用不同方法评价0.18μmCMOS工艺栅氧击穿电压和击穿电量
18工艺mos管的工艺参数
18工艺mos管的工艺参数【引言】18工艺MOS管（金属氧化物半导体场效应晶体管）是一种广泛应用于集成电路的半导体器件。
随着科技的发展，对MOS管性能的要求越来越高，因此了解和掌握18工艺MOS管的工艺参数显得尤为重要。
本文将对18工艺MOS管的工艺参数进行详细阐述，以期为相关领域的研究和应用提供参考。
【18工艺MOS管的基本原理】18工艺MOS管的基本原理是利用金属氧化物半导体（MOS）材料特性，在栅极和衬底之间形成一个电场，控制沟道中的电子流动。
其结构包括栅极、源极、漏极和衬底，工作原理是通过改变栅极电压来调节沟道电流。
【18工艺MOS管的工艺参数分类】18工艺MOS管的工艺参数主要分为以下几类：1.栅极工艺参数：包括栅极材料、栅极厚度、栅极掺杂浓度等。
2.沟道工艺参数：包括沟道材料、沟道厚度、沟道掺杂浓度等。
3.绝缘层工艺参数：包括绝缘层材料、绝缘层厚度等。
4.源漏区工艺参数：包括源漏材料、源漏厚度、源漏掺杂浓度等。
【关键工艺参数的详细解读】1.栅极材料：栅极材料的选择对MOS管的导通电阻、功耗和栅极漏电流等性能具有重要影响。
常见的栅极材料有金属（如钨、钼等）和非金属（如氮化硅、氧化物等）。
2.栅极厚度：栅极厚度影响栅极的导电性和击穿电压。
一般来说，栅极厚度越薄，导电性越好，但击穿电压越低。
3.栅极掺杂浓度：栅极掺杂浓度影响栅极与沟道的导电连接程度。
掺杂浓度越高，栅极与沟道的导电连接越好，但也会导致栅极漏电流增大。
4.沟道材料：沟道材料的选择对MOS管的导通电阻、功耗和电流开关速度等性能有重要影响。
常见的沟道材料有硅、锗等半导体材料。
5.沟道厚度：沟道厚度影响沟道的导电性和击穿电压。
一般来说，沟道厚度越薄，导电性越好，但击穿电压越低。
6.沟道掺杂浓度：沟道掺杂浓度影响沟道的导电性和电流开关速度。
掺杂浓度越高，导电性越好，但也会导致电流开关速度降低。
7.绝缘层材料：绝缘层材料的选择对MOS管的绝缘性能和可靠性具有重要影响。
一种基于018μmcmos工艺的高响应度apd
第４７卷 第１期 激光与红外Ｖｏｌ．４７，Ｎｏ．１ ２０１７年１月 ＬＡＳＥＲ ＆ ＩＮＦＲＡＲＥＤＪａｎｕａｒｙ，２０１７ 文章编号：１００１ ５０７８（２０１７）０１ ００６２ ０５·红外材料与器件·一种基于０ １８μｍＣＭＯＳ工艺的高响应度ＡＰＤ王 巍，陈 丽，鲍孝圆，陈 婷，徐媛媛，王冠宇，唐政维（重庆邮电大学光电工程学院／国际半导体学院，重庆４０００６５）摘 要：设计了一种基于０ １８μｍＣＭＯＳ工艺的高响应度雪崩光电二极管（ＡＰＤ）。
该ＡＰＤ采用标准０ １８μｍＣＭＯＳ工艺，设计了两个Ｐ＋／Ｎ阱型ｐｎ节，形成两个雪崩区以产生雪崩倍增电流。
雪崩区两侧使用ＳＴＩ（浅沟道隔离）结构形成保护环，有效地抑制了ＡＰＤ的边缘击穿；并且新增加一个深Ｎ阱结构，使载流子在扩散到衬底之前被大量吸收，屏蔽了衬底吸收载流子产生的噪声，用以提高器件的响应度。
通过理论分析，确定本文所设计的ＣＭＯＳ－ＡＰＤ器件光窗口面积为１０μｍ×１０μｍ，并得到了器件其他的结构和工艺参数。
仿真结果表明：ＡＰＤ工作在４８０ｎｍ波长的光照时，量子效率达到最高９０％以上。
在加反向偏压－１５Ｖ时，雪崩增益为７２，此时响应度可达到２ ９６Ａ／Ｗ，３ｄＢ带宽为４ ８ＧＨｚ。
关键词：ＣＭＯＳ－ＡＰＤ；雪崩增益；响应度；带宽中图分类号：ＴＮ３６４ ２ 文献标识码：Ａ ＤＯＩ：１０．３９６９／ｊ．ｉｓｓｎ．１００１ ５０７８．２０１７．０１．０１２ＨｉｇｈｒｅｓｐｏｎｓｉｖｉｔｙＡＰＤｂａｓｅｄｏｎ０ １８μｍＣＭＯＳｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙＷＡＮＧＷｅｉ，ＣＨＥＮＬｉ，ＢＡＯＸｉａｏ ｙｕａｎ，ＣＨＥＮＴｉｎｇ，ＸＵＹｕａｎ ｙｕａｎ，ＷＡＮＧＧｕａｎ ｙｕ，ＴＡＮＧＺｈｅｎｇ ｗｅｉ（ＣｏｌｌｅｇｅｏｆＥｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓＥｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ，ＣｈｏｎｇｑｉｎｇＵｎｉｖｅｒｓｉｔｙｏｆＰｏｓｔｓａｎｄＴｅｌｅｃｏｍｍｕｎｉｃａｔｉｏｎｓ，Ｃｈｏｎｇｑｉｎｇ４０００６５，Ｃｈｉｎａ）Ａｂｓｔｒａｃｔ：ＡｈｉｇｈｒｅｓｐｏｎｓｉｖｉｔｙＡＰＤｂａｓｅｄｏｎ０ １８μｍｃｏｍｐｌｅｍｅｎｔａｒｙｍｅｔａｌ ｏｘｉｄｅ ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ（ＣＭＯＳ）ｐｒｏｃｅｓｓｉｓｄｅｓｉｇｎｅｄ Ｗｉｔｈｔｈｅｓｔａｎｄａｒｄ０ １８μｍＣＭＯＳｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ，ｔｗｏＰ＋／Ｎ ｗｅｌｌｔｙｐｅｐｎｊｕｎｃｔｉｏｎｓａｒｅｄｅｓｉｇｎｅｄｔｏｆｏｒｍｔｗｏａｖａｌａｎｃｈｅｒｅｇｉｏｎｓｉｎｏｒｄｅｒｔｏｐｒｏｄｕｃｅａｖａｌａｎｃｈｅｍｕｌｔｉｐｌｉｃａｔｉｏｎｃｕｒｒｅｎｔ，ａｎｄｔｈｅｇｕａｒｄ ｒｉｎｇｓｔｒｕｃｔｕｒｅｉｓｆｏｒｍｅｄｗｉｔｈＳＴＩ（ＳｈａｌｌｏｗＴｒｅｎｃｈＩｓｏｌａｔｉｏｎ）ｓｔｒｕｃｔｕｒｅｏｎｂｏｔｈｓｉｄｅｓｏｆｔｈｅａｖａｌａｎｃｈｅｒｅｇｉｏｎ，ｗｈｉｃｈｒｅｓｔｒａｉｎｓｔｈｅｅｄｇｅ ｂｒｅａｋｄｏｗｎｅｆｆｅｃ ｔｉｖｅｌｙ ＡｄｅｅｐＮ ｗｅｌｌｓｔｒｕｃｔｕｒｅｈａｓｂｅｅｎａｐｐｌｉｅｄｉｎｔｈｅＡＰＤｔｏａｂｓｏｒｂａｌａｒｇｅｎｕｍｂｅｒｏｆｃａｒｒｉｅｒｓｂｅｆｏｒｅｔｈｅｙｓｐｒｅａｄｔｏｔｈｅｓｕｂｓｔｒａｔｅ，ｗｈｉｃｈｓｃｒｅｅｎｅｄｔｈｅｅｘｃｅｓｓｅｄｎｏｉｓｅａｎｄｉｍｐｒｏｖｅｄｔｈｅｒｅｓｐｏｎｓｉｖｉｔｙｏｆｔｈｅｄｅｖｉｃｅ Ｔｈｏｕｇｈｔｈｅｏｒｅｔｉｃａｌａｎａｌ ｙｓｉｓ，ｔｈｅｏｐｔｉｃａｌｗｉｎｄｏｗａｒｅａｉｓ１０μｍ×１０μｍ，ｏｔｈｅｒｓｔｒｕｃｔｕｒｅａｎｄｐｒｏｃｅｓｓｐａｒａｍｅｔｅｒｓｏｆｔｈｅＣＭＯＳ ＡＰＤａｒｅａｌｓｏｃｏｎｆｉｒｍｅｄ Ｔｈｅｓｉｍｕｌａｔｉｏｎｒｅｓｕｌｔｓｓｈｏｗｔｈａｔａｔｗａｖｅｌｅｎｇｔｈｏｆ４８０ｎｍ，ｔｈｅｑｕａｎｔｕｍｅｆｆｉｃｉｅｎｃｙｒｅａｃｈｅｓｕｐｔｏ９０％ Ｔｈｅａｖａｌａｎｃｈｅｇａｉｎｉｓａｂｏｕｔ７２，ｔｈｅｒｅｓｐｏｎｓｉｖｉｔｙｉｓ２ ９６Ａ／Ｗａｎｄ３ｄＢｂａｎｄｗｉｄｔｈｉｓａｂｏｕｔ４ ８ＧＨｚｗｈｅｎｔｈｅｂｉａｓｖｏｌｔａｇｅｉｓ－１５ＶＫｅｙｗｏｒｄｓ：ＣＭＯＳ ＡＰＤ；ａｖａｌａｎｃｈｅｇａｉｎ；ｒｅｓｐｏｎｓｉｖｉｔｙ；ｂａｎｄｗｉｄｔｈ作者简介：王 巍（１９６７－），男，教授，博士，主要从事半导体光电及集成电路设计方面的研究。
栅氧的击穿电压 工作电压
栅氧的击穿电压工作电压栅氧的击穿电压和工作电压是电子元件中的两个重要参数。
栅氧是指金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）中的栅极氧化层，它起到了隔离栅极和沟道的作用。
击穿电压是指当栅极与沟道之间的电压超过一定值时，栅氧层会发生击穿现象，从而导致器件损坏。
而工作电压则是指器件正常工作时所需的电压范围。
我们来了解一下栅氧的击穿电压。
栅氧的击穿电压是指栅极与沟道之间的电压达到一定值时，栅氧层会发生击穿现象。
击穿现象会导致栅极与沟道之间出现大电流，从而使器件损坏。
栅氧的击穿电压主要与栅氧层的厚度和材料有关。
一般来说，栅氧层越厚，击穿电压越高。
而不同材料的栅氧层，其击穿电压也会有所差异。
因此，在设计电子元件时，需要根据实际情况选择合适的栅氧层厚度和材料，以确保器件在工作时不会发生击穿现象。
然后，我们来了解一下工作电压。
工作电压是指器件正常工作时所需的电压范围。
不同的电子元件在工作时，其工作电压是有一定范围的。
超过该范围，器件可能无法正常工作或者损坏。
因此，在设计电子电路时，需要根据器件的工作电压范围选择合适的电源电压和信号电压，以确保器件能够正常工作。
接下来，我们来看一下栅氧的击穿电压和工作电压之间的关系。
栅氧的击穿电压一般要高于器件的工作电压。
这是因为在器件正常工作时，栅极与沟道之间的电压不会超过器件的工作电压范围。
只有在异常情况下，如电源电压波动或者外界干扰等，栅极与沟道之间的电压可能会超过工作电压范围，从而导致栅氧层发生击穿。
因此，栅氧的击穿电压要高于器件的工作电压，以确保器件在正常工作时不会发生击穿现象。
栅氧的击穿电压和工作电压还与器件的制造工艺和质量有关。
制造工艺的不同可能会导致栅氧层的质量不同，从而影响栅氧的击穿电压。
而器件的质量问题，如材料纯度、氧化层的均匀性等，也会对栅氧的击穿电压和工作电压产生影响。
因此，在制造和选择电子元件时，需要考虑到栅氧的击穿电压和工作电压的要求，以确保器件的可靠性和稳定性。
基于0.18um CMOS工艺限幅放大器和螺旋电感的研究的开题报告
基于0.18um CMOS工艺限幅放大器和螺旋电感的研究的开题报告一、选题背景随着现代通信技术的不断发展，无线通信系统已经成为人们生活中不可或缺的一部分。
无线通信的优势在于无需线缆，灵活方便，覆盖范围广，但同时也存在一些问题。
其中一个重要的问题就是信号干扰。
干扰信号可能来自于其他无线通信设备，也可能是由于建筑物，气象条件等外部因素引起的。
为了解决信号干扰问题，需要采取各种工具和方法。
其中一种方法就是采用限幅放大器和螺旋电感来提高系统的抗干扰性能。
二、研究内容和目的本项目的研究内容是基于0.18um CMOS工艺制作限幅放大器和螺旋电感，并研究其在无线通信系统中的应用。
限幅放大器的主要功能是限制输入信号的幅度，并提供确定的输出幅度范围。
螺旋电感则是一种特殊的电感，它可以降低系统中的杂散信号和噪声。
本研究的目的是建立一种高抗干扰性能的无线通信系统，通过制作和优化限幅放大器和螺旋电感，提高系统的抗干扰性能，从而提高系统的可靠性和稳定性。
三、研究方法和技术路线1. 制作限幅放大器和螺旋电感的芯片设计和制作。
该芯片应使用0.18um CMOS工艺，并采用最新的设计软件。
2. 根据设计要求，制作螺旋电感。
该螺旋电感应具有高品质因数和高自谐振频率。
3. 对芯片进行测试和验证。
通过使用局部测试方案对芯片进行零件测试，并使用完整的通信系统验证其性能。
4. 优化设计方案。
根据测试结果，对芯片进行适当的修改和优化，以提高其性能和抗干扰性能。
四、研究预期成果1. 制作出具有高性能和抗干扰性能的限幅放大器和螺旋电感。
2. 建立一种新型的无线通信系统，使其具有更高的可靠性和稳定性。
3. 验证所提出方案的有效性，并提供在实际生产中的应用价值。
五、研究意义和应用价值通过本研究的工作，我们可以建立一种高品质的无线通信系统，提高系统的抗干扰性能。
该系统可以广泛应用于各种需要稳定的无线通信系统，例如移动通信、网络通信和广播等领域。
此外，本研究还具有一定的理论探索意义，对于深入理解无线通信系统的工作原理和发展趋势也具有重要价值。
基于0.18μm CMOS高压工艺的低压器件优化设计
基于0.18μm CMOS高压工艺的低压器件优化设计朱琪;华梦琪;宣志斌;张又丹【摘要】In the design of products, whether can lfexible application of low voltage devices and high voltage devices of a successful design is vital. The design of the product is a multi power chip, device types, the maximum power is ±15 V, based on the SMIC 0.18 μm 40 V HV-LDMOS technology,5 V low voltage device layout with design optimization in the ±15 V power supply, on the same chip to realize the high and low voltage circuit switching, no the occurrence of leakage and breakdown, meet the electrical characteristics of various devices, products, stable work, reliable performance, and good overall performance.%产品设计时，是否能灵活应用低压器件与高压器件对一款成功的设计而言至关重要。
设计一款多电源芯片，器件电压种类繁多，最高电源为±15 V，基于SMIC 0.18μm 40 V HV-LDMOS工艺，5 V低压器件版图采用优化设计，在±15 V电源下，在同一芯片上实现了电路的高低压转换，没有发生击穿漏电现象，并满足了各种器件的电特性指标，产品工作稳定、性能可靠，并且整体性能良好。
一种0.18μm CMOS 1.0 V高精度电压基准源
一种0.18μm CMOS 1.0 V高精度电压基准源李惊东【期刊名称】《现代电子技术》【年(卷),期】2015(000)012【摘要】在此基于SMIC 0.18μm CMOS工艺，设计一种高精度低温漂的低压基准电压源。
该基准源的供电电源电压为1.8 V，输出电压为1.0 V，电路的总电流小于5μA。
在-40～80℃范围内的温度系数为5.7 ppm/℃。
当频率在100 kHz以内时，电源抑制比始终保持在-75 dB以下。
该基准电压源具有低功耗、低温度系数、高电源抑制的特性，能够很好地应用于低压供电的集成电路设计中。
%A high⁃accuracy low voltage reference with low temperature drift is designed in this paper based on SMIC 0.18 μm CMOS process. Its power supply is 1.8 V and output voltage is 1.0 V. The total current in its circuit is less than 5 μA. The tem⁃perature coefficient is 5.7 ppm/℃ under the condition of operation temperature at ⁃40oC~80 oC. The PSRR is less than ⁃75 dB when the frequency is lower than 100 kHz. This reference has the characteristics of low power consumption,low temperature co⁃efficient and high PSRR,and can be used in design of integrated circuits with low⁃voltage power supply.【总页数】3页(P123-125)【作者】李惊东【作者单位】中国船舶重工集团公司第七0三研究所，黑龙江哈尔滨 150078【正文语种】中文【中图分类】TN710-34;O47【相关文献】1.PVT恒定高精度亚阈值CMOS电压基准源 [J], 吴瑶;龚敏;高博2.一种1V电压工作的高精度CMOS带隙基准源 [J], 唐华;肖明;吴玉广3.一种新型高精度CMOS电压基准源 [J], 彭伟;谢海情;邓欢4.一种高精度BiCMOS带隙电压基准源的设计 [J], 李淼;冯全源5.一种高精度BiCMOS带隙电压基准源的设计 [J], 李淼;冯全源因版权原因，仅展示原文概要，查看原文内容请购买。
0.18umCMOS工艺5GHzWLAN功率放大器的设计
0.18umCMOS工艺5GHzWLAN功率放大器的设计
随着互联网的普及,人们需求更高速率的无线局域网。
通过使用免许可证信息基础频段,无线局域网可以提供高达几十兆比特每秒的速率。
射频集成电路(RFIC)是无线通信领域中不可缺少的关键电路,是无线通信的主要瓶颈。
近年来,随着无线通信系统的容量和速率的提升,系统对RFIC的性能提出了更高的要求。
同时,为了满足产品化后高可靠性和低成本的要求,用CMOS工艺实现单片集成的RFIC正逐渐成为人们研究的一个热点。
本文研究了采用TSMC 0.18μm CMOS工艺应用于5 GHz无线局域网(WLAN)发射机的功率放大器的设计方法,并给出了仿真结果。
电路采用三级A类放大结构,在3.3V工作电压下,模拟得到的增益为25.9dB;1dB压缩点输出功率为24.7dBm;最大功率附加效率(PAE)为15%,可用于无线局域网802.11a标准的系统中。
本文先讨论了无线局域网的标准以及收发信机的结构特点。
然后详细分析各种功率放大器的电路结构和性能特点,并且讨论了放大器的线性化技术。
随后分别从六方面,即模块划分、稳定性分析、匹配网络设计、直流偏置设计、主放大电路设计以及静电保护电路设计来具体讲述功率放大器的电路设计细节,给出了电路各个模块的电路示意图和最终电路的结构图。
进而讲述功率放大器的版图设计。
先介绍了深亚微米CMOS工艺的特点,给出了射频CMOS电路版图需要考虑的几个因素。
为了适应电路环境的需要,本次设计对于工艺厂商提供的版图结构的一些改动。
最后给出了芯片的测试方法与结果以及结果分析。
0.18微米高压器件(LDMOS)栅氧化层在隔离沟道边缘厚度的改善的开题报告
0.18微米高压器件(LDMOS)栅氧化层在隔离沟道边缘厚度的改善的开题报告开题报告题目：0.18微米高压器件(LDMOS)栅氧化层在隔离沟道边缘厚度的改善一、研究背景随着电子技术的不断发展和集成电路技术的快速进步，高压器件的应用越来越广泛，尤其是在电力电子方面的使用越来越广泛。
高压器件是指以高压为工作电压且能承受高能量环境的器件，其性能是评估其适用性的关键因素。
其中，0.18微米高压器件(LDMOS)是一种高性价比的器件，其结构具有优良的功率、速度和可靠性等特性，广泛应用于电气驱动、电源管理等领域。
在LDMOS器件中，栅氧化层的质量和隔离沟道边缘的结构对器件的性能有着重要的影响。
隔离沟道边缘上的栅氧化层虽然可以有效隔离沟道与栅极，但同时也会影响沟道区和源漏区之间的电子传输。
因此，改善栅氧化层在隔离沟道边缘的厚度是提高LDMOS器件性能的重要途径。
二、研究目的与意义本研究旨在探究LDMOS器件中栅氧化层在隔离沟道边缘的厚度对器件性能的影响及改善方法。
具体目的如下：1.研究LDMOS器件中栅氧化层在隔离沟道边缘的结构和厚度的现状。
2.探讨栅氧化层在隔离沟道边缘的厚度对LDMOS器件性能的影响。
3.提出改善LDMOS器件性能的方法并进行验证研究。
通过本研究，可以更加深入地了解LDMOS器件中栅氧化层在隔离沟道边缘的影响因素，为后续LDMOS器件的优化设计提供指导思想和基础。
同时，通过改善栅氧化层在隔离沟道边缘的厚度，可以提高LDMOS器件的可靠性和稳定性，为其在实际应用中提供保障。
三、研究方法本研究将采用以下方法实现研究目标：1.文献调研：通过查阅相关文献，了解LDMOS器件中栅氧化层在隔离沟道边缘的现状和改善方法。
2.器件模拟：利用TCAD软件对LDMOS器件进行模拟，分析栅氧化层在隔离沟道边缘厚度对器件的影响。
3.实验验证：采用电学分析等实验方法对改善后的LDMOS器件进行性能测试和验证。
四、预期结果与结论通过研究，预期达到以下结果：1.明确栅氧化层在隔离沟道边缘的结构和厚度的现状，分析其对LDMOS器件性能的影响。
一种0.18μm的CMOS带隙电压基准
一种0.18μm的CMOS带隙电压基准
肖飞;何书专;李丽;赵茂;高明伦
【期刊名称】《电子测量技术》
【年(卷),期】2009()3
【摘要】介绍了一种运用于混合信号电路的带隙基准电压源电路。
电路采用共源共栅结构的高增益运算放大器,提高了电源抑制性能,运用曲率补偿技术减小了输出电压随温度的变化,同时采用二级运放作为电压输出的缓冲,通过电阻分压得到多个稳定电压输出。
该电路采用SMIC 0.18μm工艺,使用HSPICE仿真,电源电压为3.3 V,温度为-20～120℃时,输出电压的温度系数为17×10-6/℃;电源电压在2～5 V 变化时,室温下的输出电压为1.230 V±1.88 mV。
【总页数】3页(P5-6)
【关键词】基准电压源;高电源抑制比;曲率补偿;输出缓冲
【作者】肖飞;何书专;李丽;赵茂;高明伦
【作者单位】南京大学物理系微电子设计研究所;江苏省光电信息功能材料重点实验室
【正文语种】中文
【中图分类】TN43
【相关文献】
1.0.18μm CMOS带隙基准电压源的设计 [J], 陈双文;刘章发
2.一种低功耗CMOS带隙基准电压源设计 [J], 汤知日;周孝斌;杨若婷
3.一种适应于低电压工作的CMOS带隙基准电压源 [J], 李树荣;李丹;王亚杰;姚素英
4.一种基于0．18um工艺低压高精度带隙基准电压源设计 [J], 邓森洋; 张力; 陈祝
5.一种用于A/D转换器的低电压CMOS带隙电压基准源 [J], 华斯亮;刘岩;王东辉;侯朝焕
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GGNMOS
Gate Grounded NMOS器件的ESD性能分析朱科翰∗摘要：本文基于某0.18μm‐CMOS工艺制程的1.8V NMOS器件，从工艺的角度并用TLP测试系统对栅极接地的NMOS（GGNMOS）ESD器件进行比较分析。
介绍了SAB和ESD注入对GGNMOS 的性能影响。
影响GGNMOS ESD性能的瓶颈是均匀开启性。
在GGNMOS版图等其它特征参数最优的前提下，采用SAB能改善其均匀开启性，从而大大改进ESD性能。
GGNMOS的瞬态触发电压在7V左右，不会造成栅氧可靠性威胁，采用PESD并非必需。
1.引言MOS管作为ESD防护器件广泛被业界采用，代工厂给设计公司提供的ESD版图设计规则文档中一般只有MOS管的规范。
随着工艺的进步，MOS管的特征尺寸缩小了、特征频率的增高了，但是使得器件ESD的抵抗能力减弱了。
由此工艺工程师为提高ESD性能，推出了SAB/SB(Salicide Block)，ESD注入（ESD implant）供客户选择，但不是免费的。
GGNMOS作为ESD器件正向依靠寄生NPN（漏极的N+有源区‐P型衬底‐源极的N+有源区）BJT泄放ESD电流；反向由PN二极管（P型衬底‐N+有源区）和栅源相接的NMOS二极管组成。
在全芯片ESD网络中，当ESD事件来临时，GGNMOS正向和反向都有可能导通，这由潜在的ESD路径决定，ESD电流总会流向低阻路径。
所以在设计时必需考虑GGNMOS的正向和反向ESD性能以绝对保证芯片的可靠性。
通常GGNMOS作为二极管ESD性能很强大，但必需结合电源钳位器件（Power Clamp）一起使用，比如电源对输入发生正ESD应力。
GGNMOS作为BJT 是一种击穿型（Breakdown Device）的工作机理[1, 2]，依靠漏极与衬底之间的雪崩击穿触发后形成低阻通路泄放ESD电流。
然而多指GGNMOS器件通常不能如愿以偿的均匀开启，即ESD性能并不与器件的面积成正比。
栅氧厚度和击穿电压计算
栅氧厚度和击穿电压计算
栅氧厚度和击穿电压的计算方法与具体情况有关，以下是两种常见的计算方法：
1. 栅氧厚度的计算：
栅氧厚度通常使用单位为纳米（nm），可以通过以下公式计算：
t(栅氧厚度) = εr * ε0 / Cox
其中，εr为栅氧的相对介电常数，通常为3.9；
ε0为真空的介电常数，约为8.854 × 10^-12 F/m；
Cox为栅氧的比电容，单位为F/m^2。
具体的栅氧比电容需要根据材料和工艺参数进行实验测量或者选取已有的常见值。
2. 击穿电压的计算：
击穿电压通常使用单位为伏特（V），可以通过以下公式计算：
V(击穿电压) = 3.9 * t(栅氧厚度) / d
其中，3.9为栅氧的相对介电常数，t为栅氧厚度，d为栅电极与源/漏极之间的距离。
这种计算方法基于栅氧的呈线性电容-电压特性。
需要注意的是，以上计算方法仅供参考，具体的计算应根据具体的器件结构和材料参数进行调整。
此外，在实际应用中还需要考虑到工艺製程的限制和工作环境等因素。
0_18_mCMOS工艺下的新型ESD保护电路设计
收稿日期:2008-06-23基金项目:国家自然科学基金资助(60206006);教育部新世纪优秀人才计划资助(681231366);国家部委预研基金资助(51308040103);西安应用材料创新基金资助(XA -AM -200701)作者简介:刘红侠(1968-),女,教授,博士,E -mail :hxliu @mail .xidian .edu .cn .0.18μm CMOS 工艺下的新型ESD 保护电路设计刘红侠,刘青山(西安电子科技大学宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室,陕西西安 710071)摘要:为了有效地保护0.18μm CM OS 工艺下箝位器件的栅极,设计了一款新型的电源和地之间的静电保护电路.该电路在检测电路部分加了一个N M O S 反馈器件,同时在检测电路的下一级使用了动态传输结构.反馈器件能够提高电路中各器件工作状态的转换速度,使得保护电路能够及时关闭,避免箝位器件栅极电流保持过长时间,保护了箝位器件的栅极.此外,该电路采用0.18μm CM O S 工艺下的普通器件,节省了电路的成本.关键词:静电放电;保护电路;反馈;动态传输中图分类号:T N431.1 文献标识码:A 文章编号:1001-2400(2009)05-0867-04Analysis and design of novel ESD protection circuitin 0.18μm CMOS processLIU Hong -x ia ,L IU Qing -shan(M inistry of Educatio n K ey Lab .of W ide Band -G ap Semico nduc to r M a te rialsand Devices ,Xidian U niv .,Xi an 710071,China )A bstract : Based on the 0.18μm CM O S pro ce ss ,a new type o f pow er -rail ESD pro tection circuit fo rpr otecting the ga te o f the ESD clamp device is proposed .A n N M OS feedback device is added in thedetectio n circuit ,and the dynamic tra nsmissio n str ucture is applied .T he w o rking states a re enhanced bythe feedback structure ,w hich can shutdo wn the pr otectio n circuit immedia te ly ,reduce the hold time o fthe cur rent across the ga te of the clamp device ,and protect the ga te .T his circuit uses the no rmal devicesfor the 0.18μm CM O S pr ocess ,thus saving the cost gr eatly .T he effectiv eness o f this new pro tectioncircuit is ve rified by the research results .Key Words : electro -static dischar ge (ESD );pro tection cir cuits ;feedback ;dy namic transmission伴随工艺技术的日臻完善,可靠性问题越来越成为制约集成电路发展的瓶颈.而在众多失效原因中,静电放电(ESD )问题尤为严重,统计结果表明:大约40%以上的集成电路失效都是由于ESD 失效引起的.在许多芯片测试中发现[1-5]:虽然芯片有良好的输入输出防护设计,而且输入输出接口均正常工作,但是芯片内部却出现了异常损伤.图1就是在ND 模式的静电放电情况下芯片内部出现损伤的现象.图中负电压出现在输入焊盘和V DD 之间,V D D 在ND 模式测试时候是接地的.此负的ESD 电压首先由静电防护电路到达V SS 电源线,在该测试情况下V SS 是浮接的,因此在V DD 和V SS 之间存在电压降.如果这个电压不能及时泄放掉,就会造成芯片内部器件的损伤.同时为了节省面积,内部电路通常都采用最小尺寸设计,芯片就更容易遭受ESD 损伤.现在的系统芯片SOC (Sy stem on chip )要求把数字电路和模拟电路做在同一块芯片上,为了防止信号干扰,通常把模拟部分和数字部分的电源分开,在芯片内部出现多对电源线和地线,电源和地之间的ESD 保护就显得格外重要了.2009年10月第36卷 第5期 西安电子科技大学学报(自然科学版)JOUR NAL OF XIDI AN UNIV ER SI TY Oct .2009Vol .36 No .5图1 电路中的异常损伤国外对于ESD 的研究始于上世纪末,全球各大公司都将ESD研究作为可靠性研究的重点,ESD 设计也成为可靠性设计的关键,现在已有800余项美国专利发表,而且逐年还有递增趋势.与ESD相关的研究论文累计有几千篇,IEEE 每年都会收录大概一百多篇ESD 方面的论文.但是纵观这些专利和研究论文发现,目前对于新的电路结构的研究和改进不是很多,还局限于以往的那几种成熟的电路上面,工作重点在于器件方面,以使用新的器件结构来获得更好的静电防护效果.但是这样做的结果提高了电路的成本.笔者设计的保护电路结构,使用的是0.18μm 工艺下的普通器件.由于使用了新的反馈技术,既能有效地提高电路的抗静电能力,而且不会提高制造成本.1 动态检测的保护电路图2给出了动态检测电路示意图.图2 动态检测电路示意图这种保护电路使用RC 网络来侦测ESD 电压,把侦测到的ESD 电压通过一个反相器输送到箝位器件上,将静电电流泄放掉.箝位器件的种类很多,有NM OS 器件、S TFOD 器件等.其中S TFOD 器件具有较强的单位静电释放能力,可以在较小的面积下提供高的防护电压.这种电路的ESD 脉冲上升时间仅有10ns 左右,电路正常上电延迟时间大概是1μs ～1ms 之间,而ESD 侦测电路中RC 时间常数介于这两者之间.当一个正的ESD 脉冲来临时,电容C 充电速度没有静电电压的上升速度快,A 点的电压就为低电压`0',PMOS 导通,将静电加载在箝位晶体管的栅极,形成一个低阻通路,箝位NMOS 器件开启,泄放ESD 电流.当电容充电完毕时,A 点的电位为`1',箝位晶体管的栅极电压为`0',晶体管关闭.在电路正常工作的时候,A 点是高电压,使箝位器件的栅极电压处于低电位,形成一个高阻断路,不影响内部电路的正常工作.在图2(b )的输出结果中,上升时间为10ns ,脉冲电压幅度为5V ,V (A ),V (B )分别是在脉冲电压作用下A 点和B 点电压的波形.这种电路最大的缺点是:在ESD 电压来临之际,箝位器件在泄放完静电以后不能及时关闭,使得静电电压在箝位器件的栅上保持时间较长,可能导致箝位器件发生热电击穿.为了有效地保护箝位器件的栅,使其免于遭受热电击穿.就需要特别设计RC 网络时间常数和电阻R 的大小.R 值太大的话,保持时间太长,会损坏器件的栅极;R 值如果太小,保持时间很短,不能将电流泄放完毕.研究结果表明,栅压最佳保持时间一般在20～30ns 之间.由于集成电路中电阻和电容的工艺参数漂移通常都很严重,而且集成电路的工艺角比较多,所以要很好地控制R 值的大小比较困难.同时,设计中使用了电容,而0.18μm 工艺中的单位面积MOS 电容为1fF /μm 2,通常电容会占用很大的芯片面积,设计中需要综合考虑两者的影响.868 西安电子科技大学学报(自然科学版) 第36卷2 采用反馈和动态延时的保护电路2.1 保护电路结构和工作原理 笔者设计了一种新的电路,即采用反馈以及动态延时结构[6-8].保护电路结构如图3所示.电路采用了RC 网络检测静电电压的变化,将A 点的电压通过一个反相器传输到B 点,再在B 点接一个倒比管,作进一图3 采用反馈和动态延时的保护电路步延时,最后传输到箝位器件上,通过控制箝位器件的开启,将静电泄放掉.该电路和普通电路最大的区别是:在检测电路上加了一个NMOS 反馈器件,同时采用了一个倒宽长比的NM OS 器件作为一级延迟器件.这个反馈器件的特征尺寸不用很大,通常为反相器的NMOS 器件特征尺寸的1/2到1/3.它在静电电压来临时形成一个低阻通路,同时也起到泄放电流的目的,加大了电流的泄放力度,减少最后一级主泄放通路的压力.由于采用了反馈操作,使得电路能够在静电发生时间内迅速地将静电电流泄放掉,及时将保护电路关闭,避免将箝位器件的栅氧化层损坏,同时避免产生误操作.综合考虑芯片面积和栅压保护时间,笔者在设计中使用的电阻为60k Ψ,电容为1.5pF .在电路正常工作情况下,电容的作用使A 点的电位为`0',反向器的作用使B 点的电位为`1',NMOS 导通.C 点的电位降为`0',箝位晶体管关闭.从而保证在电路正常工作情况下,静电保护电路关闭,不会影响内部电路的正常工作.但是当静电来临时,由于RC 时间常数小于静电脉冲上升的时间,A 点的电压跟随静电电压变为`1',这样,B 点的电压就为`0',NM OS 关闭,因此C 点的电压为`1',最后一级箝位晶体管开启,将静电放电电流泄放掉[9].随着电容的不断充电,A 点的电势逐渐降低,各器件工作状态开始反转.反馈NM OS 及时开启,A 点的电势迅速降为`0',最后一级箝位器件栅上面的电压保持时间不会过长,有效地保护了箝位器件的栅极.因为对于0.18μm 的工艺来说,栅氧化层厚度只有4nm ,能够承受的最大电压只有几伏.因此,栅上面的静电电压不能维持太长时间,一般为几十纳秒就可以了,这样既可以将静电电流泄放掉,还可以有效地保护箝位器件的栅极.2.2 电压特性设计采用的是台积电(TSM C )1.8V 1P6M 0.18μm CM OS 的工艺,RC 时间常数设置为90ns ,对于每种工艺角都进行研究和分析.图4是在SS 工艺角静电作用下C 点的电压波形.采用5V 脉冲电压,上升时间为10ns .从结果可以看出,在最坏的情况SS 工艺角下,箝位器件的栅压在保持了35ns 后,迅速降为`0',箝位器件处于关闭状态.由于采用负反馈器件,电路可以产生一个振荡回路,使A 点和B 点电压保持稳定,强化了保护电路中各器件的工作状态.图4 SS 工艺角静电作用下C 点电压波形图5 快速上电情况下C 点的电压波形 在芯片正常上电情况下,箝位器件的峰值电压仅仅只有几十毫伏,保护电路不会开启,不会影响内部电路的正常工作.但是有些电路的上电速度比较快,就有可能造成保护电路将这种正常上电误以为是静电来临,从而开启导通,影响内部电路正常工作.取它们能够达到的最快上电速度1μs 进行研究,图5是正常上电情况下C 点的电压波形.可以发现这个时候箝位器件的栅压不到200mV ,低于箝位器件的阈值电压,而且保869第5期 刘红侠等:0.18μm CM OS 工艺下的新型ESD 保护电路设计持时间只有几十纳秒,这样电路仍然能够在快速上电情况下处于关闭状态,不会影响电路正常工作状态,避免电路出现误操作现象.2.3 温度特性图6是静电作用下,不同温度下C点的电压波形.对不同的工艺角,从-40℃到125℃都进行温度扫描分析,可以发现电路即使在最坏情况下(125℃,SS工艺角),栅上面的电压保持时间不超过50ns,电路也能起到正常的保护作用.由此可以得出结论,这种保护电路能够适应在不同温度下工作的需求.图6 静电作用下,不同温度下C点的电压波形图7 电源噪声影响下,C点的电压波形2.4 噪声特性正常上电情况下,电源上面会有一些噪声出现,这些噪声通常具有高的转换速度,也有可能会触发保护电路,使电路开启.因此,在1.8V正常工作电压下,加上峰值为0.2V,频率为250M H z的方波,进行噪声分析.图7是在电源噪声影响下C点的电压波形.从结果可见,在这种情况下,箝位晶体管的栅压不超过50mV,不能开启,不会产生误操作.图8 正常工作情况下,保护电路的漏电流2.5 漏电流特性当整个电路都处在正常工作状态时,保护电路的漏电流是一个很关键的参数.从图8可知,在1.8V1P6M0.18μm CM OS工艺下,当电源电压从0V变化到3V的时候,保护电路的漏电流从0变化到190pA,而使用1.8V供电,漏电流只有110pA,低于1.8V工艺下,漏电流不得超过1nA的要求.此时保护电路的功耗也不到0.2nW,完全符合设计要求.3 总 结笔者设计了一款新型的电源和地之间ESD保护电路.该电路采用单管M OS器件产生反馈,使得保护电路在静电泄放完毕以后能够及时关闭,栅压保持时间在最坏情况下也不超过50ns,既能有效地保护箝位晶体管的栅极,还能有效地保护内部电路.同时由于采用了动态延时电路,使得电路能够有效地抑制错误触发和电源噪声.在正常工作情况下,电路的漏电流仅有110pA,功耗很小,只有不到0.2nW,不会影响内部电路的特性.和常规的保护电路相比,笔者设计的电路具有更好的保护效果.此外,该电路采用了0.18μm工艺下的普通器件,并没有使用特殊器件以及工艺,可以大大节省电路的成本.参考文献:[1]K er M D.W ho le-chip ESD P ro tectio n Desig n w ith Efficient VDD-to-V SS ESD Clamp Circuits fo r Submicr on CM O S V L SI[J].IEEE T rans o n Electronic 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cuit,2005,40(8):1751-1759.[6]杜鸣,郝跃.CM O S工艺下栅耦合ESD保护电路[J].西安电子科技大学学报,2006,33(4):547-549.D u M ing,H ao Yue.Desig n o f the ESD Pro tection Circuit with the Ga te-co uple T echnique in CM O S Technology[J].Jo ur nal of Xidian Univ ersity,2006,33(4):547-549.[7]Chou H M,Lee J W,Li P Y.A F lo ating Ga te Desig n fo r ESD Pr otectio n Cir cuits[J].T he V LSI Journal,2007,40(2):161-166.[8]Feng Haiqiang,Chen Guang,Z han Ro uy ing,et al.A M ix ed-mo de ESD P ro tection Circuits Simula tion-de sig nM etho do lo gy[J].IEEE So lid-State Circuit,2003,38(6):995-1006.[9]K er M D,Chang W J.ESD P rotectio n Desig n with O n-chip ESD Bus and H ig h-v oltage-to ler ant ESD Clamp Circuit forM ixed-vo ltag e I/O Buffer s[J].I EEE Solid-S ta te Circuit,2008,55(6):1409-1416.(编辑:郭 华) 。
0.18微米cmos工艺
0.18微米cmos工艺0.18微米CMOS工艺是一种先进的集成电路制造技术，用于制造超小型、高性能的电子设备。
这种工艺采用了先进的制造技术和设计理念，使得集成电路的尺寸缩小，同时提高了性能和可靠性。
在0.18微米CMOS工艺中，关键的技术包括以下几点：1. 薄膜制造技术：这种技术使用极薄的薄膜材料，如硅、氧化物和金属等，来制造集成电路的各个元件。
薄膜制造技术的精度和稳定性对于实现超小型电路至关重要。
2. 掺杂技术：掺杂技术是通过向薄膜材料中添加杂质元素来改变其导电性质的一种方法。
在0.18微米CMOS工艺中，掺杂技术用于制造电路的各个元件，如源极、栅极和漏极等。
3. 光刻技术：光刻技术是通过使用光刻胶和光掩模来将电路图案转移到薄膜材料上的一种方法。
在0.18微米CMOS工艺中，光刻技术需要使用高精度的光掩模和精确的控制技术来确保电路图案的精度和一致性。
4. 热处理技术：热处理技术是通过控制薄膜材料的温度和时间来实现对其导电性质的改变的一种方法。
在0.18微米CMOS工艺中，热处理技术用于调整电路元件的性能和稳定性。
除了以上关键技术外，0.18微米CMOS工艺还需要注意以下几点：1. 电路设计的优化：由于电路尺寸缩小，电路设计需要更加精细和优化，以实现高性能和可靠性。
2. 材料的选择和控制：薄膜材料的选择和控制对于实现超小型电路至关重要。
需要选择合适的材料，并控制其质量和稳定性。
3. 制程的控制和管理：制程的控制和管理对于实现超小型电路至关重要。
需要精确控制制程参数，并确保制程的稳定性和一致性。
4. 测试和验证：测试和验证是确保集成电路性能和可靠性的重要环节。
需要使用高精度的测试设备和方法来测试集成电路的性能指标，并进行充分的验证。
0.18微米CMOS工艺是一种先进的集成电路制造技术，可以实现超小型、高性能的电子设备。
为了实现这种工艺，需要采用一系列的关键技术和需要注意各个方面的控制和管理。
0.18 微米CMOS工艺低功耗标准单元库的开发与验证.
Aug., 2005
2
华杰0.18微米单元库关键技术难点分析
HuaJie Tech
驱动能力
驱动能力的大小来自于芯片中平均连线长度及所期望的工作频率。 单元的驱动能力用来承担连线及单元输入级负载，其中如果增大 驱动能力，可能会引起此单元输入负载的增加。
P/N比率
对数字电路来说，首先要求是总延时要小，其次才是上升/下降延 时平衡。调整P/N比率以使上升、下降的延迟和最小。 P/N比率还关系到噪声容限，必须保证足够的噪声容限，以防止 外来干扰、片内信号干扰、电源/地噪声及芯片内部压降引起的噪声 容限变小。
项目总体完成情况良好。
根据HHNEC spice model 6月份的更新要求，阶段计划将相应调 整，力争Alpha版设计9月底完成。硅片验证测试报告于明年1月底 完成。
测试芯片设计及流片计划正常进行。
Aug., 2005
10
党员及积极分子带头，团队合作，确保项目实现目标
HuaJie Tech
• 提供更多不同驱动能力的单元以适应时序调整/面积优化的要求 • 结合库的可建立性、可维护性确定单元数量。
触发器的设计
Setup/Hold时间的平衡及负的Hold时间 设计单Q端输出的单元
低功耗单元的设计
针对低功耗芯片的设计及普通设计中总是存在低工作频率模块，设计 各种功能单元类型的低功耗单元；允许同一个设计中采取不同的工作 电压以降低非关键路径上的功耗；使用门控时钟避免不必要的翻转。
项目主要性能指标：
－基于华虹NEC0.18微米工艺的前端设计库和后端设计库； －相应的技术文档与说明； －标准单元库，包含808个标准单元；
－ESD 2000V包含IO单元75个各二套；
深亚微米大容量PROM芯片ESD保护技术
深亚微米大容量PROM芯片ESD保护技术裴国旭;邓玉良;樊利慧;李晓辉;彭锦军【摘要】The ESD protection circuit design of PROMs is introduced based on 0. 18μm CMOS process. From a whole-chip’s point of view, the whole chip is protected in the round using multiple power and whole-chip ESD protection design. At the same time,the high voltage programming port’s ESD protection design is optimized. Final products pass the ESD testing and satisfy the project required.%从全芯片角度出发，采用多电源ESD架构和全芯片ESD设计，对整颗芯片提供全方位的ESD保护，介绍了基于0.18μm CMOS工艺设计的大容量PROM芯片的ESD设计技术。
同时，通过对高压编程引脚的ESD加固设计，提高了芯片的整体抗ESD能力。
最终产品ESD测试满足项目要求。
【期刊名称】《电子器件》【年(卷),期】2014(000)004【总页数】4页(P587-590)【关键词】静电放电(ESD);可编程只读存储器(PROM);全芯片【作者】裴国旭;邓玉良;樊利慧;李晓辉;彭锦军【作者单位】深圳市国微电子股份有限公司，广东深圳518057;深圳市国微电子股份有限公司，广东深圳518057;深圳市国微电子股份有限公司，广东深圳518057;深圳市国微电子股份有限公司，广东深圳518057;深圳市国微电子股份有限公司，广东深圳518057【正文语种】中文【中图分类】O472.8在IC(集成电路)产业中,静电放电ESD(Electro-Static Discharge)是影响IC芯片可靠性的主要因素之一,通过ESD保护电路设计,可以提高IC芯片的可靠性[1]。
高压0.18μm先进工艺技术
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维普资讯
Ｌ ￡ ｒ ｕ ！ ｌｇｄ路 】集 ｅ ｃ ｉｅ 电 ｔ 国
２创 新性和先进性 、
本 技术 属 于消化 吸 收创新 。
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１ ｃ 的厚度将在很大程度上影响到器件的漏 电性能。由于钴硅合金生长过程 中硅的消耗量较其他合 ）ｏ
金物大 ， 所以 ｃ 的淀积厚度 以及退火温度等工艺要点较难掌握 ，ｏ ｏ ｃ 太厚将有可能在一定程度上导致漏 电情
况 的产生 ；
２ Ｆ Ｇ开发过程中取得一系列成果 ， ）Ｓ 已申请成功一项 国家专利 。 ３ Ｓ ）Ｆ Ｇ如果直接与金属接触将导致翘 曲的产生 ， 由于 Ｆ Ｇ中的 Ｆ Ｓ 与金属层 中的 Ｔ 反应 ， ｉ 生成 ＴＦ， ｉ 该 ｘ 物质挥发性好 ， 体积膨胀 ， 导致金属层与 Ｆ Ｇ粘合不牢， Ｓ 引起金属层与 Ｆ Ｇ之间的翘曲 （ ｅｌ ｇ ， Ｓ ｐｅｎ ）这会造成 ｉ 器件的可靠性不 良。在层间膜与金属之间加一层 Ｓ Ｏ（ ｉｃｎ ｒ ｈ ｏｉ ） Ｒ Ｓ ｉ —ｉ —ｘ ｅ 材质 的氧化膜可解决这个问题。 ｌｏ ｃ ｄ ４ Ｔｅｃ ｎｒ Ｎ ） ｒ ｈ ｉ （ Ｏ结构中 Ｓ ） ｎ ｌｅＯ ｉ 的厚度将影响到漏 电问题 ， Ｎ 适当增加 ＳＮ的厚度就能在一定程度上可 ｉ
维普资讯
Ｌ一 创新专栏
高压 Ｏ １ ｍ 先进工艺技术 一８Ｉ ＿ Ｉ
上海华虹 Ｎ Ｃ电子有 限公 司工程‘ 部 Ｅ 一
１ 简介 、
项 目名 称 ： 高压 ０１ ｍ先 进工 艺技 术 ， ． ８
该项 目产品属于 ３Ｖ高工作 电压 的关键尺寸为 ０１ ｍ的逻辑器件 。在 ８ ０ ． ８ 英寸硅片上经过 ３ 层光刻 ２
安森美推出0.18微米CMOS工艺技术
安森美推出0.18微米CMOS工艺技术全球领先的高性能、高能效硅方案供应商安森美半导体(ON Semiconductor)扩展定制晶圆代工能力，推出新的具价格竞争力、符合业界标准的0.18 微米(µm) CMOS 工艺技术。
这ONC18 工艺是开发低功率及高集成度数字及混合信号专用集成电路(ASIC)的极佳平台，用于汽车、工业及医疗应用。
基于ONC18 工艺的方案将在安森美半导体位于美国俄勒冈州Gresham 的8 英寸晶圆制造厂制造，因此，预期对于寻求遵从国际武器贸易规章(ITAR)的合作伙伴、在美国国内生产的美国军事应用设计人员而言，也具备吸引力。
安森美半导体定制及晶圆代工分部总经理Rick Whitcomb 说：ONC18 工艺使汽车、工业、医疗和军事部门的设计人员可开发集成的低功率数字及混合信号ASIC，既快速又符合高性价比。
这工艺的在岸制造属性尤其适用于美国军事客户，同时这工艺的持续开发计划进一步彰显安森美半导体致力于定制晶圆代工业务。
ONC18 工艺适合于要求多达1,000 万门的ASIC，具有4 到6 层金属，让设计人员集成1.8 伏(V)内核电压及1.8 V 和3.3 V 输入/输出(I/O)。
混合信号设计用元件包括多种电阻，以及额定值[每平方微米1.0 飞(femto，即10-15)法(fF/µm2)]和高量值(2.0 fF/µm2)的可堆叠金属-绝缘体-金属(MIM)电容。
这基础工艺支持扩展的模块化0.18 µm 双极型-CMOS-DMOS(BCD)工艺，以及高压工艺路线图。
支持安森美半导体这新工艺的设计套件提供全面的I/O 及存储器库。
高密度内核的门密度及功率消耗分别是每平方毫米124,000 门(即124 K gates/mm2 )和每门每兆赫兹46 微瓦(即46 µW/ MHz/gate)，混合信号内。
0.18微米CMOS工艺技术平台
Ｃ ｒ ｕ 由 Ｉ成Ｃｉ ｈｎａ ｉ ｉ集ｔｒ ｎｔｅ路 国ｅ ｄｃ ａｇ电 ｔ
技 术平 台属 于 目前 国 内主要 的先进 工 艺技 术 。本项 目曾被 列入 国家重 点技 术创 新计 划 和评 为信 息产业 部 电
３ 应 用 范 围和 市 场 前 景 、
本 工艺 技术 属 于先进 半 导体 制造 工艺 ， 为当今 国际主 流工艺 技 术 ， 有很 好 的市 场 和应 用前 景 。它首 先 具
被 应 用 于上 海华 虹 Ｎ Ｃ的生 产 线上 ， Ｅ 在其 开 发成 功 的 初期 ， 先是 实 现 由华 虹 自主设 计 的 ２ Ｒ Ｍ 产 品 良 ＭＳ Ａ
品率 达到 ９ ％以上 ， ８ 紧接 着 的是其 客户 产 品 的 良品率 稳定 在 ９ ％以上 ， 通 过 客户 认证 ， ０ 并 实现 批量 生 产 。 目 前， 华虹 Ｎ Ｃ的 ０１ｕ ＭＯ Ｅ ．８ｍ Ｃ Ｓ技 术 已经有 了多 个 固定 客 户 ， 在此 逻 辑 工艺 技 术 的基 础 上 ， 发 出多 种 新 并 开 产品 工艺技 术 ， 大大 地提 高 了生 产线 的工 艺技 术水 平 和产 品竞争 力 。 此 外 ， 为 国 内首 先 开发 成 功 的拥 有 自主知 识 产权 的先进 制 造 工艺 技 术 ， 为 国 内企 业 突破 国外 技 术 作 它 禁运 具有 很好 的社会 效益 ， 对 华 虹集 团 乃至 全 国集 成 电路行 业 的整体 技 术水 平 的升 级具 有 积极 意 义 。本 将
点有 ： ８ｍ光刻和 Ｏ Ｃ ＰＭ掩模板技术 、 沟槽隔离技术 、 ２ ｎ ４ Ｐ 、Ｓ 浅 双栅氧 双栅极 、 自对准钴硅化物接触工艺等 。
上海 集成 电路研 发 中心 于 ２０ — ０３年 间 ， 比利 时 Ｉ Ｃ合 作开 发 成 功此 工 艺技 术 原 型 ， 共 享 知识 产 ０ ２２ ０ 与 ＭＥ 双方
18工艺mos管的工艺参数
18工艺mos管的工艺参数摘要：18 工艺mos 管的工艺参数一、18 工艺mos 管概述二、18 工艺mos 管的工艺参数1.阈值电压2.栅极漏极电阻3.电流密度4.迁移率5.耗尽模式和增强模式三、18 工艺mos 管的应用领域正文：18 工艺mos 管的工艺参数一、18 工艺mos 管概述18 工艺mos 管是一种采用18 微米工艺制程的mos 管，具有较高的性能和较低的成本，被广泛应用于集成电路中。
18 工艺mos 管具有多种类型，如阈值电压、栅极漏极电阻、电流密度、迁移率等，这些参数对于18 工艺mos 管的性能起着至关重要的作用。
二、18 工艺mos 管的工艺参数1.阈值电压：阈值电压是指在栅极电压达到一定值时，mos 管开始导通的电压值。
18 工艺mos 管的阈值电压一般在1-2 伏特之间。
2.栅极漏极电阻：栅极漏极电阻是指在栅极和漏极之间的电阻值。
18 工艺mos 管的栅极漏极电阻一般在100-200 欧姆之间。
3.电流密度：电流密度是指在单位面积内流过的电流大小。
18 工艺mos 管的电流密度一般在100-200 毫安/平方毫米之间。
4.迁移率：迁移率是指电子在电场作用下的移动速度。
18 工艺mos 管的迁移率一般在100-200 厘米/伏特之间。
5.耗尽模式和增强模式：18 工艺mos 管有两种工作模式，分别是耗尽模式和增强模式。
耗尽模式是指在栅极电压为零时，漏极电流为零；增强模式是指在栅极电压为零时，漏极电流不为零。
三、18 工艺mos 管的应用领域18 工艺mos 管广泛应用于集成电路中，如电源管理、放大器、开关等电路。
此外，18 工艺mos 管也被应用于计算机、通信设备、消费电子等领域。