2005年理论课期末考试试题_模拟集成电路分析与设计

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解：（1）VGS VTH , I D 0
2
对全部高中资料试卷电气设备，在安装过程中以及安装结束后进行高中资料试卷调整试验；通电检查所有设备高中资料电试力卷保相护互装作置用调与试相技互术关，系电，力根通保据过护生管高产线中工敷资艺设料高技试中术卷资，配料不置试仅技卷可术要以是求解指，决机对吊组电顶在气层进设配行备置继进不电行规保空范护载高与中带资负料荷试下卷高问总中题体资，配料而置试且时卷可，调保需控障要试各在验类最；管大对路限设习度备题内进到来行位确调。保整在机使管组其路高在敷中正设资常过料工程试况中卷下，安与要全过加，度强并工看且作护尽下关可都于能可管地以路缩正高小常中故工资障作料高；试中对卷资于连料继接试电管卷保口破护处坏进理范行高围整中，核资或对料者定试对值卷某，弯些审扁异核度常与固高校定中对盒资图位料纸置试，.卷保编工护写况层复进防杂行腐设自跨备动接与处地装理线置，弯高尤曲中其半资要径料避标试免高卷错等调误，试高要方中求案资技，料术编试交写5、卷底重电保。要气护管设设装线备备置敷4高、调动设中电试作技资气高，术料课中并3中试、件资且包卷管中料拒含试路调试绝线验敷试卷动槽方设技作、案技术，管以术来架及避等系免多统不项启必方动要式方高，案中为；资解对料决整试高套卷中启突语动然文过停电程机气中。课高因件中此中资，管料电壁试力薄卷高、电中接气资口设料不备试严进卷等行保问调护题试装，工置合作调理并试利且技用进术管行，线过要敷关求设运电技行力术高保。中护线资装缆料置敷试做设卷到原技准则术确：指灵在导活分。。线对对盒于于处调差，试动当过保不程护同中装电高置压中高回资中路料资交试料叉卷试时技卷，术调应问试采题技用，术金作是属为指隔调发板试电进人机行员一隔，变开需压处要器理在组；事在同前发一掌生线握内槽图部内纸故，资障强料时电、，回设需路备要须制进同造行时厂外切家部断出电习具源题高高电中中源资资，料料线试试缆卷卷敷试切设验除完报从毕告而，与采要相用进关高行技中检术资查资料和料试检，卷测并主处且要理了保。解护现装场置设。备高中资料试卷布置情况与有关高中资料试卷电气系统接线等情况，然后根据规范与规程规定，制定设备调试高中资料试卷方案。

全国2005年4月高等教育自学考试电子技术基础（二）试题课程代码02273

全国2005年4⽉⾼等教育⾃学考试电⼦技术基础（⼆）试题课程代码02273浙02273# 电⼦技术基础（⼆）试题第 1 页（共 5 页）全国2005年4⽉⾼等教育⾃学考试电⼦技术基础（⼆）试题课程代码：02273⼀、单项选择题（本⼤题共14⼩题，每⼩题1分，共14分）在每⼩题列出的四个备选项中只有⼀个是符合题⽬要求的，请将其代码填写在题后的括号内。

错选、多选或未选均⽆分。

1.N 型半导体是在本征半导体中掺⼊（）A.3价元素B.4价元素C.5价元素D.6价元素2.为提⾼⼯作点的稳定性，集成电路中普遍采⽤（）A.分压式电流负反馈偏置B.固定偏置C.恒流源偏置D.电压负反馈偏置3.某仪表放⼤电路，要求输⼊电阻⼤，输出电流稳定，应选⽤（）A.电压串联负反馈B.电压并联负反馈C.电流串联负反馈D.电流并联负反馈4.在放⼤电路中，当f=f H 时，电压放⼤倍数A u 是中频时电压放⼤倍数A sm 的（） A.0.707倍 B.1倍C.0.9倍D.2倍5.为提⾼共模抑制⽐应采⽤（）A.共射放⼤电路B.共基放⼤电路C.多级放⼤电路D.差动放⼤电路6.电容三点式正弦波振荡器的振荡频率为（） A.C L 21f 10π= B. RC 21f 0π= C. C L 21f 0'π= D. 21210c c c c L 21f +π=7.单相桥式整流电路的输⼊电压tV sin 210u 2ω=时则输出电压平均值为（）A.20VB.10VC.9VD.V 2108.下列数据中，数值最⼤的数据为（）A.（32）16B.（61）8C.（110110）2D.（52）109.逻辑表达式)CA⊕写成与或形式为（）B(A.CA+ B.ABCBCBAA+BCC.CA+ D.ABCBABCA+CB10.下列门电路中输出端并联后可以正常⼯作的是（）A.TTL与⾮门B.CMOS与⾮门C.集电极开路的TTL与⾮门D.TTL或⾮门11.设集成⼗进制加法计数器的初始状态为Q4Q3Q2Q1=0000，当输⼊时钟CP频率为1KHZ 的脉冲时，经过12ms以后计数器的状态为（）A.0010B.0100C.1010D.110012.能够改变脉冲波形宽度的功能电路为（）A.译码器B.D/A转换器C.A/D转换器D.单稳态触发器13.D/A转换是（）A.模拟量到数字量的转换B.数字量到模拟量的转换C.⾼电平到低电平的转换D.低电平到⾼电平的转换14.可以随时读出数据和写⼊数据的存储器为（）A.ROMB.EEPROMC.RAMD.GAL⼆、填空题（本⼤题共10⼩题，每⼩题1分，共10分）请在每⼩题的空格中填上正确答案。

模拟集成电路设计期末试卷..

模拟集成电路设计期末试卷..《模拟集成电路设计原理》期末考试⼀．填空题（每空1分，共14分）1、与其它类型的晶体管相⽐，MOS器件的尺⼨很容易按____⽐例____缩⼩，CMOS电路被证明具有_较低__的制造成本。

2、放⼤应⽤时，通常使MOS管⼯作在_ 饱和_区，电流受栅源过驱动电压控制，我们定义_跨导_来表⽰电压转换电流的能⼒。

3、λ为沟长调制效应系数，对于较长的沟道，λ值____较⼩___（较⼤、较⼩）。

4、源跟随器主要应⽤是起到___电压缓冲器___的作⽤。

5、共源共栅放⼤器结构的⼀个重要特性就是_输出阻抗_很⾼，因此可以做成___恒定电流源_。

6、由于_尾电流源输出阻抗为有限值_或_电路不完全对称_等因素，共模输⼊电平的变化会引起差动输出的改变。

7、理想情况下，_电流镜_结构可以精确地复制电流⽽不受⼯艺和温度的影响，实际应⽤中，为了抑制沟长调制效应带来的误差，可以进⼀步将其改进为__共源共栅电流镜__结构。

8、为⽅便求解，在⼀定条件下可⽤___极点—结点关联_法估算系统的极点频率。

9、与差动对结合使⽤的有源电流镜结构如下图所⽰，电路的输⼊电容C in为__ C F（1－A）__。

10、λ为沟长调制效应系数，λ值与沟道长度成___反⽐__（正⽐、反⽐）。

⼆．名词解释（每题3分，共15分）1、阱解：在CMOS⼯艺中，PMOS管与NMOS管必须做在同⼀衬底上，其中某⼀类器件要做在⼀个“局部衬底”上，这块与衬底掺杂类型相反的“局部衬底”叫做阱。

2、亚阈值导电效应解：实际上，V GS=V TH时，⼀个“弱”的反型层仍然存在，并有⼀些源漏电流，甚⾄当V GS3、沟道长度调制解：当栅与漏之间的电压增⼤时，实际的反型沟道长度逐渐减⼩，也就是说，L 实际上是V DS 的函数，这种效应称为沟道长度调制。

4、等效跨导Gm 解：对于某种具体的电路结构，定义inD V I ??为电路的等效跨导，来表⽰输⼊电压转换成输出电流的能⼒ 5、⽶勒定理解：如果将图（a ）的电路转换成图（b ）的电路，则Z 1=Z/(1-A V )，Z 2=Z/(1-A V -1)，其中A V =V Y /V X 。

集成电路期末考试知识点答案

集成电路期末考试知识点答案目录集成电路期末考试知识点答案 (1)Part I (2)Part II (5)Part III (11)Part IV (15)Part V (23)Part VI (27)Part VII (33)Part VIII (41)Part I1、哪一年在哪儿发明了晶体管？发明人哪一年获得了诺贝尔奖？1947贝尔实验室肖克来波拉坦巴丁发明了晶体管 1956获诺贝尔奖2、世界上第一片集成电路是哪一年在哪儿制造出来的？发明人哪一年为此获得诺贝尔奖？Jack kilby 德州仪器公司1958年发明 2000获诺贝尔奖3、什么是晶圆？晶圆的材料是什么？晶圆是指硅半导体集成电路制作所用的硅晶片，材料是硅4、目前主流集成电路设计特征尺寸已经达到多少？预计2016 年能实现量产的特征尺寸是多少？主流0.18um 22nm5、晶圆的度量单位是什么？当前主流晶圆的尺寸是多少？英寸12英寸6、摩尔是哪个公司的创始人？什么是摩尔定律？英特尔芯片上晶体管数每隔18个月增加一倍7、什么是SoC？英文全拼是什么？片上系统 System On Chip8、说出Foundry、Fabless 和Chipless 的中文含义。

代工无生产线无芯片9、一套掩模一般只能生产多少个晶圆？1000个晶圆10、什么是有生产线集成电路设计？电路设计在工艺制造单位内部的设计部门进行11、什么是集成电路的一体化(IDM)实现模式？设计制造和封装都集中在半导体生产厂家内进行12、什么是集成电路的无生产线(Fabless)设计模式？只设计电路而没有生产线13、一个工艺设计文件(PDK)包含哪些内容？器件的SPICE参数、版图设计用的层次定义、设计规则和晶体管电阻电容等器件以及通孔焊盘等基本结构版图，与设计工具关联的设计规则检查、参数提取、版图电路图对照用的文件。

14、设计单位拿到PDK 文件后要做什么工作？利用CAD/EDA工具进行电路设计仿真等一系列操作最终生成以GDS-II格式保存的版图文件，然后发给代工单位。

(完整版)集成电路设计复习题及解答

集成电路设计复习题绪论1．画出集成电路设计与制造的主要流程框架。

2．集成电路分类情况如何？集成电路设计1．层次化、结构化设计概念，集成电路设计域和设计层次2．什么是集成电路设计？集成电路设计流程。

（三个设计步骤：系统功能设计逻辑和电路设计版图设计）3．模拟电路和数字电路设计各自的特点和流程4．版图验证和检查包括哪些内容？如何实现？5．版图设计规则的概念，主要内容以及表示方法。

为什么需要指定版图设计规则？6．集成电路设计方法分类？（全定制、半定制、PLD）7．标准单元/门阵列的概念，优点/缺点，设计流程8．PLD设计方法的特点，FPGA/CPLD的概念9．试述门阵列和标准单元设计方法的概念和它们之间的异同点。

10．标准单元库中的单元的主要描述形式有哪些？分别在IC设计的什么阶段应用？11．集成电路的可测性设计是指什么？Soc设计复习题1.什么是SoC？2.SoC设计的发展趋势及面临的挑战？3.SoC设计的特点?4.SoC设计与传统的ASIC设计最大的不同是什么？5.什么是软硬件协同设计？6.常用的可测性设计方法有哪些？7. IP的基本概念和IP分类8.什么是可综合RTL代码?9.么是同步电路，什么是异步电路，各有什么特点？10.逻辑综合的概念。

11.什么是触发器的建立时间（Setup Time），试画图进行说明。

12.什么是触发器的保持时间（Hold Time），试画图进行说明。

13. 什么是验证，什么是测试，两者有何区别？14.试画图简要说明扫描测试原理。

绪论1、画出集成电路设计与制造的主要流程框架。

2、集成电路分类情况如何？集成电路设计1．层次化、结构化设计概念，集成电路设计域和设计层次分层分级设计和模块化设计．将一个复杂的集成电路系统的设计问题分解为复杂性较低的设计级别，⎪⎪⎪⎪⎪⎪⎪⎪⎪⎪⎪⎪⎪⎪⎪⎪⎪⎩⎪⎪⎪⎪⎪⎪⎪⎪⎪⎪⎪⎪⎪⎪⎪⎪⎪⎨⎧⎪⎪⎪⎪⎩⎪⎪⎪⎪⎨⎧⎩⎨⎧⎩⎨⎧⎪⎪⎪⎪⎩⎪⎪⎪⎪⎨⎧⎪⎪⎪⎪⎪⎪⎩⎪⎪⎪⎪⎪⎪⎨⎧⎩⎨⎧⎪⎪⎪⎪⎩⎪⎪⎪⎪⎨⎧⎩⎨⎧⎪⎩⎪⎨⎧按应用领域分类数字模拟混合电路非线性电路线性电路模拟电路时序逻辑电路组合逻辑电路数字电路按功能分类GSI ULSI VLSI LSI MSI SSI 按规模分类薄膜混合集成电路厚膜混合集成电路混合集成电路B iCMOS B iMOS 型B iMOS CMOS NMOS PMOS 型MOS双极型单片集成电路按结构分类集成电路这个级别可以再分解到复杂性更低的设计级别；这样的分解一直继续到使最终的设计级别的复杂性足够低，也就是说，能相当容易地由这一级设计出的单元逐级组织起复杂的系统。

模拟集成电路-2007年B(答案)

………密………封………线………以………内………答………题………无………效……电子科技大学二零零七至二零零学年第二学期期终考试模拟集成电路原理课程考试题A卷（120分钟）考试形式：开卷考试日期200 7 年月日课程成绩构成：平时10 分，期中0 分，实验10 分，期末80 分一．选择题（共20题，每题2分，共40分）1.对于MOS管, 当W/L保持不变时, MOS管的跨导随过驱动电压的变化是( A)A. 单调增加B. 单调减小C. 开口向上的抛物线D.开口向下的抛物线.2.关于衬底PNP,下列说法不正确的是( B )A衬底PNP一般耐压较高.B 衬底PNP一般共射电压增益较高.C 衬底PNP一般容易实现大电流D 衬底PNP不能采用n+ 埋层.3.对于扩散电阻, 杂质的横向扩散, 会导致电阻值( C )A变小, B不变, C变大, D可大可小.4.室温下, 扩散电阻阻值的温度系数为( A)A正, B零, C负, 可正可负5.对采用N+作下极板的MOS电容, 采用以下哪种方法可以提高MOS电容值与寄生电容值之比.( C )A, 增加MOS电容面积,B. 减小MOS电容面积.C 增加衬底的反向偏压.D 减小衬底的反向偏压.6.在版图设计中, 电学规则检查称为（ B ）A. EXTRACTB. ERCC. DRCD. LVS………密………封………线………以………内………答………题………无………效……7.随着微电子工艺水平提高, 特征尺寸不断减小, 这时电路的工作电压会（ D ）A不断提高 B. 不变 C. 可大可小 D. 不断降低8.对CMOS PTA T源，器件是工作在（ D ）A．饱和区和线性区 B. 都是饱和区 C.线性区和亚阈区 D. 饱和区和亚阈区9.下图示出的剖面图( C )ABA．A是纵向pnp, B是纵向pnpB．A是横向pnp, B是纵向pnpC．A是纵向pnp, B是横向pnpD．A是横向pnp, B是横向pnp10.对于电流镜的要求, 那种说法正确( C )A. 输出阻抗高B输出阻抗低C交流输出阻抗高D直流输出阻抗高11.Cascode电流镜的最小输出电压V MIN(out)的值为( C )A．V ON+V TN B.2(V ON+V TN) C. 2V ON+V TN D. V ON+2V TN12.差分放大器差模电压增益为( B )A．-g m R c B. g m R c C. -2g m R c D. 2g m R c13.在下列防止CMOS IC中闩锁效应的办法中，（ C ）不可采用。

20052006学年第一学期模拟电子技术期末考试试题卷(A)

适用班级03301/2/3/4/7/8/9/10 考试时间一、判断下列说法是否正确，在括号内填入“√”或“×” 表示判断结果（20分）（1）如果在本征半导体中掺入三价元素，可将得到N 型半导体。

（）（2）二极管的正向导通时，直流电阻大于交流电阻。

（）（3）N 沟道结型场效应管外加的U GS <0时，将可工作于放大状态。

（）（4）当温度升高时，三极管许多参数都将变化，最终表现放大能力将提高。

（）（5）三极管放大电路必须加上合适的直流电源才能正常工作。

（）（6）只要是共射放大电路，输出电压的底部失真都是饱和失真。

（）（7）将两个空载时A u1＝A u2＝-20共射放大电路级联，总的A u ＝400。

（）（8）若放大电路引入深度电压串联负反馈，则电压放大倍数可稳定不变。

（）（9）若放大电路引入深度电流串联负反馈，则电压放大倍数可稳定不变。

（）（10）集成运放构成的电路引入负反馈,都可用“虚短”和“虚断”的概念分析。

（）二、选择正确答案（字母代号）填入空内(20分)（1）PN 结加正向电压时，空间电荷区将（）。

A. 变宽 B. 变窄 C. 基本不变（2）三极管工作在放大区时，发射结和集点结的偏置电压应为（）。

A. 二者均反偏 B. 前者正偏、后者反偏 C. 二者均正偏（3）测得某放大电路中三极管的基极电流从12μA 变为22μA 时，集电极电流从1mA 变为2mA ，则它的β约为（）。

A. 83 B. 91 C. 100（4）集成运算放大器采用直接耦合方式的原因是（）。

A. 便于设计 B. 放大交流信号 C. 不易制作大容量电容（5）集成运算放大器输入级采用差动放大电路的原因是（）。

A. 提高放大倍数 B. 提高输入电阻 C. 克服温度漂移（6）放大电路在高频放大倍数数值下降的原因是（）。

A. 电路中有耦合电容 B. 三极管存在极间电容 C. 三极管非线性（7）对于单管共射放大电路，当L f f =时，o U 与iU 的相位差为（）。

《集成电路测试》期末复习题库【附答案】

《集成电路测试》期末复习题库【附答案】（试题按章节分类）【填空】1、切筋成型其实是两道工序：切筋和打弯，通常同时完成。

2、对SMT装配来讲，尤其是高引脚数目框架和微细间距框架器件，一个突出的问题是引脚的非共面性。

3、打码方法有多种，其中最常用的是印码：包括油墨印码(ink marking)和激光印码(Laser Marking)两种。

4、在完成打码工序后，所有器件都要100％进行测试。

这些测试包括一般的目检、老化试验和最终的产品测试。

5、对于连续生产流程，元件的包装形式应该方便拾取，且不需作调整就能够应用到自动贴片机上。

【选择】1、气密性封装是指完全能够防止污染物（液体或固体）的侵入和腐蚀的封装形式，通常用作芯片封装的材料中，能达到所谓气密性封装的只有：金属、陶瓷和玻璃2、金属封装现有的封装形式一般包括平台插入式金属封装、腔体插入式金属封装、扁平式金属封装和圆形金属封装等。

3、根据所使用材料的不同，元器件封装主要分为金属封装、陶瓷封装和塑料封装三种类型。

4、金属封装由于在最严酷的使用条件下具有杰出的可靠性而被广泛用于军事和民用领域。

【讨论】1、各向异性材料、各向同性材料的区别是什么？所有物理性质在不同方向是一样的是各向同性材料，大部分物理性质在不同方向是不一样的是各向异性材料。

2、除氧化铝外，其他陶瓷封装材料有哪些？氮化铝、碳化硅、氧化铍、玻璃陶瓷、钻石等材料。

【填空】6、金属与玻璃之间一般黏着性不佳。

7、控制玻璃在金属表面的湿润能力是形成稳定粘结最重要的技术。

8、玻璃密封材料的选择应与金属材料的种类配合。

9、酚醛树脂、硅胶等热硬化型塑胶为塑料封装最主要的材料。

【选择】5、塑料封装具有低成本、薄型化、工艺较为简单、适合自动化生产等优点。

6、玻璃密封的主要缺点是：强度低、脆性高。

7、通孔插装式安装器件又分为以下几种：（1）塑料双列直插式封装：（2）单列直插式封装（3）塑料针栅封装8、去溢料方法：机械喷沙、碱性电解法、化学浸泡+高压水喷法。

《模拟集成电路设计原理》期末考试试卷及答案

《软件工程基础训练》实训报告在倒入酒的方法中，首先判断当前酒量是否已经达到酒杯的容量。

如果是，则提示酒杯已满；如果不是，则将倒入的酒量加到当前酒量上。

实现一个方法，用于从酒杯中倒出酒。

该方法接受一个参数，表示要倒出的酒量。

在倒出酒的方法中，首先判断当前酒量是否大于等于要倒出的酒量。

如果是，则将当前酒量减去要倒出的酒量；如果不是，则提示酒量不足。

实现一个方法，用于获取当前酒量。

在获取酒量的方法中，直接返回当前酒量的值。

2.1.3程序流程图图 12.1.4设计代码package wmx;import java.io.BufferedReader;import java.io.IOException;import java.io.InputStreamReader;import java.util.StringTokenizer;public class Main1 {}}}}2.1.5代码运行截图图 22.2第二阶段2.2.1需求分析明确问题定义：首先需要明确问题的背景和涉及的实体，例如旅行者、手电筒、桥等。

同时，需要确定问题的目标，即如何让所有人尽快过桥。

确定约束条件：根据问题的描述，我们知道有一些约束条件，例如每个人过桥的速度不同，手电筒不能扔掉，只能两个人同时过桥等。

这些约束条件将影响解决方案的设计。

分析时间需求：由于目标是尽快让所有人过桥，因此需要分析每个人过桥所需的时间。

这将影响如何分配手电筒和如何安排过桥的顺序。

制定策略：基于上述分析，需要制定一个有效的策略来最大化过桥的速度。

这可能涉及到如何分配手电筒，如何安排过桥的顺序，以及如何返回等。

评估和优化：最后，需要对所制定的策略进行评估和优化。

这可能涉及到对策略的模拟、测试和比较，以便找到最优的解决方案。

2.2.2设计思路这是一个经典的过桥问题，通常称为“蒙提霍尔问题”。

在这个问题中，目标是让所有人尽快过桥。

根据题目的条件，每个人单独过桥的时间是已知的，但是两个人一起过桥的时间是较慢的那个人所需的时间。

专升本《CMOS模拟集成电路分析与设计》_试卷_答案

专升本《CMOS模拟集成电路分析与设计》一、（共75题,共150分）1. Gordon Moore在1965年预言:每个芯片上晶体管的数目将每（）个月翻一番（2分）A.12B.18C.20D.24.标准答案：B2. MOS 管的小信号输出电阻是由MOS管的（）效应产生的。

（2分）A.体B.衬偏C.沟长调制D.亚阈值导通.标准答案：C3. 在CMOS模拟集成电路设计中，我们一般让MOS管工作在（）区。

（2分）A.亚阈值区B.深三极管区C.三极管区D.饱和区.标准答案：D4. MOS管一旦出现（）现象，此时的MOS管将进入饱和区。

（2分）A.夹断B.反型C.导电D.耗尽.标准答案：A5. （）表征了MOS器件的灵敏度。

（2分）A.B.C.D..标准答案：C6. Cascode放大器中两个相同的NMOS管具有不相同的（）。

（2分）A.B.C.D..标准答案：B7. 基本差分对电路中对共模增益影响最显著的因素是（）。

（2分）A.尾电流源的小信号输出阻抗为有限值B.负载不匹配C.输入MOS不匹配D.电路制造中的误差.标准答案：C 8. 下列电路不能能使用半边电路法计算差模增益（）。

（2分）A.二极管负载差分放大器B.电流源负载差分放大器C.有源电流镜差分放大器D.Cascode负载Casocde差分放大器.标准答案：C9. 镜像电流源一般要求相同的（）。

（2分）A.制造工艺B.器件宽长比C.器件宽度WD.器件长度L.标准答案：D10. 某一恒流源电流镜如图所示。

忽略M3的体效应。

要使和严格相等，应取为（）。

（2分）A.B.C.D..标准答案：A11. 选择题:下列结构中密勒效应最大的是（）。

（2分）A.共源级放大器B.源级跟随器C.共栅级放大器D.共源共栅级放大器.标准答案：A12. 下图中，其中电压放大器的增益为-A，假定该放大器为理想放大器。

请计算该电路的等效输入电阻为（）。

（2分）A.B.C.D..标准答案：A13. 对电路进行直流工作点分析的Hspice命令是（）。

集成电路设计复习题及解答

集成电路设计复习题绪论1．画出集成电路设计与制造的主要流程框架。

2．集成电路分类情况如何？集成电路设计1．层次化、结构化设计概念，集成电路设计域和设计层次2．什么是集成电路设计？集成电路设计流程。

（三个设计步骤：系统功能设计逻辑和电路设计版图设计）3．模拟电路和数字电路设计各自的特点和流程4．版图验证和检查包括哪些内容？如何实现？5．版图设计规则的概念，主要内容以及表示方法。

为什么需要指定版图设计规则？6．集成电路设计方法分类？（全定制、半定制、PLD）7．标准单元/门阵列的概念，优点/缺点，设计流程8．PLD设计方法的特点，FPGA/CPLD的概念9．试述门阵列和标准单元设计方法的概念和它们之间的异同点。

10．标准单元库中的单元的主要描述形式有哪些？分别在IC设计的什么阶段应用？11．集成电路的可测性设计是指什么？Soc设计复习题1.什么是SoC？2.SoC设计的发展趋势及面临的挑战？3.SoC设计的特点?4.SoC设计与传统的ASIC设计最大的不同是什么？5.什么是软硬件协同设计？6.常用的可测性设计方法有哪些？7. IP的基本概念和IP分类8.什么是可综合RTL代码?9.么是同步电路，什么是异步电路，各有什么特点？10.逻辑综合的概念。

11.什么是触发器的建立时间（Setup Time），试画图进行说明。

12.什么是触发器的保持时间（Hold Time），试画图进行说明。

13. 什么是验证，什么是测试，两者有何区别？14.试画图简要说明扫描测试原理。

绪论1、画出集成电路设计与制造的主要流程框架。

2、集成电路分类情况如何？集成电路设计1．层次化、结构化设计概念，集成电路设计域和设计层次分层分级设计和模块化设计．将一个复杂的集成电路系统的设计问题分解为复杂性较低的设计级别，⎪⎪⎪⎪⎪⎪⎪⎪⎪⎪⎪⎪⎪⎪⎪⎪⎪⎩⎪⎪⎪⎪⎪⎪⎪⎪⎪⎪⎪⎪⎪⎪⎪⎪⎪⎨⎧⎪⎪⎪⎪⎩⎪⎪⎪⎪⎨⎧⎩⎨⎧⎩⎨⎧⎪⎪⎪⎪⎩⎪⎪⎪⎪⎨⎧⎪⎪⎪⎪⎪⎪⎩⎪⎪⎪⎪⎪⎪⎨⎧⎩⎨⎧⎪⎪⎪⎪⎩⎪⎪⎪⎪⎨⎧⎩⎨⎧⎪⎩⎪⎨⎧按应用领域分类数字模拟混合电路非线性电路线性电路模拟电路时序逻辑电路组合逻辑电路数字电路按功能分类GSI ULSI VLSI LSI MSI SSI 按规模分类薄膜混合集成电路厚膜混合集成电路混合集成电路B iCMOS B iMOS 型B iMOS CMOS NMOS PMOS 型MOS双极型单片集成电路按结构分类集成电路这个级别可以再分解到复杂性更低的设计级别；这样的分解一直继续到使最终的设计级别的复杂性足够低，也就是说，能相当容易地由这一级设计出的单元逐级组织起复杂的系统。

电子科技大学2005年模拟电路基础期末考试卷及答案2套

………密………封………线………以………内………答………题………无………效……电子科技大学二零零五至二零零六学年第一学期期末考试模拟电路基础课程考试题A 卷（120 分钟）考试形式：开卷考试日期2006 年1月12 日课程成绩构成：平时10 分，期中30 分，实验0 分，期末60 分一（20分）、问答题1．（8分）试叙述耦合电容、旁路电容、负载电容和晶体管内部电容效应对放大器频率响应的影响。

2．（3分）射极跟随器为何称为电压跟随器？它具有什么特点？3．（3分）在集成电路中，为什么常用恒流源作为负载？4．（6分）什么是频率失真、非线性失真、交越失真？………密………封………线………以………内………答………题………无………效……二（10分）、已知某反相比例放大器如图1所示，若图中集成运算放大器是理想的，已知电阻R1和R f，试求：1．电压增益v oA vf=v i2．输入电阻R if和输出电阻R of3．直流平衡电阻R p若图中集成运算放大器的电压增益为A o，带宽为f BW。

试求：4．带宽f'BW图1………密………封………线………以………内………答………题………无………效……三（10分）、电路如图2所示，已知电路参数为：12s =162k Ω,R =463k Ω,R =0.75k Ω,V=12V,R DDsi R =4k Ω；晶体管参数为：21.5,4/,12.5V V K mA V r k T ds ===Ω，试求输入电阻R i 和输出电阻o R 。

图2四（10分）、某差动放大电路如图3所示，滑动电阻器R w 的滑动片处于中间位置。

已知三极管的0.7,50,100BE bb V r V β'===Ω 稳压管的6,12,12,V V V V V V Z CC EE ==-=-b c L w R =5k Ω,R =100kΩ,R =30kΩ,R =200Ω,R=1kΩ。

………密………封………线………以………内………答………题………无………效……1．试问3cc R T R V e 、、D 、、z 构成什么电路？2．求差模电压放大倍数12v oAvdv v i i =-图3五（10分）、反馈放大电路如图4所示。

(完整版)专升本《CMOS模拟集成电路分析与设计》_试卷_答案

.标准答案：B
and 54. 工作在（）区的 MOS 管，可以被看作为电流源。（2 分） e A.截止 B.三极管 C.深三极管 D.饱和
.标准答案：D
tim 55. 工作在（）区的 MOS 管，其跨导是恒定值。（2 分） t a A.截止 B.三极管 C.深三极管 D.饱和 a .标准答案：D
59. NMOS 管的导电沟道中依靠（）导电。（2 分） A.电子 B.空穴 C.正电荷 D.负电荷 .标准答案：A
60. 当 MOS 管的宽长比是定值时，其跨导与过驱动电源的关系曲线是（）。
A B C D （2 分） A.见图 B.见图 C.见图 D.见图 .标准答案：C
61. MOS 管的漏源电流受栅源过驱动电压控制，我们定义（）来表示电压转换电流的能力。（2 分） A.跨导 B.受控电流源 C.跨阻 D.小信号增益 .标准答案：A
A.电阻负载
B.二极管连接负载
C.电流源负载
D.二极管和电流源并联负载
.标准答案：C
25. 模拟集成电路设计中的最后一步是（）。（2 分）
A.电路设计
B.版图设计
C.规格定义
D.电路结构选择
.标准答案：B
26. 在当今的集成电路制造工艺中，（）工艺制造的 IC 在功耗方面具有最大的优势。
（2 分）
19. NMOS 管中，如果 VB 变得更负，则耗尽层（）。（2 分） A.不变 B.变得更窄 C.变得更宽 D.几乎不变 .标准答案：C
20. 随着微电子工艺水平提高,特征尺寸不断减小,这时电路的工作电压会（）（2 分）
A.不断提高 B.不变 .标准答案：D
C.可大可小 D.不断降低
21. MOS 管漏电流的变化量除以栅源电压的变化量是（）。（2 分） A.电导 B.电阻 C.跨导 D.跨阻 .标准答案：C

2008年理论课期末考试试题_模拟集成电路分析与设计

《模拟集成电路分析与设计》期末考试试题2008年06月24日1. 判断下列说法是否正确，正确的标记为T 或√，错误的标记为F 或×，并简单说明原因；（30分＝3分×10） 1) 压摆行为(Slewing)是一个非线性行为；2) 增加应用于反馈系统的运算放大器或跨导放大器的级数有利于提高它的稳定性； 3) 可以利用负反馈技术来提高一个单级点放大器的增益带宽积；4) 在计算跨导放大器构成的电容型反馈系统的阶跃响应时，如果跨导放大器负载电容远小于反馈网络中的电容，就可以忽略前馈效应的影响；5) 单级点跨导放大器的增益带宽积与它所使用器件的本征增益无关；6) 电流镜作负载的差分对在差模传输函数中出现零点的原因是电路中出现了前馈；7) 同等条件下，Telescopic 跨导放大器可达到的最大输出摆幅小于折叠Cascode 跨导放大器可达到的最大输出摆幅；8) 由于折叠Cascode 跨导放大器是对Telescopic 跨导放大器采用折叠技术得到的，同等条件下它们的增益是相同的；9) Telescopic 跨导放大器中叠加在差分放大管之上的Cascode 晶体管栅极可以作为它的共模反馈控制点； 10) 由两级跨导放大器构成的电容型反馈系统中，增加负载电容会降低系统的稳定性；2. 下图给出了一个三级环型振荡器的电路图，每一级由一个跨导放大器驱动一个电容性负载构成。

若跨导放大器可以用如图所示的等效电路表示，其输出阻抗R o =800Ω。

试回答如下问题：（15分）1) 推导该电路的环路增益的表达式，并定性画出它的波特图； 2) 若要使得该振荡器在10MHz 处维持稳定的振荡，试计算电容C 的大小以及g m 的取值；（提示：振荡状态对应于电路的不稳定状态，一个电路维持稳定振荡的条件是在振荡频率处环路增益的幅度等于1而相移为180度）3. 下图给出了一个由全平衡两级OTA组成的反馈系统。

其中，C s =C f =C L若所有的晶体管均工作于饱和区且符合长沟道平方律方程，跨导效率均为g m /I D =10V -1，本征增益均为g m r o =50，Mb0、Mb1、Mb2、Mb3构成宽长比为1：8：4：8的电流镜，R 1=20000Ω，C 1=1pF。

模拟集成电路原理及应用题

模拟集成电路原理与应用试题库一．填空题▲1、增强型MOSFET的工作特征中，当V GS＞V T和0＜V DS＜（V GS－V T）时，工作于区,i D受和的控制。

2、常用ＭＯＳ单元电路有：电流源电路．基本放大电路和等。

电流源电路是利用i D的微小变化可引起的特点制成阻值很大的交流电阻,作为差动放大器的进而得到很大的共模抑制比。

3、MOS模拟集成电路中的基本单元有、和MOS输出级电路。

4．MOS集成运算放大器的基本应用有反相放大电路、电路、电路、和电路等。

理想运放工作于线性状态时，为分析方便，输入端近似看成和。

5、CMOS开关电路是由NMOS和组合而成，他克服了NMOS模拟开关电路R ON随vi的增大而的缺点，扩大了输入信号范围。

6、利用集成运放进行信号的放大、、减法、和积分运算的电路称为放大器的应用，而能完成信号的比较、乘法、和产生各种波形的电路称为放大器的非线性应用。

7、利用MOSFET的开关特性，可有模拟开关的四种基本应用，即单刀单掷、、和．8、集成电压比较器用于比较相对大小的电路，是一种模拟输入、的模拟电路采用高增益的集成运放可用来比较信号。

9、直接采用集成电压比较器，能获得更高的，而且使用更为方便，集成电压比较器已成为模拟集成电路中的重要。

10、变换电路属于非线性变换电路，其传输函数随输入信号的、频率或改变而变，使输出信号波形不同于波形。

11、利用集成运算放大器或专用模拟集成电路，配以少量的外接元件可以构成各种类型的信号发生器和具有各种功能的变换电路，信号发生器分为正弦波和非正弦波两大类。

12．模拟集成电路构成的正弦波发生器，工作频率多是在1MH z以下，其电路的组成通常由工作在线性放大状态的和及三部分构成，选用不同移相选频网络便构成不同类型的正弦波发生器。

13、非正弦波发生器通常由运放构成的（又称斯密特触发器）和有源或无源积分器电路构成，不同形式的便构成各种不同类型的非正弦波发生器。

14、三角波发生器通常由运放构成的和有源或无源积分电路等组成。