模电总结复习课
总复习-模电基础篇
学习方法与建议
01
02
03
04
理论与实践相结合
既要掌握基本理论知识，又要 注重实验和实践操作能力的培
养。
多角度思考
对于同一个问题，可以从不同 的角度进行分析和思考，培养
创新思维。
勤加练习
通过大量的习题和实验练习， 加深对知识点的理解和掌握程
度。
及时总结
在学习过程中要及时总结归纳 ，形成自己的知识体系和思维
BTL功率放大电路设计要点
BTL电路采用双电源供电，两个放大器的输出端分别与负载的两端相连。设计要点包括选择合适的电源电 压和偏置电路，确保两个放大器在安全工作区内，并实现低的交越失真、高的电源利用率和良好的平衡 性。
直流稳压电源组成及工作原理
直流稳压电源组成
直流稳压电源主要由整流电路、滤波电路、稳压电路等部分组成。其中整流电路 将交流电转换为脉动直流电，滤波电路将脉动直流电平滑为稳定的直流电，稳压 电路则保证输出电压的稳定性。
集成运算放大器（简称集成运放）是一种高电压放大倍数、高输 入阻抗和低输出阻抗的电子器件。
集成运算放大器特点
具有高放大倍数、高输入阻抗、低输出阻抗、低噪声、低失真等特 点，广泛应用于模拟电路中。
集成运算放大器分类
根据制造工艺可分为双极型和单极型；根据输入级类型可分为差分 输入和单端输入。
集成运算放大器线性应用
功率放大电路基本概念及分类
功率放大电路定义
功率放大电路是指能输出足够大功率以驱动负载的电子电路 。它是电子设备中重要的组成部分，用于将微弱的输入信号 放大为具有足够功率的输出信号。
分类
根据放大器的输出级与负载的连接方式，功率放大电路可分 为变压器耦合功率放大电路、无输出变压器功率放大电路（ OTL电路）、无输出电容功率放大电路（OCL电路）和桥式 推挽功率放大电路（BTL电路）等类型。
模拟电路复习总结PPT课件
ri Rb1 // Rb2 // rbe 0.946K
r0 RC 2.5K
第29页/共61页
差分电路
1. 主要特点：放大差模信号，抑制共模信号(克服零点漂移) 2. 四种输入、输出方式比较：
输入输 出方式
双入 双出
单入 双出
双入 单出
单入 单出
差模信号
uid共模信 号uic
uid = ui uic = 0 uid = ui uic = 0 uid = ui uic = ui / 2 uid = ui u =u/2
iD
理想模型 (大信号状态采用)
正偏导通 电压降为零 相当于理想开关闭合 反偏截止 电流为零 相当于理想开关断开
UD(on)
u
D
恒压降模型
正偏电压 UD(on) 时导通 等效为恒压源UD(on)
否则截止，相当于二极管支路断开
硅管： UD(on) = (0.6 0.8) V 估算时取 0.7 V
锗管：
= 3.3V
1.65 40
= 12－1.65×(2+2.5)
= 41μA
= 4.575 V
第28页/共61页
ib
ui Rb2 Rb1 rbe
ic β ib
uO RC RL
26
rbe
300
(1
40) 1.65
=0.946KΩ
•
Au
RC // RL
rbe
40 2.5 // 5 0.9 4 6
70.18
晶体三极管
1. 形式与结构 NPN PNP
三区、三极、两结
2. 特点 基极电流控制集电极电流并实现放大
放大 内因：发射区载流子浓度高、基区薄、集电区面积大 条件 外因：发射结正偏、集电结反偏
模拟电子技术基础期末复习总结
模拟电子技术基础期末复习总结模拟电子技术基础期末复习总结模拟电子技术基础是电子工程师学习的重要一门课程，它涵盖了模拟电路的基本理论和应用技术。
期末复习是检验学生对课程内容掌握情况的重要环节。
本文将总结整个学期学习的重点内容，包括基本电路理论、放大电路、滤波电路、振荡电路和反馈电路等。
首先，基本电路理论是模拟电子技术的基石，学生需要熟悉基本电路元件的特性和基本电路定律。
其中，欧姆定律、基尔霍夫定律和戴维南定理等是解决电路问题的基本思想。
此外，学生还需要了解电压、电流与功率之间的关系，以及电路中的串联和并联等基本电路组合。
接下来是放大电路的学习。
放大电路是电子设备中常用的功能模块，它能够将输入信号放大到所需要的幅度。
在学习放大电路时，学生需要了解放大器的基本原理和分类。
常见的放大器有共射放大器、共基放大器和共集放大器。
此外，还需要学习放大器的增益、输入阻抗、输出阻抗和频率响应等重要参数。
滤波电路是用于信号处理的重要电路。
学生需要学习各种滤波器的工作原理和设计方法。
滤波器按照频率响应可分为低通滤波器、高通滤波器、带通滤波器和带阻滤波器。
学生需要了解滤波器的频率选择性和滤波特性，掌握RC、RL和LC滤波器的设计方法。
振荡电路是产生稳定的振荡信号的电路。
学生需要学习振荡器的分类和基本工作原理。
常见的振荡器有RC相移振荡器、LC谐振振荡器和晶体振荡器。
学生需要了解反馈网络在振荡器中的作用，并学习判断振荡器的稳定性和频率稳定性。
最后是反馈电路的学习。
反馈电路是模拟电子技术中的重要概念，它能够改变电路的性能和特性。
学生需要学习反馈电路的基本原理和分类。
常见的反馈电路有正反馈和负反馈电路。
学生需要了解反馈的作用和影响，掌握反馈系数的计算和反馈网络的设计方法。
通过期末复习，我对模拟电子技术基础课程的学习有了更深入的了解。
我明白了电路理论的重要性，掌握了放大电路、滤波电路、振荡电路和反馈电路的基本知识和应用技术。
在实践中，我还学会了使用实际电路元件进行电路设计和各种测量。
超详细模电总结复习资料-模拟电子技术基础(完整版)
第一章半导体二极管一. 半导体的基础知识1. 半导体--- 导电能力介于导体和绝缘体之间的物质( 如硅Si 、锗Ge)。
2. 特性--- 光敏、热敏和掺杂特性。
3. 本征半导体---- 纯净的具有单晶体结构的半导体。
4. 两种载流子---- 带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。
5. 杂质半导体---- *P 型半导体: *N 型半导体: 在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。
体现的是半导体的掺杂特性。
在本征半导体中掺入微量的三价元素（多子是空穴，少子是电子）在本征半导体中掺入微量的五价元素（多子是电子，少子是空穴）。
6. 杂质半导体的特性* 载流子的浓度--- 多子浓度决定于杂质浓度，少子浓度与温度有关。
* 体电阻--- 通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。
* 转型--- 通过改变掺杂浓度，一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。
7. PN 结* PN 结的接触电位差* PN 结的单向导电性8. PN 结的伏安特性--- 硅材料约为0.6~0.8V ，锗材料约为。
0.2~0.3V--- 正偏导通，反偏截止。
二. * * * *半导体二极管单向导电性------二极管伏安特性正向导通，反向截止。
---- 同ＰＮ结。
正向导通压降------ 硅管0.6~0.7V ，锗管0.2~0.3V 。
死区电压------ 硅管0.5V ，锗管0.1V 。
3. 分析方法------ 将二极管断开，分析二极管两端电位的高低:若V 阳>V 阴( 正偏) ，二极管导通( 短路);若V <V 阴( 反偏) ，二极管截止( 开路) 。
阳1）图解分析法该式与伏安特性曲线的交点叫静态工作点Q。
2) 等效电路法直流等效电路法* 总的解题手段---- 将二极管断开，分析二极管两端电位的高低:若若V 阳V 阳阴( 正偏阴( 反偏) ，二极管导通) ，二极管截止( 短路);( 开路) 。
>V<V* 三种模型微变等效电路法三. 稳压二极管及其稳压电路* 稳压二极管的特性接。
模电总结复习资料-模拟电子技术基础(第五版)
模电总结复习资料-模拟电子技术基础(第五版) 前几天模电总结了这本书，希望大家都能在这个学期继续坚持下去，有时间一定要看看。
希望大家看完之后可以收获很多经验与知识。
有一句话叫：“把时间浪费在不该花的地方，是一件最愚蠢的事。
”今天为大家分享的是模电总结资料之一：模拟电子基础（第五版),本书共分三册，共36章、120多页，是电子技术专业学生学习、复习和备考中不可缺少的重要资料。
在本教材中对基本概念和基本理论作了进一步的阐述，对所学知识进行了梳理，同时结合模拟电路实际设计方法对测试题型作了相应介绍，并给出了实验原理与应用方法。
一、基本概念电路的构成过程是：(1)产生信号的电源：由电路产生的电压和电流组成的电流源及谐波。
(2)信号的基本特性：由输入信号和输出信号组成的一组数字信号或一组模拟信号。
(3)信息形式：用来表示信号形式的一组信息和表达信息的符号。
电路所能实现的全部物理过程，以及所对应的控制策略对电路系统产生的影响和变化过程。
例如，电路图对逻辑关系的影响、电阻、电压互感和通信方法等。
电信号是通过测量在电路中被处理过的信号来描述和再现物理状态的。
有：时间步长、频率）时钟钟、电压基准；时间继电器式电路板(SOSD)等。
(4)模拟信号是在单片机或集成电路上按一定原理经过处理，以实现某种特定功能和性能而制造出来的数据符号。
1、模拟电路的结构电路是由输入信号、输出信号构成的。
模拟电子电路由输入输出端组成。
A.输入端的输出信号包括：频率和电压；谐波分量和电源谐波分量。
B.输出端是处理后的数字信号的一种输出方法或器件，主要是对信号进行采样和运算的部件。
C.时间继电器式电路板，也称为功率继电器。
D.控制输出的一种电路，包括：时间基准和电流基准。
2、模电信号的组成及与数字信号的关系电感在电路中起到传递电压的作用。
电流在经过电感后，在通过电感的电流场作用下转换为数字信号，其特性曲线称为数字信号。
电感在数字信号中起着很重要的作用。
模电知识点总结讲义
模电知识点总结讲义第一部分：基本概念1. 电子元件电子元件是指能处理信息的基本部件，包括电阻、电容、电感、二极管、晶体管等。
- 电阻：用于限制电流或降低电压的元件。
- 电容：用于储存电荷或储存能量的元件。
- 电感：用于储存磁场能量或阻碍电流变化的元件。
- 二极管：用于整流、开关、放大等功能的元件。
- 晶体管：用于放大、开关、稳压等功能的元件。
2. 电路电路是由电子元件连接而成的路径，用于传输电流或信号。
- 直流电路：电流方向不变的电路。
- 交流电路：电流方向时而正时而负的电路。
- 数字电路：用于处理数字信号的电路。
- 模拟电路：用于处理模拟信号的电路。
3. 电路分析电路分析是指根据电路中元件的特性和连接关系，计算电压、电流等参数的过程。
- 基尔霍夫定律：电路中各节点的电流代数和为零。
- 欧姆定律：电流与电压成正比，电阻是电压和电流的比值。
- 诺顿定理：任意线性电路均可用一个等效的电压源和串联电阻来替代。
- 戴维南定理：任意线性电路均可用一个等效的电流源和并联电阻来替代。
4. 信号处理信号是指传输信息的载体，信号处理是对信号进行增强、滤波、调制等操作的过程。
- 放大器：用于增强信号幅度的电路。
- 滤波器：用于去除或增强特定频率的电路。
- 调制器：用于将低频信号调制到高频载波上的电路。
第二部分：放大器1. 放大器类型- 基本放大器：包括共射、共集、共底极等类型。
- 差分放大器：用于抑制共模信号的放大器。
- 电压跟随器：用于输出跟随输入信号的放大器。
2. 放大器设计- 选型：根据放大器的功率、频率、噪声等性能要求选择适当的器件。
- 偏置：通过电阻、电容等元件来设置放大器工作点。
- 反馈：通过串联或并联的电阻、电容等元件来控制放大器的增益、带宽等性能。
3. 放大器应用- 信号放大：用于将传感器输出的微弱信号放大到可测量范围。
- 信号传输：用于增强信号以便传输到远处或驱动加载。
第三部分：滤波器1. 滤波器类型- 低通滤波器：允许低频信号通过，阻断高频信号。
完整版)模拟电子技术基础-知识点总结
完整版)模拟电子技术基础-知识点总结共发射极、共基极、共集电极。
2.三极管的工作原理---基极输入信号控制发射结电流，从而控制集电极电流，实现信号放大。
3.三极管的放大倍数---共发射极放大倍数最大，共集电极放大倍数最小。
三.三极管的基本放大电路1.共发射极放大电路---具有电压放大和电流放大的作用。
2.共集电极放大电路---具有电压跟随和电流跟随的作用。
3.共基极放大电路---具有电压放大的作用，输入电阻较低。
4.三极管的偏置电路---通过对三极管的基极电压进行偏置，使其工作在放大区，保证放大电路的稳定性。
四.三极管的应用1.放大器---将弱信号放大为较强的信号。
2.开关---控制大电流的通断。
3.振荡器---产生高频信号。
4.稳压电源---利用三极管的负温度系数特性，实现稳定的输出电压。
模拟电子技术复资料总结第一章半导体二极管一.半导体的基础知识1.半导体是介于导体和绝缘体之间的物质，如硅Si、锗Ge。
2.半导体具有光敏、热敏和掺杂特性。
3.本征半导体是纯净的具有单晶体结构的半导体。
4.载流子是带有正、负电荷的可移动的空穴和电子，是半导体中的两种主要载流体。
5.杂质半导体是在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。
根据掺杂元素的不同，可分为P型半导体和N型半导体。
6.杂质半导体的特性包括载流子的浓度、体电阻和转型等。
7.PN结是由P型半导体和N型半导体组成的结，具有单向导电性和接触电位差等特性。
8.PN结的伏安特性是指在不同电压下，PN结的电流和电压之间的关系。
二.半导体二极管半导体二极管是由PN结组成的单向导电器件。
1.半导体二极管具有单向导电性，即只有在正向电压作用下才能导通，反向电压下截止。
2.半导体二极管的伏安特性与PN结的伏安特性相似，具有正向导通压降和死区电压等特性。
3.分析半导体二极管的方法包括图解分析法和等效电路法等。
三.稳压二极管及其稳压电路稳压二极管是一种特殊的二极管，其正常工作状态是处于PN结的反向击穿区，具有稳压的作用。
模拟电路知识点复习总结课件
• 总的来说就是以三极管为核心，以集成运放为主 线。
• 集成运放内部主要组成单元是差分输入级、电压 放大级、功率放大级、偏置电路。
• 集成运放的两个不同工作状态：线性和非线性应 用。
• 模拟电路主要就是围绕集成运放的内部结构、外 部特性及应用、性能改善、工作电源产生、信号 源产生等展开。
PPT学习交流
39
4.1.3 BJT的V-I 特性曲线
2. 输出特性曲线
iC=f(vCE) iB=const
输出特性曲线的三个区域:
饱和区：iC明显受vCE控制的区域， 该区域内，一般vCE＜0.7V (硅管)。
此时，发射结正偏，集电结正偏或反 偏电压很小。
截止区：iC接近零的区域，相当iB=0
的曲线的下方。此时， vBE小于死区 电压。
IE
通常 IC >> ICBO 则有 IC
IE
IC= InC+ ICBO
为电流放大系数。它只
与管子的结构尺寸和掺杂浓度 有关，与外加电压无关。一般
= 0.90.99 。
放大状态下BJT中载流子的传输过程
PPT学习交流
35
2. 电流分配关系
又设= 1
根据 IE=IB+ IC
IC= InC+ ICBO
－
－
vN
＋
－
＋
Avo(vp-vN)
－
vo
PPT学习交流
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理想运算放大器的特性
理想运算放大器具有“虚短”和“虚断”的特性， 这两个特性对分析线性运用的运放电路十分有用。为 了保证线性运用，运放必须在闭环(负反馈）下工作。
(1)虚短
由于运放的电压放大倍数很大，而运放的输出电 压是有限的，一般在10 V～14 V。因此运放的差模输入 电压不足1 mV，两输入端近似等电位，相当于 “短 路”。开环电压放大倍数越大，两输入端的电位越接 近相等。
模电知识点复习总结
模电知识点复习总结模拟电子技术（模电）是电子工程中的重要基础学科之一，主要研究电路中的电压、电流以及能量的传输和转换。
下面是我对模电知识点的复习总结：一.基础知识1.电路基本定律：欧姆定律、基尔霍夫定律、电压分压定律、电流分流定律、功率定律。
2.信号描述与频域分析：时间域与频域的关系。
傅里叶级数和傅里叶变换的基本概念和应用。
3.理想放大器：增益、输入/输出电阻、输入/输出阻抗的概念和计算方法。
4.放大器基本电路：共射、共集、共基放大器的特点、电路结构和工作原理。
二.放大器设计1.放大器的参数：增益、输入/输出电阻、输入/输出阻抗。
2.放大器的稳定性：稳态稳定性和瞬态稳定性。
3.放大器的频率响应：截止频率、增益带宽积、输入/输出阻抗对频率的影响。
4.放大器的非线性失真：交趾略失真、交调失真、互调失真等。
5.放大电路的优化设计：负反馈、输入/输出阻抗匹配、增益平衡等。
三.运算放大器1.运算放大器的基本性质：增益、输入阻抗、输出阻抗、共模抑制比。
2.电压放大器：非反转放大器、反转放大器、仪表放大器、差分放大器。
3.运算放大器的应用电路：比较器、积分器、微分器、换相器、限幅器等。
4.运算放大器的非线性失真：输入失真、输出失真、交调失真等。
四.双向可调电源1.双向可调电源的基本原理：输入电压、输出电压和控制信号之间的关系。
2.双向可调电源的电路结构：移相电路、比较器、反相放大器、输出级等。
3.双向可调电源的控制方式：串行控制和并行控制。
五.滤波器设计1.常见滤波器类型：低通、高通、带通和带阻滤波器。
2.滤波器的频率响应特性：通频带、截止频率、衰减量。
3.滤波器的传输函数：频率选择特性、阶数选择。
4.滤波器的实现方法：RC、RL、LC和电子管等。
六.可控器件1.二极管：理想二极管模型、二极管的非理想特性、二极管的应用。
2.可控硅：双向可控硅、单向可控硅、可控硅的触发电路和应用。
3.功率晶体管：NPN、PNP型功率晶体管的特性参数、功率放大电路设计。
模电知识点复习总结
3.4.2 二极管电路的简化模型分析方法பைடு நூலகம்
1.二极管V-I 特性的建模
将指数模型 iD=IS(e分vD段VT线性1)化，得到二极管特性的 等效模型。 （1）理想模型
（a）V-I特性 （b）代表符号 （c）正向偏置时的电路模型 （d）反向偏置时的电路模型
（2）恒压降模型
（3）折线模型
（a）V-I特性 （b）电路模型
漂移运动： 由电场作用引起的载流子的运动称为漂移运动.
扩散运动： 由载流子浓度差引起的载流子的运动称为扩散运动.
3.2.2 PN结形成
在一块本征半导体两侧通过扩散不同的杂质,分 别形成N型半导体和P型半导体.此时将在N型半导 体和P型半导体的结合面上形成如下物理过程:
因浓度差
多子的扩散运动 由杂质离子形成空间电荷区
特别注意： ▪ 小信号模型中的微变电阻rd与静态工作点Q有关。 ▪ 该模型用于二极管处于正向偏置条件下，且vD>>VT 。
3.5 特殊二极管
（一）稳压二极管
I/mA
1 结构：面接触型硅二极管
2 主要特点： (a) 正向特性同普通二极管 (b) 反向特性
• 较大的 I 较小的 U •工作在反向击穿状态. 在一定范围内,反向击穿 具有可逆性。
则 = ICICEO
IB
当IC
IC
时
EO
， IC
IB
是另一个电流放大系数。同样，它也只与管
子的结构尺寸和掺杂浓度有关，与外加电压无关。
一般 >> 1 。
3. 三极管的三种组态
BJT的三种组态
共发射极接法,发射极作为公共电极，用CE表示； 共基极接法,基极作为公共电极，用CB表示； 共集电极接法,集电极作为公共电极，用CC表示.
模拟的电子技术基础知识点的总结
模拟电子技术复习资料总结第一章半导体二极管一.半导体的基础知识1.半导体---导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。
2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。
3.本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。
4.两种载流子----带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。
5.杂质半导体----在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。
体现的是半导体的掺杂特性。
*P型半导体:在本征半导体中掺入微量的三价元素（多子是空穴，少子是电子）。
*N型半导体: 在本征半导体中掺入微量的五价元素（多子是电子，少子是空穴）。
6.杂质半导体的特性*载流子的浓度---多子浓度决定于杂质浓度，少子浓度与温度有关。
*体电阻---通常把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。
*转型---通过改变掺杂浓度，一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。
7. PN结* PN结的接触电位差---硅材料约为0.6~0.8V，锗材料约为0.2~0.3V。
* PN结的单向导电性---正偏导通，反偏截止。
8. PN结的伏安特性二. 半导体二极管*单向导电性------正向导通，反向截止。
*二极管伏安特性----同ＰＮ结。
*正向导通压降------硅管0.6~0.7V，锗管0.2~0.3V。
*死区电压------硅管0.5V，锗管0.1V。
3.分析方法------将二极管断开，分析二极管两端电位的高低:若V阳>V阴( 正偏)，二极管导通(短路);若V阳<V阴( 反偏)，二极管截止(开路)。
1）图解分析法该式与伏安特性曲线的交点叫静态工作点Q。
2) 等效电路法直流等效电路法*总的解题手段----将二极管断开，分析二极管两端电位的高低:若V阳>V阴( 正偏)，二极管导通(短路);若V阳<V阴( 反偏)，二极管截止(开路)。
*三种模型微变等效电路法三.稳压二极管及其稳压电路*稳压二极管的特性---正常工作时处在PN结的反向击穿区，所以稳压二极管在电路中要反向连接。
模拟电子技术总结复习资料
模拟电子技术复习资料一、前言模拟电子技术是电子工程师必备的技术之一，本文将模拟电子技术的相关知识点，以供复习之用。
二、基础知识1. 模拟电子技术的定义模拟电子技术是指以连续的时间和数值作为处理信号的基本方法，将原始信号转换为模拟电压或电流信号，经过放大、滤波、调制等技术处理后再转换为输出信号的一种电子技术。
2. 信号处理的分类信号处理可以分为模拟信号处理和数字信号处理两种方式。
其中，模拟信号处理是连续的，输出结果也是连续的；数字信号处理是离散的，输出结果也是离散的。
3. 电路元件常见的电路元件有电阻、电容、电感和二极管等。
在实际电路中，这些元件通常是串接或并联连接。
4. 电路分析电路分析主要包括基础电路分析、状态变量法和矩阵方法三种。
其中，基础电路分析可以用于简单电路的分析，状态变量法可用于复杂电路的分析，矩阵方法则适用于大型电路分析。
三、基本电路1. 电压分压器电压分压器是一种简单的电路，在电路中由两个电阻相连，起到将输入电压分压的作用。
分压器的输出电压等于输入电压乘以电路中两个电阻的比值，即：V_out = V_in * R2 / (R1 + R2)2. 电路共模抑制电路共模抑制是一种在电路中削弱两个信号（通常是两个交流信号）之间共同模式分量的方法。
在电路中添加一对差模信号，可以使一部分共模干扰信号被消除。
3. 交流放大器交流放大器是一种电路，用于放大输入信号的交流部分。
通常会使用共射极放大器来放大信号。
4. 滤波器滤波器是一种电路，主要功能是去除输入信号中不需要的频率或波形分量。
滤波器通常被划分为低通滤波器、高通滤波器、带通滤波器和带阻滤波器等不同类型。
四、放大器1. 放大器的分类放大器通常被分为共射极放大器、共集极放大器和共基极放大器等三种。
其中，共射极放大器最常用。
2. 放大器的增益与带宽放大器的增益和带宽是两个相互制约的指标。
在设计放大器时，需要综合考虑这两个指标来确定放大器的工作范围。
（完整版）模电总结复习资料
（完整版）模电总结复习资料第⼀章半导体⼆极管⼀.半导体的基础知识1.半导体---导电能⼒介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。
2.特性---光敏、热敏和掺杂特性。
3.本征半导体----纯净的具有单晶体结构的半导体。
4. 两种载流⼦----带有正、负电荷的可移动的空⽳和电⼦统称为载流⼦。
5.杂质半导体----在本征半导体中掺⼊微量杂质形成的半导体。
体现的是半导体的掺杂特性。
*P型半导体:在本征半导体中掺⼊微量的三价元素（多⼦是空⽳，少⼦是电⼦）。
*N型半导体: 在本征半导体中掺⼊微量的五价元素（多⼦是电⼦，少⼦是空⽳）。
6. 杂质半导体的特性*载流⼦的浓度---多⼦浓度决定于杂质浓度，少⼦浓度与温度有关。
*体电阻---通常把杂质半导体⾃⾝的电阻称为体电阻。
*转型---通过改变掺杂浓度，⼀种杂质半导体可以改型为另外⼀种杂质半导体。
7. PN结* PN结的接触电位差---硅材料约为0.6~0.8V，锗材料约为0.2~0.3V。
* PN结的单向导电性---正偏导通，反偏截⽌。
8. PN结的伏安特性⼆. 半导体⼆极管*单向导电性------正向导通，反向截⽌。
*⼆极管伏安特性----同ＰＮ结。
*正向导通压降------硅管0.6~0.7V，锗管0.2~0.3V。
*死区电压------硅管0.5V，锗管0.1V。
3.分析⽅法------将⼆极管断开，分析⼆极管两端电位的⾼低:若 V阳 >V阴( 正偏 )，⼆极管导通(短路);若 V阳1）图解分析法该式与伏安特性曲线的交点叫静态⼯作点Q。
2) 等效电路法直流等效电路法*总的解题⼿段----将⼆极管断开，分析⼆极管两端电位的⾼低:若 V阳 >V阴( 正偏 )，⼆极管导通(短路);若 V阳*三种模型微变等效电路法三. 稳压⼆极管及其稳压电路*稳压⼆极管的特性---正常⼯作时处在PN结的反向击穿区，所以稳压⼆极管在电路中要反向连接。
第⼆章三极管及其基本放⼤电路⼀. 三极管的结构、类型及特点1.类型---分为NPN和PNP两种。
模电各章节主要知识点总结
06
第六章：信号发生器与信号变换器
信号发生器的定义和分类
总结词
信号发生器是用于产生所需信号的电子设备 ，根据产生信号的方式不同，可以分为振荡 器和调制器两类。
详细描述
信号发生器是用来产生各种所需信号的电子 设备，这些信号可以是正弦波、方波、脉冲 波等。根据产生信号的方式不同，信号发生 器可以分为两类：振荡器和调制器。振荡器 是利用自激反馈产生所需信号的电子设备， 而调制器则是利用调制技术将低频信号加载
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限流、分压、反馈等
电阻的串并联
串联增大阻值，并联减小阻值
电容
电容的种类
电解电容、瓷片电容、薄膜电 容等
电容的参数
标称容量、允许偏差、额定电 压、绝缘电阻等
电容的作用
隔直流通交流、滤波、耦合等
电容的充电放电
在交流电下，电容具有“隔直 流通交流”的作用，即让高频 信号通过，阻止低频信号通过
电感
电感的种类
信号变换器的工作原理和应用
• 总结词：模拟式信号变换器的工作原理是将输入的模拟信号进行采样、量化和 编码，转换成数字信号输出；数字式信号变换器则是将输入的数字信号进行解 码和数模转换，转换成模拟信号输出。
• 详细描述：模拟式信号变换器的工作原理是将输入的模拟信号进行采样、量化 和编码，转换成数字信号输出。采样是将连续时间信号转换为离散时间信号的 过程，量化是将采样后的离散值进行近似取整的过程，编码则是将量化后的离 散值转换为二进制码元的过程。数字式信号变换器的工作原理是将输入的数字 信号进行解码和数模转换，转换成模拟信号输出。解码是将输入的数字码元进 行解码的过程，数模转换则是将解码后的离散值转换为连续时间信号的过程。 模拟式和数字式信号变换器在通信、测量、控制等领域有着广泛的应用。
模电知识点复习总结
4.1.2 放大状态下BJT的工作原理
三极管的放大作用是在一定的外部条件控制下，通过载
流子传输体现出来的。
外部条件：发射结正偏 集电结反偏
由于三极管内有两种载流子(自由 电子和空穴)参与导电，故称为双极 型三极管或BJT (Bipolar Junction Transistor)。
iB=f(vBE) vCE=const
(1) 当vCE=0V时，相当于发射结的正向伏安特性曲线。 (2) 当vCE≥1V时， vCB= vCE - vBE>0，集电结已进入反偏状态，开始收
集电子，基区复合减少，同样的vBE下 IB减小，特性曲线右移。
共射极连接
4.1.3 BJT的V-I 特性曲线
2. 输出特性曲线
线基本平行等距。此时，发射结正偏， 集电结反偏。
4.1.4 BJT的主要参数
极限参数
(1) 集电极最大允许电流ICM (2) 集电极最大允许功率损耗PCM
PCM= ICVCE
• V(BR)CEO——基极开路时集电极和发射 极间的击穿电压。
4.3.1 图解分析法
1. 静态工作点的图解分析
• 在输入特性曲线上，作出直线 vBE=VBB iBRb，两线的交点 即是Q点，得到IBQ。
f
通频带： fBW=fH–fL
第二章 运算放大器
主讲: 胡仕刚
湖南科技大学信息与电气工程学院
开环电压放大倍数高(104-107)； 输入电阻高（约几百KΩ）； 输出电阻低（约几百Ω）； 漂移小、可靠性高、体积小、重量轻、价格低 。
电压传输特性 Vo=Avo(vp-vN)
《模拟电子技术》期末总复习PPT课件
{ 硅管： IsnA级
•反向饱和电流Is 锗管： IsA级
•电压当量（室温下）： UT 26mV
半导体器件基础
3.2二极管的等效电阻 • 等效电阻为非线性电阻，与工作点有关。
•
直流电阻:
RD
UQ IQ
交流电阻：
rD
26mV IQ
半导体器件基础
3.3 二极管的主要参数 • 最大正向平均电IF; • 最大反向工作电压URM； • 反向电流IR； • 最高工作频率fM。 3.4 稳压二极管(利用电击穿特性) • 稳压条件： • 反向运用, • Iz,min<Iz<Iz,max，(或偏压大于稳压电压） • 加限流电阻R
形成漂移电流。
半导体器件基础
2.1PN结 • 形成过程：扩散扩散、漂移扩散＝漂移
•导通电压 硅（Si）: U 0.6 ~ 0.8V
锗（Ge）： U 0.2 ~ 0.3V 2.2 PN结伏安特性
（1）加正向电压：扩散>漂移，（耗尽层变窄）
正向电流
I
I eU D /UT s
（2）加反向电压：扩散<漂移， （耗尽层变宽 ）
《模拟电子技术》 期末总复习
总要求： 抓住基本概念基本知识和基本分析 方法； 注重知识的综合应用。
半导体器件基础
1.1半导体特性 • 掺杂可改变和控制半导体的电阻率 • 温度可改变和控制半导体的电阻率 • 光照可改变和控制半导体的电阻1.2 本征
半导体 • 排列整齐、纯净的半导体称为本征半导体。 • 两种载流子（电子、空穴），成对出现。 • 在电场作用下，载流子作定向运动形成漂
'
(RL ' RC / /RL )(需看射极是否有偏置电阻及旁路电容）
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关于功率放大电路
2. （20分）如图所示电路是没有画完的功率放大电路，已知输入电压为正弦波， V = 3V 运算放大器为理想运放。VCC=15V，RL=80Ω，Rf=190kΩ 1）合理连线，接入信号源和反馈电阻Rf，使电路具有输入电阻大、输出电压稳定 的特点； 2）设三极管VT1和VT2的饱和管压降可忽略不计，计算VT1和VT2的极限参数、、 大 体应满足什么条件？ 3 3）当输入电压Vim=0.5V时，问：输出电压Vom=？输出功率等于多少？ V =0.5V V =
9
关于稳压电源
11.8在如图P11.8所示直流稳压电源中，已知三极管T的＝0.3V， β ＝30；W7805的最大输出电流IOmax＝1.5A。试求解： 1）输出电压VO； 2）最大负载电流IL。
T R 0.5 V I = 10V II IO IL IC
W7805
RL VO
10
关于振荡电路
基本电路结构 判断电路能否起振 振荡频率的估算 幅值条件的估算
V REF (+3V)
A
R1 R1
R2
vO
vI
DZ
6V
15
关于比较电路
10.18在图P10.18（a）所示电路中，已知A为理想运算放大器，稳 压管和二极管的正向导通电压均为 0.7V，输入电压的波形如图 （b）所示。试画出该电路的电压传输特性，以及输出电压的波形， 并标出有关数据。。
D R1 10kΩ R1 +3V 10kΩ vI R2 2kΩ DZ VZ = 6V
2 I om Vom 1 Vom 1 (VCC − VCES ) 2 = × = = RL 2 2 2 RL 2
PoM
忽略管饱和压降情况下, POM 电源输出功率
2 1 VCC ≈ 2 RL
1 1 V − VCES 2 V (V − VCES ) PS = ∫ VCC iC dt = ∫ VCC CC sin ωt d (ωt ) = × CC CC T 0 π0 RL π RL
+V CC Rc1 Rc2 R e3 T3 T1 vI Re V EE T2 Rc3 vO
2
关于功率放大电路
Po = Vom I om 1 = Vom I om 2 2 2
1 PS = ∫ VCC iC dt T 0
T
输出功率
电源提供的功率
效率
η=
PoM × 100% PS
3
关于功率放大电路
最大输出功率
CES
vi vo
6
关于运算电路
理想运算放大器组成的模拟电感的回转器电路如图所示，1）写出该 电路的输入阻抗表达式；2）若图中的Z为电容C, 则输入阻抗呈何种性 质（容性、感性或纯阻性）；3）若R1=R2=1kΩ, 要求得到L=0.1H的 电感值，问电容C应选多大？
2
7
关于稳压电源
基本电路结构（几大部分、所起的作用） 可调电压的估算 集成电源的扩展应用
A
vO
(a) vI/ V +10V
0 (b)
t
16
v2
VI
VO
8
关于稳压电源
11.4图P11.4所示电路为串联型稳压电源，A为理想运放。 1）在图中标明A的同相输入端和反相输入端； 2） Z = 8V IZ R2 R3 I R3 =10mA IL RL
T
V O =24V
11.5在如图P11.5所示稳压电路中，已知三极管T的管压 降VCE > 3V才能正常工作。试问： 1）R2、R3的值为多少？ 2）VI至少应为多少伏？
1
线性区（负反馈） 线性区（负反馈） 非线性区（正反馈） 非线性区（正反馈）
关于差动放大器
在图示放大电路中，各晶体管的参数相同，且β＝100，rbb’＝0，，IB3可以忽 略不计。电阻Rc1＝Rc2＝Rc3＝10kΩ，Re＝9.3kΩ，Re3＝4.3kΩ，电源电压VCC＝ VEE＝10V，设差分放大电路的共模抑制比KCMR足够大，试估算： 1）静态时，VO＝？ 2）vI＝10mV时，输出信号电压vO＝？
11
关于振荡电路
12
关于振荡电路
D1 RW R2 D2 R1
A
vO R C R
C
13
关于振荡电路
+V CC R1 300µΗ L T Rc 4700pF C1
C3 0.1µF C2 4700pF R2 Re
C4 0.1µF
14
关于比较电路
10.17电路如图P10.17所示，A为理想运算放大器，试画出该电路 的电压传输特性。
T
π
转换效率
η=
PoM π VCC − VCES = × PS VCC 4
4
关于功率放大电路
PT 1max = 0.2 PoM
流过功放管的最大电流为
VCC VCC − VCES ≤ I CM ， 即 I CM ≥ RL RL
要求功放管的
V( BR )CEO ≥ 2VCC
5
U imax = 0.5V
总结复习课
1）集成运算放大器 ） (差动输入、中间放大、功率输出、恒流源电路） 差动输入、中间放大、功率输出、恒流源电路） 2）负反馈放大电路 (负反馈对放大电路性能的改善、 ） 负反馈对放大电路性能的改善、 负反馈对放大电路性能的改善 深度负反馈下的计算） 深度负反馈下的计算） 3）运算电路 ） 4）有源滤波电路 ） 5）比较电路 ） 6）振荡电路 ） 7）稳压电源（各部分的组成、稳压原理） ）稳压电源（各部分的组成、稳压原理）