高纯气体管路五项测试操作规范

精心整理

五项测试流程

气体管路的QC

气体管路的QC 指的是要确保管路的外观及管内的各项测试都合乎客户要求的标准并确保我们的产品的品质达到一定的水准。

（1）?通常大多数半导体厂的设备对我们的工作内容都不了解，他们所关心的是管路是否歪斜？此也是我（2）?（一）?（沙的安全。

原理：将待测管路通入PN2，使其压力达到管路正常使用压力的1。1倍或是7至9公斤之间，在一端接上记录器，经过一段时间后检查是否有压降现象，若无则表示该管路已通过保压测试，反之，则检查压降之原因，并在原因排除后再做一次保压测试，直到完全没有泄漏为止

步骤：

A，取得该机台之管路施工图，并一一核对下包商是否有按图施工？

B，?将Panel入口端的接头松开，并利用管路本身的气体将预30秒，并检查Takeoff

及管路是否正确？

C，?将Panel出入口两端用新的Gasket衔接上，并将进机台端的接头Cap起来。

D，将Panel上的Valve及Gegulator开止Open位置。

E，）。F，?使用

G，?swagelok 接头。

H，?

Notice：

1，?步骤

以免浪

2，

形发生而影响测漏的准确度。

3，?尽量避免使用Swageick做转接头，以免因人为因素而影响测漏，造成测试时间的浪费。4，?所有的管路尽可能不要衔接Source测试，以免造成气体倒灌而污染主管路。

5，?保压，Purge用的气体一定使用PN2。

6，不可使用氦气Purge管路，否则会影响氦测漏。

7，?本公司所使用之记录器有传统机械转盘记录器与电子记录器。

8，若使用传统机械记录器，记录器范围应与记录纸之压力范围相符。（记录范围如0~10kg/cm2，或0~15kg/cm2）

9，?传统机械记录器之操作方法由现场资深同仁讲解。

10，?当所有动作都已完成，要将待测管路充满压力时，开气源阀时应放漫速度，以免瞬间压力上

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才可以送

步骤；

A

B．?暖机

C．?衔接上待测管路，并开始测漏。

D．?当待测管路的漏率达到客户要求的范围时，在所有的焊道及接头上喷氦气，并观察测漏机是否有反应，若无，表测漏完成，若有，则针对漏点作处理，直到氦测漏机没反应为止。

Notice；

1，待测管路串的过多会增加测漏的时间，故尽量将各管路分开来测试。

2，Phe的管路如已经衔接会造成氦测漏机吸到，故Phe的管路不可以衔接做氦测漏。

3，待测点喷氦气的原则是由近而远，由上而下。

4，喷完氦气后必须经过一段氦测漏机的反应时间，待没问题后开始可继续下一个测试点。

5，测试点最好用无尘手套包覆在外，以免氦气散掉或被其他的测试点吸入，而造成误判。6，LR=Leck?Rate?单位是mbar/s，m=10-3，bar=1kg??例如；LR=1。5E-9表示漏率为每秒1.5*10-9mbar

7，例如；

压力为0PE通常都抽到-3

8来测试我

故如有碰9

10

（三）Particle?Analyzer????（灰尘含量分析）

目的；particle在半导体厂中是不良率祸首之一，尤其在现在的制程越来越小的情况下，如管路中含有过多的particle，对wafcr的良率影响很大

原理；利用samplc?gas流经雷射头，若particle则会造成crystal的震荡而测的出particle的大小及数量。

步骤；

a，先将待测管路预吹4小时以上。

找一待测管路衔接至particle??count的inlet端。

b，?在未开始测试前，先打开bypass?valve，以一开一关的方式将待测管路再预吹数分钟。

c，?打开电源，并确认outlet是否有气流出来。

d，?

Notice；

1，?

2，?um。

3，会产生particle

4，?

5,如LREF的值低于4。5时，请通知专业人员做雷射头清洁。

（四）氧含量分析（OxygenAnalyzer）：

目的：晶片在生产过程中，原本大气中O2会和Si产生化学反应得O2+Si=SiO2（二氧化矽）为原始的氧化层，如果管路的氧含量过高，原始的氧化层会超出原本已计算好的厚度，如此会严重影响接下来各阶段的制程。

原理；我们利用纯度较高的PN2对待测管路以长时间purge的方式，将微氧带离管路，并在一端接上分析仪器，直到仪器显示的含氧量达到客户要求的标准为止。

步骤：

a，将待测管路预吹至少4小时。

b，?取一待测管路衔接至测试仪器的inlet端。

c，?

Notice：

1，?

2，?

3，?

4，?

5，?

6，?

7，?

（五）水含量分析（MoistureAnalyzer）

目的：晶片在生产过程中，原本大气中H2O会和Si产生化学反应得：2H2O+Si=SiO2+2H2，其中二氧化矽为原始的氧化层，如果管路的含水量过高，原始的氧化层会超出原本已计算好的厚度，如此会影响接下来各阶段的制程。

原理：我们利用纯度较高的PN2对待测管路以长时间purge的方法，将水气带离管路，并在一端

接上分析仪器，直到仪器显示的含氧量浓度达到客户要求的标准为止。步骤：

A：将待测管路预吹至少4小时。

B：取一待测管路衔接到测试仪器的inlet端。

C：打开电源，开始测试。