质量、促进贸易畅通具有重要意义。
2. DDR国际检验标准的深度与广度DDR标准不仅要求产品的基本性能符合相应的规范要求，还包括对产品的结构、材料、可靠性和安全性等方面的综合检验。
它所涉及的范围非常广泛，涵盖了从产品设计、生产、运输到使用和维护等全过程。
这种全面性和综合性，使得DDR标准成为国际上公认的、权威的产品检验标准之一。
3. 实验标准与DDR标准的联系实验标准作为DDR标准的重要组成部分，对产品的质量和性能进行了更为具体和详细的规定。
实验标准包括对产品各项性能参数的测定方法、试验条件、试验步骤等内容。
只有严格按照实验标准进行检验，才能确保产品的质量和性能符合DDR标准的要求。
4. DDR国际检验标准与实验标准的意义和作用DDR国际检验标准和实验标准的制定和执行，不仅有助于提高产品的质量和安全性，促进了国际贸易的顺利进行，还有利于保护消费者的合法权益，减少了因产品质量问题导致的纠纷和损失。
它还促进了各国产品质量管理体系的发展，推动了全球质量标准的协调和统一。
5. 我的个人观点和理解作为产品质量管理领域的一名专业人士，我深刻理解DDR国际检验标准和实验标准对于提升产品质量和保障消费者利益的重要性。
只有严格按照国际标准进行产品检验，才能确保产品能够在全球范围内畅通无阻地进行贸易，实现互利共赢。
fpga和ddr的接口标准
fpga和ddr的接口标准FPGA和DDR的接口标准引言在现代计算机系统中，为了实现高性能和高速度的数据传输，FPGA（现场可编程门阵列）和DDR（双倍数据率）内存之间的接口标准变得尤为重要。
本文将详细讨论FPGA和DDR接口的标准，并分析它们的特点和优势。
一、FPGA和DDR的概述1. FPGAFPGA是一种可编程逻辑器件，具有灵活的配置能力，可以根据特定应用需求实现复杂的数字逻辑电路。
FPGA通过重新配置逻辑单元和内部互连来更新硬件，因此具有灵活性和可重构性的特点。
在许多计算应用中，FPGA常用来加速特定的任务，并优化整个系统的性能。
2. DDRDDR是一种存储器技术，DDR内存通过一种双倍数据率的传输方式，实现高速的数据读写操作。
DDR内存广泛应用于计算机系统的内存子系统，包括个人电脑、服务器和嵌入式系统。
DDR内存在系统性能和带宽方面提供了显著的改进。
二、FPGA和DDR的接口标准在FPGA和DDR之间建立接口时，需要一种标准来确保他们之间的正常通信和数据传输。
以下是一些常用的FPGA和DDR接口标准：1. DDR3/DDR4 SDRAMDDR3和DDR4 SDRAM是DDR接口中最常用的标准之一。
它们定义了内存模块和控制器之间的物理和电气规范，包括时序、电压和信号级别。
DDR3和DDR4的主要区别在于其时钟频率和吞吐量的提升。
2. LPDDR低功耗DDR（LPDDR）是一种专为移动设备设计的DDR标准。
它具有较低的功耗和较小的封装尺寸，在手机、平板电脑和其他便携式设备中广泛使用。
LPDDR的特点是低功耗和高带宽。
3. HMC高效存储器互连（HMC）是一种新兴的高性能DDR接口标准。
HMC通过堆叠多个存储器芯片来实现高密度和高带宽的存储器系统。
它提供了更快的数据传输速度和更低的延迟，并通过更高的并行通信通道实现更高的带宽。
三、FPGA和DDR接口的优点和特点1. 高带宽和低延迟FPGA和DDR接口的主要优势之一是提供高带宽和低延迟的数据传输。
DDR布局布线规则与实例【中为电子科技工作室】
DDR布局布线规则与实例【中为电子科技工作室】DDR3布局布线译自飞思卡尔官方文档Hardware Development Guidefor i.MX 6Quad, 6Dual, 6DualLite,6Solo Families ofApplications ProcessorsIMX6 Serial Layout Recommendations目录1.DDR原理性连接框图 (3)2. DDR布局布线规则 (4)3. DDR布线细节 (5)3.1 数据线的交换 (6)3.2 DDR3（64bits）T型拓扑介绍 (6)3.3 DDR3（64bits）Fly-by型拓扑介绍 (6)3.4 2GB DDR布局布线建议 (6)3.5 4GB DDR布局布线建议 (7)4. DDR布局布线实例 (8)4.1 4片DDR T型拓扑实例 (8)4.2 8片DDR Fly-by型拓扑实例 (12)5. 高速信号布线建议 (19)6. 地平面设计建议 (19)7. DDR POWER布线建议 (21)8. 参考 (23)9. 声明 (23)1.DDR原理性连接框图图1、图2为I.MX6DQ/SDL与DDR连接框图，连接示意一目了然。
图1 DDR3与i.MX6DQ/SDL连接示意图图2 LPDDR2与i.MX6DQ/SDL连接示意图2. DDR布局布线规则DDR3在布线中十分重要，它必须考虑阻抗匹配问题，通常单端为50Ω，差分100Ω。
图3给出了DDR及其去耦电容的最终布局，其中左图是顶层布局，右图为底层布局，共计4片DDR3芯片，顶层、底层各两片。
DDR应该尽量靠近CPU，这样可以减小寄生参数和传播延时。
图3 DDR和去耦电容的布局DDR3的有两种布线形式：一种是所有信号线等长，另一种是以字节为单位分组等长。
所有信号线等长布线，该种布线方式在信号完整性上是最理想的，在设置约束规则上是简单的，但由于布线空间，使得这种方法耗时费力，甚至设计无法实现，在此只是提及一下，并不推荐使用该种方法。
连接器技术标准
SM
MM
SM
SM
10-25
7-25
5-12
≤80（典型值≤50）
0
8
8
±0.5 光纤凸出/凹陷：+50/-90nm
±0.5
出厂号即为产品标贴中的“Production No.”，它是由生产通知单号加流水号组成的。每一
1
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条产品对应一个唯一的出厂号。
七、产品包装
7.1 产品基本包装是：光纤连接器（跳线）盘绕成大小适当的圆，两端接头或光纤用扎线扎牢， 以不松脱为原则。卡纸中间贴产品标贴，上面再放上扎好的跳线，一并装入塑胶袋中，封 好封口。
直径 3um
所有可见区域
不允许有任何的可见裂纹
如下图所示：
2um 划痕
缺陷数量
≤1 条 ≤2 点
≤2 处 ≤2 条 ≤3 点
1um 划痕 1um 斑点
1.5um 胶边 3um 斑点
A区 B区 C区
D区
3
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附录二：
多模连接器端面检验标准
1、检测设备
400X 端检仪，显示器观察。
2、要求
区域范围
PC ≤0.3 ≥45
FC、SC、ST、LC SM UPC APC
≤0.2 ≤0.3 ≥50 ≥65
MM
PC ≤0.3
--
五、端面几何形状（3D）标准
项目
曲率半径(mm) 顶偏 (μm) 角度(°) 角度误差(°)
光纤高度 (nm)
六、出厂号
PC/UPC
APC
SC/FC/ST
LC
SC/FC
LC
SM
MM
一、产品技术标准
1、插芯材质
DDR设计规则
DDR设计规则本⽂主要介绍DDR的原理图和PCB设计规则。
1、SCH设计原则DDR原理图的设计⽬前⽐较成熟，由于其信号引脚固定，且有统⼀的规范（JESD79系列），⽽且像Micron、Samsung、SK Hynix、Toshiba等⼚家都有各⾃的technical note，因此本⽂只罗列⼀些特殊的注意事项。
1.1、颗粒容量的可扩展性根据JEDEC标准，不同容量的内存芯⽚⼀般引脚兼容，为了实现电路板的可扩展性，可以做如下处理，如128Mb与256Mb的兼容应⽤。
1.2、未⽤的DQ引脚处理对于x16的DDR器件来说，未⽤的引脚要作⼀定的处理。
例如x16的DDR来说，DQ[15:8]未⽤，则处理如下，将相关的UDM/DQMH拉⾼⽤来屏蔽DQ线，DQ[15:8]通过1~10k的电阻接地⽤来阻⽌迸发写时的噪声。
1.3、端接技术DDR常⽤的端接技术有两种，分别如下：串⾏端接，主要应⽤在负载DDR颗粒不⼤于4个的情况下。
对于双向I/O信号来说，例如DQ，串⾏端接电阻Rs放置在⾛线的中间，⽤来抑制振铃，过冲和下冲。
对于单向的信号来说，例如地址线，控制线，串⾏端接电阻放置在⾛线中间或者是信号的发送端，推荐放置在信号的发送端。
并⾏端接，主要应⽤在负载SDRAM器件⼤于4个，⾛线长度>2inch，或者通过仿真验证需要并⾏端接的情况下。
并⾏端接电阻Rt取值⼤约为2Rs，Rs的取值范围是10~33ohm，故Rt的取值范围为22~66ohm。
并⾏端接电压为VTT。
对于没有ODT功能的DDR，所有的数据线，地址，命令，控制线都需要使⽤single-ended Parallel Termination端接。
1.4、时钟信号所有DDR的差分时钟线CK与CK#必须在同⼀层布线，误差+-20mil，最好在内层布线以抑制EMI。
如果系统有多个DDR器件的话，要⽤阻值100~200ohm的电阻进⾏差分端接。
若时钟线的分叉点到DDR器件的⾛线长度<1000mil，要使⽤100~120ohm的差分端接（只⽤⼀个端接电阻），如下图：若时钟线的分叉点到DDR器件的⾛线长度>1000mil，要两个使⽤200~240ohm的电阻差分端接，因为两个200~240ohm的电阻并联值正好为100~120ohm。
连接器标准和规范
连接器标准和规范连接器标准和规范一.工业连接器的标准1. 美国材料与试验学会(ASTM)The American Society for Testing and Material(缩写为ASTM)是一个全美性的学术协会,其目的是进行材料的研究和标准化。
负责公布标准,试验方法,推荐性用法,定义及其它有关材料。
其制定的有关连接器的标准,符号和编号均按照ASTM体系。
“B”表示有色金属委员会,后面的数字为标准号,紧接着的数字则表示该标准被首次通过的年份,括号内的日期是指最近修订版的年份, “*”则表示该标准是已被批准的美国国家标准。
ASTM连接器标准表*－1标准描述 FOXCONN适用范围*B63-49(1970) 金属导体电阻及接触材料的电阻率的测试方法 ALL*B182-49(1970) 电接触材料的寿命试验 ALL*B193-72A 导电材料电阻率的测试方法 ALL*B277-72 电接触材料硬度的测试方法 ALL*B326-72 微型接触件电阻特性测试方法 ALL*B340-61(1972) 电接触件制成品的保证试验方法 ALL*B477-72 可锻贵金属电接触材料一般要求规范 REFB522-70 电接触用的Au-Ag-Pd合金规范 ALLB539-70 电连接(静态接触)的接触电阻的测量方法 ALLB540-70 电接触件用的Pd合金规范 ALLB541-73 电接触件用的Au合金规范 ALLB542-71 电接触件及其使用的有关术语的定义 ALLB563-72 电接触件用Pd-Ag-Cu合金规范 REFB576-73 电接触材料大电流电弧腐蚀试验设计的实用参考方法 Audio Jack ,Power JackB583-73 金属基片上镀金层的多孔性试验方法 ALLB596-73 Au-Cu合金电接触材料规范 ALL2. 美国电子工业协会(EIA)Electronic Industries Association(缩写为EIA)接触件方面的标准工作被列在EIA和JEDEC(美国电子器件工程联合委员会)标准以及工程技术出版物的目录中。
DDR2应用设计规范
1.DDR2的核心技术A. DDR2的4-Bit Prefetch技术DDR2通过4-bit Prefetch技术获得高速操作.通过4-bit Prefletch技术,每个clock,DDR2能读写4倍的数据,且比Core frequency快4倍.其主要特征有以下两点：i>. 外部clock频率=2倍DRAM core频率；ii>. Data bus传输频率=2外部clock频率.B. ODT技术ODT是On-Die Termination的缩写,DDR2为每个信号(data I/O,差分data strobe及Data mask)的on/off设置了终端寄存器即内部核心终结器.某些时候我们需要将不必要的信号终结,防止数据线终端反射信号干扰系统组件的正常工作.之前,控制与数据信号的终结在主板上完成.使用DDR或SDRAM的主板上面需要大量的终结电阻，至少每根数据线需要一个终结电阻。
这个阻值过大过小都不好,阻值较大线路的信噪比高但是信号反射较为严重,阻值小可以减小信号反射但是会造成信噪比下降.此外由于不同的内存模块对终结电阻的要求不可能完全一样,因此长期以来,这些电路的配置一直是主板设计的难点.现在的DDR II内建了终结电阻器,将主板上的终结电阻移植到了芯片的内部.在内存芯片工作时系统会把终结电阻器屏蔽,而对于暂时不工作的内存芯片则打开终结电阻器,以减少信号的反射.其优点主要为：●及时有效地控制传输在线的反射noise以提高信号完整性；●减少板上组件数量以进行cost down同时也使PCB更简洁;●有利于placement及routing.（如图终结器）C. OCD校准技术OCD是Off-Chip Driver的缩写其意思为片外驱动调校,主要功能在于调整I/O接口端的电压.通过调整上拉(pull-up)/下拉(pull-down)的电阻值使两者电压相等。
也就是达到Pull-up=Pull-down的状态.其优点为：●减小DQS,/DQS的斜度以改善信号完整性；●控制脉冲信号的上冲与下冲以改善信号的质量；●通过I/O驱动电压校准减少DDR2运作过程中信号的差异。
DDR3的相关设计规范
DDR3的相关设计规范(个人总结）一、阻抗控制DDR3要严格控制阻抗，单线50ohm，差分100ohm，差分一般为时钟、DQS。
在走线过程中，尽量减小阻抗跳变的因素,比如：换层（无法避免）、保证参考平面完整不跨分割、线宽变化、避免stub 线等。
二、布局布局整齐、美观,根据走线顺序调整DDR位置.如果走菊花链，两片DDR3距离可适当拉近，以节约空间。
如果走T型,多片DDR3中间需要打孔，则适当拉开距离。
DDR3与CPU之间在满足工艺要求的条件下，尽可能靠近点，以免走线过长.所有DDR3滤波电容紧挨电源管脚放置,以免影响滤波效果。
最好每个电源管脚都放置一个滤波电容。
DDR3电源模块要尽量靠近DDR3摆放.减小电源路径上的一些干扰及损耗三、布线.数据线：数据线每八根一组（DQ0—DQ7），外加相应的DQS差分对和DQM，因此，DQ0-DQ7、DQS差分对和DQM 为一组，共11根信号线，依次类推。
走线要同组同层,同组信号线中不能穿插不属于本组的同层信号线，换层次数一致(打孔次数一致），优先以地平面为参考。
DQS查分对内等长小于5mil.信号线之间保持两倍线宽的间距（有空间的情况下最好做到三倍线宽以上的间距）。
局部区域可适当减小距离。
以减小信号之间的串扰。
其它非数据线不要靠太近（特别是同层信号线）。
地址线:地址线、控制线、时钟线统称为地址线（A0-A15、WEN、BA0、BA1、BA2、CASN、ODT、RESETN、CKE、RASN、CSN、和时钟差分(CLK、CLKN）。
）走线时可以不同层（当然能同层最好不过了，难道比较大)，优先以地平面为参考，时钟差分对内等长误差小于5mil，信号线之间保持两倍线宽的间距(有空间的情况下最好做到三倍线宽以上的间距）。
以减小信号之间的串扰.实在没空间的情况下可走一比一的间距.其它非地址线不要靠太近（特别是同层信号线）。
其它非DDR自身的信号线都不要从DDR信号线区域经过,尽量远离这些高速信号线。
DDR硬件设计要点
DDR硬件设计要点DDR（Double Data Rate）是目前最常用的电子、计算机领域中的内存标准之一、要设计DDR硬件需要考虑许多要点，包括通信接口、电路布局、时序控制、电源管理等等。
下面是一些DDR硬件设计的要点。
1.通信接口：DDR采用同步双向数据传输，数据的读写都是通过总线进行的。
因此，设计DDR硬件时需要考虑相应的通信接口，如物理层总线、传输协议等。
典型的DDR接口通信速率通常高达几百兆字节每秒，因此需要采用高速差分信号线、信号捕获电路等来保障通信质量。
2.电路布局：DDR内存通常使用BGA封装，因此在电路布局时需要考虑信号和电源的走线，以及地线和屏蔽的布置。
良好的电路布局能够最大限度地减少信号互损、EMI干扰等问题。
3.时序控制：DDR内存的读写由时序控制器进行控制，通过控制时钟的上升和下降沿，来同步各个信号的传输。
因此，时序控制对DDR硬件设计至关重要。
时序控制需要考虑数据的传输时间、数据的读取和写入时机、数据的校验等。
4.电源管理：DDR内存在操作时需要提供合适的电源电压和电流。
因此，设计DDR硬件时需要考虑电源电压的稳定性、供电电路的设计等。
此外，还需要考虑电源管理的相关功能，如低功耗模式、自适应时钟频率等。
5.信号完整性：DDR内存的高速差分信号在传输过程中容易受到噪声、信号衰减等影响，因此需要采取相应的措施来提高信号的完整性。
例如，使用合适的信号线路和布线技术、加入合适的信号捕获电路、电源和地线分布均匀等。
6.时钟管理：DDR内存需要和主控芯片进行时钟同步，因此需要有合适的时钟管理电路来确保时钟信号的稳定和准确性。
时钟管理的工作包括时钟的产生、分频、对齐等。
7.内存控制器：DDR内存的读写操作由内存控制器进行管理，因此需要有合适的内存控制器来处理读写请求、发送相关控制信号等。
内存控制器需要考虑的因素包括时序控制、地址译码、数据缓冲管理等。
8.故障处理：9.性能优化：DDR的性能可以通过一些优化来提升。
DDR3的相关设计规范
DDR3的相关设计规范DDR3是一种常见的内存技术，广泛用于计算机系统中。
在使用DDR3内存时，必须遵循一系列的设计规范，以确保系统稳定性和性能。
以下是关于DDR3的相关设计规范的一些重要内容。
一、电气特性：1.电压要求：DDR3的标准电压为1.5V，但也支持1.35V的低电压操作。
设计时必须保证提供准确的电压并控制其稳定性。
2.时钟频率：DDR3支持不同的时钟频率，包括800、1066、1333、1600等。
设计中需要根据具体需求选择合适的频率，并确保时钟信号的完整性。
3. 数据传输速率：DDR3的数据传输速率通常以MBps（兆字节每秒）为单位。
设计中需要考虑数据传输的稳定性和效率。
二、时序特性：1.存取延迟：DDR3内存的存取延迟包括列地址延迟(CL)和行地址延迟(RL)，设计时需要正确配置这些延迟参数，以确保数据传输的准确性和高效性。
2.刷新周期：DDR3内存需要定期进行刷新操作，以保持存储数据的完整性。
设计中需要合理配置刷新周期，以满足DDR3内存的要求。
三、布局和信号完整性：1.PCB布局：DDR3内存的设计需要合理布局PCB，包括安排存储器芯片和其他电路元件的位置、规划数据和时钟信号的传输线路等。
良好的PCB布局可以有效减少信号干扰和传输延迟，提高系统性能。
2.连接器和插槽设计：DDR3内存的连接器和插槽设计也需要满足相关规范，以确保良好的接触和信号传输。
四、时序分析和调整：1.检查时序完整性：在DDR3设计中，需要进行时序分析以确保各个信号的时序关系。
通过综合考虑时钟、数据和控制信号，可以避免时序冲突，提高系统性能。
2.时序调整：如果时序分析发现了冲突或不稳定的信号，可以通过调整内存控制器或相关参数来解决。
时序调整需要综合考虑电气特性和时序要求，以确保稳定的数据传输。
总结起来，DDR3内存的设计规范涉及到电气特性、时序特性、布局和信号完整性等多个方面。
在设计时，必须严格遵守这些规范，以确保DDR3内存的稳定性和性能。
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(连接器技术标准)
连接器設計準則
---D.D.R系列
核準:審核:制作:
目錄
1.0簡介:-------------------------------------------------------------- 2
2.0產品的結構技術要求:---------------------------------------------- 3
2.6.塑膠本體與Latch干涉尺寸標注及公差分析,如下圖所示:
2.7.塑膠變形定義:
2.8.端子排料方式,如下圖:
2.9.端子電鍍規格采用點鍍方式,如下圖所示:
3.0 產品的一般性規格要求:
產品總長:71.10mm
產品總寬:26.20mm
產品總高:4.00mm/8.00mm ,5.20mm/9.20mm
3.0產品的一般性規格:----------------------------------------------- 7
4.0產品失效性改良方案:---------------------------------------------- 8
1.0產品簡介
0.6mmPitch DDR系列產品,此產品由塑膠本體.端子.Latch.REEL所組成
修改前面過長導致取module困難 修改后module易取
額定電流:0.5A
額定電壓:AC 100V
絕緣阻抗:500MΩ
壽命測試:30次
夾持力測試:0.15kg or more per pin
彈力測試:5.0kg or less per set
4.0產品失效性改良方案:
4.1 塑膠平整度不良,改偷料方式,如下圖:
修改前為側面偷料修改后為底部偷料
4.2 Latch 角斜面過長導致取module時module不易跳出,設計變更修改斜面如下圖:
此產品主要用於NOTE BOOK上對插內存卡.
2.0產品的結構技術要求:
2.1.”SUYIN Mark”位置需進行注明或尺寸標注,如下圖所示:
2.2.DDR 系列成品公規尺寸:
2.3. module插入間隙尺寸分析:
2.4.雙邊接觸分析:
塑膠本體與端子組裝夾口尺寸公差分析:
2.5.塑膠本體與端子干涉尺ቤተ መጻሕፍቲ ባይዱ標注及公差分析,如下圖所示: