半导体存储器原理实验报告
实验四 总线半导体静态存贮器
实验四总线半导体静态存贮器一、实验目的1、熟悉挂总线的逻辑器件的特性和总线传送的逻辑实现方法2、掌握半导体静态存贮器的存取方法二、实验内容1、根据实验方案框图，调用PC模块，选用适当元器件，画出实验电路逻辑图，并组装成电路。
2、在电路上实现下列手动单功能操作，（控制信息可用电平开关输出电平）。
K→B、AK→RAMRAM →Bus1B →A设计提示：1、利用实验箱中提供的总线接口搭接总线结构，各器件再分别挂到总线上。
2、用一片74LS273作为存贮器的地址寄存器。
3、PC模块可看作一个透明的元件，用来产生连续的存贮器地址，其数据置入端和计数输出端已经在内部挂接到总线上。
三、实验仪器及器材1、计算机组成原理实验台和+5V直流稳压电源2、器件由附录A“集成电路清单”内选用四、实验电路原理（实验电路原理图）在单总线结构的计算机中，其地址和数据都是通过同一组数据开关及三态传输门挂上总线，发送到相应计算器、地址寄存器或存贮器单元。
怎样区分送入总线的信息是地址还是数据，这可通过控制操作的时序来实现。
计数器可选用74LS161和74LS244构成可预置计数器，并具有双向传送逻辑功能，即可以从总线上接受信息，也可以发送信息到总线上，而缓冲器及地址寄存器仅是接收总线信息的一个部件。
本实验的逻辑电路方案如图4-1所示：图4-1 总线半导体存贮器实验框图芯片逻辑图介绍同步四位计数器74LS161及字长扩展图4-2 74LS161字长扩展图4-2中：D、C 、B 、A ——输入（D 为高位，A 为低位）；D Q 、C Q 、B Q 、A Q ——输出（D Q 为高位，A Q 为低位）； PT——使能（置数或计数为高）LD ——操作模式（置数低，计数为高）； C K ——置数或计数脉冲；n C ——动态进位输出n C =D C B A Q Q Q Q ；CR——清除。
五、实验步骤按照实验内容设计并连接电路， 1、K →B 、ABus K >>=1，Bus PC >>=1，CS=1，LD=1 Bus K >>=0，LD=0输入端D3D2D1D0输入地址（0H~15H ），打入MAR LoadMAR ，LoadPC Bus K >>=1，LD=12、K →RAMBus K >>=1，Bus PC >>=1，CS=1，LD=1 Bus K >>=0输入端D3D2D1D0输入数据（0H~15H ），打入MAR W/R=0，CS=1→0→1 Bus K >>=13、RAM →BusBus K >>=1，Bus PC >>=1，CS=1，LD=1K →PC ，MAR W/R=0，CS=1→0 LoadC CS=0→1 4、B+1→ABus K >>=1，Bus PC >>=1，CS=1，LD=1LoadPC Bus PC >>=0LoadMAR Bus PC >>=1六、实验内容记录（数据、图表、波形、程序设计等）实验电路如图：真值表为： Adress1 Adress2 Adress3 Adress4 Data1 Data2 Data3 Data4 0 0 0 1 1 1 1 0 0 0 1 0 1 1 0 1 0111110 1 0 0 0 1 1 1七、实验结果分析、实验小结按步骤操作后，输出与地址相吻合。
存储器实验实验报告
存储器实验实验报告一、实验目的练习使用STEP开关了解地址寄存器（AR）中地址的读入了解STOP和STEP开关的状态设置了解向存储器RAM中存入数据的方法了解从存储器RAM中读出数据的二、实验设备1、TDM。
叫组成原理实验仪一台2、导线若十3、静态存储器：一片6116 （2K*8）芯片地址锁存器（74LS273）地址灯AD0 — AD7三态门（74LS245）三、实验原理实验所用的半导体静态存储器电路原理如图所示，实验中的静态存储器由一片6116 （2K*8）芯片构成，其数据线接至数据总线，地址线由地址锁存器（74LS273）给出。
地址灯AD（P AD7与地址线相连，显示地址线状况。
数据开关经一个三态门（74LS245）连至数据总线，分时给出地址和数据。
实验时将T3脉冲接至实验板上时序电路模块的TS3相应插孔中，在时序电路模块中有两个二进制开关“ STOP和“STEP ,将“STOP开关置为“ RUN状态、“ STEP开关置为“ EXEC状态时，按动微动开关START则TS3端输出连续的方波信号当“ STOP开关置为RUN 犬态，“STEP开关置为“ STEP状态时，每按动一次微动开关“ start ”，则TS3输出一个单脉冲，脉冲宽度与连续方式相同。
四、实验内容如下图存储器实验接线图练习使用STEP开关往地址寄存器（AR）中存入地址设置STOP和STEP开关的状态：从数据开关送地址给总线：SW-B=打开AR,关闭存储器：LDAR=—、CE=按下Start产生T3脉冲关闭AR,关闭数据开关：LDAR=_、SW-B=（二）往存储器RAM中存入数据1. 设定好要访问的存储器单元地址2. 从数据开关送数给总线：SW-B=3. 选择存储器片选信号：CE=—4. 选择读或写：WE=5. 按下Start产生T3脉冲6. 关闭存储器片选信号：CE=—7. 关闭数据开关：SW-B=—（三）从存储器RAM中读出数据1. 设定好要访问的存储器单元地址2. 选择存储器片选信号：CE=—3. 选择读或写：WE=4. 按下Start产生T3脉冲5. 关闭存储器片选信号：CE=五、实验结果总结六、思考题在进行存储器操作（写/读）是不是必须先往地址寄存器（AR）存入所访问的存储器单元地址？T3在本实验中起了哪些作用，如何区分它们?在进行存储器读写操作时，CE和WE信号有没有先后顺序？为什么?。
半导体储存原理
半导体储存原理
半导体储存原理，即硅片储存原理，是一种主要用于计算机和其他电子设备的存储技术。
它利用了半导体材料的特性，实现了数据的存储和读取。
半导体储存原理的基本部件是存储单元。
每个存储单元由一个或多个晶体管构成，晶体管的导通或截止状态决定了存储单元的数值。
晶体管中的电子可以被存储单元的控制电路通过电压信号控制，以实现存储和读取操作。
在存储操作中，通过对存储单元施加不同的电压，可以改变晶体管的导通或截止状态，实现数据的写入。
对于静态随机存取存储器（SRAM），数据可以一直保持在存储单元中，只要电
源供应不中断。
而对于动态随机存取存储器（DRAM），由
于电荷会逐渐漏失，需要周期性地对数据进行刷新。
在读取操作中，通过检测晶体管的导通或截止状态，可以获取存储单元中的数据。
读取操作需要较小的电压，以避免对存储单元造成破坏。
半导体储存原理具有许多优点。
首先，存储单元可以紧密排列在芯片上，从而实现高密度的存储。
其次，半导体储存具有快速的读写速度，可实现高性能的数据处理。
另外，半导体储存具有较低的功耗和可靠性，可以长时间稳定地保存数据。
因此，半导体储存被广泛应用于计算机存储、移动设备和各类电子设备中。
总之，半导体储存原理基于半导体材料的特性，通过晶体管控制电流的导通或截止状态来实现数据的存储和读取。
它的高密度、高性能和低功耗等特点，使得半导体储存成为现代电子设备中的主要存储技术。
半导体实验报告
半导体实验报告一、实验目的本次半导体实验旨在深入了解半导体材料的特性和相关器件的工作原理，通过实验操作和数据测量，掌握半导体物理性能的测试方法，以及分析和解决实验中遇到的问题。
二、实验原理（一）半导体的导电特性半导体的导电能力介于导体和绝缘体之间，其电导率会随着温度、杂质浓度等因素的变化而发生显著改变。
这是由于半导体中的载流子（电子和空穴）浓度受到这些因素的影响。
（二）PN 结的形成与特性当 P 型半导体和 N 型半导体接触时，会在接触面形成 PN 结。
PN 结具有单向导电性，即在正向偏置时导通，反向偏置时截止。
（三）半导体器件的工作原理以二极管为例，其核心就是 PN 结。
当二极管正向偏置时，电流容易通过；反向偏置时，只有极小的反向饱和电流。
三、实验设备与材料（一）实验设备1、半导体特性测试仪2、数字示波器3、电源4、恒温箱（二）实验材料1、硅二极管若干2、锗二极管若干3、不同掺杂浓度的半导体样品四、实验步骤（一）测量二极管的伏安特性1、将二极管接入测试电路，缓慢改变施加在二极管两端的电压，从正向 0V 开始，逐步增加到较大的正向电压，然后再从 0V 开始，逐步增加到较大的反向电压。
2、记录不同电压下通过二极管的电流值。
（二）研究温度对二极管特性的影响1、将二极管放入恒温箱，设置不同的温度（如 20℃、50℃、80℃等）。
2、在每个温度下，重复测量二极管的伏安特性。
（三）测量半导体样品的电阻随温度的变化1、用四探针法测量半导体样品在不同温度下的电阻值。
2、记录温度和对应的电阻值。
五、实验数据与结果（一）二极管伏安特性1、硅二极管正向特性：在较低的正向电压下，电流增长缓慢；当电压超过一定阈值后，电流迅速增加。
反向特性：反向电流很小，且随着反向电压的增加基本保持不变，直到达到反向击穿电压。
2、锗二极管正向特性：与硅二极管相比，正向导通电压较低。
反向特性：反向饱和电流较大。
（二）温度对二极管特性的影响随着温度升高，二极管的正向导通电压降低，反向饱和电流增大。
计算机组成原理实验三报告
实验报告三实验三存储器实验一、实验目的1．掌握存储器的功能和构成。
2．了解静态随机存储器SRAM（6116芯片）的工作特性及使用方法。
3．掌握半导体静态存储器SRAM读写数据过程。
二、实验原理实验所用的半导体静态存储器电路原理如图3-1所示图3-1 存储器实验原理图三、实验设备1．Dais-CMH计算机组成原理实验系统一套2．若干导线和排线四、实验内容1. 总线数据写入存储器给00HH地址单元中写入数据11H，具体操作步骤如下：2. 读存储器的数据到总线上读出存储器的00H地址单元的内容11H，具体操作步骤如下：3. 存储器的读写操作（1）给存储器的01H、02H、03H、04H和05H地址单元中分别写入数据11H、12H、13H、14H、15H，然后依次读出存储器的第01H、02H、03H、04H和05H号单元中的内容，观察上述各单元中的内容是否与前面写入的一致。
表3.1（2）将存储器的11H和12H地址单元中分别写入数据21H和22H，并实现((00H))→数据`总线，写出操作步骤并验证之。
五、实验结果分析与体会1.写入的内容与读出的内容是一致的，说明实验的操作是正确的。
2思考题：（1）存储器实验能实现存储器00和04地址两个单元的内容交换。
3.在连接电路上比前两次实验熟悉多了，但在总线数据写入存储器中，数据进入存储器中与开始打的数据不一样，并且读出的数据与先前打进的数据不一样，实验装置连接不稳定，经常容易发生改变。
4.在本次实验中，我们主要了解了存储器的功能与结构。
特别是练习了对数据的写入和读出操作。
检查写入与读出的数据是否一样可以检查出实验操作是否正确。
半导体存储器实验
实验二半导体存储器实验
一、实验目的
1．掌握半导体静态随机或动态读写存储器RAM的工作原理特性
及其使用方法。
2．掌握半导体存储器进行读写的过程。
3．掌握半导体存储器扩充的方法。
4．掌握测量半导体存储器读写周期的方法。
5. 掌握对存储数据进行奇偶效验的原理和方法。
二、实验设备
JZYL—Ⅱ型计算机组成原理实验仪一台。
三、实验任务
1、根据实验指导书P12—P16页的要求，按照方案二或方案三完成8位存储器基本实验内容。
2、为了提高存储器读写数据的可靠性，在基本存储方案的基础上，自行设计电路对写入的数据进行编码处理，即形成奇偶效验，并将产生的校验信息与数据一并保存。
3、如果可能，可以对读出的数据再进行一次奇偶效验，检查写入的数据在保存和读出过程中是否出现错误，保证储器数据写入读出的可靠性。
方案二
方案三
四、实验要求
1、作好预习
1) 掌握存储器芯片RAM6116和ROM 2816的功能特性。
2）了解寄存器和存储器芯片的区别；
3) 熟悉存储器相关芯片的工作原理；
4) 在课外利用EDA软件先设计功能电路,并进行功能仿真
2. 实验实施
1)分功能模块设计各功能单元电路,对设计进行详细的分析与说明
2)逐步将各功能模块集成
3)设计特定数据, 验证各模块的功能,做好数据的记录工作
3. 写出实验报告，其内容为：
1)实验目的
2)各模块的设计电路和系统的整体电路,多设计进行详细的分析与说明
3)实验结果的记录与分析
4)实验收获和体会
5)按要求回答思考题
6)规范实验报告的格式。
存储器实验报告实验结果
一、实验目的1. 了解存储器的概念、分类和工作原理；2. 掌握存储器扩展和配置方法；3. 熟悉存储器读写操作；4. 分析存储器性能，提高存储器使用效率。
二、实验环境1. 实验设备：计算机、存储器芯片、编程器、示波器等；2. 实验软件：Keil uVision、Proteus等。
三、实验内容1. 存储器芯片测试2. 存储器扩展实验3. 存储器读写操作实验4. 存储器性能分析四、实验结果与分析1. 存储器芯片测试（1）实验目的：测试存储器芯片的基本性能，包括存储容量、读写速度等。
（2）实验步骤：① 将存储器芯片插入编程器；② 编程器读取存储器芯片的容量、读写速度等信息；③ 利用示波器观察存储器芯片的读写波形。
（3）实验结果：存储器芯片的存储容量为64KB，读写速度为100ns。
2. 存储器扩展实验（1）实验目的：学习存储器扩展方法，提高存储器容量。
（2）实验步骤：① 将两块64KB的存储器芯片并联；② 利用译码器将存储器地址线扩展；③ 连接存储器芯片的读写控制线、数据线等。
（3）实验结果：存储器容量扩展至128KB，读写速度与原存储器芯片相同。
3. 存储器读写操作实验（1）实验目的：学习存储器读写操作，验证存储器功能。
（2）实验步骤：① 编写程序，实现存储器读写操作；② 将程序编译并烧录到存储器芯片；③ 利用示波器观察存储器读写波形。
（3）实验结果：存储器读写操作正常，读写波形符合预期。
4. 存储器性能分析（1）实验目的：分析存储器性能，优化存储器使用。
（2）实验步骤：① 分析存储器读写速度、容量、功耗等参数；② 比较不同存储器类型（如RAM、ROM、EEPROM）的性能；③ 提出优化存储器使用的方法。
（3）实验结果：① 存储器读写速度、容量、功耗等参数符合设计要求；② RAM、ROM、EEPROM等不同存储器类型具有各自的特点，可根据实际需求选择合适的存储器；③ 优化存储器使用方法：合理分配存储器空间，减少存储器读写次数，降低功耗。
储存原理实验报告总结(3篇)
第1篇一、实验背景随着计算机技术的飞速发展，存储器作为计算机系统的重要组成部分，其性能直接影响着计算机系统的整体性能。
为了深入了解存储器的原理及其在实际应用中的表现，我们进行了储存原理实验。
二、实验目的1. 理解存储器的基本概念、分类、组成及工作原理；2. 掌握存储器的读写操作过程；3. 了解不同类型存储器的优缺点；4. 分析存储器性能的影响因素。
三、实验内容1. 静态随机存储器（SRAM）实验（1）实验目的：掌握SRAM的读写操作过程，了解其优缺点。
（2）实验内容：通过实验，观察SRAM的读写过程，记录读写时序，分析读写速度。
（3）实验结果：SRAM读写速度快，但价格较高，功耗较大。
2. 动态随机存储器（DRAM）实验（1）实验目的：掌握DRAM的读写操作过程，了解其优缺点。
（2）实验内容：通过实验，观察DRAM的读写过程，记录读写时序，分析读写速度。
（3）实验结果：DRAM读写速度较SRAM慢，但价格低，功耗小。
3. 只读存储器（ROM）实验（1）实验目的：掌握ROM的读写操作过程，了解其优缺点。
（2）实验内容：通过实验，观察ROM的读写过程，记录读写时序，分析读写速度。
（3）实验结果：ROM只能读，不能写，读写速度较慢。
4. 固态硬盘（SSD）实验（1）实验目的：掌握SSD的读写操作过程，了解其优缺点。
（2）实验内容：通过实验，观察SSD的读写过程，记录读写时序，分析读写速度。
（3）实验结果：SSD读写速度快，功耗低，寿命长。
四、实验分析1. 不同类型存储器的读写速度：SRAM > SSD > DRAM > ROM。
其中，SRAM读写速度最快，但价格高、功耗大；ROM读写速度最慢，但成本较低。
2. 存储器性能的影响因素：存储器容量、读写速度、功耗、成本、可靠性等。
在实际应用中，需要根据具体需求选择合适的存储器。
3. 存储器发展趋势：随着计算机技术的不断发展，存储器性能不断提高，功耗不断降低，成本不断降低。
半导体实习报告(共5篇)
半导体实习报告（共5篇）第1篇：半导体实习报告实习报告1.实习目的：根据学院对专科生要求，我在深圳意法半导体制造（深圳）有限公司，为期十个月的实习。
毕业实习的目的是：接触实际，了解社会，增强社会主义事业心，责任感，巩固所学理论，获取专业实际知识，培养初步的工作能力，具体如下：培养从事工作的专业技能，了解日常事物和工作流程，学会工作的方法，理解所学专业的意义。
培养艰苦奋斗的精神和社会注意责任感，形成热爱专业，热爱劳动的良好品质。
预演和准备就业，找出自身状况和社会实际所需的差距，并在以后的实践期间及时补充和改正，为求职和正式工作做好从分的知识和能力储备。
2.实习时间：我于2012年7月初到2013年4月底，为期十个月的实践学习3.实习单位：3-1.单位地址和规模：实习单位位于深圳市龙岗宝龙社区高科大道12号，意法半导体制造（深圳）有限公司，公司是一个子公司，现拥有在职员工**** 柴荣 1于人，多条生产线，拥有产能70亿只/年的生产能力。
3-2.实习期间在单位主要职务：在实习期间，协助工程师处理一些质量和工艺流程方面的问题，以及提高产品的成品率。
3-2.实习单位的历史和发展：意法半导体制造（深圳）有限公司于2005年9月在深圳市正式注册成立，由意法半导体公司全资公司意法半导体（中国）投资有限公司出资成立，公司的成立是为了深圳市龙岗区开发建设集成电路封装测试项目，字公司成立以来到现在，已经拥有5000余名员工，8条生产线，年产能70亿只/年，涉及十几种产品，主要是封装测试稳压管。
3-3.实习单位.部门.职位：我在意法半导体制造（深圳）有限公司，TO220部门从事工程师助理，主要协助工程师解决产品质量问题和工艺流程。
提高产品的成品率以及其他方面的一些实验和跟踪一些项目。
4.实习过程：2012年7月2日，我正式在深圳意法半导体制造（深圳）有限公司，开始了为期十个月的实习之旅，刚来的时候，有7天的培训，初步了解公司的运作方式，重点强调了安全方面的培训，早晨8：30分开始上班，到晚上5：30分下班，一个星期工作40小时，海港开**** 柴荣2始培训玩的时候，我被分到了M/D工位做工程师助理，接触和了解了很多工艺流程方面的知识，以及一定的管理方法。
组成原理半导体存储器ram实验小结
组成原理半导体存储器ram实验小结实验小结：组成原理半导体存储器RAM一、实验目标本实验的主要目标是理解和掌握随机存取存储器（RAM）的工作原理以及其在计算机系统中的作用。
通过实际操作和观察，我们将深入了解RAM的组成、工作原理以及读写操作。
二、实验原理随机存取存储器（RAM）是计算机中最重要的存储器之一，其特点是可以在任意地址读取和写入数据。
RAM由许多存储单元组成，每个单元可以存储一个二进制数（0或1）。
这些存储单元通常按行和列排列，形成矩阵。
每个存储单元都有一个唯一的地址，通过该地址可以快速读取或写入数据。
三、实验操作过程1. 打开实验箱，找到RAM模块。
2. 将RAM插入实验箱的插槽中。
3. 通过实验箱的控制面板，设置RAM的地址、数据输入和数据输出。
4. 执行读操作和写操作，观察RAM的响应。
5. 记录实验数据，包括地址、输入数据、输出数据以及读写操作的时间。
四、数据分析与结论根据实验数据，我们观察到RAM在读操作和写操作时表现出了不同的行为。
在写操作时，我们可以通过控制面板设置地址和数据，然后观察到RAM正确地将数据写入到指定的地址中。
在读操作时，我们观察到RAM在接收到地址信号后，能够在很短的时间内将数据从指定的地址中读取出来。
通过本次实验，我们深入了解了RAM的工作原理和读写操作。
在实际应用中，RAM通常用于存储运行中的程序和数据，其快速读写的能力使得计算机能够高效地处理任务。
同时，我们也发现了一些可能存在的问题，例如读写操作时的时序问题等，这些问题在后续的学习和工作中需要进一步研究和解决。
半导体存储器研究报告
半导体存储器研究报告半导体存储器是计算机中最常用的存储器之一，它具有速度快、可靠性高、体积小、功耗低等优点，已经成为现代计算机的核心部件之一。
本文主要介绍了半导体存储器的分类、工作原理、发展历程以及未来发展趋势。
关键词：半导体存储器、分类、工作原理、发展历程、未来发展趋势一、引言半导体存储器是计算机中最常用的存储器之一，它广泛应用于个人电脑、服务器、手机、平板电脑等各种计算机设备中。
半导体存储器具有速度快、可靠性高、体积小、功耗低等优点，已经成为现代计算机的核心部件之一。
本文主要介绍了半导体存储器的分类、工作原理、发展历程以及未来发展趋势。
二、半导体存储器的分类半导体存储器主要分为静态随机存取存储器（SRAM）和动态随机存取存储器（DRAM）两种。
SRAM是一种基于触发器的存储器，它的速度非常快，但是价格比较高，体积也比较大，主要应用于高速缓存中。
DRAM是一种基于电容器的存储器，它的价格比较低，但是速度比SRAM慢，主要应用于主存中。
除了SRAM和DRAM之外，还有一些其他的半导体存储器，如闪存、EEPROM、EPROM等。
这些存储器具有不同的特点和应用场景，闪存主要应用于移动设备中，EEPROM主要应用于电子产品中的存储器芯片，EPROM主要应用于一些需要长期存储数据的场合。
三、半导体存储器的工作原理半导体存储器的工作原理是基于电荷存储的原理。
在DRAM中，每个存储单元由一个电容器和一个晶体管组成。
当晶体管的栅极接收到电信号时，会导通电容器，电容器会存储电荷，表示1或0。
在SRAM 中，每个存储单元由两个互补的触发器组成，每个触发器可以存储一个二进制位。
当一个触发器的输入为1时，它的输出为0，当输入为0时，输出为1。
四、半导体存储器的发展历程半导体存储器的发展历程可以分为以下几个阶段：1. 早期存储器：20世纪60年代，半导体存储器刚刚问世，存储容量非常小，速度也很慢。
当时最常用的存储器是磁芯存储器。
半导体高温存储实验原理
半导体高温存储实验原理
1. 材料稳定性测试，半导体材料在高温环境下可能会发生晶格缺陷、材料迁移、氧化等现象，因此实验可以通过在高温下长时间存储来观察材料的稳定性。
这可以通过对材料的电学性能、结构特征和表面形貌等进行分析来评估。
2. 电学性能测试，在高温环境下，半导体材料的电学性能可能会发生变化，例如载流子浓度、载流子迁移率等参数可能会受到影响。
实验可以通过在高温下测量材料的电导率、介电常数、击穿电压等参数来评估材料的高温稳定性。
3. 氧化性能测试，半导体材料在高温下容易发生氧化反应，导致电学性能的恶化。
实验可以通过在高温氧化气氛下暴露材料，并对氧化层进行表征来研究材料的氧化性能。
4. 结构特征分析，高温存储实验还可以通过使用X射线衍射、扫描电镜等手段来分析材料的晶体结构、晶界特征、晶格缺陷等信息，以了解材料在高温环境下的结构稳定性。
总的来说，半导体高温存储实验的原理涉及到对半导体材料在
高温环境下的稳定性、电学性能、氧化性能和结构特征等方面进行研究，以评估材料在高温环境下的可靠性和适用性。
这些实验可以为半导体材料的设计和应用提供重要的参考和指导。
半导体存储器原理实验报告
_管理_学院__信息管理与信息系统_专业_2_班______组、学号3109005713___姓名_吴兴平_ ___协作者_林敬然__________教师评定_____________半导体存储器原理实验1.实验目的与要求：实验目的：(1)掌握静态存储器的工作特性及使用方法。
(2)掌握半导体随机存储器如何存储和读取数据。
实验要求：按练习一和练习二的要求完成相应的操作，并填写表2.1各控制端的状态及记录表2.2的写入和读出操作过程。
2. 实验方案：(1)使用了一片6116静态RAM（2048×8位），但地址端A8-A10脚接地，因此实际上存储容量为256字节。
存储器的数据线D7-D0接至数据总线。
(2)使用一片8位的74LS273作为地址寄存器（AR），地址寄存器的输出端接存储器6116的地址线A7-A0,所以存储单元的地址由地址存储器AR提供。
(3)数据开关（INPUT DEVICE）用来设置地址和数据，它经过一个三态门74LS245与数据总线相连，分别给出地址和数据。
(4)地址显示灯A D7-AD0与6116地址线相连，用来显示存储单元的地址，数据总线上的显示灯B7-B0用来显示写入存储单元的数据或从存储单元读出的数据。
(5)存储器有三个控制信号：CE片选信号、OE读命令信号、WE写信号。
当片选信号CE＝0时，RAM被选中，可以进行读/写操作;当CE＝1时，RAM未被选中，不能进行读/写操作。
读命令信号OE在本实验中已固定接地，在此情况下，当CE＝0，WE=1时，存储器进行写操作，当CE=0，WE=0时，存储器进行读操作。
(6)LDAR是地址存储器AR存数控制信号。
(7)按图连接好实验电路，检查无误后通电。
(8)将表2.2的地址和内容转化为二进制。
(9)参考以上操作，向存储器单元里先写第一个单元的地址、然后向第一个地址，再写第二个地址，然后向第二个地址单元写内容，就这样不断循环操作，直到做完。
实验二 半导体存储器原理实验(信软)
3. 用二进制数据开关KD0-KD7向6424的存储单 元写入8位数据。（写数据）
4. 重复第2步（将地址送入AR准备读数据）。
5. 从存储单元读出数据并验证。
6. 填写实验报告表3-2、表3-3中的空白数据。
步骤2. 8位地址的写入
17/25
① 调拨8位开关KD0-KD7为00000000（00H） ，准 备向AR送地址。
13/25
LSWDCWAEEBR跳跳跳跳线线线线拨拨拨拨左左左左边边边边
三个开关
14/25
运总行清控 方拨制 式“拨“单运单步行步””
四、实验连线-连线及跳线完毕
15/25
五、实验步骤
16/25
1. 连接线路，仔细检查核对后接通电源。
2. 用二进制数据开关KD0-KD7向地址寄存器AR 写入8位地址。
的单元分别写入数据：55H，33H，44H，66H，08H，F0H。
2) 写出读出存储器单元内容的操作过程,并在表3-3记录指定地址
单元读出的内容
表3-3 存储器实验数据表
地址
内容
地址
内容
00000000 55H 00000100 08H 00000001 33H 00000101 F0H 00000010 44H 00001000 FFH 00000011 66H 00000100 08H
三、实验原理 RAM 6264芯片外特性
6264功能表
工作
I/O
方式
DI
DO
/OE
非选择
X
HIGH-Z
X
读出 HIGH-Z
DO
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写入
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HIGH-Z
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写入
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计算机组成原理实验报告二 半导体存储器原理实验
半导体存储器原理实验一、实验目的：1、掌握静态存储器的工作特性及使用方法。
2、掌握半导体随机存储器如何存储和读取数据。
二、实验要求：按练习一和练习二的要求完成相应的操作，并填写表2.1各控制端的状态及记录表2.2的写入和读出操作过程。
三、实验方案及步骤：1、按实验连线图接线，检查正确与否，无误后接通电源。
2、根据存储器的读写原理，按表2.1的要求，将各控制端的状态填入相应的栏中以方便实验的进行。
3、根据实验指导书里面的例子练习，然后按要求做练习一、练习二的实验并记录相关实验结果。
4、比较实验结果和理论值是否一致，如果不一致，就分析原因，然后重做。
四、实验结果与数据处理：（1）表2.1各控制端的状态（2）练习操作数据1：（AA）16 =（10101010）2写入操作过程：1)写地址操作：①应设置输入数据的开关状态：将试验仪左下方“INPUT DEVICE”中的8位数据开关D7-D0设置为00000000即可。
②应设置有关控制端的开关状态：先在实验仪“SWITCH UNIT”中打开输入三态门控制端，即SW-B=0，打开地址寄存器存数控制信号，即LDAR=1,关闭片选信号（CE），写命令信号（WE）任意，即CE=1,WE=0或1。
③应与T3脉冲配合可将总线上的数据作为地址输入AR地址寄存器中：按一下微动开关START即可。
④应关闭AR地址寄存器的存数控制信号：LDAR=0。
2）写内容操作：①应设置输入数据的开关状态：将试验仪左下方“INPUT DEVICE”中的8位数据开关D7-D0设置为10101010。
②应设置有关控制端的开关状态：在实验仪“SWITCH UNIT”中打开输入三态门控制端，即SW-B=0，关闭地址寄存器存数控制信号，即LDAR=0，打开片选信号（CE）和写命令信号（WE），即CE=0,WE=1。
③应与T3脉冲配合可将总线上的数据写入存储器6116的00000000地址单元中：再按一下微动开关START即可。
组成原理实验报告_半导体存储器实验
课程实验报告课程名称：计算机组成原理专业班级：学号：姓名：同组成员：指导老师：报告日期：计算机科学与技术学院目录一、实验名称 (1)二、实验目的 (1)三、实验设备 (1)四、实验任务 (1)五、注意事项 (2)六、设计思路、电路实现与电路分析说明 (2)1、任务分析 (2)2、设计思路 (4)3、电路实现与详细分析说明 (4)七、实验结果的记录与分析 (8)八、实验中碰到的问题及解决办法 (8)九、收获与体会 (8)十、参考书目 (9)一、实验名称实验名称：半导体存储器实验二、实验目的1．掌握半导体随机读写存储器RAM的工作原理特性及其使用方法。
2．掌握半导体存储器进行读写的过程及读写周期、时序等。
3．掌握半导体存储器扩充的方法。
4．掌握对存储数据进行奇偶效验的原理和方法。
三、实验设备JZYL—Ⅱ型计算机组成原理实验仪一台。
芯片：6116存储器芯片1块74LS244数据开关2块74LS193计数器1块四、实验任务根据实验指导书P12—P16页的要求，按照下图完成8位存储器基本实验内容。
要求：1）、为了提高存储器读写数据的可靠性，在基本存储方案的基础上，自行设计电路对写入的数据进行编码处理，即形成奇偶效验码，并将产生的校验信息与数据一并保存。
2）、对读出的数据通过奇偶效验方式进行验证，检查写入的数据在保存和读出过程中是否出现错误，保证存储器数据写入读出的可靠性。
3）、校验指示灯：当从6116读出信息时，校验指示灯亮；其它情况下灭。
4）、读写模式、读写操作：读模式下，如果开关为读操作，则无冲突；读模式下，如果开关为写操作，则发生冲突；写模式下，如果开关为读操作，则发生冲突；写模式下，如果开关为写操作，则无冲突；5）、冲突说明：冲突时，报警灯亮，244处于高阻态，6116不工作，7个数据灯、一个校验码灯和一个校验指示灯全灭。
模式244 6116 校验灯读模式高阻读红/绿写模式开通写不亮五、注意事项1）使用任何芯片时，若插槽多于引芯片脚数，则需要接地，否则会出现电路逻辑问题。
实验三半导体存储器原理实验(精)
实验五半导体存储器原理实验一、实验目的掌握静态随机存取存储器RAM工作特性及数据的读写方法。
二、实验内容1、实验原理主存储器单元电路主要用于存放实验机的机器指令，如图所示，它的数据总线连到外部数据总线EXD0～EXD7上；它的地址总线由地址寄存器单元电路中的地址寄存器74LS273（U37）给出，地址值由8个LED灯LAD0～LAD7显示，高电平点亮，低电平熄灭；在手动方式下，输入数据由8位数据开关KD0～KD7提供，并经一三态门74LS245（U51）连至外部数据总线EXD0～EXD7，实验时将外部数据总线EXD0～EXD7用8芯排线连到内部数据总线BUSD0～BUSD7，分时给出地址和数据。
它的读信号直接接地；它的写信号和片选信号由写入方式确定。
该存储器中机器指令的读写分手动和自动两种方式。
手动方式下，写信号由W/R`提供，片选信号由CE`提供；自动方式下，写信号由控制CPU的P1.2提供，片选信号由控制CPU的P1.1提供。
由于地址寄存器为8位，故接入6264的地址为A0～A7，而高4位A8～A12接地，所以其实际使用容量为256字节。
6264有四个控制线：CS1为第一片选线、CS2为第二片选线、OE读出使能线及WE写使能线。
其功能如表所示。
CS1片选线由CE’控制（对应开关CE）、OE读出使能线直接接地、WE写使能线由W/R’控制（对应开关WE）、CS2直接接+5V。
图中信号线LDAR由开关LDAR提供，手动方式实验时，跳线器LDAR拨至左侧，脉冲信号T3由实验机上时序电路模块TS3提供，实验时只需将J22跳线器连上即可，T3的脉冲宽度可调。
2、实验接线①MBUS连BUS2；②EXJ1连BUS3；③跳线器J22的T3连TS3；④跳线器J16的SP连H23；⑤跳线器SWB、CE、WE、LDAR拨至左侧（手动位置）。
3、实验步骤① 连接实验线路，仔细查线无误后接通电源。
② 形成时钟脉冲信号T3，方法如下：在时序电路模块中有两个二进制开关“运行控制”和“运行方式”。
计算机组成原理半导体存储器实验
华中科技大学组成原理实验报告——半导体存储器姓名：张鹏学号：U200915166班级：CS0910目录1．实验目的 (3)2．电路设计和整体电路 (3)2.1 写入奇偶校验 (3)2.2 读出奇偶校验 (3)2.3 8位存储器电路 (4)2.4 整合电路 (6)3．实验记录与结果分析 (6)4．实验收获与体会 (7)5．思考题 (7)1．实验目的1．掌握半导体静态随机或动态读写存储器RAM的工作原理特性及其使用方法。
2．掌握半导体存储器进行读写的过程。
3．掌握半导体存储器扩充的方法。
4．掌握测量半导体存储器读写周期的方法。
5. 掌握对存储数据进行奇偶效验的原理和方法。
2．电路设计和整体电路按照方案3连接电路，然后加入写入奇偶校验和读出奇偶校验。
先说一下奇偶校验。
2.1 写入奇偶校验写入奇偶校验需要自己设计编码，我使用的是最低位作为校验位，高7位的奇校验值写入到最低一位。
电路图如下：b0的表达式为：bb⊕bb⊕⊕=⊕⊕b⊕4321b5b60b7然后把b7~b0写入到RAM里面去。
2.2 读出奇偶校验读出偶校验对RAM的8位数据进行奇校验，即：⊕G⊕bb⊕⊕=⊕⊕⊕b532146bbbb7b若G=0说明数据没有错误，否则说明数据有错。
其电路图如下：2.3 8位存储器电路8位存储器使用方案3。
三态门负责数据的产生和阻断，D触发器负责对地址锁存，6116即充当存储器。
由此构成的电路，对其进行读写时要经过一系列的步骤。
写操作要按以下步骤执行：a.置数据阻断开关为‘关’，使三态门输出数据b.置D触发器锁存开关为‘关’c.设置开关为要写入数据的地址d.置D触发器锁存开关为‘开’，锁存，至此已设置好地址e.置6116RAM芯片为‘写’输入状态f.设置开关为要写入的数据g.关闭6116RAM芯片的‘写’输入状态，完成读操作要经过以下步骤（为防止误对存储器进行‘写’输入，在不是写状态下绝对不能打开‘写’输入开关）：a.按照写操作的步骤a-d设置6116RAM的地址b.置数据阻断开关为‘开’，使三态门不能产生数据c.置6116RAM芯片为‘读’输出状态，然后数据指示灯就会显示出存储器里面的数据8位存储器是电路模型如下：2.4 整合电路注意：此电路图在Multisim里面绘制，对地址显示器和数据显示器简单地使用逻辑分析仪代替。
存储芯片实验报告
一、实验目的1. 理解存储芯片的基本原理和工作方式；2. 掌握存储芯片的读写操作；3. 了解存储芯片的性能指标；4. 学会使用存储芯片进行数据存储和读取。
二、实验器材1. PC一台；2. 存储芯片（如SD卡、U盘等）；3. 实验软件（如H2testw、CrystalDiskMark等）；4. 电脑连接线。
三、实验原理存储芯片是一种用于存储和读取数据的半导体器件。
根据存储方式的不同，存储芯片主要分为以下几种类型：1. RAM（随机存取存储器）：可读可写，断电后数据丢失；2. ROM（只读存储器）：只读，断电后数据不丢失；3. EEPROM（电可擦写只读存储器）：可读可写，断电后数据不丢失；4. Flash存储器：可读可写，断电后数据不丢失。
本实验主要针对SD卡进行实验，SD卡是一种常见的Flash存储器，具有容量大、读写速度快、兼容性好等特点。
四、实验步骤1. 准备实验环境：将存储芯片插入电脑的SD卡槽或使用USB连接线连接SD卡。
2. 安装实验软件：下载并安装H2testw、CrystalDiskMark等实验软件。
3. 使用H2testw进行数据写入和读取测试：（1）打开H2testw软件，选择“Test”选项卡；（2）选择“Flash card”选项，然后点击“Start”按钮开始测试；（3）等待测试完成，查看测试结果。
4. 使用CrystalDiskMark进行性能测试：（1）打开CrystalDiskMark软件，选择“Disk Benchmark”选项卡；（2）选择SD卡作为测试对象，然后点击“Start”按钮开始测试；（3）等待测试完成，查看测试结果。
5. 使用文件管理器查看SD卡中的文件：（1）打开电脑的文件管理器，浏览SD卡中的文件；（2）查看文件存储情况，了解存储芯片的容量和可用空间。
五、实验结果与分析1. H2testw测试结果：通过H2testw软件进行数据写入和读取测试，验证存储芯片的读写性能。
储存半导体的实习报告
实习报告：储存半导体实习经历一、实习背景和目的随着科技的飞速发展，半导体技术在现代社会中扮演着越来越重要的角色。
储存半导体作为其中的一个重要领域，其发展和应用前景十分广阔。
为了更好地了解储存半导体领域的技术和发展趋势，以及提升自己的实践能力，我选择了储存半导体公司进行为期三个月的实习。
二、实习公司和岗位本次实习我选择了一家知名的储存半导体公司，该公司是全球领先的储存半导体制造商之一，产品涵盖了固态硬盘（SSD）、动态随机存取存储器（DRAM）等多个领域。
我在公司研发部门担任实习生，主要负责协助研发团队进行新型储存半导体的研究和开发工作。
三、实习内容和过程在实习期间，我参与了多个项目的研发工作，主要包括以下几个方面：1. 了解储存半导体基本原理和技术：通过阅读相关文献和参加公司内部的培训，我深入了解了储存半导体的工作原理、分类和应用场景等方面的知识。
2. 参与项目研发：我参与了公司一项新型固态硬盘的研发项目，与团队成员一起进行方案设计、仿真和实验等工作。
在项目过程中，我学习了如何运用专业知识解决实际问题，并提高了自己的团队协作能力。
3. 实验数据分析和报告撰写：在实验过程中，我负责收集和整理实验数据，对数据进行分析，并撰写实验报告。
这让我更加熟悉了数据处理和分析的方法，并锻炼了写作能力。
4. 参加技术交流和研讨会：在实习期间，我参加了公司组织的一系列技术交流和研讨会，与行业专家和同行进行交流，拓宽了自己的视野，并了解到了最新的行业动态和发展趋势。
四、实习收获和反思通过本次实习，我收获颇丰。
首先，我深入了解了储存半导体领域的技术和发展趋势，对相关产品有了更全面的了解。
其次，我在实践中提升了自己的专业技能，学会了如何运用专业知识解决实际问题。
同时，我也锻炼了自己的团队协作和沟通能力，为以后的工作打下了坚实的基础。
然而，在实习过程中，我也发现了自己在理论知识掌握和实际操作能力方面的不足。
在今后学习中，我将更加努力地学习专业知识，提高自己的实践能力，为将来能够更好地应用于工作和研究领域做好准备。
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计算机组成原理课程设计实验报告
学院：计算机科学与工程学院
专业：计算机科学与技术
班级：计科一班
学号：
姓名：
评分：
2013年05月17日
半导体存储器原理实验报告
1．实验目的
2．（1）掌握静态存储器的工作特性及其使用方法；
（2）掌握半导体随机存储器如何存储和读取数据。
3．实验原理
4．实验内容
如图，在protues里进行电路连接。
（1)使用了一片6116静态RAM（2048×8位），但地址端A8-A10脚接地，因此实际上存储容量为256字节。
存储器的数据线D7-D0接至数据总线。
(2)使用一片8位的74LS273作为地址寄存器（AR），地址寄存器的输出端接存储器6116的地址线A7-A0,所以存储单元的地址由地址存储器AR提供。
(3)数据开关（INPUT DEVICE）用来设置地址和数据，它经过一个三态门74LS244与数据总线相连，分别给出地址和数据。
4)用74LS273作为锁存器，连接总线与存储器。
(5)存储器有三个控制信号：CE片选信号、OE读命令信号、WE写信号。
当片选信号CE＝0时，RAM被选中，可以进行读/写操作;当CE＝1时，RAM未被选中，不能进行读/写操作。
读命令信号OE在本实验中已固定接地，在此情况下，当CE＝0，WE=1时，存储器进行写操作，当CE=0，WE=0时，存储器进行读操作。
5．数据记录：
DSW SW7-SW074LS373
(OE)#
74LS273
CLK
611674LS244
Q7-Q0
6116
D7-D0
备注
(CE)#(OE)#(WE)#
000000000111100000000——地址00H
写入AR 0000000101001——00000001数据01H
写入RAM 000100000111100010000——地址10H
写入AR 0000001001001——00000010数据02H
写入RAM 00000000000000000000000000000地址00H
读出数据00010000000000001000000010000地址10H
读出数据
总结及心得体会
在学总线那一章节时，对于老师提到的各种74LSXXX名词，总是云里
雾里的，经过实验，现在对总线这一章节的内容有了更为清晰的认识，也
了解到了各种74LSXXX的功能以及在模拟电路中起到的作用。
11级计算机科学与技术一班：
2013年05月17日。